JP2005308631A - 半導体力学量センサ - Google Patents
半導体力学量センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005308631A JP2005308631A JP2004128216A JP2004128216A JP2005308631A JP 2005308631 A JP2005308631 A JP 2005308631A JP 2004128216 A JP2004128216 A JP 2004128216A JP 2004128216 A JP2004128216 A JP 2004128216A JP 2005308631 A JP2005308631 A JP 2005308631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- chip
- dimensional package
- sensor chip
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】 力学量をより高精度に測定することのできる半導体力学量センサを提供する。
【解決手段】 半導体基板から形成され、受けた力学量に応じた電気信号を出力するセンサチップ10と、このセンサチップ10の出力した電気信号を処理する集積回路チップ11と、センサチップ10及び上記集積回路チップ11が搭載される立体パッケージ124と、立体パッケージ124の実装面124cに設けられ、その実装面124cを外部の回路基板に実装可能に形成された実装用外部電極128と、実装用外部電極128及びセンサチップ10及び集積回路チップ11間を電気的に接続する、立体パッケージ124表面に形成された配線123とを備えてなり、立体パッケージ124は、その表面のうち、実装面124cに隣接する壁面124fに、立体パッケージ124の厚み方向の全体を貫通する貫通孔121が形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】 半導体基板から形成され、受けた力学量に応じた電気信号を出力するセンサチップ10と、このセンサチップ10の出力した電気信号を処理する集積回路チップ11と、センサチップ10及び上記集積回路チップ11が搭載される立体パッケージ124と、立体パッケージ124の実装面124cに設けられ、その実装面124cを外部の回路基板に実装可能に形成された実装用外部電極128と、実装用外部電極128及びセンサチップ10及び集積回路チップ11間を電気的に接続する、立体パッケージ124表面に形成された配線123とを備えてなり、立体パッケージ124は、その表面のうち、実装面124cに隣接する壁面124fに、立体パッケージ124の厚み方向の全体を貫通する貫通孔121が形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、角速度、加速度等の力学量を測定する半導体力学量センサに関する。
従来より、半導体プロセスを基盤としたマイクロマシン技術を用いて、マイクロサイズのセンサやアクチュエータ、並びにそれらの駆動回路や制御回路をも含めて集積化して実装した微細システムが製造されている。この微細システムは、MEMS(Micro Electro Mechanical System)と称されている。
図5は、MEMSとして形成された、角速度を測定可能な力学量センサの断面図である。この角速度センサ150は、セラミクス基板70と、センサチップ74と、集積回路チップ75と、実装用外部電極77と、封止材78とを備えて構成されている。なお、セラミクス基板70は、その表面に配線パターン76が形成されており、この配線パターン76を介して、実装用外部電極77とセンサチップ74と集積回路チップ75間が電気的に接続されている。
センサチップ74は、角速度を検出する角速度センサ本体71と、この角速度センサ本体71を機密に収納した上部封止体72及び下部封止体73とを備えている。角速度センサ本体71は、基材としてのシリコンに半導体プロセスが施されることで形成されている。また、上部封止体72及び下部封止体73は、ガラスが加工されて形成されている。そして、これらの封止体を相互に陽極接合して貼り合わせることで、角速度センサ本体71を機密に収納している。
集積回路チップ75は、センサチップ74を駆動する駆動回路であり、ベアチップの形態でチップ実装用電極126を介して配線パターン76に電気的に接続されている。すなわち、集積回路チップ75はセラミクス基板70にフリップチップ実装されている。また、この集積回路チップ75と同様に、センサチップ74も、チップ実装用電極127を介してセラミクス基板70にフリップチップ実装されている。このようにして、セラミクス基板70に実装されたセンサチップ74及び集積回路チップ75は、樹脂を材料とする絶縁性の封止材78により封止され、セラミクス基板70に固定されている。また、セラミクス基板70の表面のうち、センサチップ74や集積回路チップ75が搭載されていない方の実装面70cには、マザーボード等の外部回路基板に実装可能に形成された実装用外部電極77が設けられている。この実装用外部電極77が、外部回路基板に実装されることで、角速度センサ150がその外部回路基板に実装される。
外部回路基板に実装された角速度センサ150は、その外部回路基板から実装用外部電極77を介して電力を受け、角速度を測定する。そして測定した測定値は、再び実装用外部電極77を介して外部回路基板に出力する。このように、MEMSとして形成された角速度センサ150は、あたかも一つの集積回路と同じように取り扱うことができる。
また、図6に示すように、センサチップ74と集積回路チップ75を、立体パッケージ79内に積層して実装した加速度センサ160もある(特許文献1)。この加速度センサ160は、集積回路チップ75での信号処理に必要な情報を記憶した記憶素子チップ81と、実装用外部電極77からの電力を記憶素子チップ81に中継する電極パッド83及びワイヤ82を備えている。また、センサチップ74と集積回路チップ75と記憶素子チップ81間は、立体パッケージ79の表面に形成された配線(図示せず)により電気的に接続されている。この加速度センサ160では、センサチップ74と集積回路チップ75が立体パッケージ79内に積層されているので、加速度センサ160自体が小型化されている。上記の角速度センサ150や加速度センサ160のようなマイクロサイズの半導体力学量センサを、実装用外部電極77を介して外部回路基板に実装することは、この技術分野においてはそれほど困難ではない。
特開2003−344439号公報
