JP2005294206A

JP2005294206A - Manufacturing method of mask, mask, electro-optical device, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2005294206A
Application number: JP2004111083A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Kuwabara; 貴之桑原; Tomohiro Makigaki; 奉宏牧垣
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-04-05
Filing date: 2004-04-05
Publication date: 2005-10-20

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a mask in which a mask can be formed in good dimensional accuracy and a pattern can be drawn with good dimensional accuracy. <P>SOLUTION: The manufacturing method comprises a process in which a monocrystal silicon substrate 20 in an SOI substrate 12 of the surface direction (1, 0, 0) is applied etching and the pattern drawing part is opened and then, by etching the monocrystal silicon layer 40 of the SOI substrate 12, pattern apertures 42 are formed, and a process in which the silicon oxide layer 30 exposed by the etching of the monocrystal silicon substrate 20 is removed. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マスクの製造方法、マスク、電気光学装置および電子機器に関するものである。 The present invention relates to a mask manufacturing method, a mask, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

低分子有機ＥＬ装置では、ガラス基板上に低分子有機材料からなる発光層が形成されている。その低分子有機材料からなる発光層は、蒸着法によって形成されている。蒸着法は、蒸着材料を高真空中で加熱蒸発させ、基板上に薄膜として凝着させる方法である。
蒸着法による発光層の形成は、ドット領域以外の領域に対する有機材料の付着を防止するため、蒸着マスクを配置して行われている。この蒸着マスクとして、従来はメタルマスクが使用されていた（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このメタルマスクとガラス基板とは熱膨張係数差が大きいため、特に画像表示領域の端部付近では、ドット領域からずれた位置に発光層が蒸着されてしまうという問題があった。 In a low molecular organic EL device, a light emitting layer made of a low molecular organic material is formed on a glass substrate. The light emitting layer made of the low molecular organic material is formed by a vapor deposition method. The vapor deposition method is a method in which a vapor deposition material is heated and evaporated in a high vacuum, and is deposited as a thin film on a substrate.
The formation of the light emitting layer by the vapor deposition method is performed by arranging a vapor deposition mask in order to prevent the organic material from adhering to the region other than the dot region. Conventionally, a metal mask has been used as this deposition mask (see, for example, Patent Document 1). However, since the difference between the thermal expansion coefficients of the metal mask and the glass substrate is large, there is a problem that the light emitting layer is deposited at a position shifted from the dot region, particularly in the vicinity of the end of the image display region.

そこで、ガラス基板との熱膨張係数差が小さく、しかもＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により精度良く加工することが可能な、単結晶Ｓｉウエハを用いた蒸着マスクの開発が行われている。特許文献２では、面方位（１，０，０）の単結晶シリコンウエハを用いて蒸着マスクが形成されている。この単結晶シリコンウエハの厚さは１８０μｍとされ、複数のパターン開口部が形成されるバターン描画部の厚さは２０μｍとされている。このようなパターン描画部の薄肉化には、一般にウエットエッチングが用いられている。そして、パターン描画部を薄肉化することにより、斜め方向から飛来する蒸着材料をパターン開口部に入射させてガラス基板面に蒸着させることが可能になり、蒸着膜の寸法精度の向上を図ることができるようになっている。
特開２００１−９３６６７号公報特開平４−２３６７５８号公報 In view of this, a vapor deposition mask using a single crystal Si wafer, which has a small difference in thermal expansion coefficient from a glass substrate and can be processed with high precision by a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique, has been developed. In Patent Document 2, a vapor deposition mask is formed using a single crystal silicon wafer having a plane orientation (1, 0, 0). The single crystal silicon wafer has a thickness of 180 μm, and the pattern drawing portion in which a plurality of pattern openings are formed has a thickness of 20 μm. In general, wet etching is used to reduce the thickness of the pattern drawing portion. Then, by reducing the thickness of the pattern drawing portion, it becomes possible to cause the vapor deposition material flying from an oblique direction to enter the pattern opening and deposit it on the glass substrate surface, thereby improving the dimensional accuracy of the vapor deposition film. It can be done.
JP 2001-93667 A JP-A-4-236758

しかしながら、上述した蒸着マスクでは、ＭＥＭＳ技術により平面寸法の精度を確保することができるものの、厚さ寸法の精度を確保することが困難であるという問題がある。すなわち、蒸着マスクのパターン描画部を所定の厚さに形成するため、単結晶シリコンウエハをエッチングする際に、パターン描画部の中央部が周縁部に比べて厚くなる傾向にあり、例えば±１０μｍ程度のばらつきが避けられないのである。そして、蒸着マスクにおけるパターン描画部の厚さがばらついた場合には、斜め方向から飛来する蒸着材料を安定してパターン開口部に入射させることが困難になり、ガラス基板面に蒸着されたパターンの寸法精度を確保することが困難になる。その結果、低分子有機ＥＬ装置等の表示品質を低下させることになる。 However, the above-described vapor deposition mask has a problem that it is difficult to ensure the accuracy of the thickness dimension although the accuracy of the planar dimension can be ensured by the MEMS technique. That is, in order to form the pattern drawing portion of the vapor deposition mask to a predetermined thickness, when etching a single crystal silicon wafer, the central portion of the pattern drawing portion tends to be thicker than the peripheral portion, for example, about ± 10 μm This variation is unavoidable. And when the thickness of the pattern drawing part in the vapor deposition mask varies, it becomes difficult to stably enter the vapor deposition material flying from the oblique direction into the pattern opening, and the pattern deposited on the glass substrate surface becomes difficult. It becomes difficult to ensure dimensional accuracy. As a result, the display quality of a low molecular organic EL device or the like is deteriorated.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、寸法精度よくマスクを形成することが可能であり、また寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクの製造方法、および寸法精度のよいマスクの提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電気光学装置および電子機器の提供を目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. A mask manufacturing method capable of forming a mask with high dimensional accuracy and drawing a pattern with high dimensional accuracy, and dimensional accuracy. The purpose is to provide a good mask.
It is another object of the present invention to provide an electro-optical device and an electronic apparatus with excellent display quality.

