JP2003043993A - Active matrix type display - Google Patents

Active matrix type display

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JP2003043993A
JP2003043993A JP2001226913A JP2001226913A JP2003043993A JP 2003043993 A JP2003043993 A JP 2003043993A JP 2001226913 A JP2001226913 A JP 2001226913A JP 2001226913 A JP2001226913 A JP 2001226913A JP 2003043993 A JP2003043993 A JP 2003043993A
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circuit
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transistor
switch circuit
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Masanobu Omura
昌伸 大村
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Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply a desired driving current to the light emitting element of each pixel constantly and correctly by eliminating dispersions in threshold voltages of active elements of insides of pixels and dispersions in driving currents due to an early effect of them. SOLUTION: A path over which a driving current which is to be generated from a voltage controlled current source to be controlled by a control voltage is made to flow is made changeable to a path which makes the driving current flow through a light emitting element and a path which makes the current flow through a data-side driving circuit and when respective pixels are scanned and selected and the driving current is made to flow through the data-side driving circuit, the control voltage is controlled by using the voltage comparator in the inside of the data-side driving circuit so that the driving current and the reference current of a luminance signal become equal based on the driving current and the control voltage at that time is held in a storage circuit and when the respective pixels are not scanned and selected, the driving current is supplied to the light emitting element based on the held control voltage.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(EL)などの、電流によって輝度が制御
される発光素子を各画素に備えたディスプレイに関する
ものであり、より詳しくは、各画素内部に設けられた絶
縁ゲート型電界効果トランジスタなどの能動素子によっ
て発光素子に電流を供給するアクティブマトリックス型
有機ELディスプレイに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display provided with a light emitting element such as an organic electroluminescence (EL) whose luminance is controlled by a current in each pixel, and more specifically, to a display provided inside each pixel. The present invention relates to an active matrix type organic EL display that supplies a current to a light emitting element by an active element such as an insulated gate field effect transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、有機EL素子を用いたディスプレ
イが開発されており、その駆動方法として、単純マトリ
ックス方式とアクティブマトリックス方式がある。前者
は構造が単純であるが大型且つ高精細のディスプレイの
実現が困難である為に、アクティブマトリックス方式の
開発が盛んに行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, a display using an organic EL element has been developed, and its driving method includes a simple matrix method and an active matrix method. The former has a simple structure, but since it is difficult to realize a large-sized and high-definition display, active matrix methods have been actively developed.

【0003】有機EL素子を多数使用しアクティブマト
リックス回路により駆動する場合、各画素には、発光素
子を駆動する駆動電流の供給を制御する絶縁ゲート型電
界効果トランジスタ、所謂薄膜トランジスタ(TFT)
が接続されており、このTFTを制御することで有機E
L素子の発光動作を制御している。
When a large number of organic EL elements are used for driving by an active matrix circuit, each pixel has an insulated gate field effect transistor for controlling the supply of a driving current for driving the light emitting element, so-called thin film transistor (TFT).
Is connected, and by controlling this TFT, organic E
The light emitting operation of the L element is controlled.

【0004】(従来例1)図5は、特開平8−2346
83号公報に示された1画素分の等価回路を示す。
(Conventional Example 1) FIG. 5 is a diagram of Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-2346.
The equivalent circuit for one pixel shown in Japanese Patent No. 83 is shown.

【0005】画素が備える画素回路は、有機EL素子O
LED、薄膜トランジスタTFT1、薄膜トランジスタ
TFT2、および、コンデンサCから構成される。有機
EL素子は一般的に整流特性があるため、有機発光ダイ
オード(OLED)と呼ばれる場合があり、図中では、
ダイオードの記号を用いている。ただし、発光素子は必
ずしもOLEDに限るものではなく、素子に流れる電流
によって輝度が制御される発光素子であればよいし、ま
た、必ずしも整流特性が要求されるものでもない。図5
では、p型トランジスタTFT2のソースを電源電位V
ddに、ドレインは有機EL素子OLEDのアノードに
接続し、有機EL素子OLEDのカソードは接地電位に
接続されている。一方、p型トランジスタTFT1のゲ
ートは走査線Scanに、ソースはデータ線Data
に、ドレインはコンデンサC及びTFT2のゲートに接
続され、コンデンサの他端は電源電位Vddに接続され
ている。
The pixel circuit provided in the pixel is an organic EL element O
It is composed of an LED, a thin film transistor TFT1, a thin film transistor TFT2, and a capacitor C. Since an organic EL element generally has a rectifying characteristic, it may be called an organic light emitting diode (OLED).
The symbol of the diode is used. However, the light emitting element is not necessarily limited to the OLED, and may be any light emitting element whose brightness is controlled by the current flowing through the element, and the rectifying characteristic is not necessarily required. Figure 5
Then, the source of the p-type transistor TFT2 is connected to the power supply potential V
At dd, the drain is connected to the anode of the organic EL element OLED, and the cathode of the organic EL element OLED is connected to the ground potential. On the other hand, the gate of the p-type transistor TFT1 is the scanning line Scan and the source is the data line Data.
In addition, the drain is connected to the capacitor C and the gate of the TFT 2, and the other end of the capacitor is connected to the power supply potential Vdd.

【0006】画素を動作させる為に、まず、走査線Sc
anによりTFT1をON状態にし、データ線Data
に輝度情報を表すデータ電位Vwを印加するとコンデン
サCの充電または放電が行われ、TFT2のゲート電位
はデータ電位Vwに一致する。走査線ScanによりT
FT1をOFF状態にすると、TFT2のゲート電位は
コンデンサCによって保持され、TFT2のゲート・ソ
ース電圧Vgsに応じた駆動電流が有機EL素子OLE
Dに供給され、その電流量に応じた輝度で発光しつづけ
る。
In order to operate the pixel, first, the scanning line Sc
The TFT1 is turned on by an and the data line Data
When the data potential Vw representing the luminance information is applied to the capacitor C, the capacitor C is charged or discharged, and the gate potential of the TFT 2 matches the data potential Vw. T by scanning line Scan
When the FT1 is turned off, the gate potential of the TFT2 is held by the capacitor C, and the driving current corresponding to the gate-source voltage Vgs of the TFT2 is applied to the organic EL element OLE.
It is supplied to D and continues to emit light with a brightness according to the amount of current.

【0007】(従来例2)図6は、特開2001−56
667号公報に示す1画素分の等価回路を示す。
(Prior art example 2) FIG.
An equivalent circuit for one pixel shown in Japanese Patent No. 667 is shown.

【0008】画素が備える画素回路は、有機EL素子O
LEDと、信号電流を電圧に変換する或いは有機EL素
子OLEDに電流を供給するトランジスタTFT1と、
トランジスタTFT1の動作状態を制御するトランジス
タTFT2と、信号電流を取り込む状態或いは有機EL
素子OLEDに駆動電流を供給する状態を選択するトラ
ンジスタTFT3、トランジスタTFT4と、電圧を保
持するコンデンサCとで構成されている。
The pixel circuit included in the pixel is an organic EL element O
An LED and a transistor TFT1 for converting a signal current into a voltage or supplying a current to the organic EL element OLED;
Transistor TFT2 that controls the operating state of transistor TFT1, and the state that takes in signal current or organic EL
It is composed of a transistor TFT3 and a transistor TFT4 which select a state in which a drive current is supplied to the element OLED, and a capacitor C which holds a voltage.

【0009】図6では、TFT1のソースは電源電位V
ddに接続され、ゲートはTFT2のソースとコンデン
サCに接続されている。コンデンサCの他端は電源電位
Vddに接続されている。TFT1のドレインはTFT
2のドレイン、TFT3のドレイン、TFT4のドレイ
ンに接続されている。TFT4のソースは有機EL素子
OLEDのアノードに接続され、有機EL素子OLED
のカソードは接地電位に接続されている。TFT3のソ
ースはデータ信号線Dataに接続され、TFT2、T
FT3、TFT4のゲートは全て走査線Scanに接続
されている。
In FIG. 6, the source of the TFT1 is the power supply potential V
The gate is connected to the source of the TFT 2 and the capacitor C. The other end of the capacitor C is connected to the power supply potential Vdd. The drain of TFT1 is TFT
It is connected to the drain of the TFT 2, the drain of the TFT 3, and the drain of the TFT 4. The source of the TFT4 is connected to the anode of the organic EL element OLED,
The cathode of is connected to ground potential. The source of the TFT3 is connected to the data signal line Data, and the TFT2, T
The gates of FT3 and TFT4 are all connected to the scanning line Scan.