しかしながら、このような半導体力学量センサを外部回路基板等に実装した場合、半導体力学量センサのセラミクス基板70や立体パッケージ79と、実装しようとする外部回路基板等との間では、その熱膨張係数の大きさに差がある。そのため、温度変化に伴って、セラミクス基板70や立体パッケージ79が歪んでしまい、搭載した角速度センサ本体71にも歪みが生じるという問題があった。このようにして発生した歪みは、角速度センサ本体71の共振周波数を変化させるなど、センサとしての特性に温度ドリフトを生じさせ、力学量を精度よく測定することを困難にしていた。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもので、より高精度に力学量を測定することのできる半導体力学量センサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本願発明は、半導体基板から形成され、受けた力学量の大きさに応じた電気信号を出力するセンサチップと、このセンサチップの出力した電気信号を処理する集積回路チップと、上記センサチップ及び上記集積回路チップが搭載される立体パッケージと、上記立体パッケージの一面に設けられ、その一面を外部の回路基板に実装可能にさせる実装用外部電極と、上記実装用外部電極及び上記センサチップ及び上記集積回路チップ間を電気的に接続する、上記立体パッケージ表面に形成された配線とを備えてなり、上記立体パッケージは、その表面のうち、上記一面に隣接する表面に、その厚み方向の全体を貫通する貫通孔が形成されているものである。
本願発明の半導体力学量センサにおいては、立体パッケージの表面のうち、実装用外部電極が形成された一面に隣接する表面に、立体パッケージの厚み方向の全体を貫通する貫通孔を設けたので、実装しようとする外部の回路基板とこの半導体力学量センサの熱膨張係数の大きさに差があり、それにより熱応力が半導体力学量センサに加わったとしても、形成した貫通孔がこの熱応力を低減させ、力学量を高精度に測定することが可能となる。
(第1実施形態)
本発明の半導体力学量センサに関する第1の実施の形態を、図1及び図2を参照して以下に説明する。
本発明の半導体力学量センサに関する第1の実施の形態を、図1及び図2を参照して以下に説明する。
図1は、力学量として角速度を測定可能に形成された半導体角速度センサ1の断面を示す図であり、図2は、半導体角速度センサ1の側面を示す図である。この半導体角速度センサ1は、センサチップ10と、集積回路チップ11と、MID(Molded Interconnect Device)基板12とを備え、MEMSとして形成されている。
MID基板12は、樹脂等を立体的に成形することにより作られた絶縁性の立体パッケージ124と、外部の回路基板等に実装可能に形成された実装用外部電極128と、実装用外部電極128及び搭載するチップ間を電気的に接続する配線123とを備えて構成されている。
立体パッケージ124は、図1に示すように、その断面が略H形状をなしており、2つの脚部124aにより、梁部124bが支持された形態になっている。すなわち、この立体パッケージ124をマザーボード等の外部回路基板に実装した際には、脚部124aは、外部回路基板の表面に立設して実装され、また、梁部124bは、脚部124aにより外部回路基板の表面に平行に支持される。脚部124aは、その一端面に、外部回路基板に実装される実装面124cを有し、その実装面124cには、実装用外部電極128が設けられている。また、梁部124bには、その厚み方向の全体を貫通する開口部125が形成されている。この開口部125内には、その表面に配線123が形成されており、センサチップ10と集積回路チップ11は、この開口部125内の配線123を介して電気的に接続されている。また、図1と図2に示すように、脚部124a表面のうち、実装面124cに隣接した壁面124fには、その厚み方向の全体を貫通する貫通孔121が複数形成されている。さらに、壁面124f内の、実装面124cの近傍部分には、その実装面124cを含んで形成された貫通孔が、実装面124c側に開放され凹部122として形成されている。なお、実装用外部電極128は、凹部122が形成されなかった部分の実装面124cに形成されている。
センサチップ10は、図1に示すように、角速度を検出するセンサ本体101と、このセンサ本体101を機密に収納する上部封止体102及び下部封止体103とを備えて構成されている。センサ本体101は、シリコン基板に半導体プロセスを施すことで形成されている。また、上部封止体102及び下部封止体103も、シリコンを基材とする半導体基板から形成されており、これらが互いに接合されることで、その内部に形成された空隙部分にセンサ本体101を気密に収納している。この上部封止体102と下部封止体103の接合は、周知のシリコン基板の貼り合わせ技術を用いて接合することができ、例えば陽極接合を用いればよい。このセンサチップ10は、上部封止体102及び下部封止体103の側壁部分に、センサチップ10をセンサチップ実装面124dに実装するためのチップ実装用電極127を有している。すなわち、センサチップ10は、チップ実装用電極127を介して立体パッケージ124の脚部124aに実装され、片持ち梁の状態で立体パッケージ124に支持されている。このチップ実装用電極127は、立体パッケージ124の表面のうち、実装面124cに直交するセンサチップ実装面124dに接合されている。なお、上部封止体102及び下部封止体103には、その厚み方向の全体を貫通する導電性の貫通電路104が形成されており、この貫通電路104及び配線123を通じて、実装用外部電極128から受けた電力をセンサ本体101に供給している。また、センサチップ10と集積回路チップ11は、立体パッケージ124の梁部124bを挟んで相互に積層するように立体パッケージ124に実装されている。なお、本実施の形態では、センサチップ10が梁部124bの上側、集積回路チップ11が梁部124bの下側になるように積層されているが、この位置関係は逆であってもよい。
集積回路チップ11は、その表面に配線(図示せず)が形成されており、この配線を通じて集積回路チップ11上の電子部品が電気的に接続されている。また、チップ実装用電極126,127には、バンプ電極が用いられている。
なお、本実施の形態では、図2に示すように貫通孔121の断面が、四角形に形成されていたが、これは四角形に限定されるものではなく、他にも例えば円や三角形などあらゆる形状に形成することができ、要は、脚部124aの厚み方向の全体を貫通していればよい。また、この半導体力学量センサでは、角速度を測定するセンサチップ10が実装されていたが、これ以外にも例えば加速度センサチップ、圧力センサチップなど、半導体プロセスを用いて半導体基板から形成されるセンサチップであればどのようなものでも適用することができる。また、センサ本体101は、高純度のシリコン基板からだけではなく、不純物がドープされたシリコン基板からでも形成することができる。
