JP2005304160A - Pwmサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法 - Google Patents

Pwmサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】
各単方向半導体スイッチング素子に対して過電圧保護や過電流保護を行うことができるとともに、システムの小型化及び製造コストの削減が可能であるPWMサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】
各双方向スイッチSxy両端の電圧を検出するスイッチ両端電圧検出部11と、検出された各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEに基づいて、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2をPWMにより開閉制御するPWM開閉制御部13と、検出された両端電圧VCEに基づいて、各双方向スイッチSxyに対する過電圧を検出し、スイッチ過電圧保護信号14を生成するスイッチ過電圧検出部12とを備え、PWM開閉制御13が、スイッチ過電圧保護信号14に基づいて単方向半導体スイッチング素子T1及びT2の開閉制御を行うように構成される。
【選択図】 図4

Description

本発明は、PWMサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法に係り、さらに詳しくは、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて単方向半導体スイッチング素子をPWMにより開閉制御するとともに、各双方向スイッチに対する過電圧の検出を行うPWMサイクロコンバータ装置の改良に関する。
交流電源の電圧や周波数を変換して交流モーターなどに出力するのにPWMサイクロコンバータ装置が従来から用いられている。このPWM(Pulse Width Modulation)サイクロコンバータ(マトリックスコンバータともいう)装置は、3相交流を3相交流に直接変換するパワー変換装置であり、交流電源側の入力各相と出力側の各相とをマトリックス状に接続する複数の双方向スイッチにより構成される。
各双方向スイッチは、一対の単方向半導体スイッチング素子からなり、入力電圧及び出力電流に基づいて各単方向半導体スイッチング素子の開閉制御が行われる。単方向半導体スイッチング素子は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などの電圧制御方式のトランジスタからなり、閉状態の場合に電流を一方向(順方向)に流すことができる。各単方向半導体スイッチング素子は、出力電圧を安定化させるためのPWM制御に基づいて開閉駆動される。PWM制御では、入力電圧及び出力電流に基づいて、各単方向半導体スイッチング素子を開状態に保持する期間と閉状態に保持する期間との割合を調節することにより、出力電圧が安定化される。
一般に、この様なPWMサイクロコンバータ装置において、各単方向半導体スイッチング素子に対してPWM制御を行うためには、入力相間の電圧を入力電圧としてそれぞれ検出する必要があった。また、各単方向半導体スイッチング素子を過電圧から保護しようとすると、スイッチング素子両端の電圧をそれぞれ検出しなければならない。また、各単方向半導体スイッチング素子を過電流から保護したい場合、スイッチング素子が閉状態を保持したまま動作しなくなるようなオン故障を考慮すれば、交流電源側の入力ラインにおいて電流をそれぞれ検出しなければならなかった。
特開平11−146649号公報 特開2000−139076号公報
上述した従来のPWMサイクロコンバータ装置では、各単方向半導体スイッチング素子に対してPWM制御や、過電圧保護、過電流保護を行おうとすると、それぞれの動作に応じて電圧及び電流の検出を行わなければならなかった。このため、多数の検出装置が必要となるなどシステムが複雑化するので、システムが大型化するとともに、製造コストが増大してしまうという問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、各単方向半導体スイッチング素子に対してPWM制御や過電圧保護を行うことができるとともに、システムの小型化及び製造コストの削減が可能であるPWMサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法を提供することを目的としている。特に、各双方向スイッチ両端の電圧に基づいて、PWM制御、過電圧保護及び過電流保護を実現することができるPWMサイクロコンバータ装置を提供することを目的としている。
また、電源入力が短絡した場合に各単方向半導体スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができるPWMサイクロコンバータ装置を提供することを目的としている。特に、単方向半導体スイッチング素子にオン故障が生じた場合であっても、当該スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができるPWMサイクロコンバータ装置を提供することを目的としている。
