JP2005331933A - Organic el display - Google Patents

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尚雄 田辺
Naoki Kobayashi
小林  直樹
Yasushi Sato
廉志 佐藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display which reduces luminance variation of each pixel and can reduce lowering of an aperture ratio to a small level. <P>SOLUTION: The organic EL display comprises: a light emitting part; a current control part for controlling a current made to flow through the light emitting part; a 1st switching part for performing switching between transmission and non-transmission of the current controlled by the current control part; a current detection part for detecting a transmitted and controlled current value as a voltage; a comparison amplifying part for carrying out a comparison of a voltage value corresponding to the detected current with a voltage value corresponding to an image signal and amplifying the resultant value; a 2nd switching part for performing switching between transmission and non-transmission of the voltage resulting from the comparison and amplification; and an image signal holding capacitor which is charged and discharged according to the voltage transmitted from the 2nd switching part. The current control part controls the current made to flow through the light emitting part according to the charging voltage of the image signal holding capacitor. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、自己発光する有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を画素に用いてこれをマトリクス状に配置して表示を行う有機EL表示装置に係り、特に、画素ごとの輝度ばらつきの低減化に好適な有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device that performs display by using self-emitting organic EL (electroluminescence) elements in pixels and arranging them in a matrix, and is particularly suitable for reducing luminance variation for each pixel. The present invention relates to an organic EL display device.

有機EL素子を利用した表示装置は、有機EL素子が自己発光素子であることからバックライトが不要であり低消費電力化に向く点でLCD(液晶表示装置)にない特徴がある。また、高速応答、広視野角の特性を有し、さらに素子自体が固体であるためフレキシブルな用途への応用が可能などの利点もある。   A display device using an organic EL element has a feature that an LCD (Liquid Crystal Display) does not have a backlight because the organic EL element is a self-light-emitting element and does not require a backlight. In addition, since it has characteristics of a high-speed response and a wide viewing angle, and since the element itself is solid, it has any advantages that can be applied to flexible applications.

有機EL表示装置の駆動方式としては、LCDと同様にPM(パッシブマトリクス)駆動とAM(アクティブマトリクス)駆動とが可能であるが、画素ごとに薄膜トランジスタ(TFT)を設けて画素を個々に制御するAM方式が主流になっている。これにより、高精細化、長寿命化、さらなる低消費電力化も考慮されている。   As a driving method of the organic EL display device, PM (passive matrix) driving and AM (active matrix) driving can be performed in the same manner as the LCD. However, a thin film transistor (TFT) is provided for each pixel to control the pixel individually. The AM method has become mainstream. As a result, higher definition, longer life, and further lower power consumption are considered.

ところで有機EL表示装置の画素ごとの発光をばらつきなく制御するためには、ある画像信号に対する、その画素ごとの電流値をそろえる必要がある。特に、画像信号がアナログ信号で与えられそのアナログ値に従って画素に中間的な発光をさせる方式の場合にはこの点は重要である。このような前提で輝度むらを低減することを目的とした有機EL表示装置の例には例えば下記特許文献1のものがある。
特開2002−91377号公報
By the way, in order to control the light emission of each pixel of the organic EL display device without variation, it is necessary to align the current value of each pixel with respect to a certain image signal. In particular, this is important in the case of a method in which an image signal is given as an analog signal and the pixel emits light in accordance with the analog value. An example of an organic EL display device aiming at reducing luminance unevenness under such premise is, for example, one disclosed in Patent Document 1.
JP 2002-91377 A

上記文献に開示の表示装置では、画像信号に画素電流が一致するように負帰還する構成が用いられている。これにより、電流制御回路の入力電圧対出力電流の特性にばらつきがあってもこれが吸収されて、一定の画像信号に対して画素同士でそろった電流値が得られるものである。しかしながら、必然的に、負帰還に必要な誤差増幅回路を各画素ごとに作り込む必要があるため表示の開口率(表示面積に対する正味の発光部面積の割合)の点では不利さがあると考えられる。   In the display device disclosed in the above document, a configuration is used in which negative feedback is performed so that the pixel current matches the image signal. As a result, even if there is a variation in the characteristics of the input voltage versus the output current of the current control circuit, this is absorbed and a current value that is uniform between pixels for a certain image signal is obtained. However, inevitably, it is necessary to build an error amplification circuit necessary for negative feedback for each pixel, so that there is a disadvantage in terms of display aperture ratio (ratio of net light emitting area to display area). It is done.

本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、自己発光する有機EL素子を画素に用いてこれをマトリクス状に配置して表示を行う有機EL表示装置において、画素ごとの輝度ばらつきの低減化しかつ開口率の点でもその犠牲の小さい有機EL表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances. In an organic EL display device that performs display by using organic EL elements that self-emit light in pixels and arranging them in a matrix, the luminance variation of each pixel is reduced. An object of the present invention is to provide an organic EL display device which is reduced and has a small sacrifice in aperture ratio.

本発明に係る有機EL表示装置は、複数の画素がマトリックス状に配置され、前記複数の画素の中から画素選択信号に従って画素が選択され、前記選択された画素が画像信号に従って発光させられる有機EL表示装置であって、発光部と、前記発光部に流す電流を制御する電流制御部と、前記画素選択信号に従って、前記電流制御部により制御された電流の伝送/非伝送の切り替えを行う第1のスイッチング部と、前記第1のスイッチング部により伝送された前記制御された電流の値を電圧として検出する電流検出部と、前記検出された電流相当の電圧値と前記画像信号に相当する電圧値とを比較増幅する比較増幅部と、前記画素選択信号に従って、前記比較増幅された結果である電圧値の伝送/非伝送の切り替えを行う第2のスイッチング部と、前記第2のスイッチング部より伝送された前記電圧値により充放電がされる画像信号保持用コンデンサとを具備し、前記電流制御部が、前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧により前記発光部に流す前記電流を制御する。   In the organic EL display device according to the present invention, a plurality of pixels are arranged in a matrix, a pixel is selected from the plurality of pixels according to a pixel selection signal, and the selected pixel is caused to emit light according to an image signal. A display device comprising: a light emitting unit; a current control unit that controls a current that flows through the light emitting unit; and first / non-transmission switching of current controlled by the current control unit according to the pixel selection signal. A switching unit, a current detection unit that detects the value of the controlled current transmitted by the first switching unit as a voltage, a voltage value corresponding to the detected current, and a voltage value corresponding to the image signal And a second switching unit that switches between transmission and non-transmission of the voltage value that is the result of the comparison and amplification in accordance with the pixel selection signal. And an image signal holding capacitor that is charged and discharged by the voltage value transmitted from the second switching unit, and the current control unit uses the charging voltage of the image signal holding capacitor to emit the light emitting unit. To control the current flowing through.

この構成では、画像信号が比較増幅部の一方に入力されるが、もう一方の入力には、第1のスイッチング部により伝送された電流の検出を行う電流検出部から電圧が与えられる。また、比較増幅部の出力は第2のスイッチング部を介して画像信号保持用コンデンサおよび電流制御部に供給される。このような構成では、各画素の第1のスイッチング部をマルチプレクサに用い、かつ各画素の第2のスイッチング部をデマルチプレクサに用いることが容易に達成される。すなわち、複数の画素に対して比較増幅部および電流検出部が一組あれば足りることになるので、比較増幅部および電流検出部を各画素ごとに設けるに及ばない。よって、開口率を低下させる要因を排除できる。また、比較増幅部による負帰還がされるので、もとより電流制御部の入力電圧対出力電流の特性にばらつきがあってもこれが吸収されて、一定の画像信号に対して画素同士でそろった電流値が得られる。   In this configuration, the image signal is input to one of the comparison amplification units, and a voltage is applied to the other input from the current detection unit that detects the current transmitted by the first switching unit. The output of the comparison amplification unit is supplied to the image signal holding capacitor and the current control unit via the second switching unit. In such a configuration, it is easily achieved that the first switching unit of each pixel is used for the multiplexer and the second switching unit of each pixel is used for the demultiplexer. That is, since only one set of the comparison amplification unit and the current detection unit is necessary for a plurality of pixels, it is not necessary to provide the comparison amplification unit and the current detection unit for each pixel. Therefore, a factor that decreases the aperture ratio can be eliminated. In addition, since negative feedback is performed by the comparison amplifier, even if there is a variation in the input voltage vs. output current characteristics of the current controller, this is absorbed and the current value that is aligned between pixels for a certain image signal. Is obtained.

本発明に係る有機EL表示装置によれば、負帰還のため電流検出部および比較増幅部を有するがこの電流検出部および比較増幅部を各画素ごとに設けるには及ばないので、画素ごとの輝度ばらつきを低減化しかつ開口率の点でもその犠牲をごく小さくできる。   According to the organic EL display device of the present invention, the current detection unit and the comparison amplification unit are provided for negative feedback. However, the current detection unit and the comparison amplification unit are not provided for each pixel. Variations can be reduced and the sacrifice can be made extremely small in terms of aperture ratio.

