JP2005302272A - Optical information recording medium and its recording and reproducing method - Google Patents

Optical information recording medium and its recording and reproducing method Download PDF

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JP2005302272A JP2005068151A JP2005068151A JP2005302272A JP 2005302272 A JP2005302272 A JP 2005302272A JP 2005068151 A JP2005068151 A JP 2005068151A JP 2005068151 A JP2005068151 A JP 2005068151A JP 2005302272 A JP2005302272 A JP 2005302272A
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Hisamitsu Kamezaki
久光 亀崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical information recording medium capable of obtaining signals having uniform and excellent contrast in the entire region of a recording region and to provide a recording and reproducing method using the optical information recording medium. <P>SOLUTION: The optical information recording medium having a substrate in which a recessed guide groove is formed and at least a reflection layer, a recording layer containing an organic dye and a surface protective layer which are successively layered on the substrate is characterized in that the reflection layer has a recessed part corresponding to the recessed guide groove in the substrate, the sectional shape of the recessed part in a direction crossing a track is a nearly reversely trapezoidal shape having an upper bottom longer than the lower bottom and a push-pull signal of the optical information recording medium is 0.25 to 0.60. The reflection layer preferably contains aluminum or an aluminum alloy. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことができるヒートモードによる追記型の光情報記録媒体(以下、「光記録媒体」、「情報記録媒体」と称することもある)及び該光情報記録媒体を用いた記録再生方法に関する。   The present invention relates to a heat mode write-once type optical information recording medium (hereinafter also referred to as “optical recording medium” or “information recording medium”) capable of at least one of recording and reproducing information, and the The present invention relates to a recording / reproducing method using an optical information recording medium.

従来より、レーザ光により一回限りの情報の記録が可能な追記型の光情報記録媒体(追記型光ディスク、所謂CD−R)が知られている。その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素を含有する記録層、反射層、及び表面保護層がこの順に積層されたものである。このCD−Rへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光(通常は780nm付近の波長のレーザ光)を照射することによって行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化(例えば、ピットの生成)によりその部分の光学的特性が変化することにより情報が記録される。一方、情報の読み取り(再生)も記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光をCD−Rに照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位(記録部分)と変化していない部位(未記録部分)との反射率の違いを検出することで行われている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a write-once type optical information recording medium (a write-once type optical disc, so-called CD-R) capable of recording information only once with a laser beam is known. In a typical structure, a recording layer containing an organic dye, a reflective layer, and a surface protective layer are laminated in this order on a transparent disk-shaped substrate. Information recording on this CD-R is performed by irradiating a laser beam in the near-infrared region (usually a laser beam having a wavelength of around 780 nm), and the irradiated portion of the recording layer absorbs the light and is localized. When the temperature rises, information is recorded by changing the optical characteristics of the portion due to physical or chemical changes (for example, generation of pits). On the other hand, reading (reproduction) of information is also performed by irradiating the CD-R with laser light having the same wavelength as the recording laser light, and the optical characteristics of the recording layer are changed (recording portion). This is done by detecting the difference in reflectance from the non-recorded part (unrecorded part).

近年、記録密度のより高い光情報記録媒体が求められている。このような要望に対し、追記型デジタル・ヴァーサタイル・ディスク(所謂DVD−R)と称される光ディスクが提案されている(非特許文献1参照)。このDVD−Rは、照射するレーザ光のトラッキングのための案内溝(プレグルーブ)がCD−Rの半分以下という狭い溝幅(0.74〜0.8μm)で形成された透明な円盤状基板上に、少なくとも有機色素を含有する記録層、反射層、及び表面保護層をこの順に積層したディスクを2枚、記録層を内側にして貼り合わせた構造、或いはこのディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを記録層を内側にして貼り合わせた構造を有している。このDVD−Rへの情報の記録及び再生は、可視レーザ光(通常は、630nm〜680nmの範囲の波長のレーザ光)を照射することにより行われており、CD−Rより高密度の記録が可能である。   In recent years, an optical information recording medium having a higher recording density has been demanded. In response to such a demand, an optical disc called a recordable digital versatile disc (so-called DVD-R) has been proposed (see Non-Patent Document 1). This DVD-R is a transparent disk-shaped substrate having a narrow groove width (0.74 to 0.8 μm) in which the guide groove (pre-groove) for tracking the laser beam to be irradiated is less than half of the CD-R. Two discs with a recording layer containing at least an organic dye, a reflective layer, and a surface protective layer stacked in this order on top of each other, with the recording layer inside, or a disk-shaped protection with the same shape as this disc It has a structure in which the substrate is bonded with the recording layer inside. Recording and reproduction of information on this DVD-R is performed by irradiating visible laser light (usually laser light having a wavelength in the range of 630 nm to 680 nm), and recording with higher density than CD-R is possible. Is possible.

最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンTVが急速に普及している。また、HDTV(High Definition Television)の放映も開始された。このような状況の下、画像情報を安価にかつ簡便に記録することができる大容量の記録媒体が必要とされている。前記DVD−Rは、現状では大容量の記録媒体としての役割を十分に果たしているが、更に大容量化、高密度化の要求は高まる一方であり、これらの要求に対応できる記録媒体の開発が必要である。このため、DVD−Rよりも更に短波長の光で高密度の記録を行うことができる、より大容量の記録媒体の開発が進められている。   Recently, networks such as the Internet and high-definition TV are rapidly spreading. Also, HDTV (High Definition Television) has started to be broadcast. Under such circumstances, a large-capacity recording medium capable of recording image information inexpensively and simply is required. The DVD-R plays a role as a large-capacity recording medium at present, but there is an increasing demand for larger capacity and higher density, and the development of a recording medium that can meet these requirements has been developed. is necessary. For this reason, development of a larger capacity recording medium capable of performing high-density recording with light having a shorter wavelength than that of the DVD-R is underway.

そこで、基板上に少なくとも反射層、有機色素を含む記録層を有する光情報記録媒体において、記録層側から反射層側に向けて波長530nm以下のレーザ光を照射することにより、情報の記録及び再生を行う記録再生方法が数多く提案されている(特許文献1〜15参照)。これらの方法では、ポルフィリン化合物、アゾ系色素、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素、トリメチンシアニン色素、ジシアノビニルフェニル骨格色素、クマリン化合物、ナフタロシアニン化合物等の有機色素を含有する記録層を備えた光ディスクに、青色(波長430nm、488nm)又は青緑色(波長515nm)のレーザ光を照射することによって情報の記録及び再生を行っている。   Therefore, in an optical information recording medium having at least a reflective layer and a recording layer containing an organic dye on a substrate, information is recorded and reproduced by irradiating a laser beam having a wavelength of 530 nm or less from the recording layer side toward the reflective layer side. A number of recording / reproducing methods have been proposed (see Patent Documents 1 to 15). In these methods, a recording layer containing an organic dye such as a porphyrin compound, an azo dye, a metal azo dye, a quinophthalone dye, a trimethine cyanine dye, a dicyanovinylphenyl skeleton dye, a coumarin compound, or a naphthalocyanine compound is provided. Information is recorded and reproduced by irradiating the optical disc with blue (wavelength 430 nm, 488 nm) or blue-green (wavelength 515 nm) laser light.

ところで、追記可能なタイプや消去の可能な光情報記録媒体は、一般に情報の記録、消去、及び再生のためのトラック溝やデータ管理のための番地、同期信号等のフォーマットのための情報がプリピットとして基板上に形成されている(以下、これらトラック溝やプリピットを含む基板上に予め形成された情報を「プリフォーマット」と称することがある)。
前記光情報記録媒体における記録層の形成方法としては、例えば、蒸着やスパッタリング等の気相堆積法を用いる方法や湿式塗布法が知られている。これらの中でも、湿式塗布法は、記録層の形成ステップの低コスト化を図ることができるため、注目されている方法である。しかし、プリフォーマットが形成されている基板上に湿式塗布法によって記録層を設ける場合、基板の凹部に塗布液が溜るため塗布膜の膜厚を均一に形成することが困難である。例えば、有機色素を含有する記録層を湿式塗布法によって設けると、基板表面と基板凹部とで記録層の厚さが異なり、その結果、基板表面と基板凹部とで反射率が異なってしまうという問題がある。
By the way, the recordable type and the erasable optical information recording medium are generally prepits for information such as a track groove for recording, erasing, and reproducing information, an address for data management, and a format for a synchronization signal. (Hereinafter, information preliminarily formed on the substrate including these track grooves and prepits may be referred to as “preformat”).
As a method for forming a recording layer in the optical information recording medium, for example, a method using a vapor deposition method such as vapor deposition or sputtering, or a wet coating method is known. Among these, the wet coating method is a method attracting attention because it can reduce the cost of forming the recording layer. However, when the recording layer is provided on the substrate on which the preformat has been formed by the wet coating method, it is difficult to form the coating film uniformly because the coating liquid is accumulated in the concave portions of the substrate. For example, when a recording layer containing an organic dye is provided by a wet coating method, the thickness of the recording layer differs between the substrate surface and the substrate recess, and as a result, the reflectance differs between the substrate surface and the substrate recess. There is.

また現在、前記従来技術に記載された光ディスクにおいては、反射層に銀(Ag)を用いることで更なる反射率の向上が検討されているが、反射層に銀(Ag)を用いると、銀(Ag)が高価であるためコスト高になり、このような光ディスクを量産する場合に大きな課題となっている。また、形成条件によっては、銀(Ag)からなる反射層は腐食に対して耐性が低いという問題もある。   At present, in the optical disc described in the above-mentioned prior art, further improvement of the reflectance is studied by using silver (Ag) for the reflective layer. However, when silver (Ag) is used for the reflective layer, Since (Ag) is expensive, the cost becomes high, which is a big problem when mass-producing such an optical disc. In addition, depending on the formation conditions, there is a problem that the reflective layer made of silver (Ag) has low resistance to corrosion.

したがって、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができる安価でかつ高容量な光情報記録媒体は未だ得られておらず、その速やかな提供が望まれているのが現状である。   Therefore, an inexpensive and high-capacity optical information recording medium capable of obtaining a signal having a uniform and excellent contrast over the entire recording area has not yet been obtained, and the prompt provision thereof is desired. It is.

特開平4−74690号公報JP-A-4-74690 特開平7−304256号公報JP-A-7-304256 特開平7−304257号公報JP-A-7-304257 特開平8−127174号公報JP-A-8-127174 特開平11−53758号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-53758 特開平11−334204号公報JP-A-11-334204 特開平11−334205号公報JP 11-334205 A 特開平11−334206号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-334206 特開平11−334207号公報JP 11-334207 A 特開2000−43423号公報JP 2000-43423 A 特開2000−108513号公報JP 2000-108513 A 特開2000−113504号公報JP 2000-113504 A 特開2000−149320号公報JP 2000-149320 A 特開2000−158818号公報JP 2000-158818 A 特開2000−228028号公報JP 2000-228028 A 「日経ニューメディア」別冊「DVD」、1995年発行"Nikkei New Media" separate volume "DVD", published in 1995

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができ、より高い記録密度を達成できる光情報記録媒体及び該光情報記録媒体を用いた記録再生方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention provides an optical information recording medium capable of obtaining a signal having a uniform and excellent contrast over the entire recording area and achieving a higher recording density, and a recording / reproducing method using the optical information recording medium. The purpose is to do.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 凹状案内溝が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状であり、かつ前記光情報記録媒体におけるプッシュプル(push−pull)信号が0.25〜0.60であることを特徴とする光情報記録媒体である。該<1>に記載の光情報記録媒体においては、反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状とすることにより、乱れた信号波形の発生が抑えられる。すなわち、これまでのCD−R、DVD―Rでは、反射層は、基板上に積層した色素層上に、反射層を積層することとしており、略台形状を成さずに、不定形な形状となっていたことから、プッシュプル信号にムラが生じていた。それに対して本発明では、基板上に反射層を成膜するため、略逆台形状とすることができる。その結果、乱れた信号波形の発生が抑えられ、優れたコントラストの信号を得ることができ、また、光情報記録媒体の記録領域の中央部と周辺部での再生信号のコントラストの不均一を抑えることができる。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> An optical information recording medium in which a substrate on which a concave guide groove is formed, and at least a reflective layer, a recording layer containing an organic dye, and a surface protective layer are laminated on the substrate in this order. The layer has a recess corresponding to the concave guide groove in the substrate, the cross-sectional shape in the direction crossing the track of the recess is a substantially inverted trapezoid whose upper base is longer than the lower base, and the push in the optical information recording medium An optical information recording medium having a push-pull signal of 0.25 to 0.60. In the optical information recording medium according to <1>, the cross-sectional shape in the direction in which the reflective layer crosses the track of the concave portion corresponding to the concave guide groove in the substrate has a substantially inverted trapezoidal shape in which the upper base is longer than the lower base. Thus, the generation of a distorted signal waveform can be suppressed. That is, in the conventional CD-R and DVD-R, the reflective layer is formed by laminating the reflective layer on the dye layer laminated on the substrate. As a result, the push-pull signal was uneven. On the other hand, in the present invention, since the reflective layer is formed on the substrate, it can be formed in a substantially inverted trapezoidal shape. As a result, the generation of a distorted signal waveform is suppressed, a signal with excellent contrast can be obtained, and the non-uniformity of the contrast of the reproduction signal in the central portion and the peripheral portion of the recording area of the optical information recording medium is suppressed. be able to.

<2> 表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行う前記<1>に記載の光情報記録媒体である。
<3> 基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ(CL)が90〜200nmである前記<1>から<2>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<4> 基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(BL)が25nm以上である前記<1>から<3>のいずれか記載の光情報記録媒体である。
<5> 略逆台形状の下底の長さ(BL)が、次式、BL≧TP/13(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表す)の関係を満たす前記<4>に記載の光情報記録媒体である。
<6> 反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(UL)が10nm以上である前記<1>から<5>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<7> 略逆台形状の下底の長さ(UL)が、次式、UL≧TP/32(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表す)の関係を満たす前記<6>に記載の光情報記録媒体である。
<8> 反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度θが、60°以下である前記<1>から<7>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
前記<3>から<8>のいずれかに記載の光情報記録媒体においては、光ビームで該プリフォーマットを走査したときに反射層の凸部と凹部での膜厚差によって得られる反射率差と該凹部と凸部との段差により得られる位相差、更に凹部斜面での光の回折等の要因が総合的に作用した結果として得られる反射率変化ができるだけ大きくかつそれが安定して得られる。
<2> The optical information recording medium according to <1>, wherein at least one of recording and reproduction is performed by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side.
<3> The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in the direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoid, and the length (CL) of the upper base of the substantially inverted trapezoid is 90 to 200 nm. The optical information recording medium according to any one of <1> to <2>.
<4> The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in a direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoid, and the length (BL) of the bottom of the substantially inverted trapezoid is 25 nm or more. The optical information recording medium according to any one of <1> to <3>.
<5> The length (BL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape satisfies the relationship of the following formula, BL ≧ TP / 13 (where TP represents a track pitch (nm)): An optical information recording medium.
<6> The cross-sectional shape of the interface between the reflective layer and the recording layer in the direction across the track of the concave portion in the reflective layer is a substantially inverted trapezoid, and the length (UL) of the bottom of the substantially inverted trapezoid is 10 nm or more. The optical information recording medium according to any one of <1> to <5>.
<7> The length (UL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape satisfies the relationship of the following formula, UL ≧ TP / 32 (where TP represents the track pitch (nm)): An optical information recording medium.
<8> In any one of <1> to <7>, an angle θ between a surface connecting the upper base and the lower base in the trapezoidal portion of the concave portion of the reflective layer, and the upper base and the lower base is 60 ° or less. This is an optical information recording medium.
In the optical information recording medium according to any one of <3> to <8>, a reflectance difference obtained by a film thickness difference between a convex portion and a concave portion of a reflective layer when the preformat is scanned with a light beam. The difference in reflectance obtained as a result of the comprehensive action of the phase difference obtained by the step between the concave portion and the convex portion and the diffraction of light on the concave slope is obtained as much as possible and stably obtained. .

<9> 反射層が、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有する前記<1>から<8>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。該<9>に記載の光情報記録媒体においては、反射層がアルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有し、良好なコントラストが得られる反射層の断面形状を選択することによってコストの低減を図れると共に、優れた記録特性を有する。   <9> The optical information recording medium according to any one of <1> to <8>, wherein the reflective layer contains either aluminum or an aluminum alloy. In the optical information recording medium according to <9>, the reflective layer contains either aluminum or an aluminum alloy, and the cost can be reduced by selecting a cross-sectional shape of the reflective layer that provides good contrast. , Has excellent recording characteristics.

<10> 反射層の厚みが、20〜200nmである前記<1>から<9>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<11> 記録層における有機色素の反射率が、記録及び再生の少なくともいずれかに用いる光の波長において8%以上である前記<1>から<10>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<10> The optical information recording medium according to any one of <1> to <9>, wherein the reflective layer has a thickness of 20 to 200 nm.
<11> The optical information recording medium according to any one of <1> to <10>, wherein the reflectance of the organic dye in the recording layer is 8% or more at a wavelength of light used for at least one of recording and reproduction. is there.

<12> 有機色素がフタロシアニン系色素である前記<1>から<11>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<13> フタロシアニン系色素が、下記構造式で表される化合物である前記<12>に記載の光情報記録媒体である。

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属Mは、Cu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、及びFeから選択されるいずれかを表す。Rは、有機置換基を表す。
<14> 中心金属Mは、VO、Zn、Pd、及びCoから選択されるいずれかを表し、Rは、C−(CFC−O−を表す前記<13>に記載の光情報記録媒体である。
<15> 中心金属Mは、Cu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、及びFeから選択されるいずれかを表し、Rは、下記構造式から選択されるいずれかを表す前記<13>に記載の光情報記録媒体である。
Figure 2005302272
<16> 中心金属Mは、下記構造式で表される置換基であり、Rは、−OCHCFCFHである前記<13>に記載の光情報記録媒体である。
Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、Cpは、Fe(Cを表す。
<17> 中心金属Mは、Cuを表し、Rは、−SOを表す前記<13>に記載の光情報記録媒体である。 <12> The optical information recording medium according to any one of <1> to <11>, wherein the organic dye is a phthalocyanine dye.
<13> The optical information recording medium according to <12>, wherein the phthalocyanine dye is a compound represented by the following structural formula.
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents one selected from Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, and Fe. R represents an organic substituent.
<14> The central metal M represents any one selected from VO, Zn, Pd, and Co, and R represents C 6 H 5 — (CF 3 ) 2 C—O—. This is an optical information recording medium.
<15> The central metal M represents any one selected from Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, and Fe, and R represents any one selected from the following structural formulas <13> The optical information recording medium according to <13>.
Figure 2005302272
<16> The optical information recording medium according to <13>, wherein the central metal M is a substituent represented by the following structural formula, and R is —OCH 2 CF 2 CF 2 H.
Figure 2005302272
In Structural Formula, Cp represents Fe (C 5 H 5) 2 .
<17> The optical information recording medium according to <13>, wherein the central metal M represents Cu and R represents —SO 2 C 4 H 9 .

<18> 有機色素がアゾ系色素である前記<1>から<11>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<19> アゾ系色素が下記構造式で表される前記<18>に記載の光情報記録媒体である。

Figure 2005302272
<18> The optical information recording medium according to any one of <1> to <11>, wherein the organic dye is an azo dye.
<19> The optical information recording medium according to <18>, wherein the azo dye is represented by the following structural formula.
Figure 2005302272

<20> 有機色素が下記構造式(I)から(V)の少なくともいずれかで表される前記<1>から<11>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。

Figure 2005302272
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Aは置換基を有していてもよい芳香環を表し、BはOH以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。nは1〜3の整数、mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(III)及び(IV)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(V)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2または3の整数を表す。Vは置換基を有していてもよい芳香環を表す。 <20> The optical information recording medium according to any one of <1> to <11>, wherein the organic dye is represented by at least one of the following structural formulas (I) to (V).
Figure 2005302272
Figure 2005302272
However, in said general formula (I) and (II), A represents the aromatic ring which may have a substituent, and B represents the aromatic ring which may have substituents other than OH. n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.
Figure 2005302272
Figure 2005302272
However, in said general formula (III) and (IV), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0-3. m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.
Figure 2005302272
However, in said general formula (V), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0 thru | or 3. m represents an integer of 2 or 3. V represents an aromatic ring which may have a substituent.

<21> 基板におけるトラックピッチが200〜400nm、案内溝の溝深さが10〜150nm、及び案内溝の半値幅が50〜250nmである前記<1>から<20>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<22> 表面保護層の透過率が、記録及び再生の少なくともいずれかに使用されるレーザー光に対し80%以上である前記<1>から<21>のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
<21> The light according to any one of <1> to <20>, wherein the track pitch on the substrate is 200 to 400 nm, the groove depth of the guide groove is 10 to 150 nm, and the half width of the guide groove is 50 to 250 nm. An information recording medium.
<22> The optical information recording medium according to any one of <1> to <21>, wherein the transmittance of the surface protective layer is 80% or more with respect to laser light used for at least one of recording and reproduction. is there.

<23> 前記<1>から<22>のいずれかに記載の光情報記録媒体における表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする記録再生方法である。該<23>に記載の記録再生方法においては、前記本発明の光情報記録媒体における表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射する。その結果、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号が得られ、より高い記録密度を達成できる。ここで、コントラストとは、レーザ光の反射が少なく暗部となっている凹状案内溝と、該レーザ光の反射の多く明部となっているランドとの関係を意味し、優れたコントラストとは、良好にトラッキングがかかることを意味する。   <23> At least one of information recording and reproduction by irradiating laser light having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side in the optical information recording medium according to any one of <1> to <22>. The recording / reproducing method is characterized in that In the recording / reproducing method according to <23>, laser light having an oscillation wavelength of 500 nm or less is irradiated from the surface protective layer side in the optical information recording medium of the present invention. As a result, a signal having a uniform and excellent contrast in the entire recording area can be obtained, and a higher recording density can be achieved. Here, the contrast means the relationship between the concave guide groove which is a dark part with little reflection of laser light and the land which is a bright part with much reflection of the laser light, and excellent contrast is Means good tracking.

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、反射層がアルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有し、良好なコントラストが得られる反射層の断面形状を選択することによってコストの低減を図れると共に、優れた記録特性を有する光情報記録媒体を提供することができる。   According to the present invention, various problems in the prior art can be solved, and the reflective layer contains either aluminum or an aluminum alloy, and the cost can be reduced by selecting the cross-sectional shape of the reflective layer that provides good contrast. An optical information recording medium having excellent recording characteristics can be provided.

(光情報記録媒体)
本発明の光情報記録媒体は、凹状案内溝(グルーブ)が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなり、バリア層、接着層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
この場合、前記光情報記録媒体は、表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行うものである。
(Optical information recording medium)
In the optical information recording medium of the present invention, a substrate on which a concave guide groove (groove) is formed, and at least a reflective layer, a recording layer containing an organic dye, and a surface protective layer are laminated on the substrate in this order. It has a barrier layer, an adhesive layer, and other layers as required.
In this case, the optical information recording medium performs at least one of recording and reproduction by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side.

前記光情報記録媒体は、プッシュプル(push−pull)信号が0.25〜0.60であることが必要であり、0.5〜0.6が好ましい。前記プッシュプル(push−pull)信号が0.25未満であると、グルーブから得られる信号とランドから得られる信号の比が小さいため、その位置が正確にわからずトラッキングをかけることができないことがあり、0.60を超えると、ディテクターが感知できる電圧値を超えてしまい、きれいな正弦波が得られないため、トラッキングがかけられないことがある。
ここで、前記プッシュプル(push−pull)信号は、例えば、光情報記録媒体にフォーカスをかけた状態でトラックをクロスするシグナルの山l1と谷l2の信号を光ディスク評価機(DDU1000、パルステック工業社製)で測定し、次式、プッシュプル(push−pull)信号=(l1−l2)/(l1+l2)から算出することができる。
The optical information recording medium needs to have a push-pull signal of 0.25 to 0.60, preferably 0.5 to 0.6. If the push-pull signal is less than 0.25, the ratio between the signal obtained from the groove and the signal obtained from the land is small, so that the position is not accurately known and tracking cannot be performed. If it exceeds 0.60, the voltage value that can be detected by the detector will be exceeded, and a clean sine wave cannot be obtained, so tracking may not be applied.
In this case, the push-pull signal is obtained by, for example, using the optical disc evaluation machine (DDU1000, Pulstec Industrial Co., Ltd.) as the signal of the peak 11 and valley 12 of the signal crossing the track in a state where the optical information recording medium is focused. And can be calculated from the following formula, push-pull signal = (l1−l2) / (l1 + l2).

前記反射層は、前記基板における凹状案内溝(プリグルーブ)に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が、上底が下底よりも長い略逆台形状である。
ここで、図1及び図2は、本発明の一実施態様に係る光情報記録媒体のトラック横断方向の模式的断面図を示す。図1中、1は光情報記録媒体、2は基板でありその表面には凹形状のプリフォーマット、例えば、トラッキングトラック7が形成されている。基板2のプリフォーマットが形成されている表面にはスパッタ法又は蒸着法によって反射層3が形成され、反射層上に湿式塗布法によって、記録層4が形成され、更に、バリア層5及び接着層6を介して表面保護層8がこの順に積層されている。
The reflective layer has a concave portion corresponding to a concave guide groove (pre-groove) in the substrate, and a cross-sectional shape in a direction crossing the track of the concave portion is a substantially inverted trapezoid whose upper base is longer than the lower base.
Here, FIG. 1 and FIG. 2 are schematic cross-sectional views in the track crossing direction of the optical information recording medium according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an optical information recording medium, 2 is a substrate, and a concave preformat, for example, a tracking track 7 is formed on the surface thereof. A reflective layer 3 is formed on the surface of the substrate 2 on which the preformat is formed by sputtering or vapor deposition, a recording layer 4 is formed on the reflective layer by wet coating, and a barrier layer 5 and an adhesive layer are further formed. 6, the surface protective layer 8 is laminated in this order.

図2は、図1の光情報記録媒体の部分断面拡大図である。光情報記録媒体1の凹状の反射層3は、図2に示すようにトラック横断方向の断面形状が、台形部であり、該台形部は基板/反射層界面の下底の長さ(BL)、基板/反射層界面の上底の長さ(CL)、及び反射層/記録層界面の台形部の下底(UL)に関して、下底の長さが上底よりも短い、所謂略逆台形状である。このような略逆台形状とすることにより乱れた信号波形の発生が抑えられ、その結果、優れたコントラストの信号を得ることができ、また、光情報記録媒体の記録領域の中央部と周辺部での再生信号のコントラストの不均一を抑えることができる。   FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view of the optical information recording medium of FIG. As shown in FIG. 2, the concave reflective layer 3 of the optical information recording medium 1 has a trapezoidal cross-sectional shape in the cross-track direction, and the trapezoidal portion is the length (BL) of the bottom base of the substrate / reflective layer interface. The length of the upper base of the substrate / reflective layer interface (CL), and the lower base (UL) of the trapezoidal portion of the reflective layer / recording layer interface is a so-called substantially inverted base in which the length of the lower base is shorter than the upper base. Shape. Such a substantially inverted trapezoidal shape suppresses the generation of a distorted signal waveform. As a result, an excellent contrast signal can be obtained, and the central and peripheral portions of the recording area of the optical information recording medium can be obtained. Thus, it is possible to suppress non-uniformity of the contrast of the reproduction signal.