上記目的を達成するため、本発明のマスクの製造方法は、パターン描画部における厚さが、前記パターン描画部以外の領域における厚さより薄いマスクを製造する方法であって第１マスク材料からなる基板の表面に、前記第１マスク材料のエッチング停止層を形成し、前記エッチング停止層の表面に、前記パターン描画部と同等の厚さの第２マスク材料からなる層を形成する工程と、前記第１マスク材料基板をエッチングして前記パターン描画部に開口部を形成し、前記第２マスク材料層をエッチングして前記パターンの開口部を形成する工程と、少なくとも前記パターン開口部に配置された前記エッチング停止層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、第１マスク材料基板のエッチングをエッチング停止層で停止させることができるので、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することが可能になる。したがって、寸法精度よくマスクを形成することができる。これにより、マスクに対して斜め方向から飛来するパターン材料を、再現性よくパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 To achieve the above object, the mask manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing a mask in which the thickness in the pattern drawing portion is thinner than the thickness in the region other than the pattern drawing portion, and the substrate made of the first mask material Forming an etching stop layer of the first mask material on the surface of the first mask material, and forming a layer made of a second mask material having a thickness equivalent to that of the pattern drawing portion on the surface of the etching stop layer; Etching one mask material substrate to form an opening in the pattern drawing portion, etching the second mask material layer to form an opening in the pattern, and at least the pattern opening arranged in the pattern opening And a step of removing the etching stop layer.
According to this configuration, since the etching of the first mask material substrate can be stopped by the etching stop layer, the mask can be formed to a predetermined thickness in the pattern drawing portion. Therefore, the mask can be formed with high dimensional accuracy. As a result, the pattern material flying from an oblique direction with respect to the mask can be incident on the pattern opening with high reproducibility. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

また、前記第１マスク材料は、単結晶シリコンであり、前記エッチング停止層は、酸化シリコンからなることが望ましい。
この構成によれば、公知技術で形成可能なＳＯＩ基板をマスク基材として利用することが可能になり、低コストでマスクを製造することができる。 The first mask material may be single crystal silicon, and the etching stop layer may be made of silicon oxide.
According to this configuration, an SOI substrate that can be formed by a known technique can be used as a mask base material, and a mask can be manufactured at low cost.

また、前記第２マスク材料層は、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層であり、前記エッチング停止層を除去する工程の後に、前記第２マスク材料層における前記パターン開口部の形成領域に貫通孔を形成する工程と、前記第１マスク材料基板側から前記第２マスク材料層をエッチングする工程と、を有する構成としてもよい。
この構成によれば、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。この場合、マスクの斜め方向から飛来するパターン材料を、確実にパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 The second mask material layer is a single crystal silicon layer having a plane orientation (1, 0, 0). After the step of removing the etching stop layer, the pattern opening in the second mask material layer is formed. It is good also as a structure which has the process of forming a through-hole in a formation area, and the process of etching the said 2nd mask material layer from the said 1st mask material board | substrate side.
According to this configuration, the side wall of the pattern opening is formed of an inclined surface having a plane orientation (1, 1, 1). In this case, the pattern material flying from the oblique direction of the mask can surely enter the pattern opening. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

なお、前記貫通孔の形成は、レーザを照射することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、所定の位置に対して簡単に貫通孔を形成することができる。 The through hole is preferably formed by irradiating a laser.
According to this configuration, a through hole can be easily formed at a predetermined position.

また、前記第２マスク材料層は、面方位（１，１，０）の単結晶シリコン層である構成としてもよい。
この構成によれば、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の垂直面で構成される。この場合、パターン描画部におけるマスクの断面積が大きくなり、マスクの強度を確保することが可能になる。これに伴って、パターン描画部におけるマスクの厚さを薄くすることができる。これにより、マスクの斜め方向から飛来するパターン材料を、確実にパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 The second mask material layer may be a single crystal silicon layer having a plane orientation (1, 1, 0).
According to this configuration, the side wall of the pattern opening is formed of a vertical plane having a plane orientation (1, 1, 1). In this case, the cross-sectional area of the mask in the pattern drawing portion is increased, and the strength of the mask can be ensured. Accordingly, the thickness of the mask in the pattern drawing unit can be reduced. As a result, the pattern material flying from the oblique direction of the mask can be reliably incident on the pattern opening. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

なお、前記パターンは、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリットパターンであることが望ましい。
上記発明では、マスクの強度を確保することができるので、長いスリットパターンを形成することも可能である。そして、長いスリットパターンを形成すれば、電気光学装置のドット領域に機能性薄膜のパターンを描画する際に、その長手方向に対するマスクの厳密な位置合わせが不要になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 The pattern is preferably a slit pattern obtained by extending a striped dot region in the electro-optical device in the longitudinal direction.
In the above invention, since the strength of the mask can be ensured, a long slit pattern can be formed. If a long slit pattern is formed, when the functional thin film pattern is drawn in the dot region of the electro-optical device, it is not necessary to strictly align the mask with respect to the longitudinal direction. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

また、前記第１マスク材料基板および／または前記第２マスク材料層のエッチングは、１０重量％以上３０重量％未満のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより行うことが望ましい。
この水溶液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものである。したがって、寸法精度よくマスクを形成することができる。 Further, it is preferable that the etching of the first mask material substrate and / or the second mask material layer is performed by wet etching using a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution of 10 wt% or more and less than 30 wt%.
This aqueous solution has a high selectivity for etching single crystal silicon and silicon oxide. Therefore, the mask can be formed with high dimensional accuracy.

一方、本発明のマスクは、上述したマスクの製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、寸法精度のよいマスクを低コストで提供することができる。 On the other hand, the mask of the present invention is manufactured using the above-described mask manufacturing method.
According to this configuration, a mask with good dimensional accuracy can be provided at low cost.

一方、本発明の電気光学装置は、上述したマスクを使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、電気光学装置を精度よく製造することが可能になり、表示品質に優れた電気光学装置を提供することができる。 On the other hand, the electro-optical device of the present invention is manufactured using the above-described mask.
According to this configuration, it becomes possible to manufacture the electro-optical device with high accuracy, and it is possible to provide an electro-optical device with excellent display quality.

一方、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。 On the other hand, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device.
According to this configuration, an electronic device having excellent display quality can be provided.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態に係るマスクおよびその製造方法につき、図１ないし図３を用いて説明する。
図１は第１実施形態に係るマスクの説明図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線における側面断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＢ部における拡大図である。図１（ｂ）に示すように、第１実施形態に係るマスク１０は、パターン描画部１４に開口２２が形成された面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０と、その単結晶シリコン基板２０の表面に配置された酸化シリコン層３０と、その酸化シリコン層３０の表面に配置されパターン開口部４２が形成された面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０とを有するものである。なお、面方位（１，０，０）の面とは、ミラー指数（１，０，０）の面と同義である。 [First Embodiment]
First, a mask and a manufacturing method thereof according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is an explanatory view of a mask according to the first embodiment, FIG. 1 (a) is a plan view, and FIG. 1 (b) is a side sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1 (a). FIG.1 (c) is an enlarged view in the B section of FIG.1 (b). As shown in FIG. 1B, the mask 10 according to the first embodiment includes a single crystal silicon substrate 20 having a plane orientation (1, 0, 0) in which an opening 22 is formed in a pattern drawing unit 14, and a single crystal silicon substrate 20 thereof. A silicon oxide layer 30 disposed on the surface of the crystalline silicon substrate 20, a plane crystal orientation (1, 0, 0) single crystal silicon layer 40 disposed on the surface of the silicon oxide layer 30 and having a pattern opening 42 formed thereon; It is what has. In addition, the surface of the plane orientation (1, 0, 0) is synonymous with the surface of the Miller index (1, 0, 0).