【0010】画素を動作させる為に、まず、走査線Sc
anによりTFT2、TFT3はON状態に、TFT4
はOFF状態にすると、信号電流IwがTFT1に取り
込まれ、TFT1には信号電流Iwを流す為に必要なゲ
ート・ソース電圧Vgsが発生し、この電圧Vgsをコ
ンデンサCに保持する。走査線ScanによってTFT
2、TFT3をOFF状態、TFT4をON状態にする
と、TFT1はコンデンサCに保持されている電圧に基
づいて駆動電流を有機EL素子OLEDに流し続け、有
機EL素子OLEDはその電流量に相当した輝度で発光
し続ける。
In order to operate the pixel, first, the scanning line Sc
TFT2 and TFT3 are turned on by an and TFT4
When is turned off, the signal current Iw is taken into the TFT1, a gate-source voltage Vgs necessary for flowing the signal current Iw is generated in the TFT1, and the voltage Vgs is held in the capacitor C. TFT by scanning line Scan
2. When the TFT3 is turned off and the TFT4 is turned on, the TFT1 continues to flow a drive current to the organic EL element OLED based on the voltage held in the capacitor C, and the organic EL element OLED has a brightness corresponding to the current amount. Keeps emitting light.

【0011】(従来例3)図7は、特開2001−14
7659号公報に示す1画素分の等価回路を示す。
(Prior art example 3) FIG.
An equivalent circuit for one pixel shown in Japanese Patent No. 7659 is shown.

【0012】画素が備える画素回路は、信号電流を電圧
に変換する変換用のトランジスタTFT1、発光素子に
流れる駆動電流を制御するトランジスタTFT2、走査
線ScanAによって画素回路とデータ線とを接続もし
くは遮断する取込用のトランジスタTFT3、走査線S
canBによって輝度情報書き込み中にTFT1のゲー
ト・ドレイン間を短絡するスイッチ用のトランジスタT
FT4、TFT1のゲート・ソース電圧を輝度情報書き
込み終了後も保持するコンデンサC、及び有機EL素子
OLEDから構成される。
A pixel circuit included in a pixel connects or disconnects a pixel circuit and a data line by a conversion transistor TFT1 for converting a signal current into a voltage, a transistor TFT2 for controlling a drive current flowing in a light emitting element, and a scanning line ScanA. Transistor TFT3 for scanning, scanning line S
A switching transistor T that short-circuits the gate and drain of the TFT1 during writing of luminance information by canB.
It is composed of an FT4, a capacitor C that holds the gate-source voltage of the TFT1 even after writing the brightness information, and an organic EL element OLED.

【0013】図7では、TFT1、TFT2のソースは
電源電位Vddに接続され、TFT1のゲートはTFT
2のゲートとコンデンサCとTFT4のドレインに接続
されている。コンデンサCの他端は電源電位Vddに接
続されている。TFT2のドレインは有機EL素子OL
EDのアノードに接続され、有機EL素子OLEDのカ
ソードは接地電位に接続されている。TFT1のドレイ
ンはTFT4のソースとTFT3のドレインに接続され
る。TFT3のソースはデータ信号線Dataに接続さ
れている。TFT3のゲートは走査線ScanA、TF
T4のゲートは走査線ScanBに接続されている。
In FIG. 7, the sources of TFT1 and TFT2 are connected to the power supply potential Vdd, and the gate of TFT1 is TFT.
2 is connected to the gate, the capacitor C, and the drain of the TFT 4. The other end of the capacitor C is connected to the power supply potential Vdd. The drain of the TFT2 is an organic EL element OL
It is connected to the anode of the ED and the cathode of the organic EL element OLED is connected to the ground potential. The drain of TFT1 is connected to the source of TFT4 and the drain of TFT3. The source of the TFT 3 is connected to the data signal line Data. The gates of the TFT3 are scan lines ScanA and TF.
The gate of T4 is connected to the scan line ScanB.

【0014】画素を動作させる為に、まず、走査線Sc
anA、ScanBによりTFT3、TFT4をON状
態にすると、TFT1とTFT2はカレントミラー構造
を有することになり、信号電流IwがTFT1に取り込
まれ、TFT2はカレントミラー比に従って電流を有機
EL素子OLEDに流し、TFT1のゲートに発生した
電圧はコンデンサCに保持される。走査線ScanA、
ScanBによりTFT3、TFT4をOFF状態にす
ると、TFT1とTFT2のカレントミラー構造は解除
され、コンデンサCに保持された電圧に従ってTFT2
が電流を有機EL素子OLEDに流し続け、発光素子は
その電流量に相当した輝度で発光し続ける。
In order to operate the pixel, first, the scanning line Sc
When the TFT3 and the TFT4 are turned on by anA and ScanB, the TFT1 and the TFT2 have a current mirror structure, the signal current Iw is taken into the TFT1, and the TFT2 causes a current to flow to the organic EL element OLED according to the current mirror ratio. The voltage generated at the gate of the TFT1 is held in the capacitor C. Scan line ScanA,
When the TFT 3 and the TFT 4 are turned off by ScanB, the current mirror structure of the TFT 1 and the TFT 2 is released, and the TFT 2 according to the voltage held in the capacitor C.
Keeps flowing a current through the organic EL element OLED, and the light emitting element keeps emitting light with a brightness corresponding to the amount of the current.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリック
ス型ディスプレイにおいて、能動素子である薄膜トラン
ジスタは、一般的に一枚のガラス基板上に同時にアモル
ファスシリコン或いはポリシリコンを用いて形成され
る。しかしながら、アモルファスシリコン或いはポリシ
リコンを用いて形成されたTFTは、単結晶シリコンに
比べて、結晶性が悪く、伝導機構の制御性が悪い為、そ
の特性のばらつきが大きいことが知られている。
In the active matrix type display, the thin film transistor which is an active element is generally formed on one glass substrate at the same time by using amorphous silicon or polysilicon. However, it is known that the TFT formed using amorphous silicon or polysilicon has poor crystallinity and poor controllability of the conduction mechanism as compared with single crystal silicon, and thus its characteristics vary widely.

【0016】従って、同一基板上に形成されたTFTで
も、そのしきい値電圧Vthが画素毎によって数百m
V、場合によっては1V以上ばらつくことも稀ではな
い。この場合、例えば異なる画素に対して同じ信号電位
Vwを書き込んでも画素によってVthがばらつく為
に、発光素子に流れる電流が違い、所望の輝度が得られ
ずディスプレイとして高い画質を期待することができな
い。
Therefore, even in a TFT formed on the same substrate, the threshold voltage Vth thereof is several hundred meters depending on each pixel.
It is not uncommon for V, in some cases, to vary by 1 V or more. In this case, for example, even if the same signal potential Vw is written to different pixels, since Vth varies depending on the pixel, the current flowing through the light emitting element is different, and desired luminance cannot be obtained, and high image quality cannot be expected as a display.

【0017】従来例1(特開平8−234683)の構
成の場合は、この影響を直接受けてしまう。また、従来
例2(特開2001−56667)は、しきい値電圧の
ばらつき問題を解決しているが、信号電流を電圧に変換
するときのTFT1のソース・ドレイン電圧Vdsと有
機EL素子OLEDに駆動電流を供給しているときのT
FT1のソース・ドレイン電圧Vdsが違うため、トラ
ンジスタのアーリー効果によってデータ信号に基づいた
正確な駆動電流を発光素子に流すことができない。ま
た、従来例3(特開2001−147659)は、しき
い値電圧のばらつきに関する問題をTFT1とTFT2
で構成されるカレントミラーの誤差レベルにして低減し
ているが、根本的にばらつき問題を解決していない。さ
らに、TFT1のソース・ドレイン電圧Vds1とTF
T2のソース・ドレイン電圧Vds2が異なるために、
従来例2と同様に、トランジスタのアーリー効果によっ
て正確な駆動電流を発光素子に流すことができない。
In the case of the configuration of the conventional example 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 8-234683), this influence is directly exerted. Further, although the conventional example 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-56667) solves the problem of the variation in the threshold voltage, the source / drain voltage Vds of the TFT 1 and the organic EL element OLED when converting the signal current into a voltage are used. T when supplying drive current
Since the source-drain voltage Vds of the FT1 is different, an accurate drive current based on the data signal cannot flow through the light emitting element due to the Early effect of the transistor. Further, in the conventional example 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-147659), the problem regarding the variation in the threshold voltage is solved by the TFT1 and the TFT2.
Although the error level of the current mirror configured by is reduced, it does not fundamentally solve the dispersion problem. Further, the source-drain voltage Vds1 of the TFT1 and the TF
Since the source / drain voltage Vds2 of T2 is different,
As in the second conventional example, an accurate drive current cannot flow through the light emitting element due to the Early effect of the transistor.

