JP2005303187A - Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment - Google Patents
Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005303187A JP2005303187A JP2004120288A JP2004120288A JP2005303187A JP 2005303187 A JP2005303187 A JP 2005303187A JP 2004120288 A JP2004120288 A JP 2004120288A JP 2004120288 A JP2004120288 A JP 2004120288A JP 2005303187 A JP2005303187 A JP 2005303187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light intensity
- intensity distribution
- laser
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体レーザ装置の検査装置における調整に適用され、半導体レーザ装置から出射したレーザ光の強度分布特性を用いて、装置および光学系の調整を行う調整方法に関するものである。 The present invention is applied to adjustment in an inspection apparatus for a semiconductor laser device, and relates to an adjustment method for adjusting an apparatus and an optical system using intensity distribution characteristics of laser light emitted from the semiconductor laser device.
光ディスクのピックアップに利用されている半導体レーザ装置は、内部に半導体レーザ素子と受光素子が搭載されており、半導体レーザ装置の上部にはホログラム素子が搭載されている。半導体レーザ装置から出射されたレーザ光は、特願2003−405854号明細書に記載されているような検査装置上で、コリメートレンズ,アクチュエータを通過し、光ディスク面にて反射して戻り、半導体レーザ装置内部の受光素子にて受光される。この受光部で検出される光信号出力を組み合わせて、再生信号,フォーカスエラー信号,トラッキングエラー信号を生成し、これらを数値化することにより、半導体レーザ装置の良否判定を行っている。 A semiconductor laser device used for picking up an optical disc has a semiconductor laser element and a light receiving element mounted therein, and a hologram element is mounted on the semiconductor laser device. Laser light emitted from the semiconductor laser device passes through a collimating lens and an actuator on an inspection device as described in Japanese Patent Application No. 2003-405854, and is reflected by the optical disk surface to return to the semiconductor laser. Light is received by a light receiving element inside the apparatus. The optical signal output detected by the light receiving unit is combined to generate a reproduction signal, a focus error signal, and a tracking error signal, and the quality of the semiconductor laser device is determined by quantifying them.
次に、従来の半導体レーザ装置の検査装置の調整方法について説明する。 Next, a method for adjusting a conventional inspection apparatus for a semiconductor laser device will be described.
従来の検査装置で用いられるコリメートレンズは、半導体レーザの出射光をビーム整形するように作用し、半導体レーザ装置に対して、X−Y位置,傾きおよび距離が高精度に調整されている必要がある。 The collimating lens used in the conventional inspection apparatus acts to shape the beam emitted from the semiconductor laser, and the XY position, tilt, and distance need to be adjusted with high accuracy with respect to the semiconductor laser apparatus. is there.
コリメートレンズのXY位置あるいは傾きの調整については、コリメートレンズがビーム整形した平行光を、オートコリメータを用いて角度を測定し、半導体レーザ装置に対して傾きがないようにコリメートレンズのXY位置と傾きの調整を行っている。 Regarding the adjustment of the XY position or tilt of the collimator lens, the angle of collimated beam shaped by the collimator lens is measured using an autocollimator, and the XY position and tilt of the collimator lens so that there is no tilt with respect to the semiconductor laser device. Adjustments are being made.
しかし、従来の技術では、オートコリメータは、レーザ光の角度測定はできるが、光軸の中心位置測定ができないため、図6に示すように、半導体レーザ装置1の位置決め装置2が傾いてもコリメートレンズ3の位置で補正することができてしまうことから、光ピックアップ装置と等価な理想の光学ユニットを有する検査装置を構成することが困難であった。したがって、基準の検査装置と所望の相関関係が得られるまでに、大幅な調整時間を要していた。
However, in the conventional technique, the autocollimator can measure the angle of the laser beam, but cannot measure the center position of the optical axis. Therefore, even if the
本発明は、前記従来技術の課題を解決し、半導体レーザ装置の検査装置の光学ユニットの調整において、高精度かつ短期間で調整することを可能にする調整方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art and to provide an adjustment method that enables high-precision and short-time adjustment in adjustment of an optical unit of an inspection apparatus for a semiconductor laser device.