［マスク］
図１（ｃ）に示すように、第１実施形態に係るマスク１０は、いわゆるＳＯＩ（Silicon on Insulating substrate）基板１２から形成されている。すなわち、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０の表面に酸化シリコン層３０が配置され、その酸化シリコン層３０の表面に面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０が配置されている。一例を挙げれば、単結晶シリコン基板２０は厚さ４００μｍに形成され、酸化シリコン層３０は厚さ０．１μｍに形成されている。また、パターン描画部におけるマスク１０の強度を確保するため、単結晶シリコン層４０の厚さは１２０μｍに形成されている。 [mask]
As shown in FIG. 1C, the mask 10 according to the first embodiment is formed from a so-called SOI (Silicon on Insulating substrate) substrate 12. That is, the silicon oxide layer 30 is disposed on the surface of the single crystal silicon substrate 20 with the plane orientation (1, 0, 0), and the single crystal silicon layer with the plane orientation (1, 0, 0) is formed on the surface of the silicon oxide layer 30. 40 is arranged. For example, the single crystal silicon substrate 20 is formed to a thickness of 400 μm, and the silicon oxide layer 30 is formed to a thickness of 0.1 μm. Further, in order to secure the strength of the mask 10 in the pattern drawing portion, the thickness of the single crystal silicon layer 40 is formed to 120 μm.

図１（ｂ）に示すように、上記ＳＯＩ基板１２の中央部がパターン描画部１４に設定されている。そのパターン描画部１４では、単結晶シリコン基板２０および酸化シリコン層３０に開口２２，３２が形成されている。これにより、マスク１０のパターン描画部１４は、単結晶シリコン層４０のみで構成されている。すなわち、単結晶シリコン層４０の厚さは、パターン描画部１４におけるマスク１０の厚さと同一に形成されている。そして、パターン描画部１４の周囲に配置された単結晶シリコン基板２０により、マスク全体の強度が確保されている。 As shown in FIG. 1B, the central portion of the SOI substrate 12 is set as a pattern drawing unit 14. In the pattern drawing portion 14, openings 22 and 32 are formed in the single crystal silicon substrate 20 and the silicon oxide layer 30. As a result, the pattern drawing portion 14 of the mask 10 is composed of only the single crystal silicon layer 40. That is, the thickness of the single crystal silicon layer 40 is the same as the thickness of the mask 10 in the pattern drawing unit 14. The strength of the entire mask is ensured by the single crystal silicon substrate 20 disposed around the pattern drawing portion 14.

図１（ａ）に示すように、単結晶シリコン層のパターン描画部１４には、複数のパターン開口部４２が形成されている。各パターン開口部４２はストライプ状に形成され、マトリクス状に整列配置されている。また図１（ｂ）に示すように、各パターン開口部４２の側壁４２ａは、面方位（１，１，１）の傾斜面で構成されている。 As shown in FIG. 1A, a plurality of pattern openings 42 are formed in the pattern drawing portion 14 of the single crystal silicon layer. Each pattern opening 42 is formed in a stripe shape and arranged in a matrix. As shown in FIG. 1B, the side wall 42a of each pattern opening 42 is formed of an inclined surface having a plane orientation (1, 1, 1).

［マスクの製造方法］
次に、第１実施形態に係るマスクの製造方法につき、図２および図３を用いて説明する。図２および図３は、第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。
まず、図２（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１２を形成する。ＳＯＩ基板１２の形成方法として、ウエハの貼り合わせによる方法や、酸素イオンをシリコン基板に打ち込んで内部に酸化層を形成するＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）法などの公知の方法がある。ＳＩＭＯＸ法を採用する場合には、面方位（１，０，０）の単結晶シリコン基板２０の表面から酸素イオンを打ち込んで、単結晶シリコン基板２０の内部に酸化シリコン層３０を形成する。そして、この酸化シリコン層３０により、単結晶シリコン基板２０から面方位（１，０，０）の単結晶シリコン層４０が区画される。 [Mask Manufacturing Method]
Next, a mask manufacturing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are process diagrams of the mask manufacturing method according to the first embodiment.
First, as shown in FIG. 2A, an SOI substrate 12 is formed. As a method for forming the SOI substrate 12, there are known methods such as a method of bonding wafers and a SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) method in which oxygen ions are implanted into a silicon substrate to form an oxide layer therein. When the SIMOX method is employed, oxygen ions are implanted from the surface of the single crystal silicon substrate 20 having a plane orientation (1, 0, 0) to form the silicon oxide layer 30 inside the single crystal silicon substrate 20. The silicon oxide layer 30 partitions a single crystal silicon layer 40 having a plane orientation (1, 0, 0) from the single crystal silicon substrate 20.

次に、図２（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１２の表面に、耐アルカリエッチング層を形成する。耐アルカリエッチング層として、具体的には酸化シリコン膜１６を形成する。酸化シリコン膜１６は、ＳＯＩ基板１２の表面全体を熱酸化することによって簡単に形成することが可能である。特に、湿式熱酸化法を採用すれば、緻密な酸化シリコン膜１６を形成することができる。なお酸化シリコン膜１６に代えて、ＣＶＤ法等により窒化シリコン膜を形成してもよく、またスパッタ法等により金／クロムなどの金属膜を形成してもよい。 Next, as shown in FIG. 2B, an alkali resistant etching layer is formed on the surface of the SOI substrate 12. Specifically, a silicon oxide film 16 is formed as the alkali resistant etching layer. The silicon oxide film 16 can be easily formed by thermally oxidizing the entire surface of the SOI substrate 12. In particular, if a wet thermal oxidation method is employed, a dense silicon oxide film 16 can be formed. Instead of the silicon oxide film 16, a silicon nitride film may be formed by a CVD method or the like, or a metal film such as gold / chromium may be formed by a sputtering method or the like.

次に、図２（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜１６をパターニングして、第１エッチングマスク２４および第２エッチングマスク４４を形成する。
まず、単結晶シリコン基板２０のパターン描画部を開口させるための第１エッチングマスク２４を形成する。第１エッチングマスク２４は、単結晶シリコン基板２０の表面に配置された酸化シリコン膜１６に、パターン描画部の形状をパターニングしたものである。このパターニングは、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコン膜１６のエッチングを利用して行う。なお、酸化シリコン膜１６のエッチングは、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液をエッチング液とするウエットエッチングによって行うことが可能である。
一方、単結晶シリコン層４０にパターン開口部を形成するための第２エッチングマスク４４を形成する。第２エッチングマスク４４は、単結晶シリコン層４０の表面に配置された酸化シリコン膜１６に、パターン開口部の形状をパターニングしたものである。このパターニングも上記と同様に、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコン膜１６のエッチングを利用して行う。なお、第１エッチングマスク２４および第２エッチングマスク４４は同時に形成することも可能であり、これにより第１実施形態に係るマスクを効率的に製造することができる。 Next, as shown in FIG. 2C, the silicon oxide film 16 is patterned to form a first etching mask 24 and a second etching mask 44.
First, a first etching mask 24 for opening the pattern drawing portion of the single crystal silicon substrate 20 is formed. The first etching mask 24 is obtained by patterning the shape of the pattern drawing portion on the silicon oxide film 16 disposed on the surface of the single crystal silicon substrate 20. This patterning is performed using photolithography and etching of the silicon oxide film 16. Note that the silicon oxide film 16 can be etched by wet etching using a mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride as an etchant.
On the other hand, a second etching mask 44 for forming a pattern opening in the single crystal silicon layer 40 is formed. The second etching mask 44 is obtained by patterning the shape of the pattern opening on the silicon oxide film 16 disposed on the surface of the single crystal silicon layer 40. Similar to the above, this patterning is also performed using photolithography and etching of the silicon oxide film 16. Note that the first etching mask 24 and the second etching mask 44 can be formed at the same time, whereby the mask according to the first embodiment can be efficiently manufactured.

次に、図２（ｄ）に示すように、第１エッチングマスク２４を介して単結晶シリコン基板２０をエッチングし、第２エッチングマスク４４を介して単結晶シリコン層４０をエッチングする。これらのエッチングは、有機アミン系アルカリ水溶液、例えば１０重量％以上３０重量％未満（特に、１０重量％以上２０重量％未満）のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行うことが望ましい。なお、この水溶液を８０℃程度に加熱して使用してもよい。このエッチング液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものである。したがって、酸化シリコンからなる第２エッチングマスク４４を介することにより、単結晶シリコン層４０を精度よくエッチングすることが可能になる。また、このエッチング液は、カリウムやナトリウムを使用しない有機アルカリのため、蒸着時におけるＴＦＴ基板のカリウム汚染やナトリウム汚染を防止することができる。 Next, as shown in FIG. 2D, the single crystal silicon substrate 20 is etched through the first etching mask 24, and the single crystal silicon layer 40 is etched through the second etching mask 44. These etchings may be performed by wet etching using an organic amine-based alkaline aqueous solution, for example, a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution of 10% by weight or more and less than 30% by weight (particularly 10% by weight or more and less than 20% by weight) as an etchant. desirable. In addition, you may use this aqueous solution by heating to about 80 degreeC. This etchant has a large selectivity for etching single crystal silicon and silicon oxide. Therefore, the single crystal silicon layer 40 can be accurately etched through the second etching mask 44 made of silicon oxide. Further, since this etching solution is an organic alkali that does not use potassium or sodium, it is possible to prevent potassium contamination and sodium contamination of the TFT substrate during vapor deposition.

このエッチング液中にＳＯＩ基板１２を浸漬すると、エッチングレートが小さい面方位（１，１，１）の傾斜面と平行に、異方性エッチングが進行する。その結果、単結晶シリコン層４０のエッチングは、第２エッチングマスク４４の開口端部まで進行した時点で停止する。一方、単結晶シリコン基板２０のエッチングが進行すると、酸化シリコン層３０が露出する。ところが、上述したエッチング液は、単結晶シリコンおよび酸化シリコンのエッチングにつき大きな選択比を有するものであり、酸化シリコン層３０をエッチングしない。すなわち、酸化シリコン層３０は単結晶シリコン基板２０のエッチング停止層として機能する。これにより、エッチングの時間管理を行うことなく、単結晶シリコン基板２０のエッチングを所定位置で停止させることができる。 When the SOI substrate 12 is immersed in this etching solution, anisotropic etching proceeds in parallel with the inclined surface having a plane orientation (1, 1, 1) with a low etching rate. As a result, the etching of the single crystal silicon layer 40 is stopped when it proceeds to the opening end of the second etching mask 44. On the other hand, when the etching of the single crystal silicon substrate 20 proceeds, the silicon oxide layer 30 is exposed. However, the etching solution described above has a large selectivity for etching single crystal silicon and silicon oxide, and does not etch the silicon oxide layer 30. That is, the silicon oxide layer 30 functions as an etching stop layer for the single crystal silicon substrate 20. Thereby, the etching of the single crystal silicon substrate 20 can be stopped at a predetermined position without managing the etching time.

なお、上述した有機アミン系アルカリ水溶液以外であっても、水酸化カリウム水溶液以外の無機アルカリ水溶液、例えばアンモニア水をエッチング液として使用することも可能である。また、本発明はカリウムを含むエッチング液を除外するものではなく、例えば１５％の水酸化カリウム溶液を８０℃程度に加熱して、エッチング液として使用することも可能である。 In addition, even if it is other than the organic amine alkali aqueous solution mentioned above, it is also possible to use inorganic alkali aqueous solutions other than potassium hydroxide aqueous solution, for example, ammonia water, as an etching solution. Further, the present invention does not exclude an etching solution containing potassium. For example, a 15% potassium hydroxide solution can be heated to about 80 ° C. and used as an etching solution.

次に、図３（ｅ）に示すように、単結晶シリコン基板２０のエッチングにより露出した酸化シリコン層３０を除去する。露出した酸化シリコン層３０の除去は、フォトリソグラフィ技術および酸化シリコンのエッチングを利用して行う。酸化シリコンのエッチングは、ＣＨＦ_３ガスをエッチングガスとするドライエッチングや、緩衝フッ酸の水溶液をエッチング液とするウエットエッチング等によって行うことが可能である。 Next, as shown in FIG. 3E, the silicon oxide layer 30 exposed by etching the single crystal silicon substrate 20 is removed. The exposed silicon oxide layer 30 is removed by using a photolithography technique and etching of silicon oxide. Etching of silicon oxide can be performed by dry etching using CHF ₃ gas as an etching gas, wet etching using an aqueous solution of buffered hydrofluoric acid, or the like.

次に、図３（ｆ）に示すように、単結晶シリコン層４０におけるパターン開口部の形成領域に、それぞれ貫通孔４６を形成する。貫通孔４６の形成は、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザ等によるレーザ加工によって行うことが望ましい。このレーザ加工によれば、所定の位置に対して簡単に貫通孔を形成することができる。なおレーザ加工の代わりに、ＣＨＦ_３ガスをエッチングガスとするドライエッチングや、ドリル等による機械加工等を利用してもよい。この貫通孔４６は、単結晶シリコン層４０における複数のパターン開口部の形成領域に対して、それぞれ複数個ずつ形成してもよいが、それぞれの中央付近に１個ずつ形成してもよい。 Next, as shown in FIG. 3 (f), through holes 46 are formed in the formation regions of the pattern openings in the single crystal silicon layer 40. The through hole 46 is desirably formed by laser processing using a YAG laser, a CO ₂ laser, or the like. According to this laser processing, a through hole can be easily formed at a predetermined position. Instead of laser processing, dry etching using CHF ₃ gas as an etching gas, machining by a drill, or the like may be used. A plurality of through holes 46 may be formed in each of the regions where the plurality of pattern openings are formed in the single crystal silicon layer 40, but one through hole 46 may be formed in the vicinity of the center of each.

次に、図３（ｇ）に示すように、単結晶シリコン基板２０側から単結晶シリコン層４０をエッチングする。このエッチングは、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行う。酸化シリコン層３０の除去によって露出した単結晶シリコン層４０の表面には、貫通孔４６の開口部が形成されているので、この開口部を基点として単結晶シリコン層４０のエッチングが進行する。このエッチングは、第２エッチングマスク４４の開口端部まで進行した時点で停止する。これにより、単結晶シリコン層４０にパターン開口部４２が形成される。このパターン開口部４２の側壁４２ａは、面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。 Next, as shown in FIG. 3G, the single crystal silicon layer 40 is etched from the single crystal silicon substrate 20 side. This etching is performed by wet etching using a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution as an etchant. Since the opening portion of the through hole 46 is formed on the surface of the single crystal silicon layer 40 exposed by the removal of the silicon oxide layer 30, the etching of the single crystal silicon layer 40 proceeds from this opening portion as a base point. This etching is stopped when it reaches the opening end of the second etching mask 44. As a result, a pattern opening 42 is formed in the single crystal silicon layer 40. The side wall 42a of the pattern opening 42 is an inclined surface having a plane orientation (1, 1, 1).

最後に、図３（ｈ）に示すように、ＳＯＩ基板の表面全体に形成された酸化シリコン膜１６を除去する。酸化シリコン膜１６の除去は、緩衝フッ酸の水溶液をエッチング液とするウエットエッチング等によって行うことが可能である。
以上により、第１実施形態に係るマスク１０が完成する。 Finally, as shown in FIG. 3H, the silicon oxide film 16 formed on the entire surface of the SOI substrate is removed. The removal of the silicon oxide film 16 can be performed by wet etching or the like using an aqueous solution of buffered hydrofluoric acid as an etchant.
Thus, the mask 10 according to the first embodiment is completed.

以上に詳述したように、第１実施形態に係るマスクの製造方法は、ＳＯＩ基板をエッチングすることにより、単結晶シリコン基板のパターン描画部を開口させるとともに、単結晶シリコン層にパターン開口部を形成する構成とした。ＳＯＩ基板の絶縁層は、単結晶シリコンのエッチング停止層として機能する。したがって、エッチングの時間管理を行わなくても、単結晶シリコン基板のエッチングを所定位置で停止させることができる。その結果、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することが可能になる。これにより、このマスクを蒸着マスクとして使用する場合に、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を再現性よくパターン開口部に入射させることが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 As described in detail above, the mask manufacturing method according to the first embodiment opens the pattern drawing portion of the single crystal silicon substrate by etching the SOI substrate, and forms the pattern opening in the single crystal silicon layer. It was set as the structure to form. The insulating layer of the SOI substrate functions as an etching stop layer of single crystal silicon. Therefore, the etching of the single crystal silicon substrate can be stopped at a predetermined position without managing the etching time. As a result, it is possible to form a mask with a predetermined thickness in the pattern drawing section. Thereby, when using this mask as a vapor deposition mask, the vapor deposition material which flies from the diagonal direction of a mask can be entered into a pattern opening part with sufficient reproducibility. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

また、第１実施形態のマスクは、面方位（１，０，０）のＳＯＩ基板から形成した。この場合、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の傾斜面で構成される。これにより、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を確実にパターン開口部に入射させて、パターンを描画することが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 In addition, the mask of the first embodiment was formed from an SOI substrate having a plane orientation (1, 0, 0). In this case, the side wall of the pattern opening is formed by an inclined surface having a plane orientation (1, 1, 1). As a result, it becomes possible to draw a pattern by reliably allowing the vapor deposition material flying from the oblique direction of the mask to enter the pattern opening. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るマスクおよびその製造方法につき、図４および図５を用いて説明する。図４は第２実施形態に係るマスクの説明図であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ′線における側面断面図である。第１実施形態に係るマスクが面方位（１，０，０）のＳＯＩ基板から形成されているのに対して、図４（ｂ）に示す第２実施形態に係るマスク１１０は、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２から形成されている点で異なっている。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。 [Second Embodiment]
Next, a mask and a manufacturing method thereof according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is an explanatory view of a mask according to the second embodiment, FIG. 4 (a) is a plan view, and FIG. 4 (b) is a side sectional view taken along the line CC 'in FIG. 4 (a). . The mask according to the first embodiment is formed from an SOI substrate having a plane orientation (1, 0, 0), whereas the mask 110 according to the second embodiment shown in FIG. The difference is that it is formed from a (1, 1, 0) SOI substrate 112. Note that detailed description of portions having the same configuration as in the first embodiment is omitted.

［マスク］
図４（ｂ）に示すように、第２実施形態に係るマスク１１０は、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２から形成されている。一例を挙げれば、単結晶シリコン基板１２０は厚さ４００μｍに形成され、酸化シリコン層１３０は厚さ０．１μｍに形成され、単結晶シリコン層１４０は厚さ５０μｍに形成されている。 [mask]
As shown in FIG. 4B, the mask 110 according to the second embodiment is formed from an SOI substrate 112 having a plane orientation (1, 1, 0). For example, the single crystal silicon substrate 120 is formed to a thickness of 400 μm, the silicon oxide layer 130 is formed to a thickness of 0.1 μm, and the single crystal silicon layer 140 is formed to a thickness of 50 μm.