本発明の実施態様として、前記電流検出部は、電源と前記第1のスイッチング部との間に挿入接続された抵抗器またはホール素子であり、前記発光部が、前記電流制御部とグラウンドの間に挿入接続される、とすることができる。電流検出部として容易な構成である抵抗器またはホール素子を用いるものである。また発光部をグラウンド基準で形成した構成である。   As an embodiment of the present invention, the current detection unit is a resistor or a Hall element inserted and connected between a power supply and the first switching unit, and the light emitting unit is between the current control unit and ground. Inserted and connected. A resistor or a Hall element having an easy configuration is used as the current detection unit. Further, the light emitting portion is formed with reference to the ground.

ここで、前記電流検出部は、電源と前記第1のスイッチング部との間に挿入接続された薄膜トランジスタのオン抵抗を利用して前記制御された電流の値を電圧として検出するようにしてもよい。これによれば、抵抗器を作り込む必要がなく製造プロセス的な利点がある。   Here, the current detection unit may detect the value of the controlled current as a voltage using an on-resistance of a thin film transistor inserted and connected between a power source and the first switching unit. . According to this, it is not necessary to build a resistor, and there is an advantage in the manufacturing process.

また、ここで、前記電流制御部は、nチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をドレイン・ソース電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされるという構成とすることができる。電流制御部にnチャネル薄膜トランジスタを用いる場合の構成である。   Further, the current control unit is an n-channel thin film transistor, and outputs the current flowing through the light emitting unit as a drain / source current, and the control of the current is supplied to the gate of the image signal holding capacitor. A configuration in which the charging voltage is applied can be employed. In this configuration, an n-channel thin film transistor is used for the current control unit.

さらに、前記電流制御部は、pチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をソース・ドレイン電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされるという構成とすることもできる。電流制御部にpチャネル薄膜トランジスタを用いる場合の構成である。   Further, the current control unit is a p-channel thin film transistor, outputs the current flowing through the light emitting unit as a source / drain current, and the control of the current is based on the charging voltage of the image signal holding capacitor supplied to the gate. It can also be configured to be made. In this configuration, a p-channel thin film transistor is used for the current control unit.

また、実施態様として、前記電流検出部は、グラウンドと前記第1スイッチング部との間に挿入接続された抵抗器またはホール素子であり、前記発光部が、前記電流制御部と電源との間に挿入接続される、とすることができる。電流検出部として容易な構成である抵抗器またはホール素子を用い、また発光部を電源基準で形成した構成である。   Further, as an embodiment, the current detection unit is a resistor or a Hall element inserted and connected between a ground and the first switching unit, and the light emitting unit is interposed between the current control unit and a power source. It can be inserted and connected. A resistor or a Hall element, which is an easy configuration as a current detection unit, is used, and a light emitting unit is formed on the basis of a power source.

ここでも、前記電流制御部は、nチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をドレイン・ソース電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされるという構成とすることができる。   Here again, the current control unit is an n-channel thin film transistor, outputs the current flowing through the light emitting unit as a drain-source current, and the charge of the image signal holding capacitor supplied to the gate is controlled by the current. It can be set as the structure made by.

また、実施態様として、前記発光部、前記電流制御部、前記第1のスイッチング部、前記第2のスイッチング部、および前記画像信号保持用コンデンサが、前記複数の画素それぞれにおのおのあり、前記比較増幅部および前記電流検出部が、前記マトリックス状の画素の列ごとに一組ずつあり、前記電流検出部への前記第1のスイッチング部からの接続が、該電流検出部が属する画素の列に含まれる画素すべてからなされ、前記比較増幅部からの前記第2のスイッチング部への接続が、該比較増幅部が属する画素の列に含まれる画素すべてに対してなされている、とすることができる。上記で述べた第1および第2のスイッチング部のマルチプレクサまたはデマルチプレクサとしての使用をマトリックス状の画素の各列ごとにまとめた構成である。これによれば、各列ごとに電流検出部および比較増幅部が一組あれば足り、作り込む電流検出部および比較増幅器の数をもっとも少なくすることができる。   Further, as an embodiment, the light emitting unit, the current control unit, the first switching unit, the second switching unit, and the image signal holding capacitor are provided in each of the plurality of pixels, and the comparative amplification Each of the matrix-like pixel columns, and a connection from the first switching unit to the current detection unit is included in the pixel column to which the current detection unit belongs. It is assumed that the connection from the comparison amplification unit to the second switching unit is made to all the pixels included in the pixel column to which the comparison amplification unit belongs. This is a configuration in which the use of the first and second switching units described above as multiplexers or demultiplexers is summarized for each column of matrix pixels. According to this, only one set of the current detection unit and the comparison amplification unit is required for each column, and the number of current detection units and comparison amplifiers to be formed can be minimized.

以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。まず、実施形態の説明に先だって、有機EL表示装置における各画素での輝度むらの発生要因を図30A、図30Bを参照して説明する。図30A、図30Bは、それぞれ、比較例としての有機EL表示装置の画素ごとの構成を示す等価回路図である。図30Aは薄膜トランジスタ(TFT)としてpチャネルトランジスタ56、58を用いた構成を、図30Bは薄膜トランジスタとしてnチャネルトランジスタ56a、58aを用いた構成をそれぞれ示す。   Based on the above, embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, prior to the description of the embodiment, the cause of luminance unevenness in each pixel in the organic EL display device will be described with reference to FIGS. 30A and 30B. FIG. 30A and FIG. 30B are equivalent circuit diagrams each showing a configuration of each pixel of an organic EL display device as a comparative example. 30A shows a configuration using p-channel transistors 56 and 58 as thin film transistors (TFTs), and FIG. 30B shows a configuration using n-channel transistors 56a and 58a as thin film transistors.

図30Aに示す場合は、発光部である有機EL素子54がグラウンド基準で形成され、図30Bに示す場合は、有機EL素子54aが電源基準で形成されている。符号57、57aは画像信号保持用コンデンサ、符号51は電源線、符号52は画像信号線、符号53は走査線である。図示していないが、画像信号線52は縦(列)方向の他の画素に共通に接続され、走査線53は横(行)方向の他の画素に共通に接続される。   In the case shown in FIG. 30A, the organic EL element 54 which is a light emitting portion is formed with reference to the ground, and in the case shown in FIG. 30B, the organic EL element 54a is formed with reference to the power source. Reference numerals 57 and 57a denote image signal holding capacitors, reference numeral 51 denotes a power supply line, reference numeral 52 denotes an image signal line, and reference numeral 53 denotes a scanning line. Although not shown, the image signal line 52 is commonly connected to other pixels in the vertical (column) direction, and the scanning line 53 is commonly connected to other pixels in the horizontal (row) direction.

画像信号線52にはアナログ値(電圧)で画像信号が供給され、これに同期して走査線53には画素選択信号が供給される。画素選択信号が走査線53に供給された場合にはトランジスタ58(58a)が導通状態となって画像信号保持用コンデンサ57(57a)を画像信号線52上の画像信号の電圧に従い充放電する。コンデンサ57(57a)は次にトランジスタ58(58a)が導通状態になるまでその電圧を保持する。コンデンサ57(57a)に保持された電圧によりトランジスタ56(56a)はそのドレイン電流を制御する。   An image signal is supplied to the image signal line 52 with an analog value (voltage), and a pixel selection signal is supplied to the scanning line 53 in synchronization therewith. When the pixel selection signal is supplied to the scanning line 53, the transistor 58 (58a) is turned on to charge and discharge the image signal holding capacitor 57 (57a) according to the voltage of the image signal on the image signal line 52. Capacitor 57 (57a) then holds that voltage until transistor 58 (58a) becomes conductive. The transistor 56 (56a) controls its drain current by the voltage held in the capacitor 57 (57a).

ここで、トランジスタ56(56a)の入力電圧(ゲートソース間電圧Vgs)対出力電流(ドレイン電流Ids、特にpチャネルトランジスタ56の場合は電流の向きを考えてソース・ドレイン電流、nチャネルトランジスタ56aの場合は同様にドレイン・ソース電流ともいう。)の特性は、次式で記述される。すなわち、Ids=(1/2)・μ・Cox・(W/L)・(Vgs−Vth)である。ここで、μはキャリア移動度、Coxは単位面積あたりのゲート容量、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Vthはしきい電圧である。この式からわかるようにしきい電圧Vthが画素ごとにばらつくと同一の入力電圧(ゲートソース間電圧Vgs)に対して出力電流(ドレイン電流Ids)が自乗特性で(すなわち非常に感度高く)ばらつくことがわかる。ドレイン電流Idsは有機EL素子54(54a)にそのまま流す電流であり、電流のばらつきすなわち輝度のばらつきとなる。 Here, the input voltage (gate-source voltage Vgs) of the transistor 56 (56a) versus the output current (drain current Ids, particularly in the case of the p-channel transistor 56, the source / drain current, the n-channel transistor 56a The case is also referred to as a drain-source current). That is, Ids = (1/2) · μ · Cox · (W / L) · (Vgs−Vth) 2 . Here, μ is the carrier mobility, Cox is the gate capacity per unit area, W is the channel width, L is the channel length, and Vth is the threshold voltage. As can be seen from this equation, when the threshold voltage Vth varies from pixel to pixel, the output current (drain current Ids) varies in a square characteristic (that is, very sensitive) with respect to the same input voltage (gate-source voltage Vgs). Understand. The drain current Ids is a current that flows through the organic EL element 54 (54a) as it is, resulting in a current variation, that is, a luminance variation.