前記プリフォーマット凹部の形状は台形部の斜面の角度(θ)、該凹部の深さ(d)、即ち、基板/反射層界面の深さ(d1)及び反射層/記録膜界面の深さ(d2)、更には該凹部の下底の長さ(UL)、下底の長さ(BL)、上底の長さ(CL)によって規定される。これらはプリフォーマット再生信号のコントラストを制御するものである。即ち、例えば、台形部の斜面上に形成された反射層の再生光ビームがプリフォーマット凹部を横断する際に該再生光を回折させる。因って角度(θ)はその回折の程度を規定する。   The shape of the preformat concave portion is the angle (θ) of the slope of the trapezoidal portion, the depth (d) of the concave portion, that is, the depth (d1) of the substrate / reflective layer interface and the depth of the reflective layer / recording film interface ( d2) and further defined by the length (UL) of the lower base, the length (BL) of the lower base, and the length (CL) of the upper base. These control the contrast of the preformat reproduction signal. That is, for example, the reproduction light beam of the reflection layer formed on the slope of the trapezoidal part diffracts the reproduction light when traversing the preformat recess. Therefore, the angle (θ) defines the degree of diffraction.

更にまた、該凹部の幅BLに対する該矩形部の幅ULの割合は、該プリフォーマット凹部内で反射層が最も低い反射率を示す領域の割合を規定するものであり、この割合もまたプリフォーマット再生信号のコントラストに影響を与えるものである。   Furthermore, the ratio of the width UL of the rectangular portion to the width BL of the recess defines the ratio of the region where the reflective layer has the lowest reflectance in the preformat recess, and this ratio is also the preformat. This affects the contrast of the reproduction signal.

従って、該凹部の角度(θ)、深さ(d)、及び幅(UL、BL、CL)は、光ビームで該プリフォーマットを走査したときに反射層の凸部と凹部での膜厚差によって得られる反射率差と該凹部と凸部との段差により得られる位相差、更に凹部斜面での光の回折等の要因が総合的に作用した結果として得られる反射率変化ができるだけ大きくかつそれが安定して得られるような値とすることが好ましい。そして、例えば、プリフォーマット凹部の幅BL、UL、及びCLは、以下の条件を満たすことが高品質の光情報記録媒体を得る上で好適である。   Therefore, the angle (θ), depth (d), and width (UL, BL, CL) of the concave portions are the film thickness differences between the convex portions and the concave portions of the reflective layer when the preformat is scanned with a light beam. The difference in reflectance obtained by the above and the phase difference obtained by the step between the concave portion and the convex portion, and the reflectance change obtained as a result of the comprehensive action of factors such as light diffraction on the concave slope, are as large as possible. Is preferably set to a value that can be obtained stably. For example, the widths BL, UL, and CL of the preformat recesses preferably satisfy the following conditions in order to obtain a high-quality optical information recording medium.

前記基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ(CL)は90〜200nmが好ましく、140〜180nmがより好ましい。
前記基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(BL)は25nm以上が好ましく、85〜150nmがより好ましい。
前記略逆台形状の下底の長さ(BL)は、次式、BL≧TP/13(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表し、200〜400nmが好ましい)の関係を満たすことが好ましく、BL≧TP/3.7がより好ましい。
前記反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(UL)は10nm以上が好ましく、85〜120nmがより好ましい。
前記略逆台形状の下底の長さ(UL)は、次式、UL≧TP/32(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表し、200〜400nmが好ましい)の関係を満たすことが好ましく、UL≧TP/3.7がより好ましい。
The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in the direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoidal shape, and the length (CL) of the upper base of the generally inverted trapezoidal shape is preferably 90 to 200 nm. 140 to 180 nm is more preferable.
The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in the direction across the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoidal shape, and the length (BL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape is preferably 25 nm or more, 85 to 150 nm is more preferable.
The length (BL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape preferably satisfies the relationship of the following formula, BL ≧ TP / 13 (where TP represents a track pitch (nm), preferably 200 to 400 nm). BL ≧ TP / 3.7 is more preferable.
The cross-sectional shape of the interface between the reflective layer and the recording layer in the direction crossing the concave track in the reflective layer is a substantially inverted trapezoid, and the length (UL) of the bottom of the substantially inverted trapezoid is preferably 10 nm or more. 85 to 120 nm is more preferable.
The length (UL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape preferably satisfies the relationship of the following formula, UL ≧ TP / 32 (where TP represents a track pitch (nm), preferably 200 to 400 nm). UL ≧ TP / 3.7 is more preferable.

また、前記プリフォーマット凹部の幅(CL)は、記録再生システムの構成、例えば、トラッキングシステムの構成等によって異なるが通常、記録再生に用いる装置の光学系、具体的には光情報記録媒体上での記録再生光ビームのスポット径(φ)との間で下記数式1の関係を満たすことが好ましい。
<数式1>
0.23<(CL/スポット径(φ))<0.52
例えば、光ビームの光情報記録媒体上でのスポット径(φ)が400±15nmの場合、プリフォーマット凹部の幅(CL)は88.55〜215.8nmが好ましく、100〜200nmがより好ましく、140〜180nmが更に好ましい。
In addition, the width (CL) of the preformat recess differs depending on the configuration of the recording / reproducing system, for example, the configuration of the tracking system, etc. It is preferable that the relationship of the following formula 1 is satisfied with the spot diameter (φ) of the recording / reproducing light beam.
<Formula 1>
0.23 <(CL / spot diameter (φ)) <0.52
For example, when the spot diameter (φ) of the light beam on the optical information recording medium is 400 ± 15 nm, the width (CL) of the preformat recess is preferably 88.55 to 215.8 nm, more preferably 100 to 200 nm. 140-180 nm is still more preferable.

前記反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度(θ)(前記台形部の斜面と該基板の表面とがなす角度(θ))は、60°以下が好ましく、15〜60°がより好ましく、30〜60°が更に好ましく、40〜60°が特に好ましい。前記角度(θ)が、上記範囲内とすることにより光ビームでプリフォーマットを走査した場合、前記記録層との干渉により異なり一概に規定できないが、前記反射層が実質的に最も低い反射率を示す膜厚を安定して形成することができ、また、該台形部の斜面に形成される反射層の形状も該プリフォーマットからの該光ビームの反射率を急峻に低下させることができるような形状とすることができる。その結果、高いコントラストを安定的に確保することができ、また、トラックの引き込みの際に有利となる。なお、前記なす角度(θ)は、図2において、上底と下底を結ぶ面と上底との接点を結んだ線とのなす角度(θ)、上底と下底を結ぶ面と下底との接点を結んだ線とのなす角度(θ)を意味する。 The angle (θ) between the surface connecting the upper base and the lower base of the trapezoidal portion of the concave portion of the reflective layer and the upper and lower bases (the angle (θ) formed between the slope of the trapezoidal portion and the surface of the substrate) is 60 ° or less, preferably 15 to 60 °, more preferably 30 to 60 °, and particularly preferably 40 to 60 °. When the preformat is scanned with a light beam by setting the angle (θ) within the above range, the reflection layer has the lowest reflectivity, although it cannot be defined unconditionally due to interference with the recording layer. The film thickness shown can be formed stably, and the shape of the reflective layer formed on the slope of the trapezoidal part can sharply reduce the reflectance of the light beam from the preformat. It can be a shape. As a result, high contrast can be secured stably, and this is advantageous when the track is pulled. The angle (θ) formed in FIG. 2 is the angle (θ 2 ) between the surface connecting the upper base and the lower base and the line connecting the contact points of the upper base, and the surface connecting the upper base and the lower base. It means the angle (θ 1 ) made with the line connecting the contact point with the bottom.

また、前記台形部の斜辺の角度(θ)によるが、例えば、角度(θ)が15〜60°の場合には深さ(d)は5〜80nm、更には角度(θ)が30〜60°の場合には20〜60nmとし、特に角度(θ)が40〜60°の場合には40〜60nmとし、かつ角度(θ)を上記の範囲とした場合、コントラストを向上させることができる。   Further, depending on the angle (θ) of the hypotenuse of the trapezoidal portion, for example, when the angle (θ) is 15 to 60 °, the depth (d) is 5 to 80 nm, and further the angle (θ) is 30 to 60. When the angle is 20 to 60 nm, especially when the angle (θ) is 40 to 60 ° and 40 to 60 nm, and the angle (θ) is within the above range, the contrast can be improved.

ここで、図1は、本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体は、透明な基板2の表面には凹形状のプリフォーマット、例えば、トラッキングトラック7が形成されている。この基板2上に反射層3、記録層4、バリア層5、及び接着層6を備え、最後に表面保護層8を貼り合わせた層構成となっている。
以下、各層について具体的に説明する。
Here, FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the optical information recording medium of the present invention. In this optical information recording medium, a concave preformat, for example, a tracking track 7 is formed on the surface of a transparent substrate 2. A reflective layer 3, a recording layer 4, a barrier layer 5, and an adhesive layer 6 are provided on the substrate 2, and finally a surface protective layer 8 is bonded.
Hereinafter, each layer will be specifically described.

−基板−
前記基板2としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス;ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹脂;アモルファスポリオレフィン;ポリエステル;ポリメチルペンテン、非晶質ポリオレフィン等の透明樹脂材料(好ましくはガラス転移温度(Tg)が100〜200℃)、アルミニウム等の金属;等が挙げられ、所望によりこれらを併用してもよい。また、これらを所望の形状に成形し、その片面にアドレス情報等の所望のプリフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面にアドレス情報等の所望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層を密着したものなど、公知に属する任意の透明基板を用いることができる。
これらの中でも、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンが好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
前記基板の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.8〜1.4mmが好ましい。
-Board-
There is no restriction | limiting in particular as said board | substrate 2, According to the objective, it can select suitably, For example, Glass; Acrylic resin, such as a polycarbonate and a polymethylmethacrylate; Vinyl chloride type, such as a polyvinyl chloride and a vinyl chloride copolymer Resin; Epoxy resin; Amorphous polyolefin; Polyester; Transparent resin material such as polymethylpentene and amorphous polyolefin (preferably a glass transition temperature (Tg) of 100 to 200 ° C.), metal such as aluminum; These may be used in combination. In addition, these are formed into a desired shape, and a desired preformat pattern such as address information is transferred to one side thereof, or the address information and the like are desired on one side of a transparent ceramic plate such as glass formed in a desired shape. Any transparent substrate belonging to publicly known ones such as those in close contact with a transparent resin layer to which the preformat pattern is transferred can be used.
Among these, polycarbonate and amorphous polyolefin are preferable from the viewpoint of moisture resistance, dimensional stability and price, and polycarbonate is particularly preferable.
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said board | substrate, According to the objective, it can select suitably, 0.8-1.4 mm is preferable.

前記基板は、中心部にセンタ孔を有する円盤状に形成される。なお、前記基板は、射出成形又は押出成形などの公知の方法で成形することができる。   The substrate is formed in a disk shape having a center hole at the center. In addition, the said board | substrate can be shape | molded by well-known methods, such as injection molding or extrusion molding.

前記プリフォーマットパターンは、少なくとも再生用レーザビームを記録トラックに追従させるためのビーム案内部を含んで構成される。そのための形態としては、凹又は凸形状のエンボスピット方式、或いは、情報に応じてグルーブ部やランド部の幅を変調するウォーブル方式が可能である。ウォーブル方式としては、グルーブ部の内周側又は外周側の一方又は両方の側面を蛇行させる方式を採用することができる。
図1及び図2では、ビーム案内部が、センタ孔と同心の渦巻状又は同心円状に形成された案内溝をもって構成されており、該案内溝に沿って、アドレスピットやクロックピット等のプリピットが形成されている。
前記プリピットが案内溝上に重ねて形成される場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、案内溝とプリピットとをそれぞれ異なる深さに形成する。プリピットが相隣接する案内溝の間に形成される場合には、両者を同じ深さに形成することもできる。
The preformat pattern includes at least a beam guide for causing a reproducing laser beam to follow a recording track. For this purpose, a concave or convex embossed pit method, or a wobble method that modulates the width of the groove or land according to information is possible. As the wobble method, a method of meandering one or both side surfaces of the inner peripheral side or the outer peripheral side of the groove portion can be adopted.
In FIG. 1 and FIG. 2, the beam guide portion is constituted by a guide groove formed concentrically or concentrically with the center hole, and prepits such as address pits and clock pits are formed along the guide grooves. Is formed.
When the prepits are formed on the guide grooves, the guide grooves and the prepits are formed at different depths so that they can be discriminated optically. When prepits are formed between adjacent guide grooves, they can be formed to the same depth.

前記プレグルーブは、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料を射出成形又は押出成形する際に、直接基板上に形成されることが好ましい。また、前記プレグルーブの形成を、プレグルーブ層を設けることにより行ってもよい。前記プレグルーブ層の材料としては、例えば、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのうちの少なくとも一種のモノマー(又はオリゴマー)と光重合開始剤との混合物を用いることができる。
前記プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型(スタンパ)上に上記のアクリル酸エステル及び重合開始剤からなる混合液を塗布し、更に、この塗布液層上に基板を載せた後、基板又は母型を介して紫外線を照射するにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。
前記プレグルーブ層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.01〜100μmが好ましく、0.05〜50μmがより好ましい。
The pregroove is preferably formed directly on the substrate when a resin material such as polycarbonate resin is injection molded or extruded. The pregroove may be formed by providing a pregroove layer. As a material for the pregroove layer, for example, a mixture of at least one monomer (or oligomer) of monoester, diester, triester and tetraester of acrylic acid and a photopolymerization initiator can be used.
The pre-groove layer is formed by, for example, applying a mixed solution of the above acrylate ester and a polymerization initiator on a precisely made master (stamper), and further, mounting a substrate on the coating solution layer. After being placed, the coating layer is cured by irradiating ultraviolet rays through the substrate or the mother die to fix the substrate and the coating layer. Subsequently, it can obtain by peeling a board | substrate from a mother mold.
There is no restriction | limiting in particular in the layer thickness of the said pre-groove layer, According to the objective, it can select suitably, 0.01-100 micrometers is preferable and 0.05-50 micrometers is more preferable.

前記基板2は、より高い記録密度を達成するためにCD−RやDVD−Rに比べて、より狭いトラックピッチのプレグルーブが形成された基板を用いることが好ましい。前記基板のプレグルーブのトラックピッチは、200〜400nmが好ましく、250〜350nmがより好ましい。また、案内溝の溝深さは10〜150nmが好ましく、20〜100nmがより好ましく、30〜80nmが更に好ましい。また、案内溝の半値幅は、50〜250nmが好ましく、100〜200nmがより好ましい。   In order to achieve a higher recording density, the substrate 2 is preferably a substrate on which a pre-groove having a narrower track pitch is formed compared to a CD-R or DVD-R. The track pitch of the pregroove of the substrate is preferably 200 to 400 nm, and more preferably 250 to 350 nm. Further, the groove depth of the guide groove is preferably 10 to 150 nm, more preferably 20 to 100 nm, and still more preferably 30 to 80 nm. Moreover, 50-250 nm is preferable and the half width of a guide groove has more preferable 100-200 nm.

−反射層−
前記反射層3に用いる材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、銀、銅などの金属又はこれらを主成分とする合金を使用することができる。従来の反射層は、銀、金又はこれらの合金を主成分とする合金を用いることが一般的であったが、本発明においては、銀(Ag)や金(Au)に比べて安価であるアルミニウム又はアルミニウム合金を使用することが好ましい。
前記アルミニウム又はアルミニウム合金からなる反射層は、レーザ光に対する反射率が50%以上が好ましく、60%以上がより好ましく、80%以上が更に好ましい。
-Reflective layer-
There is no restriction | limiting in particular as a material used for the said reflection layer 3, According to the objective, it can select suitably, For example, metals, such as aluminum, silver, copper, or an alloy which has these as a main component can be used. . Conventional reflective layers generally use silver, gold, or alloys based on these alloys, but in the present invention, they are less expensive than silver (Ag) or gold (Au). It is preferable to use aluminum or an aluminum alloy.
The reflective layer made of aluminum or an aluminum alloy preferably has a reflectance with respect to laser light of 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 80% or more.

前記反射層に用いられるアルミニウム又はアルミニウム合金としては、工業用アルミニウムとして用いられる純度99.0%以上の純アルミニウム、又はアルミニウムを主成分として微量の異元素を含む合金が好適であり、特に反射率の観点から純アルミニウムであることが好ましい。
前記アルミニウム合金に含まれる微量の異元素としては、元素周期表に記載されているものの中から選択される1種以上の元素を0.1〜10質量%の範囲で含有することが好ましい。前記アルミニウム合金に含まれる異元素としては、例えば、珪素(Si)、鉄(Fe)、銅(Cu)、マンガン(Mn)、マグネシウム(Mg)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、ビスマス(Bi)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、などが挙げられる。これらの中でも、反射率を低減させることのない1質量%以下のSi、Mg、Ag、Au、Pt、Cuなどが好適である。更に反射層材料として、Fe、Ti、Zr、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Rh、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、In、Si、Ge、Te、Sn、Bi、Sb及びTlから選択される少なくとも1種の元素、又はこれらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物を含有することが好ましい。前記酸化物などの具体例としては、ZnS、SiO、SiN、AlN、ZnO−SiO、SiC、ZnO、などが挙げられる。
As the aluminum or aluminum alloy used in the reflective layer, pure aluminum having a purity of 99.0% or more used as industrial aluminum, or an alloy containing aluminum as a main component and containing a trace amount of foreign elements is preferable. From this viewpoint, pure aluminum is preferable.
The trace amount of foreign elements contained in the aluminum alloy preferably contains one or more elements selected from those described in the periodic table of elements in the range of 0.1 to 10% by mass. Examples of the different elements contained in the aluminum alloy include silicon (Si), iron (Fe), copper (Cu), manganese (Mn), magnesium (Mg), chromium (Cr), zinc (Zn), zirconium ( Zr), titanium (Ti), vanadium (V), nickel (Ni), bismuth (Bi), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), and the like. Among these, 1% by mass or less of Si, Mg, Ag, Au, Pt, Cu and the like that do not reduce the reflectance are preferable. Further, as reflective layer materials, Fe, Ti, Zr, Ta, Cr, Mo, W, Ni, Rh, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, In, Si, Ge, Te, Sn, Bi, Sb and It is preferable to contain at least one element selected from Tl, or an oxide, nitride, carbide, or sulfide thereof. Specific examples of the oxide include ZnS, SiO, SiN, AlN, ZnO—SiO 2 , SiC, ZnO 2 , and the like.

前記アルミニウム及びアルミニウム合金は、蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングにより基板上に反射層として形成することができる。これらの中でも、前記反射層はスパッタリングにより形成されることが好ましい。   The aluminum and aluminum alloy can be formed as a reflective layer on the substrate by vapor deposition, sputtering, or ion plating. Among these, the reflective layer is preferably formed by sputtering.

以下、スパッタリングを用いた本発明の光情報記録媒体の反射層の形成方法について、詳細に説明する。
前記スパッタリングに用いる放電用ガスとしては、アルゴン(Ar)が好ましく用いられる。スパッタリングの条件としては、Ar流量1〜50sccm、パワー0.5〜10kW、成膜時間0.1〜30秒の範囲が好ましく、Ar流量3〜20sccm、パワー1〜7kW、成膜時間0.5〜15秒の範囲がより好ましく、Ar流量4〜10sccm、パワー2〜6kW、成膜時間1〜5秒の範囲が更に好ましい。なお、前記スパッタリングの条件は、Ar流量、パワー、及び成膜時間の少なくとも1つが上記範囲にあることが好ましく、2つ以上が上記範囲にあることがより好ましく、すべての条件が上記範囲にあることが特に好ましい。このようなスパッタリング条件で反射層を形成することで、反射率の向上や耐腐食性の更なる向上が図られ、優れた記録特性を有する光情報記録媒体を得ることができる。
前記反射層の成膜速度は、6〜95nm/sが好ましく、7〜90nm/sがより好ましく、8〜80nm/sが更に好ましい。前記成膜速度が、6nm/s未満であると、スパッタ中に酸素が入りやすくなり、酸化により反射率が低下したり、反射層の耐腐食性が低下することがあり、95nm/sを超えると、温度上昇が大きくなり、基板に反りが発生することがある。
なお、真空槽内の真空度を変えて(例えば、10〜5torr程度)スパッタリングを行い、密度又は結晶化の状態の違う膜を形成して反射層の反射率を高くする技術を適用することもできる。
Hereinafter, a method for forming the reflective layer of the optical information recording medium of the present invention using sputtering will be described in detail.
Argon (Ar) is preferably used as the discharge gas used for the sputtering. The sputtering conditions are preferably an Ar flow rate of 1 to 50 sccm, a power of 0.5 to 10 kW, and a film formation time of 0.1 to 30 seconds, and an Ar flow rate of 3 to 20 sccm, a power of 1 to 7 kW, and a film formation time of 0.5. The range of ˜15 seconds is more preferable, and the range of Ar flow rate 4 to 10 sccm, power 2 to 6 kW, and film formation time 1 to 5 seconds is more preferable. As for the sputtering conditions, at least one of Ar flow rate, power, and film formation time is preferably in the above range, more preferably two or more are in the above range, and all the conditions are in the above range. It is particularly preferred. By forming the reflective layer under such sputtering conditions, the reflectance and corrosion resistance can be further improved, and an optical information recording medium having excellent recording characteristics can be obtained.
The film forming rate of the reflective layer is preferably 6 to 95 nm / s, more preferably 7 to 90 nm / s, and still more preferably 8 to 80 nm / s. When the film formation rate is less than 6 nm / s, oxygen easily enters during sputtering, and the reflectivity may decrease due to oxidation, and the corrosion resistance of the reflective layer may decrease, exceeding 95 nm / s. If the temperature rises, the substrate may be warped.
It is also possible to apply a technique for increasing the reflectivity of the reflective layer by changing the degree of vacuum in the vacuum chamber (for example, about 10 to 5 torr) to form a film having a different density or crystallization state. it can.

前記反射層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、20〜200nmが好ましく、30〜180nmがより好ましく、35〜160nmが更に好ましい。前記層厚が20nm未満であると、所望の反射率が得られない問題や保存時に反射率が低下する問題、更に、記録振幅が十分にとれない問題を生じることがある。一方、層厚が200nmを超えると、面状が粗れ、反射率が低下することがある。   There is no restriction | limiting in particular in the layer thickness of the said reflection layer, Although it can select suitably according to the objective, 20-200 nm is preferable, 30-180 nm is more preferable, 35-160 nm is still more preferable. If the layer thickness is less than 20 nm, there may be a problem that a desired reflectance cannot be obtained, a problem that the reflectance decreases during storage, and a problem that the recording amplitude cannot be sufficiently obtained. On the other hand, if the layer thickness exceeds 200 nm, the surface shape may be rough, and the reflectance may decrease.

−記録層−
前記記録層4は、記録再生用レーザ光波長における反射率が4%以上、特に8%以上となるように材料や膜厚を選択することが好ましい。前記反射率が4%未満であると、トラッキング等に不具合が発生して良好な記録が困難となることがある。ここで、前記反射率とは、石英基板上に記録層をスピンコート法で成膜し、例えば、株式会社島津製作所製UV−2500(PC)SGLPを用いて測定した、絶対反射率を意味する。
-Recording layer-
The recording layer 4 is preferably selected from a material and a film thickness so that the reflectance at the recording / reproducing laser beam wavelength is 4% or more, particularly 8% or more. If the reflectance is less than 4%, a problem may occur in tracking or the like, and good recording may be difficult. Here, the reflectance means an absolute reflectance measured by using a UV-2500 (PC) SGLP manufactured by Shimadzu Corporation, for example, by forming a recording layer on a quartz substrate by a spin coat method. .

前記記録層は、有機色素を少なくとも含有し、該有機色素を分散可能な樹脂、結合剤、及び褐色防止剤、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。   The recording layer contains at least an organic dye, a resin capable of dispersing the organic dye, a binder, a browning inhibitor, and further contains other components as necessary.

前記有機色素としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、色素ハンドブック(講談社、1986年3月20日発行、第1刷、編者:大河原信、他)第547〜550頁記載の波長381〜435nmの範囲に吸収を示す材料及びその誘導体などが挙げられ、例えば、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ダイオキシディン系色素、トリフェノジチアジン系色素、フェナントレン系色素、シアニン系色素、ジカルボシアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム系色素、ポルフィリン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ポリエン系色素、ベーススチリル系色素、ホルマザンキレート系色素、クロコニウム系色素、インジゴイド系色素、メチン系色素、スルファイド系色素、メタンジチオールレート系色素、又はこれらの誘導体、等が挙げられ、これらの中でも、シアニン系色素又はその誘導体、ジカルボシアニン系色素又はその誘導体、フタロシアニン色素又はその誘導体、ナフタロシアニン系色素又はその誘導体、アゾ染料又はその誘導体が特に好適に用いられる。なお、アミニウム系色素などの各種クエンチャを添加した色素材料を用いることもできる。   The organic dye is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. The dye handbook (Kodansha, published on March 20, 1986, first edition, editor: Nobu Okawara, et al.) Nos. 547 to 550 Examples include materials exhibiting absorption in the wavelength range of 381 to 435 nm and derivatives thereof, such as polymethine dyes, anthraquinone dyes, dioxidin dyes, triphenodithiazine dyes, phenanthrene dyes, and cyanine dyes. Dye, dicarbocyanine dye, phthalocyanine dye, naphthalocyanine dye, merocyanine dye, pyrylium dye, porphyrin dye, xanthene dye, triphenylmethane dye, azulene dye, metal-containing azo dye, azo dye , Azo dyes, squarylium dyes, polyene dyes, base stills Dyes, formazan chelate dyes, croconium dyes, indigoid dyes, methine dyes, sulfide dyes, methanedithiolate dyes, or derivatives thereof, among these, cyanine dyes or derivatives thereof Dicarbocyanine dyes or derivatives thereof, phthalocyanine dyes or derivatives thereof, naphthalocyanine dyes or derivatives thereof, azo dyes or derivatives thereof are particularly preferably used. A dye material to which various quenchers such as an aminium dye are added can also be used.

前記フタロシアニン色素又はその誘導体としては、次のようなメタルフタロシアニン色素(以下、「MPc」と称することがある)が挙げられる。なお、多数の式中に使用される同一の符号は同一の置換基を表すので、一度だけ記載することにした。
MPc−Rn(R=アルキル基、シクロアルキル基、オキサアルキル基)、MPc−(XR)n(X=O、S、Se、Te)、MPc−(Ar)n(Ar=アリール基)、MPc−(YAr)n(Y=O、S、Se)、MPc−(SOM)n(M=H、金属イオン)、MPc−(SONR)n(R、R=H、アルキル基、アリール基)、MPc−(COOM)n(M=金属イオン)、MPc−(COZ)n(Z=R、OR、NR)、MPc−(NR)n、MPc−(NR−COR)n、MPc−(SiNR)n(R=アルキル基、アリール基)、MPc−(NO)n、MPc−Fnなどが挙げられる。
Examples of the phthalocyanine dye or derivatives thereof include the following metal phthalocyanine dyes (hereinafter sometimes referred to as “MPc”). In addition, since the same code | symbol used in many formulas represents the same substituent, it decided to describe only once.
MPc-Rn (R = alkyl group, cycloalkyl group, oxaalkyl group), MPc- (XR) n (X = O, S, Se, Te), MPc- (Ar) n (Ar = aryl group), MPc - (YAr) n (Y = O, S, Se), MPc- (SO 3 M) n (M = H, metal ions), MPc- (SO 2 NR 1 R 2) n (R 1, R 2 = H, an alkyl group, an aryl group), MPc- (COOM) n ( M = metal ion), MPc- (COZ) n ( Z = R, OR, NR 1 R 2), MPc- (NR 1 R 2) n , MPc- (NR 1 -COR 2 ) n, MPc- (SiNR 1 R 2 R 3 ) n (R 3 = alkyl group, aryl group), MPc- (NO 2 ) n, MPc-Fn, and the like.

