JP2005330532A - 大気開放型化学気相析出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 成膜室に、加熱板1によって保持される基板2と、気化させた成膜材料とキャリアーガスとから成る材料ガスを前記基板2に吹き付ける噴霧手段3とを夫々対向状態に設け、大気開放下で前記加熱板1によって加熱される前記基板2に、前記噴霧手段3から前記材料ガスを吹き付けることで酸化物膜を成膜する大気開放型化学気相析出装置において、前記加熱板1を、金属酸化物,金属窒化物若しくは金属炭化物で形成して、この加熱板1の熱膨張率を、前記基板2を前記加熱板1により加熱して成膜を行う際、前記基板2に成膜される酸化物膜の劣化を阻止し得る熱膨張率としたものである。
【選択図】 図3
Description
2 基板
3 噴霧手段
Claims (3)
- 成膜室に、加熱板によって保持される基板と、気化させた成膜材料とキャリアーガスとから成る材料ガスを前記基板に吹き付ける噴霧手段とを夫々対向状態に設け、大気開放下で前記加熱板によって加熱される前記基板に、前記噴霧手段から前記材料ガスを吹き付けることで酸化物膜を成膜する大気開放型化学気相析出装置において、前記加熱板を、金属酸化物,金属窒化物若しくは金属炭化物で形成して、この加熱板の熱膨張率を、前記基板を前記加熱板により加熱して成膜を行う際、前記基板に成膜される酸化物膜の劣化を阻止し得る熱膨張率としたことを特徴とする大気開放型化学気相析出装置。
- 前記加熱板の熱膨張率は、前記基板に成膜される酸化物膜の熱膨張率に近く、この基板を加熱板により加熱して成膜を行う際、この加熱板と、この加熱板に付着した前記酸化物膜とが略均等に膨張する熱膨張率に設定したことを特徴とする請求項1記載の大気開放型化学気相析出装置。
- 前記加熱板は、少なくとも酸化アルミニウム,窒化アルミニウム,酸化珪素,窒化珪素,炭化珪素若しくは窒化ホウ素のいずれかの材質で形成したことを特徴とする請求項1,2のいずれか1項に記載の大気開放型化学気相析出装置。
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JP2010171343A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置 |
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