トランジスタ56(56a)としてのTFTには電流駆動能力に優れた多結晶シリコンがそのチャネル材料に用いられることが多いが、素子としての特性でしきい電圧Vthは実際上例えば数十mV程度はばらつく。したがって、これらの比較例の構成では表示装置としての画素ごとの輝度ばらつきが避けられない。また、ドレイン電流Idsのばらつきを小さくするためにVthの中心値を小さくする設計を採用すると、ドレイン電流Idsが大きくなり有機EL表示装置として低消費電力化できず好ましくない。   For the TFT as the transistor 56 (56a), polycrystalline silicon having an excellent current driving capability is often used as the channel material. However, the threshold voltage Vth varies depending on the characteristics of the device, for example, about several tens of mV. . Therefore, in the configurations of these comparative examples, luminance variations for each pixel as a display device cannot be avoided. In addition, it is not preferable to employ a design in which the center value of Vth is reduced in order to reduce the variation in the drain current Ids, because the drain current Ids increases and the power consumption cannot be reduced as an organic EL display device.

これに対して図1は、本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図1に示すようにこの画素には、電源線1、画像信号線2、走査線3がそれぞれ接続され、また、発光部4、電流検出部5、電流制御部6、画像信号保持用コンデンサ7、第1スイッチング部8、第2スイッチング部9、比較増幅部10を有する。図示していないが、走査線3は横(行)方向の他の画素に共通に接続される。   On the other hand, FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in the organic EL display device according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a power line 1, an image signal line 2, and a scanning line 3 are connected to this pixel, and a light emitting unit 4, a current detection unit 5, a current control unit 6, and an image signal holding capacitor 7. , First switching unit 8, second switching unit 9, and comparison amplification unit 10. Although not shown, the scanning line 3 is commonly connected to other pixels in the horizontal (row) direction.

発光部4は、グラウンド基準で形成された有機EL素子であり、そのアノード側が電流制御部6の電流出力端子に接続される。電流制御部6は、電流検出部5から第1スイッチング部8を介して発光部4へ流れる電流を制御するものであり、その制御が電圧保持用コンデンサ7が保持する電圧に従うように制御入力端子がコンデンサ7の一端に接続される。   The light emitting unit 4 is an organic EL element formed on the basis of the ground, and its anode side is connected to the current output terminal of the current control unit 6. The current control unit 6 controls the current flowing from the current detection unit 5 to the light emitting unit 4 via the first switching unit 8, and the control input terminal is controlled so as to follow the voltage held by the voltage holding capacitor 7. Is connected to one end of the capacitor 7.

第1スイッチング部8は、電流制御部6と電流検出部5との間に設けられ、走査線3からの画素選択信号に基づき電流制御部6が流す電流の電流検出部5への伝送/非伝送を切り替えるものである。電流検出部5は、電源線1と第1スイッチング部8との間に接続され、第1スイッチング部8を介して電流制御部6が制御した結果としての電流を検出するものである。検出された電流は、電圧値として比較増幅部10の反転入力端子に導かれる。第2スイッチング部9は、比較増幅部10の出力と画像信号保持用コンデンサ7の一端および電流制御部6の制御入力端子との間に設けられ、走査線3からの画素選択信号に基づき伝送/非伝送を切り替え、伝送のときに比較増幅部10の出力電圧を画像信号保持用コンデンサ7の一端および電流制御部6の制御入力端子に導くものである。   The first switching unit 8 is provided between the current control unit 6 and the current detection unit 5, and transmits / not transmits the current flowing through the current control unit 6 to the current detection unit 5 based on the pixel selection signal from the scanning line 3. The transmission is switched. The current detection unit 5 is connected between the power supply line 1 and the first switching unit 8 and detects a current as a result of being controlled by the current control unit 6 through the first switching unit 8. The detected current is guided to the inverting input terminal of the comparison amplification unit 10 as a voltage value. The second switching unit 9 is provided between the output of the comparison amplification unit 10 and one end of the image signal holding capacitor 7 and the control input terminal of the current control unit 6, and transmits / receives based on the pixel selection signal from the scanning line 3. The non-transmission is switched, and the output voltage of the comparison amplification unit 10 is guided to one end of the image signal holding capacitor 7 and the control input terminal of the current control unit 6 during transmission.

比較増幅部10は、非反転入力端子の電圧から反転入力端子の電圧を減算しその結果を大きな利得で増幅して出力する機能を有するもので、反転入力端子および出力が上記のように電流検出部5または第2スイッチング部9に接続され、またその非反転入力端子には画像信号線2からの画像信号が供給される。なお、第1スイッチング部8から延長して描かれる破線2B、比較増幅器10の出力から延長して描かれる破線2A、および画像信号線2に延長して描かれる長破線20については後述する。   The comparison amplifier 10 has a function of subtracting the voltage of the inverting input terminal from the voltage of the non-inverting input terminal and amplifying the result with a large gain and outputting the result. The image signal from the image signal line 2 is supplied to the non-inverting input terminal of the unit 5 or the second switching unit 9. A broken line 2B drawn from the first switching unit 8, a broken line 2A drawn from the output of the comparison amplifier 10, and a long broken line 20 drawn from the image signal line 2 will be described later.

図1に示す構成の有機EL表示装置の画素によれば、画像信号線2に画像信号が与えられ、走査線3に画素選択信号が与えられて第1および第2のスイッチング部8、9が閉じた状態のときに、その画像信号にほぼ等しい電圧が電流検出部5の出力電圧になる。これは、電流検出部5、比較増幅部10、第2スイッチング部9、電流制御部6、第1スイッチング部8、電流検出部5のループで負帰還路が形成され、比較増幅部10の非反転入力と反転入力の関係がいわゆるイマジナリショートの状態となるからである。   According to the pixel of the organic EL display device having the configuration shown in FIG. 1, an image signal is given to the image signal line 2, and a pixel selection signal is given to the scanning line 3, so that the first and second switching units 8, 9 In the closed state, a voltage substantially equal to the image signal becomes the output voltage of the current detection unit 5. This is because a negative feedback path is formed by the loop of the current detection unit 5, the comparison amplification unit 10, the second switching unit 9, the current control unit 6, the first switching unit 8, and the current detection unit 5. This is because the relationship between the inverting input and the inverting input is a so-called imaginary short state.

よって、電流検出部5における電流は、画像信号線2に与えられた画像信号に合致した値であり、その合致した電流が第1スイッチング部8および電流制御部6を介して発光部4に流れる。したがって、発光部4に流れる電流のばらつきが原理的になくなる。ゆえに画素ごとの輝度ばらつきがなくなることになる。換言すると、上記負帰還路により画像信号保持用コンデンサ7には、電流制御部6の入力電圧対出力電流の特性ばらつきにかかわらず発光部4の電流値を一定にするような電圧が発生する。   Therefore, the current in the current detection unit 5 is a value that matches the image signal applied to the image signal line 2, and the matched current flows to the light emitting unit 4 via the first switching unit 8 and the current control unit 6. . Therefore, variation in current flowing through the light emitting unit 4 is eliminated in principle. Therefore, the luminance variation for each pixel is eliminated. In other words, a voltage is generated in the image signal holding capacitor 7 by the negative feedback path so as to make the current value of the light emitting unit 4 constant regardless of variations in the characteristics of the input voltage versus the output current of the current control unit 6.

表示装置としては、このような画素構成のものを縦(列)横(行)方向に並べるのが、もっとも容易な構成である。この場合には、画像信号線2は、長破線20のように延長されて縦(列)方向の他の画素に共通に接続されるように設けられる。破線2A、2Bに相当する導線は設けない。しかしこの場合には、各画素ごとに第1および第2のスイッチング部8、9のほかに電流検出部5および比較増幅部10を設け作り込む必要が生じるので、開口率(表示面積に対する正味の発光部面積の割合)の点で不利である。   As a display device, it is the easiest configuration to arrange such pixel configurations in the vertical (column) and horizontal (row) directions. In this case, the image signal line 2 is provided so as to extend like a long broken line 20 and be connected in common to other pixels in the vertical (column) direction. No conducting wire corresponding to the broken lines 2A and 2B is provided. However, in this case, it is necessary to provide the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 in addition to the first and second switching units 8 and 9 for each pixel. This is disadvantageous in terms of the ratio of the light emitting area.

そこで、電流検出部5および比較増幅部10については各画素に設ける必要のない構成も考えられる。それは、第1スイッチング部8から延長して描かれる破線2Bおよび比較増幅器10の出力から延長して描かれる破線2Aを導線として設け、これらの導線を列方向の各画素に対して共通に接続を行う。長破線20相当の導線は設けない。破線2B、2Aのつながる図示していない各画素では電流検出部5および比較増幅部10を設けない。   Therefore, a configuration in which the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 do not need to be provided in each pixel is also conceivable. It is provided with a broken line 2B drawn from the first switching unit 8 and a broken line 2A drawn from the output of the comparison amplifier 10 as conducting wires, and these conducting wires are connected in common to each pixel in the column direction. Do. No conducting wire corresponding to the long broken line 20 is provided. In each pixel (not shown) to which the broken lines 2B and 2A are connected, the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 are not provided.

このような構成は、すなわち、第1スイッチング部8が列方向各画素の電流制御部6による制御電流の選択を行うマルチプレクサになり、第2スイッチング部9が列方向各画素の画像信号保持用コンデンサ7へ比較増幅部10の出力を振り分けるデマルチプレクサとなる構成である。これらの選択、振り分けが走査線3に与えられた画素選択信号によりなされることになる。このような構成によれば、電流検出部5および比較増幅器10は各列に最低では一組ありば足り、表示装置としての表示面に作り込む必要をなくし得るので開口率増大という意味で大きな効果が得られる。なお、各列に一組ずつではなく、各列における複数の行の画素ごとに一組ずつ設けるという構成も採用し得る。   In this configuration, that is, the first switching unit 8 becomes a multiplexer for selecting the control current by the current control unit 6 of each pixel in the column direction, and the second switching unit 9 is a capacitor for holding an image signal of each pixel in the column direction. 7 is a demultiplexer that distributes the output of the comparison amplification unit 10 to 7. These selection and distribution are performed by a pixel selection signal given to the scanning line 3. According to such a configuration, it is sufficient that at least one pair of the current detection unit 5 and the comparison amplifier 10 is provided in each column, and it is possible to eliminate the need to build in a display surface as a display device. Is obtained. A configuration in which one set is provided for each pixel in a plurality of rows in each column instead of one set in each column may be employed.

図2は、図1にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図2において図1と同一相当の構成要素には同一符号を付してある。この例では、電流検出部5に抵抗器5aを、電流制御部6、第1スイッチング部8、および第2スイッチング部9に、nチャネルトランジスタ6a、8a、9aをそれぞれ用いている。トランジスタ6a、8a、9aは周知のようにガラス基板上に形成された薄膜MOSトランジスタとすることができる。その中でも薄膜MOSトランジスタは、いわゆるアモルファスシリコントランジスタとすることができる。なお、このような図2の回路では電流検出部としての抵抗器5aの検出極性が反転するので比較増幅部10の入力端子を図1に示す場合とは反対にする。   FIG. 2 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 2, the same reference numerals are given to the same components as in FIG. In this example, a resistor 5a is used for the current detection unit 5, and n-channel transistors 6a, 8a, and 9a are used for the current control unit 6, the first switching unit 8, and the second switching unit 9, respectively. As is well known, the transistors 6a, 8a and 9a can be thin film MOS transistors formed on a glass substrate. Among these, the thin film MOS transistor can be a so-called amorphous silicon transistor. In such a circuit of FIG. 2, since the detection polarity of the resistor 5a as the current detection unit is inverted, the input terminal of the comparison amplification unit 10 is opposite to that shown in FIG.

nチャネルトランジスタ6a、8a、9aの接続について補足すると、次のようである。トランジスタ6aは、ソースを発光部4のアノードに接続し、ドレインをトランジスタ8aのソースに接続する。そしてゲートを画像信号保持用コンデンサ7の一端に接続する。トランジスタ8aは、ゲートを走査線3に、ドレインを抵抗器5aの一端に、ソースをトランジスタ6aのドレインにそれぞれ接続する。トランジスタ9aは、ゲートを走査線3に、ドレインを比較増幅部10の出力に、ソースを画像信号保持用コンデンサ7の一端にそれぞれ接続する。なおトランジスタ9aはほぼ電圧的にスイッチング動作させるものなのでソースとドレインを逆にすることもできる。   Supplementing the connection of the n-channel transistors 6a, 8a, 9a is as follows. The transistor 6a has a source connected to the anode of the light emitting unit 4 and a drain connected to the source of the transistor 8a. The gate is connected to one end of the image signal holding capacitor 7. The transistor 8a has a gate connected to the scanning line 3, a drain connected to one end of the resistor 5a, and a source connected to the drain of the transistor 6a. The transistor 9 a has a gate connected to the scanning line 3, a drain connected to the output of the comparison amplifier 10, and a source connected to one end of the image signal holding capacitor 7. Since the transistor 9a performs switching operation almost in voltage, the source and drain can be reversed.

この構成例では、電流検出部5として抵抗器5aを使用しこれに流れる電流に比例して電圧値を容易に検出できる。また、各画素において抵抗器5aを作り込むことを回避し得るので、構成の簡易化などによるプロセス的な利点もある。さらにこのときに、各画素での抵抗値ばらつきによる制御後の電流値ばらつきを原理的に防止することもできる。場合によっては、抵抗器5aを、画素が形成される基板とは別に外付けとするようにしてもよい。この意味で、抵抗器5aに代えて例えばホール素子などを利用することもできる。   In this configuration example, the resistor 5a is used as the current detector 5, and the voltage value can be easily detected in proportion to the current flowing therethrough. Further, since it is possible to avoid making the resistor 5a in each pixel, there is a process advantage due to simplification of the configuration. Furthermore, at this time, it is also possible to prevent in principle the variation in the current value after the control due to the variation in the resistance value in each pixel. In some cases, the resistor 5a may be externally attached separately from the substrate on which the pixels are formed. In this sense, for example, a Hall element can be used instead of the resistor 5a.

図3は、図2に示した構成とは異なる、図1にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図3において、すでに説明した図に示した構成要素と同一相当の構成要素には同一符号を付し、その説明については省略する。   FIG. 3 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. 1, which is different from the configuration shown in FIG. In FIG. 3, the same reference numerals are given to the same components as those shown in the already described figures, and the description thereof is omitted.

この構成例では、電流検出部5としてnチャネルトランジスタ5bのオン抵抗を利用する。このため、図3においてトランジスタ5bのドレインを電源線3に、ソースをトランジスタ8aのドレインおよび比較増幅部10の非反転入力端子に、ゲートを不図示の電圧源にそれぞれ接続する。このような構成によれば、図2に示した構成のように抵抗器5aを作り込む必要がなくなり、ほぼnチャネルトランジスタのみの構成とすることができる。したがって、有機EL表示装置として製造プロセスを簡素化することが可能となり、製造コストなどの点で利点が生じる。さらにこのときに、各画素での抵抗値ばらつきによる制御後の電流値ばらつきを原理的に防止することもできる。   In this configuration example, the on-resistance of the n-channel transistor 5 b is used as the current detection unit 5. Therefore, in FIG. 3, the drain of the transistor 5b is connected to the power supply line 3, the source is connected to the drain of the transistor 8a and the non-inverting input terminal of the comparison amplifier 10, and the gate is connected to a voltage source (not shown). According to such a configuration, there is no need to form the resistor 5a as in the configuration shown in FIG. 2, and the configuration can be made of only an n-channel transistor. Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process as an organic EL display device, and there are advantages in terms of manufacturing costs. Furthermore, at this time, it is also possible to prevent in principle the variation in the current value after the control due to the variation in the resistance value in each pixel.

図4は、本発明の別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図4においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。この実施形態では、発光部4aとして電源基準で形成された有機EL素子を用いる。これにより、発光部4aに流す電流は、発光部4a、電流制御部6、第1スイッチング部8、電流検出部5という電流経路になっている。   FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to another embodiment of the present invention. Components identical to those already described in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In this embodiment, an organic EL element formed on the basis of a power source is used as the light emitting unit 4a. As a result, the current flowing through the light emitting unit 4a is in the current path of the light emitting unit 4a, the current control unit 6, the first switching unit 8, and the current detection unit 5.

この構成の場合も、電流検出部5、比較増幅部10、第2スイッチング部9、電流制御部6、第1スイッチング部8、電流検出部5のループで負帰還路が形成され、画像信号線2に与えられた画像信号にほぼ等しい電圧が電流検出部5の出力電圧になる。よって、電流検出部5における電流は、画像信号線2に与えられた画像信号に合致した値であり、その合致した電流が第1スイッチング部8および電流制御部6を介して発光部4aに流れる。したがって、発光部4aに流れる電流のばらつきが原理的になくなる。ゆえに画素ごとの輝度ばらつきがなくなる。   Also in this configuration, a negative feedback path is formed by the loop of the current detection unit 5, the comparison amplification unit 10, the second switching unit 9, the current control unit 6, the first switching unit 8, and the current detection unit 5, and the image signal line A voltage substantially equal to the image signal given to 2 is the output voltage of the current detector 5. Therefore, the current in the current detection unit 5 is a value that matches the image signal given to the image signal line 2, and the matching current flows to the light emitting unit 4 a via the first switching unit 8 and the current control unit 6. . Therefore, the variation of the current flowing through the light emitting unit 4a is eliminated in principle. Therefore, there is no luminance variation for each pixel.