前記色素の中心金属Mとしては、例えば、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Ba、Al、Ga、In、Ti、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、Pa、U、Np、Am、Ti、Zr、Hf、V、VO、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Ir、Os、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、などが挙げられる。   Examples of the central metal M of the dye include Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Ba, Al, Ga, In, Ti, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Sc, Y, and La. , Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th, Pa, U, Np, Am, Ti, Zr, Hf, V, VO, Nb , Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Ir, Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, and the like.

これらの中でも、下記構造式で表されるものが好適である。

Figure 2005302272
Among these, those represented by the following structural formula are preferable.
Figure 2005302272

前記構造式中、中心金属Mは、Cu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、Feのいずれかが好適である。Rは、下記表1〜表7に示すものが挙げられる。但し、表7に示した化合物のMは、表に記載した通りの有機置換基を有するものである。また、表1〜表7中、(1/4)とあるのは、4個のRのうち1個がその置換基であることを意味し、同様に(2/4)(3/4)(4/4)とあるのは、2〜4個がその置換基であることを意味する。また(1/3)とあるのは、4個のRのうち一個は水素であり、残りの3個のRのうち1個がその置換基であることを意味し、同様に(2/3)とあるのは、2個がその置換基であることを意味する。また、上記のような表示がないものは、4個のRが全てその置換基であることを意味する。   In the structural formula, the central metal M is preferably Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, or Fe. Examples of R include those shown in Tables 1 to 7 below. However, M of the compound shown in Table 7 has an organic substituent as described in the table. In Tables 1 to 7, (1/4) means that one of four Rs is a substituent, and similarly (2/4) (3/4) (4/4) means that 2 to 4 are the substituents. In addition, (1/3) means that one of the four Rs is hydrogen and one of the remaining three Rs is a substituent, and similarly (2/3) ) Means that two are the substituents. Moreover, what does not have the above display means that all four R are the substituents.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

これらの中でも、特に上記フタロシアニン中でも下記のフタロシアニンは変調度が大きく、良好な記録を達成できる。
中心金属MがVO、Zn、Pd、Coの何れかであり、4個のRがC−(CFC−O−である。
中心金属MがCu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、Feの何れかであり、4個のRが下記構造式から選択されるいずれかで表されるものである。
Among these, the following phthalocyanines, among the above phthalocyanines, have a high degree of modulation and can achieve good recording.
The central metal M is any one of VO, Zn, Pd, and Co, and four Rs are C 6 H 5 — (CF 3 ) 2 C—O—.
The central metal M is any one of Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, and Fe, and four Rs are represented by any one selected from the following structural formula.

Figure 2005302272
中心金属Mが下記構造式で表れる置換基であり、4個のRが−OCHCFCFHである。
Figure 2005302272
The central metal M is a substituent represented by the following structural formula, and four Rs are —OCH 2 CF 2 CF 2 H.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、Cpは、Fe(Cを表す。
Figure 2005302272
In Structural Formula, Cp represents Fe (C 5 H 5) 2 .

中心金属がMであり、4個のRが−SOである。
中心金属MがVO、Zn、Pd、Coの何れかであり、4個のRが下記構造式で表されるものである。
The central metal is M and four Rs are —SO 2 C 4 H 9 .
The central metal M is any one of VO, Zn, Pd, and Co, and four Rs are represented by the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

また、下記式に示すポルフィリン系色素も変調度が大きく、良好な記録が達成できる。膜厚は10〜100nmが好適であり、10nmより薄いと吸収率が少なくなり問題である。また、膜厚が100nmを超えると、良好な記録を達成できないことがある。   In addition, porphyrin dyes represented by the following formulas also have a high degree of modulation and can achieve good recording. The film thickness is preferably 10 to 100 nm, and if it is thinner than 10 nm, the absorptance decreases, which is a problem. Further, when the film thickness exceeds 100 nm, good recording may not be achieved.

Figure 2005302272
ただし、各式中、X〜Xはそれぞれ独立に窒素原子又はCH基を示し、R1からR8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜12の置換又は無置換のアルキル基、炭素数6〜20の置換又は無置換のアリール基、水酸基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、アミノ基又はアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、置換又は無置換のカルボン酸エステル基、置換及び無置換のカルボン酸アミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン酸基、置換又は無置換のスルホン酸エステル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又は無置換のシリル基及びシロキシ基から選択される。また中心金属Mは、遷移金属を示し、電荷を有してカチオン塩構造をとっても良い。
Figure 2005302272
However, in each formula, X < 1 > -X < 2 > shows a nitrogen atom or CH group each independently, R <1> -R <8> is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C12 substituted or unsubstituted alkyl group. A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, an amino group or an alkylamino group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, Substituted or unsubstituted carboxylic acid ester group, substituted and unsubstituted carboxylic acid amide group, alkylthio group, arylthio group, sulfonic acid group, substituted or unsubstituted sulfonic acid ester group, substituted or unsubstituted sulfonamido group, substituted Or, it is selected from an unsubstituted silyl group and a siloxy group. The central metal M represents a transition metal and may have a charge and a cation salt structure.

特に、下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有していると優れた効果を発揮する。そして、波長300nm〜500nm及び/又は500nm〜700nmから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録再生が可能である。中でも、波長400nm〜500nm及び/又は600nm〜700nm、更には波長339nm〜435nm及び/又は635nm〜670nmの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好なC/N比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる追記型光記録媒体である。   In particular, when at least one compound represented by the following general formula (1) is contained, an excellent effect is exhibited. Then, recording / reproduction can be performed with respect to a recording laser wavelength and a reproduction laser wavelength selected from wavelengths of 300 nm to 500 nm and / or 500 nm to 700 nm. Above all, to obtain a good C / N ratio for a recording laser wavelength and a reproducing laser wavelength selected from a wavelength range of 400 nm to 500 nm and / or 600 nm to 700 nm, and further from a wavelength range of 339 nm to 435 nm and / or 635 nm to 670 nm. In addition, the write-once type optical recording medium is capable of providing high-quality signal characteristics with good reproduction light stability.

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(1)中、環A、B、C、Dはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいピロール環骨格を表し、X、Y、Zはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒素原子を表し、X、Y、Zのうち少なくとも1つが置換基を有していてもよいメチン基である。Mは、2個の水素原子、置換基又は配位子を有していてもよい2〜4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。
Figure 2005302272
However, in the general formula (1), rings A, B, C, and D each independently represent a pyrrole ring skeleton that may have a substituent, and X, Y, and Z each independently have a substituent. Represents a methine group or a nitrogen atom which may be present, and at least one of X, Y and Z is a methine group which may have a substituent. M represents any of two hydrogen atoms, a substituent or a ligand, a divalent to tetravalent metal atom, a metalloid atom or an oxymetal atom which may have a ligand.

前記一般式(1)で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
また、前記一般式(1)における置換基を有していてもよいピロール環A、B、C、Dの置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
In the compound represented by the general formula (1), the absorption wavelength can be arbitrarily selected while maintaining the extinction coefficient by selecting a substituent. Therefore, the optical constant necessary for the recording layer is satisfied at the wavelength of the laser beam. It is a very useful organic dye that can be made.
Specific examples of the substituent of the pyrrole ring A, B, C, D that may have a substituent in the general formula (1) include, for example, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, Amino group, carboxyl group, sulfonic acid group, substituted or unsubstituted alkyl group, aralkyl group, aryl group, alkenyl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, aralkylthio group, arylthio Group, alkenylthio group, monosubstituted amino group, disubstituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group, monosubstituted aminocarbonyl group, disubstituted aminocarbonyl group, And acyloxy group or heteroaryl group .

また、前記一般式(1)のアザポルフィリン骨格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン基X、Y、Zの置換基の具体例としては、それぞれ式(14)、式(15)、式(16)で示される置換していてもよいメチン基等が挙げられる。   In addition, specific examples of the substituents of the methine groups X, Y, and Z that may have a substituent located at the meso position of the azaporphyrin skeleton of the general formula (1) are the formula (14) and the formula, respectively. (15), an optionally substituted methine group represented by formula (16), and the like.

Figure 2005302272
ただし、式中、G、G、Gは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを示す。
Figure 2005302272
In the formula, G 1 , G 2 , and G 3 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group”.

また、上記ピロール環の置換基、及びX、Y、Zで表されるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。
更に、前記一般式(1)のMの具体例としては、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられる。
In addition, the substituent on the pyrrole ring and the substituent on the methine group represented by X, Y, and Z are each substituents on the pyrrole ring or a substituent on the pyrrole ring via a linking group. It may be linked with a substituent on an adjacent methine group, specifically, ring formation by aliphatic condensation or aromatic condensation, or a hetero atom such as a hetero atom or a metal complex residue as a linking group For example, formation of a heterocyclic ring is exemplified.
Further, specific examples of M in the general formula (1) include a divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom, a substituted trivalent or tetravalent metal atom or semimetal atom, and an oxymetal atom. Etc.

前記一般式(1)で表される化合物の好ましい例としては、次の一般式(2)〜(8)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2005302272
ただし、式中、R〜Rはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「アシルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Lは窒素原子又はC−R(Rは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す)で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Lは窒素原子又はC−R10(R10は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す)で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Lは、窒素原子又はC−R11(R11は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す)で示される置換されていてもよいメチン基を表し、L〜Lのうち、少なくとも1つはメチン基を表し、R〜R11の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Mは2個の水素原子、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。 Preferable examples of the compound represented by the general formula (1) include compounds represented by the following general formulas (2) to (8).
Figure 2005302272
However, in the formula, R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl” Group, aryl group, alkenyl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, aralkylthio group, arylthio group, alkenylthio group ", mono-substituted amino group, di-substituted amino group, substituted or Unsubstituted “acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group”, monosubstituted aminocarbonyl group, disubstituted aminocarbonyl group, substituted or unsubstituted “acyloxy group, heteroaryl” Any one of “group”, and L 1 is a nitrogen atom Or a substituted methine represented by C—R 9 (wherein R 9 represents any one of a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group”) L 2 represents a nitrogen atom or C—R 10 (R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group”). L 3 represents a nitrogen atom or C—R 11 (R 11 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group”. A methine group which is optionally substituted, and at least one of L 1 to L 3 represents a methine group, and each substituent of R 1 to R 11 is a linking group. Through the adjacent May form a ring together with the substituent, M 1 is two hydrogen atoms, a metal atom having a divalent unsubstituted or ligand, trivalent or tetravalent metal atom or metalloid atom having a substituent group Represents any of oxymetal atoms.

Figure 2005302272
ただし、式中、R12〜R19はそれぞれ独立に、前記一般式(2)のR〜Rと同一の基を表し、R20、R21はそれぞれ独立に、前記一般式(2)のR〜R11と同一の基を表し、R12〜R21の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Mは前記一般式(2)のMと同一の物質を表す。これらの中でも、R20、R21が置換又は無置換のフェニル基のものが好ましい。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 12 to R 19 each independently represent the same group as R 1 to R 8 in the general formula (2), and R 20 and R 21 each independently represent the general formula (2). represent the same groups as R 9 to R 11, and each substituent group of R 12 to R 21 via a linking group, may form a ring together with adjacent substituents, M 2 is the formula (2 It represents the same material as M 1 in). Among these, R 20 and R 21 are preferably substituted or unsubstituted phenyl groups.

Figure 2005302272
ただし、式中、R22〜R29はそれぞれ独立に、前記一般式(2)のR〜Rと同一の基を表し、R30〜R32はそれぞれ独立に、前記一般式(2)のR〜R11と同一の基を表し、R22〜R32の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Mは前記一般式(2)のMと同一の物質を表す。これらの中でも、R30〜R32が置換又は無置換のフェニル基も好ましく用いられる。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 22 to R 29 each independently represent the same group as R 1 to R 8 in the general formula (2), and R 30 to R 32 each independently represent the general formula (2). represents the R 9 to R 11 the same groups, each substituent group of R 22 to R 32 via a linking group, may form a ring together with adjacent substituents, M 3 is the formula (2 It represents the same material as M 1 in). Among these, a phenyl group in which R 30 to R 32 are substituted or unsubstituted is also preferably used.

Figure 2005302272
ただし、式中、R33〜R44はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の何れかを表し、R33とR34、R35とR36は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、X、Y、Zはそれぞれ独立にメチン基又は窒素原子を表し、X、Y、Zのうち少なくとも2つが窒素原子であり、Mは前記一般式(2)のMと同一の物質を表す。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 33 to R 44 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted “alkyl group, aryl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group” , An alkylthio group, an arylthio group, or a heteroaryl group ”, R 33 and R 34 , R 35 and R 36 are each an aliphatic ring optionally having a substituent via a linking group. X 1 , Y 1 , and Z 1 each independently represent a methine group or a nitrogen atom, and at least two of X 1 , Y 1 , and Z 1 are nitrogen atoms, and M 4 represents the above general formula It represents the same substance as M 1 in formula (2).

Figure 2005302272
ただし、式中、R45〜R56はそれぞれ独立に、前記一般式(5)のR33〜R44と同一の基を表し、R45とR46、R47とR48は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Mは前記一般式(2)のMと同一の物質を表す。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 45 to R 56 each independently represent the same group as R 33 to R 44 in the general formula (5), and R 45 and R 46 , R 47 and R 48 represent a linking group. Each may form an aliphatic ring which may have a substituent, and M 5 represents the same substance as M 1 in the general formula (2).

Figure 2005302272
ただし、式中、R57〜R68はそれぞれ独立に、前記一般式(5)のR33〜R44と同一の基を表し、R57とR58、R59とR60は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Mは前記一般式(2)のMと同一の物質を表す。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 57 to R 68 each independently represent the same group as R 33 to R 44 in the general formula (5), and R 57 and R 58 , R 59 and R 60 are connected via a linking group. Each of them may form an aliphatic ring which may have a substituent, and M 6 represents the same substance as M 1 in the general formula (2).

Figure 2005302272
ただし、式中、R69〜R80はそれぞれ独立に、前記一般式(5)のR33〜R44と同一の基を表し、R69とR70、R71とR72は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、M7は前記一般式(2)のM1と同一の物質を表す。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 69 to R 80 each independently represent the same group as R 33 to R 44 in the general formula (5), and R 69 and R 70 , and R 71 and R 72 are connected via a linking group. Each of them may form an aliphatic ring which may have a substituent, and M7 represents the same substance as M1 in the general formula (2).

下記一般式(9)で表されるマレオニトリルと下記一般式(10)で表されるアセトフェノンとハロゲン化金属及び/又は金属誘導体と反応させることにより製造される下記一般式(11)で表されるアザポルフィリン化合物の混合物(ここでいう混合物とは、原料のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方により生成する構造異性体の混合物のことである)。   It is represented by the following general formula (11), which is produced by reacting maleonitrile represented by the following general formula (9), acetophenone represented by the following general formula (10), a metal halide and / or a metal derivative. A mixture of azaporphyrin compounds (herein, a mixture is a mixture of structural isomers produced by the combination of raw materials, maleonitrile and acetophenone).

Figure 2005302272
ただし、式中、R81〜R86はそれぞれ独立に、前記一般式(5)のR33〜R44と同一の基を表し、R81とR82は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Qはハロゲン原子又はシアノ基を表す。
Figure 2005302272
However, in the formula, R 81 to R 86 each independently represent the same group as R 33 to R 44 in the general formula (5), and R 81 and R 82 have a substituent via a linking group. An aliphatic ring which may be substituted, and Q represents a halogen atom or a cyano group.

前記一般式(2)で表されるアザポルフィリン化合物において、R〜Rがハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、R〜Rが置換又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、次の(イ)〜(オ)の基が挙げられる。
In the azaporphyrin compound represented by the general formula (2), specific examples in the case where R 1 to R 8 are halogen atoms include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Specific examples of the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkyl groups include the following groups (a) to (e).

(1) メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、iso−ペンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、ネオペンチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1,1−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメチルブチル基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−エチルブチル基、1,2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,5,5−トリメチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメチルペンチル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、4−エチルオクチル基、4−エチル−4,5−メチルヘキシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、1,3,5,7−テトラエチルオクチル基、4−ブチルオクチル基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデシル基、6−メチル−4−ブチルオクチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、3,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチルヘプチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシル基、1−シクロペンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1−シクロヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基などの炭素数1〜15の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル基。 (1) methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2 -Methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neopentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2- Methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethyl Butyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethyl Pentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5-trimethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, 3 , 5,5-trimethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-methylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3 , 5,7-tetraethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, n-tetrade Sil group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclopentyl-2 , 2-dimethylpropyl group, 1-cyclohexyl-2,2-dimethylpropyl group and the like, an unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.

(2) クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した炭素数1〜10のアルキル基。 (2) Chloromethyl group, chloroethyl group, bromoethyl group, iodoethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 2,2,2 An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with a halogen atom such as trichloroethyl group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl group, nonafluorobutyl group or perfluorodecyl group;

(3) ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシ−3−メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−クロロプロピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルオキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシル基で置換した炭素数1〜10のアルキル基。 (3) Hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 2-hydroxy-3-methoxypropyl group, 2-hydroxy-3-chloropropyl group, 2-hydroxy-3 -Substituted with hydroxyl groups such as ethoxypropyl group, 3-butoxy-2-hydroxypropyl group, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group, 4-hydroxydecalyl group Alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

(4) ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、2−(2’−ヒドロキシ−1’−メチルエトキシ)−1−メチルエチル基、2−(3’−フルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、2−(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数2〜10のアルキル基。 (4) Hydroxymethoxymethyl group, hydroxyethoxyethyl group, 2- (2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1-methylethyl group, 2- (3′-fluoro-2′-hydroxypropoxy) ethyl group , 2- (3′-chloro-2′-hydroxypropoxy) ethyl group, an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms substituted with a hydroxyalkoxy group such as hydroxybutoxycyclohexyl group.

(5) ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、[2’−(2’−ヒドロキシ−1’−メチルエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−フルオロ−1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基、[2’−(2’−クロロ−1’−ヒドロキシエトキシ)−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜10のアルキル基。 (5) Hydroxymethoxymethoxymethyl group, hydroxyethoxyethoxyethyl group, [2 ′-(2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group, [2 ′-(2′- Hydroxyalkoxyalkoxy such as fluoro-1′-hydroxyethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group, [2 ′-(2′-chloro-1′-hydroxyethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group A C3-C10 alkyl group substituted with a group.

(6) シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基、2−シアノ−3−メトキシプロピル基、2−シアノ−3−クロロプロピル基、2−シアノ−3−エトキシプロピル基、3−ブトキシ−2−シアノプロピル基、2−シアノ−3−シクロヘキシルプロピル基、2−シアノプロピル基、2−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数2〜10のアルキル基。 (6) Cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group, 4-cyanobutyl group, 2-cyano-3-methoxypropyl group, 2-cyano-3-chloropropyl group, 2-cyano-3-ethoxypropyl Group, a 3-butoxy-2-cyanopropyl group, a 2-cyano-3-cyclohexylpropyl group, a 2-cyanopropyl group, a 2-cyanobutyl group or the like substituted with a cyano group.

(7) メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n−ヘキシルオキシエチル基、(4−メチルペントキシ)エチル基、(1,3−ジメチルブトキシ)エチル基、(2−エチルヘキシルオキシ)エチル基、n−オクチルオキシエチル基、(3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ)エチル基、(2−メチル−1−iso−プロピルプロポキシ)エチル基、(3−メチル−1−iso−プロピルブチルオキシ)エチル基、2−エトキシ−1−メチルエチル基、3−メトキシブチル基、(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エチル基、(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基。 (7) Methoxymethyl group, ethoxymethyl group, propoxymethyl group, butoxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group, n-hexyloxyethyl group, (4-methylpentoxy) ethyl Group, (1,3-dimethylbutoxy) ethyl group, (2-ethylhexyloxy) ethyl group, n-octyloxyethyl group, (3,5,5-trimethylhexyloxy) ethyl group, (2-methyl-1- iso-propylpropoxy) ethyl group, (3-methyl-1-iso-propylbutyloxy) ethyl group, 2-ethoxy-1-methylethyl group, 3-methoxybutyl group, (3,3,3-trifluoropropoxy) ) Carbon substituted with an alkoxy group such as ethyl group or (3,3,3-trichloropropoxy) ethyl group An alkyl group of 2 to 15.

(8) メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシ基、(1,2−ジメチルプロポキシ)エトキシエチル基、(3−メチル−1−iso−ブチルブトキシ)エトキシエチル基、(2−メトキシ−1−メチルエトキシ)エチル基、(2−ブトキシ−1−メチルエトキシ)エチル基、2−(2’−エトキシ−1’−メチルエトキシ)−1−メチルエチル基、(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)エトキシエチル基、(3,3,3−トリクロロプロポキシ)エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基。 (8) Methoxymethoxymethyl group, methoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethyl group, propoxyethoxyethyl group, butoxyethoxyethyl group, cyclohexyloxyethoxyethyl group, decalyloxypropoxyethoxy group, (1,2-dimethylpropoxy) ethoxy Ethyl group, (3-methyl-1-iso-butylbutoxy) ethoxyethyl group, (2-methoxy-1-methylethoxy) ethyl group, (2-butoxy-1-methylethoxy) ethyl group, 2- (2 ′ -Alkoxyalkoxy groups such as -ethoxy-1'-methylethoxy) -1-methylethyl group, (3,3,3-trifluoropropoxy) ethoxyethyl group, (3,3,3-trichloropropoxy) ethoxyethyl group; A substituted alkyl group having 3 to 15 carbon atoms;

(9) メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エトキシエトキシエチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基。 (9) Methoxymethoxymethoxymethyl group, methoxyethoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethoxyethyl group, butoxyethoxyethoxyethyl group, cyclohexyloxyethoxyethoxyethyl group, propoxypropoxypropoxyethyl group, (2,2,2-trifluoroethoxy An alkyl group having 4 to 15 carbon atoms substituted with an alkoxyalkoxyalkoxy group such as an ethoxyethoxyethyl group or a (2,2,2-trichloroethoxy) ethoxyethoxyethyl group;

(10) ホルミルメチル基、2−オキソブチル基、3−オキソブチル基、4−オキソブチル基、2,6−ジオキソシクロヘキサン−1−イル基、2−オキソ−5−t−ブチルシクロヘキサン−1−イル基等のアシル基で置換した炭素数2〜10のアルキル基。 (10) Formylmethyl group, 2-oxobutyl group, 3-oxobutyl group, 4-oxobutyl group, 2,6-dioxocyclohexane-1-yl group, 2-oxo-5-t-butylcyclohexane-1-yl group An alkyl group having 2 to 10 carbon atoms substituted with an acyl group such as

(11) ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エチル基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)ヘキシル基、(3−フルオロブチリルオキシ)エチル基、(3−クロロブチリルオキシ)エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数2〜15のアルキル基。 (11) Formyloxymethyl group, acetoxyethyl group, propionyloxyethyl group, butanoyloxyethyl group, valeryloxyethyl group, (2-ethylhexanoyloxy) ethyl group, (3,5,5-trimethylhexanoyl) Carbon number substituted with acyloxy groups such as (oxy) ethyl group, (3,5,5-trimethylhexanoyloxy) hexyl group, (3-fluorobutyryloxy) ethyl group, (3-chlorobutyryloxy) ethyl group 2 to 15 alkyl groups.

(12) ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)オキシブトキシエチル基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エトキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基。 (12) Formyloxymethoxymethyl group, acetoxyethoxyethyl group, propionyloxyethoxyethyl group, valeryloxyethoxyethyl group, (2-ethylhexanoyloxy) ethoxyethyl group, (3,5,5-trimethylhexanoyl) Substituted with acyloxyalkoxy groups such as oxybutoxyethyl group, (3,5,5-trimethylhexanoyloxy) ethoxyethyl group, (2-fluoropropionyloxy) ethoxyethyl group, (2-chloropropionyloxy) ethoxyethyl group An alkyl group having 3 to 15 carbon atoms;

(13) アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、(2−エチルヘキサノイルオキシ)エトキシエトキシエチル基、(3,5,5−トリメチルヘキサノイルオキシ)エトキシエトキシエチル基、(2−フルオロプロピオニルオキシ)エトキシエトキシエチル基、(2−クロロプロピオニルオキシ)エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数5〜15のアルキル基。 (13) Acetoxymethoxymethoxymethyl group, acetoxyethoxyethoxyethyl group, propionyloxyethoxyethoxyethyl group, valeryloxyethoxyethoxyethyl group, (2-ethylhexanoyloxy) ethoxyethoxyethyl group, (3, 5, 5- C5-C15 alkyl group substituted by acyloxyalkoxyalkoxy groups such as trimethylhexanoyloxy) ethoxyethoxyethyl group, (2-fluoropropionyloxy) ethoxyethoxyethyl group, (2-chloropropionyloxy) ethoxyethoxyethyl group .

(14) メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、(p−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル)シクロヘキシル基、(2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシカルボニル)メチル基、(2,2,3,3−テトラクロロプロポキシカルボニル)メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭素数3〜15のアルキル基。 (14) Methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, butoxycarbonylmethyl group, methoxycarbonylethyl group, ethoxycarbonylethyl group, butoxycarbonylethyl group, (p-ethylcyclohexyloxycarbonyl) cyclohexyl group, (2,2,3 , 3-tetrafluoropropoxycarbonyl) methyl group, (2,2,3,3-tetrachloropropoxycarbonyl) methyl group and other alkylcarbonyl groups substituted with an alkoxycarbonyl group.

(15) フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、(4−t−ブチルフェノキシカルボニル)エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数8〜15のアルキル基。 (15) C 8-15 substituted with an aryloxycarbonyl group such as a phenoxycarbonylmethyl group, phenoxycarbonylethyl group, (4-t-butylphenoxycarbonyl) ethyl group, naphthyloxycarbonylmethyl group, biphenyloxycarbonylethyl group Alkyl group.

(16) ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、(4−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル)メチル基などのアラルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数9〜15のアルキル基。 (16) An alkyl group having 9 to 15 carbon atoms substituted with an aralkyloxycarbonyl group such as a benzyloxycarbonylmethyl group, a benzyloxycarbonylethyl group, a phenethyloxycarbonylmethyl group, or a (4-cyclohexyloxybenzyloxycarbonyl) methyl group.

(17) ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数4〜10のアルキル基。 (17) 4 to 10 carbon atoms substituted with an alkenyloxycarbonyl group such as vinyloxycarbonylmethyl group, vinyloxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylmethyl group, cyclopentadienyloxycarbonylmethyl group, octenoxycarbonylmethyl group Alkyl group.