以上のように、本実施形態の半導体角速度センサ1によれば、立体パッケージ124に貫通孔121,122を形成したので、半導体角速度センサ1が実装される外部回路基板と半導体角速度センサ1間の熱膨張係数の差により発生する熱応力を、センサ本体101に伝達しにくくさせることができる。これにより、センサ本体101の共振周波数等の機械的特性が変化しにくくなるので、温度ドリフトを低く抑えられ、角速度を高精度に測定することが可能となる。さらに、センサチップ10と集積回路チップ11が相互に積層するように立体パッケージ124に搭載されているので、半導体角速度センサ1自体が小型化されている。また、センサチップ10が実装されるセンサチップ実装面124dは、実装面124cに直交しているので、立体パッケージ124が実装面124cの面内方向に熱膨張、熱収縮した場合でも、実装面124cに直交するセンサチップ実装面124dにはその影響が及びにくい。これにより、センサチップ10は、角速度を高精度に測定することが可能となる。
(第2実施形態)
本発明の半導体力学量センサに関する第2の実施の形態を、図3及び図4を参照して以下に説明する。
本発明の半導体力学量センサに関する第2の実施の形態を、図3及び図4を参照して以下に説明する。
図3は、力学量として角速度を測定可能に形成された半導体角速度センサ2の断面を示す図であり、図4は、半導体角速度センサ2の側面を示す図である。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態と同じものには同じ符号を付している。
本実施形態の半導体角速度センサ2は、立体パッケージ124の表面のうち、センサチップ10が実装されるセンサチップ実装面124dに凹部124eが形成されている。図3及び図4に示すように、この凹部124eは、センサチップ実装面124dに実装される2つのチップ実装用電極127,127を分離している。このようにセンサチップ10の複数のチップ実装用電極127,127を、連続しない表面にそれぞれ実装させることで、立体パッケージ124とセンサチップ10の熱膨張係数の差により発生する熱応力を、センサ本体101にさらに伝達しにくくさせている。なお、凹部124eの形状は特に限定されるものではなく、例えば、四角形や円形などに適宜形成すればよい。また、その凹部124eの深さも特に限定されるものではないが、浅い場合には、熱応力伝達の低減効果が低くなることがあるので、ある程度深く、例えば脚部124aの厚みの20%程度はある方が好ましい。
以上のように、本実施形態の半導体角速度センサ2によれば、立体パッケージ124の表面の一部に凹部124eが形成され、その凹部124eを挟んで、2つのチップ実装用電極127,127が実装されているので、立体パッケージ124とセンサチップ10の熱膨張係数の差により発生する熱応力がセンサ本体101に伝わりにくく、さらに高精度に角速度を測定することが可能となる。
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限らず、種々の形態で実施することができる。
1 半導体角速度センサ
2 半導体角速度センサ
10 センサチップ
11 集積回路チップ
121 貫通孔
122 凹部
123 配線
124 立体パッケージ
124c 実装面
124d センサチップ実装面
124e 凹部
124f 壁面
128 実装用外部電極
2 半導体角速度センサ
10 センサチップ
11 集積回路チップ
121 貫通孔
122 凹部
123 配線
124 立体パッケージ
124c 実装面
124d センサチップ実装面
124e 凹部
124f 壁面
128 実装用外部電極
Claims (5)
- 半導体基板から形成され、受けた力学量の大きさに応じた電気信号を出力するセンサチップと、
このセンサチップの出力した電気信号を処理する集積回路チップと、
上記センサチップ及び上記集積回路チップが搭載される立体パッケージと、
上記立体パッケージの一面に設けられ、その一面を外部の回路基板に実装可能にさせる実装用外部電極と、
上記実装用外部電極及び上記センサチップ及び上記集積回路チップ間を電気的に接続する、上記立体パッケージ表面に形成された配線とを備えてなり、
上記立体パッケージは、その表面のうち、上記一面に隣接する表面に、その厚み方向の全体を貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。 - 上記センサチップと上記集積回路チップは、上記立体パッケージの一部を挟んで相互に積み重なるように上記立体パッケージに搭載されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体力学量センサ。
- 上記センサチップは、上記立体パッケージの表面のうち、上記一面に直交する面に実装されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体力学量センサ。
- 上記貫通孔は、上記一面の一部を含んで形成されることで、上記一面側に開放されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
- 上記立体パッケージは、上記センサチップが実装される面の一部に凹部を有し、上記センサチップは、その凹部を挟んで少なくとも2箇所で当該面に実装されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体力学量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128216A JP2005308631A (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 半導体力学量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004128216A JP2005308631A (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 半導体力学量センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005308631A true JP2005308631A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=35437571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004128216A Pending JP2005308631A (ja) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 半導体力学量センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005308631A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173640A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | センサモジュールおよびその製造方法 |