図5は、図4にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図5において図4と同一相当の構成要素には同一符号を付してある。この例では、電流検出部5に抵抗器5cを、電流制御部6、第1スイッチング部8、および第2スイッチング部9に、nチャネルトランジスタ6b、8b、9bをそれぞれ用いている。トランジスタ6b、8b、9bは周知のようにガラス基板上に形成された薄膜MOSトランジスタとすることができる。トランジスタ6b、8b、9bは、トランジスタ6a、8a、9a(図2等)などと同様にアモルファスシリコントランジスタとすることもできる。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 5, the same reference numerals are given to the same components as in FIG. In this example, a resistor 5c is used for the current detection unit 5, and n-channel transistors 6b, 8b, and 9b are used for the current control unit 6, the first switching unit 8, and the second switching unit 9, respectively. As is well known, the transistors 6b, 8b, 9b can be thin film MOS transistors formed on a glass substrate. The transistors 6b, 8b, and 9b can be amorphous silicon transistors similarly to the transistors 6a, 8a, and 9a (FIG. 2 and the like).

nチャネルトランジスタ6b、8b、9bの接続について補足すると、次のようである。トランジスタ6bは、ドレインを発光部4aのカソードに接続し、ソースをトランジスタ8bのドレインに接続する。そしてゲートを画像信号保持用コンデンサ7の一端に接続する。トランジスタ8bは、ゲートを走査線3に、ドレインをトランジスタ6bのソースに、ソースを比較増幅部10の反転入力端子にそれぞれ接続する。トランジスタ9bは、ゲートを走査線3に、ドレインを比較増幅部10の出力に、ソースを画像信号保持用コンデンサ7の一端にそれぞれ接続する。なおトランジスタ9bはほぼ電圧的にスイッチング動作させるものなのでソースとドレインを逆にすることもできる。   Supplementing the connection of the n-channel transistors 6b, 8b, and 9b is as follows. The transistor 6b has a drain connected to the cathode of the light emitting unit 4a and a source connected to the drain of the transistor 8b. The gate is connected to one end of the image signal holding capacitor 7. The transistor 8 b has a gate connected to the scanning line 3, a drain connected to the source of the transistor 6 b, and a source connected to the inverting input terminal of the comparison amplifier 10. The transistor 9 b has a gate connected to the scanning line 3, a drain connected to the output of the comparison amplification unit 10, and a source connected to one end of the image signal holding capacitor 7. Note that since the transistor 9b performs a switching operation substantially in voltage, the source and drain can be reversed.

この構成例でも、図2に示した構成例と同様に電流検出部5として抵抗器5cを使用しこれに流れる電流に比例して電圧値を容易に検出できる。また、各画素において抵抗器5cを作り込むことを回避し得るので、構成の簡易化などによるプロセス的な利点もある。さらにこのときに、各画素での抵抗値ばらつきによる制御後の電流値ばらつきを原理的に防止することもできる。場合によっては、抵抗器5cを、画素が形成される基板とは別に外付けとするようにしてもよい。この意味で、抵抗器5cに代えて例えばホール素子を利用することもできる。   In this configuration example, similarly to the configuration example shown in FIG. 2, the resistor 5c is used as the current detection unit 5, and the voltage value can be easily detected in proportion to the current flowing therethrough. Further, since it is possible to avoid making the resistor 5c in each pixel, there is a process advantage due to the simplification of the configuration. Furthermore, at this time, it is also possible to prevent in principle the variation in the current value after the control due to the variation in the resistance value in each pixel. In some cases, the resistor 5c may be externally attached separately from the substrate on which the pixels are formed. In this sense, for example, a Hall element can be used instead of the resistor 5c.

図6は、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図6においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。この実施形態では、図1に示した実施形態と異なり画像信号保持用コンデンサ7aの他端をグラウンドではなく電源線1に接続するようにしている。このようなコンデンサ7とコンデンサ7aとの違いによる画素としての動作上の違いはない。   FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. In this embodiment, unlike the embodiment shown in FIG. 1, the other end of the image signal holding capacitor 7a is connected to the power line 1 instead of the ground. There is no difference in operation as a pixel due to the difference between the capacitor 7 and the capacitor 7a.

図7は、図6にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図7において図6と同一相当の構成要素には同一符号を付してある。この例では、電流検出部5に抵抗器5aを、電流制御部6、第1スイッチング部8、および第2スイッチング部9に、pチャネルトランジスタ6c、8c、9cをそれぞれ用いている。トランジスタ6c、8c、9cは周知のようにガラス基板上に形成された薄膜MOSトランジスタとすることができる。また、その中でもアモルファスシリコントランジスタとすることができる。   FIG. 7 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 7, the same components as those in FIG. In this example, a resistor 5a is used for the current detection unit 5, and p-channel transistors 6c, 8c, and 9c are used for the current control unit 6, the first switching unit 8, and the second switching unit 9, respectively. As is well known, the transistors 6c, 8c and 9c can be thin film MOS transistors formed on a glass substrate. Among them, an amorphous silicon transistor can be used.

pチャネルトランジスタ6c、8c、9cの接続について補足すると、次のようである。トランジスタ6cは、ドレインを発光部4のアノードに接続し、ソースをトランジスタ8cのドレインに接続する。そしてゲートを画像信号保持用コンデンサ7aの一端に接続する。トランジスタ8cは、ゲートを走査線3に、ソースを抵抗器5aの一端に、ドレインをトランジスタ6cのソースにそれぞれ接続する。トランジスタ9cは、ゲートを走査線3に、ソースを比較増幅部10の出力に、ドレインを画像信号保持用コンデンサ7aの一端にそれぞれ接続する。なおトランジスタ9cはほぼ電圧的にスイッチング動作させるものなのでソースとドレインを逆にすることもできる。   Supplementing the connection of the p-channel transistors 6c, 8c, and 9c is as follows. The transistor 6c has a drain connected to the anode of the light emitting unit 4 and a source connected to the drain of the transistor 8c. The gate is connected to one end of the image signal holding capacitor 7a. The transistor 8c has a gate connected to the scanning line 3, a source connected to one end of the resistor 5a, and a drain connected to the source of the transistor 6c. The transistor 9c has a gate connected to the scanning line 3, a source connected to the output of the comparison amplifier 10, and a drain connected to one end of the image signal holding capacitor 7a. Note that since the transistor 9c performs switching operation almost in voltage, the source and drain can be reversed.

この構成例でも、図2、図5に示した構成例と同様に電流検出部5として抵抗器5aを使用しこれに流れる電流に比例して電圧値を容易に検出できる。また、各画素において抵抗器5aを作り込むことを回避し得るので、構成の簡易化などによるプロセス的な利点もある。さらにこのときに、各画素での抵抗値ばらつきによる制御後の電流値ばらつきを原理的に防止することもできる。場合によっては、抵抗器5aを、画素が形成される基板とは別に外付けとするようにしてもよい。この意味で、抵抗気5aに代えて例えばホール素子を利用してもよい。なお、この構成例では電流検出部としての抵抗器5aの検出極性は反転しないので比較増幅器10の入力端子は図6に示す場合と同じである。   Also in this configuration example, the resistor 5a is used as the current detection unit 5 as in the configuration examples shown in FIGS. 2 and 5, and the voltage value can be easily detected in proportion to the current flowing therethrough. Further, since it is possible to avoid making the resistor 5a in each pixel, there is a process advantage due to simplification of the configuration. Furthermore, at this time, it is also possible to prevent in principle the variation in the current value after the control due to the variation in the resistance value in each pixel. In some cases, the resistor 5a may be externally attached separately from the substrate on which the pixels are formed. In this sense, for example, a Hall element may be used instead of the resistor 5a. In this configuration example, since the detection polarity of the resistor 5a as the current detection unit is not inverted, the input terminal of the comparison amplifier 10 is the same as that shown in FIG.

図8は、すでに説明したものの繰り返しではあるが、図1に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図である。図8において、すでに説明した構成要素には同一番号を付してある。図8に示すように、画素11、12、…と横(行)方向に配置し、画素11、21、…と縦(列)方向に配置することにより全体としてマトリクス状の画素配置としている。この図から電流検出部5および比較増幅部10が各画素ごとに必要ないことが容易に理解できる。   FIG. 8 is a repetition of what has already been described, but the power supply line 1, image signal line 2, scanning line 3, and each pixel when the pixels having the configuration shown in FIG. 1 are arranged vertically and horizontally are arranged. It is a figure which shows a connection. In FIG. 8, the same reference numerals are given to the components already described. As shown in FIG. 8, the pixels 11, 12,... Are arranged in the horizontal (row) direction, and the pixels 11, 21,. From this figure, it can be easily understood that the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 are not required for each pixel.

図9は、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図9においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。この実施形態は、図1中に示した第1スイッチング部8に代えてほぼ同様のはたらきを有する第1スイッチング部80を用いる。   FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. In this embodiment, a first switching unit 80 having substantially the same function is used instead of the first switching unit 8 shown in FIG.