(18) メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ)エチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシカルボニルオキシ)エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数3〜15のアルキル基。 (18) Methoxycarbonyloxymethyl group, methoxycarbonyloxyethyl group, ethoxycarbonyloxyethyl group, butoxycarbonyloxyethyl group, (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyloxy) ethyl group, (2,2,2- An alkyl group having 3 to 15 carbon atoms substituted with an alkoxycarbonyloxy group such as a trichloroethoxycarbonyloxy) ethyl group;

(19) メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基、(2,2,2−トリクロロエトキシ)エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数4〜15のアルキル基。 (19) Methoxymethoxycarbonyloxymethyl group, methoxyethoxycarbonyloxyethyl group, ethoxyethoxycarbonyloxyethyl group, butoxyethoxycarbonyloxyethyl group, (2,2,2-trifluoroethoxy) ethoxycarbonyloxyethyl group, (2 , 2,2-trichloroethoxy) alkyl group having 4 to 15 carbon atoms substituted with alkoxyalkoxycarbonyloxy group such as ethoxycarbonyloxyethyl group.

(20) ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−n−ブチルアミノメチル基、ジ−n−ヘキシルアミノメチル基、ジ−n−オクチルアミノメチル基、ジ−n−デシルアミノメチル基、N−イソアミル−N−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ(メトキシメチル)アミノメチル基、ジ(メトキシエチル)アミノメチル基、ジ(エトキシメチル)アミノメチル基、ジ(エトキシエチル)アミノメチル基、ジ(プロポキシエチル)アミノメチル基、ジ(ブトキシエチル)アミノメチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−n−ブチルアミノエチル基、ジ−n−ヘキシルアミノエチル基、ジ−n−オクチルアミノエチル基、ジ−n−デシルアミノエチル基、N−イソアミル−N−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ(メトキシメチル)アミノエチル基、ジ(メトキシエチル)アミノエチル基、ジ(エトキシメチル)アミノエチル基、ジ(エトキシエチル)アミノエチル基、ジ(プロポキシエチル)アミノエチル基、ジ(ブトキシエチル)アミノエチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−n−ブチルアミノプロピル基、ジ−n−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−n−オクチルアミノプロピル基、ジ−n−デシルアミノプロピル基、N−イソアミル−N−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ(メトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(メトキシエチル)アミノプロピル基、ジ(エトキシメチル)アミノプロピル基、ジ(エトキシエチル)アミノプロピル基、ジ(プロポキシエチル)アミノプロピル基、ジ(ブトキシエチル)アミノプロピル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−n−ブチルアミノブチル基、ジ−n−ヘキシルアミノブチル基、ジ−n−オクチルアミノブチル基、ジ−n−デシルアミノブチル基、N−イソアミル−N−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ(メトキシメチル)アミノブチル基、ジ(メトキシエチル)アミノブチル基、ジ(エトキシメチル)アミノブチル基、ジ(エトキシエチル)アミノブチル基、ジ(プロポキシエチル)アミノブチル基、ジ(ブトキシエチル)アミノブチル基、ビス(2−シクロヘキシルオキシエチル)アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換した炭素数3〜20のアルキル基。 (20) Dimethylaminomethyl group, diethylaminomethyl group, di-n-butylaminomethyl group, di-n-hexylaminomethyl group, di-n-octylaminomethyl group, di-n-decylaminomethyl group, N- Isoamyl-N-methylaminomethyl group, piperidinomethyl group, di (methoxymethyl) aminomethyl group, di (methoxyethyl) aminomethyl group, di (ethoxymethyl) aminomethyl group, di (ethoxyethyl) aminomethyl group, di ( Propoxyethyl) aminomethyl group, di (butoxyethyl) aminomethyl group, bis (2-cyclohexyloxyethyl) aminomethyl group, dimethylaminoethyl group, diethylaminoethyl group, di-n-butylaminoethyl group, di-n- Hexylaminoethyl group, di-n-octylaminoethyl group, di-n- Silaminoethyl group, N-isoamyl-N-methylaminoethyl group, piperidinoethyl group, di (methoxymethyl) aminoethyl group, di (methoxyethyl) aminoethyl group, di (ethoxymethyl) aminoethyl group, di (ethoxyethyl) ) Aminoethyl group, di (propoxyethyl) aminoethyl group, di (butoxyethyl) aminoethyl group, bis (2-cyclohexyloxyethyl) aminoethyl group, dimethylaminopropyl group, diethylaminopropyl group, di-n-butylamino Propyl group, di-n-hexylaminopropyl group, di-n-octylaminopropyl group, di-n-decylaminopropyl group, N-isoamyl-N-methylaminopropyl group, piperidinopropyl group, di (methoxy) Methyl) aminopropyl group, di (methoxyethyl) amino Nopropyl group, di (ethoxymethyl) aminopropyl group, di (ethoxyethyl) aminopropyl group, di (propoxyethyl) aminopropyl group, di (butoxyethyl) aminopropyl group, bis (2-cyclohexyloxyethyl) aminopropyl group Dimethylaminobutyl group, diethylaminobutyl group, di-n-butylaminobutyl group, di-n-hexylaminobutyl group, di-n-octylaminobutyl group, di-n-decylaminobutyl group, N-isoamyl- N-methylaminobutyl group, piperidinobutyl group, di (methoxymethyl) aminobutyl group, di (methoxyethyl) aminobutyl group, di (ethoxymethyl) aminobutyl group, di (ethoxyethyl) aminobutyl group, di (propoxyethyl) ) Aminobutyl group, di (butoxyethyl) amino Butyl group, bis (2-cyclohexyloxy-ethyl) alkyl group having 3 to 20 carbon atoms dialkylamino group is substituted, such as aminobutyl group.

(21) アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、p−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換した炭素数3〜10のアルキル基。 (21) Substitution with acylamino groups such as acetylaminomethyl group, acetylaminoethyl group, propionylaminoethyl group, butanoylaminoethyl group, cyclohexanecarbonylaminoethyl group, p-methylcyclohexanecarbonylaminoethyl group, succiniminoethyl group An alkyl group having 3 to 10 carbon atoms.

(22) メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換した炭素数2〜10のアルキル基。 (22) An alkyl group having 2 to 10 carbon atoms substituted with an alkylsulfonamino group such as a methylsulfonaminomethyl group, a methylsulfonaminoethyl group, an ethylsulfonaminoethyl group, a propylsulfonaminoethyl group, or an octylsulfonaminoethyl group.

(23) メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、2−エチルヘキシルスルホニルエチル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭素数2〜10のアルキル基。 (23) Methylsulfonylmethyl group, ethylsulfonylmethyl group, butylsulfonylmethyl group, methylsulfonylethyl group, ethylsulfonylethyl group, butylsulfonylethyl group, 2-ethylhexylsulfonylethyl group, 2,2,3,3-tetrafluoro An alkyl group having 2 to 10 carbon atoms substituted with an alkylsulfonyl group such as a propylsulfonylmethyl group or a 2,2,3,3-tetrachloropropylsulfonylmethyl group;

(24) ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数7〜12のアルキル基。 (24) Benzenesulfonylmethyl group, benzenesulfonylethyl group, benzenesulfonylpropyl group, benzenesulfonylbutyl group, toluenesulfonylmethyl group, toluenesulfonylethyl group, toluenesulfonylpropyl group, toluenesulfonylbutyl group, xylenesulfonylmethyl group, xylenesulfonyl An alkyl group having 7 to 12 carbon atoms substituted with an arylsulfonyl group such as an ethyl group, a xylenesulfonylpropyl group, or a xylenesulfonylbutyl group;

(25) チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数2〜13のアルキル基。 (25) thiadiazolinomethyl group, pyrrolinomethyl group, pyrrolidinomethyl group, pyrazolidinomethyl group, imidazolidinomethyl group, oxazolyl group, triazolinomethyl group, morpholinomethyl group, indolinomethyl group, benzimidazolino An alkyl group having 2 to 13 carbon atoms substituted with a heterocyclic group such as a methyl group or a carbazolinomethyl group;

(26) フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−n−プロピル基、フェロセニル−iso−プロピル基、フェロセニル−n−ブチル基、フェロセニル−iso−ブチル基、フェロセニル−sec−ブチル基、フェロセニル−t−ブチル基、フェロセニル−n−ペンチル基、フェロセニル−iso−ペンチル基、フェロセニル−2−メチルブチル基、フェロセニル−1−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−1,2−ジメチルプロピル基、フェロセニル−1,1−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−n−ヘキシル基、フェロセニル−4−メチルペンチル基、フェロセニル−3−メチルペンチル基、フェロセニル−2−メチルペンチル基、フェロセニル−1−メチルペンチル基、フェロセニル−3,3−ジメチルブチル基、フェロセニル−2,3−ジメチルブチル基、フェロセニル−1,3−ジメチルブチル基、フェロセニル−2,2−ジメチルブチル基、フェロセニル−1,2−ジメチルブチル基、フェロセニル−1,1−ジメチルブチル基、フェロセニル−3−エチルブチル基、フェロセニル−2−エチルブチル基、フェロセニル−1−エチルブチル基、フェロセニル−1,2,2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1,1,2−トリメチルブチル基、フェロセニル−1−エチル−2−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−n−ヘプチル基、フェロセニル−2−メチルヘキシル基、フェロセニル−3−メチルヘキシル基、フェロセニル−4−メチルヘキシル基、フェロセニル−5−メチルヘキシル基、フェロセニル−2,4−ジメチルペンチル基、フェロセニル−n−オクチル基、フェロセニル−2−エチルヘキシル基、フェロセニル−2,5−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−2,5,5−トリメチルペンチル基、フェロセニル−2,4−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−2,2,4−トリメチルペンチル基、フェロセニル−3,5,5−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−n−ノニル基、フェロセニル−n−デシル基。 (26) Ferrocenylmethyl group, ferrocenylethyl group, ferrocenyl-n-propyl group, ferrocenyl-iso-propyl group, ferrocenyl-n-butyl group, ferrocenyl-iso-butyl group, ferrocenyl-sec-butyl group, Ferrocenyl-t-butyl group, ferrocenyl-n-pentyl group, ferrocenyl-iso-pentyl group, ferrocenyl-2-methylbutyl group, ferrocenyl-1-methylbutyl group, ferrocenylneopentyl group, ferrocenyl-1,2-dimethylpropyl Group, ferrocenyl-1,1-dimethylpropyl group, ferrocenylcyclopentyl group, ferrocenyl-n-hexyl group, ferrocenyl-4-methylpentyl group, ferrocenyl-3-methylpentyl group, ferrocenyl-2-methylpentyl group, ferrocenyl -1 Methylpentyl group, ferrocenyl-3,3-dimethylbutyl group, ferrocenyl-2,3-dimethylbutyl group, ferrocenyl-1,3-dimethylbutyl group, ferrocenyl-2,2-dimethylbutyl group, ferrocenyl-1,2- Dimethylbutyl group, ferrocenyl-1,1-dimethylbutyl group, ferrocenyl-3-ethylbutyl group, ferrocenyl-2-ethylbutyl group, ferrocenyl-1-ethylbutyl group, ferrocenyl-1,2,2-trimethylbutyl group, ferrocenyl-1 , 1,2-trimethylbutyl group, ferrocenyl-1-ethyl-2-methylpropyl group, ferrocenylcyclohexyl group, ferrocenyl-n-heptyl group, ferrocenyl-2-methylhexyl group, ferrocenyl-3-methylhexyl group, Ferrocenyl-4-methylhexyl group , Ferrocenyl-5-methylhexyl group, ferrocenyl-2,4-dimethylpentyl group, ferrocenyl-n-octyl group, ferrocenyl-2-ethylhexyl group, ferrocenyl-2,5-dimethylhexyl group, ferrocenyl-2,5,5 -Trimethylpentyl group, ferrocenyl-2,4-dimethylhexyl group, ferrocenyl-2,2,4-trimethylpentyl group, ferrocenyl-3,5,5-trimethylhexyl group, ferrocenyl-n-nonyl group, ferrocenyl-n- Decyl group.

(27) コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−n−プロピル基、コバルトセニル−iso−プロピル基、コバルトセニル−n−ブチル基、コバルトセニル−iso−ブチル基、コバルトセニル−sec−ブチル基、コバルトセニル−t−ブチル基、コバルトセニル−n−ペンチル基、コバルトセニル−iso−ペンチル基、コバルトセニル−2−メチルブチル基、コバルトセニル−1−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−1,2−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−1,1−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−n−ヘキシル基、コバルトセニル−4−メチルペンチル基、コバルトセニル−3−メチルペンチル基、コバルトセニル−2−メチルペンチル基、コバルトセニル−1−メチルペンチル基、コバルトセニル−3,3−ジメチルブチル基、コバルトセニル−2,3−ジメチルブチル基、コバルトセニル−1,3−ジメチルブチル基、コバルトセニル−2,2−ジメチルブチル基、コバルトセニル−1,2−ジメチルブチル基、コバルトセニル−1,1−ジメチルブチル基、コバルトセニル−3−エチルブチル基、コバルトセニル−2−エチルブチル基、コバルトセニル−1−エチルブチル基、コバルトセニル−1,2,2−トリメチルブチル基、コバルトセニル−1,1,2−トリメチルブチル基、コバルトセニル−1−エチル−2−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−n−ヘプチル基、コバルトセニル−2−メチルヘキシル基、コバルトセニル−3−メチルヘキシル基、コバルトセニル−4−メチルヘキシル基、コバルトセニル−5−メチルヘキシル基、コバルトセニル−2,4−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−n−オクチル基、コバルトセニル−2−エチルヘキシル基、コバルトセニル−2,5−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−2,5,5−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−2,4−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−2,2,4−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−3,5,5−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−n−ノニル基、コバルトセニル−n−デシル基。 (27) cobaltcenylmethyl group, cobaltcenylethyl group, cobaltcenyl-n-propyl group, cobaltcenyl-iso-propyl group, cobaltcenyl-n-butyl group, cobaltcenyl-iso-butyl group, cobaltcenyl-sec-butyl group, Cobaltcenyl-t-butyl group, cobaltcenyl-n-pentyl group, cobaltcenyl-iso-pentyl group, cobaltcenyl-2-methylbutyl group, cobaltcenyl-1-methylbutyl group, cobaltcenylneopentyl group, cobaltcenyl-1,2-dimethylpropyl Group, cobaltcenyl-1,1-dimethylpropyl group, cobaltcenylcyclopentyl group, cobaltcenyl-n-hexyl group, cobaltcenyl-4-methylpentyl group, cobaltcenyl-3-methylpentyl group, cobaltcenyl 2-methylpentyl group, cobaltcenyl-1-methylpentyl group, cobaltcenyl-3,3-dimethylbutyl group, cobaltcenyl-2,3-dimethylbutyl group, cobaltcenyl-1,3-dimethylbutyl group, cobaltcenyl-2,2- Dimethylbutyl group, cobaltcenyl-1,2-dimethylbutyl group, cobaltcenyl-1,1-dimethylbutyl group, cobaltcenyl-3-ethylbutyl group, cobaltcenyl-2-ethylbutyl group, cobaltcenyl-1-ethylbutyl group, cobaltcenyl-1,2 , 2-trimethylbutyl group, cobaltcenyl-1,1,2-trimethylbutyl group, cobaltcenyl-1-ethyl-2-methylpropyl group, cobaltcenylcyclohexyl group, cobaltcenyl-n-heptyl group, cobaltcenyl-2-methylhexyl Base , Cobaltcenyl-3-methylhexyl group, cobaltcenyl-4-methylhexyl group, cobaltcenyl-5-methylhexyl group, cobaltcenyl-2,4-dimethylpentyl group, cobaltcenyl-n-octyl group, cobaltcenyl-2-ethylhexyl group, cobaltcenyl -2,5-dimethylhexyl group, cobaltcenyl-2,5,5-trimethylpentyl group, cobaltcenyl-2,4-dimethylhexyl group, cobaltcenyl-2,2,4-trimethylpentyl group, cobaltcenyl-3,5,5 -Trimethylhexyl group, cobaltcenyl-n-nonyl group, cobaltcenyl-n-decyl group.

(28) ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−n−プロピル基、ニッケロセニル−iso−プロピル基、ニッケロセニル−n−ブチル基、ニッケロセニル−iso−ブチル基、ニッケロセニル−sec−ブチル基、ニッケロセニル−t−ブチル基、ニッケロセニル−n−ペンチル基、ニッケロセニル−iso−ペンチル基、ニッケロセニル−2−メチルブチル基、ニッケロセニル−1−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−1,2−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−1,1−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−n−ヘキシル基、ニッケロセニル−4−メチルペンチル基、ニッケロセニル−3−メチルペンチル基、ニッケロセニル−2−メチルペンチル基、ニッケロセニル−1−メチルペンチル基、ニッケロセニル−3,3−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−2,3−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−1,3−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−2,2−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−1,2−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−1,1−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−3−エチルブチル基、ニッケロセニル−2−エチルブチル基、ニッケロセニル−1−エチルブチル基、ニッケロセニル−1,2,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−1,1,2−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−1−エチル−2−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−n−ヘプチル基、ニッケロセニル−2−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−3−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−4−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−5−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−n−オクチル基、ニッケロセニル−2−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,5−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,5,5−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−2,4−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−2,2,4−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−3,5,5−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−n−ノニル基、ニッケロセニル−n−デシル基。 (28) a nickelocenylmethyl group, a nickelocenylethyl group, a nickelocenyl-n-propyl group, a nickelocenyl-iso-propyl group, a nickelocenyl-n-butyl group, a nickelocenyl-iso-butyl group, a nickelocenyl-sec-butyl group, Nickelocenyl-t-butyl group, nickelocenyl-n-pentyl group, nickelocenyl-iso-pentyl group, nickelocenyl-2-methylbutyl group, nickelocenyl-1-methylbutyl group, nickelocenyl neopentyl group, nickelocenyl-1,2-dimethylpropyl Group, nickelocenyl-1,1-dimethylpropyl group, nickelocenylcyclopentyl group, nickelocenyl-n-hexyl group, nickelocenyl-4-methylpentyl group, nickelocenyl-3-methylpentyl group, nickelocenyl 2-methylpentyl group, nickelocenyl-1-methylpentyl group, nickelocenyl-3,3-dimethylbutyl group, nickelocenyl-2,3-dimethylbutyl group, nickelocenyl-1,3-dimethylbutyl group, nickelocenyl-2,2- Dimethylbutyl group, nickelocenyl-1,2-dimethylbutyl group, nickelocenyl-1,1-dimethylbutyl group, nickelocenyl-3-ethylbutyl group, nickelocenyl-2-ethylbutyl group, nickelocenyl-1-ethylbutyl group, nickelocenyl-1,2 , 2-trimethylbutyl group, nickelocenyl-1,1,2-trimethylbutyl group, nickelocenyl-1-ethyl-2-methylpropyl group, nickelocenylcyclohexyl group, nickelocenyl-n-heptyl group, nickelocenyl-2-methylhexyl Base , Nickelocenyl-3-methylhexyl group, nickelocenyl-4-methylhexyl group, nickelocenyl-5-methylhexyl group, nickelocenyl-2,4-dimethylpentyl group, nickelocenyl-n-octyl group, nickelocenyl-2-ethylhexyl group, nickelocenyl -2,5-dimethylhexyl group, nickelocenyl-2,5,5-trimethylpentyl group, nickelocenyl-2,4-dimethylhexyl group, nickelocenyl-2,2,4-trimethylpentyl group, nickelocenyl-3,5,5 -Trimethylhexyl group, nickelocenyl-n-nonyl group, nickelocenyl-n-decyl group.

(29) ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス(トリフルオメタンスルホナト)チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロモリブデンメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウムメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20のアルキル基。 (29) Dichlorotitanocenylmethyl group, trichlorotitanium cyclopentadienylmethyl group, bis (trifluoromethanesulfonate) titanocenemethyl group, dichlorozirconocenylmethyl group, dimethylzirconocenylmethyl group, diethoxyzirconocenylmethyl Group, bis (cyclopentadienyl) chromium methyl group, bis (cyclopentadienyl) dichloromolybdenum methyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorohafnium methyl group, bis (cyclopentadienyl) dichloroniobium methyl group, bis An alkyl group having 11 to 20 carbon atoms substituted with a metallocenyl group such as (cyclopentadienyl) ruthenium methyl group, bis (cyclopentadienyl) vanadium methyl group, or bis (cyclopentadienyl) dichlorovanadium methyl group.

(30) フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基。 (30) Ferrocenylmethoxymethyl group, ferrocenylmethoxyethyl group, ferrocenylmethoxypropyl group, ferrocenylmethoxybutyl group, ferrocenylmethoxypentyl group, ferrocenylmethoxyhexyl group, ferrocenylmethoxyheptyl Group, ferrocenylmethoxyoctyl group, ferrocenylmethoxynonyl group, ferrocenylmethoxydecyl group, ferrocenylethoxymethyl group, ferrocenylethoxyethyl group, ferrocenylethoxypropyl group, ferrocenylethoxybutyl group , Ferrocenylethoxypentyl group, ferrocenylethoxyhexyl group, ferrocenylethoxyheptyl group, ferrocenylethoxyoctyl group, ferrocenylethoxynonyl group, ferrocenylethoxydecyl group, ferrocenylpropoxymethyl group, Fe Cenylpropoxyethyl group, ferrocenylpropoxypropyl group, ferrocenylpropoxybutyl group, ferrocenylpropoxypentyl group, ferrocenylpropoxyhexyl group, ferrocenylpropoxyheptyl group, ferrocenylpropoxyoctyl group, ferrocele Nylpropoxynonyl group, ferrocenylpropoxydecyl group, ferrocenylbutoxymethyl group, ferrocenylbutoxyethyl group, ferrocenylbutoxypropyl group, ferrocenylbutoxybutyl group, ferrocenylbutoxypentyl group, ferrocenyl Butoxyhexyl, Ferrocenylbutoxyheptyl, Ferrocenylbutoxyoctyl, Ferrocenylbutoxynonyl, Ferrocenylbutoxydecyl, Ferrocenyldecyloxymethyl, Ferrocenyldecyloxyethyl Group, ferrocenyldecyloxypropyl group, ferrocenyldecyloxybutyl group, ferrocenyldecyloxypentyl group, ferrocenyldecyloxyhexyl group, ferrocenyldecyloxyheptyl group, ferrocenyldecyloxyoctyl group, Ferrocenyldecyloxynonyl group, ferrocenyldecyloxydecyl group.

(31) コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基。 (31) Cobaltcenylmethoxymethyl group, cobaltcenylmethoxyethyl group, cobaltcenylmethoxypropyl group, cobaltcenylmethoxybutyl group, cobaltcenylmethoxypentyl group, cobaltcenylmethoxyhexyl group, cobaltcenylmethoxyheptyl Group, cobaltcenylmethoxyoctyl group, cobaltcenylmethoxynonyl group, cobaltcenylmethoxydecyl group, cobaltcenylethoxymethyl group, cobaltcenylethoxyethyl group, cobaltcenylethoxypropyl group, cobaltcenylethoxybutyl group , Cobaltcenylethoxypentyl group, cobaltcenylethoxyhexyl group, cobaltcenylethoxyheptyl group, cobaltcenylethoxyoctyl group, cobaltcenylethoxynonyl group, cobaltcenylethoxydecyl , Cobaltcenylpropoxymethyl group, cobaltcenylpropoxyethyl group, cobaltcenylpropoxypropyl group, cobaltcenylpropoxybutyl group, cobaltcenylpropoxypentyl group, cobaltcenylpropoxyhexyl group, cobaltcenylpropoxyheptyl group, Cobaltcenylpropoxyoctyl group, cobaltcenylpropoxynonyl group, cobaltcenylpropoxydecyl group, cobaltcenylbutoxymethyl group, cobaltcenylbutoxyethyl group, cobaltcenylbutoxypropyl group, cobaltcenylbutoxybutyl group, cobalt Cenylbutoxypentyl group, cobaltcenylbutoxyhexyl group, cobaltcenylbutoxyheptyl group, cobaltcenylbutoxyoctyl group, cobaltcenylbutoxynonyl group, cobaltcenylbutyl group Toxidecyl group, cobalt senyl decyloxymethyl group, cobalt senyl decyloxy ethyl group, cobalt senyl decyloxy propyl group, cobalt senyl decyloxy butyl group, cobalt senyl decyloxy pentyl group, cobalt senyl decyloxy hexyl group , Cobalt senyl decyloxy heptyl group, cobalt senyl decyloxy octyl group, cobalt senyl decyloxy nonyl group, cobalt senyl decyloxy decyl group.

(32) ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基。 (32) nickelocenyl methoxymethyl group, nickelocenyl methoxyethyl group, nickelocenyl methoxypropyl group, nickelocenyl methoxybutyl group, nickelocenyl methoxypentyl group, nickelocenyl methoxyhexyl group, nickelocenyl methoxyheptyl Group, nickelocenylmethoxyoctyl group, nickelocenylmethoxynonyl group, nickelocenylmethoxydecyl group, nickelocenylethoxymethyl group, nickelocenylethoxyethyl group, nickelocenylethoxypropyl group, nickelocenylethoxybutyl group , Nickelocenylethoxypentyl group, Nickelocenylethoxyhexyl group, Nickelocenylethoxyheptyl group, Nickelocenylethoxyoctyl group, Nickelocenylethoxynonyl group, Nickelocenylethoxydecyl , Nickelocenylpropoxymethyl group, nickelocenylpropoxyethyl group, nickelocenylpropoxypropyl group, nickelocenylpropoxybutyl group, nickelocenylpropoxypentyl group, nickelocenylpropoxyhexyl group, nickelocenylpropoxyheptyl group, Nickelocenylpropoxyoctyl group, Nickelocenylpropoxynonyl group, Nickelocenylpropoxydecyl group, Nickelocenylbutoxymethyl group, Nickelocenylbutoxyethyl group, Nickelocenylbutoxypropyl group, Nickelocenylbutoxybutyl group, Nicke Locenylbutoxypentyl group, nickelocenylbutoxyhexyl group, nickelocenylbutoxyheptyl group, nickelocenylbutoxyoctyl group, nickelocenylbutoxynonyl group, nickelocenylbyl Toxidecyl group, Nickelocenyldecyloxymethyl group, Nickelocenyldecyloxyethyl group, Nickelocenyldecyloxypropyl group, Nickelocenyldecyloxybutyl group, Nickelocenyldecyloxypentyl group, Nickelocenyldecyloxyhexyl group A nickelocenyldecyloxyheptyl group, a nickelocenyldecyloxyoctyl group, a nickelocenyldecyloxynonyl group, a nickelocenyldecyloxydecyl group.

(33) ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムメトキシヘキシル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメトキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウムメトキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した素数12〜30のアルキル基。 (33) Dichlorotitanosenylmethoxymethyl group, trichlorotitanium cyclopentadienylmethoxyethyl group, bis (trifluoromethanesulfonate) titanocenemethoxypropyl group, dichlorozirconocenylmethoxybutyl group, dimethylzirconocenylmethoxypentyl group, di Ethoxyzirconocenylmethoxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) chromium methoxyhexyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorohafnium methoxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) dichloroniobium methoxyoctyl group, bis (cyclopenta Dienyl) ruthenium methoxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) vanadium methoxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorovanadium methoxyethyl group, osmocenyl methoxy Alkyl group prime 12-30 substituted with metallocenylphosphines alkenyl alkyl group such as ethyl.