WO2011104784A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | 変換体モジュール及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204308A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品と基板の接続体 |
JPH09257491A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Tokin Corp | 振動子ユニットの製造方法および圧電振動ジャイロ |
JP2001068692A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 受光ユニット |
JP2002022761A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電型加速度センサ |
-
2004
- 2004-04-23 JP JP2004128216A patent/JP2005308631A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204308A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品と基板の接続体 |
JPH09257491A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Tokin Corp | 振動子ユニットの製造方法および圧電振動ジャイロ |
JP2001068692A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 受光ユニット |
JP2002022761A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電型加速度センサ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173640A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | センサモジュールおよびその製造方法 |
WO2011104784A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | 変換体モジュール及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9212048B2 (en) | Hybridly integrated component and method for the production thereof | |
US9885626B2 (en) | Micromechanical sensor system and corresponding manufacturing method | |
US20100290199A1 (en) | Encapsulation Module Method for Production and Use Thereof | |
JP2008132587A (ja) | ウェハレベル真空パッケージデバイスの製造方法 | |
US20160013112A1 (en) | Sensor System Comprising a Ceramic Housing | |
TWI730094B (zh) | 壓電式封裝積體感測裝置 | |
JPH1194506A (ja) | センサ | |
US9725309B2 (en) | Micromechanical sensor device and corresponding manufacturing method | |
JP2007253323A (ja) | Mems構造用の一体化した台座マウント | |
US20150355220A1 (en) | Inertial sensor module having hermetic seal formed of metal and multi-axis sensor employing the same | |
JP2005127750A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
KR101060121B1 (ko) | 수직 및 수평 실장 겸용의 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2005308631A (ja) | 半導体力学量センサ | |
TWI651261B (zh) | 微機電裝置及製造方法 | |
US20150353345A1 (en) | Vertical Hybrid Integrated MEMS ASIC Component Having A Stress Decoupling Structure | |
JP2004361394A (ja) | 容量型力学量センサ | |
US10060944B2 (en) | Micromechanical sensor device and corresponding manufacturing method | |
JP2010027925A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造 | |
JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
US10723615B2 (en) | Sensor assembly and arrangement and method for manufacturing a sensor assembly | |
JP2005274219A (ja) | 半導体加速度センサ装置並びにその製造方法 | |
JP4466497B2 (ja) | センサモジュール | |
JP2010025822A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JP2021022680A (ja) | 配線基板、電子装置及び電子モジュール | |
US20160054352A1 (en) | Multi-axis sensor and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20091218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100330 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |