JP2005314398A - 重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド、その誘導体及びこれらの製造法 - Google Patents

重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド、その誘導体及びこれらの製造法 Download PDF

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Abstract

【課題】重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体及びこれらを効率よく製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 一般式［２］
Figure 2005314398

（式中、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基等を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド化合物及びその製造法、上記一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドのアミノ基を保護処理することを特徴とする、一般式［３］
Figure 2005314398

（式中、Ｒは、アミノ保護基を表し、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法、及び上記一般式［３］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体。
【選択図】なし

Description

本発明は、例えば重窒素（１５Ｎ）化第一級アミン、重窒素（１５Ｎ）化第二級アミン等の重窒素（１５Ｎ）含有化合物の合成試薬として有用な新規な重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド、その誘導体及びこれらの製造法に関するものである。
2-ニトロベンゼンスルホンアミドは、種々の天然物合成の手段として第一級アミン及び第二級アミン化合物の合成試薬として用いられている（例えば非特許文献１参照。）。
2-ニトロベンゼンスルホンアミド（ＮｓＮＨ２）の合成法としては、通常、例えば2-ニトロベンゼンスルホニルクロライド（ＮｓＣｌ）とアンモニアガスを用いる方法（例えば非特許文献２参照。）、ＮｓＣｌとアンモニア水を用いる方法（例えば非特許文献３参照。）、ＮｓＣｌと液体アンモニアを用いる方法（例えば非特許文献４参照。）等が報告されている。
一方、環境分析分野では、環境ホルモン分析に目的とする環境ホルモン（測定対象物質）と化学的性質が同じで質量数が異なる標識化合物（対応する安定同位体）、即ちサロゲート（疑似物質）を標準物質として使用し、得られたサロゲートの回収率と同じだけ、目的とする環境ホルモンが回収されたとする分析方法が主流となっている。即ち、環境ホルモン分析では、環境ホルモンの測定濃度レベルが極微量であるため、抽出や濃縮などの前処理操作中に回収される目的の環境ホルモンの量を正確に把握しなければ大きく値が変化してしまう恐れがあるので、目的とする環境ホルモン（測定対象物質）に対応する、既知量のサロゲートを標準物質として試料中に添加し、前処理操作を行った後、得られたサロゲートをガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）で測定するのである。このサロゲートとして、通常１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるものが使用されている。
また、薬物代謝等の研究に於いても、その薬物の代謝動態追跡に液体クロマトグラフ質量分析計（ＬＣ／ＭＳ） ＮＭＲが用いられ、この際の標識化合物としても例えば測定対象化合物に対応する１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートが使用されている。
しかしながら、１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートは、対応する測定対象化合物中のＣ原子及びＨ原子の含有率が高いため、特定位置のＣ原子又はＨ原子だけを夫々１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体としたものを合成するのが困難である等の問題点を有している。そのため、化合物中の含有率がＣ及びＨ原子より比較的少ないＮ原子を１５Ｎ安定同位体としたサロゲートの開発が望まれており、その合成試薬の一つとして重窒素（１５Ｎ）化ニトロベンゼンスルホンアミドが注目されている。
一方、重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドの合成法としては、安定同位体同士の化学的性質がほぼ同じであるため、上記の如き従来法に於いて出発物質であるアンモニアガス、アンモニア水及び液体アンモニアの代わりに、重窒素化アンモニアガス、重窒素化アンモニア水及び重窒素化液体アンモニアを夫々用いることにより容易に製造し得るとされている。
しかし、重窒素化アンモニアガス、重窒素化アンモニア水及び重窒素化液体アンモニアが高価であることから、上記した如き従来法に準じて重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドを製造するにはコストがかかるという問題点を有していた。
このような状況下、１３Ｃ安定同位体及びＤ安定同位体に代わって１５Ｎ安定同位体を標識として有するサロゲート化合物の開発、また当該サロゲート化合物を効率よく合成するための原料の開発が望まれている現状にある。
T. Fukuyama, M. Cheung and T, Kan, Synlett, No.8, p.1301-1303(1999) F. M. Beringer and R. A. Falk, J. Am. Chem. Soc., Vol.81, p.2997-3000(1959) J. J. Krutak, R. D. Burpitt, W. H. Moore and J. A. HyattJ. Org. Chem., 44, p.3847-3858(1979) R. L. Hinman and L. Locatell. Jr., J. Am. Chem. Soc., 81, p.5655-5658(1959)
本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド、その誘導体、重窒素化アミンの合成中間体である重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体及びこれらを効率よく製造する方法を提供することを課題とする。
本発明は、上記課題を解決する目的でなされたものであり、
（１）一般式［２］
Figure 2005314398
（式中、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜５のアシル基又は炭素数２〜５のアシルオキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド化合物、
（２）一般式［１］
Figure 2005314398
（式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）で示されるニトロベンゼンスルホニルハライドと重窒素化ハロゲン化アンモニウムを反応させることを特徴とする、上記一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドの製造法、
（３）上記一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドのアミノ基を保護処理することを特徴とする、一般式［３］
Figure 2005314398
（式中、Ｒは、アミノ保護基を表し、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法、及び
（４）上記一般式［３］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体、の発明である。
本発明に係る重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド及びその誘導体は、これらを用いて目的とする重窒素含有化合物を合成することにより、例えば環境分析分野及び薬物代謝等の研究に於いて、測定対象化合物に対応する１５Ｎ安定同位体からなるサロゲートとして使用し得る。これらサロゲートは測定対象化合物と化学的性質はほぼ同一であるが、例えばマススペクトル等における夫々の化合物のピーク値は重窒素化された分だけ大きな値（重窒素１つに対して＋１）を示すため、通常使用される１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートの代用として使用し得る。
また、通常使用される１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートを合成するには、測定対象化合物中の含有率の高いＣ原子及びＨ原子のうちの特定位置にあるＣ原子又はＨ原子を夫々１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体としたサロゲートを合成しなければならないため合成が困難であるという問題点を有していたが、測定対象化合物中のＮ原子含有率はＣ原子及びＨ原子に比べて低いため、本願に係る重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド及びその誘導体から特定部位のＮ原子を標識（重窒素）化したサロゲートを容易に製造し得る。
一般式［１］〜［３］に於いて、Ｒ１で示されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも塩素原子が好ましい。
Ｒ１で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜４、好ましくは１〜２のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基等が挙げられる。
Ｒ１で示される炭素数２〜４のアルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、具体的には、例えばビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-メチルアリル基、2-メチルアリル基、1-メチル-1-プロペニル基、2-メチル-1-プロペニル基、1-エチルビニル基、1-シクロプロペニル基、2-シクロプロペニル基、1-メチル-2-シクロプロペニル基、2-メチル-2-シクロプロペニル基、1-シクロブテニル基、2-シクロブテニル基等が挙げられる。
Ｒ１で示される炭素数１〜４のアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜４、好ましくは１〜２のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒ１で示されるアリール基としては、通常炭素数６〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
Ｒ１で示される炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数２〜５、好ましくは２〜３のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、シクロプロポキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｒ１で示される炭素数２〜５のアシル基としては、通常炭素数２〜５、好ましくは２〜３のカルボン酸由来のものが挙げられ、具体的には、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基等の脂肪族飽和カルボン酸由来のもの、例えばアクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基、ペンテノイル基等の脂肪族不飽和カルボン酸由来のもの等が挙げられる。
Ｒ１で示される炭素数２〜５のアシルオキシ基としては、例えば通常炭素数２〜５、好ましくは２〜３のカルボン酸由来のものが挙げられ、具体的には、例えばアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基等の脂肪族飽和カルボン酸由来のもの、例えばアクリロイルオキシ基、プロピオロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、クロトノイルオキシ基、イソクロトノイルオキシ基、ペンテノイルオキシ基等の脂肪族不飽和カルボン酸由来のもの等が挙げられる。
ｍは、通常０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０である。
ｎ＝１の場合、１つのニトロ基は芳香環のo-位又はp-位に置換されているものが好ましい。
ｎ＝２の場合、２つのニトロ基は、芳香環の2,3-位、2,4-位、2,5-位、2,6-位、3,5-位等に置換されているものが好ましく、中でも2,4-位に置換されているものがより好ましい。
一般式［１］に於いて、Ｘで示されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、中でも塩素原子、臭素原子等が好ましい。
一般式［３］に於いて、Ｒで示されるアミノ保護基としては、アミノ基の保護基として通常使用されるものが全て挙げられ、例えばアミノ基の光延反応等のアルキル化反応、脱ニトロベンゼンスルホニル化反応等を行う際に脱離（脱保護）されず、且つ常法の脱保護処理により容易に除去できるものが挙げられ、具体的には、例えば“T. W. Greene and P. G. M. Wuts, Protective Groups in Organic Synthesis, second edition, chapter 7, John Wiley & Sons, NY(1991)”等に記載されているものが全て挙げられ、更に具体的には、例えば一般式［１４］
Figure 2005314398
（式中、Ｒ４は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基若しくは複素環式炭化水素基、複素環基、アダマンチル基又はイソボルニル基を表す。）で示される基又は一般式［１５］
Figure 2005314398
〔式中、Ｒ５はアラルキル基又は一般式［１６］
Figure 2005314398
（式中、Ｒ６はアルキル基又はアリール基を表す。）で示される基を表す。〕で示される基等が挙げられる。
一般式［１４］に於いて、Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜１０、好ましくは１〜７のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、ネオヘプチル基、1-イソプロピル-2-メチルプロピル基、n-オクチル基、イソオクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、ネオオクチル基、n-ノニル基、イソノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、ネオノニル基、n-デシル基、イソデシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、ネオデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、1-メチルシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
一般式［１６］に於いて、Ｒ６で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基中の炭素数１〜６の例示と同様のものが挙げられる。
一般式［１４］及び［１６］に於いて、Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基及びＲ６で示されるアリール基としては、通常炭素数６〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