図４（ａ）に示すように、単結晶シリコン層のパターン描画部１１４には、複数のパターン開口部１４２が形成されている。各パターン開口部１４２は、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリット形状とされ、短手方向に並列配置されている。また図４（ｂ）に示すように、各パターン開口部１４２の側壁１４２ａは、面方位（１，１，１）の垂直面で構成されている。 As shown in FIG. 4A, a plurality of pattern openings 142 are formed in the pattern drawing portion 114 of the single crystal silicon layer. Each pattern opening 142 has a slit shape obtained by extending a striped dot region in the electro-optical device in the longitudinal direction, and is arranged in parallel in the lateral direction. As shown in FIG. 4B, the side wall 142a of each pattern opening 142 is constituted by a vertical plane having a plane orientation (1, 1, 1).

［マスクの製造方法］
次に、第２実施形態に係るマスクの製造方法につき、図５を用いて説明する。図５は、第２実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。 [Mask Manufacturing Method]
Next, a mask manufacturing method according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a process diagram of a mask manufacturing method according to the second embodiment. Note that detailed description of portions having the same configuration as in the first embodiment is omitted.

まず、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板１１２を作成する。次に、図５（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１１２の表面に酸化シリコン膜１１６を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜１１６をパターニングして、第１エッチングマスク１２４および第２エッチングマスク１４４を形成する。 First, an SOI substrate 112 having a plane orientation (1, 1, 0) is formed. Next, as shown in FIG. 5A, a silicon oxide film 116 is formed on the surface of the SOI substrate 112. Next, as shown in FIG. 5B, the silicon oxide film 116 is patterned to form a first etching mask 124 and a second etching mask 144.

次に、図５（ｃ）に示すように、第１エッチングマスク１２４を介して単結晶シリコン基板１２０をエッチングし、第２エッチングマスク１４４を介して単結晶シリコン層１４０をエッチングする。これらのエッチングは、第１実施形態と同様に、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液をエッチング液とするウエットエッチングで行う。
このエッチング液中にＳＯＩ基板１１２を浸漬すると、エッチングレートが小さい面方位（１，１，１）の垂直面に沿って異方性エッチングが進行する。その結果、単結晶シリコン層１４０のエッチングおよび単結晶シリコン基板１２０のエッチングは、ともに酸化シリコン層１３０まで進行して停止する。 Next, as shown in FIG. 5C, the single crystal silicon substrate 120 is etched through the first etching mask 124, and the single crystal silicon layer 140 is etched through the second etching mask 144. Similar to the first embodiment, these etchings are performed by wet etching using a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution as an etching solution.
When the SOI substrate 112 is immersed in this etchant, anisotropic etching proceeds along a vertical plane having a plane orientation (1, 1, 1) with a low etching rate. As a result, both the etching of the single crystal silicon layer 140 and the etching of the single crystal silicon substrate 120 proceed to the silicon oxide layer 130 and stop.

次に、図５（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板１２０のエッチングにより露出した酸化シリコン層１３０を除去する。なお、パターン開口部１４２に配置された酸化シリコン層１３０のみを除去してもよい。さらに、ＳＯＩ基板１１２の表面全体に形成された酸化シリコン膜１１６を除去する。これにより、第２実施形態に係るマスク１１０が完成する。 Next, as shown in FIG. 5D, the silicon oxide layer 130 exposed by etching the single crystal silicon substrate 120 is removed. Note that only the silicon oxide layer 130 disposed in the pattern opening 142 may be removed. Further, the silicon oxide film 116 formed on the entire surface of the SOI substrate 112 is removed. Thereby, the mask 110 according to the second embodiment is completed.

以上に詳述した第２実施形態に係るマスクの製造方法では、第１実施形態に係るマスクの製造方法と同様に、ＳＯＩ基板の絶縁層が単結晶シリコンのエッチング停止層として機能する。したがって、パターン描画部においてマスクを所定厚さに形成することができる。これにより、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 In the mask manufacturing method according to the second embodiment described in detail above, as in the mask manufacturing method according to the first embodiment, the insulating layer of the SOI substrate functions as an etching stop layer of single crystal silicon. Therefore, the mask can be formed with a predetermined thickness in the pattern drawing portion. Thereby, the mask which can draw a pattern with dimensional accuracy can be provided.

また、第２実施形態のマスクは、面方位（１，１，０）のＳＯＩ基板から形成した。この場合、パターン開口部の側壁が面方位（１，１，１）の垂直面で構成される。これにより、パターン描画部におけるマスクの断面積が大きくなり、マスクの強度を確保することが可能になる。これに伴って、パターン描画部におけるマスクの厚さを薄くすることができる。なお、第１実施形態では単結晶シリコン層の厚さを１２０μｍに形成したのに対して、第２実施形態では例えば５０μｍに形成することができる。その結果、マスクの斜め方向から飛来する蒸着材料を確実にパターン開口部に入射させて、パターンを描画することが可能になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクを提供することができる。 In addition, the mask of the second embodiment was formed from an SOI substrate having a plane orientation (1, 1, 0). In this case, the side wall of the pattern opening is constituted by a vertical plane having a plane orientation (1, 1, 1). Thereby, the cross-sectional area of the mask in the pattern drawing section is increased, and the strength of the mask can be ensured. Accordingly, the thickness of the mask in the pattern drawing unit can be reduced. In the first embodiment, the thickness of the single crystal silicon layer is 120 μm, whereas in the second embodiment, the thickness can be 50 μm, for example. As a result, it becomes possible to draw a pattern by reliably allowing the vapor deposition material flying from the oblique direction of the mask to enter the pattern opening. Therefore, a mask capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy can be provided.

さらに、第２実施形態のマスクでは、パターン描画部におけるマスクの強度を確保することができるので、パターン開口部の形状を、電気光学装置におけるストライプ状のドット領域を長手方向に延長したスリット形状とすることができる。このようなスリットパターンを形成すれば、電気光学装置のドット領域に対して機能性薄膜のパターンを描画する際に、その長手方向に対するマスクの厳密な位置合わせが不要になる。したがって、寸法精度よくパターンを描画することができる。 Furthermore, in the mask of the second embodiment, the strength of the mask in the pattern drawing portion can be ensured, so that the shape of the pattern opening is a slit shape in which the stripe-shaped dot region in the electro-optical device is extended in the longitudinal direction. can do. If such a slit pattern is formed, when the pattern of the functional thin film is drawn on the dot region of the electro-optical device, it is not necessary to strictly align the mask with respect to the longitudinal direction. Therefore, a pattern can be drawn with high dimensional accuracy.

［電気光学装置］
次に、上記各実施形態に係るマスクを使用して電気光学装置を製造する方法につき、図６ないし図８を用いて説明する。ここでは、電気光学装置として、低分子有機ＥＬ装置を例にして説明する。 [Electro-optical device]
Next, a method for manufacturing an electro-optical device using the mask according to each of the above embodiments will be described with reference to FIGS. Here, a low molecular organic EL device will be described as an example of the electro-optical device.

図６は、低分子有機ＥＬ装置の側面断面図である。有機ＥＬ装置２００は、マトリクス状に配置された複数のドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂを備え、一組のドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂにより一つの画素領域が構成されている。また、ガラス材料等からなる基板２１０の表面には、各ドット領域を駆動する回路部２２０が形成されている。なお図６では、回路部２２０の詳細構成の図示を省略している。その回路部２２０の表面には、ＩＴＯ等からなる複数の画素電極２４０が、各ドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂに対応してマトリクス状に形成されている。また、陽極として機能する画素電極２４０を覆うように、銅フタロシアニン等からなる正孔注入層２５０が形成されている。なお正孔注入層２５０の表面に、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）等からなる正孔輸送層を設ける場合もある。 FIG. 6 is a side sectional view of the low molecular organic EL device. The organic EL device 200 includes a plurality of dot regions R, G, and B arranged in a matrix, and one pixel region is constituted by a set of dot regions R, G, and B. A circuit unit 220 for driving each dot region is formed on the surface of the substrate 210 made of a glass material or the like. In FIG. 6, the detailed configuration of the circuit unit 220 is not shown. On the surface of the circuit unit 220, a plurality of pixel electrodes 240 made of ITO or the like are formed in a matrix corresponding to the dot regions R, G, and B. A hole injection layer 250 made of copper phthalocyanine or the like is formed so as to cover the pixel electrode 240 functioning as an anode. Note that a hole transport layer made of NPB (N, N-di (naphthalyl) -N, N-diphenyl-benzidene) or the like may be provided on the surface of the hole injection layer 250.

そして正孔注入層２５０の表面には、各ドット領域Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する発光層２６０がマトリクス状に形成されている。この発光層２６０は、分子量が約１０００以下の低分子有機材料からなっている。具体的には、Ａｌｑ３（アルミニウム錯体）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして発光層２６０が構成されている。また各発光層２６０を覆うように、フッ化リチウム等からなる電子注入層２７０が形成され、さらに電子注入層２７０の表面には、Ａｌ等からなる陰極２８０が形成されている。なお、基板２１０の端部に封止基板（不図示）が貼り合わされて、全体が密閉封止されている。 On the surface of the hole injection layer 250, light emitting layers 260 corresponding to the dot regions R, G, and B are formed in a matrix. The light emitting layer 260 is made of a low molecular organic material having a molecular weight of about 1000 or less. Specifically, the light emitting layer 260 is configured using Alq3 (aluminum complex) or the like as a host material and rubrene or the like as a dopant. An electron injection layer 270 made of lithium fluoride or the like is formed so as to cover each light emitting layer 260, and a cathode 280 made of Al or the like is formed on the surface of the electron injection layer 270. Note that a sealing substrate (not shown) is bonded to the end of the substrate 210 so that the whole is hermetically sealed.

上述した画素電極２４０と陰極２８０との間に電圧を印加すると、正孔注入層２５０から発光層２６０に正孔が注入され、電子注入層２７０から発光層２６０に電子が注入される。そして、発光層２６０において正孔および電子が再結合し、ドーパントが励起されて発光する。このように低分子有機材料からなる発光層を備えた低分子有機ＥＬ装置は、寿命が長く発光効率に優れている。 When a voltage is applied between the pixel electrode 240 and the cathode 280 described above, holes are injected from the hole injection layer 250 into the light emitting layer 260 and electrons are injected from the electron injection layer 270 into the light emitting layer 260. Then, holes and electrons recombine in the light emitting layer 260, and the dopant is excited to emit light. Thus, the low molecular organic EL device provided with a light emitting layer made of a low molecular organic material has a long life and excellent luminous efficiency.

［蒸着装置］
上述した低分子有機ＥＬ装置の発光層は、蒸着装置を用いて蒸着処理することにより形成する。そこで、蒸着装置につき図７を用いて説明する。
図７は、蒸着装置の説明図である。以下には、抵抗加熱式真空蒸着装置を例にして説明する。この蒸着装置３００は、真空ポンプ３０２が接続されたチャンバ３０４を備えている。そのチャンバ３０４の内部には、基板ホルダ３１０が設けられている。この基板ホルダ３１０には、蒸着処理の対象となる基板２１０が下向きに保持されるようになっている。一方、基板ホルダ３１０と対向するように、蒸着材料３２４が充填されるルツボ３２０が設けられている。そのルツボ３２０にはフィラメント３２２が配線され、ルツボ内の蒸着材料３２４を加熱しうるようになっている。なお、蒸発した蒸着材料がチャンバ３０４の内壁等に付着するのを防止するため、防着板３３０が設けられている。 [Vapor deposition equipment]
The light emitting layer of the low molecular organic EL device described above is formed by vapor deposition using a vapor deposition device. The vapor deposition apparatus will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a vapor deposition apparatus. Hereinafter, a resistance heating vacuum deposition apparatus will be described as an example. The vapor deposition apparatus 300 includes a chamber 304 to which a vacuum pump 302 is connected. A substrate holder 310 is provided inside the chamber 304. The substrate holder 310 is configured to hold a substrate 210 to be subjected to vapor deposition processing downward. On the other hand, a crucible 320 filled with a vapor deposition material 324 is provided so as to face the substrate holder 310. A filament 322 is wired to the crucible 320 so that the vapor deposition material 324 in the crucible can be heated. In order to prevent the evaporated vapor deposition material from adhering to the inner wall or the like of the chamber 304, a deposition preventing plate 330 is provided.

この蒸着装置を用いて蒸着処理を行うには、まず基板ホルダ３１０に基板２１０を装着するとともに、ルツボ３２０に蒸着材料３２４を充填する。次に、チャンバ３０４に接続された真空ポンプ３０２を運転して、チャンバ３０４の内部を真空引きする。次に、ルツボ３２０に配線されたフィラメント３２２に通電し、フィラメント３２２を発熱させて、ルツボ内の蒸着材料３２４を加熱する。すると、蒸着材料３２４が蒸発して、基板２１０の表面に付着する。なお、基板以外の方向に飛散した蒸着材料は、防着板３３０の表面に付着する。 In order to perform vapor deposition using this vapor deposition apparatus, first, the substrate 210 is mounted on the substrate holder 310 and the crucible 320 is filled with the vapor deposition material 324. Next, the vacuum pump 302 connected to the chamber 304 is operated to evacuate the chamber 304. Next, the filament 322 wired to the crucible 320 is energized to generate heat, and the vapor deposition material 324 in the crucible is heated. Then, the vapor deposition material 324 evaporates and adheres to the surface of the substrate 210. Note that the vapor deposition material scattered in the direction other than the substrate adheres to the surface of the deposition preventing plate 330.