(34) フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基。 (34) Ferrocenecarbonyloxymethyl group, ferrocenecarbonyloxyethyl group, ferrocenecarbonyloxypropyl group, ferrocenecarbonyloxybutyl group, ferrocenecarbonyloxypentyl group, ferrocenecarbonyloxyhexyl group, ferrocenecarbonyloxyheptyl group, ferrocenecarbonyloxyoctyl group , Ferrocenecarbonyloxynonyl group, ferrocenecarbonyloxydecyl group.

(35) コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基。 (35) Cobaltcenecarbonyloxymethyl group, cobaltcenecarbonyloxyethyl group, cobaltcenecarbonyloxypropyl group, cobaltcenecarbonyloxybutyl group, cobaltcenecarbonyloxypentyl group, cobaltcenecarbonyloxyhexyl group, cobaltcenecarbonyloxyheptyl group Group, cobaltcenecarbonyloxyoctyl group, cobaltcenecarbonyloxynonyl group, cobaltcenecarbonyloxydecyl group.

(36) ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基。 (36) Nickelocenecarbonyloxymethyl group, Nickelocenecarbonyloxyethyl group, Nickelocenecarbonyloxypropyl group, Nickelocenecarbonyloxybutyl group, Nickelocenecarbonyloxypentyl group, Nickelocenecarbonyloxyhexyl group, Nickelocenecarbonyloxyheptyl group Group, nickelocenecarbonyloxyoctyl group, nickelocenecarbonyloxynonyl group, nickelocenecarbonyloxydecyl group.

(37) ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス(シクロペンタジエニル)オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数12〜30のアルキル基。 (37) Dichlorotitanosenylcarbonyloxymethyl group, trichlorotitanium cyclopentadienylcarbonyloxyethyl group, bis (trifluoromethanesulfonate) titanocenecarbonyloxymethoxypropyl group, dichlorozirconocenecarbonyloxybutyl group, dimethylzirconocenecarbonyloxypentyl group , Diethoxyzirconocenecarbonyloxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) chrome carbonyloxyhexyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorohafniumcarbonyloxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) dichloroniobylcarbonyloxyoctyl group, Bis (cyclopentadienyl) ruthenium carbonyloxymethyl group, bis (cyclopentadienyl) vanadium carbonyloxime Group, bis (cyclopentadienyl) dichloro vanadium carbonyloxy ethyl group, bis (cyclopentadienyl) alkyl group having a carbon number of 12 to 30 was replaced with metallocenylphosphines alkenyl carbonyl group such as osmium carbonyloxy ethyl group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアラルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−9−イルエトキシ基などの炭素数7〜15のアラルキルオキシ基等である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted aralkyloxy groups include aralkyloxy groups having the same substituents as in the case of the alkyl group described above, and benzyl is preferable. Oxy group, nitrobenzyloxy group, cyanobenzyloxy group, hydroxybenzyloxy group, methylbenzyloxy group, trifluoromethylbenzyloxy group, naphthylmethoxy group, nitronaphthylmethoxy group, cyanonaphthylmethoxy group, hydroxynaphthylmethoxy group, methyl And an aralkyloxy group having 7 to 15 carbon atoms such as a naphthylmethoxy group, a trifluoromethylnaphthylmethoxy group, and a fluoren-9-ylethoxy group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアリールオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ基、2−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基などの炭素数6〜18のアリールオキシ基である。 Further, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted aryloxy groups include aryloxy groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and preferably phenoxy Group, 2-methylphenoxy group, 4-methylphenoxy group, 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group, naphthoxy group, ferrocenyloxy group, cobaltcenyloxy group And an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, such as a nickelocenyloxy group, an octamethylferrocenyloxy group, an octamethylcobalcenyloxy group, and an octamethylnickelocenyloxy group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアルケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、1−ブテニルオキシ基、iso−ブテニルオキシ基、1−ペンテニルオキシ基、2−ペンテニルオキシ基、2−メチル−1−ブテニルオキシ基、3−メチル−1−ブテニルオキシ基、2−メチル−2−ブテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、2,2−ジシアノビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシ基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、4−フェニル−2−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数2〜10のアルケニルオキシ基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkenyloxy groups include alkenyloxy groups having the same substituents as those in the above-described alkyl group, and vinyloxy is preferable. Group, propenyloxy group, 1-butenyloxy group, iso-butenyloxy group, 1-pentenyloxy group, 2-pentenyloxy group, 2-methyl-1-butenyloxy group, 3-methyl-1-butenyloxy group, 2-methyl- 2-butenyloxy group, cyclopentadienyloxy group, 2,2-dicyanovinyloxy group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyloxy group, 2-cyano-2-methylsulfonvinyloxy group, styryloxy group, 4 -Alkyl having 2 to 10 carbon atoms such as phenyl-2-butenyloxy group and cinnamylalkoxy group Is a Niruokishi group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、3,5,5−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数1〜10のアルキルチオ基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkylthio groups include alkylthio groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, preferably methylthio groups, Ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, neopentylthio group, 2- It is an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms such as methylbutylthio group, methylcarboxylethylthio group, 2-ethylhexylthio group, 3,5,5-trimethylhexylthio group, and decalylthio group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアラルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−9−イルエチルチオ基などの炭素数7〜12のアラルキルチオ基等である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted aralkylthio groups include aralkylthio groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and benzylthio is preferable. Group, nitrobenzylthio group, cyanobenzylthio group, hydroxybenzylthio group, methylbenzylthio group, trifluoromethylbenzylthio group, naphthylmethylthio group, nitronaphthylmethylthio group, cyanonaphthylmethylthio group, hydroxynaphthylmethylthio group, methylnaphthyl And an aralkylthio group having 7 to 12 carbon atoms such as a methylthio group, a trifluoromethylnaphthylmethylthio group, and a fluoren-9-ylethylthio group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアリールチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数6〜10のアリールチオ基などである。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted arylthio groups include arylthio groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above. Preferred are phenylthio groups, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group, 4-t-butylphenylthio group, naphthylthio group, ferrocenylthio group, cobaltcenylthio group, nickelocenylthio group, octamethylferrocenylthio group, octamethylcobalt An arylthio group having 6 to 10 carbon atoms such as a senylthio group and an octamethylnickelocenylthio group;

また、R〜Rが置換又は無置換のアルケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数2〜10のアルケニルチオ基などである。 Further, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkenylthio groups include alkenylthio groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, preferably vinylthio Group, allylthio group, butenylthio group, hexanedienylthio group, cyclopentadienylthio group, styrylthio group, cyclohexenylthio group, alkenylthio group such as decenylthio group.

また、R〜Rがモノ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の(1)〜(5)の基である。
(1) メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、(2−エチルヘキシル)アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数1〜10のモノアルキルアミノ基。
Further, as a specific example of R 1 to R 8 is a mono-substituted amino group, include mono-substituted amino group having a case similar to the substituent of the alkyl group described above, preferred are the following (1 ) To (5).
(1) methylamino group, ethylamino group, propylamino group, butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, heptylamino group, octylamino group, (2-ethylhexyl) amino group, cyclohexylamino group, (3, 5,5-trimethylhexyl) monoalkylamino groups having 1 to 10 carbon atoms such as amino group, nonylamino group, decylamino group and the like.

(2) ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、(3−フェニルプロピル)アミノ基、(4−エチルベンジル)アミノ基、(4−イソプロピルベンジル)アミノ基、(4−メチルベンジル)アミノ基、(4−エチルベンジル)アミノ基、(4−アリルベンジル)アミノ基、〔4−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノ基、〔4−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノ基などの炭素数7〜10のモノアラルキルアミノ基。 (2) benzylamino group, phenethylamino group, (3-phenylpropyl) amino group, (4-ethylbenzyl) amino group, (4-isopropylbenzyl) amino group, (4-methylbenzyl) amino group, (4- Monoethyl having 7 to 10 carbon atoms such as (ethylbenzyl) amino group, (4-allylbenzyl) amino group, [4- (2-cyanoethyl) benzyl] amino group, [4- (2-acetoxyethyl) benzyl] amino group, etc. Aralkylamino group.

(3) アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、4−メチルアニリノ基、4−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オクタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジルコノセニルアミノ基など、素数6〜10のモノアリールアミノ基。 (3) Anilino, naphthylamino, toluidino, xylidino, ethylanilino, isopropylanilino, methoxyanilino, ethoxyanilino, chloroanilino, acetylanilino, methoxycarbonylanilino, ethoxycarbonyl Anilino group, propoxycarbonylanilino group, 4-methylanilino group, 4-ethylanilino group, ferrocenylamino group, cobaltcenylamino group, nickelocenylamino group, zirconocenylamino group, octamethylferrocenylamino A monoarylamino group having a prime number of 6 to 10, such as a group, an octamethylcobalcenylamino group, an octamethylnickelocenylamino group, and an octamethylzirconocenylamino group.

(4) ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数2〜10のモノアルケニルアミノ基。 (4) 2-10 carbon atoms such as vinylamino group, allylamino group, butenylamino group, pentenylamino group, hexenylamino group, cyclohexenylamino group, cyclopentadienylamino group, octadienylamino group, adamantenylamino group, etc. A monoalkenylamino group.

(5) ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、n−プロピルカルボニルアミノ基、iso−プロピルカルボニルアミノ基、n−ブチルカルボニルアミノ基、iso−ブチルカルボニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、t−ブチルカルボニルアミノ基、n−ペンチルカルボニルアミノ基、iso−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、2−メチルブチルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、4−t−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルアミノ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、1−メチルフェロセン−1’−カルボニルアミノ基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニルアミノ基などの炭素数1〜16のアシルアミノ基等のアミノ基。 (5) Formylamino group, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, n-propylcarbonylamino group, iso-propylcarbonylamino group, n-butylcarbonylamino group, iso-butylcarbonylamino group, sec-butylcarbonylamino Group, t-butylcarbonylamino group, n-pentylcarbonylamino group, iso-pentylcarbonylamino group, neopentylcarbonylamino group, 2-methylbutylcarbonylamino group, benzoylamino group, methylbenzoylamino group, ethylbenzoylamino group , Tolylcarbonylamino group, propylbenzoylamino group, 4-t-butylbenzoylamino group, nitrobenzylcarbonylamino group, 3-butoxy-2-naphthoylamino group, cinnamoylamino group, B Sen carbonylamino group, 1-methyl-ferrocene-1'-carbonyl group, cobaltocene carbonylamino group, an amino group such as an acylamino group having 1 to 16 carbon atoms such as nickel Russia Sen carbonylamino group.

また、R〜Rがジ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の(1)〜(6)の基である。 Specific examples of the case where R 1 to R 8 are disubstituted amino groups include disubstituted amino groups having the same substituents as in the case of the alkyl group described above, and the following (1 ) To (6).

(1) ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−n−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス(メトキシエチル)アミノ基、ビス(エトキシエチル)アミノ基、ビス(プロポキシエチル)アミノ基、ビス(ブトキシエチル)アミノ基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノ基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノ基、N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノ基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノ基などの炭素数2〜16のジアルキルアミノ基。 (1) Dimethylamino group, diethylamino group, methylethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group, di-n-hexylamino group, dicyclohexylamino group, dioctylamino group, bis (methoxyethyl) amino group, bis ( Ethoxyethyl) amino group, bis (propoxyethyl) amino group, bis (butoxyethyl) amino group, di (acetyloxyethyl) amino group, di (hydroxyethyl) amino group, N-ethyl-N- (2-cyanoethyl) A dialkylamino group having 2 to 16 carbon atoms such as an amino group and a di (propionyloxyethyl) amino group;

(2) ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス(4−エチルベンジル)アミノ基、ビス(4−イソプロピルベンジル)アミノ基などの炭素数14〜20のジアラルキルアミノ基。 (2) Diaralkylamino groups having 14 to 20 carbon atoms such as dibenzylamino group, diphenethylamino group, bis (4-ethylbenzyl) amino group, and bis (4-isopropylbenzyl) amino group.

(3) ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基などの炭素数12〜14のジアリールアミノ基。 (3) A diarylamino group having 12 to 14 carbon atoms such as a diphenylamino group, a ditolylamino group, or an N-phenyl-N-tolylamino group.

(4) ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス(シクロペンタジエニル)アミノ基、N−ビニル−N−アリルアミノ基などの炭素数4〜12のジアルケニルアミノ基。 (4) C4-C12 such as divinylamino group, diallylamino group, dibutenylamino group, dipentenylamino group, dihexenylamino group, bis (cyclopentadienyl) amino group, N-vinyl-N-allylamino group, etc. Dialkenylamino group.

(5) ジホルミルアミノ基、ジ(メチルカルボニル)アミノ基、ジ(エチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−プロピルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−プロピルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(sec−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(t−ブチルカルボニル)アミノ基、ジ(n−ペンチルカルボニル)アミノ基、ジ(iso−ペンチルカルボニル)アミノ基、ジ(ネオペンチルカルボニル)アミノ基、ジ(2−メチルブチルカルボニル)アミノ基、ジ(ベンゾイル)アミノ基、ジ(メチルベンゾイル)アミノ基、ジ(エチルベンゾイル)アミノ基、ジ(トリルカルボニル)アミノ基、ジ(プロピルベンゾイル)アミノ基、ジ(4−t−ブチルベンゾイル)アミノ基、ジ(ニトロベンジルカルボニル)アミノ基、ジ(3−ブトキシ−2−ナフトイル)アミノ基、ジ(シンナモイル)アミノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数2〜30のジアシルアミノ基。 (5) Diformylamino group, di (methylcarbonyl) amino group, di (ethylcarbonyl) amino group, di (n-propylcarbonyl) amino group, di (iso-propylcarbonyl) amino group, di (n-butylcarbonyl) ) Amino group, di (iso-butylcarbonyl) amino group, di (sec-butylcarbonyl) amino group, di (t-butylcarbonyl) amino group, di (n-pentylcarbonyl) amino group, di (iso-pentylcarbonyl) ) Amino group, di (neopentylcarbonyl) amino group, di (2-methylbutylcarbonyl) amino group, di (benzoyl) amino group, di (methylbenzoyl) amino group, di (ethylbenzoyl) amino group, di (tolyl) Carbonyl) amino group, di (propylbenzoyl) amino group, di (4-t-butylbenzoy) ) Amino group, di (nitrobenzylcarbonyl) amino group, di (3-butoxy-2-naphthoyl) amino group, di (cinnamoyl) amino group, a diacylamino group having 2 to 30 carbon atoms such as succinic acid imino group.

(6) N−フェニル−N−アリルアミノ基、N−(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノ基、N−トリル−N−メチルアミノ基、N−ビニル−N−メチルアミノ基、N−ベンジル−N−アリルアミノ基、N−メチル−フェロセニルアミノ基、N−エチル−コバルトセニルアミノ基、N−ブチル−ニッケロセニルアミノ基、N−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ基、N−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ基、N−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数3〜24のジ置換アミノ基。 (6) N-phenyl-N-allylamino group, N- (2-acetyloxyethyl) -N-ethylamino group, N-tolyl-N-methylamino group, N-vinyl-N-methylamino group, N- Benzyl-N-allylamino group, N-methyl-ferrocenylamino group, N-ethyl-cobaltcenylamino group, N-butyl-nickelocenylamino group, N-hexyl-octamethylferrocenylamino group, N -Number of carbons having a substituent selected from a substituted or unsubstituted alkyl group such as methyl-octamethylcobaltenylcenylamino group, N-methyl-octamethylnickelocenylamino group, aralkyl group, aryl group, alkenyl group 3-24 disubstituted amino groups.

また、R〜Rが置換又は無置換のアシル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、2−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、4−t−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、3−ブトキシ−2−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、1−メチルフェロセン−1’−カルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基などの炭素数1〜16のアシル基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted acyl groups include acyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl group described above, preferably a formyl group, Methylcarbonyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, iso-butylcarbonyl group, sec-butylcarbonyl group, t-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neopentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group, benzoyl group, methylbenzoyl group, ethylbenzoyl group, tolylcarbonyl group, propylbenzoyl group, 4-t-butylbenzoyl group, nitrobenzylcarbonyl group, 3-butoxy-2-naphthoyl group, cinna Yl group, ferrocene carbonyl group, a 1-methyl-ferrocene-1'-carbonyl group, cobaltocene carbonyl group, an acyl group having 1 to 16 carbon atoms such as nickel Russia Sen carbonyl group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の(1)〜(7)の基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl groups include alkoxycarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above. (1) to (7).

(1) メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、iso−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペントキシカルボニル基、iso−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、2−ペントキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数2〜11のアルコキシカルボニル基。 (1) Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, iso-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, iso-butoxycarbonyl group, sec-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pen Toxylcarbonyl group, iso-pentoxycarbonyl group, neopentoxycarbonyl group, 2-pentoxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, 3,5,5-trimethylhexyloxycarbonyl group, decalyloxycarbonyl group, cyclohexyl An alkoxycarbonyl group having 2 to 11 carbon atoms such as an oxycarbonyl group, a chloroethoxycarbonyl group, a hydroxymethoxycarbonyl group, and a hydroxyethoxycarbonyl group;

(2) メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置換した炭素数3〜11のアルコキシカルボニル基。 (2) Methoxymethoxycarbonyl group, methoxyethoxycarbonyl group, ethoxyethoxycarbonyl group, propoxyethoxycarbonyl group, butoxyethoxycarbonyl group, pentoxyethoxycarbonyl group, hexyloxyethoxycarbonyl group, butoxybutoxycarbonyl group, hexyloxybutoxycarbonyl group , An alkoxycarbonyl group having 3 to 11 carbon atoms substituted with an alkoxy group such as a hydroxymethoxymethoxycarbonyl group or a hydroxyethoxyethoxycarbonyl group.

(3) メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数4〜11のアルコキシカルボニル基。 (3) Alkoxyalkoxy such as methoxymethoxymethoxycarbonyl group, methoxyethoxyethoxycarbonyl group, ethoxyethoxyethoxycarbonyl group, propoxyethoxyethoxycarbonyl group, butoxyethoxyethoxycarbonyl group, pentoxyethoxyethoxycarbonyl group, hexyloxyethoxyethoxycarbonyl group An alkoxycarbonyl group having 4 to 11 carbon atoms substituted by the group;

(4) フェロセニルメトキシカルボニル基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基。 (4) Ferrocenylmethoxycarbonyl group, ferrocenylethoxycarbonyl group, ferrocenylpropoxycarbonyl group, ferrocenylbutoxycarbonyl group, ferrocenylpentyloxycarbonyl group, ferrocenylhexyloxycarbonyl group, ferrocenylheptyl An oxycarbonyl group, a ferrocenyloctyloxycarbonyl group, a ferrocenylnonyloxycarbonyl group, and a ferrocenyldecyloxycarbonyl group.

(5) コバルトセニルメトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシカルボニル基。 (5) Cobaltcenylmethoxycarbonyl group, cobaltcenylethoxycarbonyl group, cobaltcenylpropoxycarbonyl group, cobaltcenylbutoxycarbonyl group, cobaltcenylpentyloxycarbonyl group, cobaltcenylhexyloxycarbonyl group, cobaltcenylheptyl An oxycarbonyl group, a cobaltcenyloctyloxycarbonyl group, a cobaltcenylnonyloxycarbonyl group, and a cobaltcenyldecyloxycarbonyl group.

(6) ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル基。 (6) Nickelocenylmethoxycarbonyl group, Nickelocenylethoxycarbonyl group, Nickelocenylpropoxycarbonyl group, Nickelocenylbutoxycarbonyl group, Nickelocenylpentyloxycarbonyl group, Nickelocenylhexyloxycarbonyl group, Nickelocenyl Heptyloxycarbonyl group, nickelocenyloctyloxycarbonyl group, nickelocenylnonyloxycarbonyl group, nickelocenyldecyloxycarbonyl group.

(7) ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカルボニル基、ビス(トリフルオロメタンスルホナト)チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)クロムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロニオブメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)バナジウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス(シクロペンタジエニル)オスミウムメトキシカルボニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数11〜20のアルコキシカルボニル基。 (7) Dichlorotitanosenyl methoxycarbonyl group, trichlorotitanium cyclopentadienyl methoxycarbonyl group, bis (trifluoromethanesulfonato) titanocene methoxycarbonyl group, dichlorozirconocenylmethoxycarbonyl group, dimethylzirconocenylmethoxycarbonyl group, di Ethoxyzirconocenyl methoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) chromium methoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorohafnium methoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) dichloroniobium methoxycarbonyl group, bis (cyclopenta Dienyl) ruthenium methoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) vanadium methoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) dichlorovanadium group Alkoxycarbonyl group, bis (cyclopentadienyl) alkoxycarbonyl group having a carbon number of 11 to 20 was substituted with metallocenyl group such as osmium methoxycarbonyl group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−9−イルエトキシカルボニル基などの炭素数8〜16のアラルキルオキシカルボニル基等である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted aralkyloxycarbonyl groups include aralkyloxycarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and are preferable. Benzyloxycarbonyl group, nitrobenzyloxycarbonyl group, cyanobenzyloxycarbonyl group, hydroxybenzyloxycarbonyl group, methylbenzyloxycarbonyl group, trifluoromethylbenzyloxycarbonyl group, naphthylmethoxycarbonyl group, nitronaphthylmethoxycarbonyl group, cyano Naphthylmethoxycarbonyl group, hydroxynaphthylmethoxycarbonyl group, methylnaphthylmethoxycarbonyl group, trifluoromethylnaphthylmethoxycarbonyl group, fluoren-9-ylethoxycarbo Le group is an aralkyloxycarbonyl group having 8 to 16 carbon atoms, etc., such as.

また、R〜Rが置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシカルボニル基、2−メチルフェノキシカルボニル基、4−メチルフェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカルボニル基、2−メトキシフェノキシカルボニル基、4−iso−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基などの炭素数7〜11のアリールオキシカルボニル基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted aryloxycarbonyl groups include aryloxycarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and are preferable. Phenoxycarbonyl group, 2-methylphenoxycarbonyl group, 4-methylphenoxycarbonyl group, 4-t-butylphenoxycarbonyl group, 2-methoxyphenoxycarbonyl group, 4-iso-propylphenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, ferro Cenyloxycarbonyl group, cobaltcenyloxycarbonyl group, nickelocenyloxycarbonyl group, zirconocenyloxycarbonyl group, octamethylferrocenyloxycarbonyl group, octamethylcobaltenyloxycarbonyl group, octamethylnickelo Aryloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group having 7 to 11 carbon atoms such as octamethyl zirconyl placed aryloxycarbonyl group.

また、R〜Rが置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル基、1−ブテニルオキシカルボニル基、iso−ブテニルオキシカルボニル基、1−ペンテニルオキシカルボニル基、2−ペンテニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニル基、2−メチル−1−ブテニルオキシカルボニル基、3−メチル−1−ブテニルオキシカルボニル基、2−メチル−2−ブテニルオキシカルボニル基、2,2−ジシアノビニルオキシカルボニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、4−フェニル−2−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数3〜11のアルケニルオキシカルボニル基である。 Further, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted alkenyloxycarbonyl groups include alkenyloxycarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and are preferable. Vinyloxycarbonyl group, propenyloxycarbonyl group, 1-butenyloxycarbonyl group, iso-butenyloxycarbonyl group, 1-pentenyloxycarbonyl group, 2-pentenyloxycarbonyl group, cyclopentadienyloxycarbonyl group, 2 -Methyl-1-butenyloxycarbonyl group, 3-methyl-1-butenyloxycarbonyl group, 2-methyl-2-butenyloxycarbonyl group, 2,2-dicyanovinyloxycarbonyl group, 2-cyano-2 -Methylcarboxylvinyloxycarbonyl group, 2-sia -2-methyl sulfone vinyl oxycarbonyl group, styryl oxycarbonyl group, an alkenyloxycarbonyl group having a carbon number of 3 to 11, such as 4-phenyl-2-butenyl oxy carbonyl group.

また、R〜Rがモノ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の(1)〜(4)の基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are mono-substituted aminocarbonyl groups include mono-substituted aminocarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl group described above. It is group (1)-(4).

(1) メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、(2−エチルヘキシル)アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、(3,5,5−トリメチルヘキシル)アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数2〜11のモノアルキルアミノカルボニル基。 (1) methylaminocarbonyl group, ethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, butylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, hexylaminocarbonyl group, heptylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, (2-ethylhexyl) aminocarbonyl Groups, cyclohexylaminocarbonyl groups, (3,5,5-trimethylhexyl) aminocarbonyl groups, nonylaminocarbonyl groups, decylaminocarbonyl groups and other monoalkylaminocarbonyl groups having 2 to 11 carbon atoms.

(2) ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカルボニル基、(3−フェニルプロピルアミノカルボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニル基、(4−イソプロピルベンジル)アミノカルボニル基、(4−メチルベンジル)アミノカルボニル基、(4−エチルベンジル)アミノカルボニル基、(4−アリルベンジル)アミノカルボニル基、〔4−(2−シアノエチル)ベンジル〕アミノカルボニル基、〔4−(2−アセトキシエチル)ベンジル〕アミノカルボニル基などの炭素数8〜11のモノアラルキルアミノカルボニル基。 (2) benzylaminocarbonyl group, phenethylaminocarbonyl group, (3-phenylpropylaminocarbonyl group, (4-ethylbenzyl) aminocarbonyl group, (4-isopropylbenzyl) aminocarbonyl group, (4-methylbenzyl) aminocarbonyl Group, (4-ethylbenzyl) aminocarbonyl group, (4-allylbenzyl) aminocarbonyl group, [4- (2-cyanoethyl) benzyl] aminocarbonyl group, [4- (2-acetoxyethyl) benzyl] aminocarbonyl group A monoaralkylaminocarbonyl group having 8 to 11 carbon atoms, such as

(3) アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノカルボニル基、4−メチルアニリノカルボニル基、4−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数7〜11のモノアリールアミノカルボニル基。 (3) Anilinocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, toluidinocarbonyl group, xylidinocarbonyl group, ethylanilinocarbonyl group, isopropylanilinocarbonyl group, methoxyanilinocarbonyl group, ethoxyanilinocarbonyl group, chloroaniline Linocarbonyl group, acetylanilinocarbonyl group, methoxycarbonylanilinocarbonyl group, ethoxycarbonylanilinocarbonyl group, propoxycarbonylanilinocarbonyl group, 4-methylanilinocarbonyl group, 4-ethylanilinocarbonyl group, etc. 7-11 monoarylaminocarbonyl groups.

(4) ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基、などの炭素数3〜11のモノアルケニルアミノカルボニル基。 (4) vinylaminocarbonyl group, allylaminocarbonyl group, butenylaminocarbonyl group, pentenylaminocarbonyl group, hexenylaminocarbonyl group, cyclohexenylaminocarbonyl group, octadienylaminocarbonyl group, adamantenylaminocarbonyl group, etc. A monoalkenylaminocarbonyl group having 3 to 11 carbon atoms.