一般式［１４］及び［１５］に於いて、Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基及びＲ５で示されるアラルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数７〜１５のものが挙げられ、具体的には、例えばベンジル基、1-メチル-1-フェニルエチル基、フェネチル基、1-ベンジル-1-メチルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、1-メチル-3-フェニルプロピル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、ジフェニルメチル基、フェニルオクチル基、フルオレニルメチル基、フェニルノニル基、アントリルメチル基等が挙げられる。
一般式［１４］に於いて、Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルケニル基のアルケニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数２〜６、好ましくは２〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１］〜［３］に於けるＲ１で示される炭素数２〜４のアルケニル基の例示と同様のもの、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-3-ブテニル基、1-エチル-1-プロペニル基、2-エチル-1-プロペニル基、1,2-ジメチル-1-プロペニル基、2-エチル-2-プロペニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、1-メチル-1-ペンテニル基、2-メチル-1-ペンテニル基、4-メチル-1-ペンテニル基、2-メチル-2-ペンテニル基、3-メチル-2-ペンテニル基、4-メチル-2-ペンテニル基、3-メチル-3-ペンテニル基、4-メチル-3-ペンテニル基、4-メチル-4-ペンテニル基、1-エチル-1-ブテニル基、2-エチル-1-ブテニル基、1,2-ジメチル-1-ブテニル基、2-エチル-2-ブテニル基、3-エチル-2-ブテニル基、2,3-ジメチル-2-ブテニル基、3-エチル-3-ブテニル基、1-プロピル-1-プロペニル基、2-プロピル-1-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-1-プロペニル基、2-エチル-1-メチル-1-プロペニル基、2-プロピル-2-プロペニル基、2-シクロペンテン-1-イル基、3-シクロペンテン-1-イル基、2,4-シクロペンタジエン-1-イル基、2-シクロヘキセン-1-イル基、3-シクロヘキセン-1-イル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルキニル基のアルキニル基としては、直鎖状又は分枝状でもよく、通常炭素数２〜６、好ましくは２〜４のものが挙げられ、具体的には、例えばエチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、1-メチル-2-プロピニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、3-メチル-1-ブチニル基、1-メチル-2-ブチニル基、1-メチル-3-ブチニル基、2-メチル-3-ブチニル基、1-エチル-2-プロピニル基、1-ヘキシニル基、2-ヘキシニル基、3-ヘキシニル基、4-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、4-メチル-1-ペンチニル基、3-メチル-1-ペンチニル基、4-メチル-2-ペンチニル基、3,3-ジメチル-1-ブチニル基、1,1-ジメチル-2-ブチニル基、1,1-ジメチル-3-ブチニル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、酸素原子等のヘテロ原子を１つ以上、好ましくは１〜３個有するものが挙げられ、単環でも多環でもよく、具体的には、例えば8-キノリル基、N-ヒドロキシピペリジニル基、10,10-ジオキソ-10,10,10,10-テトラヒドロチオキサンチル基、2-フラニル基、2-ピリジル基、4-ピリジル基、1,3-ジチアニル基、ベンズイソキサゾリル基、クロモニル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよい複素環式炭化水素基の複素環式炭化水素基としては、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜３の直鎖状又は分枝状アルキル基の水素原子の一部が上記一般式［１４］に於けるＲ４で示される複素環基で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば9-(10,10-ジオキソ-10,10,10,10-テトラヒドロチオキサンチル)メチル基、1-(2'-ピリジル)エチル基、1-(4'-ピリジル)エチル基、[2-(1,3-ジチアニル)]メチル基、5-ベンズイソキサゾリルメチル基、6-クロモニルメチル基、ジ(2-ピリジル)メチル基、2-フラニルメチル基、イソニコチニル基、1-メチル-1(4-ピリジル)エチル基等が挙げられる。
一般式［１４］に於いて、Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルキルチオ基、トリアルキルシリル基、アシル基、N,N-ジアルキルカルボキシアミド基、−ＳＯＯＲ７（式中、Ｒ７はアルキル基又はアリール基を表す。）基、アダマンチル基、シアノ基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアリール基の置換基としては、例えばアルキル基、アルキルチオ基、アルコキシ基、ニトロ基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアラルキル基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、N,N-ジアルキルカルボキシアミド基、アルキルスルフィニル基、−ＯＣＯＲ8（式中、Ｒ8はアルキル基又はアリール基を表す。）基、一般式［１７］
Figure 2005314398
（式中、Ｒ１０は水素原子又はアルコキシ基を表す。）で示される基、シアノ基、ニトロ基、ジヒドロキシボリル基、スルホ基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルケニル基の置換基としては、例えばアルキル基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルキニル基の置換基としては、例えばアルキル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される置換基を有していてもよい複素環式炭化水素基の置換基としては、例えばアルキル基、ハロアルキル基等が挙げられる。
Ｒ４で示される、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基もしくは複素環式炭化水素基の置換基（以下、これら置換基と略記。）として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
これら置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基中の炭素数１〜６の例示と同様のものが挙げられる。
これら置換基として挙げられるアルキニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数２〜６、好ましくは２〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキニル基のアルキニル基の例示と同様のものが挙げられる。
置換基として挙げられるアルキルチオ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、メルカプト基の水素原子が通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のアルキル基で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n-ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、sec-ペンチルチオ基、tert-ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、1-エチルプロピルチオ基、n-ヘキシルチオ基、イソヘキシルチオ基、sec-ヘキシルチオ基、tert-ヘキシルチオ基、ネオヘキシルチオ基、2-メチルペンチルチオ基、3-メチルペンチルチオ基、1,2-ジメチルブチルチオ基、2,2-ジメチルブチルチオ基、1-エチルブチルチオ基、2-エチルブチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロブチルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるトリアルキルシリル基としては、シリル基の３つの水素原子が炭素数１〜６、好ましくは１〜４のアルキル基で置換されたものが挙げられ、当該アルキル基は、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、具体的には、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ-n-プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ-n-ブチルシリル基、トリイソブチルシリル基、トリ-sec-ブチルシリル基、トリ-tert-ブチルシリル基、トリネオブチルシリル基、トリ-n-ペンチルシリル基、トリイソペンチルシリル基、トリ-sec-ペンチルシリル基、トリ-tert-ペンチルシリル基、トリネオペンチルシリル基、トリ-n-ヘキシルシリル基、トリイソヘキシルシリル基、トリ-sec-ヘキシルシリル基、トリ-tert-ヘキシルシリル基、トリネオヘキシルシリル基、トリシクロプロピルシリル基、トリシクロブチルシリル基、トリシクロペンチルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアシル基としては、通常炭素数２〜１１、好ましくは２〜７のカルボン酸由来のものが挙げられ、具体的には、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基等の脂肪族飽和カルボン酸由来のもの、例えばアクリロイル基、プロピオイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基等の脂肪族不飽和カルボン酸由来のもの、例えばベンゾイル基、ナフトイル基等の芳香族カルボン酸由来のもの等が挙げられる。
当該アシル基は更に置換基を有していてもよく、これらの置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるN,N-ジアルキルカルボキシアミド基としては、カルバモイル基の２つの水素原子が上記一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基中の炭素数１〜６のアルキル基で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばN,N-ジメチルカルボキシアミド基、N,N-ジエチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-n-プロピルカルボキシアミド基、N,N-ジイソプロピルカルボキシアミド基、N,N-ジ-n-ブチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-イソブチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-sec-ブチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-tert-ブチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-ネオブチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-n-ペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-イソペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-sec-ペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-tert-ペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-ネオペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジ-n-ヘキシルカルボキシアミド基、N,N-ジ-イソヘキシルカルボキシアミド基、N,N-ジ-sec-ヘキシルカルボキシアミド基、N,N-ジ-tert-ヘキシルカルボキシアミド基、N,N-ジ-ネオヘキシルカルボキシアミド基、N,N-ジシクロプロピルカルボキシアミド基、N,N-ジシクロブチルカルボキシアミド基、N,N-ジシクロペンチルカルボキシアミド基、N,N-ジシクロヘキシルカルボキシアミド基等が挙げられる。
置換基として挙げられる−ＳＯＯＲ７基のＲ７で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば上記一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基中の炭素数１〜６の例示と同様のものが挙げられる。
置換基として挙げられる−ＳＯＯＲ７基のＲ７で示されるアリール基としては、通常炭素数６〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基、トリル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜１０、好ましくは１〜６のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ｎ-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、3-メチルペンチルオキシ基、2-メチルペンチルオキシ基、1,2-ジメチルブチルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、sec-ヘプチルオキシ基、tert-ヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、sec-オクチルオキシ基、tert-オクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、sec-ノニルオキシ基、tert-ノニルオキシ基、ネオノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、sec-デシルオキシ基、tert-デシルオキシ基、ネオデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアリール基としては、通常炭素数６〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアルキルスルフィニル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えばメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、n-プロピルスルフィニル基、イソプロピルスルフィニル基、ｎ-ブチルスルフィニル基、イソブチルスルフィニル基、sec-ブチルスルフィニル基、tert-ブチルスルフィニル基、ｎ-ペンチルスルフィニル基、イソペンチルスルフィニル基、sec-ペンチルスルフィニル基、tert-ペンチルスルフィニル基、ネオペンチルスルフィニル基、ｎ-ヘキシルスルフィニル基、イソヘキシルスルフィニル基、sec-ヘキシルスルフィニル基、tert-ヘキシルスルフィニル基、ネオヘキシルスルフィニル基、3-メチルペンチルスルフィニル基、2-メチルペンチルスルフィニル基、1,2-ジメチルブチルスルフィニル基、シクロプロピルスルフィニル基、シクロブチルスルフィニル基、シクロペンチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基等が挙げられる。