本発明によるPWMサイクロコンバータ装置は、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置であって、上記各双方向スイッチ両端の電圧を検出するスイッチ両端電圧検出手段と、検出された上記各双方向スイッチの両端電圧に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子をPWMにより開閉制御するPWM開閉制御手段と、検出された上記双方向スイッチの両端電圧に基づいて、上記各双方向スイッチに対する過電圧を検出し、スイッチ過電圧保護信号を生成する過電圧検出手段とを備え、上記PWM開閉制御手段が、上記スイッチ過電圧保護信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うように構成される。
この様な構成によれば、各双方向スイッチ両端の電圧が検出され、この双方向スイッチの両端電圧に基づいて各単方向半導体スイッチング素子に対するPWM制御及び過電圧検出が行われるので、それぞれの動作に応じて電圧検出を行わなくても、PWM制御及び過電圧保護を同時に実現することができる。従って、PWMサイクロコンバータ装置を簡素化することができるので、システムを小型化することができるとともに、製造コストを削減することができる。
本発明によるPWMサイクロコンバータ装置は、上記構成に加え、上記各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて上記PWMによる開閉制御を監視し、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合にスイッチ過電流保護信号を生成するPWM制御監視手段により構成される。この様な構成によれば、各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて開閉制御が監視されるので、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合に各スイッチング素子に対する過電流保護を実行させることができる。従って、新たに電流検出を行わなくても、電源入力が短絡した場合に各単方向半導体スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができ、PWM制御、過電圧保護及び過電流保護を同時に実現することができる。
また、本発明によるPWMサイクロコンバータ装置は、上記構成に加え、上記単方向半導体スイッチング素子が閉状態である場合、当該単方向半導体スイッチング素子について検出された両端電圧に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成する第1の過電流検出手段により構成される。この様な構成によれば、単方向半導体スイッチング素子について検出された両端電圧に基づいて各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流の検出が行われるので、新たに電流検出を行わなくても、単方向半導体スイッチング素子にオン故障が生じた場合に当該スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができ、PWM制御、過電圧保護及び過電流保護を同時に実現することができる。
本発明による検出装置は、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、上記各双方向スイッチの両端の電圧に基づいて、上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御に用いられる入力相間の電圧を求めるように構成される。
本発明による検出装置は、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、上記各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を監視し、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合にスイッチ過電流保護信号を生成するように構成される。
本発明による検出装置は、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、上記単方向半導体スイッチング素子が閉状態である場合、当該単方向半導体スイッチング素子の両端の電圧に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成するように構成される。
本発明による制御方法は、交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置による過電流検出時における制御方法であって、上記各双方向スイッチの両端の電圧に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子をPWMにより開閉制御するPWM開閉制御ステップと、上記PWMによる開閉制御に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子を開閉駆動するスイッチング素子開閉駆動ステップと、上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成する過電流検出ステップとからなり、上記スイッチング素子開閉駆動ステップが、上記スイッチ過電流保護信号に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子を所定期間開状態に保持するステップであるように構成される。
