JP2005286361A - 電子カメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被写体像を光電変換して画像信号を生成する有効画素領域と、前記有効画素領域の周囲に形成され、暗電流レベルの基準信号を生成するオプティカルブラック領域とを備えた撮像センサと、被写界の輝度情報を取得する分割測光手段と、前記分割測光手段の出力に基づいて、前記有効画素領域での高輝度被写体の位置を判定する位置判定手段と、前記高輝度被写体が前記オプティカルブラック領域近辺に位置する場合に、前記撮像センサの感度情報および前記高輝度被写体の輝度情報に基づいて前記基準信号の制限の有無を判定する制限判定手段と、前記制限判定手段の判定結果に基づいて、前記感度情報に対応する閾値で前記基準信号の上限値を制限し、該制限後の前記基準信号に基づいて前記画像信号の暗電流補正を行う暗電流補正部と、を有することを特徴とする電子カメラ。
【選択図】 図1
Description
(第1実施形態の構成)
図1は、本発明の第1実施形態の電子カメラ100の構成を示す概要図である(請求項1の電子カメラに対応する)。第1実施形態の電子カメラ100は、撮像センサ1と、被写体像を撮像センサ1に結像させる撮影光学系2と、CDS回路3と、ゲイン回路4と、クランプ回路5と、A/D変換回路6と、暗電流補正回路7と、画像処理回路8と、AEセンサ9と、撮像センサ駆動回路(TG)10と、CPU11とを有している。
AEセンサ9はCCDなどの受光素子で構成され、被写界を複数のエリアに分割して測光する。そして、AEセンサ9は各エリア毎の輝度情報をCPU11に出力する。このAEセンサ9の各エリアは有効画素領域12の一部にそれぞれ対応する。
CPU11は電子カメラ100の各部の動作を制御し、合焦制御、露光制御に必要な各種演算処理を実行する。例えば、CPU11は、撮像センサ駆動回路10に対して、撮像センサ1の感度設定の指示や撮像センサ1の電荷蓄積時間の指示などを行う。また、CPU11はシャッタ秒時の設定に基づいて、図示しないシャッタ機構の開閉制御を行う。
(1)CPU11は、AEセンサ9の出力に基づいて被写体の輝度情報(被写体のEV値)を演算して取得する。そして、CPU11は、「被写界における高輝度被写体の有無」と、「高輝度被写体が有効画素領域のどのエリアに位置するか」とを判定する(「位置判定手段」の機能)。
(第1実施形態の動作)
以下、第1実施形態の電子カメラ100の動作を、図5の流れ図にしたがって説明する。
ステップS103:CPU11は、高輝度被写体がオプティカルブラック領域13の近辺(画面上部)に位置するか否かを判定する。高輝度被写体が画面上部に位置する場合(YES側)には、CPU11はステップS104に移行する。一方、高輝度被写体が存在しない場合(NO側)には、CPU11は通常の撮影モード(S112)に移行する。
ステップS108:シャッタレリーズにより、CPU11は撮像センサ駆動回路10を介して撮像センサ1を制御し、被写体像の光電変換を実行する。撮像センサ1からは、オプティカルブラック領域13の基準信号と、有効画素領域12の画像信号とが順次走査で読み出される。基準信号および画像信号は、CDS回路3、ゲイン回路4、クランプ回路5およびA/D変換回路6を通過して暗電流補正回路7に入力される。
ステップS111:画像処理部8は、暗電流補正後の画像信号に画像処理を施して撮影画像データを生成する。画像処理部8から出力された撮影画像データは、圧縮符号化された後、図示しない記録媒体に記憶される。その後、CPU11は次回撮影の待機状態に移行する。
第1実施形態の電子カメラでは、高輝度被写体がオプティカルブラック領域近辺に位置する場合に暗電流レベルの基準信号の上限値を制限するので、高輝度被写体の影響による暗電流レベルの引きすぎを防止できる。また、基準信号の上限値は、撮像センサの感度情報に対応して変化するので、撮像センサの感度に応じた精度の高い暗電流補正を実現できる。
第2実施形態の電子カメラ(請求項2の電子カメラに対応する)の構成は図1に示す第1実施形態と共通であって、CPU11が制限判定LUTを有していない点でのみ第1実施形態と相違する。すなわち、第2実施形態では、基準信号の制限の有無を判定することなく、CPU11は撮像センサ1の感度情報に基づいて基準信号の上限値を求める。そして、暗電流補正回路7が基準信号の上限値と出力値とを比較して制限する。
(請求項と実施形態との対応関係)
ここで、請求項と実施形態との対応関係を示しておく。なお、以下に示す対応関係はあくまで参考のために示した解釈であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
以上、本発明を上記の実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、オプティカルブラック領域が有効画素領域の上部に形成されているが、オプティカルブラック領域を有効画素領域の下部または側部に形成するようにしてもよい。また、上記実施形態では、XYアドレス方式(CMOSやLBCASTなど)の撮像センサを用いたが、撮像センサをCCDで構成してもよい。さらに、電子カメラのシャッタは、撮像センサの電荷蓄積時間の制御による電子シャッタであってもよい。さらにまた、電子カメラにAEセンサを設けることなく、撮像センサで分割測光を行なう構成としてもよい。
2 撮影光学系
3 CDS回路
4 ゲイン回路
5 クランプ回路
6 A/D変換回路
7 暗電流補正回路
8 画像処理回路
9 AEセンサ
10 撮像センサ駆動回路(TG)
11 CPU
12 有効画素領域
13 オプティカルブラック領域
14 水平読み出し線
100 電子カメラ
Claims (2)
- 被写体像を光電変換して画像信号を生成する有効画素領域と、前記有効画素領域の周囲に形成され、暗電流レベルの基準信号を生成するオプティカルブラック領域とを備えた撮像センサと、
被写界の輝度情報を取得する分割測光手段と、
前記分割測光手段の出力に基づいて、前記有効画素領域での高輝度被写体の位置を判定する位置判定手段と、
前記高輝度被写体が前記オプティカルブラック領域近辺に位置する場合に、前記撮像センサの感度情報および前記高輝度被写体の輝度情報に基づいて前記基準信号の制限の有無を判定する制限判定手段と、
前記制限判定手段の判定結果に基づいて、前記感度情報に対応する閾値で前記基準信号の上限値を制限し、該制限後の前記基準信号に基づいて前記画像信号の暗電流補正を行う暗電流補正部と、を有することを特徴とする電子カメラ。 - 被写体像を光電変換して画像信号を生成する有効画素領域と、前記有効画素領域の周囲に形成され、暗電流レベルの基準信号を生成するオプティカルブラック領域とを備えた撮像センサと、
被写界の輝度情報を取得する分割測光手段と、
前記分割測光手段の出力に基づいて、前記有効画素領域での高輝度被写体の位置を判定する位置判定手段と、
前記高輝度被写体が前記オプティカルブラック領域近辺に位置する場合に、前記撮像センサの感度情報に対応する閾値で前記基準信号の上限値を制限し、該制限後の前記基準信号に基づいて前記画像信号の暗電流補正を行う暗電流補正部と、を有することを特徴とする電子カメラ。
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