置換基として挙げられる−ＯＣＯＲ８基のＲ８で示されるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基中の炭素数１〜６の例示と同様のものが挙げられる。
置換基として挙げられる−ＯＣＯＲ８基のＲ８で示されるアリール基としては、通常炭素数６〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
一般式［１７］に於けるＲ１０で示されるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアルコキシカルボニル基としては、カルボキシル基の水酸基が通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のアルコキシ基で置換されたものが挙げられ、当該アルコキシ基は、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよい。当該アルコキシカルボニル基の具体例としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、sec-ペンチルオキシカルボニル基、tert-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、sec-ヘキシルオキシカルボニル基、tert-ヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、シクロプロポキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるハロアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。）で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えば例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、トリフルオロエチル基、トリクロロエチル基、トリブロモエチル基、トリヨードエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタブロモエチル基、ペンタヨードブチル基、フルオロプロピル基、クロロプロピル基、トリフルオロプロピル基、トリクロロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタヨードプロピル基、1,1-ジメチルクロロエチル基、1,1-ジメチルブロモエチル基、2-ジブロモ-1,1-ジメチルエチル基、トリフルオロブチル基、トリクロロブチル基、ノナフルオロブチル基、ノナクロロブチル基、ノナブロモブチル基、ノナヨードブチル基、トリフルオロペンチル基、トリクロロペンチル基、ウンデカフルオロペンチル基、ウンデカクロロペンチル基、ウンデカブロモペンチル基、ウンデカヨードペンチル基、トリフルオロヘキシル基、トリクロロヘキシル基、トリデカフルオロヘキシル基、トリデカクロロヘキシル基、トリデカブロモヘキシル基、トリデカヨードヘキシル基等が挙げられる。
一般式［３］に於いて、Ｒで示されるアミノ保護基の好ましい具体例としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル（ＢＯＣ）基、tert-ペンチルオキシカルボニル基、ジイソプロピルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、例えばシクロブトキシカルボニル基、1-メチルシクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、1-メチルシクロヘキシルオキシカルボニル基等のシクロアルコキシカルボニル基、例えば1-(1-アダマンチル)-1-メチルエトキシカルボニル（Ａｄｐｏｃ）基等の脂環式炭化水素置換アルコキシカルボニル基、例えば2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）基、1,1-ジメチル-2-クロロエトキシカルボニル基、1,1-ジメチル-2-ブロモエトキシカルボニル基、1,1-ジメチル-2,2-ジブロモエトキシカルボニル（ＤＢ−ｔ−ＢＯＣ）基、1,1-ジメチル-2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル（ＴＣＢＯＣ）基、2-ヨードエトキシカルボニル基等のハロアルコキシカルボニル基、例えばシクロプロピルメトキシカルボニル基、1-メチル-1-シクロプロピルメトキシカルボニル基等のシクロアルキル置換アルコキシカルボニル基、例えば2-メチルチオエトキシカルボニル基等のアルキルチオ置換アルコキシカルボニル基、例えば2-メチルスルフォニルエトキシカルボニル基等のアルキルスルフォニル置換アルコキシカルボニル基、例えば2-(p-トルエンスルフォニル)エトキシカルボニル基等のアリールスルフォニル置換アルコキシカルボニル基、例えば1,1-ジメチル-2-シアノエトキシカルボニル基等のシアノ置換アルコキシカルボニル基、例えば1,1-ジメチル-3-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)プロポキシカルボニル基、2-(N,N-ジシクロヘキシルカルボキシアミド)エトキシカルボニル基等のN,N-ジアルキルカルボキシアミド置換アルコキシカルボニル基、例えば2-トリメチルシリルエトキシカルボニル（Ｔｅｏｃ）基等のアルキルシリル置換アルコキシカルボニル基、例えばベンジルオキシカルボニル（Ｃｂｚ）基、2-フェニルエトキシカルボニル（ｈＺ）基、ジフェニルメトキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基、例えば9-フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）基、9-(2-スルホ)フルオレニルメトキシカルボニル基、9-(2,7-ジブロモ)フルオレニルメトキシカルボニル基、9-アントリルメトキシカルボニル基等の三環系アラルキルオキシカルボニル基、例えば1-メチル-1-フェニルエトキシカルボニル基、2,4,6-トリメチルベンジルオキシカルボニル基、1-(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)-1-メチルエトキシカルボニル（ｔ−Ｂｕｍｅｏｃ）基等のアルキル置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば1-メチル-1-(4-ビフェニル)エトキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）基等のアリール置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-メトキシベンジルオキシカルボニル（Ｍｏｚ）基、3,5-ジメトキシベンジルオキシカルボニル基、p-デシルオキシベンジルオキシカルボニル基等のアルコキシ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル基等のアルキル／アルコキシ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-ニトロベンジルオキシカルボニル基、o-ニトロベンジルオキシカルボニル基、フェニル(o-ニトロフェニル)メトキシカルボニル基等のニトロ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-ブロモベンジルオキシカルボニル基、p-クロロベンジルオキシカルボニル基、2,4-ジクロロベンジルオキシカルボニル基等のハロゲン置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば4-メチルスルフィニルベンジルオキシカルボニル（Ｍｓｚ）基等のアルキルスルフィニル置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば3,4-ジメトキシ-6-ニトロベンジルオキシカルボニル基等のアルコキシ／ニトロ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばo-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)ベンジルオキシカルボニル基等のN,N-ジアルキルカルボキシアミド置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-(フェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル基、1-メチル-1-(p-フェニルアゾフェニル)エトキシカルボニル基、p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル基等のフェニルアゾ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル基等のアルキル／アルコキシ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばm-クロロ-p-アセチルオキシベンジルオキシカルボニル基、m-クロロ-p-プロピオニルオキシベンジルオキシカルボニル基、m-クロロ-p-ブチリルオキシベンジルオキシカルボニル基、m-クロロ-p-バレリルオキシベンジルオキシカルボニル基等のハロゲン／アシル置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばm-クロロ-p-ベンゾイルオキシベンジルオキシカルボニル基等のハロゲン／アリールカルボニル置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-シアノベンジルオキシカルボニル基等のシアノ置換アラルキルオキシカルボニル基、例えばp-(ジヒドロキシボリル)ベンジルオキシカルボニル（Ｄｏｂｚ）基等のヒドロキシボリル置換アラルキルオキシカルボニル基、例えば[2-(1,3-ジチアニル)]メトキシカルボニル（Ｄｍｏｃ）基、2-フラニルメトキシカルボニル基等の脂肪族複素環置換アルコキシカルボニル基、例えばイソニコチニルオキシカルボニル基、1-(2'-ピリジル)エトキシカルボニル（Ｐｙｏｃ）基、1-(4'-ピリジル)エトキシカルボニル（Ｐｙｏｃ）基、1-メチル-1-(4-ピリジル)エトキシカルボニル基、ジ(2-ピリジル)メトキシカルボニル基、5-ベンズイソキサゾリルメトキシカルボニル（Ｂｉｃ）基、2-(トリフルオロメチル)-6-クロモニルメトキシカルボニル（Ｔｃｒｏｃ）基、2,7-ジ-tert-ブチル-[9-(10,10-ジオキソ-10,10,10,10-テトラヒドロチオキサンチル)]メトキシカルボニル（ＤＢＤ−Ｔｍｏｃ）基等の芳香族複素環アルコキシカルボニル基、1-アダマンチルオキシカルボニル（Ａｄｏｃ）基、イソボルニルオキシカルボニル基等のアルキルエステル由来の基、例えばビニルオキシカルボニル（Ｖｏｃ）基、アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）基、1-イソプロピルアリルオキシカルボニル（Ｉｐａｏｃ）基等のアルケニルオキシカルボニル基、例えば1,1-ジメチルプロピニルオキシカルボニル基等のアルキル置換アルキニルオキシカルボニル基、例えばシンナミルオキシカルボニル（Ｃｏｃ）基、4-ニトロシンナミルオキシカルボニル（Ｎｏｃ）基等のフェニル置換アルケニルオキシカルボニル基、例えば2,2-ジメトキシカルボニルビニルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル置換アルケニルオキシカルボニル基等の不飽和炭化水素エステル由来の基、例えばフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基、例えば2,4,6-トリ-tert-ブチルフェノキシカルボニル基等のアルキル置換アリールオキシカルボニル基、例えばp-メトキシフェノキシカルボニル（Ｐｈｅｎｏｃ）基等のアルコキシ置換アリールオキシカルボニル基、例えば4-メチルチオフェノキシカルボニル（Ｍｔｐｃ）基、2,4-ジメチルチオフェノキシカルボニル（Ｂｍｐｃ）基等のアルキルチオ置換アリールオキシカルボニル基、例えばm-ニトロフェノキシカルボニル基等のニトロ置換アリールオキシカルボニル基等のアリールエステル由来の基、例えばN-ヒドロキシピペリジニルオキシカルボニル基等の脂肪族複素環オキシカルボニル基、例えば8-キノリルオキシカルボニル基等の芳香族複素環オキシカルボニル基等の複素環エステル由来の基、例えばメチルジチオカルボニル基、エチルジチオカルボニル基、イソプロピルジチオカルボニル基、tert-ブチルジチオカルボニル基等のアルキルジチオカルボニル基、例えばフェニルジチオカルボニル基等のアリールジチオカルボニル基等のジチオエステル由来の基、例えばベンジルチオカルボニル基等のアラルキルチオカルボニル基等のチオエステル由来の基等が挙げられる。
一般式［１］で示されるニトロベンゼンスルホニルハライドの好ましい具体例としては、例えばo-ニトロベンゼンスルホニルフルオライド、p-ニトロベンゼンスルホニルフルオライド、2,4-ジニトロベンゼンスルホニルフルオライド、2,3-ジニトロベンゼンスルホニルフルオライド、2,5-ジニトロベンゼンスルホニルフルオライド、2,6-ジニトロベンゼンスルホニルフルオライド、o-ニトロベンゼンスルホニルクロライド、p-ニトロベンゼンスルホニルクロライド、2,4-ジニトロベンゼンスルホニルクロライド、2,3-ジニトロベンゼンスルホニルクロライド、2,5-ジニトロベンゼンスルホニルクロライド、2,6-ジニトロベンゼンスルホニルクロライド、o-ニトロベンゼンスルホニルブロマイド、p-ニトロベンゼンスルホニルブロマイド、2,4-ジニトロベンゼンスルホニルブロマイド、2,3-ジニトロベンゼンスルホニルブロマイド、2,5-ジニトロベンゼンスルホニルブロマイド、2,6-ジニトロベンゼンスルホニルブロマイド、o-ニトロベンゼンスルホニルヨージド、p-ニトロベンゼンスルホニルヨージド、2,4-ジニトロベンゼンスルホニルヨージド、2,3-ジニトロベンゼンスルホニルヨージド、2,5-ジニトロベンゼンスルホニルヨージド、2,6-ジニトロベンゼンスルホニルヨージド等が挙げられ、中でもo-ニトロベンゼンスルホニルハライドが好ましく、就中、o-ニトロベンゼンスルホニルクロライドがより好ましい。
重窒素化ハロゲン化アンモニウムの好ましい具体例としては、例えば重窒素化フッ化アンモニウム、重窒素化塩化アンモニウム、重窒素化臭化アンモニウム、重窒素化ヨウ化アンモニウム等が挙げられ、中でも重窒素化塩化アンモニウムが好ましい。
一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド化合物の好ましい具体例としては、例えば重窒素化o-ニトロベンゼンスルホンアミド、重窒素化p-ニトロベンゼンスルホンアミド、重窒素化2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド等が挙げられる。
一般式［３］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体の好ましい具体例としては、例えばN-メトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-メトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-メトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-エトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-エトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-エトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソブトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソブトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソブトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Boc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Boc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Boc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ペンチルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ペンチルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ペンチルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジイソプロピルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジイソプロピルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジイソプロピルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロブトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロブトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロブトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロブトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロブトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロブトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロペンチルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロペンチルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロペンチルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロヘキシルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロヘキシルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロヘキシルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロヘキシルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロヘキシルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチルシクロヘキシルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソボルニルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソボルニルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソボルニルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adpoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adpoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Adpoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Troc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Troc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Troc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-クロロエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-クロロエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-クロロエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-ブロモエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-ブロモエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-ブロモエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-DB-t-BOC-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-DB-t-BOC-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-DB-t-BOC-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-TCBOC-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-TCBOC-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,TCBOC-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-ヨードエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-ヨードエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-ヨードエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロプロピルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロプロピルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-シクロプロピルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-シクロプロピルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-シクロプロピルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-シクロプロピルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルチオエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルチオエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルチオエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルスルフォニルエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルスルフォニルエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-メチルスルフォニルエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-(p-トルエンスルフォニル)メチルスルフォニルエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-(p-トルエンスルフォニル)メチルスルフォニルエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2-(p-トルエンスルフォニル)メチルスルフォニルエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-シアノエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-シアノエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-2-シアノエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-3-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)プロポキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-3-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)プロポキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチル-3-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)プロポキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Teoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Teoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Teoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Cbz-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Cbz-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Cbz-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-hZ-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-hZ-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-hZ-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジフェニルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジフェニルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジフェニルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Fmoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Fmoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Fmoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-(2-スルホ)フルオレニルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-(2-スルホ)フルオレニルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-(2-スルホ)フルオレニルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-アントリルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-アントリルメトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-9-アントリルメトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-フェニルエトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-フェニルエトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-フェニルエトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリメチルベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリメチルベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリメチルベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bumeoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bumeoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bumeoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bpoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bpoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-t-Bpoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Moz-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Moz-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Moz-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,5-ジメトキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,5-ジメトキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,5-ジメトキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-デシルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-デシルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-デシルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-ニトロベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-ニトロベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-ニトロベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニル(o-ニトロフェニル)メトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニル(o-ニトロフェニル)メトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニル(o-ニトロフェニル)メトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ブロモベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ブロモベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-ブロモベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-クロロベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-クロロベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-クロロベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4-ジクロロベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4-ジクロロベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4-ジクロロベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Msz-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Msz-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Msz-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,4-ジメトキシ-6-ニトロベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,4-ジメトキシ-6-ニトロベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-3,4-ジメトキシ-6-ニトロベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)ベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)ベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-o-(N,N-ジメチルカルボキシアミド)ベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(フェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(フェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホン
アミド、N-p-(フェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(p-フェニルアゾフェニル)エトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(p-フェニルアゾフェニル)エトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(p-フェニルアゾフェニル)エトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-(p'-メトキシフェニルアゾ)ベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(3,5-ジメトキシフェニル)エトキシカルボニル-o,p-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-アセチルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-アセチルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-アセチルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-プロピオニルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-プロピオニルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-プロピオニルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ブチリルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ブチリルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ブチリルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-バレリルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-バレリルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-バレリルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ベンゾイルオキシベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ベンゾイルオキシベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-クロロ-p-ベンゾイルオキシベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-シアノベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-シアノベンジルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-p-シアノベンジルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dobz-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dobz-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dobz-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dmoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dmoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Dmoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Pyoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Pyoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Pyoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(4-ピリジル)エトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(4-ピリジル)エトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1-メチル-1-(4-ピリジル)エトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジ(2-ピリジル)メトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジ(2-ピリジル)メトキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ジ(2-ピリジル)メトキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Bic-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Bic-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Bic-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Tcroc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Tcroc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Tcroc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-DBD-Tmoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-DBD-Tmoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-DBD-Tmoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Voc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Voc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Voc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Alloc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Alloc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Alloc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Ipaoc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Ipaoc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Ipaoc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチルプロピニルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチルプロピニルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-1,1-ジメチルプロピニルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Coc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Coc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Coc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-Noc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Noc-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-Noc-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,2-ジメトキシカルボニルビニルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,2-ジメトキシカルボニルビニルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,2-ジメトキシカルボニルビニルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェノキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェノキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェノキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリ-tert-ブチルフェノキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリ-tert-ブチルフェノキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-2,4,6-トリ-tert-ブチルフェノキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-N-ヒドロキシピペリジニルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-N-ヒドロキシピペリジニルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-N-ヒドロキシピペリジニルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-8-キノリルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-8-キノリルオキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-8-キノリルオキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-メチルジチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-メチルジチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-メチルジチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-ニトロフェノキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-ニトロフェノキシカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-m-ニトロフェノキシカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-エチルジチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-エチルジチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-エチルジチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソプロピルジチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソプロピルジチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-イソプロピルジチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ブチルジチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ブチルジチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-tert-ブチルジチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニルジチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニルジチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-フェニルジチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド、N-ベンジルチオカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ベンジルチオカルボニル-p-ニトロベンゼンスルホンアミド、N-ベンジルチオカルボニル-2,4-ジニトロベンゼンスルホンアミド等が挙げられる。