本発明によるPWMサイクロコンバータ装置、検出装置及び制御方法によれば、各双方向スイッチ両端の電圧に基づいて、各単方向半導体スイッチング素子に対するPWM制御及び過電圧検出が行われるので、それぞれの動作に応じて電圧検出を行わなくても、PWM制御及び過電圧保護を同時に実現することができる。従って、PWMサイクロコンバータ装置を簡素化することができるので、システムを小型化することができるとともに、製造コストを削減することができる。
また、各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて、各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流保護を実行させることができるので、新たに電流検出を行わなくても、電源入力が短絡した場合に各単方向半導体スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができる。また、単方向半導体スイッチング素子について検出された両端電圧に基づいて各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流の検出が行われるので、新たに電流検出を行わなくても、単方向半導体スイッチング素子にオン故障が生じた場合に当該スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるPWMサイクロコンバータ装置の概略構成の一例を示したブロック図である。本実施の形態によるPWMサイクロコンバータ装置1は、交流電源2の電圧や周波数を変換して交流モーター5に出力するパワー変換装置であり、例えば、3相交流を3相交流に直接変換している。その際、入出力相間の各電圧に基づいてPWM制御及び過電圧検出が行われる。
このPWMサイクロコンバータ装置1は、交流電源2、交流ラインフィルタ3、PWMサイクロコンバータ4、交流モーター(M)5、コントローラユニット6及びゲートドライバユニット7により構成される。
交流電源2は、3相交流電圧を生成する電力供給手段である。生成した3相交流電圧は、交流ラインフィルタ3へ出力され、相ごとのノイズ除去処理が行われる。PWMサイクロコンバータ4は、入力電圧の電圧レベルや周波数を変換するパワー変換回路であり、相ごとの入力ライン(R,S,T)を介して交流ラインフィルタ3から入力される3相入力電圧について変換処理を行っている。このPWMサイクロコンバータ4は、各入力ラインと各出力ラインとをマトリックス状に直接接続する複数の双方向スイッチにより構成される。各双方向スイッチは、一対の単方向半導体スイッチング素子からなる。
3相入力電圧の変換処理は、ゲートドライバユニット7から入力されるゲート駆動信号に基づいて行われる。変換処理後の電圧は、相ごとの出力ライン(U,V,W)を介して交流モーター5へ出力される。交流モーター5は、この3相出力電圧に基づいて回転駆動を行っている。
コントローラユニット6は、各単方向半導体スイッチング素子の開閉制御(ゲート駆動制御)や、各双方向スイッチ両端の電圧検出、各双方向スイッチに対する過電圧検出を行う制御用ICである。各双方向スイッチ両端の電圧検出は、入出力相間の各電圧を検出することにより行われる。すなわち、入力ライン及び出力ライン間の各電圧が双方向スイッチの両端電圧として検出される。これらの双方向スイッチの両端電圧に基づいて、単方向半導体スイッチング素子の開閉制御、及び双方向スイッチに対する過電圧検出が行われる。
単方向半導体スイッチング素子の開閉制御は、PWM方式により行われ、PWM制御信号がゲートドライバユニット7へ出力される。このPWM方式は、制御用の電圧信号のパルス幅を変調させることにより、単方向半導体スイッチング素子の出力電圧を安定化させる制御方式である。すなわち、単方向半導体スイッチング素子を開状態(ゲートオフ状態)に保持する期間と、閉状態(ゲートオン状態)に保持する期間との割合を調節することにより、各スイッチング素子の出力電圧を一定に保つことができる。
ゲートドライバユニット7は、各単方向半導体スイッチング素子を開閉駆動(ゲート駆動)するための複数のドライバ回路からなり、単方向半導体スイッチング素子ごとにゲート駆動信号を出力している。ゲート駆動信号は、コントローラユニット6からのPWM制御信号に基づいて生成され、各単方向半導体スイッチング素子のゲートをオンオフさせる電圧信号からなる。
図2及び図3は、図1のPWMサイクロコンバータ装置における要部詳細の一例を示した回路図であり、図2には、各入力ライン(R,S,T)と各出力ライン(U,V,W)とをマトリックス状に直接接続する複数の双方向スイッチSxy(x=r,s,t,y=u,v,w)からなるPWMサイクロコンバータ4が示され、図3には、一対の単方向半導体スイッチング素子T1及びT2からなる双方向スイッチSxyが示されている。
このPWMサイクロコンバータ4は、3つの入力ライン(R,S,T)と3つの出力ライン(U,V,W)とをマトリックス状に直接接続する9つの双方向スイッチSxy(x=r,s,t,y=u,v,w)からなる。各双方向スイッチSxyは、互いに逆方向を順方向とする2つの単方向半導体スイッチング素子T1及びT2からなり、ゲートドライバユニット7からのゲート駆動信号をスイッチング素子ごとに伝送するためのゲートバスラインがそれぞれ設けられている。
