JP2005327745A5 - - Google Patents

Claims (24)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられた第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられ、前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、
   前記第１の基板の一方の面と対向して設けられた第２の基板と、
   前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。
2. 第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられた第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられ、前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、
   前記第１の基板の一方の面と対向して設けられた第２の基板と、
   前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜を含む半導体膜を有することを特徴とする発光装置。
3. 第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられた第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられ、前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、
   前記第１の基板の一方の面と対向して設けられた第２の基板と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の基板は樹脂を介して前記第１の基板と貼り合わせられていることを特徴とする発光装置。
4. 第１の基板と、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられた第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の基板の一方の面上に設けられ、前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、
   前記第１の基板の一方の面と対向して設けられた第２の基板と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜を含む半導体膜を有し、
   前記第２の基板は樹脂を介して前記第１の基板と貼り合わせられていることを特徴とする発光装置。
5. 複数の画素を有し、
   前記複数の画素は各々、第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
   前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。
6. 複数の画素を有し、
   前記複数の画素は各々、第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
   前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、を有し、
   前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜を含む半導体膜を有することを特徴とする発光装置。
7. 複数の画素を有する画素部と、前記画素部を駆動する外付けの駆動回路部と、を有し、
   前記画素部の有する前記複数の画素は各々、第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、を有し、
   前記画素部の有する前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記発光素子は、陽極と、前記陽極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた陰極とを含み、前記陽極の端部を覆うように絶縁膜が設けられており、
   前記駆動回路部はＩＣチップを有することを特徴とする発光装置。
8. 複数の画素を有する画素部と、前記画素部を駆動する外付けの駆動回路部と、を有し、
   前記画素部の有する前記複数の画素は各々、第１の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
   前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に設けられ、前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子上に設けられた第２の電極と、を有し、
   前記画素部の有する前記第１の薄膜トランジスタは信号を画素に取り込むための薄膜トランジスタであり、
   前記第２の薄膜トランジスタは発光素子に流れる電流を制御するための薄膜トランジスタであり、
   前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜を含む半導体膜を有しており、
   前記発光素子は、陽極と、前記陽極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた陰極とを含み、前記陽極の端部を覆うように絶縁膜が設けられており、
   前記駆動回路部はＩＣチップを有することを特徴とする発光装置。
9. 請求項７または請求項８において、
   前記陰極は金属膜を含むことを特徴とする発光装置。
10. 請求項９において、
    前記金属膜の仕事関数は−３．５ｅＶ乃至−３．８ｅＶであることを特徴とする発光装置。
11. 請求項９において、
    前記金属膜は、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む金属膜であることを特徴とする発光装置。
12. 請求項７または請求項８において、
    前記発光層は有機ＥＬ膜を含むことを特徴とする発光装置。
13. 請求項７または請求項８において、
    前記発光層は無機ＥＬ膜を含むことを特徴とする発光装置。
14. 請求項７または請求項８において、
    前記発光層は低分子系有機ＥＬ材料または高分子系有機ＥＬ材料を含むことを特徴とする発光装置。
15. 請求項７または請求項８において、
    前記陽極は透明導電膜を含むことを特徴とする発光装置。
16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
    前記第２の電極は透明導電膜を含むことを特徴とする発光装置。
17. 請求項１５または請求項１６において、
    前記透明導電膜は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物膜または酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物膜であることを特徴とする発光装置。
18. 請求項１７において、
    前記透明導電膜の膜厚は１０ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
19. 請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、
    前記第１の薄膜トランジスタは、直列に接続された２つのチャネル形成領域を有し、
    前記第２の薄膜トランジスタは、１つのチャネル形成領域を有することを特徴とする発光装置。
20. 請求項１乃至請求項１９のいずれか一において、
    前記第１の電極は金属膜を含むことを特徴とする発光装置。
21. 請求項２０において、
    前記金属膜は、アルミニウム膜、アルミニウム合金膜、添加物を含むアルミニウム膜または銀薄膜であることを特徴とする発光装置。
22. 請求項１乃至請求項２１のいずれか一に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とするＴＶ放送受信用ディスプレイ。
23. 請求項１乃至請求項２１のいずれか一に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする対角２０インチ乃至対角６０インチのＴＶ放送受信用ディスプレイ。
24. 請求項１乃至請求項２１のいずれか一に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音楽再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末または画像再生装置。