【0018】本発明の目的は、上記従来の技術において
存在していたしきい値電圧のばらつきによる発光素子へ
供給する駆動電流のばらつき問題を解決し、従来よりも
高性能なアクティブマトリックス型ディスプレイを提供
することにある。
An object of the present invention is to solve the problem of dispersion of the drive current supplied to the light emitting element due to the dispersion of the threshold voltage, which has existed in the above-mentioned prior art, and to provide an active matrix type display having higher performance than the conventional one. To do.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、発光素子を少なくとも含む画素回路を備え
た画素をマトリックス状に複数配置し、前記画素回路の
制御を行うための走査側駆動回路とデータ側駆動回路と
を少なくとも有するアクティブマトリックス型ディスプ
レイであって、前記発光素子は、該発光素子に流れる電
流に応じて輝度が変化する電流制御型の発光素子であ
り、前記画素回路は、前記発光素子と、電圧制御電流源
と、第1のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路とを少
なくとも含み、前記電圧制御電流源は、制御電圧により
制御される能動素子と該制御電圧を記憶できる記憶回路
とを少なくとも含み、前記制御電圧に基づいて駆動電流
を発生させる機能を有し、前記第1のスイッチ回路は、
前記電圧制御電流源を電圧制御可能状態と制御電圧保持
状態とに切り換える機能を有し、前記第2のスイッチ回
路は、前記駆動電流を流す経路を、前記発光素子に流す
経路と前記データ側駆動回路に流す経路とに切り換える
機能を有し、前記走査側駆動回路は、少なくとも、前記
第1のスイッチ回路と前記第2のスイッチ回路とに接続
され、前記電圧制御電流源を電圧制御可能状態或いは制
御電圧保持状態とする制御と、前記駆動電流を流す経路
を前記発光素子に流す経路或いは前記データ側駆動回路
に流す経路にする制御とを行う機能を有し、前記データ
側駆動回路は、少なくとも、前記第1のスイッチ回路を
介して前記電圧制御電流源と接続され、且つ前記第2の
スイッチ回路と接続され、前記電圧制御電流源が電圧制
御可能状態にあり且つ前記駆動電流を流す経路がデータ
側駆動回路に流す経路であるときに、前記電圧制御電流
源の制御電圧を制御することで該駆動電流を制御し、該
駆動電流に基づいてさらに前記電圧制御電流源の制御電
圧を制御し、前記駆動電流を所望の輝度情報に対応した
電流値に近づけていく機能を有することを特徴とする。
According to the present invention for solving the above-mentioned problems, a plurality of pixels each having a pixel circuit including at least a light emitting element are arranged in a matrix, and a scanning side for controlling the pixel circuit. An active matrix type display having at least a drive circuit and a data side drive circuit, wherein the light emitting element is a current control type light emitting element whose brightness changes according to a current flowing in the light emitting element, and the pixel circuit is A light emitting element, a voltage controlled current source, a first switch circuit, and a second switch circuit, wherein the voltage controlled current source stores an active element controlled by a control voltage and the control voltage. A memory circuit capable of generating a drive current based on the control voltage, and the first switch circuit includes:
The second switch circuit has a function of switching the voltage controlled current source between a voltage controllable state and a control voltage holding state, and the second switch circuit causes a path through which the drive current flows to the light emitting element and a data side drive. The scanning-side drive circuit is connected to at least the first switch circuit and the second switch circuit, and has a function of switching to a circuit flow path. It has a function of performing control for holding a control voltage, and control for setting a path through which the drive current flows into the path through which the light emitting element flows or a path through which the data side drive circuit flows. , Connected to the voltage controlled current source via the first switch circuit and connected to the second switch circuit, and the voltage controlled current source is in a voltage controllable state When the path through which the drive current flows is a path through which the data-side drive circuit flows, the drive current is controlled by controlling the control voltage of the voltage-controlled current source, and the voltage control is further performed based on the drive current. It is characterized by having a function of controlling the control voltage of the current source to bring the drive current closer to a current value corresponding to desired luminance information.