単方向半導体スイッチング素子T1及びT2は、閉状態(ゲートオン状態)の場合に電流を一方向(順方向)に流すことができる半導体素子であり、IGBTやMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)などの電圧制御方式のトランジスタを用いることができる。IGBTは、MOSFETをバイポーラトランジスタのゲートとして組み込んだ複合素子である。ここでは、高耐圧で大電流を流すことができるIGBTがスイッチング素子として用いられるものとする。各IGBTは、ゲートドライバユニット7からゲートバスラインを介して入力されるゲート駆動信号によりオンオフされる。また、単方向半導体スイッチング素子T1は、入力ラインから出力ラインへ向けた方向を順方向とし、単方向半導体スイッチング素子T2は、出力ラインから入力ラインへ向けた方向を順方向としている。
この様な単方向半導体スイッチング素子T1及びT2からなる双方向スイッチSxyの両端の電圧が入出力相間の電圧として検出される。すなわち、IGBTにおけるコレクタ−エミッタ間の電圧が入力ライン及び出力ライン間の電圧(電位差)VCEとして検出される。ここでは、出力ラインに対する入力ラインの電圧(電位)を正とし、双方向スイッチSxyごとにコレクタ−エミッタ間の電圧VCEがそれぞれ検出される。
図4は、図1のPWMサイクロコンバータ装置における要部詳細の一例を示したブロック図であり、各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEを検出し、この両端電圧VCEに基づいて各IGBTに対する開閉制御及び過電圧検出処理を行うコントローラユニット6が示されている。
このコントローラユニット6は、スイッチ両端電圧検出部11、スイッチ過電圧検出部12及びPWM開閉制御部13により構成される。スイッチ両端電圧検出部11は、各双方向スイッチSxyの両端電圧(コレクタ−エミッタ間電圧)VCEを計測する電圧計測手段である。この両端電圧VCEは、入力ライン及び出力ライン間の電圧として双方向スイッチSxyごとに検出され、スイッチ過電圧検出部12及びPWM開閉制御部13へ出力される。
スイッチ過電圧検出部12は、スイッチ両端電圧検出部11からの両端電圧VCEに基づいて各双方向スイッチSxyに対する過電圧の判別を行う過電圧判別手段である。この過電圧判別は、両端電圧VCEを双方向スイッチSxyごとに所定の閾値と比較することにより行われ、比較結果に基づいてスイッチ過電圧保護信号14が生成される。VCEの閾値は、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2の耐圧に基づいて定められる。
例えば、ある双方向スイッチSxyについて、両端電圧VCEの絶対値が一定レベルを超えた場合、当該双方向スイッチSxyに関して過電圧状態であるとみなし、スイッチ過電圧保護信号14が出力される。
PWM開閉制御部13は、スイッチ両端電圧検出部11からの両端電圧VCE及びスイッチ過電圧保護信号14に基づいて、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対する開閉制御を行っている。PWM開閉制御部13は、両端電圧VCEを入力電圧としてPWM制御を行っており、ゲートドライバユニット7へPWM制御信号15を出力している。
このPWM開閉制御部13では、スイッチ過電圧検出部12から入力されるスイッチ過電圧保護信号14に基づいて過電圧保護処理が行われる。例えば、ある双方向スイッチSxyについて過電圧状態が検出された場合、当該双方向スイッチSxyを開状態に保持させる制御が行われる。或いは、当該双方向スイッチSxyに対する入力電圧を遮断又は抑制する制御が行われる。もしくは、交流電源2からの電力供給を休止させる制御が行われる。これにより、双方向スイッチSxyに過電圧が印加されるのを抑制することができるので、双方向スイッチSxyが破損するのを防止することができる。
本実施の形態によれば、各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEが検出され、この両端電圧VCEに基づいて各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対するPWM制御及び過電圧検出が行われるので、それぞれの動作に応じて電圧検出を行わなくても、PWM制御及び過電圧保護を同時に実現することができる。従って、PWMサイクロコンバータ装置1を簡素化することができるので、システムを小型化することができるとともに、製造コストを削減することができる。
実施の形態2. 実施の形態1では、各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEを入力電圧としてPWM制御が行われる場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEに基づいて入力相間の電圧を求め、この入力相間の各電圧に基づいてPWM制御を行う場合について説明する。
図5は、本発明の実施の形態2によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。本実施の形態によるコントローラユニット20は、図4のコントローラユニット6(実施の形態1)と比較すれば、入力電圧検出部21を備えている点で異なる。
この入力電圧検出部21は、各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEから入力相間の電圧を求める入力電圧算出手段である。すなわち、スイッチ両端電圧検出部11により各双方向スイッチSxyについて検出された両端電圧VCEのうち、出力ラインが共通である3つの両端電圧VCEに基づいて、入力ライン間の各電圧(相間電圧)が算出される。