前記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置の検査装置における調整方法は、半導体レーザ装置の位置決め装置と、半導体レーザ装置から出射したレーザ光を整形する光学素子を有する半導体レーザ装置の検査装置において、半導体レーザ装置から光学素子を通るレーザ光路延長線上に入射されるレーザ光の光強度分布を測定する光強度測定器を配置する半導体レーザ装置の検査装置の調整方法であって、光学素子をレーザ光路から外して、第1の光強度分布が所望の分布になるように、位置決め装置のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程と、光学素子をレーザ光路に入れて、第2の光強度分布が所望の分布になるように光学素子のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, an adjustment method in an inspection apparatus for a semiconductor laser device according to the present invention includes a positioning apparatus for a semiconductor laser device and an inspection apparatus for a semiconductor laser device having an optical element for shaping laser light emitted from the semiconductor laser device. In the method of adjusting a semiconductor laser device inspection apparatus, wherein a light intensity measuring device for measuring a light intensity distribution of laser light incident on a laser light path extension line passing through the optical element from the semiconductor laser device is disposed, Adjusting the position and inclination in a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the positioning device so that the first light intensity distribution becomes a desired distribution by removing from the laser optical path; In a two-dimensional direction on a plane substantially perpendicular to the laser beam of the optical element so that the second light intensity distribution becomes a desired distribution, and Characterized by a step of adjusting the can.
ここで、光学素子をレーザ光路から外して、第1の光強度分布がレーザ光の光軸に対して対称な分布になるように位置決め装置のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程と、光学素子をレーザ光路に入れて、第2の光強度分布がレーザ光の光軸に対して対称な分布になり、かつ第1の光強度分布の重心と第1の光強度分布の重心とが一致するように、光学素子のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有するものであってよい。 Here, the optical element is removed from the laser beam path, and the position in the two-dimensional direction on a plane substantially perpendicular to the laser beam of the positioning device is set so that the first light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser beam. And the step of adjusting the inclination, the optical element is put in the laser beam path, the second light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser beam, and the center of gravity of the first light intensity distribution and the first And adjusting the position and inclination of the two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the optical element so that the center of gravity of the light intensity distribution of the optical element coincides.
また、光学素子をレーザ光路から外して、第1の光強度分布がレーザ光の光軸に対して対称な分布になるように位置決め装置のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程と、光学素子をレーザ光路に入れて、第2の光強度分布がレーザ光の光軸に対して対称な分布になり、かつ第1の光強度分布のピークと第1の光強度分布のピークとが一致するように、光学素子のレーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有するものであってもよい。 Further, the optical element is removed from the laser beam path, and the position in the two-dimensional direction on a plane substantially perpendicular to the laser beam of the positioning device is set so that the first light intensity distribution is symmetrical with respect to the optical axis of the laser beam. The step of adjusting the tilt, the optical element is placed in the laser light path, the second light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser light, and the peak of the first light intensity distribution and the first There may be included a step of adjusting the position and inclination in a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the optical element so that the peak of the light intensity distribution matches.
このように、本発明に係わる半導体レーザ装置の検査装置における調整方法により、コリメートレンズがない状態で光強度分布測定器を用いて、半導体レーザ装置から出射したレーザ光の光強度分布を測定し、さらにコリメートレンズをレーザ光の光路に挿入した状態で光強度分布測定器を用いて、レーザ装置から出射したレーザ光の光強度分布を測定し、両者の光強度分布の重心あるいはピーク位置が一致するように、コリメートレンズのX−Y位置(レーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置)を調整し、かつ強度分布の対称性でコリメートレンズの傾きを調整する。 Thus, by the adjustment method in the inspection apparatus of the semiconductor laser device according to the present invention, the light intensity distribution of the laser beam emitted from the semiconductor laser device is measured using the light intensity distribution measuring device without the collimating lens, Furthermore, the light intensity distribution of the laser light emitted from the laser device is measured using a light intensity distribution measuring instrument with the collimating lens inserted in the optical path of the laser light, and the center of gravity or peak position of the light intensity distribution of both coincides. In this manner, the XY position of the collimating lens (the position in the two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam) is adjusted, and the inclination of the collimating lens is adjusted by the symmetry of the intensity distribution.
本発明によれば、半導体レーザ装置の検査装置の調整において、強度分布特性からコリメートレンズのX−Y位置と傾きを検知することが可能になる。そのため、検査装置の光学ユニットを、光ピックアップ装置と等価な光学ユニットに容易に高精度で調整することができ、また光学ユニットの調整に要する時間を短縮することができる。 According to the present invention, it is possible to detect the XY position and the tilt of the collimating lens from the intensity distribution characteristic in the adjustment of the inspection device of the semiconductor laser device. Therefore, the optical unit of the inspection apparatus can be easily adjusted with high accuracy to an optical unit equivalent to the optical pickup apparatus, and the time required for adjustment of the optical unit can be shortened.
