JP2005286206A - 半導体製造装置およびその監視・解析支援方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
半導体処理装置の状態を簡易且つ速やかに監視し、解析することのできる半導体製造装置およびその監視・解析支援方法を提供する。
【解決手段】
半導体処理装置１を構成する処理チャンバ２内に生成したプラズマ発光を分光した複数の分光スペクトルおよび装置状態を表す複数の装置状態信号の少なくとも何れか一方を複数の状態信号として検出する検出手段７，８と、半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段９と、前記検出手段７，８が検出した複数の状態信号の組み合わせをそれぞれ特定の図形に変換する変換手段１４，１７，１８と、変換手段１４，１７，１８により生成した図形を、処理ステップに応じた所定の表示位置に表示する表示位置制御手段２０を備えた。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体製造装置およびその監視・解析支援方法に係り、特に、半導体製造装置の状態を簡易に監視し、解析することのできる半導体製造装置およびその監視・解析支援方法に関する

半導体の製造に際しては、製造装置の実稼働率（OEE：0verall Equipment Effectiveness）の向上を図ることは、生産効率向上の上からも重要な要素である。

実稼働率低下の主な原因としては、半導体処理装置のプロセス安定性を確保するために行うＱＣ（品質管理）作業時間あるいは慣らし運転時間等を挙げることができる。また、製造装置の経時変化等を起因とするプロセス上のトラブル、あるいは突発的な異常等よる運転停止期間も決して少なくない。

実稼働率向上のためには、これらを未然に防ぐことはもちろん、トラブルや異常が生じた際にいかに速やかに正常な装置状態に復帰させるかが重要となる。このためには、迅速的確な装置状態の診断が必要となる。

半導体処理装置の装置状態を簡易にモニタする装置としては、例えば、半導体製造ラインにおいて、装置の上部に信号灯を設置し、この信号灯により装置の稼動状態あるいは異常をオペレータに報知するシステムが知られている。

一方、一般的な半導体製造工場では、半導体処理装置の装置状態の詳細な診断支援を行う監視・解析システムが広く利用されている。このような監視・解析システムでは、コンピュータ画面に、例えば半導体処理装置に取り付けた複数のモニタの測定値を時系列でグラフ表示してユーザに対する監視・解析作業を支援している。

図８は、このような従来の監視・解析システムにおけるグラフ表示の例を説明する図である。この例では、装置状態を表すプロセス変数として、反射電力（プラズマ生成用の高周波電力の反射波電力）、バイアス電圧、プラズマの発光強度（全波長の平均値）をグラフ化して表示している。図において、破線８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄ、８２ｅはウエハ１枚分の処理の区切りを示している。したがって、図８にはウエハ５枚分の装置状態データが表示されていることになる。

また、破線８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｄはウエハ１枚の処理中におけるプロセスステップの区切りを示している。即ち、Ｙ軸と破線８４ａ間はプロセスステップＮｏ．１を、破線８４ａと破線８４ｂ間はプロセスステップ間の待ち状態を、破線８４ｂと破線８４ｃ間はプロセスステップＮｏ．２を、破線８４ｃと破線８４ｄ間はプロセスステップＮｏ．３を、破線８４ｄと破線８２ａはプロセスステップＮｏ．４を示している。

このように半導体製造プロセスでは、ウエハ１枚の処理を複数のプロセスステップからなる１つの工程で行う場合がある。したがって、装置状態監視・解析システムにおける監視および解析は、各プロセスステップ毎に行わなければならないことになる。このため、上記のような各プロセスステップ毎の表示が必要となる。

しかしながら、前記信号灯を用いてオペレータに報知するシステムでは、信号灯を用いて表現できる装置状態は数種類に限定される。このため、装置あるいはプロセスの経時変化や突発的な異常発生等には対応することが困難である。

また、前記一般的な半導体製造工場で利用する監視・解析システムでは、その対象とするデータの種類およびデータ量が膨大である。このため、監視・解析作業に膨大な時間あるいは労力を要し、作業効率が低下する。

なお、監視あるいは解析すべき信号としては、多種多様なプロセス変数、例えば、ガス流量、圧力、その他様々な電気的信号等が存在する。しかしながら、これらのプロセス変数の全てをコンピュータの表示装置に表示することは不可能である。このため、システムの利用者が経験や過去の解析結果をもとに代表的なプロセス変数を複数選択して、選択した変数のみを表示するのが一般的である。

また、プロセス変数を複数選択して、例えば個々にグラフ表示する場合、個々のプロセス変数の変動やその傾向を把握し難い。このため、装置状態およぴプロセス状態の診断には時間あるいは労力を要する。なお、このような場合、統計解析、特に近年では多変量解析技術を用いて、多量のデータをまとめて扱う手法をとることが一般的である。しかしながら、この手法では有効な手法の選定や解析結果として出てくる値の意味付けが難しく、これらの技術を使いこなすには、プロセスの詳細で長期的な解析と手法の十分な理解が必要となる。

本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、半導体処理装置の状態を簡易且つ速やかに監視し、解析することのできる半導体製造装置およびその監視・解析支援方法を提供する。