例えば、出力ライン(U)に着目し、双方向スイッチSru,Ssu及びStuについて検出された両端電圧をそれぞれVCEru,VCEsu及びVCEtuとすると、これらの両端電圧から相間電圧VRS,VST及びVTRが次式(1)により算出される。
Figure 2005304160
上式(1)では、両端電圧VCEru,VCEsu及びVCEtuの差から各相間電圧VRS,VST及びVTRを求めている。PWM開閉制御部13では、入力電圧検出部21により算出された各相間電圧VRS,VST及びVTRを制御用状態量としてPWM制御が行われる。
図6は、図5のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示した回路図であり、3つの両端電圧VCEru,VCEsu及びVCEtuから相間電圧VRS,VST及びVTRを生成する入力電圧検出部21が示されている。両端電圧VCEru及びVCEsuから電圧計22により相間電圧VRSが生成される。同様に、両端電圧VCEsu及びVCEtuから電圧計23により相間電圧VSTが生成され、両端電圧VCEtu及びVCEruから電圧計24により相間電圧VTRが生成される。
本実施の形態によれば、両端電圧VCEから制御用状態量としての相間電圧が求められ、この相間電圧に基づいてPWM制御が行われるので、相間電圧を直接検出する必要がなく、PWMサイクロコンバータ装置の小型化に効果的である。
実施の形態3. 実施の形態1及び2では、両端電圧VCEに基づいて双方向スイッチSxyに対する過電圧保護処理が行われる場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、PWM開閉制御部13により出力されるPWM制御信号15に基づいて、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対する過電流保護を行う場合について説明する。
図7は、本発明の実施の形態3によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。本実施の形態によるコントローラユニット30は、図5のコントローラユニット20(実施の形態2)と比較すれば、PWM制御監視部31を備えている点で異なる。
このPWM制御監視部31は、PWM開閉制御部13により出力されるPWM制御信号15に基づいてPWMによる開閉制御の監視を行っている。すなわち、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2において、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合、PWM制御エラーであるとしてスイッチ過電流保護信号32が生成される。
一般に、PWMサイクロコンバータ4において許容範囲を超える電流が流れる可能性があるのは、入力相間、すなわち、入力ライン間が短絡したときであると考えられる。そこで、PWMによる開閉制御を監視し、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせを検出することにより、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に過電流が流れるのを防止することができる。
入力相間を短絡させる開閉の組み合わせは、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対するゲート駆動信号(電圧信号)をそれぞれT1xy及びT2xy(x=r,s,t,y=u,v,w)とし、入力相間の電圧(線間電圧)Vxにおける極性判定用の信号をDVx(x,x=r,s,t)とすれば、次式(2)に基づいて判別することができる。
Figure 2005304160
上式(2)において、各ゲート駆動信号は、電圧レベルがハイ(High)である場合に閉状態(ゲートオン状態)を保持させる信号である。式(2)は、ソフトウェアにより生成されたマトリックスコンバータのスイッチングパターンと、線間電圧の関係から、電源短絡のパターンの発生を検出するためのものである。これによって、マトリックスコンバータへのスイッチングパターンを遮断し、短絡を未然に防ぐことができる。
PWM制御監視部31は、式(2)に基づいてPWM制御エラーを検出すると、スイッチ過電流保護信号32をPWM開閉制御部13へ出力する。PWM開閉制御部13では、このスイッチ過電流保護信号32に基づいて各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対する開閉制御が行われ、過電流保護処理が実行される。
図8及び図9は、図7のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示した回路図であり、図8には、論理積回路(AND回路)33及び論理和回路(OR回路)34からなるPWM制御エラー検出回路35が示され、図9には、極性判定用の信号DVxを出力するコンパレータ36が示されている。このPWM制御エラー検出回路35は、式(2)に基づいて構成される。各ゲート駆動信号の入力に対し、出力の電圧レベルがハイとなった場合に、PWM制御エラーが検出される。図中の36は、線間電圧Vxにおける極性判定用のコンパレータである。このコンパレータ36により、極性判定用の信号DVxが出力される。極性が+(プラス)の場合、信号DVxは正となる。