また、R〜Rがジ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の(1)〜(5)の基である。 In addition, specific examples in the case where R 1 to R 8 are disubstituted aminocarbonyl groups include disubstituted aminocarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl group described above. It is group (1)-(5).

(1) ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ−n−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス(メトキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(エトキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(プロポキシエチル)アミノカルボニル基、ビス(ブトキシエチル)アミノカルボニル基、ジ(アセチルオキシエチル)アミノカルボニル基、ジ(ヒドロキシエチル)アミノカルボニル基、N−エチル−N−(2−シアノエチル)アミノカルボニル基、ジ(プロピオニルオキシエチル)アミノカルボニル基などの炭素数3〜17のジアルキルアミノカルボニル基。 (1) Dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, methylethylaminocarbonyl group, dipropylaminocarbonyl group, dibutylaminocarbonyl group, di-n-hexylaminocarbonyl group, dicyclohexylaminocarbonyl group, dioctylaminocarbonyl group, pyrrolidino Carbonyl group, piperidinocarbonyl group, morpholinocarbonyl group, bis (methoxyethyl) aminocarbonyl group, bis (ethoxyethyl) aminocarbonyl group, bis (propoxyethyl) aminocarbonyl group, bis (butoxyethyl) aminocarbonyl group, di (Acetyloxyethyl) aminocarbonyl group, di (hydroxyethyl) aminocarbonyl group, N-ethyl-N- (2-cyanoethyl) aminocarbonyl group, di (propionyloxye) Le) dialkylaminocarbonyl group having a carbon number of 3 to 17, such as an amino group.

(2) ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス(4−エチルベンジル)アミノカルボニル基、ビス(4−イソプロピルベンジル)アミノカルボニル基などの炭素数15〜21のジアラルキルアミノカルボニル基。 (2) Diaralkylaminocarbonyl groups having 15 to 21 carbon atoms such as dibenzylaminocarbonyl group, diphenethylaminocarbonyl group, bis (4-ethylbenzyl) aminocarbonyl group, bis (4-isopropylbenzyl) aminocarbonyl group.

(3) ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、N−フェニル−N−トリルアミノカルボニル基などの炭素数13〜15のジアリールアミノカルボニル基。 (3) A diarylaminocarbonyl group having 13 to 15 carbon atoms such as a diphenylaminocarbonyl group, a ditolylaminocarbonyl group, and an N-phenyl-N-tolylaminocarbonyl group.

(4) ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−アリルアミノカルボニル基などの炭素数5〜13のジアルケニルアミノカルボニル基。 (4) C5-C13 di, such as divinylaminocarbonyl group, diallylaminocarbonyl group, dibutenylaminocarbonyl group, dipentenylaminocarbonyl group, dihexenylaminocarbonyl group, N-vinyl-N-allylaminocarbonyl group Alkenylaminocarbonyl group.

(5) N−フェニル−N−アリルアミノカルボニル基、N−(2−アセチルオキシエチル)−N−エチルアミノカルボニル基、N−トリル−N−メチルアミノカルボニル基、N−ビニル−N−メチルアミノカルボニル基、N−ベンジル−N−アリルアミノカルボニル基等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数4〜11のジ置換アミノカルボニル基。 (5) N-phenyl-N-allylaminocarbonyl group, N- (2-acetyloxyethyl) -N-ethylaminocarbonyl group, N-tolyl-N-methylaminocarbonyl group, N-vinyl-N-methylamino A disubstituted aminocarbonyl group having 4 to 11 carbon atoms having a substituent selected from a substituted or unsubstituted alkyl group such as a carbonyl group and an N-benzyl-N-allylaminocarbonyl group, an aralkyl group, an aryl group, and an alkenyl group;

また、R〜Rが置換又は無置換のアシルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、iso−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、t−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、iso−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、2−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ基、3−ブトキシ−2−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、1−メチルフェロセン−1’−カルボニルオキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキシ基などの炭素数2〜16のアシルオキシ基である。 Further, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted acyloxycarbonyl groups include acyloxycarbonyl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above, and preferably formyl Oxy group, methylcarbonyloxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, iso-propylcarbonyloxy group, n-butylcarbonyloxy group, iso-butylcarbonyloxy group, sec-butylcarbonyloxy group, t- Butylcarbonyloxy group, n-pentylcarbonyloxy group, iso-pentylcarbonyloxy group, neopentylcarbonyloxy group, 2-methylbutylcarbonyloxy group, benzoyloxy group, methylbenzoyloxy group, ethylbenzoyloxy group, tolyluca Bonyloxy group, propylbenzoyloxy group, 4-t-butylbenzoyloxy group, nitrobenzylcarbonyloxy group, 3-butoxy-2-naphthoyloxy group, cinnamoyloxy group, ferrocenecarbonyloxy group, 1-methylferrocene-1 And an acyloxy group having 2 to 16 carbon atoms such as a '-carbonyloxy group, a cobaltocenecarbonyloxy group, and a nickelocenecarbonyloxy group.

また、R〜Rが置換又は無置換のヘテロアリール基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール基が挙げられ、好ましいのは、次の(a)に示す無置換ヘテロアリール基、或いは(b)に示す置換基により置換したヘテロアリール基である。
(a) フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−2−イル基、ベンゾトリアゾール−1−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換ヘテロアリール基。
Further, specific examples in the case where R 1 to R 8 are substituted or unsubstituted heteroaryl groups include heteroaryl groups having the same substituents as in the case of the alkyl groups described above. An unsubstituted heteroaryl group represented by (a), or a heteroaryl group substituted by a substituent represented by (b).
(A) Furanyl group, pyrrolyl group, 3-pyrrolino group, pyrazolyl group, imidazolyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, 1,2,3-oxadiazolyl group, 1,2,3-triazolyl group, 1,2,4- Triazolyl group, 1,3,4-thiadiazolyl group, pyridinyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, piperazinyl group, triazinyl group, benzofuranyl group, indolyl group, thionaphthenyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzotriazol group 2-yl group, benzotriazol-1-yl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, coumarinyl group, cinnolinyl group, quinoxalinyl group, dibenzofuranyl group, carbazolyl group, phenanthronyl group, phenothiazinyl group, flavonyl group Group, phthali Unsubstituted heteroaryl groups such as amide group and naphthylimide group.

(b)ヘテロアリール基の置換基
(b−1)フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;
(b−2)シアノ基;
(b−3)メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基;
(b−4)ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;
(b−5)フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリール基;
(b−6)メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、3,5,5−トリメチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコキシ基;
(B) Substituent of heteroaryl group (b-1) Halogen atom such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom;
(B-2) a cyano group;
(B-3) methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group, methoxymethyl group, ethoxyethyl group, ethoxyethyl group, trifluoromethyl group, etc. An alkyl group;
(B-4) aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group;
(B-5) aryl groups such as phenyl group, tolyl group, naphthyl group, xylyl group, mesyl group, chlorophenyl group, methoxyphenyl group;
(B-6) Methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 3, 5, 5- Alkoxy groups such as trimethylhexyloxy group, ferrocenemethoxy group, cobaltcenemethoxy group, nickelocenemethoxy group;

(b−7)ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基;
(b−8)フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基;
(b−9)ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基等のアルケニル基;
(b−10)ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
(b−11)メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基;
(b−12)ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基;
(b−13)フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基;
(B-7) aralkyloxy groups such as benzyloxy group and phenethyloxy group;
(B-8) aryloxy groups such as phenoxy group, tolyloxy group, naphthoxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, chlorophenoxy group, methoxyphenoxy group;
(B-9) Alkenyl groups such as vinyl group, allyl group, butenyl group, butadienyl group, pentenyl group, cyclopentadienyl group, octenyl group;
(B-10) Alkenyloxy groups such as vinyloxy group, allyloxy group, butenyloxy group, butadienyloxy group, pentenyloxy group, cyclopentadienyloxy group, octenyloxy group;
(B-11) Methylthio, ethylthio, propylthio, butylthio, pentylthio, hexylthio, heptylthio, octylthio, decylthio, methoxymethylthio, ethoxyethylthio, ethoxyethylthio, trifluoromethylthio Alkylthio groups such as
(B-12) aralkylthio groups such as benzylthio group and phenethylthio group;
(B-13) arylthio groups such as phenylthio group, tolylthio group, naphthylthio group, xylylthio group, mesylthio group, chlorophenylthio group, methoxyphenylthio group;

(b−14)ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;
(b−15)アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基等のアシル基;
(b−16)メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカルボニル基、1−メチルフェロセン−1’−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;
(b−17)ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基;
(b−18)フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基;
(B-14) Dialkylamino groups such as dimethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group;
(B-15) acyl groups such as acetyl group, propionyl group, butanoyl group, ferrocenecarbonyl group, cobaltocenecarbonyl group, nickelocenecarbonyl group;
(B-16) alkoxycarbonyl groups such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a ferrocene methoxycarbonyl group, a 1-methylferrocene-1′-ylmethoxycarbonyl group, a cobaltcenylmethoxycarbonyl group, and a nickelocenylmethoxycarbonyl group;
(B-17) aralkyloxycarbonyl groups such as benzyloxycarbonyl group and phenethyloxycarbonyl group;
(B-18) aryloxycarbonyl groups such as phenoxycarbonyl group, tolyloxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, xylyloxycarbonyl group, mesyloxycarbonyl group, chlorophenoxycarbonyl group, methoxyphenoxycarbonyl group;

(b−19)ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基;
(b−20)メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、3,5,5−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数2〜10のモノアルキルアミノカルボニル基;
(b−21)ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、4−メチルピペラジノカルボニル基、4−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数3〜20のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基。
(B-19) Alkenyloxycarbonyl such as vinyloxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, butenyloxycarbonyl group, butadienyloxycarbonyl group, cyclopentadienyloxy group, pentenyloxycarbonyl group, octenyloxycarbonyl group, etc. Group;
(B-20) methylaminocarbonyl group, ethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, butylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, hexylaminocarbonyl group, heptylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, nonylaminocarbonyl group, A monoalkylaminocarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms such as 3,5,5-trimethylhexylaminocarbonyl group and 2-ethylhexylaminocarbonyl group;
(B-21) Dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, dipropylaminocarbonyl group, dibutylaminocarbonyl group, dipentylaminocarbonyl group, dihexylaminocarbonyl group, diheptylaminocarbonyl group, dioctylaminocarbonyl group, piperidinocarbonyl Group, morpholinocarbonyl group, 4-methylpiperazinocarbonyl group, alkylaminocarbonyl group such as C3-C20 dialkylaminocarbonyl group such as 4-ethylpiperazinocarbonyl group.

(b−22)フラニル基、ピロリル基、3−ピロリノ基、ピロリジノ基、1,3−オキソラニル基、ピラゾリル基、2−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、1,2,3−オキサジアゾリル基、1,2,3−トリアゾリル基、1,2,4−トリアゾリル基、1,3,4−チアジアゾリル基、4H−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複素環基;
(b−23)フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基などのメタロセニル基。
(B-22) Furanyl group, pyrrolyl group, 3-pyrrolino group, pyrrolidino group, 1,3-oxolanyl group, pyrazolyl group, 2-pyrazolinyl group, pyrazolidinyl group, imidazolyl group, oxazolyl group, thiazolyl group, 1,2, 3-oxadiazolyl group, 1,2,3-triazolyl group, 1,2,4-triazolyl group, 1,3,4-thiadiazolyl group, 4H-pyranyl group, pyridinyl group, piperidinyl group, dioxanyl group, morpholinyl group, pyridazinyl Group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, piperazinyl group, triazinyl group, benzofuranyl group, indolyl group, thionaphthenyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, coumarinyl group, cinnolinyl group, quinoxalinyl group, dibenzofuranyl group Nil , Carbazolyl group, phenanthridine Roni Lil group, phenothiazinyl group, a heterocyclic group such as Furaboniru group;
(B-23) Metallocenyl groups such as a ferrocenyl group, a cobaltcenyl group, a nickelocenyl group, a ruthenocenyl group, an osmocenyl group, and a titanocenyl group.

、L、及びLで表される置換されていてもよいメチン基の置換基R、R10、R11の例としては、シアノ基;前述のR〜Rにおいて示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。 L 1, L 2, and examples of the substituents R 9, R 10, R 11 of the optionally substituted methine group represented by L 3 is cyano group; shown in the above R 1 to R 8 And the same halogen atom as that described above, and a substituted or unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group”.

〜R11が連結基を介して、それぞれ環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などのヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わせてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−O−、−S−、−C(=O)−、又は置換されていてもよいメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基により形成する環としては、連結基により連結した鎖状、面状又は立体状の環が挙げられる。 Examples of the linking group when R 1 to R 11 each form a ring via a linking group include a hetero atom such as a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, a metal atom, and a metalloid atom, and a carbon atom. Examples of a preferable linking group are a group formed by suitably selecting from among them, -O-, -S-, -C (= O)-, or an optionally substituted methylene group, imino group, A metal atom etc. are mentioned, The desired ring can be obtained combining suitably. Examples of the ring formed by the linking group include a chain, planar or steric ring linked by a linking group.

連結した骨格の好適な例としては、次の(1)〜(3)のものが挙げられる。
(1) −CH−CH−CH−CH−、−CH(NO)−CH−CH−CH−、−CH(CH)−CH−CH−CH−、−CH(Cl)−CH−CH−、等(脂肪族縮合環を形成する)。
Preferable examples of the linked skeleton include the following (1) to (3).
(1) -CH 2 -CH 2 -CH 2 -CH 2 -, - CH 2 (NO 2) -CH 2 -CH 2 -CH 2 -, - CH (CH 3) -CH 2 -CH 2 -CH 2 -, - CH (Cl) -CH 2 -CH 2 -, etc. (to form an aliphatic fused rings).

(2) −CH=CH−CH=CH−、−C(NO)=CH−CH=CH−、−C(CH)=CH−CH=CH−、−C(CH)=CH−CH=CH−、−C(CH)=CH−CH=C(CH)−、−C(OCH)=CH−CH=C(OCH)−、−C(OCHCHCH(CH)−(OCH))=C(Cl)−C(Cl)=C(OCHCHCH(CH)−(OCH))−、−C(OCHCHCH(CH)=C(Cl)−C(Cl)=C(OCHCHCH(CH)−、−CH=C(CH)−C(CH)=CH−、−C(Cl)=CH−CH=CH−、−C{OCH〔CH(CH}=CH−CH=CH−、−C{OCH〔CH(CH}=C(Br)−CH=CH−、−C{OCH〔CH(CH}=CH−C(Br)=CH−、−C{OCH〔CH(CH}=CH−CH=C(Br)−等(芳香族縮合環を形成する)。 (2) -CH = CH-CH = CH -, - C (NO 2) = CH-CH = CH -, - C (CH 3) = CH-CH = CH -, - C (CH 3) = CH- CH = CH -, - C ( CH 3) = CH-CH = C (CH 3) -, - C (OCH 3) = CH-CH = C (OCH 3) -, - C (OCH 2 CH 2 CH ( CH 3) - (OCH 3) ) = C (Cl) -C (Cl) = C (OCH 2 CH 2 CH (CH 3) - (OCH 3)) -, - C (OCH 2 CH 2 CH (CH 3 ) 2) = C (Cl) -C (Cl) = C (OCH 2 CH 2 CH (CH 3) 2) -, - CH = C (CH 3) -C (CH 3) = CH -, - C ( Cl) = CH—CH═CH—, —C {OCH [CH (CH 3 ) 2 ] 2 } = CH—CH═CH—, —C {OCH [CH (CH 3 ) 2 ] 2 } = C (Br) —CH═CH—, —C {OCH [CH (CH 3 ) 2 ] 2 } = CH—C (Br) = CH—, —C {OCH [CH (CH 3 2 ] 2 } = CH-CH = C (Br)-and the like (forms an aromatic condensed ring).

(3) −O−CH−CH−O−、−O−CH(CH)−CH(CH)−O−、−COO−CH−CH−、−COO−CH−、−CONH−CH−CH−、−CONH−CH−、−CON(CH)−CH−CH−、−CON(CH)−CH−等(複素環を形成する)。 (3) —O—CH 2 —CH 2 —O—, —O—CH (CH 3 ) —CH (CH 3 ) —O—, —COO—CH 2 —CH 2 —, —COO—CH 2 —, -CONH-CH 2 -CH 2 -, - CONH-CH 2 -, - CON (CH 3) -CH 2 -CH 2 -, - CON (CH 3) -CH 2 - ( forming a heterocyclic ring) etc.

Figure 2005302272
ただし、式中、M′は、Fe、Ru、Co、Ni、Os又はM″R′(ただし、M″は、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、Vの何れかを表す。R′は、CO、F、Cl、Br、I、前述のR〜Rと同様の置換基を有する炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れかを表す。)の何れかを表す(金属錯体残基を含む複素環を形成する)。
Figure 2005302272
In the formula, M ′ represents Fe, Ru, Co, Ni, Os, or M ″ R ′ 2 (where M ″ represents any of Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, and V). Is CO, F, Cl, Br, I, a C1-C10 alkyl group having the same substituent as R 1 to R 8 described above, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group Represents any one of the groups) (forms a heterocyclic ring containing a metal complex residue).

〜R11が各々隣接する置換基と連結基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR11、RとR11、RとR10、RとR10等が挙げられる。 When R 1 to R 11 are each linked to an adjacent substituent via a linking group, preferred combinations of linkage are R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 , R 2 and R 9 , R 3 and R 9 , R 4 and R 11 , R 5 and R 11 , R 6 and R 10 , R 7 and R 10 and the like.

が2価の無置換金属原子である場合の具体例としては、Cu、Zn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Pt、Mn、Sn、Mg、Pb、Hg、Cd、Ba、Ti、Be、Ca等が挙げられる。
が配位子を有する2価の金属原子である場合の具体例としては、Cu(NH、Fe(NH、Fe(ピリジン)、Fe(γ−ピコリン)、Fe(トシルメチルイソシアニド)、Fe(ベンジルイソシアニド)等の含窒素化合物が配位した2価の金属原子が挙げられる。
Specific examples in the case where M 1 is a divalent unsubstituted metal atom include Cu, Zn, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Pt, Mn, Sn, Mg, Pb, Hg, Cd, Ba , Ti, Be, Ca and the like.
Specific examples in the case where M 1 is a divalent metal atom having a ligand include Cu (NH 3 ) 2 , Fe (NH 3 ) 2 , Fe (pyridine) 2 , Fe (γ-picoline) 2 , Fe (tosylmethylisocyanide) 2, Fe (benzyl isocyanide) nitrogen-containing compounds such as 2 include divalent metal atoms coordinated.

が置換基を有する3価の金属原子である場合の具体例としては、Al−F、Al−Cl、Al−Br、Al−I、Ga−F、Ga−Cl、Ga−Br、Ga−I、In−F、In−Cl、In−Br、In−I、Ti−F、Ti−Cl、Ti−Br、Ti−I、Al−C、Al−C(CH)、In−C、In−C(CH)、Mn(OH)、Mn(OCH)、Mn(OC)、Mn〔OSi(CH〕、Fe−F、Fe−Cl、Fe−Br、Fe−I、Ru−F、Ru−Cl、Ru−Br、Ru−I等の1置換の3価の金属原子が挙げられる。 Specific examples in the case where M 1 is a trivalent metal atom having a substituent include Al—F, Al—Cl, Al—Br, Al—I, Ga—F, Ga—Cl, Ga—Br, and Ga. -I, In-F, In- Cl, In-Br, In-I, Ti-F, Ti-Cl, Ti-Br, Ti-I, Al-C 6 H 5, Al-C 6 H 4 (CH 3), In-C 6 H 5, In-C 6 H 4 (CH 3), Mn (OH), Mn (OCH 3), Mn (OC 6 H 5), Mn [OSi (CH 3) 3], Examples thereof include monosubstituted trivalent metal atoms such as Fe-F, Fe-Cl, Fe-Br, Fe-I, Ru-F, Ru-Cl, Ru-Br, and Ru-I.

が置換基を有する4価の金属原子である場合の具体例としては、CrCl、SnF、SnCl、SnBr、SnI、ZnF、ZnCl、ZnBr、ZnI、GeF、GeCl、GeBr、GeI、TiF、TiCl、TiBr、TiI、Sn(OH)、Ge(OH)、Zr(OH)、Mn(OH)、TiA、CrA、SiA、SnA、GeA、Ti(OA)、Cr(OA)、Sn(OA)、Ge(OA)、Ti(SA)、Cr(SA)、Sn(SA)、Ge(SA)〔ただし、Aは、前述のR〜Rにおいて示したのと同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基」を表す。〕等の2置換の4価の金属原子が挙げられる。 Specific examples in the case where M 1 is a tetravalent metal atom having a substituent include CrCl 2 , SnF 2 , SnCl 2 , SnBr 2 , SnI 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , GeF 2 , GeCl 2 , GeBr 2 , GeI 2 , TiF 2 , TiCl 2 , TiBr 2 , TiI 2 , Sn (OH) 2 , Ge (OH) 2 , Zr (OH) 2 , Mn (OH) 2 , TiA 2 , CrA 2, SiA 2, SnA 2, GeA 2, Ti (OA) 2, Cr (OA) 2, Sn (OA) 2, Ge (OA) 2, Ti (SA) 2, Cr (SA) 2, Sn (SA ) 2 , Ge (SA) 2 [wherein A represents a substituted or unsubstituted “alkyl group, aryl group, heteroaryl group” similar to those described above for R 1 to R 8 . ] Disubstituted tetravalent metal atoms such as

が置換基を有する3価又は4価の半金属原子である場合の具体例としては、B−F、B−Cl、B−Br、B−I、B−A、B(OH)、B(OA)、B〔OSi(CH〕〔Aは、前述のAと同じ〕等の1置換の3価の半金属原子や、SiF、SiCl、SiBr、SiI、Si(OH)、SiA、Si(OA)、Si(SA)〔Aは、前述のAと同じ〕等の2置換の4価の半金属原子が挙げられる。
がオキシ金属原子である場合の具体例としては、VO、MnO、TiO等が挙げられる。
Specific examples in the case where M 1 is a trivalent or tetravalent metalloid atom having a substituent include BF, B—Cl, B—Br, B—I, B—A, B (OH), B (OA), B [OSi (CH 3 ) 3 ] [A is the same as A described above], etc., monosubstituted trivalent metalloid atoms, SiF 2 , SiCl 2 , SiBr 2 , SiI 2 , Si (OH) 2 , SiA 2 , Si (OA) 2 , Si (SA) 2 [A is the same as A described above] and the like, and disubstituted tetravalent metalloid atoms.
Specific examples in the case where M 1 is an oxy metal atom include VO, MnO, TiO and the like.

上記の中でもMとして好ましいのは、Pd、Cu、Pt、Ni、Co、Rh、Zn、Fe、Fe(ピリジン)、Fe(γ−ピコリン)、Fe(トシルメチルイソシアニド)、Fe(ベンジルイソシアニド)、Fe−F、Fe−Cl、Fe−Br、Fe−I、VO、TiO、TiA、SiA、SnA、RuA、RhA、GeA、SiA、Si(OA)、Sn(OA)、Ge(OA)、Si(SA)、Sn(SA)、Ge(SA)〔Aは、前述のAと同じ〕である。 Among these, preferred as M 1 are Pd, Cu, Pt, Ni, Co, Rh, Zn, Fe, Fe (pyridine) 2 , Fe (γ-picoline) 2 , Fe (tosylmethyl isocyanide) 2 , Fe ( benzyl isocyanide) 2, Fe-F, Fe -Cl, Fe-Br, Fe-I, VO, TiO, TiA 2, SiA 2, SnA 2, RuA 2, RhA 2, GeA 2, SiA 2, Si (OA) 2 , Sn (OA) 2 , Ge (OA) 2 , Si (SA) 2 , Sn (SA) 2 , Ge (SA) 2 [A is the same as A described above].

前記一般式(3)で表されるジアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R12〜R19の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のR〜Rで示されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。 In the diazaporphyrin compound represented by the general formula (3), examples of the substituents R 12 to R 19 on the pyrrole ring include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, Sulfonic acid group or the halogen atom, alkyl group, aralkyl group, aryl group, alkenyl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, aralkylthio represented by the aforementioned R 1 to R 8 Group, arylthio group, alkenylthio group, monosubstituted amino group, disubstituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group, monosubstituted aminocarbonyl group, disubstituted amino group Carbonyl group, acyloxy group, The same halogen atom as the aryl group, substituted or unsubstituted alkyl group, aralkyl group, aryl group, alkenyl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, aralkylthio group, arylthio group, Alkenylthio group, monosubstituted amino group, disubstituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group, monosubstituted aminocarbonyl group, disubstituted aminocarbonyl group, acyloxy group And a heteroaryl group.

また、R20、R21で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基;又は前述のR〜Rにおいて示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並びに光学特性向上のため、置換基R20、R21は置換又は無置換の炭素数1以上の基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。
また、R12〜R19が連結基を介して、それぞれ形成する環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
また、Mで表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
Examples of the substituent of the optionally substituted methine group represented by R 20 and R 21 include a cyano group; or the same halogen atom, substituted or the same as those shown in the above R 1 to R 8 . An unsubstituted “alkyl group, aralkyl group, aryl group” can be mentioned. In particular, in order to improve solubility and optical properties, the substituents R 20 and R 21 are preferably substituted or unsubstituted groups having 1 or more carbon atoms, and more preferably substituted or unsubstituted phenyl groups.
Examples of the ring formed by R 12 to R 19 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring, and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . Can be mentioned.
Examples of the central atom represented by M 2 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom and substituent as those shown in M 1 above. And a trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom.

前記一般式(4)で表されるモノアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R22〜R29の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のR〜Rにおいて示したハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。 In the monoazaporphyrin compound represented by the general formula (4), examples of the substituents R 22 to R 29 on the pyrrole ring include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, Sulfonic acid group, or halogen atom, alkyl group, aralkyl group, aryl group, alkenyl group, alkoxy group, aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, aralkylthio shown in the above-mentioned R 1 to R 8 Group, arylthio group, alkenylthio group, monosubstituted amino group, disubstituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group, monosubstituted aminocarbonyl group, disubstituted amino group Carbonyl group, acyloxy , Halogen atoms similar to heteroaryl groups, substituted or unsubstituted alkyl groups, aralkyl groups, aryl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, aralkyloxy groups, aryloxy groups, alkenyloxy groups, alkylthio groups, aralkylthio groups, arylthio Group, alkenylthio group, mono-substituted amino group, di-substituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkenyloxycarbonyl group, mono-substituted aminocarbonyl group, di-substituted aminocarbonyl group, Examples include an acyloxy group and a heteroaryl group.

また、R30〜R32で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基;又は前述のR〜Rにおいて示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。
22〜R32が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
で表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
Further, examples of the substituent of the optionally substituted methine group represented by R 30 to R 32 is a cyano group; or same halogen atoms as those indicated in R 1 to R 8 mentioned above, substituted or Examples thereof include an unsubstituted alkyl group, an aralkyl group, and an aryl group.
Examples of the ring formed by R 22 to R 32 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring, and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . .
Examples of the central atom represented by M 3 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom and substituent as those shown in M 1 above. A trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom is exemplified.