［電気光学装置の製造方法］
図８は、発光層の蒸着処理の説明図である。ここでは、ドット領域Ｇに対する発光層２６０の形成工程を例にして説明する。発光層２６０を形成する場合には、基板２１０の表面に蒸着マスク１０を配置した状態で、蒸着装置の基板ホルダに装着する。その際、蒸着マスク１０におけるパターン開口部４２が、基板２１０におけるドット領域Ｇに一致するように配置する。一方、蒸着装置のルツボ内には、蒸着材料として発光層２６０の構成材料を充填する。そして、この蒸着材料２６０ａを蒸発させると、蒸着マスク１０のパターン開口部４２を通して、基板２１０のドット領域Ｇに蒸着材料２６０ａが付着する。なお、ドット領域Ｇ以外の領域には蒸着マスク１０が配置されているので、蒸着材料２６０ａは蒸着マスク１０の表面に付着する。これにより、ドット領域Ｇのみに蒸着材料２６０ａを付着させて、発光層２６０を形成することができる。
さらに、蒸着マスク１０のパターン開口部４２をドット領域Ｂに移動させて、上記と同様に蒸着処理を行えば、ドット領域Ｂにも発光層を形成することができる。 [Method of manufacturing electro-optical device]
FIG. 8 is an explanatory diagram of the vapor deposition process of the light emitting layer. Here, a description will be given of a process of forming the light emitting layer 260 for the dot region G as an example. When the light emitting layer 260 is formed, the light emitting layer 260 is mounted on the substrate holder of the vapor deposition apparatus with the vapor deposition mask 10 disposed on the surface of the substrate 210. At that time, the pattern opening 42 in the vapor deposition mask 10 is arranged so as to coincide with the dot region G in the substrate 210. On the other hand, the crucible of the vapor deposition apparatus is filled with the constituent material of the light emitting layer 260 as the vapor deposition material. When the vapor deposition material 260 a is evaporated, the vapor deposition material 260 a adheres to the dot region G of the substrate 210 through the pattern opening 42 of the vapor deposition mask 10. Since the vapor deposition mask 10 is disposed in a region other than the dot region G, the vapor deposition material 260 a adheres to the surface of the vapor deposition mask 10. Thereby, the light emitting layer 260 can be formed by attaching the vapor deposition material 260a only to the dot region G.
Furthermore, if the pattern opening 42 of the vapor deposition mask 10 is moved to the dot region B and vapor deposition is performed in the same manner as described above, a light emitting layer can also be formed in the dot region B.

ところで、上記各実施形態に係るマスクは、パターン描画部における厚さが寸法精度よく形成されている。そのため、マスクに対して斜め方向から飛来する蒸着材料を、再現性よくパターン開口部に入射させ、基板２１０のドット領域Ｇに蒸着させることができる。これにより、低分子有機ＥＬ装置の発光層パターンを精度よく描画することが可能になる。したがって、表示品質に優れた低分子有機ＥＬ装置を提供することができる。 By the way, the mask according to each of the embodiments described above has a thickness in the pattern drawing portion formed with high dimensional accuracy. Therefore, the vapor deposition material flying from an oblique direction with respect to the mask can be incident on the pattern opening with good reproducibility and can be deposited on the dot region G of the substrate 210. This makes it possible to accurately draw the light emitting layer pattern of the low molecular organic EL device. Therefore, it is possible to provide a low molecular organic EL device having excellent display quality.

［電子機器］
次に、上記電気光学装置を備えた電子機器につき、図９を用いて説明する。
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
なお、上記電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても良好な表示品質を発揮することが可能である。 [Electronics]
Next, an electronic apparatus including the electro-optical device will be described with reference to FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the present invention. A cellular phone 1300 shown in this figure includes the electro-optical device of the present invention as a small-sized display portion 1301, and includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304.
The electro-optical device is not limited to the cellular phone, but is an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator. In addition, it can be suitably used as an image display means for a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, etc., and any electronic device can exhibit good display quality.

なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記各実施形態のマスクは蒸着用途のマスクとして使用可能であるだけでなく、スパッタ用途等のマスクとしても使用可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes various modifications made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials and configurations described in the embodiments are merely examples, and can be changed as appropriate. For example, the masks of the above embodiments can be used not only as a mask for vapor deposition but also as a mask for sputtering.

第１実施形態に係るマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the mask which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the mask which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the mask which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係るマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the mask which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係るマスクの製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the mask which concerns on 2nd Embodiment. 低分子有機ＥＬ装置の側面断面図である。It is side surface sectional drawing of a low molecular organic EL apparatus. 蒸着装置の説明図である。It is explanatory drawing of a vapor deposition apparatus. 発光層の蒸着処理の説明図である。It is explanatory drawing of the vapor deposition process of a light emitting layer. 携帯電話の斜視図である。It is a perspective view of a mobile phone.

Explanation of symbols

１２ＳＯＩ基板２０単結晶シリコン基板３０酸化シリコン層４０単結晶シリコン層４２パターン開口部 12 SOI substrate 20 single crystal silicon substrate 30 silicon oxide layer 40 single crystal silicon layer 42 pattern opening

Claims

A method for producing a mask for pattern drawing, wherein the thickness in the pattern drawing part is thinner than other parts,
Forming an etching stop layer of the first mask material on the surface of the first mask material substrate, and forming a second mask material layer having a thickness equivalent to the pattern drawing portion on the surface of the etching stop layer; ,
Etching the first mask material substrate to open the pattern drawing portion and etching the second mask material layer to form a pattern opening;
Removing at least the etch stop layer disposed in the pattern opening;
A method for manufacturing a mask, comprising:

The first mask material is single crystal silicon,
The method for manufacturing a mask according to claim 1, wherein the etching stop layer is made of silicon oxide.

The second mask material layer is a single crystal silicon layer having a plane orientation (1, 0, 0),
After the step of removing the etching stop layer, a step of forming a through hole in the formation region of the pattern opening in the second mask material layer, and the etching of the second mask material layer from the first mask material substrate side The method of manufacturing a mask according to claim 1, further comprising:

The method of manufacturing a mask according to claim 3, wherein the through hole is formed by irradiating a laser.

3. The method of manufacturing a mask according to claim 1, wherein the second mask material layer is a single crystal silicon layer having a plane orientation (1, 1, 0).

6. The method for manufacturing a mask according to claim 5, wherein the pattern is a slit pattern obtained by extending a striped dot region in an electro-optical device in the longitudinal direction.

3. The etching of the first mask material substrate and / or the second mask material layer is performed by wet etching using a tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution of 10 wt% or more and less than 30 wt%. The manufacturing method of the mask in any one of Claim 6.

A mask manufactured using the mask manufacturing method according to claim 1.

An electro-optical device formed using the mask according to claim 8.

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 9.