本実施の形態によれば、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対するPWM制御信号15に基づいて開閉制御が監視され、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合に各スイッチング素子に対する過電流保護処理が実行されるので、新たに電流検出を行わなくても、電源入力が短絡した場合に各スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができる。
実施の形態4. 実施の形態3では、PWMによる開閉制御を監視することにより双方向スイッチSxyに対する過電流が検出される場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、双方向スイッチSxyの両端電圧VCE及び出力側の負荷を流れる負荷電流を監視することにより過電流検出を行う場合について説明する。
図10は、本発明の実施の形態4によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。本実施の形態によるコントローラユニット40は、図7のコントローラユニット30(実施の形態3)と比較すれば、第1の過電流検出部44、出力負荷電流検出部41及び第2の過電流検出部42を備えている点で異なる。
第1の過電流検出部44は、双方向スイッチSxyの両端電圧VCEに基づいて各双方向スイッチSxyに対する過電流を判別し、スイッチ過電流保護信号45を出力する過電流判別手段である。一般に、短絡電流のような大電流が双方向スイッチSxyを流れる場合、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2の両端電圧VCE、すなわち、IGBTのコレクタ−エミッタ間電圧が通常のゲートオン時よりも高くなる。このことを利用して、双方向スイッチSxyに対する過電流の検出が行われる。
第1の過電流検出部44は、スイッチ両端電圧検出部11から入力される各双方向スイッチSxyの両端電圧VCEと所定の閾値VREFとを比較するとともに、閉状態(ゲートオン状態)が保持される双方向スイッチSxyを判別することにより、過電流検出を行っている。
両端電圧VCEの閾値VREFは、通常のゲートオン時における各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2の両端電圧VCEに基づいてスイッチング素子ごとに定められる。また、双方向スイッチSxyにおける閉状態の判別は、ゲートドライバユニット7から入力されるゲート駆動信号に基づいて行われる。つまり、閉状態となる双方向スイッチSxyについて両端電圧VCEが閾値VREFを超える場合に、当該双方向スイッチSxyに対して過電流であるとみなされる。この過電流の判定条件は、次式(3)により表すことができる。
(VCE>VREF)∩ゲートオン状態・・(3)
PWM開閉制御部13では、第1の過電流検出部44から入力されるスイッチ過電流保護信号45に基づいて各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対する開閉制御が行われ、過電流保護処理が実行される。また、スイッチ過電流保護信号45は、第1の過電流検出部44から直接にゲートドライバユニット7へ出力され、ゲートドライバユニット7において、各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2を所定期間開状態に保持するゲート駆動信号が生成される。
この様な過電流検出を行うことにより、スイッチング素子に対する過電流が直接に検出されるので、単方向半導体スイッチング素子T1及びT2がオン故障したり、ゲートドライバユニット7に不具合が生じた場合であっても、電源短絡時に短絡電流が流れるのを防止することができる。従って、開閉制御を監視することによる過電流の検出と、双方向スイッチSxyの両端電圧VCEによる過電流の検出とを行うことにより、異常が生じた場合に、制御用IC(ソフト)側の不具合であるのか、スイッチング素子やゲートの駆動回路(ハード)側の不具合であるのかを容易に判別することができる。
また、スイッチ過電流保護信号45が直接にゲートドライバユニット7に出力され、各スイッチング素子のゲートをオフ状態とするゲート駆動が行われるので、PWM開閉制御部13による過電流保護処理の開始に先立って過電流保護対策を行うことができる。例えば、PWM開閉制御部13に異常を伝達するのにタイムラグがある場合に、過電流保護をより早く実行することができる。
出力負荷電流検出部41は、出力側の負荷を流れる電流の検出を行っている。この負荷電流の検出は、相ごとに、すなわち、出力ラインごとに行われる。例えば、図示しない変流器を介して負荷電流の検出が行われる。検出された負荷電流は、開閉制御に係る制御用状態量としてPWM開閉制御部13へ出力されるとともに、第2の過電流検出部42へ出力される。
第2の過電流検出部42は、出力負荷電流検出部41により検出された負荷電流に基づいて、各双方向スイッチSxyに対する過電流を判別し、スイッチ過電流保護信号43を出力する過電流判別手段である。一般に、電源短絡時以外にスイッチング素子に過電流が流れる場合、その過電流は出力側の負荷を介して流れると考えられる。そこで、この負荷電流を検出することにより過電流を判別することができる。例えば、出力負荷電流検出部41から入力される負荷電流がある出力ラインについて所定の閾値を超える場合に、当該出力ラインに接続する双方向スイッチSxyに対して過電流であるとみなされる。