前記一般式(5)で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R33〜R44の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のR〜Rにおいて示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
33〜R44が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
で表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
In the azaporphyrin compound represented by the general formula (5), examples of the substituents R 33 to R 44 on the pyrrole ring include a halogen atom, a hydroxyl group, or a halogen atom shown in the aforementioned R 1 to R 8 . , An alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, an alkenyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a halogen atom similar to a heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, an alkoxy group Aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, arylthio group, and heteroaryl group.
Examples of the ring formed by each of R 33 to R 44 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . .
Examples of the central atom represented by M 4 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom and substituent as those described for M 1 above. A trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom is exemplified.

前記一般式(6)で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R45〜R56の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のR〜Rにおいて示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
45〜R56が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
で表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
In the azaporphyrin compound represented by the general formula (6), examples of the substituents R 45 to R 56 on the pyrrole ring include a halogen atom, a hydroxyl group, or a halogen atom shown in the aforementioned R 1 to R 8 . , An alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, an alkenyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a halogen atom similar to a heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, an alkoxy group Aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, arylthio group, and heteroaryl group.
Examples of the ring formed by each of R 45 to R 56 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . .
Examples of the central atom represented by M 5 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom or substituent as shown in M 1 above. A trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom is exemplified.

前記一般式(7)で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R57〜R68の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のR〜Rにおいて示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
57〜R68が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
で表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
In the azaporphyrin compound represented by the general formula (7), examples of the substituents R 57 to R 68 on the pyrrole ring include a halogen atom, a hydroxyl group, or a halogen atom shown in the aforementioned R 1 to R 8 . , An alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, an alkenyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a halogen atom similar to a heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, an alkoxy group Aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, arylthio group, and heteroaryl group.
Examples of the ring formed by each of R 57 to R 68 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . .
Examples of the central atom represented by M 6 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom and substituent as those shown in the aforementioned M 1 A trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom is exemplified.

前記一般式(8)で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基R69〜R80の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のR〜Rにおいて示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
69〜R80が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のR〜R11において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
で表される中心原子の例としては、2個の水素原子;又は前述のMにおいて示したのと同様の、2価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する3価又は4価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
In the azaporphyrin compound represented by the general formula (8), examples of the substituents R 69 to R 80 on the pyrrole ring include a halogen atom, a hydroxyl group, or a halogen atom shown in the aforementioned R 1 to R 8 . , An alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aralkyloxy group, an aryloxy group, an alkenyloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a halogen atom similar to a heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, an alkoxy group Aralkyloxy group, aryloxy group, alkenyloxy group, alkylthio group, arylthio group, and heteroaryl group.
Examples of the ring formed by R 69 to R 80 via a linking group include the same aliphatic condensed ring, aromatic condensed ring, and heterocyclic ring as those described above for R 1 to R 11 . .
Examples of the central atom represented by M 7 include two hydrogen atoms; or the same divalent unsubstituted or ligand-containing metal atom and substituent as those shown in M 1 above. A trivalent or tetravalent metal atom, a semimetal atom, or an oxymetal atom is exemplified.

前述したようなアザポルフィリン系化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば、前記化合物(3)の場合、J.Chem.Soc.(C),22−29(1996)、J.Biochem.,121,654−660(1997)、Z.Physiol.Chem,214,145(1933)、Die Chemie des Pyrrols,Band II,Halfte 2,pp.411−414,Akademische Verlagesellschuft,Leipzig(1940)等に記載の方法に準じて製造される。   The method for producing the azaporphyrin-based compound as described above is not particularly limited. For example, in the case of the compound (3), J.P. Chem. Soc. (C), 22-29 (1996), J. MoI. Biochem. 121, 654-660 (1997), Z. Physiol. Chem, 214, 145 (1933), Die Chemie des Pyrrols, Band II, Halfte 2, pp. 411-414, Academische Verlagesellschuft, Leipzig (1940), etc.

代表的には、以下のような三段階の反応にて製造することができる。
まず、第一段階では、下記一般式(A)及び下記一般式(B)で表されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ素、N−ブロモコハク酸イミド、N−ヨードコハク酸イミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々下記一般式(C)及び下記一般式(D)で示されるジピロメテン化合物を得る。
Typically, it can be produced by the following three-stage reaction.
First, in the first step, a dipyrromethane compound represented by the following general formula (A) and the following general formula (B) is brominated in a carboxylic acid solvent such as acetic acid or a halogenated hydrocarbon solvent such as methylene chloride. , Iodine, N-bromosuccinimide, N-iodosuccinimide and the like, and halogenated with a halogenating agent to obtain dipyrromethene compounds represented by the following general formula (C) and the following general formula (D), respectively.

Figure 2005302272
ただし、式中、R12〜R21は、前記一般式(3)のR12〜R21とそれぞれ同一の基を表し、rは水素原子又はカルボキシル基を表す。
Figure 2005302272
ただし、式中、R12〜R21は、前記一般式(3)のR12〜R21とそれぞれ同一の基を表し、aはハロゲン原子を表す。
Figure 2005302272
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(C)及び(D)中、R12〜R21は、前記一般式(3)のR12〜R21とそれぞれ同一の基を表し、aはハロゲン原子を表す。
Figure 2005302272
In the formula, R 12 to R 21 are respectively a R 12 to R 21 in the general formula (3) represent the same group, r represents a hydrogen atom or a carboxyl group.
Figure 2005302272
In the formula, R 12 to R 21 each represent a same group as R 12 to R 21 in the general formula (3), a represents a halogen atom.
Figure 2005302272
Figure 2005302272
However, in said general formula (C) and (D), R < 12 > -R < 21 > represents the same group as R < 12 > -R < 21 > of the said general formula (3), respectively, and a represents a halogen atom.

次いで、第二段階では、前記一般式(C)及び一般式(D)で表されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び/又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、一般式(E)で表されるジピロメテン金属錯体を得る。   Next, in the second step, the dipyrromethene compound represented by the general formula (C) and the general formula (D) is respectively an alcohol solvent such as ethanol and / or an organic solvent such as an amide solvent such as dimethylformamide. In the presence of an oxidizing agent such as air, using a metal or metalloid compound such as an inorganic salt such as a metal or metalloid sulfate, nitrate or halide, or an organic metal salt such as acetate or acetylacetonate, or By reacting in the absence, a dipyrromethene metal complex represented by the general formula (E) is obtained.

Figure 2005302272
ただし、式中、R12〜R21及びaは、前記一般式(3)のR12〜R21及びaとそれぞれ同一の基を表す。Mは、前記一般式(3)のMと同一の意味を表す。
Figure 2005302272
In the formula, R 12 to R 21 and a represent the R 12 to R 21 and a respectively identical groups of the formula (3). M 2 represents the same meaning as M 2 in the general formula (3).

次いで、第三段階では、上記ジピロメテン金属錯体(一般式(E))をエタノール等のアルコール系溶媒及び/又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式(3)で示される本発明のジアザポルフィリン化合物を得ることができる。
ここで、第一段階で得られた一般式(C)及び一般式(D)で示されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び/又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式(3)の化合物を得ることもできる。
更に、無金属の一般式(3)で表されるジアザポルフィリン化合物〔Mが2個の水素原子〕は、一般式(7)及び(8)で表されるジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶媒及び/又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或いは、金属錯体化した一般式(2)の化合物をクロロホルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応させることにより得ることができる。
Next, in the third stage, the dipyrromethene metal complex (general formula (E)) is reacted with an azide salt such as sodium azide in an organic solvent such as an alcohol solvent such as ethanol and / or an amide solvent such as dimethylformamide. By doing so, the diazaporphyrin compound of the present invention represented by the general formula (3) can be obtained.
Here, the dipyrromethene compound represented by the general formula (C) and the general formula (D) obtained in the first stage is respectively in an organic solvent such as an alcohol solvent such as ethanol and / or an amide solvent such as dimethylformamide. In the presence or absence of an oxidizing agent such as air, using an inorganic salt such as a metal or metalloid sulfate, nitrate, halide, or an organic metal salt such as acetate or acetylacetonate, A compound of the general formula (3) can also be obtained by reacting with an azide salt such as sodium azide.
Further, the metal-free diazaporphyrin compound represented by the general formula (3) [M is two hydrogen atoms] is obtained by converting a dipyrromethene compound represented by the general formulas (7) and (8) into an alcohol type such as methanol. Reaction with sodium azide or the like in an organic solvent such as a solvent and / or an amide solvent such as dimethylformamide, or trifluoroacetic acid or the like in a solvent such as chloroform with a metal complexed compound of formula (2) It can be obtained by reacting with an organic acid.

前記一般式(3)で表されるジアザポルフィリン化合物の具体例としては、例えば、表8〜表12に記載する置換基を有する化合物(1−1)〜(1−65)等が挙げられる。   Specific examples of the diazaporphyrin compound represented by the general formula (3) include compounds (1-1) to (1-65) having substituents described in Tables 8 to 12. .

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

また、好ましいポルフィリンとしては、下記一般式(17)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(17)中、A〜A、及びB〜Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。BとBn+1(ただしn=1、3、5、7)は、C残基を介して環状に結合してもよい。Mは2個又は4個のプロトン或いは1個の金属原子を表す。
これらの中でも、下記一般式(18)で表される化合物が好ましく、特に下記一般式(19)で表される化合物が好ましい。 Moreover, as a preferable porphyrin, the compound represented by following General formula (17) is mentioned.
Figure 2005302272
In the general formula (17), A 1 ~A 4 , and B 1 .about.B 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a phenyl group. B n and B n + 1 (where n = 1, 3, 5, 7) may be linked cyclically via a C 4 H 4 residue. M represents 2 or 4 protons or 1 metal atom.
Among these, the compound represented by the following general formula (18) is preferable, and the compound represented by the following general formula (19) is particularly preferable.

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(18)中、Rは水素原子、メチル基、アリル基、又はフェニル基を表す。Rは水素原子、メチル基、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Rは水素原子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Mは2個又は4個のプロトン或いはMn、Co、Ni、Cu及びZnから選択される2価の金属を表す。
Figure 2005302272
In the general formula (18), R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, an allyl group, or a phenyl group. R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, an allyl group, a phenyl group, a methoxyphenyl group, a tolyl group, a nitro group, an amino group, or a cyano group. R 3 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, an allyl group, a phenyl group, a methoxyphenyl group, a tolyl group, a nitro group, an amino group, or a cyano group. M represents a divalent metal selected from 2 or 4 protons or Mn, Co, Ni, Cu and Zn.

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(19)中、A〜Aは、水素原子又はフェニル基を表す。Mは、2個又は4個のプロトン或いはZnを表す。
Figure 2005302272
In the general formula (19), A 1 ~A 4 represents a hydrogen atom or a phenyl group. M represents 2 or 4 protons or Zn.

その他、例えば、下記一般式で表されるアゾ系色素や、下記一般式(I)〜(V)で表される有機色素、なども変調度が大きく、良好な記録が達成できる。   In addition, for example, azo dyes represented by the following general formulas and organic dyes represented by the following general formulas (I) to (V) have a large degree of modulation, and good recording can be achieved.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Aは置換基を有していてもよい芳香環を表し、BはOH以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。nは1〜3の整数、mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
However, in said general formula (I) and (II), A represents the aromatic ring which may have a substituent, and B represents the aromatic ring which may have substituents other than OH. n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(III)及び(IV)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
However, in said general formula (III) and (IV), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0-3. m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.

Figure 2005302272
ただし、前記一般式(V)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2または3の整数を表す。Vは置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
However, in said general formula (V), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0 thru | or 3. m represents an integer of 2 or 3. V represents an aromatic ring which may have a substituent.

前記一般式(I)で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物1〜20が好適に挙げられる。     As an organic pigment | dye represented by the said general formula (I), the compounds 1-20 represented by the following structural formula are mentioned suitably, for example.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

前記一般式(III)で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物21〜34が好適に挙げられる。   As an organic pigment | dye represented by the said general formula (III), the compounds 21-34 represented by the following structural formula are mentioned suitably, for example.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

前記一般式(II)又は(IV)で表される有機色素としては、例えば、下記構造式で表される化合物35〜40が好適に挙げられる。   As an organic pigment | dye represented by the said general formula (II) or (IV), the compounds 35-40 represented by the following structural formula are mentioned suitably, for example.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

また、前記有機色素群から選択される1種又は2種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。
前記有機色素を分散可能な樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル/ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂;ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂;ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、などが挙げられる。
前記樹脂の使用量は、前記有機色素に対し0.01〜50倍量(質量比)が好ましく、0.1〜5倍量がより好ましい。前記樹脂を前記記録層に含有させることにより記録層の保存安定性を改良することも可能である。
Moreover, 1 type, or 2 or more types of pigment | dye materials selected from the said organic pigment | dye group can also be disperse | distributed and used in resin.
Examples of the resin that can disperse the organic dye include polyester resins, polyether resins, polystyrene resins, polyurethane resins, cellulose resins, fatty acid resins, gelatin, cellulose derivatives, dextran, rosin, rubber, and other natural organic polymer substances; polyethylene Hydrocarbon resins such as polypropylene and polyisobutylene; vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride and polyvinyl chloride / polyvinyl acetate copolymers; acrylic resins such as polymethyl acrylate and polymethyl methacrylate; Examples thereof include polyvinyl alcohol, chlorinated polyethylene, phenol resin, fluorine resin, silicone resin, polyamide resin, epoxy resin, butyral resin, rubber derivative, and the like.
The amount of the resin used is preferably 0.01 to 50 times (mass ratio), more preferably 0.1 to 5 times the amount of the organic dye. It is possible to improve the storage stability of the recording layer by incorporating the resin into the recording layer.

前記記録層には、該記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。前記褪色防止剤としては、例えば、一重項酸素クエンチャー、などが好適である。該一重項酸素クエンチャーとしては、特開昭58−175693号公報、同59−81194号公報、同60−18387号公報、同60−19586号公報、同60−19587号公報、同60−35054号公報、同60−36190号公報、同60−36191号公報、同60−44554号公報、同60−44555号公報、同60−44389号公報、同60−44390号公報、同60−54892号公報、同60−47069号公報、同63−209995号公報、特開平4−25492号公報、特公平1−38680号公報、及び同6−26028号公報等の各公報、独国特許発明第350399号明細書、日本化学会誌1992年10月号第1141頁、等に記載のものが挙げられる。   The recording layer can contain various anti-fading agents in order to improve the light resistance of the recording layer. As the antifading agent, for example, a singlet oxygen quencher is suitable. Examples of the singlet oxygen quencher include JP-A Nos. 58-175893, 59-81194, 60-18387, 60-19586, 60-19587, and 60-35054. Publication No. 60-36190 Publication No. 60-36191 Publication No. 60-44554 Publication No. 60-44555 Publication No. 60-44389 Publication No. 60-44390 Publication No. 60-54892 Publication No. 60-54892 Publication No. JP-A-60-47069, JP-A-63-209995, JP-A-4-25492, JP-B-1-38680, JP-A-6-26028, etc., German Patent Invention No. 350399 No. specification, Journal of the Chemical Society of Japan, October 1992, page 1141, and the like.

前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の含有量は、前記記録層の全固形分中、通常、0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜45質量%がより好ましく、3〜40質量%が更に好ましく、5〜25質量%が特に好ましい。   The content of the antifading agent such as the singlet oxygen quencher is generally preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 45% by mass, based on the total solid content of the recording layer. 40 mass% is still more preferable, and 5-25 mass% is especially preferable.

前記記録層は、前記有機色素と、更に必要に応じて結合剤、褪色防止剤などを適当な溶剤に溶解して記録層用塗布液を調製し、次いで、この塗布液を上述の反射層の表面に塗布して塗膜を形成した後、乾燥させることにより形成できる。更に、前記記録層用塗布液中には、酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種添加剤を目的に応じて適宜添加してもよい。なお、有機色素や結合剤を溶解処理する方法としては、超音波処理、ホモジナイザー処理、ディスパー処理、サンドミル処理、スターラー攪拌処理等の方法を適用することができる。   The recording layer is prepared by dissolving the organic dye and, if necessary, a binder and an anti-fading agent in an appropriate solvent to prepare a recording layer coating solution. After coating on the surface to form a coating film, it can be formed by drying. Furthermore, various additives such as an antioxidant, a UV absorber, a plasticizer, and a lubricant may be appropriately added to the recording layer coating liquid according to the purpose. In addition, as a method for dissolving the organic dye or the binder, methods such as ultrasonic treatment, homogenizer treatment, disper treatment, sand mill treatment, stirrer stirring treatment, and the like can be applied.

前記記録層における塗布液の溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、セロソルブアセテート等のエステル;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン;ジクロルメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素;ジメチルホルムアミド等のアミド;シクロヘキサン等の炭化水素;テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル;エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール;2,2,3,3−テトラフロロプロパノール等のフッ素系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、等が挙げられる。前記溶剤は使用する有機色素及び結合剤の溶解性を考慮して単独で用いてもよいし、2種以上を適宜併用することもできる。   Examples of the solvent for the coating solution in the recording layer include esters such as butyl acetate and cellosolve acetate; ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone and methyl isobutyl ketone; chlorinated hydrocarbons such as dichloromethane, 1,2-dichloroethane and chloroform; Amides such as formamide; Hydrocarbons such as cyclohexane; Ethers such as tetrahydrofuran, ethyl ether and dioxane; Alcohols such as ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol and diacetone alcohol; 2,2,3,3-tetrafluoro Fluorine solvents such as propanol; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, etc. That. The said solvent may be used independently in consideration of the solubility of the organic dye to be used and the binder, and two or more kinds may be used in combination as appropriate.

前記記録層塗布液中の前記有機色素の濃度は、0.01〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。   The concentration of the organic dye in the recording layer coating solution is preferably 0.01 to 10% by mass, and more preferably 0.1 to 5% by mass.

前記記録層要塗布液の塗布方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などが挙げられる。また、前記塗布温度としては、18〜40℃が好ましく、20〜40℃がより好ましく、20〜30℃が更に好ましい。   Examples of the method for applying the recording layer-requiring liquid include a spray method, a spin coating method, a dip method, a roll coating method, a blade coating method, a doctor roll method, and a screen printing method. Moreover, as said application | coating temperature, 18-40 degreeC is preferable, 20-40 degreeC is more preferable, and 20-30 degreeC is still more preferable.

前記記録層は単層でも重層でもよく、前記記録層の層厚は、20〜500nmが好ましく、30〜150nmがより好ましい。前記層厚が20nm未満であると、記録層が薄いため欠陥が発生して不適当であり、500nmを超えると、体積が大きくなりすぎて良好な記録ができなくなることがある。   The recording layer may be a single layer or a multilayer, and the thickness of the recording layer is preferably 20 to 500 nm, more preferably 30 to 150 nm. If the layer thickness is less than 20 nm, the recording layer is thin, so that defects occur and it is inappropriate. If it exceeds 500 nm, the volume becomes too large and good recording may not be possible.

前記記録層の表面には、表面保護層との密着性と、色素の保存性を高めるために、バリア層を形成してもよい。前記バリア層の材料としては、例えば、Zn、Si、Ti、Te、Sm、Mo、Ge等のいずれか1原子以上からなる酸化物、窒化物、炭化物、硫化物等の無機材料、光硬化性樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。また、ZnS−SiOのようにハイブリッド化しても良い。
前記無機材料からなる保護層は、真空成膜法によって形成することができる。前記有機材料からなる保護層は、光硬化性樹脂膜(例えば、大日本インキ化学工業社製のSD1700、SD318、SD301)をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって形成できる。
前記バリア層の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、1〜100nmが好ましい。
また、高密度化を図るために、高NA(Numerical Aperture:開口数)のレンズを用いる場合、バリア層を光透過性とする必要がある。
高NA化した場合には、再生用レーザ光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高NA化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度(いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の2乗に比例する)により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。
従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。
A barrier layer may be formed on the surface of the recording layer in order to improve adhesion to the surface protective layer and dye storage stability. Examples of the material of the barrier layer include inorganic materials such as oxides, nitrides, carbides, sulfides, and the like composed of any one or more of Zn, Si, Ti, Te, Sm, Mo, Ge, and the like, and photocurability. It can be formed using an organic material such as a resin. In addition, it may be hybrid as ZnS-SiO 2.
The protective layer made of the inorganic material can be formed by a vacuum film forming method. The protective layer made of the organic material can be formed by spin-coating a photocurable resin film (for example, SD1700, SD318, SD301 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) and then irradiating resin curing light.
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said barrier layer, According to the objective, it can select suitably, 1-100 nm is preferable.
In order to increase the density, when using a lens with a high NA (Numerical Aperture), the barrier layer needs to be light transmissive.
When the NA is increased, it is necessary to reduce the thickness of the portion through which the reproduction laser beam is transmitted. This is due to the angle at which the disk surface deviates from the optical axis of the optical pickup as the NA increases (so-called tilt angle, proportional to the square of the product of the reciprocal of the wavelength of the light source and the numerical aperture of the objective lens). This is because the allowable amount of generated aberration is reduced, and this tilt angle is easily affected by the aberration due to the thickness of the substrate.
Therefore, it is necessary to reduce the thickness of the substrate so that the influence of aberration on the tilt angle is as small as possible.

−表面保護層−
前記表面保護層8は、接着剤又は粘着剤を使用して(接着層又は粘着層を介して)記録層側の表面に形成される。前記表面保護層は、記録及び再生に使用されるレーザー光に対して、透過率80%以上が好ましく、90%以上がより好ましい。また、前記表面保護層は、その表面粗さRaが5nm以下である樹脂シートが好ましく、前記表面保護層の表面粗さRaは、樹脂の種類、成膜方法、含有するフィラーの有無や有無などによって決まる。ここで、前記表面保護層の表面粗さRaは、例えば、WYKO社製HD2000によって測定される。
前記樹脂シートとしては、例えば、ポリカーボネート(帝人株式会社製、ピュアエース、帝人化成株式会社製、パンライト)、3酢酸セルロース、(富士フイルム株式会社製、フジタック)、ポリエチレンテレフタレート(PET)(東レ株式会社製、ルミラー)、などが挙げられ、これらの中でも、ポリカーボネート、3酢酸セルロースがより好ましい。
-Surface protective layer-
The surface protective layer 8 is formed on the surface on the recording layer side using an adhesive or an adhesive (via an adhesive layer or an adhesive layer). The surface protective layer preferably has a transmittance of 80% or more, more preferably 90% or more, with respect to laser light used for recording and reproduction. The surface protective layer is preferably a resin sheet having a surface roughness Ra of 5 nm or less. The surface roughness Ra of the surface protective layer is the type of resin, the film forming method, the presence or absence of a filler to be contained, and the like. It depends on. Here, the surface roughness Ra of the surface protective layer is measured by, for example, HD2000 manufactured by WYKO.
Examples of the resin sheet include polycarbonate (manufactured by Teijin Ltd., Pure Ace, Teijin Chemicals Ltd., Panlite), cellulose acetate, (manufactured by Fujifilm Corporation, Fujitac), polyethylene terephthalate (PET) (Toray Industries, Inc.) (Manufactured by Lumiller) and the like. Among these, polycarbonate and cellulose triacetate are more preferable.

前記表面保護層の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長やNAにより、適宜規定されるが、0.03〜0.15mmが好ましく、0.05〜0.12mmがより好ましい。また、前記表面保護層と、接着層及び粘着層を合せた合計厚さは、0.09〜0.11mmが好ましく、0.095〜0.105mmがより好ましい。   The thickness of the surface protective layer is appropriately determined depending on the wavelength and NA of the laser beam irradiated for recording and reproduction, but is preferably 0.03 to 0.15 mm, and 0.05 to 0.12 mm. More preferred. The total thickness of the surface protective layer, the adhesive layer, and the adhesive layer is preferably 0.09 to 0.11 mm, and more preferably 0.095 to 0.105 mm.

前記接着剤は、例えば、UV硬化樹脂、EB硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特に、UV硬化樹脂を使用することが好ましい。前記接着剤は、例えば、積層体の貼り合わせ面(記録層等)上に所定量塗布し、樹脂シートを貼り合わせた後、スピンコートにより接着剤を、積層体と樹脂シートとの間に均一になるように広げて、硬化させることが好ましい。最終的に形成される接着層の厚さは、0.1〜100μmが好ましく、0.5〜50μmがより好ましく、10〜30μmが更に好ましい。   For example, a UV curable resin, an EB curable resin, a thermosetting resin, or the like is preferably used as the adhesive, and in particular, a UV curable resin is preferably used. For example, a predetermined amount of the adhesive is applied onto the bonding surface (recording layer or the like) of the laminate, and after the resin sheet is bonded, the adhesive is uniformly applied between the laminate and the resin sheet by spin coating. It is preferable to spread and harden. 0.1-100 micrometers is preferable, as for the thickness of the contact bonding layer finally formed, 0.5-50 micrometers is more preferable, and 10-30 micrometers is still more preferable.

前記接着剤としてUV硬化樹脂を使用する場合は、該UV硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサから積層体表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するUV硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。前記UV硬化樹脂としては、例えば、「SD−640」(大日本インキ化学工業株式会社製)、等が挙げられる。   When a UV curable resin is used as the adhesive, the UV curable resin may be used as it is or dissolved in an appropriate solvent such as methyl ethyl ketone or ethyl acetate to prepare a coating solution, which may be supplied from the dispenser to the laminate surface. Good. Further, in order to prevent warpage of the produced optical information recording medium, it is preferable that the UV curable resin constituting the adhesive layer has a small curing shrinkage rate. Examples of the UV curable resin include “SD-640” (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.).

また、これらのUV硬化樹脂を硬化させるために使用するUV照射機としては、如何なるものでも用いることができるが、例えば、パルス型UV照射機が好適である。ここで、UV照射条件としては、前記パルスの間隔は、1msec以下が好ましく、1μsec以下がより好ましい。また、1パルスの照射ワットは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選定することができ、3kW/cm以下が好ましく、2kW/cm以下がより好ましい。更に、UV照射回数は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、20回以下が好ましく、10回以下がより好ましい。 In addition, any UV irradiator used for curing these UV curable resins can be used. For example, a pulsed UV irradiator is suitable. Here, as the UV irradiation condition, the pulse interval is preferably 1 msec or less, and more preferably 1 μsec or less. The irradiation watt one pulse is not particularly limited and may be suitably selected according to the purpose, preferably 3 kW / cm 2 or less, 2 kW / cm 2 or less being more preferred. Furthermore, the number of times of UV irradiation is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose, preferably 20 times or less, and more preferably 10 times or less.

前記粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、2−エチルヘキシルアクリレート、n−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度(Tg)や架橋密度を変えることができる。   As the pressure-sensitive adhesive, for example, an acrylic-based, rubber-based, or silicone-based pressure-sensitive adhesive can be used. From the viewpoint of transparency and durability, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. As such an acrylic pressure-sensitive adhesive, 2-ethylhexyl acrylate, n-butyl acrylate and the like are the main components, and in order to improve cohesion, short-chain alkyl acrylates and methacrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, and methyl methacrylate are used. And acrylic acid, methacrylic acid, acrylamide derivatives, maleic acid, hydroxylethyl acrylate, glycidyl acrylate, and the like, which can be crosslinking points with the crosslinking agent, are preferably used. The glass transition temperature (Tg) and the crosslinking density can be changed by appropriately adjusting the mixing ratio and type of the main component, the short chain component, and the component for adding a crosslinking point.