【0020】また本発明は、上記本発明において、「前
記データ側駆動回路は、輝度情報を持つ基準電流源と、
該基準電流源の出力端の電圧と基準電圧とを入力として
前記制御電圧を設定する電圧を出力する電圧比較器を含
み、前記基準電流源の出力端は前記第2のスイッチ回路
とも接続され、前記電圧制御電流源が電圧制御可能状態
にあり且つ前記駆動電流を流す経路がデータ側駆動回路
に流す経路であるときに、前記輝度情報を持つ基準電流
源の出力端に前記駆動電流を入力し、前記駆動電流の電
流値と前記輝度情報を持つ基準電流源の出力電流値とが
等しくなるように、前記電圧比較器によって前記電圧制
御電流源の制御電圧を制御する機能を有すること」、
「前記電圧比較器に入力される基準電圧を、前記発光素
子の動作時の端子間の電圧近傍に設定すること」、「前
記データ側駆動回路は、さらにプリチャージ回路を含
み、該プリチャージ回路は、少なくとも、前記電圧比較
器の2つの入力のうち前記基準電流源の出力端が接続さ
れた入力の側に接続され、前記基準電流源の出力端と前
記電圧比較器とが接続された点の電圧を、所定の準備電
圧までプリチャージする機能を有すること」、「前記デ
ータ側駆動回路は、前記電圧制御電流源が制御電圧保持
状態にあるときに前記プリチャージ動作を行う制御が可
能であること」、「前記データ側駆動回路は、前記電圧
制御電流源が電圧制御可能状態となる直前に前記プリチ
ャージ動作を行う制御が可能であること」、「前記所定
の準備電圧を、前記基準電圧と同じ電圧値にするこ
と」、「前記記憶回路はコンデンサで構成されており、
前記能動素子、前記第1のスイッチ回路、前記第2のス
イッチ回路は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタで構
成されており、前記第2のスイッチ回路は差動スイッチ
であること」、「前記画素回路は、さらにリセット回路
を含み、該リセット回路は、少なくとも、前記発光素子
と接続され、前記発光素子の端子間電圧を所定の値以下
にリセットする機能を有すること」、「前記リセット回
路は、前記第1のスイッチ回路と共通の配線により前記
走査側駆動回路に接続され、前記電圧制御電流源が電圧
制御可能状態にあるときに同時に前記リセット動作が可
能であること」、「前記記憶回路はコンデンサで構成さ
れており、前記能動素子、前記第1のスイッチ回路、前
記第2のスイッチ回路、前記リセット回路は、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタで構成されており、前記第2
のスイッチ回路は差動スイッチであること」、「前記電
圧制御電流源は、第1のトランジスタとコンデンサとか
らなり、該第1のトランジスタのゲートが該コンデンサ
の一端と前記第1のスイッチ回路とに接続され、前記第
1のトランジスタのソースと前記コンデンサの他端とが
電源電位に接続され、前記第1のトランジスタのドレイ
ンが出力となり、該ドレインが前記第2のスイッチ回路
に接続された構成であり、前記第1のスイッチ回路は、
第2のトランジスタからなり、該第2のトランジスタの
ドレインが前記電圧制御電流源に接続され、前記第2の
トランジスタのソースが前記データ側駆動回路に接続さ
れ、前記第2のトランジスタのゲートに前記走査側駆動
回路が接続された構成であり、前記第2のスイッチ回路
は、第3、第4のトランジスタからなり、該第3、第4
のトランジスタのソースが共に前記電圧制御電流源に接
続された差動スイッチ回路を構成しており、前記第3の
トランジスタのドレインが前記データ側駆動回路に接続
され、前記第4のトランジスタのドレインが前記発光素
子と前記リセット回路とに接続され、前記リセット回路
は、第5のトランジスタからなり、該第5のトランジス
タのドレインが前記前記第2のスイッチ回路と前記発光
素子とに接続され、前記第5のトランジスタのソースは
リセット電位に接続され、前記第5のトランジスタのゲ
ートが前記第1のスイッチ回路と共通の配線により前記
走査側駆動回路に接続された構成であること」、「前記
絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、薄膜トランジス
タであること」、を好ましい態様として含むものであ
る。
According to the present invention, in the above-mentioned invention, "the data side driving circuit includes a reference current source having luminance information,
A voltage comparator that outputs a voltage for setting the control voltage by inputting the voltage at the output end of the reference current source and the reference voltage, and the output end of the reference current source is also connected to the second switch circuit; When the voltage control current source is in the voltage controllable state and the path through which the drive current flows is the path through which the data side drive circuit flows, the drive current is input to the output terminal of the reference current source having the brightness information. , Having a function of controlling the control voltage of the voltage controlled current source by the voltage comparator so that the current value of the drive current becomes equal to the output current value of the reference current source having the brightness information.
"Setting the reference voltage input to the voltage comparator near the voltage between the terminals during operation of the light emitting element", "the data side drive circuit further includes a precharge circuit, and the precharge circuit includes: Is connected to at least the input side of the two inputs of the voltage comparator to which the output end of the reference current source is connected, and the output end of the reference current source is connected to the voltage comparator. Has a function of precharging the voltage to a predetermined preparatory voltage. "" The data side drive circuit is capable of performing the precharge operation when the voltage controlled current source is in the control voltage holding state. "There is", "the data side drive circuit is capable of performing control to perform the precharge operation immediately before the voltage controlled current source is in the voltage controllable state", "the predetermined preparation voltage is Be the same voltage value as the reference voltage "," the storage circuit is a capacitor,
The active element, the first switch circuit, and the second switch circuit are composed of insulated gate field effect transistors, and the second switch circuit is a differential switch ”,“ the pixel circuit Further includes a reset circuit, and the reset circuit is connected to at least the light emitting element and has a function of resetting a voltage between terminals of the light emitting element to a predetermined value or less. It is connected to the scanning side drive circuit by a wiring common to the first switch circuit, and the reset operation is possible at the same time when the voltage controlled current source is in a voltage controllable state. "," The storage circuit is a capacitor And the active element, the first switch circuit, the second switch circuit, and the reset circuit are insulated gate field effect transistors. Consists of a register, the second
The switch circuit is a differential switch "," the voltage-controlled current source includes a first transistor and a capacitor, and the gate of the first transistor is connected to one end of the capacitor and the first switch circuit. " The source of the first transistor and the other end of the capacitor are connected to the power supply potential, the drain of the first transistor serves as an output, and the drain is connected to the second switch circuit. And the first switch circuit is
A second transistor, the drain of the second transistor is connected to the voltage controlled current source, the source of the second transistor is connected to the data side drive circuit, and the gate of the second transistor is connected to the gate of the second transistor. The scanning side drive circuit is connected, and the second switch circuit is composed of third and fourth transistors.
The sources of the transistors are connected together to the voltage controlled current source to form a differential switch circuit, the drain of the third transistor is connected to the data side drive circuit, and the drain of the fourth transistor is The reset circuit is connected to the light emitting element and the reset circuit, and the reset circuit is composed of a fifth transistor, and the drain of the fifth transistor is connected to the second switch circuit and the light emitting element. The source of the transistor No. 5 is connected to the reset potential, and the gate of the fifth transistor is connected to the scanning side drive circuit by a wiring common to the first switch circuit. "," The insulated gate The field-effect transistor is a thin film transistor ”.

【0021】ここで、電圧制御電流源とは、電圧に基づ
いて流す電流を規制する手段を示し、電圧比較器とは、
電圧を比較するだけでなく、それに基づいて電圧を出力
する手段を示している。
Here, the voltage controlled current source means a means for regulating the current to flow based on the voltage, and the voltage comparator means
The means for not only comparing the voltages but outputting the voltages based on the comparison is shown.

【0022】また、電圧制御可能状態とは、制御電圧を
変化させて制御することが可能な状態を示し、制御電圧
保持状態とは、記憶回路に記録された制御電圧を外部か
ら変化させないように保持している状態を示している。
The voltage controllable state means a state in which control can be performed by changing the control voltage, and the control voltage holding state means that the control voltage recorded in the memory circuit is not changed from the outside. It shows the state of holding.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、発光素子に有機エレクトロ
ルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた本発明の
好ましい実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではなく、発光素子に流れる駆動電流によ
って輝度が制御される電流制御型の発光素子を用いたア
クティブマトリックス型ディスプレイにおいて効果を有
するものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention in which an organic electroluminescence element (organic EL element) is used as a light emitting element will be described below, but the present invention is not limited to these and the light emitting element is not limited thereto. The present invention is effective in an active matrix type display using a current control type light emitting element whose brightness is controlled by a driving current flowing in the matrix.

【0024】(実施の形態1)図1は、本発明のアクテ
ィブマトリックス型ディスプレイの第1の実施形態を示
す構成図であり、図1においては画素回路は1画素分の
みを示している。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an active matrix type display of the present invention. In FIG. 1, the pixel circuit shows only one pixel.

【0025】まず、構成を説明する。First, the structure will be described.

【0026】画素内部の画素回路は、有機EL素子OL
EDと、制御電圧に基づいて駆動電流を発生させる電圧
制御電流源を構成する能動素子に対応するp型薄膜トラ
ンジスタ1個と、記憶回路に対応するコンデンサ1個
と、電圧制御電流源を電圧制御可能状態と制御電圧保持
状態とに切り換える機能を有する第1のスイッチ回路に
対応するn型トランジスタ1個と、駆動電流を流す経路
を、発光素子に流す経路とデータ側駆動回路に流す経路
とに切り換える機能を有する第2のスイッチ回路に対応
するp型トランジスタ2個と、発光素子と接続され、発
光素子の端子間電圧を所定の値以下にリセットする機能
を有するリセット回路に対応するn型トランジスタ1個
で構成されている。本実施形態では第2のスイッチ回路
は差動スイッチとなっている。
The pixel circuit inside the pixel is an organic EL element OL.
ED, 1 p-type thin film transistor corresponding to an active element that constitutes a voltage control current source that generates a drive current based on a control voltage, 1 capacitor corresponding to a memory circuit, and voltage control current source can be voltage controlled One n-type transistor corresponding to the first switch circuit having a function of switching between the state and the control voltage holding state, and the path through which the drive current flows are switched between the path through the light emitting element and the path through the data side drive circuit. Two p-type transistors corresponding to the second switch circuit having a function, and an n-type transistor 1 corresponding to the reset circuit connected to the light emitting element and having a function of resetting the terminal voltage of the light emitting element to a predetermined value or less. It consists of individual pieces. In this embodiment, the second switch circuit is a differential switch.

【0027】より詳細に構成を説明する。The configuration will be described in more detail.

【0028】第1のトランジスタT1のゲートには、コ
ンデンサCと第2のトランジスタT2のドレインが接続
されている(コンデンサCの充放電に際してT2の該電
極(ここでドレインとしている電極)はソースともなる
が、説明の簡単化のため本明細書中ではT2に関して
は、薄膜トランジスタのソース又はドレインとなる2電
極のうちコンデンサCに接続されている側をドレインと
呼ぶこととする)。T1のドレインは、第3のトランジ
スタT3のソース、第4のトランジスタT4のソースが
接続されている。T3,T4のゲートには走査線が接続
され、T3のゲートには制御信号SAが、T4のゲート
には制御信号SBが入力される。制御信号SA,SBは
差動信号である。T4のドレインは、第5のトランジス
タT5のドレインとOLEDのアノードに接続されてい
る。T5のソースはリセット電位Vcomに接続されて
いる。T2,T5のゲートは共通の走査線に接続され、
T2とT5のゲートには制御信号SCが入力される。T
1のソースおよびコンデンサCの他端は電源電位Vdd
に、OLEDのカソードは接地電位に接続されている。
The gate of the first transistor T1 is connected to the drains of the capacitor C and the second transistor T2 (the electrode of T2 (the electrode serving as the drain here) when charging and discharging the capacitor C is also the source). However, for simplification of description, in the present specification, regarding T2, the side of the two electrodes serving as the source or the drain of the thin film transistor, which is connected to the capacitor C, is referred to as the drain). The drain of T1 is connected to the source of the third transistor T3 and the source of the fourth transistor T4. The scanning lines are connected to the gates of T3 and T4, the control signal SA is input to the gate of T3, and the control signal SB is input to the gate of T4. The control signals SA and SB are differential signals. The drain of T4 is connected to the drain of the fifth transistor T5 and the anode of the OLED. The source of T5 is connected to the reset potential Vcom. The gates of T2 and T5 are connected to a common scanning line,
The control signal SC is input to the gates of T2 and T5. T
The source of 1 and the other end of the capacitor C have a power supply potential Vdd
In addition, the cathode of the OLED is connected to ground potential.