PWM開閉制御部13では、第2の過電流検出部42から入力されるスイッチ過電流保護信号43に基づいて各単方向半導体スイッチング素子T1及びT2に対する開閉制御が行われ、過電流保護処理が実行される。これにより、電源短絡時以外に過電流が流れるような場合であっても、各双方向スイッチSxyに対して過電流が流れるのを効果的に防止することができる。なお、第2の過電流検出部42によるスイッチ過電流保護信号43が直接にゲートドライバユニット7へ出力されるようにしても良い。このようにすれば、より早く過電流保護対策を行うことができる。
図11は、図10のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示したブロック図であり、比較部46及び電流短絡判定部47からなる第1の過電流検出部44が示されている。比較部46は、スイッチ両端電圧検出部11により検出された双方向スイッチSxyの両端電圧VCE、すなわち、コレクタ−エミッタ間電圧を閾値VREFと比較し、その比較結果を出力している。
電流短絡判定部47は、この比較結果と、ゲートドライバユニット7から入力されるゲート駆動信号とに基づいて各双方向スイッチT1及びT2に対する過電流を判別し、スイッチ過電流保護信号45の出力を行っている。
図12のステップS101〜S105は、図10のPWMサイクロコンバータ装置における過電流保護動作の一例を示したフローチャートである。まず、第1の過電流検出部44は、スイッチング素子のコレクタ−エミッタ間電圧に基づいて双方向スイッチSxyに対する過電流を検出すると、スイッチ過電流保護信号45を生成する(ステップS101,S102)。このスイッチ過電流保護信号45は、ゲートドライバユニット7及びPWM開閉制御部13に出力され、過電流保護処理が行われる。
ゲートドライバユニット7は、スイッチ過電流保護信号45に基づいてスイッチング素子のゲートを所定期間だけオフ状態に保持するゲート駆動信号を出力する(ステップS103,S104)。所定期間が経過すると、PWM開閉制御部13による過電流保護動作が開始される(ステップS105)。
本実施の形態によれば、単方向半導体スイッチング素子T1及びT2について検出された両端電圧VCEに基づいて各スイッチング素子に対する過電流の検出が行われるので、新たに電流検出を行わなくても、スイッチング素子にオン故障が生じた場合や、ゲートの駆動回路に不具合が生じた場合であっても、スイッチング素子に過電流が流れるのを防止することができ、PWM制御、過電圧保護及び過電流保護を同時に実現することができる。
本発明の実施の形態1によるPWMサイクロコンバータ装置の概略構成の一例を示したブロック図である。 図1のPWMサイクロコンバータ装置における要部詳細の一例を示した回路図である。 図1のPWMサイクロコンバータ装置における要部詳細の一例を示した回路図である。 図1のPWMサイクロコンバータ装置における要部詳細の一例を示したブロック図である。 本発明の実施の形態2によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。 図5のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示した回路図である。 本発明の実施の形態3によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。 図7のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示した回路図である。 図7のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示した回路図である。 本発明の実施の形態4によるPWMサイクロコンバータ装置におけるコントローラユニットの構成例を示したブロック図である。 図9のコントローラユニットにおける要部詳細の一例を示したブロック図である。 図9のPWMサイクロコンバータ装置における過電流保護動作の一例を示したフローチャートである。
符号の説明
1 PWMサイクロコンバータ装置、2 交流電源、3 交流ラインフィルタ、
4 PWMサイクロコンバータ、5 交流モーター、
6,20,30,40 コントローラユニット、7 ゲートドライバユニット、
11 スイッチ両端電圧検出部、12 スイッチ過電圧検出部、13 PWM開閉制御部、21 入力電圧検出部、31 PWM制御監視部、35 PWM制御エラー検出回路、
36 コンパレータ、41 出力負荷電流検出部、42 第2の過電流検出部、
44 第1の過電流検出部、46 比較部、47 電流短絡判定部、
Sxy 双方向スイッチ、T1,T2 単方向半導体スイッチング素子

Claims (11)

  1. 交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置において、
    上記各双方向スイッチ両端の電圧を検出するスイッチ両端電圧検出手段と、
    検出された上記各双方向スイッチの両端電圧に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子をPWMにより開閉制御するPWM開閉制御手段と、
    検出された上記双方向スイッチの両端電圧に基づいて、上記各双方向スイッチに対する過電圧を検出し、スイッチ過電圧保護信号を生成する過電圧検出手段とを備え、
    上記PWM開閉制御手段は、上記スイッチ過電圧保護信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うことを特徴とするPWMサイクロコンバータ装置。