前記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。該イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−1,5−ジイソシアネート、o−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。   As a crosslinking agent used together with the said adhesive, an isocyanate type crosslinking agent is mentioned, for example. Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include tolylene diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, naphthylene-1,5-diisocyanate, o-toluidine isocyanate, isophorone diisocyanate, triphenylmethane triisocyanate. Isocyanates such as isocyanate, products of these isocyanates and polyalcohols, and polyisocyanates formed by condensation of isocyanates can be used.

これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン株式会社製のコロネートL、コロネートHL、コロネート2030、コロネート2031、ミリオネートMR、ミリオネートHTL;武田薬品工業株式会社製のタケネートD−102、タケネートD−110N、タケネートD−200、タケネートD−202;住友バイエル株式会社製のデスモジュールL、デスモジュールIL、デスモジュールN、デスモジュールHL;等が挙げられる。   Commercially available products of these isocyanates include Coronate L, Coronate HL, Coronate 2030, Coronate 2031, Millionate MR, Millionate HTL manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd .; Takenate D-102, Takenate manufactured by Takeda Pharmaceutical Company Limited. D-110N, Takenate D-200, Takenate D-202; Death Module L, Death Module IL, Death Module N, Death Module HL;

なお、前記反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。該下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸/メタクリル酸共重合体、スチレン/無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、N−メチロールアクリルアミド、スチレン/ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル/塩化ビニル共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;シランカップリング剤等の表面改質剤;などが挙げられる。   In addition, it is preferable to form an undercoat layer on the substrate surface on the side where the reflective layer is provided for the purpose of improving flatness and adhesion. Examples of the material for the undercoat layer include polymethyl methacrylate, acrylic acid / methacrylic acid copolymer, styrene / maleic anhydride copolymer, polyvinyl alcohol, N-methylol acrylamide, styrene / vinyl toluene copolymer, chloro. Polymer materials such as sulfonated polyethylene, nitrocellulose, polyvinyl chloride, chlorinated polyolefin, polyester, polyimide, vinyl acetate / vinyl chloride copolymer, ethylene / vinyl acetate copolymer, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, etc .; silane coupling Surface modifiers such as agents; and the like.

前記下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布方法により基板表面に塗布することにより形成することができる。前記下塗層の層厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.005〜20μmが好ましく、0.01〜10μmがより好ましい。   The undercoat layer is prepared by dissolving or dispersing the above materials in an appropriate solvent to prepare a coating solution, and then applying the coating solution to the substrate surface by a coating method such as spin coating, dip coating, or extrusion coating. Can be formed. There is no restriction | limiting in particular in the layer thickness of the said undercoat layer, According to the objective, it can select suitably, 0.005-20 micrometers is preferable and 0.01-10 micrometers is more preferable.

本発明の光情報記録媒体は、上述の任意の層に加えて、更に、種々の中間層を設けてもよい。例えば、反射層と記録層との間には、反射率や密着性を向上させるための中間層を設けてもよい。該中間層の材料はこれまでに挙げた材料を目的に応じて適宜使用することができる。   The optical information recording medium of the present invention may further include various intermediate layers in addition to the above-mentioned arbitrary layers. For example, an intermediate layer for improving reflectance and adhesion may be provided between the reflective layer and the recording layer. As the material for the intermediate layer, the materials listed so far can be appropriately used according to the purpose.

本発明の光情報記録媒体のレーザ光が入射する側の表面粗さは、使用する表面保護層の表面粗さ、基板の表面粗さ、反射層の作成条件、記録層の種類、成膜条件、接着層の種類、塗布条件、表面保護層の種類塗布条件等で、適宜選定される。   The surface roughness on the laser light incident side of the optical information recording medium of the present invention is the surface roughness of the surface protective layer used, the surface roughness of the substrate, the creation conditions of the reflective layer, the type of the recording layer, and the film formation conditions. The type of the adhesive layer, the coating conditions, the type of the surface protective layer, and the coating conditions are appropriately selected.

(記録再生方法)
本発明の記録再生方法は、本発明の前記光情報記録媒体における表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。
具体的には、光情報記録媒体を所定の線速度(0.5〜10m/秒)、又は、所定の定角速度にて回転させながら、表面保護層側から対物レンズを介して青紫色レーザ(例えば、波長405nm)などの記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を所定の定線速度で回転させながら青紫色レーザ光を表面保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
(Recording and playback method)
In the recording / reproducing method of the present invention, at least one of information recording and reproducing is performed by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side in the optical information recording medium of the present invention.
Specifically, a blue-violet laser (from the surface protective layer side through the objective lens while rotating the optical information recording medium at a predetermined linear velocity (0.5 to 10 m / second) or a predetermined constant angular velocity ( For example, recording light having a wavelength of 405 nm is irradiated. By this irradiation light, the recording layer absorbs the light and the temperature rises locally. For example, information is recorded by generating pits and changing their optical characteristics. The information recorded as described above is reproduced by irradiating a blue-violet laser beam from the surface protective layer side while rotating the optical information recording medium at a predetermined constant linear velocity and detecting the reflected light. Can do.

前記500nm以下の発振波長を有するレーザ光源としては、例えば、390〜415nmの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ、中心発振波長425nmの青紫色SHGレーザ等を挙げることができる。また、記録密度を高めるために、ピックアップに使用される対物レンズのNA(開口数)は0.7以上が好ましく、0.80以上がより好ましく、0.85以上が更に好ましい。   Examples of the laser light source having an oscillation wavelength of 500 nm or less include a blue-violet semiconductor laser having an oscillation wavelength in the range of 390 to 415 nm, a blue-violet SHG laser having a central oscillation wavelength of 425 nm, and the like. In order to increase the recording density, the NA (numerical aperture) of the objective lens used for the pickup is preferably 0.7 or more, more preferably 0.80 or more, and further preferably 0.85 or more.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

以下の実施例において、反射層のプリフォーマットの断面形状、反射層の膜厚及び記録層の膜厚は、作製した光情報記録媒体をラック横断方向に割断してその断面及び形状について、透過型電子顕微鏡(TEM)(商品名JEM2010、日本電子株式会社製)及び原子間力顕微鏡(AFM)(商品名SPI3800N型、セイコーインスツルメンツ株式会社製)を用いて測定した。   In the following examples, the pre-format cross-sectional shape of the reflective layer, the film thickness of the reflective layer, and the film thickness of the recording layer are obtained by cleaving the produced optical information recording medium in the rack transverse direction. The measurement was performed using an electron microscope (TEM) (trade name: JEM2010, manufactured by JEOL Ltd.) and an atomic force microscope (AFM) (trade name: SPI3800N type, manufactured by Seiko Instruments Inc.).

(実施例1)
−光情報記録媒体の作製−
まず、厚さ1.1mm、外径120mm、内径15mmでスパイラル状のグルーブ(溝深さ45nm、半値幅150nm、トラックピッチ320nm)を有するポリカーボネート樹脂製の基板を射出成形により作製した。
前記基板のグルーブを有する面上に、Ar雰囲気中でDCスパッタリングによりアルミニウム(Al:純度99.9質量%以上)からなる反射層を厚みが95nmとなるように成膜した。スパッタリング条件はAr流量5sccm、スパッターパワー1.6kW、成膜時間は4秒であった。
(Example 1)
-Production of optical information recording media-
First, a polycarbonate resin substrate having a thickness of 1.1 mm, an outer diameter of 120 mm, an inner diameter of 15 mm and a spiral groove (groove depth of 45 nm, half-value width of 150 nm, track pitch of 320 nm) was produced by injection molding.
On the surface having the groove of the substrate, a reflective layer made of aluminum (Al: purity 99.9% by mass or more) was formed by DC sputtering in an Ar atmosphere so as to have a thickness of 95 nm. The sputtering conditions were an Ar flow rate of 5 sccm, a sputtering power of 1.6 kW, and a film formation time of 4 seconds.

得られた反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。 As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the obtained reflective layer in the track transverse direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2) = 40 nm, angle (Θ 1 ) = 55 ° and angle (θ 2 ) = 49 °.

次に、反射層上に下記構造式で表されるフタロシアニン色素をTHF(テトラヒドロフラン)、エチルシクロヘキサン、IPA(イソプロピルアルコール)、及び1−メトキシ−2−プロパノールを混合比17:39:15:29(質量%)の混合溶媒で溶解し、スピンコート法で厚みが60nmとなるように記録層を成膜した。
なお、このフタロシアニン色素は波長λ=405±20nmにおいて反射率8%以上を示す色素材料であり、記録層の膜厚5〜150nmの範囲で反射率4%以上が得られた。
Next, a phthalocyanine dye represented by the following structural formula on the reflective layer is mixed with THF (tetrahydrofuran), ethylcyclohexane, IPA (isopropyl alcohol), and 1-methoxy-2-propanol at a mixing ratio of 17: 39: 15: 29 ( The recording layer was formed by spin coating so as to have a thickness of 60 nm.
This phthalocyanine dye is a dye material exhibiting a reflectance of 8% or more at a wavelength λ = 405 ± 20 nm, and a reflectance of 4% or more was obtained in the range of a film thickness of 5 to 150 nm.

前記色素の成膜後のλ=500nm以下における反射極大の位置はλ=405nmであった。また、レーザ光波長は温度などの環境条件及び製造上のばらつきにより、λ=405±20nmという幅を持つので、これらの波長範囲での反射率を4%以上とする必要がある。4%より小さいと反射率が減少し、良好にトラッキングできないことがある。   The position of the reflection maximum at λ = 500 nm or less after film formation of the dye was λ = 405 nm. Further, since the laser light wavelength has a width of λ = 405 ± 20 nm due to environmental conditions such as temperature and manufacturing variations, the reflectance in these wavelength ranges needs to be 4% or more. If it is less than 4%, the reflectance decreases and tracking may not be performed satisfactorily.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属Mは、VOを表す。4個のRは、C−(CFC−O−を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. Four R is, C 6 H 5 - (CF 3) 2 represents a C-O-.

前記記録層を形成した後、100℃にて15分間のアニール処理を施した。その後、記録層上に、RFスパッタリングによりZnS−SiO(ZnS:SiO=8:2(質量比))からなるバリア層を厚みが50nmとなるように成膜した。なお、バリア層の形成条件は、パワーは4kW、圧力は2×10−2Pa、時間は10秒間で行った。 After forming the recording layer, an annealing treatment was performed at 100 ° C. for 15 minutes. Thereafter, a barrier layer made of ZnS—SiO 2 (ZnS: SiO 2 = 8: 2 (mass ratio)) was formed on the recording layer so as to have a thickness of 50 nm by RF sputtering. The barrier layer was formed under the conditions of a power of 4 kW, a pressure of 2 × 10 −2 Pa, and a time of 10 seconds.

次に、バリア層上に、UV硬化接着剤(大日本インキ株式会社製、SD−661)を、スピンコート法により回転速度100〜300rpmで塗布し接着層を形成し、該接着層上にポリカーボネートシート(帝人株式会社製、ピュアエース、膜厚80μm)を重ね合せて、300〜4000rpmまで変化させながら、接着剤を広げた後、UV照射ランプにより紫外線を照射して接着剤を硬化させた。この際、接着層の厚さは20μmであり、ポリカーボネートシート(表面保護層)と接着層とを合せた合計厚みは100μmであった。以上により、実施例1の光情報記録媒体を作製した。   Next, a UV curable adhesive (Dainippon Ink Co., Ltd., SD-661) is applied on the barrier layer at a rotational speed of 100 to 300 rpm by a spin coating method to form an adhesive layer, and polycarbonate is formed on the adhesive layer. Sheets (manufactured by Teijin Ltd., Pure Ace, film thickness of 80 μm) were overlapped, and the adhesive was spread while changing to 300 to 4000 rpm. At this time, the thickness of the adhesive layer was 20 μm, and the total thickness of the polycarbonate sheet (surface protective layer) and the adhesive layer was 100 μm. Thus, the optical information recording medium of Example 1 was produced.

(実施例2〜6及び比較例1〜5)
実施例2〜6及び比較例1〜5については、実施例1における反射層が設けられる側の基板表面に下塗層を適宜条件を変えて形成し、該下塗層上に反射層を形成して異なる反射層のトラック横断方向の断面形状を調製した。具体的には、2.5質量%のポリビニルアルコール水溶液を回転数を変えてスピンコートし、凹部の形状を種々変えて、該凹部の上に反射層を成膜した。得られた反射層のトラック横断方向の断面形状は表13に示す通りである。
(Examples 2-6 and Comparative Examples 1-5)
For Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 5, an undercoat layer is formed on the substrate surface on the side where the reflective layer is provided in Example 1 under appropriate conditions, and a reflective layer is formed on the undercoat layer Thus, cross-sectional shapes in the cross-track direction of different reflective layers were prepared. Specifically, a 2.5 mass% polyvinyl alcohol aqueous solution was spin-coated at different rotation speeds, and the shape of the recesses was variously changed to form a reflective layer on the recesses. Table 13 shows the cross-sectional shape of the obtained reflective layer in the track crossing direction.

(実施例7)
−光情報記録媒体の作製−
実施例1において、アルミニウム合金〔(Al−Ta、Al−Cr)のTa、Crの含有率はどちらも2原子%〕からなる反射層を厚み100nmになるように成膜した以外は、実施例1と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=50°であった。
(Example 7)
-Production of optical information recording media-
In Example 1, except that a reflective layer made of an aluminum alloy (the content of Ta and Cr in (Al—Ta, Al—Cr) is both 2 atomic%) was formed to a thickness of 100 nm. In the same manner as in Example 1, an optical information recording medium was produced.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 50 °.

(実施例8)
−光情報記録媒体の作製−
実施例1において、色素を、アゾ系色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 8)
-Production of optical information recording media-
An optical information recording medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as an azo dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例9)
実施例1において、色素を、下記一般式(I)で表される色素としての〔化49〕で示した化合物1に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
Example 9
An optical information recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with the compound 1 represented by [Chemical Formula 49] as the dye represented by the following general formula (I).
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例10)
実施例1において、色素を、上記一般式(I)で表される色素としての〔化49〕で示した化合物6に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 10)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with the compound 6 represented by [Chemical Formula 49] as the dye represented by the general formula (I).
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

(実施例11)
実施例1において、色素を、上記一般式(I)で表される色素としての〔化50〕で示した化合物17に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 11)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with the compound 17 shown in [Chemical Formula 50] as the dye represented by the above general formula (I).
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

(実施例12)
実施例1において、色素を、下記一般式(III)で表される色素としての〔化52〕で示した化合物21に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 12)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with the compound 21 represented by [Chemical Formula 52] as the dye represented by the following general formula (III).
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例13)
実施例1において、色素を、下記一般式(II)及び(IV)で表される色素としての〔化55〕で示した化合物38に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。

Figure 2005302272
Figure 2005302272
(Example 13)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with the compound 38 represented by [Chemical Formula 55] as the dye represented by the following general formulas (II) and (IV). .
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.
Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例14)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 14)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはVOを表す。Rは下記構造式を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. R represents the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例15)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 15)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはVOを表す。Rは下記構造式を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. R represents the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例16)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 16)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはVOを表す。Rは下記構造式を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. R represents the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例17)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 17)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはVOを表す。Rは下記構造式を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. R represents the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例18)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 18)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはVOを表す。Rは下記構造式を表す。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents VO. R represents the following structural formula.

Figure 2005302272
Figure 2005302272

(実施例19)
実施例1において、色素を、フタロシアニン色素としての下記構造式で表される化合物に代えた以外は同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
(Example 19)
An optical information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, except that the dye was replaced with a compound represented by the following structural formula as a phthalocyanine dye.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属MはCuを表す。Rは−SOを表す。
得られた光情報記録媒体における反射層のトラック横断方向の断面形状は、図2に示すように、CL=180nm、BL=112nm、UL=85nm、深さ(d1)=45nm、深さ(d2)=40nm、角度(θ)=55°、角度(θ)=49°であった。
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents Cu. R represents -SO 2 C 4 H 9.
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the reflective layer in the obtained optical information recording medium in the cross-track direction is CL = 180 nm, BL = 112 nm, UL = 85 nm, depth (d1) = 45 nm, depth (d2 ) = 40 nm, angle (θ 1 ) = 55 °, angle (θ 2 ) = 49 °.

得られた各光情報記録媒体において、以下のようにして、プッシュプル(push−pull)信号を測定した。結果を表13〜表15に示す。   In each obtained optical information recording medium, a push-pull signal was measured as follows. The results are shown in Tables 13-15.

<プッシュプル(push−pull)信号の測定方法>
各光情報記録媒体にフォーカスをかけた状態でトラックをクロスするシグナルの山l1と谷l2の信号を光ディスク評価機(DDU1000、パルステック工業社製)で測定し、次式、プッシュプル(push−pull)信号=(l1−l2)/(l1+l2)から算出した。
<Method for Measuring Push-Pull Signal>
The signal peaks l1 and trough l2 crossing the track with each optical information recording medium in focus are measured with an optical disk evaluation machine (DDU1000, manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.). pull) signal = (l1-l2) / (l1 + l2).

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

Figure 2005302272
Figure 2005302272

<記録特性の測定方法>
実施例1において得られた光情報記録媒体について、発振波長405nm、ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながら(線速3.5m/sec)記録し、発振波長405nmの半導体連続レーザ光(再生パワー0.7mW)で再生し、再生波形を測定し、記録パワーとジッタとの関係を調べた。その結果を図3のグラフに示す。
図3からも明らかなように、実施例1の光情報記録媒体は、記録パワー6.7mWでジッタが8%以下の優れた記録特性を有することが判る。
<Measurement method of recording characteristics>
The optical information recording medium obtained in Example 1 was recorded while tracking (linear velocity: 3.5 m / sec) using a semiconductor laser beam having an oscillation wavelength of 405 nm and a beam diameter of 1.0 μm, and a semiconductor continuous wave having an oscillation wavelength of 405 nm. Reproduction was performed with laser light (reproduction power 0.7 mW), the reproduction waveform was measured, and the relationship between recording power and jitter was examined. The result is shown in the graph of FIG.
As is apparent from FIG. 3, it can be seen that the optical information recording medium of Example 1 has excellent recording characteristics with a recording power of 6.7 mW and a jitter of 8% or less.

本発明の光情報記録媒体は、記録領域全域において均一でかつ優れたコントラストを有する信号を得ることができ、追記型ディスクシステムなどに好適に用いられる。   The optical information recording medium of the present invention can obtain a signal having a uniform and excellent contrast over the entire recording area, and is suitably used for a write-once disk system.

図1は、本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the optical information recording medium of the present invention. 図2は、図1の光情報記録媒体の拡大概略断面図である。FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of the optical information recording medium of FIG. 図3は、光情報記録媒体の記録パワーとジッタとの関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the recording power and jitter of the optical information recording medium.

符号の説明Explanation of symbols

1 光情報記録媒体
2 基板
3 反射層
4 記録層
5 バリア層
6 接着層
7 トラッキングトラック
8 表面保護層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical information recording medium 2 Board | substrate 3 Reflective layer 4 Recording layer 5 Barrier layer 6 Adhesive layer 7 Tracking track 8 Surface protective layer

Claims (23)

凹状案内溝が形成された基板と、該基板上に少なくとも反射層、有機色素を含有する記録層、及び表面保護層がこの順に積層されてなる光情報記録媒体であって、前記反射層が前記基板における凹状案内溝に対応した凹部を有し、該凹部のトラックを横切る方向における断面形状が上底が下底よりも長い略逆台形状であり、かつ前記光情報記録媒体におけるプッシュプル(push−pull)信号が0.25〜0.60であることを特徴とする光情報記録媒体。   An optical information recording medium in which a substrate on which concave guide grooves are formed, and at least a reflective layer, a recording layer containing an organic dye, and a surface protective layer are laminated on the substrate in this order, A push-pull (push) in the optical information recording medium has a concave portion corresponding to the concave guide groove in the substrate, the cross-sectional shape in the direction crossing the track of the concave portion is a substantially inverted trapezoid whose upper base is longer than the lower base -An optical information recording medium characterized in that the signal is 0.25 to 0.60. 表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより記録及び再生の少なくともいずれかを行う請求項1に記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1, wherein at least one of recording and reproduction is performed by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side. 基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の上底の長さ(CL)が90〜200nmである請求項1から2のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in the direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoid, and the length (CL) of the upper base of the substantially inverted trapezoid is 90 to 200 nm. Item 3. The optical information recording medium according to any one of Items 1 to 2. 基板と反射層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(BL)が25nm以上である請求項1から3のいずれか記載の光情報記録媒体。   The cross-sectional shape of the interface between the substrate and the reflective layer in a direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoidal shape, and the length (BL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape is 25 nm or more. The optical information recording medium according to any one of 1 to 3. 略逆台形状の下底の長さ(BL)が、次式、BL≧TP/13(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表す)の関係を満たす請求項4に記載の光情報記録媒体。   5. The optical information recording medium according to claim 4, wherein the length (BL) of the lower base of the substantially inverted trapezoidal shape satisfies a relationship of the following formula: BL ≧ TP / 13 (where TP represents a track pitch (nm)). . 反射層と記録層との界面の該反射層における凹部のトラックを横切る方向の断面形状が略逆台形状であり、該略逆台形状の下底の長さ(UL)が10nm以上である請求項1から5のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The cross-sectional shape of the interface between the reflective layer and the recording layer in a direction crossing the track of the recess in the reflective layer is a substantially inverted trapezoidal shape, and the length (UL) of the lower base of the substantially inverted trapezoidal shape is 10 nm or more. Item 6. The optical information recording medium according to any one of Items 1 to 5. 略逆台形状の下底の長さ(UL)が、次式、UL≧TP/32(ただし、TPはトラックピッチ(nm)を表す)の関係を満たす請求項6に記載の光情報記録媒体。   7. The optical information recording medium according to claim 6, wherein the length (UL) of the bottom of the substantially inverted trapezoidal shape satisfies the relationship of the following formula: UL ≧ TP / 32 (where TP represents the track pitch (nm)). . 反射層の凹部の台形部における上底と下底を結ぶ面と上底及び下底とのなす角度θが、60°以下である請求項1から7のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to any one of claims 1 to 7, wherein an angle θ formed by a surface connecting the upper base and the lower base in the trapezoidal portion of the concave portion of the reflective layer and the upper base and the lower base is 60 ° or less. 反射層が、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかを含有する請求項1から8のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer contains any one of aluminum and an aluminum alloy. 反射層の厚みが、20〜200nmである請求項1から9のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer has a thickness of 20 to 200 nm. 記録層における有機色素の反射率が、記録及び再生の少なくともいずれかに用いる光の波長において8%以上である請求項1から10のいずれかに記載の光情報記録媒体。   11. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the reflectance of the organic dye in the recording layer is 8% or more at the wavelength of light used for at least one of recording and reproduction. 有機色素がフタロシアニン系色素である請求項1から11のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1, wherein the organic dye is a phthalocyanine dye. フタロシアニン系色素が、下記構造式で表される化合物である請求項12に記載の光情報記録媒体。
Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、中心金属Mは、Cu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、及びFeから選択されるいずれかを表す。Rは、有機置換基を表す。
The optical information recording medium according to claim 12, wherein the phthalocyanine dye is a compound represented by the following structural formula.
Figure 2005302272
However, in the structural formula, the central metal M represents one selected from Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, and Fe. R represents an organic substituent.
中心金属Mは、VO、Zn、Pd、及びCoから選択されるいずれかを表し、Rは、C−(CFC−O−を表す請求項13に記載の光情報記録媒体。 The optical information recording according to claim 13, wherein the central metal M represents one selected from VO, Zn, Pd, and Co, and R represents C 6 H 5 — (CF 3 ) 2 C—O—. Medium. 中心金属Mは、Cu、VO、Ni、H、Zn、Pd、Cd、Co、及びFeから選択されるいずれかを表し、Rは、下記構造式から選択されるいずれかを表す請求項13に記載の光情報記録媒体。
Figure 2005302272
The center metal M represents any one selected from Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, and Fe, and R represents any one selected from the following structural formulas. The optical information recording medium described.
Figure 2005302272
中心金属Mは、下記構造式で表される置換基であり、Rは、−OCHCFCFHである請求項13に記載の光情報記録媒体。
Figure 2005302272
ただし、前記構造式中、Cpは、Fe(Cを表す。
The optical information recording medium according to claim 13, wherein the central metal M is a substituent represented by the following structural formula, and R is —OCH 2 CF 2 CF 2 H.
Figure 2005302272
In Structural Formula, Cp represents Fe (C 5 H 5) 2 .
中心金属Mは、Cuを表し、Rは、−SOを表す請求項13に記載の光情報記録媒体。 The optical information recording medium according to claim 13, wherein the central metal M represents Cu and R represents —SO 2 C 4 H 9 . 有機色素がアゾ系色素である請求項1から11のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1, wherein the organic dye is an azo dye. アゾ系色素が下記構造式で表される請求項18に記載の光情報記録媒体。
Figure 2005302272
The optical information recording medium according to claim 18, wherein the azo dye is represented by the following structural formula.
Figure 2005302272
有機色素が下記一般式(I)から(V)の少なくともいずれかで表される請求項1から11のいずれかに記載の光情報記録媒体。
Figure 2005302272
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Aは置換基を有していてもよい芳香環を表し、BはOH以外の置換基を有していてもよい芳香環を表す。nは1〜3の整数、mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(III)及び(IV)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2〜6の整数を表す。Lは置換されてもよい2価の連結基または単結合を表す。VはL以外に置換基を有していてもよい芳香環を表す。
Figure 2005302272
ただし、前記一般式(V)中、R及びRは互いに同一であっても異なっていてもよい置換基を表し、p及びqは0乃至3の整数を表す。mは2または3の整数を表す。Vは置換基を有していてもよい芳香環を表す。
The optical information recording medium according to claim 1, wherein the organic dye is represented by at least one of the following general formulas (I) to (V).
Figure 2005302272
Figure 2005302272
However, in said general formula (I) and (II), A represents the aromatic ring which may have a substituent, and B represents the aromatic ring which may have substituents other than OH. n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.
Figure 2005302272
Figure 2005302272
However, in said general formula (III) and (IV), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0-3. m represents an integer of 2 to 6. L represents a divalent linking group or a single bond which may be substituted. V represents an aromatic ring which may have a substituent other than L.
Figure 2005302272
However, in said general formula (V), R < 1 > and R < 2 > represents the substituent which may mutually be same or different, p and q represent the integer of 0 thru | or 3. m represents an integer of 2 or 3. V represents an aromatic ring which may have a substituent.
基板におけるトラックピッチが200〜400nm、案内溝の溝深さが10〜150nm、及び案内溝の半値幅が50〜250nmである請求項1から20のいずれかに記載の光情報記録媒体。   21. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the track pitch on the substrate is 200 to 400 nm, the groove depth of the guide groove is 10 to 150 nm, and the half width of the guide groove is 50 to 250 nm. 表面保護層の透過率が、記録及び再生の少なくともいずれかに使用される光に対し80%以上である請求項1から21のいずれかに記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to any one of claims 1 to 21, wherein the transmittance of the surface protective layer is 80% or more with respect to light used for at least one of recording and reproduction. 請求項1から22のいずれかに記載の光情報記録媒体における表面保護層側から500nm以下の発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うことを特徴とする記録再生方法。
23. At least one of information recording and reproduction is performed by irradiating a laser beam having an oscillation wavelength of 500 nm or less from the surface protective layer side in the optical information recording medium according to claim 1. Recording / playback method.
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