第1スイッチング部80は、電流制御部6と電流検出部5との間の伝送/非伝送を切り替える機能としては図1中の第1スイッチング部8と同じである。違いは、電流制御部6と電流検出部5との間を非伝送とする状態のときに、電流制御部6の電流入力端子が電源線1に接続される状態とすることである。このようにすることで、第1スイッチング部80の切り替え位置にかかわらず、電流制御部6は常に電流を流し続けることができ、発光部4の発光を走査線3による次の走査まで安定に維持することができる。   The first switching unit 80 has the same function as the first switching unit 8 in FIG. 1 as a function of switching transmission / non-transmission between the current control unit 6 and the current detection unit 5. The difference is that the current input terminal of the current control unit 6 is connected to the power supply line 1 when the current control unit 6 and the current detection unit 5 are not transmitting. In this way, the current control unit 6 can always continue to flow current regardless of the switching position of the first switching unit 80, and the light emission of the light emitting unit 4 can be stably maintained until the next scan by the scanning line 3. can do.

図10は、図9にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図10において図9と同一相当の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図10に示すように、第1スイッチング部80として、2つのnチャネルトランジスタ801、802からなるスイッチ回路を用いる。このうちnチャネルトランジスタ801は、図2中に示したnチャネルトランジスタ8aとまったく同様の接続および機能である。   FIG. 10 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 10, the same components as those in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. As illustrated in FIG. 10, a switch circuit including two n-channel transistors 801 and 802 is used as the first switching unit 80. Among these, the n-channel transistor 801 has the same connection and function as the n-channel transistor 8a shown in FIG.

nチャネルトランジスタ802は、ドレインが電源線1、ソースが電流制御部であるnチャネルトランジスタ6aのドレイン、ゲートが走査線3と逆極性の第2の走査線3Aにそれぞれ接続される。以上の構成により、トランジスタ801、トランジスタ802は、走査線3、3Aに供給される走査信号(画素選択信号)によりその一方がオン、他方がオフとなるので図9に示したような第1スイッチング部80の機能が実現される。   In the n-channel transistor 802, the drain is connected to the power supply line 1, the source is connected to the drain of the n-channel transistor 6a that is the current control unit, and the gate is connected to the second scanning line 3A having the opposite polarity to the scanning line 3. With the above configuration, one of the transistors 801 and 802 is turned on and the other is turned off by the scanning signal (pixel selection signal) supplied to the scanning lines 3 and 3A, so that the first switching as shown in FIG. The function of the unit 80 is realized.

図11は、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図11においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、加えることがない限りその説明を省略する。   FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. Components identical to those already described in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals, and will not be described unless added.

この実施形態は、図4中に示した第1スイッチング部8に代えてほぼ同様のはたらきを有する第1スイッチング部80を用いる。この点で、図1に示した実施形態に対する図9に示した実施形態のような変形を、図4に示した実施形態に適用したものである。ただし、この実施形態では、第1スイッチング部80の一方の切り替え位置では、電流の向きの関係でグラウンドに電流制御部6が接続される。効果として、図4に示した実施形態で述べた事項を有するほか、図9に示した実施形態特有の効果も有する。   In this embodiment, a first switching unit 80 having substantially the same function is used in place of the first switching unit 8 shown in FIG. In this respect, the modification of the embodiment shown in FIG. 9 to the embodiment shown in FIG. 1 is applied to the embodiment shown in FIG. However, in this embodiment, at one switching position of the first switching unit 80, the current control unit 6 is connected to the ground due to the current direction. In addition to the matters described in the embodiment shown in FIG. 4, there are effects unique to the embodiment shown in FIG. 9.

図12は、図11にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図12において図11と同一相当の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図10に示すように、第1スイッチング部80として、2つのnチャネルトランジスタ803、804からなるスイッチ回路を用いる。このうちnチャネルトランジスタ803は、図5中に示したnチャネルトランジスタ8bとまったく同様の接続および機能である。   FIG. 12 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 12, the same components as those in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. As shown in FIG. 10, a switch circuit including two n-channel transistors 803 and 804 is used as the first switching unit 80. Among these, the n-channel transistor 803 has the same connection and function as the n-channel transistor 8b shown in FIG.

nチャネルトランジスタ804は、ソースがグラウンド、ドレインが電流制御部であるnチャネルトランジスタ6bのソース、ゲートが走査線3と逆極性の第2の走査線3Aにそれぞれ接続される。以上の構成により、トランジスタ803、トランジスタ804は、走査線3、3Aに供給される走査信号(画素選択信号)によりその一方がオン、他方がオフとなるので図11に示したような第1スイッチング部80の機能が実現される。   In the n-channel transistor 804, the source is connected to the ground, the drain is connected to the source of the n-channel transistor 6b, which is a current control unit, and the gate is connected to the second scanning line 3A having the opposite polarity to the scanning line 3. With the above configuration, one of the transistors 803 and 804 is turned on and the other is turned off by the scanning signal (pixel selection signal) supplied to the scanning lines 3 and 3A, so that the first switching as shown in FIG. The function of the unit 80 is realized.

図13は、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図である。図13においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。この実施形態は、図1に示した実施形態に対する図9に示した実施形態のような変形を、図6に示した実施形態に適用したものである。動作、効果についてはすでに述べた実施形態から自明なのでここでは省略する。   FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. Components identical to those already described in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In this embodiment, a modification of the embodiment shown in FIG. 9 to the embodiment shown in FIG. 1 is applied to the embodiment shown in FIG. Since the operation and effect are obvious from the embodiment described above, they are omitted here.

図14は、図13にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。図14において図13と同一相当の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図14に示すように、第1スイッチング部80として、2つのpチャネルトランジスタ805、806からなるスイッチ回路を用いる。このうちpチャネルトランジスタ805は、図7中に示したpチャネルトランジスタ8cとまったく同様の接続および機能である。   FIG. 14 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. In FIG. 14, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. 13, and the description thereof is omitted. As illustrated in FIG. 14, a switch circuit including two p-channel transistors 805 and 806 is used as the first switching unit 80. Among these, the p-channel transistor 805 has the same connection and function as the p-channel transistor 8c shown in FIG.

pチャネルトランジスタ806は、ソースが電源線1、ドレインが電流制御部であるnチャネルトランジスタ6aのソース、ゲートが走査線3と逆極性の第2の走査線3Aにそれぞれ接続される。以上の構成により、トランジスタ805、トランジスタ806は、走査線3、3Aに供給される走査信号(画素選択信号)によりその一方がオン、他方がオフとなるので図13に示したような第1スイッチング部80の機能が実現される。   In the p-channel transistor 806, the source is connected to the power supply line 1, the drain is connected to the source of the n-channel transistor 6 a that is a current control unit, and the gate is connected to the second scanning line 3 A having the opposite polarity to the scanning line 3. With the above configuration, one of the transistors 805 and 806 is turned on by the scanning signal (pixel selection signal) supplied to the scanning lines 3 and 3A, and the other is turned off, so that the first switching as shown in FIG. The function of the unit 80 is realized.

図15は、図9に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図である。図15において、すでに説明した構成要素には同一番号を付してある。図15に示すように、画素11A、12A、…と横(行)方向に配置し、画素11A、21A、…と縦(列)方向に配置することにより全体としてマトリクス状の画素配置としている。この図から、図8に示した実施形態と同様に、電流検出部5および比較増幅部10が各画素ごとに必要ないことが容易に理解できる。   FIG. 15 is a diagram showing connections between the power supply line 1, the image signal line 2, the scanning line 3, and the respective pixels when the pixels having the configuration shown in FIG. 9 are arranged vertically and horizontally. In FIG. 15, the components already described are given the same numbers. As shown in FIG. 15, the pixels 11A, 12A,... Are arranged in the horizontal (row) direction, and the pixels 11A, 21A,. From this figure, it can be easily understood that the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 are not required for each pixel as in the embodiment shown in FIG.

図16、図18、図20は、それぞれ、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図であり、図17、図19、図21は、それぞれ、図16、図18、図20にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。これらの図においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。   16, FIG. 18, and FIG. 20 are block diagrams each showing the configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. FIG. 17, FIG. 19, and FIG. FIG. 21 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. 16, FIG. 18, and FIG. In these drawings, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

これらの図16ないし図21に示した実施形態は、それぞれ、図9ないし図14に示した実施形態をさらに改良したものである。図9に対応して図16、図10に対応して図17、…、図14に対応して図21である。   Each of the embodiments shown in FIGS. 16 to 21 is a further improvement of the embodiment shown in FIGS. 9 to 14. 16 corresponds to FIG. 9, FIG. 17, corresponding to FIG. 10, FIG.

図16、図18、図20に示すように、新たに補正部90を導入し、これを走査線3と電流制御部6の制御入力端子との間に挿入・接続する。この目的は、第2スイッチング部9によるスイッチングで電流制御部6の制御入力端子にノイズが発生するのを防止するためである。第2スイッチング部9によるスイッチングで電流制御部6の制御入力端子の電圧にノイズが発生する理由は、走査線3の電圧変動が寄生容量などによって第2スイッチング部9の電流制御部6(の制御入力端子)側に伝送するからと考えられる。   As shown in FIGS. 16, 18, and 20, a correction unit 90 is newly introduced, and this is inserted and connected between the scanning line 3 and the control input terminal of the current control unit 6. The purpose is to prevent noise from being generated at the control input terminal of the current control unit 6 due to switching by the second switching unit 9. The reason why noise is generated in the voltage of the control input terminal of the current control unit 6 due to the switching by the second switching unit 9 is that the voltage fluctuation of the scanning line 3 is controlled by the current control unit 6 of the second switching unit 9 due to parasitic capacitance or the like. This is considered to be transmitted to the input terminal) side.