  2. 検出された上記各双方向スイッチの両端電圧に基づいて、入力相間の電圧を求める入力電圧検出手段を備え、
    上記PWM開閉制御手段は、求められた入力相間の相間電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うことを特徴とする請求項1に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  3. 上記各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて上記PWMによる開閉制御を監視し、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合にスイッチ過電流保護信号を生成するPWM制御監視手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  4. 上記単方向半導体スイッチング素子が閉状態である場合、当該単方向半導体スイッチング素子について検出された両端電圧に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成する第1の過電流検出手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  5. 上記PWM開閉制御手段は、上記スイッチ過電流保護信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うことを特徴とする請求項3又は4に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  6. 上記PWMによる開閉制御に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子を開閉駆動するスイッチング素子開閉駆動手段を備え、
    上記スイッチング素子開閉駆動手段は、上記スイッチ過電流保護信号に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子を所定期間開状態に保持することを特徴とする請求項3又は4に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  7. 出力側の負荷を流れる電流を相ごとに検出する負荷電流検出手段と、
    検出された上記負荷電流に基づいて上記各双方向スイッチに対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成する第2の過電流検出手段とを備え、
    上記PWM開閉制御手段は、検出された上記負荷電流及び上記スイッチ過電流保護信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うことを特徴とする請求項1に記載のPWMサイクロコンバータ装置。
  8. 交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、
    上記各双方向スイッチの両端の電圧に基づいて、上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御に用いられる入力相間の電圧を求めることを特徴とするPWMサイクロコンバータ装置用の検出装置。
  9. 交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、
    上記各単方向半導体スイッチング素子に対する制御信号に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を監視し、入力相間を短絡させる開閉の組み合わせの場合にスイッチ過電流保護信号を生成することを特徴とするPWMサイクロコンバータ装置用の検出装置。
  10. 交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置に設けられる検出装置であって、
    上記単方向半導体スイッチング素子が閉状態である場合、当該単方向半導体スイッチング素子の両端の電圧に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成することを特徴とするPWMサイクロコンバータ装置用の検出装置。
  11. 交流電源側の入力各相と出力側の各相とを一対の単方向半導体スイッチング素子からなる複数の双方向スイッチによりマトリックス状に直接接続し、入力電圧に基づいて上記単方向半導体スイッチング素子の開閉制御を行うPWMサイクロコンバータ装置による過電流検出時における制御方法であって、
    上記各双方向スイッチの両端の電圧に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子をPWMにより開閉制御するPWM開閉制御ステップと、
    上記PWMによる開閉制御に基づいて、上記各単方向半導体スイッチング素子を開閉駆動するスイッチング素子開閉駆動ステップと、
    上記各単方向半導体スイッチング素子に対する過電流を検出し、スイッチ過電流保護信号を生成する過電流検出ステップとからなり、
    上記スイッチング素子開閉駆動ステップは、上記スイッチ過電流保護信号に基づいて上記各単方向半導体スイッチング素子を所定期間開状態に保持するステップであることを特徴とするPWMサイクロコンバータ装置における制御方法。



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