一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドは、一般式［１］で示されるニトロベンゼンスルホニルハライドと重窒素化ハロゲン化アンモニウムを適当な溶媒中、塩基性水溶液の存在下で反応させることにより合成し得る。尚、精製処理は、必要に応じて通常この分野で実施される方法に準じて行えばよい。
反応溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、例えばトルエン、ベンゼン、キシレン等の炭化水素類、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、例えばエチルエーテル、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル類、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、例えばトリエチルアミン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、水等が挙げられる。これらは単独で用いても二種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。
塩基性水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の炭酸化物、例えば水素化ナトリウム、水素化カルシウム等の水素化物等を水に溶解させたものが挙げられる。
一般式［１］で示されるニトロベンゼンスルホニルハライド及び重窒素化ハロゲン化アンモニウムは、市販のものを用いても常法により適宜合成したものを用いてもよい。
一般式［１］で示されるニトロベンゼンスルホニルハライドの使用量は、使用する重窒素化ハロゲン化アンモニウムの種類によっても異なるが、当該重窒素化ハロゲン化アンモニウムに対して通常１当量以上、２当量以下、好ましくは1.1当量以上、1.5当量以下である。
塩基性水溶液の使用量は、使用する重窒素化ハロゲン化アンモニウムの種類によっても異なるが、当該重窒素化ハロゲン化アンモニウムに対して通常１当量以上、５当量以下、好ましくは2.5当量以上、3.5当量以下である。
反応温度は、通常０〜50℃、好ましくは20〜30℃である。
反応時間は、反応温度、使用する当該ニトロベンゼンスルホニルハライド及び重窒素化ハロゲン化アンモニウムの種類、或いはこれらの濃度等の反応条件により異なるが、通常0.5〜24時間、好ましくは１〜３時間である。
上記の如く製造された一般式［２］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドは、そのアミノ基を常法により保護処理することにより、一般式［３］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体を製造し得る。
保護処理としては、通常行われている各種アミノ基の保護基の保護処理操作を行えばよい。尚、精製処理は、必要に応じて通常この分野で実施される方法に準じて行えばよい。
当該重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体は、これを合成中間体として例えば重窒素化第一級アミン、重窒素化第二級アミン等の重窒素含有化合物を合成し得る。各種重窒素化第一級アミン及び重窒素化第二級アミンの合成法としては、ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体より各種第一級アミン及び第二級アミンを合成する方法（例えば非特許文献１等参照。）が全て挙げられる。
ここに、重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体から代表的な重窒素化第一級アミン及び重窒素化第二級アミンを合成する方法（例えば［Ａ］法、［Ｂ］法等。）を、本発明の一般式［３］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体として一般式［１８］で示される化合物を用いた場合を例にとって以下に説明する。
Figure 2005314398
※Ns＝nitrobenzenesulfonyl基（nosyl基）、DEAD＝diethyl azodicarboxylate、
DMF＝N,N-dimethylformamide、TFA＝trifluoroacetic acid
（式中、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して、置換基を有していてもよい、アルキル基又はアリール基を表し、Ｘ１はハロゲン原子を表し、Ｒは前記に同じ。）
Ｘ１で示されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ２及びＲ３で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜１０、好ましくは１〜６のものが挙げられ、具体的には、例えば一般式［１４］に於けるＲ４で示される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基の例示と同様のものが挙げられる。
Ｒ２及びＲ３で示される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、通常炭素数６〜１５のものが挙げられ、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。
Ｒ２及びＲ３で示される置換基を有していてもよい、アルキル基又はアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
置換基として挙げられるアルキル基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜６のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、1-エチルブチル基、n-ヘプチル基、イソヘプチル基、sec-ヘプチル基、tert-ヘプチル基、ネオヘプチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、sec-オクチル基、tert-オクチル基、ネオオクチル基、n-ノニル基、イソノニル基、sec-ノニル基、tert-ノニル基、ネオノニル基、n-デシル基、イソデシル基、sec-デシル基、tert-デシル基、ネオデシル基、n-ウンデシル基、イソウンデシル基、sec-ウンデシル基、tert-ウンデシル基、ネオウンデシル基、n-ドデシル基、イソドデシル基、sec-ドデシル基、tert-ドデシル基、ネオドデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるハロアルキル基としては、通常炭素数１〜４のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。）で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基、トリフルオロエチル基、トリクロロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタブロモエチル基、ペンタヨードエチル基、トリフルオロプロピル基、トリクロロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタブロモプロピル基、ヘプタヨードプロピル基、トリフルオロブチル基、トリクロロブチル基、ノナフルオロブチル基、ノナクロロブチル基、ノナブロモブチル基、ノナヨードブチル基等が挙げられる。
置換基として挙げられるアルコキシ基としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、sec-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、sec-ヘプチルオキシ基、tert-ヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、sec-オクチルオキシ基、tert-オクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、sec-ノニルオキシ基、tert-ノニルオキシ基、ネオノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、sec-デシルオキシ基、tert-デシルオキシ基、ネオデシルオキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
置換基として挙げられるハロアルコキシ基としては、通常炭素数１〜４のアルコキシ基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等。）で置換されたものが挙げられ、具体的には、例えばフルオロメトキシ基、クロロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリブロモメトキシ基、トリヨードメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ペンタクロロエトキシ基、ペンタブロモエトキシ基、ペンタヨードエトキシ基、トリフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、ヘプタクロロプロポキシ基、ヘプタブロモプロポキシ基、ヘプタヨードプロポキシ基、トリフルオロブトキシ基、ノナフルオロブトキシ基、ノナクロロブトキシ基、ノナブロモブトキシ基、ノナヨードブトキシ基等が挙げられる。
即ち、本発明の重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体から重窒素アミンを合成する方法を詳細に述べると以下の如くである。
［Ａ］法では、一般式［１８］で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体を、例えばベンゼン、トルエン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン（THF）等の溶媒に溶解し、これに一般式［１８］で示される化合物に対して、１〜３倍モルのＲ２OH、１〜３倍モルのＤＥＡＤ及び１〜３倍モルのトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）を添加し０〜40℃で10〜24時間撹拌反応させることにより一般式［１９］で示されるＲ２化（例えばalkylation, arylation等）された重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体が得られる。また、一般式［１８］で示される化合物を、例えばDMF、ジメチルスルホキシド（DMSO）等の溶媒に溶解し、これに一般式［１８］で示される化合物に対して、１〜10倍モルのＲ２Ｘ１及び１〜10倍モルの炭酸カリウムを添加し10〜130℃で５〜24時間撹拌反応させることによっても、一般式［１９］で示される化合物が得られる。次いで、得られた一般式［１９］で示される化合物とを例えばDMF、ジクロロメタン等の溶媒に溶解し、一般式［１９］で示される化合物に対して、１〜５倍モルのチオグリコール酸（ＨＳＣＨ２ＣＯＯＨ）及び２〜10倍モルの水酸化リチウムを０〜40℃で0.5〜５時間撹拌反応させることにより、一般式［２０］で示される脱ノシル化（denosylation）された保護基含有重窒素アミンが得られる。更にこれを過剰のトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）で脱保護処理することにより目的とする一般式［２１］で示される第一級重窒素化アミンが得られる。
また、［Ｂ］法では、上記［Ａ］法により得られた一般式［１９］で示されるＲ２化された重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体を過剰のＴＦＡで脱保護処理することにより一般式［２２］で示される脱保護された重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体が得られる。次いで、得られた化合物を上記［Ａ］法に於いてＲ２化した場合と同様の方法を用いることにより、一般式［２３］で示されるＲ３化（例えばalkylation, arylation等）された重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体が得られる。更に、これを上記［Ａ］法に於ける脱ノシル化反応と同様の操作を行うことにより、一般式［２４］で示される脱ノシル化された第二級重窒素化アミンが得られる。
一般式［２１］で示される重窒素化第一級アミンの代表例としては、例えば重窒素化エチルアミン、重窒素化シクロプロピルアミン、重窒素化シクロヘキシルアミン等が挙げられる。
一般式［２４］で示される重窒素化第二級アミンの代表例としては、例えば重窒素化ジエチルアミン等が挙げられる。
上記重窒素化第一級アミン及び重窒素化第二級アミンは当該重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド及びその誘導体を用いて合成される重窒素含有化合物の単なる代表例に過ぎず、例えば重窒素化エチレンジアミン等の重窒素化ジアミン化合物、例えば重窒素化モルホリン、重窒素化ピペリジン、重窒素化ピペラジン等の重窒素含有環式炭化水素、例えば重窒素化アミノ酸、重窒素化核酸、重窒素を含む、医薬品、農薬、色素等の重窒素化高分子アミン化合物を合成する場合、更には、医薬品の合成中間体として重要な、例えばアニリン等の芳香族アミン誘導体、例えばピリジン、ピロール等の複素環誘導体等の重窒素含有化合物を合成する場合にも、本発明に係る重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体を合成中間体として用いることが可能である。
これらの重窒素化第一級アミン及び重窒素化第二級アミンは、これらを原料として目的とする重窒素含有化合物を合成することにより、例えば環境分析分野及び薬物代謝等の研究に於いて、測定対象化合物に対応する１５Ｎ安定同位体からなるサロゲートとして使用し得る。
また、得られた１５Ｎ安定同位体からなるサロゲートを用いた環境分析や薬物代謝研究の操作方法、手順等については、１３Ｃ安定同位体／Ｄ安定同位体からなるサロゲートを使用する場合と同様或いは常法に準じて行えばよい。
これらサロゲートは測定対象化合物と化学的性質はほぼ同一であるが、マススペクトル等における夫々の化合物のピーク値は重窒素化された分だけ大きな値を示すため、通常使用される１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートの代用として使用し得る。
また、通常使用される１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体からなるサロゲートを合成するには、測定対象化合物中の含有率の高いＣ原子及びＨ原子のうちの特定位置にあるＣ原子又はＨ原子を夫々１３Ｃ安定同位体又はＤ安定同位体としたサロゲートを合成しなければならないため合成が困難であるという問題点を有していたが、測定対象化合物中のＮ原子含有率はＣ原子及びＨ原子に比べて低いため、本願に係る重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド及びその誘導体から特定部位のＮ原子を重窒素化したサロゲートを容易に製造し得る。
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
実施例１．重窒素化 o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
500mLフラスコに15NH4Cl 4.28g(80mmol)、o-ニトロベンゼンスルホニルクロライド 21.6g(88mmol)及びテトラヒドロフラン(THF) 160mLを添加し、氷冷下、水酸化ナトリウム 9.6g(240mmol)の水溶液 160mLを８〜20.5℃で10分間滴下した。得られた溶液を１時間室温で撹拌した後、トルエン 120mLを加え分液した。得られた有機層を５％水酸化ナトリウム水溶液 120mLで抽出し、先程得られた水層と合わせた。反応液を２時間放置した後、得られた析出物を除去した。得られた濾液を10％塩酸 150mLで中和させ、析出した固体を濾取し、水 10mLで洗浄した。得られた固体を真空乾燥（６時間、40℃）して、目的物 10.55gを得た（収率 65%、HPLC 100area%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；204, (m/z, APCI-, [M-H]-)；202