【0029】制御信号SA,SB,SCは、画素領域外
部に設置された走査側駆動回路(図1には記載していな
い)によって制御されている。
The control signals SA, SB and SC are controlled by a scanning side drive circuit (not shown in FIG. 1) provided outside the pixel area.

【0030】T2のソースは、画素領域外部に設置され
ているデータ側駆動回路内部の電圧比較器AMP1の出
力と接続され、T3のドレインはデータ側駆動回路内部
の輝度情報をもつ基準電流源Idの出力端に接続される
と共にAMP1の正極端子にも接続されている。AMP
1の負極端子には基準電圧Vrが入力される。
The source of T2 is connected to the output of the voltage comparator AMP1 inside the data side drive circuit installed outside the pixel region, and the drain of T3 is the reference current source Id having the brightness information inside the data side drive circuit. Of the AMP1 and the positive terminal of the AMP1. AMP
The reference voltage Vr is input to the negative electrode terminal of 1.

【0031】リセット電位Vcomは、OLEDの端子
電圧をリセットする電位であり、接地電位もしくはOL
EDの発光しきい値電圧以下にすることが望ましい。ま
た、消費電力の観点から言うとOLEDの発光しきい値
電圧より若干小さい電圧が望ましい。さらには製造の容
易性から、リセット電位には全画素共通に接続しておく
ことが好ましい。
The reset potential Vcom is a potential for resetting the terminal voltage of the OLED, and is a ground potential or OL.
It is desirable to set the light emission threshold voltage of the ED or less. From the viewpoint of power consumption, a voltage slightly lower than the light emitting threshold voltage of the OLED is desirable. Further, for ease of manufacturing, it is preferable to connect the reset potential commonly to all pixels.

【0032】また、T3がON状態且つT4がOFF状
態で、駆動電流設定制御が行われたとき、制御安定状態
ではT1のドレイン電圧は基準電圧Vrとなり、また、
T3がOFF状態且つT4がON状態で、T1で発生し
た電流をOLEDに供給し発光動作を行っているとき、
T1のドレイン電圧はOLEDの動作(点灯)時に発生
する端子間の電圧Vonとなる。従って、回路動作状態
によるT1トランジスタのドレイン・ソース間電圧の変
化によるアーリー効果の影響をなくす為には、データ側
駆動回路内の基準電圧VrをOLEDの動作電圧Von
近傍にすることが望ましい。
When the drive current setting control is performed with T3 in the ON state and T4 in the OFF state, the drain voltage of T1 becomes the reference voltage Vr in the control stable state, and
When T3 is in the OFF state and T4 is in the ON state and the current generated in T1 is supplied to the OLED to perform the light emitting operation,
The drain voltage of T1 becomes the voltage Von between the terminals generated when the OLED operates (lights up). Therefore, in order to eliminate the influence of the Early effect due to the change in the drain-source voltage of the T1 transistor due to the circuit operating state, the reference voltage Vr in the data side driving circuit is set to the OLED operating voltage Von.
It is desirable to make it near.

【0033】次に、動作を説明する。Next, the operation will be described.

【0034】まず、所望の輝度で画素を発光させる為
に、OLEDに供給すべき駆動電流を発生するT1のゲ
ート電圧、すなわち制御電圧を設定する。この動作を行
うには、まず制御信号SA,SBによってT3,T4で
構成された差動スイッチを、T3をON状態に、T4を
OFF状態にし、駆動電流を流す経路をデータ側駆動回
路に流す経路とする。次に制御信号SCによってT2を
ON状態とし、電圧制御電流源を電圧制御可能状態とす
る。このときT1が出力する駆動電流(Imとしてデー
タ側駆動回路に入力)とデータ側駆動回路内にある基準
電流源Idとでデータ側駆動回路内にある電圧比較器A
MP1の正極端子に寄生する容量(図中には記載してい
ない)を充電或いは放電し、AMP1の正極端子電圧が
基準電圧Vrと等しくなるように、T1のゲート電圧を
制御し、駆動電流を所望の輝度情報に対応した電流値に
近づけていく。そして、T1の発生する駆動電流と輝度
情報を持つ基準電流源Idの発生する電流とが等しいと
きに、この制御は安定状態になる。制御されたT1のゲ
ート電圧は、これに接続されているコンデンサCに保持
される。また、このとき同時にT5がON状態にあるの
でリセット電位Vcomにショートされ、OLEDの端
子間電圧を所定の値以下にリセットする。これは有機E
L素子の長寿命化に有効な手段である。
First, the gate voltage of T1, which generates the drive current to be supplied to the OLED, that is, the control voltage, is set in order to cause the pixel to emit light with a desired brightness. In order to perform this operation, first, the differential switch constituted by T3 and T4 is turned on by T3 and turned off by T4 by the control signals SA and SB, and a driving current flowing path is passed to the data side driving circuit. Use as a route. Next, T2 is turned on by the control signal SC, and the voltage controlled current source is set to the voltage controllable state. At this time, the drive current output from T1 (input as Im to the data side drive circuit) and the reference current source Id in the data side drive circuit form the voltage comparator A in the data side drive circuit.
Capacitance (not shown in the figure) parasitic on the positive terminal of MP1 is charged or discharged, and the gate voltage of T1 is controlled so that the positive terminal voltage of AMP1 becomes equal to the reference voltage Vr. It approaches the current value corresponding to the desired brightness information. Then, when the drive current generated by T1 and the current generated by the reference current source Id having the luminance information are equal to each other, this control becomes stable. The controlled gate voltage of T1 is held in the capacitor C connected to it. At the same time, T5 is in the ON state at the same time, so that it is short-circuited to the reset potential Vcom and the inter-terminal voltage of the OLED is reset to a predetermined value or less. This is organic E
This is an effective means for extending the life of the L element.

【0035】次に、ゲート電圧が設定されたならば、制
御信号SCによりT2、T5をOFF状態にして、電圧
制御電流源を制御電圧保持状態とし、リセット回路のリ
セット動作は停止する。次に制御信号SA,SBによっ
てT3,T4で構成された差動スイッチを、T3をOF
F状態に、T4をON状態とし、駆動電流を流す経路を
OLEDに流す経路とする。この状態では、画素外部に
あるデータ側駆動回路からの制御は行われず、画素内部
のコンデンサCに保持された制御電圧によって、T1の
ゲート・ソース間電圧Vgsが与えられ、この電圧に相
当した駆動電流がOLEDに供給される。
Next, when the gate voltage is set, T2 and T5 are turned off by the control signal SC to bring the voltage controlled current source to the control voltage holding state, and the reset operation of the reset circuit is stopped. Next, the differential switch composed of T3 and T4 is controlled by the control signals SA and SB, and T3 is turned off.
In the F state, T4 is turned on, and the path through which the drive current flows is the path through which the OLED flows. In this state, control from the data side driving circuit outside the pixel is not performed, and the gate-source voltage Vgs of T1 is given by the control voltage held in the capacitor C inside the pixel, and the driving corresponding to this voltage is performed. Current is supplied to the OLED.