そこで、補正部90を設けることで、走査線3の電圧変動を逆極性で電流制御部6の制御入力端子側に意図的に伝送できる構成としている。これにより、上記発生したノイズがキャンセルされる。   Therefore, by providing the correction unit 90, the voltage variation of the scanning line 3 can be intentionally transmitted to the control input terminal side of the current control unit 6 with reverse polarity. Thereby, the generated noise is canceled.

図17、図19、図21に示すように、補正部90の具体例として、nチャネルトランジスタ901、902、またはpチャネルトランジスタ903のゲートとソース・ドレイン共通接続端子間を用いることができる。これらのゲートには、走査線3とは逆極性の第2の走査線3Aに接続される。   As shown in FIGS. 17, 19, and 21, as a specific example of the correction unit 90, the gate of the n-channel transistors 901 and 902 or the p-channel transistor 903 and the source-drain common connection terminal can be used. These gates are connected to a second scanning line 3A having a polarity opposite to that of the scanning line 3.

図22は、図16に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図である。図22において、すでに説明した構成要素には同一番号を付してある。図22に示すように、画素11B、12B、…と横(行)方向に配置し、画素11B、21B、…と縦(列)方向に配置することにより全体としてマトリクス状の画素配置としている。この図から、図8、図15に示した実施形態と同様に、電流検出部5および比較増幅部10が各画素ごとに必要ないことが容易に理解できる。   FIG. 22 is a diagram showing connections between the power supply line 1, the image signal line 2, the scanning line 3, and each pixel when the pixels having the configuration shown in FIG. 16 are arranged vertically and horizontally. In FIG. 22, the same reference numerals are given to components already described. As shown in FIG. 22, the pixels 11B, 12B,... Are arranged in the horizontal (row) direction, and the pixels 11B, 21B,. From this figure, it can be easily understood that the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 are not required for each pixel as in the embodiment shown in FIGS.

図23、図25、図27は、それぞれ、本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図であり、図24、図26、図28は、それぞれ、図23、図25、図27にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図である。これらの図においてすでに説明した構成要素と同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。   23, FIG. 25, and FIG. 27 are block diagrams each showing the configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to still another embodiment of the present invention. FIG. 24, FIG. 26, and FIG. FIG. 28 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIGS. 23, 25, and 27. In these drawings, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

これらの図23ないし図28に示した実施形態は、それぞれ、図16ないし図21に示した実施形態をさらに改良させたものである。図16に対応して図23、図17に対応して図24、…、図21に対応して図28である。   These embodiments shown in FIGS. 23 to 28 are obtained by further improving the embodiments shown in FIGS. 16 to 21. FIG. 23 corresponds to FIG. 16, FIG. 24 corresponds to FIG.

図23、図25、図27に示すように、新たに電流ミラー部70(または71)を導入し、これを第1スイッチング部80と電流検出部5との間に挿入・接続する。この目的は、第1スイッチング部80の出力側に電流検出部5が直接位置するような配置を避け、この部位での周波数特性の劣化を防止するためである。   As shown in FIGS. 23, 25, and 27, a current mirror unit 70 (or 71) is newly introduced, and this is inserted and connected between the first switching unit 80 and the current detection unit 5. The purpose of this is to avoid disposing the current detection unit 5 directly on the output side of the first switching unit 80 and to prevent deterioration of the frequency characteristics at this part.

図示から分かるように、符号2Bに相当する配線が各画素から接続されて長くなることからこのノードの配線容量はある程度大きくなる可能性がある。ここに直接に例えば抵抗からなる電流検出部5が設けられると、CR積に依存する遅れが生じる。そこで、電流ミラー部70(または71)を介して電流検出部5に電流出力することでこのような遅れを防止できる。   As can be seen from the drawing, since the wiring corresponding to the reference numeral 2B is connected to each pixel and becomes long, the wiring capacity of this node may increase to some extent. If the current detection unit 5 made of, for example, a resistor is provided directly here, a delay depending on the CR product occurs. Therefore, such a delay can be prevented by outputting a current to the current detection unit 5 via the current mirror unit 70 (or 71).

図24、図26、図28に示すように、電流ミラー部70(または71)の具体例として、pnpトランジスタ701、702、またはnpnトランジスタ711、712のそれぞれベースおよびエミッタ共通接続の回路を用いることができる。ここで、第1スイッチング部80側のトランジスタ701、711は、ベース、コレクタを共通にしてダイオードとして動作させる。このような接続により、ベース、エミッタ間電圧が同じにされる2つのトランジスタ701、702(または711、712)でコレクタ電流が等しくなる性質により、第1スイッチング部80からの出力電流にほぼ等しい電流が抵抗5c(または5a)に流される。   As shown in FIGS. 24, 26, and 28, as a specific example of the current mirror unit 70 (or 71), a circuit having a common base and emitter connection of each of the pnp transistors 701 and 702 or the npn transistors 711 and 712 is used. Can do. Here, the transistors 701 and 711 on the first switching unit 80 side operate as diodes with a common base and collector. Due to such a connection, the collector currents of the two transistors 701 and 702 (or 711 and 712) having the same base-emitter voltage are equal to each other, so that the current substantially equal to the output current from the first switching unit 80 is obtained. Is caused to flow through the resistor 5c (or 5a).

図29は、図23に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図である。図29において、すでに説明した構成要素には同一番号を付してある。図29に示すように、画素11C、12C、…と横(行)方向に配置し、画素11C、21C、…と縦(列)方向に配置することにより全体としてマトリクス状の画素配置としている。この図から、図8、図15、図22に示した実施形態と同様に、電流検出部5および比較増幅部10が各画素ごとに必要ないことが容易に理解できる。さらに電流ミラー部70も同様である。   FIG. 29 is a diagram showing connections between the power supply line 1, the image signal line 2, and the scanning line 3 and each pixel when the pixels having the configuration shown in FIG. 23 are used to arrange the pixels vertically and horizontally. In FIG. 29, the same reference numerals are given to components already described. As shown in FIG. 29, the pixels 11C, 12C,... Are arranged in the horizontal (row) direction, and the pixels 11C, 21C,. From this figure, it can be easily understood that the current detection unit 5 and the comparison amplification unit 10 are not required for each pixel, similarly to the embodiments shown in FIGS. 8, 15, and 22. The same applies to the current mirror unit 70.

本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing a configuration of a specific pixel in an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図1にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 図2に示した構成とは異なる、図1にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment different from the structure shown in FIG. 2 as a block diagram in FIG. 本発明の別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図4にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図6にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 図1に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図。FIG. 3 is a diagram showing connections between a power supply line 1, an image signal line 2, a scanning line 3 and each pixel when pixels are arranged vertically and horizontally using the pixels having the configuration shown in FIG. 1. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図9にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図11にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図13にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 図9に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図。The figure which shows the connection of the power supply line 1, the image signal line 2, the scanning line 3, and each pixel at the time of arrange | positioning a pixel vertically and horizontally using the pixel which has the structure shown in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図16にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図18にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図20にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 図16に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図。The figure which shows the connection of the power supply line 1, the image signal line 2, the scanning line 3, and each pixel at the time of pixel arrangement | positioning vertically and horizontally using the pixel which has the structure shown in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図23にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図25にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。The circuit diagram which shows the example which applied the specific element to each block in embodiment shown as a block diagram in FIG. 本発明のさらに別の実施形態に係る有機EL表示装置における特定の画素の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the specific pixel in the organic electroluminescence display which concerns on another embodiment of this invention. 図27にブロック図として示した実施形態における各ブロックに具体的な素子を適用した例を示す回路図。FIG. 28 is a circuit diagram showing an example in which specific elements are applied to each block in the embodiment shown as a block diagram in FIG. 27. 図23に示した構成を有する画素を利用して縦横に画素配置した場合の電源線1、画像信号線2、走査線3と各画素との接続を示す図。The figure which shows the connection of the power supply line 1, the image signal line 2, the scanning line 3, and each pixel at the time of pixel arrangement | positioning vertically and horizontally using the pixel which has the structure shown in FIG. 比較例としての有機EL表示装置の画素ごとの構成を示す等価回路図。The equivalent circuit diagram which shows the structure for every pixel of the organic electroluminescence display as a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