1H-NMR (DMSO、TMS内部標準)；δ 7.73-7.94 (2H, d, J=84Hz), 7.81-7.89 (2H, m), 7.94-7.96 (1H, m), 8.06-8.08 (1H, d, J=1.6Hz and 7.6Hz)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ −285.0-−280.9 (t, J=82Hz)
IR (cm-1)； 3360, 3266, 1528, 1368, 1345, 1165, 855
※APCI＝Atmospheric pressure chemical ionization、DMSO＝ジメチルスルホキシド、TMS＝テトラメチルシラン
比較例１．o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
従来法（例えば非特許文献２等参照。）に従って合成した。
即ち、500mLフラスコに28％アンモニア水 100mL (1.6mol)を加え、氷冷下、o-ニトロベンゼンスルホニルクロライド 49.2g (net 0.2mol)のTHF溶液 100mLを、20℃を超えないように滴下した。室温で10分間攪拌し反応を完結させた後、得られた反応液にトルエン 170mLを加え室温で攪拌した。析出した目的物を濾取し、得られた結晶をトルエン 30mLで洗浄した（結晶Ａ）。濾液に５％水酸化ナトリウム水溶液 200mLを加え、残存している目的物を抽出し水層を分液した。得られた水層を10％塩酸 300mLで中和(pH７)し、析出した固体を濾取し水 50mLで洗浄した（結晶Ｂ）。結晶Ａと結晶Ｂをあわせて、イソプロピルアルコール／水(=10/1(v/v)) 1100mL)を加え、70℃で溶解させた。この溶解液に活性炭 2.2gを加え、70℃で10分間攪拌し、活性炭を熱時(70℃)濾過で除去した。得られた濾液を冷却し、０〜５℃で２時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、水 100mLで洗浄した。得られた固体を真空乾燥（恒量まで、40℃）して、目的物 31.8gを得た（収率 79%、HPLC 100area%）。
物性データ:
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；203, (m/z, APCI-, [M-H]-)；201
1H-NMR (DMSO、TMS内部標準)；δ 7.81-7.89 (4H, m), 7.90-7.96 (1H, dd, J=1.6Hz and 7.6Hz), 8.05-8.07 (1H, dd, J=1.6 and 7.6Hz)
IR (cm-1)；3371, 3259, 1539, 1360, 1338, 1161, 856
実施例２．重窒素化-N-tert-ブトキシカルボニル(Boc)-o-ニトロベンゼンスルホンアミド（Boc体）の合成
実施例１で得られた重窒素化 o-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.08g(10.3mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 2.15mL(15.4mmol)、ジ-tert-ブチルジカーボネート(Boc2O) 2.69g(12.4mmol)及び4(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1.03mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を1N塩酸溶液に注入した後、エーテルで2回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。得られた晶析物をエーテル／ヘキサン溶媒(=4/6)で結晶化し、目的物 2.92gを黄色粉末として得た（収率 94%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H-Bu]+)：248, (m/z, APCI-, [M-H]-)；302
1H-NMR (DMSO、TMS内部標準)；δ 1.31 (9H, s), 7.92-7.95 (2H, d, J=84Hz), 8.02-8.04 (1H, m), 8.11-8.13 (1H, m), 12.26 (1H, brs)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ −238.3 (s)
IR (cm-1)；3245, 1748, 1547, 1358, 1148, 833
比較例２．N-Boc-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
比較例１で得られたo-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.08g(10.3mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 2.15mL(15.4mmol)、ジ-tert-ブチルジカーボネート(Boc2O) 2.69g(12.4mmol)及び4-(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1.03mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を１Ｎ塩酸溶液に注入した後、エーテルで２回抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。得られた晶析物をエーテル／ヘキサン溶媒(=4/6)で結晶化し、目的物 2.92gを黄色粉末として得た（収率 94%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H-Bu]+)；247, (m/z, APCI-, [M-H]-)；301
1H-NMR (DMSO、TMS内部標準)；δ 1.31 (9H, s), 7.90-7.97 (2H, m), 8.02-8.04 (1H, m), 8.10-8.13 (1H, m), 12.24 (1H, brs)
IR (cm-1)；3251, 1747, 1547, 1362, 1149, 837
実施例３．重窒素化-N-ベンジルオキシカルボニル(Cbz)-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
実施例１で得られた重窒素化 o-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.03g(10mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 1.56g(15mmol)、ベンジルオキシカルボニルクロライド(CBz-Cl) 2.05g (12mmol)及び4(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を1N塩酸溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮乾固した。得られた晶析物をエーテル／ヘキサン溶媒(=1/9)で洗浄し、目的物 2.97gを微黄色粉末として得た（収率 88%）。
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+): 338, (m/z, APCI-, [M-H]-): 336
1H-NMR(CDCl3、TMS内部標準)；δ 5.14 (2H, s), 7.30-7.36 (5H, m), 7.69-7.73 (1H, td, J=1.2Hz and 7.9Hz), 7.77-7.81 (1H, td, J=1.2Hz and 7.6Hz), 7.84-7.86 (1H, dd, J=1.2Hz and 8Hz), 8.29-8.32 (1H, dd, J=1.2Hz and 8.2Hz)
15N-NMR(CD3CN、CD3CN内部標準: −134ppm) δ:−239.4 (s)
IR (cm-1): 3266, 1750, 1545, 1379, 1159, 849
比較例３．N-ベンジルオキシカルボニル(Cbz)-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
比較例１で得られたo-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.02g(10mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 1.56g(15mmol)、ベンジルオキシカルボニルクロライド(CBz-Cl) 2.05g (12mmol)及び4(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を1N塩酸溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮乾固した。得られた晶析物をエーテル／ヘキサン溶媒(=1/9)で洗浄し、目的物 2.96gを微黄色粉末として得た（収率 88%）。
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+): 337, (m/z, APCI-, [M-H]-): 335
1H-NMR(CDCl3、TMS内部標準)；δ 5.07 (2H, s), 7.25-7.32 (5H, m), 7.62-7.66 (1H, td, J=1.6Hz and 7.6Hz), 7.70-7.74 (1H, td, J=1.6Hz and 8.0Hz), 7.77-7.79 (1H, dd, J=1.6Hz and 8Hz), 7.90 (1H, s), 8.22-8.28 (1H, dd, J=1.6Hz and 7.8Hz)
IR (cm-1): 3267, 1747, 1546, 1376, 1160, 860
実施例４．重窒素化-N-アリルオキシカルボニル(Alloc)-o-ニトロベンゼンスルホンアミド
実施例１で得られた重窒素化 o-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.03g(10mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 1.56g(15mmol)、アリルオキシカルボニルクロライド(Alloc-Cl) 1.45g (12mmol)及び4(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を1N塩酸溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮乾固した。得られた晶析物をエーテル／ヘキサン溶媒(=1/9)で洗浄し、目的物 2.59gを微黄色粉末として得た（収率 90%）。
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；288, (m/z, APCI-, [M-H]-)；286
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 4.60-4.62 (2H, dt, J=1.3 and 5.9Hz), 5.26-5.34 (2H, m), 5.81-5.89 (1H, m), 7.77-7.88 (4H, m), 8.36-8.39 (1H, m)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ−239.4(s)
IR (cm-1)；3248, 1747, 1651, 1539, 1362, 945, 918
比較例４．N-アリルオキシカルボニル(Alloc)-o-ニトロベンゼンスルホンアミド
比較例１で得られたo-ニトロベンゼンスルホンアミド 2.02g(10mmol)のジクロロメタン溶液 20mLに、トリエチルアミン 1.56g(15mmol)、アリルオキシカルボニルクロライド(Alloc-Cl) 1.45g (12mmol)及び4(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン(DMAP) 126mg(1mmol)をアルゴン雰囲気下室温で30分間反応させた。反応終了後、得られた反応液を1N塩酸溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮乾固した。得られた固体をエーテル／ヘキサン溶媒(=1/9)で洗浄し、目的物 2.58gを微黄色粉末として得た（収率 90%）。
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；287, (m/z, APCI-, [M-H]-)；285
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 4.61-4.62 (2H, d, J=6.0Hz), 5.26-5.34 (2H, m), 5.81-5.91 (1H, m), 7.77-7.89 (4H, m), 8.37-8.39 (1H, m)
IR (cm-1)；3240, 1751, 1651, 1539, 1362, 945, 918
実施例５．重窒素化-N-Boc-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成（ベンジル化反応）
ジメチルホルムアミド(DMF) 10mL中に実施例２で得られた重窒素化-N-Boc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 1.01g(3.3mmol)及び炭酸カリウム 2.3g(16.5mmol)を撹拌した溶液に、臭化ベンジル 0.85mg(4.95mmol)をアルゴン雰囲気下室温で添加し、７時間撹拌反応させた。得られた反応溶液を濾過して炭酸カリウムを除去した後、酢酸エチル、水を加えて分液した。得られた有機層を水及び10％食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた後濃縮させた。得られた晶析物にヘキサン／酢酸エチル（=5/1）を加え撹拌させた後、濾過し、目的物 1.08gを黄色固体として得た（収率 82%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；338, (m/z, APCI-, [M-H-Boc]-)；292
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 1.26 (9H, s), 4.97 (2H, s), 7.25-7.28 (1H, t, J=7.2Hz), 7.32-7.35 (2H, t, J=8.0Hz), 7.43-7.44 (2H, d, J=7.2Hz), 7.66-7.75 (3H, m), 8.25-8.27 (1H, d, J=6.8Hz)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ −230.5 (s)
IR (cm-1)；2984, 1732, 1547, 1371, 1177, 1149, 739
比較例５．N-Boc-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
DMF 10mL中に比較例２で得られたN-Boc-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 1.01g (3.3mmol)及び炭酸カリウム 2.3g(16.5mmol)を撹拌した溶液に、臭化ベンジル 0.85g (4.95mmol)をアルゴン雰囲気下室温で添加し、７時間反応させた。反応終了後、得られた反応溶液を濾過して炭酸カリウムを除去した後、酢酸エチル、水を加え分液した。得られた有機層を水及び10％食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥した後濃縮した。得られた晶析物にヘキサン／酢酸エチル(=5/1)を加え攪拌した後、濾過をすることで目的物 0.94gを黄色固体として得た（収率 72％）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；337, (m/z, APCI-, [M-H-Boc]-)；291