【0036】本実施形態において、画素内部で発生する
電流を画素外部にあるデータ側駆動回路と接続すること
で所望の電流値に制御決定するので、各画素の駆動電流
を決定するトランジスタのしきい値電流がばらついてい
ても問題なく、さらに、T3,T4は差動スイッチで、
SA,SBの差動信号の電圧レベルを適切に与えること
で、駆動電流設定制御と駆動電流供給動作を切り換える
ので、駆動電流を決定するT1のドレイン・ソース間電
圧が変化することなくトランジスタのアーリー効果によ
る電流変動を防ぎ、高精細な画像表示が可能である。
In the present embodiment, the current generated inside the pixel is connected to the data side drive circuit outside the pixel to control and determine the desired current value. Therefore, the threshold of the transistor that determines the drive current of each pixel is determined. There is no problem even if the value current varies, and T3 and T4 are differential switches.
The drive current setting control and the drive current supply operation are switched by appropriately providing the voltage levels of the differential signals of SA and SB, so that the drain-source voltage of T1 that determines the drive current does not change and the transistor early The current fluctuation due to the effect is prevented, and high-definition image display is possible.

【0037】なお、トランジスタとしては広く用いられ
ている絶縁ゲート型電界効果トランジスタを使用するこ
とが好ましく、さらにはアクティブマトリックス型ディ
スプレイの小型化の観点からも薄膜トランジスタである
ことが好ましい。
It is preferable to use a widely used insulated gate field effect transistor as the transistor, and it is more preferable to use the thin film transistor from the viewpoint of downsizing of the active matrix display.

【0038】(実施の形態2)図4は、本発明のアクテ
ィブマトリックス型ディスプレイの第2の実施形態を示
す構成図であり、図4においては画素回路は1画素分の
みを示している。
(Second Embodiment) FIG. 4 is a constitutional view showing a second embodiment of the active matrix display of the present invention. In FIG. 4, the pixel circuit shows only one pixel.

【0039】まず、構成を説明する。画素回路の構成
は、実施形態1と同じなので説明を省く。
First, the structure will be described. Since the configuration of the pixel circuit is the same as that of the first embodiment, the description will be omitted.

【0040】実施の形態1の構成などで、駆動電流設定
制御のときに電圧制御電流源で発生する駆動電流が流れ
る配線に大きな寄生容量が存在する場合には、駆動電流
設定制御が不安定に陥る可能性がある。本実施形態で
は、制御の応答後れによる制御不安定を未然に防ぐ為
に、電圧制御電流源が制御電圧保持状態にあるときにデ
ータ側駆動回路内の電圧比較器の正極端子電圧を所定の
準備電圧までプリチャージするプリチャージ回路をデー
タ側駆動回路内に追加している。好ましくは、プリチャ
ージ動作は電圧制御電流源が電圧制御可能状態となる直
前に行うようにすることであり、更に好ましくは、所定
の準備電圧を電圧比較器の負極端子に入力する基準電圧
Vrと同じ電圧値にすることである。これにより、駆動
電流設定制御の動作時間を短縮することができる。なぜ
ならば、駆動電流設定制御の制御収束電圧(制御が安定
したときの電圧)が、AMP1の正極端電圧Vrになる
からである。
In the configuration of the first embodiment or the like, when there is a large parasitic capacitance in the wiring through which the drive current generated by the voltage control current source is present during the drive current setting control, the drive current setting control becomes unstable. There is a possibility of falling. In the present embodiment, in order to prevent control instability due to a delayed response of control, the positive terminal voltage of the voltage comparator in the data side drive circuit is set to a predetermined value when the voltage controlled current source is in the control voltage holding state. A precharge circuit for precharging to the preparation voltage is added in the data side drive circuit. Preferably, the precharge operation is performed immediately before the voltage controlled current source enters the voltage controllable state, and more preferably, the predetermined preparation voltage and the reference voltage Vr input to the negative terminal of the voltage comparator. It is to make the same voltage value. Thereby, the operation time of the drive current setting control can be shortened. This is because the control convergence voltage of the drive current setting control (voltage when the control is stable) becomes the positive terminal voltage Vr of the AMP1.

【0041】まず、構成を説明する。First, the structure will be described.

【0042】電圧比較器AMP1の正極端子にスイッチ
回路SW1を介して電圧バッファAMP2の出力を接続
している。電圧バッファAPM2の正極端子には、電圧
比較器AMP1の正極端子に入力されている基準電圧と
同じ電圧Vrが入力されている。電圧バッファAMP2
の負極端子は電圧バッファAMP2の出力とショートし
ている。スイッチSW1は、制御信号SDによってON
/OFF動作を制御されている。
The output of the voltage buffer AMP2 is connected to the positive terminal of the voltage comparator AMP1 via the switch circuit SW1. The same voltage Vr as the reference voltage input to the positive terminal of the voltage comparator AMP1 is input to the positive terminal of the voltage buffer APM2. Voltage buffer AMP2
The negative terminal of is short-circuited with the output of the voltage buffer AMP2. The switch SW1 is turned on by the control signal SD
/ OFF operation is controlled.

【0043】次に、動作を説明する。Next, the operation will be described.

【0044】制御信号SA,SBによって画素内が駆動
電流設定制御準備状態になると、制御信号SDによって
スイッチSW1が導通状態になり、電圧比較器AMP1
の正極端子が電圧Vrになるように急速にプリチャージ
される。そして電圧制御電流源が電圧制御可能状態とな
る前にプリチャージ動作は終了し、その後、駆動電流制
御が行われる。その他の動作は、実施の形態1と同じな
ので説明を省く。
When the inside of the pixel is brought into the drive current setting control preparation state by the control signals SA and SB, the switch SW1 is turned on by the control signal SD and the voltage comparator AMP1.
Is rapidly precharged to the voltage Vr. Then, the precharge operation is completed before the voltage control current source becomes the voltage controllable state, and thereafter the drive current control is performed. Since other operations are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

【0045】(実施の形態3)本実施形態は、上記の各
実施形態で示した構成を含むアクティブマトリックス型
ディスプレイの全体の構成を示すものである。特にここ
では、実施の形態1の構成を有する場合を想定した説明
をするが、実施の形態2の構成を有する場合も同様にし
て実施できる。
(Embodiment 3) This embodiment shows the overall structure of an active matrix type display including the structures shown in the above embodiments. In particular, here, description will be made assuming the case of having the configuration of the first embodiment, but the case of having the configuration of the second embodiment can be similarly performed.

【0046】図2は本発明のアクティブマトリックス型
ディスプレイの第3の実施形態を示す構成図であり、図
3は本実施形態の構成における制御信号のタイミングチ
ャートである。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a third embodiment of the active matrix type display of the present invention, and FIG. 3 is a timing chart of control signals in the configuration of the present embodiment.

【0047】図2では、M×N個の画素を有するアクテ
ィブマトリックス型ディスプレイの一部を示している。
データ線方向に並ぶ画素(図2中では縦方向に並ぶ画
素)のVw端子は全て接続されており、同様にIm端子
も全て接続され、画素領域外部に設置されたデータ側駆
動回路に接続されている。また、走査線方向に並ぶ画素
(図2中では横方向に並ぶ画素)のSA端子,SB端
子,SC端子は各々全て走査側駆動回路に接続されてい
る。図中には記載していないが、走査側駆動回路とデー
タ側駆動回路は、同期して動作する必要があるので、タ
イミング情報のやり取りを行っている。
FIG. 2 shows a part of an active matrix type display having M × N pixels.
All the Vw terminals of the pixels lined up in the data line direction (pixels lined up in the vertical direction in FIG. 2) are connected, and similarly, all the Im terminals are also connected, and are connected to the data side drive circuit installed outside the pixel region. ing. Further, the SA terminals, SB terminals, and SC terminals of pixels arranged in the scanning line direction (pixels arranged in the horizontal direction in FIG. 2) are all connected to the scanning side drive circuit. Although not shown in the figure, since the scanning side driving circuit and the data side driving circuit need to operate in synchronization, timing information is exchanged.

【0048】本実施形態での動作を説明する。The operation of this embodiment will be described.

【0049】1ライン目を走査開始すると、まず制御信
号SAをLowレベル、制御信号SBをHighレベル
とし、選択された各画素は駆動電流設定制御準備状態に
なり、データ側駆動回路内の基準電流源は画像情報に基
づいた基準電流源の電流値を設定し、制御信号SCがH
ighレベルになると、各画素の電圧制御電流源は電圧
制御可能状態になる。
When the scanning of the first line is started, first, the control signal SA is set to the Low level and the control signal SB is set to the High level, the selected pixels are in the drive current setting control preparation state, and the reference current in the data side drive circuit is set. The source sets the current value of the reference current source based on the image information, and the control signal SC becomes H
At the high level, the voltage-controlled current source of each pixel enters the voltage controllable state.