以下、本発明に係る検査装置の調整方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Embodiments of an inspection apparatus adjustment method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は半導体レーザ装置の検査装置の構成図であって、半導体レーザ装置の検査装置は、半導体レーザと受光素子とホログラム素子を一体化した半導体レーザ装置1と、半導体レーザ装置1を固定する位置決め装置2と、半導体レーザ装置から出射したレーザ光を平行光に整形するコリメートレンズ3と、アクチュエータ4と、ディスク5とにより構成されている。
FIG. 1 is a configuration diagram of an inspection device for a semiconductor laser device. The inspection device for a semiconductor laser device includes a
本実施形態の検査装置における調整方法について説明する。 An adjustment method in the inspection apparatus of this embodiment will be described.
位置決め装置の傾き調整において、図2に示すように、位置決め装置2を調整用治具6に設置し、理想的な強度分布特性を有する半導体レーザ装置1を固定する。Aの位置に光強度分布を測定するビームプロファイラ7を設置し、半導体レーザを発光させ、第1の光強度分布を測定する。
In adjusting the inclination of the positioning device, as shown in FIG. 2, the
半導体レーザ装置の位置決め装置が傾いていると、図4に示す強度分布特性8のように対称性のない特性を示す。この強度分布特性が対称性のある強度分布特性9になるように、位置決め装置の傾きを調整する。
When the positioning device of the semiconductor laser device is inclined, a characteristic having no symmetry such as an
前記傾きのない状態で半導体レーザ直接のレーザ光を測定し、図5に示すような第1の光強度分布の重心(あるいはピーク)10を測定して記憶しておく。 The laser light directly from the semiconductor laser is measured without the tilt, and the centroid (or peak) 10 of the first light intensity distribution as shown in FIG. 5 is measured and stored.
次に、コリメートレンズ3の調整において、図3に示すように、Bの位置にコリメートレンズ3を設置する。半導体レーザを発光させ、コリメートレンズ3で整形された光が、集光または拡散していない平行光11になるように高さ位置を調整する。
Next, in the adjustment of the
そして、コリメートレンズ3の傾き調整は、平行光11をビームプロファイラ7で測定し、第2の光強度分布を測定する。この第2の光強度分布特性が、図4に示す対称性のある光強度分布特性9になるように調整する。
And the inclination adjustment of the collimating
また、コリメートレンズ3のX−Y位置調整は、第2の光強度分布の重心(ピーク)12が第1の光強度分布の重心(ピーク)10と一致し、かつ強度分布特性が対称性をキープするように調整する。
Further, the XY position adjustment of the collimating
本発明は、半導体レーザ装置の検査における調整方法および調整装置に適用され、半導体レーザ装置の組立調整装置においても有用である。 The present invention is applied to an adjustment method and an adjustment device in an inspection of a semiconductor laser device, and is useful also in an assembly adjustment device of a semiconductor laser device.
1 半導体レーザ装置
2 位置決め装置
3 コリメートレンズ
4 アクチュエータ
5 ディスク
6 調整用治具
7 ビームプロファイラ
8 非対称の光強度分布
9 対称の光強度分布
10 レーザ光直接の光強度分布の重心
11 平行光
12 平行光の光強度分布の重心
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記光学素子を前記レーザ光路から外して、第1の光強度分布が所望の分布になるように前記位置決め装置の前記レーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程と、
前記光学素子を前記レーザ光路に入れて、第2の光強度分布が所望の分布になるように前記光学素子の前記レーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ装置の検査装置における調整方法。 In a semiconductor laser apparatus positioning apparatus and a semiconductor laser apparatus inspection apparatus having an optical element for shaping laser light emitted from the semiconductor laser apparatus, the semiconductor laser apparatus is incident on a laser light path extension line passing through the optical element. An adjustment method in an inspection apparatus of a semiconductor laser device in which a light intensity measuring device for measuring a light intensity distribution of laser light is arranged,
Removing the optical element from the laser light path and adjusting the position and inclination of the positioning device in a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser light so that the first light intensity distribution becomes a desired distribution; ,
Placing the optical element in the laser beam path and adjusting the position and inclination of the optical element in a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam so that the second light intensity distribution becomes a desired distribution; A method of adjusting an inspection apparatus for a semiconductor laser device, comprising:
前記光学素子を前記レーザ光路に入れて、第2の光強度分布が前記レーザ光の光軸に対して対称な分布になり、かつ前記第1の光強度分布の重心と前記第1の光強度分布の重心とが一致するように、前記光学素子の前記レーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置の検査装置における調整方法。 2 in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the positioning device so that the optical element is removed from the laser beam path and the first light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser beam. Adjusting the position and inclination in the dimensional direction;
The optical element is placed in the laser optical path, and the second light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser light, and the center of gravity of the first light intensity distribution and the first light intensity 2. The semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a step of adjusting a position and inclination of a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the optical element so that a center of gravity of the distribution coincides. Adjustment method in the inspection apparatus.