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 1.28 (9H, s), 4.97 (2H, s), 7.26-7.28 (1H, d, J=10.0Hz), 7.34-7.37 (2H, t, J=7.2Hz), 7.43-7.45 (2H, d, J=6.8Hz), 7.75-7.78 (3H, m), 8.30-8.33 (1H, m)
IR (cm-1)；2982, 1730, 1547, 1363, 1178, 1150, 779
実施例６．重窒素化-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成（脱Boc化反応）
実施例５で得られた重窒素化-N-Boc-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 0.39g(0.991mmol)をトリフルオロ酢酸(TFA)処理(1mL)した。得られた反応液を室温で５分間放置した後、５％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水及び10％食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮させた。得られた残渣をシリカゲル固定層によるクロマトグラフィ（溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝4/1）により目的物0.26gを粘性のある液体として得た（収率 89%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；294, (m/z, APCI-, [M-H]-)；292
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 4.31-4.33 (2H, d, J=6.0Hz), 5.59-5.83 (1H, dt, J=6.0Hz and 85.6Hz), 7.22 (5H, s), 7.62-7.70 (1H, m), 7.81-7.83 (1H, d, J=7.6Hz), 8.00-8.02 (1H, d, J=6.8Hz)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ −279.9-−277.7 (d, J=87Hz)
IR (cm-1)；3343, 1537, 1364, 1165, 855
比較例６．N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドの合成
比較例５で得られたN-Boc-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 0.39g(0.991mmol)をTFA処理(1mL)した。得られた反応液を室温で５分間放置した後、５％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水及び10％食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮した。得られた残渣をシリカゲル固定層によるクロマトグラフィ（溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝4/1）により目的物 0.28gを粘性のある液体として得た（収率 97%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H]+)；293, (m/z, APCI-, [M-H]-)；291
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 4.31-4.33 (2H, d, J=6.4Hz), 5.71 (1H, brs), 7.22 (5H, s), 7.62-7.70 (2H, m), 7.81-7.84 (1H, dd, J=1.6Hz and 7.6Hz), 8.00-8.02 (1H, dd, J=1.6 and 7.4Hz)
IR (cm-1)；3346, 1539, 1364, 1167, 855
実施例７．重窒素化 N-Boc-N-ベンジルアミンの合成（脱ノシル化反応）
実施例5で得られた重窒素化 N-Boc-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 1.57g(4mmol)をDMF 16mLに溶かし、水酸化リチウム一水和物 0.67g(16mmol)とチオグリコール酸 0.74g(8mmol)を加え１時間反応させた。反応終了後、得られた反応液を５%炭酸水素ナトリウム水溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。得られた残渣をシリカゲル固定層によるクロマトグラフィ（溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝8/1）により目的物 0.58gを結晶として得た（収率 70%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H-Bu]+)；152
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 1.46 (9H, s), 4.30-4.31 (2H, d, J=5.2Hz), 4.75-4.97 (1H, d, J=90.0Hz), 7.26-7.34 (5H, m)
15N-NMR (CD3CN、CD3CN内部標準：−134ppm)；δ −295.6-−293.4 (d, J=89Hz)
IR (cm-1)；3335, 1680, 1532, 1285, 947
比較例７．N-Boc-N-ベンジルアミンの合成
比較例５で得られたN-Boc-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド 1.57g (4mmol)をDMF 16mLに溶かし、水酸化リチウム一水和物 0.67g(16mmol)とチオグリコール酸 0.74g(8mmol)を加え1時間反応させた。反応終了後、得られた反応液を５%炭酸水素ナトリウム水溶液に注入した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。得られた残渣をシリカゲル固定層によるクロマトグラフィ（溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝8/1）により目的物 0.64gを結晶として得た（収率 79%）。
物性データ：
LC-MS (m/z, APCI+, [M+H-Bu]+)；152
1H-NMR (CDCl3、TMS内部標準)；δ 1.46 (9H, s), 4.30-4.32 (2H, d, J=5.6), 4.85 (1H, brs), 7.26-7.34 (5H, m)
IR (cm-1)；3310, 1680, 1547, 1287, 947
実施例１及び比較例１の結果を比較すると、実施例１のLC/MSのデータ値が比較例１のLC/MSのデータ値より１だけ大きいことから、実施例１の化合物は、比較例１の化合物中のアミド基の窒素原子を重窒素化したものに相当することが分かる。実施例２と比較例２を比較した場合も同様に、実施例２では、比較例２の化合物中のアミド基の窒素原子が重窒素化された化合物が合成されていることは明らかである。
尚、実施例３〜７及び比較例３〜７の結果をそれぞれ比較すると、上記と同様にしてLC/MSのデータ値により、夫々化合物中のアミド基の窒素原子が重窒素化されていることが確認できた。
また、実施例６で得られた重窒素化-N-ベンジル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドを用いて脱ノシル化反応を行うか、または実施例７で得られた重窒素化N-Boc-N-ベンジルアミンを用いて脱Boc反応を行えば、容易に第一級アミンである重窒素化ベンジルアミン（C6H5CH2 15NH2）を合成することができる。

Claims (9)

  1. 一般式［２］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜５のアシル基又は炭素数２〜５のアシルオキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド化合物。
  2. 一般式［２］の部分構造である
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）が、o-ニトロフェニル基、p-ニトロフェニル基又は2,4-ジニトロフェニル基である、請求項１に記載の化合物。
  3. 一般式［２］で示される化合物が、重窒素化o-ニトロベンゼンスルホンアミドである、請求項１に記載の化合物。
  4. 一般式［１］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜５のアシル基又は炭素数２〜５のアシルオキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示されるニトロベンゼンスルホニルハライドと重窒素化ハロゲン化アンモニウムを反応させることを特徴とする、一般式［２］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドの製造法。
  5. 一般式［２］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜５のアシル基又は炭素数２〜５のアシルオキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミドのアミノ基を保護処理することを特徴とする、一般式［３］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒは、アミノ保護基を表し、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法。
  6. 一般式［３］
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒはアミノ保護基を表し、Ｒ１はハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜５のアシル基又は炭素数２〜５のアシルオキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ≦５である。）で示される重窒素化ニトロベンゼンスルホンアミド誘導体。
  7. 一般式［３］の部分構造である
    Figure 2005314398
     （式中、Ｒ１、ｍ及びｎは前記に同じ。）が、o-ニトロフェニル基、p-ニトロフェニル基又は2,4-ジニトロフェニル基である、請求項６に記載の化合物。
  8. アミノ保護基が、tert-ブトキシカルボニル基、フェニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フルオレニルメトキシカルボニル基又はアリルオキシカルボニル基である、請求項６に記載の化合物。
  9. 一般式［３］で示される化合物が、重窒素化-N-tert-ブトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、重窒素化-N-フェニルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、重窒素化-N-ベンジルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド、重窒素化-N-フルオレニルメトキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミド又は重窒素化-N-アリルオキシカルボニル-o-ニトロベンゼンスルホンアミドである、請求項６に記載の化合物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222659A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Asahi Kasei Corp スルホンアミド化合物の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5976051A (ja) * 1982-10-21 1984-04-28 Tanabe Seiyaku Co Ltd ナフタレン誘導体、その製法及び該誘導体を用いる光学純度検定試薬
JPH0446143A (ja) * 1990-06-11 1992-02-17 Hitachi Ltd 同位体多重標識アミノ酸の合成法
JPH06192272A (ja) * 1992-12-24 1994-07-12 Japan Tobacco Inc 新規なトリアゾロベンゾチアジアジン及びトリアゾロベンゾチアジアゼピン誘導体
JPH07209303A (ja) * 1993-07-08 1995-08-11 Wako Pure Chem Ind Ltd 発蛍光標識用試薬
JP2002526512A (ja) * 1998-10-05 2002-08-20 グラクソ グループ リミテッド 化学構築物
WO2003053910A1 (fr) * 2001-12-19 2003-07-03 Japan Science And Technology Agency Amino acide marque par isotope stable, technique d'integration de cet amino acide dans une proteine cible, technique d'analyse structurelle par irm de proteine et technique de production d'acide fumarique et d'acide tartrique marques par isotope stable a selection de site

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5976051A (ja) * 1982-10-21 1984-04-28 Tanabe Seiyaku Co Ltd ナフタレン誘導体、その製法及び該誘導体を用いる光学純度検定試薬
JPH0446143A (ja) * 1990-06-11 1992-02-17 Hitachi Ltd 同位体多重標識アミノ酸の合成法
JPH06192272A (ja) * 1992-12-24 1994-07-12 Japan Tobacco Inc 新規なトリアゾロベンゾチアジアジン及びトリアゾロベンゾチアジアゼピン誘導体
JPH07209303A (ja) * 1993-07-08 1995-08-11 Wako Pure Chem Ind Ltd 発蛍光標識用試薬
JP2002526512A (ja) * 1998-10-05 2002-08-20 グラクソ グループ リミテッド 化学構築物
WO2003053910A1 (fr) * 2001-12-19 2003-07-03 Japan Science And Technology Agency Amino acide marque par isotope stable, technique d'integration de cet amino acide dans une proteine cible, technique d'analyse structurelle par irm de proteine et technique de production d'acide fumarique et d'acide tartrique marques par isotope stable a selection de site

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222659A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Asahi Kasei Corp スルホンアミド化合物の製造方法

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