【0050】制御信号SCがLowレベルになると、駆
動電流設定制御は終了し、その電圧Vwが制御電圧とし
て電圧制御電流源の記憶回路であるコンデンサに保持さ
れた状態となる。続いて、制御信号SAがHighレベ
ル、制御信号SBがLowレベルになると、コンデンサ
に保持された制御電圧に基づいて決定される駆動電流が
発光素子に供給され、発光素子は次の走査時間まで発光
し続けると同時に、2ライン目の走査が開始される。2
ライン目の動作は1ライン目と同様なので説明を省く。
When the control signal SC goes low, the drive current setting control ends, and the voltage Vw is held as a control voltage in the capacitor which is the memory circuit of the voltage controlled current source. Then, when the control signal SA becomes High level and the control signal SB becomes Low level, the drive current determined based on the control voltage held in the capacitor is supplied to the light emitting element, and the light emitting element emits light until the next scanning time. At the same time, the scanning of the second line is started. Two
The operation of the first line is the same as that of the first line, so the description is omitted.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明を使用した場
合、各画素内に設置された駆動電流源を構成するトラン
ジスタのしきい値電圧のばらつきに影響されず安定且つ
正確に駆動電流を発光素子に供給できる。また、アーリ
ー効果の影響を受けずに安定かつ高精度に駆動電流を発
光素子に供給できる為、高精細な画像表示が可能であ
る。さらには、画素内部に発光素子の端子間電圧をリセ
ット電位によりリセットする機能を有することで、発光
素子の寿命を改善できる。
As described above, when the present invention is used, the driving current can be stably and accurately obtained without being affected by the variation in the threshold voltage of the transistor constituting the driving current source installed in each pixel. It can be supplied to the light emitting device. In addition, since a drive current can be stably and accurately supplied to the light emitting element without being affected by the Early effect, high-definition image display is possible. Furthermore, since the voltage between the terminals of the light emitting element is reset by the reset potential inside the pixel, the life of the light emitting element can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のアクティブマトリックス型ディスプレ
イの第1の実施形態を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an active matrix type display of the present invention.

【図2】本発明のアクティブマトリックス型ディスプレ
イの第3の実施形態を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a third embodiment of an active matrix type display of the present invention.

【図3】第3の実施形態の構成における制御信号のタイ
ミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart of control signals in the configuration of the third embodiment.

【図4】本発明のアクティブマトリックス型ディスプレ
イの第2の実施形態を示す構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a second embodiment of an active matrix type display of the present invention.

【図5】従来例1のアクティブマトリックス型ディスプ
レイを示す構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing an active matrix display of Conventional Example 1.

【図6】従来例2のアクティブマトリックス型ディスプ
レイを示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing an active matrix display of Conventional Example 2.

【図7】従来例3のアクティブマトリックス型ディスプ
レイを示す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram showing an active matrix display of Conventional Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

OLED 有機EL素子 TFT1〜TFT4,T1〜T5 薄膜トランジスタ C コンデンサ R,R1,R2 抵抗 Iw,Id 基準電流源 Vr,Vd 基準電圧源 AMP1 電圧比較器 OLED Organic EL element TFT1 to TFT4, T1 to T5 thin film transistor C capacitor R, R1, R2 resistance Iw, Id Reference current source Vr, Vd Reference voltage source AMP1 voltage comparator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641D H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB02 AB11 AB17 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD29 EE28 FF11 JJ03 5C094 AA07 AA31 AA55 BA03 BA27 CA19 CA25 DA09 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GA10─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641D H05B 33/14 H05B 33/14 AF term (reference) 3K007 AB02 AB11 AB17 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD29 EE28 FF11 JJ03 5C094 AA07 AA31 AA55 BA03 BA27 CA19 CA25 DA09 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GA10