前記光学素子を前記レーザ光路に入れて、第2の光強度分布が前記レーザ光の光軸に対して対称な分布になり、かつ前記第1の光強度分布のピークと前記第1の光強度分布のピークとが一致するように、前記光学素子の前記レーザ光と略垂直な平面における2次元方向の位置および傾きを調整する工程とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置の検査装置における調整方法。 2 in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the positioning device so that the optical element is removed from the laser beam path and the first light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser beam. Adjusting the position and inclination in the dimensional direction;
The optical element is placed in the laser optical path, and the second light intensity distribution is symmetric with respect to the optical axis of the laser light, and the peak of the first light intensity distribution and the first light intensity 2. The semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a step of adjusting a position and inclination of a two-dimensional direction in a plane substantially perpendicular to the laser beam of the optical element so that a distribution peak coincides. Adjustment method in the inspection apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004120288A JP2005303187A (en) | 2004-04-15 | 2004-04-15 | Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004120288A JP2005303187A (en) | 2004-04-15 | 2004-04-15 | Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303187A true JP2005303187A (en) | 2005-10-27 |
Family
ID=35334296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004120288A Withdrawn JP2005303187A (en) | 2004-04-15 | 2004-04-15 | Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005303187A (en) |
-
2004
- 2004-04-15 JP JP2004120288A patent/JP2005303187A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5743123B1 (en) | Laser dicing apparatus and dicing method | |
JP6219320B2 (en) | Lithographic system and method for processing a target such as a wafer | |
JP2014232005A (en) | Measurement device | |
CN102043352A (en) | Focusing and leveling detection device | |
JP2014115144A (en) | Shape measurement apparatus, optical device, method of manufacturing shape measurement apparatus, structure manufacturing system, and structure manufacturing method | |
JP2008026049A (en) | Flange focal distance measuring instrument | |
JP2007093293A (en) | Optical system for objective lens inclination adjustment | |
KR100334636B1 (en) | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method capable of highly accurate exposure in the presence of partial unevenness on the surface of exposed specimen | |
JP2005303187A (en) | Adjusting method of device for inspecting semiconductor laser equipment | |
JP2009036766A (en) | Determination method of systematic error caused by substrate topology in measuring edge position of structure on substrate | |
JP5358898B2 (en) | Optical surface shape measuring method and apparatus, and recording medium | |
JP2008158125A (en) | Lens unit centering device | |
JP2007033098A (en) | Lens measuring method and lens measuring instrument | |
JP2011038967A (en) | Positioning device, and optical adapter mountable thereon and dismountable therefrom | |
CN108333880B (en) | Photoetching exposure device and focal plane measuring device and method thereof | |
JP2003177292A (en) | Lens adjusting device and method | |
JP2002335033A (en) | Apparatus and method of adjusting laser diode unit and optical unit manufacturing method | |
JP2004317480A (en) | Angle measuring device, and inclination measuring instrument for optical pickup lens | |
JP3529486B2 (en) | How to assemble an optical disk drive | |
JP4802431B2 (en) | Film thickness measuring method and film thickness measuring method for optical disc | |
JP2003148939A (en) | Autocollimator provided with microscope, and instrument for measuring shape using the same | |
JP2006003489A (en) | Lens eccentricity adjusting connector | |
US7280232B2 (en) | Method and apparatus for measuring wafer thickness | |
JP4036226B2 (en) | Inclination detection method, eccentricity detection method, distance detection method between two lens groups, inclination detection device, and inspection device | |
JP2007086611A (en) | Method and apparatus for manufacturing cemented lens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070313 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070731 |