1…電源線、2…画像信号線、3…走査線、3A…第2の走査線(逆極性)、4、4a…発光部、5…電流検出部、5a…抵抗器、5b…nチャネルトランジスタ、5c…抵抗器、6…電流制御部、6a…nチャネルトランジスタ、6b…nチャネルトランジスタ、6c…pチャネルトランジスタ、7、7a…画像信号保持用コンデンサ、8…第1スイッチング部、8a…nチャンルトランジスタ、8b…nチャネルトランジスタ、8c…pチャネルトランジスタ、9…第2スイッチング部、9a…nチャネルトランジスタ、9b…nチャネルトランジスタ、9c…pチャネルトランジスタ、10…比較増幅部、11、11A、11B、11C、12、12A、12B、12C、21、21A、21B、21C、22、22A、22B、22C…画素、70、71…電流ミラー部、701、702…pnpトランジスタ、711、712…npnトランジスタ、80…第1スイッチング部、801、802、803、804…nチャネルトランジスタ、805、806…pチャネルトランジスタ、90…補正部、901、902…nチャネルトランジスタ、903…pチャネルトランジスタ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Power supply line, 2 ... Image signal line, 3 ... Scanning line, 3A ... 2nd scanning line (reverse polarity) 4, 4a ... Light emission part, 5 ... Current detection part, 5a ... Resistor, 5b ... N channel Transistors, 5c ... resistors, 6 ... current control unit, 6a ... n-channel transistor, 6b ... n-channel transistor, 6c ... p-channel transistor, 7, 7a ... image signal holding capacitor, 8 ... first switching unit, 8a ... n channel transistor, 8b... n channel transistor, 8c... p channel transistor, 9... second switching section, 9a... n channel transistor, 9b. 11B, 11C, 12, 12A, 12B, 12C, 21, 21A, 21B, 21C, 22, 22A, 22B, 22 ... Pixel, 70, 71 ... Current mirror part, 701, 702 ... pnp transistor, 711,712 ... npn transistor, 80 ... First switching part, 801,802,803,804 ... n channel transistor, 805,806 ... p channel Transistor 90... Corrector 901 902 n channel transistor 903 p channel transistor

Claims (14)

複数の画素がマトリックス状に配置され、前記複数の画素の中から画素選択信号に従って画素が選択され、前記選択された画素が画像信号に従って発光させられる有機EL表示装置であって、
発光部と、
前記発光部に流す電流を制御する電流制御部と、
前記画素選択信号に従って、前記電流制御部により制御された電流の伝送/非伝送の切り替えを行う第1のスイッチング部と、
前記第1のスイッチング部により伝送された前記制御された電流の値を電圧として検出する電流検出部と、
前記検出された電流相当の電圧値と前記画像信号に相当する電圧値とを比較増幅する比較増幅部と、
前記画素選択信号に従って、前記比較増幅された結果である電圧値の伝送/非伝送の切り替えを行う第2のスイッチング部と、
前記第2のスイッチング部より伝送された前記電圧値により充放電がされる画像信号保持用コンデンサとを具備し、
前記電流制御部が、前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧により前記発光部に流す前記電流を制御すること
を特徴とする有機EL表示装置。
An organic EL display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, a pixel is selected from the plurality of pixels according to a pixel selection signal, and the selected pixel is caused to emit light according to an image signal,
A light emitting unit;
A current control unit for controlling a current flowing through the light emitting unit;
A first switching unit that switches between transmission / non-transmission of current controlled by the current control unit according to the pixel selection signal;
A current detection unit that detects the value of the controlled current transmitted by the first switching unit as a voltage;
A comparison amplifier for comparing and amplifying the voltage value corresponding to the detected current and the voltage value corresponding to the image signal;
A second switching unit that switches between transmission and non-transmission of a voltage value that is a result of the comparison amplification in accordance with the pixel selection signal;
An image signal holding capacitor that is charged and discharged by the voltage value transmitted from the second switching unit;
The organic EL display device, wherein the current control unit controls the current flowing through the light emitting unit by a charging voltage of the image signal holding capacitor.
前記電流検出部が、電源と前記第1のスイッチング部との間に挿入接続された抵抗器またはホール素子であり、
前記発光部が、前記電流制御部とグラウンドの間に挿入接続されること
を特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
The current detection unit is a resistor or a Hall element inserted and connected between a power source and the first switching unit;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting unit is inserted and connected between the current control unit and ground.
前記電流検出部が、電源と前記第1のスイッチング部との間に挿入接続された薄膜トランジスタのオン抵抗を利用して前記制御された電流の値を電圧として検出することを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。   2. The current detection unit detects a value of the controlled current as a voltage using an on-resistance of a thin film transistor inserted and connected between a power source and the first switching unit. The organic EL display device described. 前記電流検出部が、グラウンドと前記第1スイッチング部との間に挿入接続された抵抗器またはホール素子であり、
前記発光部が、前記電流制御部と電源との間に挿入接続されること
を特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
The current detection unit is a resistor or a Hall element inserted and connected between a ground and the first switching unit,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting unit is inserted and connected between the current control unit and a power source.
前記発光部、前記電流制御部、前記第1のスイッチング部、前記第2のスイッチング部、および前記画像信号保持用コンデンサが、前記複数の画素それぞれにおのおのあり、
前記比較増幅部および前記電流検出部が、前記マトリックス状の画素の列ごとに一組ずつあり、
前記電流検出部への前記第1のスイッチング部からの接続が、該電流検出部が属する画素の列に含まれる画素すべてからなされ、
前記比較増幅部からの前記第2のスイッチング部への接続が、該比較増幅部が属する画素の列の含まれる画素すべてに対してなされていること
を特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
The light emitting unit, the current control unit, the first switching unit, the second switching unit, and the image signal holding capacitor are respectively provided in each of the plurality of pixels.
The comparison amplification unit and the current detection unit are provided in one set for each column of the matrix-like pixels,
The connection from the first switching unit to the current detection unit is made from all the pixels included in the column of pixels to which the current detection unit belongs,
2. The organic EL display according to claim 1, wherein the connection from the comparison amplification unit to the second switching unit is made for all pixels included in a column of pixels to which the comparison amplification unit belongs. apparatus.
前記電流制御部が、nチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をドレイン・ソース電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされることを特徴とする請求項2記載の有機EL表示装置。   The current control unit is an n-channel thin film transistor, outputs the current flowing through the light emitting unit as a drain / source current, and the current is controlled by a charging voltage of the image signal holding capacitor supplied to the gate. The organic EL display device according to claim 2. 前記電流制御部が、pチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をソース・ドレイン電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされることを特徴とする請求項2記載の有機EL表示装置。   The current control unit is a p-channel thin film transistor, outputs the current flowing through the light emitting unit as a source / drain current, and the current is controlled by a charging voltage of the image signal holding capacitor supplied to the gate. The organic EL display device according to claim 2. 前記電流制御部が、nチャネル薄膜トランジスタであり、前記発光部に流す前記電流をドレイン・ソース電流として出力し、該電流の制御がゲートに供給された前記画像信号保持用コンデンサの充電電圧によりなされることを特徴とする請求項4記載の有機EL表示装置。   The current control unit is an n-channel thin film transistor, outputs the current flowing through the light emitting unit as a drain / source current, and the current is controlled by a charging voltage of the image signal holding capacitor supplied to the gate. The organic EL display device according to claim 4. 前記電流制御部が、アモルファスシリコントランジスタであることを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the current control unit is an amorphous silicon transistor. 前記第1のスイッチング部が、前記電流制御部により制御された電流を非伝送とするとき該電流を電源またはグラウンドに導通させることを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the first switching unit conducts the current to a power source or a ground when the current controlled by the current control unit is not transmitted. 前記第1のスイッチング部が、前記電流制御部により制御された電流を非伝送とするときに該電流を電源またはグラウンドに導通させる素子として、ゲートに前記画素選択信号と逆極性の第2の画素選択信号が供給され得るトランジスタを有することを特徴とする請求項10記載の有機EL表示装置。   When the first switching unit does not transmit the current controlled by the current control unit, the gate is a second pixel having a polarity opposite to that of the pixel selection signal as an element for conducting the current to a power source or a ground. The organic EL display device according to claim 10, further comprising a transistor to which a selection signal can be supplied. 前記第2のスイッチング部の出力側に接続して設けられ、該第2のスイッチング部が発生するノイズを除去するための補正部をさらに具備することを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。   2. The organic EL display according to claim 1, further comprising a correction unit that is connected to the output side of the second switching unit and removes noise generated by the second switching unit. apparatus. 前記補正部が、ソースドレイン共通接続端子とゲート端子からなる2端子素子であり、その一方が前記第2のスイッチング部の出力側に接続され、他方が前記画素選択信号と逆極性の第2の画素選択信号が供給され得る端子であることを特徴とする請求項12記載の有機EL表示装置。   The correction unit is a two-terminal element including a source / drain common connection terminal and a gate terminal, one of which is connected to the output side of the second switching unit, and the other is a second terminal having a polarity opposite to that of the pixel selection signal. 13. The organic EL display device according to claim 12, wherein the organic EL display device is a terminal to which a pixel selection signal can be supplied. 前記第1のスイッチング部により伝送された前記制御された電流により駆動され、該電流とほぼ同じ値の電流を出力する電流ミラー部をさらに具備し、
前記電流検出部が、前記電流ミラー部の出力する電流の値を電圧として検出すること
を特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
A current mirror unit that is driven by the controlled current transmitted by the first switching unit and outputs a current having the same value as the current;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the current detection unit detects a current value output from the current mirror unit as a voltage.
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