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子を少なくとも含む画素回路を備
えた画素をマトリックス状に複数配置し、前記画素回路
の制御を行うための走査側駆動回路とデータ側駆動回路
とを少なくとも有するアクティブマトリックス型ディス
プレイであって、 前記発光素子は、該発光素子に流れる電流に応じて輝度
が変化する電流制御型の発光素子であり、 前記画素回路は、前記発光素子と、電圧制御電流源と、
第1のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路とを少なく
とも含み、 前記電圧制御電流源は、制御電圧により制御される能動
素子と該制御電圧を記憶できる記憶回路とを少なくとも
含み、前記制御電圧に基づいて駆動電流を発生させる機
能を有し、 前記第1のスイッチ回路は、前記電圧制御電流源を電圧
制御可能状態と制御電 圧保持状態とに切り換える機能を有し、前記第2のスイ
ッチ回路は、前記駆動電流を流す経路を、前記発光素子
に流す経路と前記データ側駆動回路に流す経路とに切り
換える機能を有し、 前記走査側駆動回路は、少なくとも、前記第1のスイッ
チ回路と前記第2のスイッチ回路とに接続され、前記電
圧制御電流源を電圧制御可能状態或いは制御電圧保持状
態とする制御と、前記駆動電流を流す経路を前記発光素
子に流す経路或いは前記データ側駆動回路に流す経路に
する制御とを行う機能を有し、 前記データ側駆動回路は、少なくとも、前記第1のスイ
ッチ回路を介して前記電圧制御電流源と接続され、且つ
前記第2のスイッチ回路と接続され、前記電圧制御電流
源が電圧制御可能状態にあり且つ前記駆動電流を流す経
路がデータ側駆動回路に流す経路であるときに、前記駆
動電流の電流値が所望の輝度情報に対応した電流値にな
るように、前記電圧制御電流源の制御電圧を制御するこ
とを特徴とするアクティブマトリックス型ディスプレ
イ。
1. An active matrix display in which a plurality of pixels each having a pixel circuit including at least a light-emitting element are arranged in a matrix and at least a scanning side driving circuit and a data side driving circuit for controlling the pixel circuit are provided. Wherein the light emitting element is a current control type light emitting element whose brightness changes according to a current flowing through the light emitting element, and the pixel circuit includes the light emitting element, a voltage controlled current source,
The voltage control current source includes at least a first switch circuit and a second switch circuit, and the voltage controlled current source includes at least an active element controlled by a control voltage and a memory circuit capable of storing the control voltage. The second switch circuit has a function of generating a drive current based on the second switch circuit, and the first switch circuit has a function of switching the voltage controlled current source between a voltage controllable state and a control voltage holding state. A function of switching the path through which the drive current flows into a path through which the light emitting element flows and a path through which the data side drive circuit flows, and the scanning side drive circuit includes at least the first switch circuit and the first switch circuit. 2 is connected to the switch circuit to control the voltage controlled current source to be in the voltage controllable state or the control voltage holding state, and to flow the drive current to the light emitting element. A path or a control for setting a path to flow to the data side drive circuit, the data side drive circuit is connected to the voltage controlled current source through at least the first switch circuit, and When the voltage control current source is connected to the second switch circuit, the voltage control current source is in the voltage controllable state, and the path through which the drive current flows is the path through which the data side drive circuit flows, the current value of the drive current is desired. An active matrix type display characterized in that the control voltage of the voltage controlled current source is controlled so that the current value corresponds to the brightness information.
【請求項2】 前記データ側駆動回路は、輝度情報を持
つ基準電流源と、該基準電流源の出力端の電圧と基準電
圧とを入力として前記制御電圧を設定する電圧を出力す
る電圧比較器を含み、 前記基準電流源の出力端は前記第2のスイッチ回路とも
接続され、 前記電圧制御電流源が電圧制御可能状態にあり且つ前記
駆動電流を流す経路がデータ側駆動回路に流す経路であ
るときに、前記輝度情報を持つ基準電流源の出力端に前
記駆動電流を入力し、前記駆動電流の電流値と前記輝度
情報を持つ基準電流源の出力電流値とが等しくなるよう
に、前記電圧比較器によって前記電圧制御電流源の制御
電圧を制御する機能を有することを特徴とする請求項1
に記載のアクティブマトリックス型ディスプレイ。
2. The data side drive circuit receives a reference current source having luminance information, and a voltage comparator which outputs a voltage for setting the control voltage with the voltage at the output end of the reference current source and the reference voltage as inputs. An output end of the reference current source is also connected to the second switch circuit, the voltage control current source is in a voltage controllable state, and the path through which the drive current flows is a path through which the data side drive circuit flows. Sometimes, the drive current is input to the output terminal of the reference current source having the brightness information, and the voltage is adjusted so that the current value of the drive current becomes equal to the output current value of the reference current source having the brightness information. 2. The comparator has a function of controlling the control voltage of the voltage controlled current source.
Active matrix type display described in.
【請求項3】 前記電圧比較器に入力される基準電圧
を、前記発光素子の動作時の端子間の電圧近傍に設定す
ることを特徴とする請求項2に記載のアクティブマトリ
ックス型ディスプレイ。
3. The active matrix type display according to claim 2, wherein the reference voltage input to the voltage comparator is set near a voltage between terminals when the light emitting element is operating.
【請求項4】 前記データ側駆動回路は、さらにプリチ
ャージ回路を含み、該プリチャージ回路は、少なくと
も、前記電圧比較器の2つの入力のうち前記基準電流源
の出力端が接続された入力の側に接続され、 前記基準電流源の出力端と前記電圧比較器とが接続され
た点の電圧を、所定の準備電圧までプリチャージする機
能を有することを特徴とする請求項2又は3に記載のア
クティブマトリックス型ディスプレイ。
4. The data side drive circuit further includes a precharge circuit, and the precharge circuit has at least one of the two inputs of the voltage comparator to which the output end of the reference current source is connected. It has the function to precharge the voltage of the point connected to the side and connecting the output terminal of the reference current source and the voltage comparator to a predetermined preparation voltage. Active matrix display.
【請求項5】 前記データ側駆動回路は、前記電圧制御
電流源が制御電圧保持状態にあるときに前記プリチャー
ジ動作を行う制御が可能であることを特徴とする請求項
4に記載のアクティブマトリックス型ディスプレイ。
5. The active matrix according to claim 4, wherein the data side driving circuit is capable of performing the precharge operation when the voltage controlled current source is in a control voltage holding state. Type display.
【請求項6】 前記データ側駆動回路は、前記電圧制御
電流源が電圧制御可能状態となる直前に前記プリチャー
ジ動作を行う制御が可能であることを特徴とする請求項
5に記載のアクティブマトリックス型ディスプレイ。
6. The active matrix according to claim 5, wherein the data side driving circuit is capable of performing the precharge operation immediately before the voltage controlled current source enters a voltage controllable state. Type display.
【請求項7】 前記所定の準備電圧を、前記基準電圧と
同じ電圧値にすることを特徴とする請求項4から6のう
ちのいずれか一項に記載のアクティブマトリックス型デ
ィスプレイ。
7. The active matrix type display according to claim 4, wherein the predetermined preparation voltage has the same voltage value as the reference voltage.
【請求項8】 前記記憶回路はコンデンサで構成されて
おり、前記能動素子、前記第1のスイッチ回路、前記第
2のスイッチ回路は、絶縁ゲート型電界効果トランジス
タで構成されており、前記第2のスイッチ回路は差動ス
イッチであることを特徴とする請求項1から7のうちの
いずれか一項に記載のアクティブマトリックス型ディス
プレイ。
8. The storage circuit is composed of a capacitor, and the active element, the first switch circuit, and the second switch circuit are composed of insulated gate field effect transistors, and the second The active matrix type display according to any one of claims 1 to 7, wherein the switch circuit is a differential switch.
【請求項9】 前記画素回路は、さらにリセット回路を
含み、 該リセット回路は、少なくとも、前記発光素子と接続さ
れ、前記発光素子の端子間電圧を所定の値以下にリセッ
トする機能を有することを特徴とする請求項1から8の
うちのいずれか一項に記載のアクティブマトリックス型
ディスプレイ。
9. The pixel circuit further includes a reset circuit, the reset circuit being at least connected to the light emitting element and having a function of resetting a terminal voltage of the light emitting element to a predetermined value or less. 9. An active matrix display according to any one of claims 1-8.
【請求項10】 前記リセット回路は、前記第1のスイ
ッチ回路と共通の配線により前記走査側駆動回路に接続
され、前記電圧制御電流源が電圧制御可能状態にあると
きに同時に前記リセット動作が可能であることを特徴と
する請求項9に記載のアクティブマトリックス型ディス
プレイ。
10. The reset circuit is connected to the scanning side drive circuit by a wiring common to the first switch circuit, and the reset operation is possible at the same time when the voltage controlled current source is in a voltage controllable state. The active matrix type display according to claim 9, wherein:
【請求項11】 前記記憶回路はコンデンサで構成され
ており、前記能動素子、前記第1のスイッチ回路、前記
第2のスイッチ回路、前記リセット回路は、絶縁ゲート
型電界効果トランジスタで構成されており、前記第2の
スイッチ回路は差動スイッチであることを特徴とする請
求項9又は10に記載のアクティブマトリックス型ディ
スプレイ。
11. The storage circuit is composed of a capacitor, and the active element, the first switch circuit, the second switch circuit, and the reset circuit are composed of insulated gate field effect transistors. The active matrix display according to claim 9, wherein the second switch circuit is a differential switch.
【請求項12】 請求項11に記載のアクティブマトリ
ックス型ディスプレイにおいて、 前記電圧制御電流源は、第1のトランジスタとコンデン
サとからなり、該第1のトランジスタのゲートが該コン
デンサの一端と前記第1のスイッチ回路とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースと前記コンデンサの他
端とが電源電位に接続され、前記第1のトランジスタの
ドレインが出力となり、該ドレインが前記第2のスイッ
チ回路に接続された構成であり、 前記第1のスイッチ回路は、第2のトランジスタからな
り、該第2のトランジスタのドレインが前記電圧制御電
流源に接続され、前記第2のトランジスタのソースが前
記データ側駆動回路に接続され、前記第2のトランジス
タのゲートに前記走査側駆動回路が接続された構成であ
り、 前記第2のスイッチ回路は、第3、第4のトランジスタ
からなり、該第3、第4のトランジスタのソースが共に
前記電圧制御電流源に接続された差動スイッチ回路を構
成しており、前記第3のトランジスタのドレインが前記
データ側駆動回路に接続され、前記第4のトランジスタ
のドレインが前記発光素子と前記リセット回路とに接続
され、 前記リセット回路は、第5のトランジスタからなり、該
第5のトランジスタのドレインが前記前記第2のスイッ
チ回路と前記発光素子とに接続され、前記第5のトラン
ジスタのソースはリセット電位に接続され、前記第5の
トランジスタのゲートが前記第1のスイッチ回路と共通
の配線により前記走査側駆動回路に接続された構成であ
ることを特徴とするアクティブマトリックス型ディスプ
レイ。
12. The active matrix type display according to claim 11, wherein the voltage-controlled current source comprises a first transistor and a capacitor, and a gate of the first transistor is connected to one end of the capacitor and the first transistor. Connected to the switch circuit of
The source of the first transistor and the other end of the capacitor are connected to a power supply potential, the drain of the first transistor serves as an output, and the drain is connected to the second switch circuit, The first switch circuit includes a second transistor, the drain of the second transistor is connected to the voltage controlled current source, the source of the second transistor is connected to the data side drive circuit, and The scanning-side drive circuit is connected to the gate of a second transistor, the second switch circuit includes third and fourth transistors, and the sources of the third and fourth transistors are both the above-mentioned. A differential switch circuit connected to a voltage controlled current source, wherein the drain of the third transistor is connected to the data side drive circuit, A drain of a fourth transistor is connected to the light emitting element and the reset circuit, the reset circuit includes a fifth transistor, and a drain of the fifth transistor has the second switch circuit and the light emitting element. The source of the fifth transistor is connected to the reset potential, and the gate of the fifth transistor is connected to the scanning side drive circuit through a wiring common to the first switch circuit. An active matrix type display characterized in that.
【請求項13】 前記絶縁ゲート型電界効果トランジス
タは、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項
8、11、12のうちのいずれか一項に記載のアクティ
ブマトリックス型ディスプレイ。
13. The active matrix type display according to claim 8, wherein the insulated gate field effect transistor is a thin film transistor.
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