本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。

半導体処理装置を構成する処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光した複数の分光スペクトルおよび装置状態を表す複数の装置状態信号の少なくとも何れか一方を複数の状態信号として検出する検出手段と、半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、前記検出手段が検出した複数の状態信号の組み合わせをそれぞれ特定の図形に変換する変換手段と、変換手段により生成した図形を、処理ステップに応じた所定の表示位置に表示する表示位置制御手段を備えた。

本発明は、以上の構成を備えるため、半導体製造装置の状態を簡易且つ速やかに監視し、解析することのできる半導体製造装置およびその監視・解析支援方法を提供することができる。

以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる半導体製造装置の全体構成をを説明する図である。図１において、半導体製造装置１００は半導体処理装置１および状態監視・解析支援手段１３を備える。半導体処理装置１はチャンバ２内にプラズマ５を生成し、生成したプラズマを利用してチャンバ２内のステージ４上に配置した試料、例えばウエハ３に処理を施す。

チャンバ２から放射するプラズマ５の発光はチャンバ２の観測窓に取り付けた光ファイバ６を介して発光分光器７に伝送する。発光分光器７はプラズマ発光をそれぞれの波長に分光し、各分光の発光強度（分光スペクトル）はインターフエース１０を介して、例えば発光分光器のサンプリング周期毎に装置状態監視・解析支援手段１３に転送する。なお、半導体処理装置の中にはプラズマを利用しないで処理を施す装置も存在する。このような装置の場合は、後述する装置状態センサ出力のみを利用しても良い。

装置状態センサ８は、半導体処理装置１の電気的信号あるいはガス流量、ガス圧力などの各種信号の検出値、すなわちプロセス変数をインターフェース１１を介して状態監視・解析支援手段１３に、例えば予め設定したサンプリング周期で転送する。

装置イベント情報出力手段９は、処理の開始、終了などの装置イベント発生時に、処理中のロット名、ウエハＮｏ、プロセスステップＮｏ、処理時間などの半導体処理装置１が取り扱っている生産管理情報を、インターフェース１２を介して装置状態監視・解析装置１３に転送する。

状態ベクトル生成手段１４は、インタフェース１０及び１１を介して受信した発光分光器出力および装置状態センサ出力（状態信号）をもとに状態ベクトル１４Ａを生成する。また、タイムスタンプ付加手段１５は、クロック１６の計時信号をもとに、インタフェース１２を介して受信した装置イベント情報出力手段の出力（生産管理情報）にタイムスタンプを付加する。この際、前記状態ベクトル１４Ａにも同一のタイムスタンプを付加する。すなわち、同期して管理する。

なお、状態ベクトル生成手段１４による、発光分光器７の出力あるいは装置状態センサ出力を状態ベクトル１４Ａに変換するタイミングは任意に選択できるが、次の何れかが望ましい。

（１）半導体処理装置１で処理するウエハ毎のモニタ値をそれぞれのウエハの処理時間毎に時間平均して、その平均値を（例えばウエハの処理終了時に）状態ベクトル１４Ａとして出力する。

（２）ウエハ１枚を処理する際のプロセスステップ毎にそれぞれのモニタ値を時間平均して、その平均値を（例えばウエハの各プロセスステップ処理終了時に）状態ベクトル１４Ａとして出力する。

（３）逐次変換出力する。即ち、インターフェース１０あるいはインターフェース１１を介して受信したデータのサンプリング間隔にしたがって変換して、状態ベクトル１４Ａとして出力する。

色変換手段１７は、前記状態ベクトル１４Ａを色信号に変換する。なお、状態ベクトル生成手段１４は、発光分光器７の出力あるいは装置状態センサ８出力の何れか一方のみを変換して状態ベクトル１４Ａとして色変換手段１７に伝送しても良い。

発光分光器７の出力および装置状態センサ８出力を状態ベクトル１４Ａに変換する場合は、発光分光器７の出力および装置状態センサ８の出力の全てが色変換手段１７を介して色信号に変換されることになる。また、装置状態センサ８の出力のみを状態ベクトル１４Ａに変換する場合は、装置状態センサ８出力が色変換手段１７を介して色信号に変換されることになる。

すなわち、状態ベクトル生成手段１４，色変換手段１７および色生成手段１８は、前記発光分光器７の出力である複数の分光スペクトルを状態ベクトル１４Ａを構成する複数の要素の組み合わせに変換し、変換した複数の要素の組み合わせを色信号に変換する。また、装置状態センサ８が検出した複数の装置状態信号の組み合わせを、状態ベクトル１４Ａの複数の要素の組み合わせに変換し、この組み合わせを更に色信号に変換する。

色変換手段１７は、コンピュータよる表示に際して一般的に利用される信号であるＲ，Ｇ，Ｂ信号に変換するのが望ましい。ここで色変換手段１７の具体的例を説明する。

（１）状態ベクトル１４Ａを構成する各変数のうち、処理装置の状態を表現するに最適な変数を例えば３個取り出し、この変数をＲ，Ｇ，Ｂ信号の信号強度に割り当てる。なお、３個の変数は、それぞれ物理量（単位）が相違し、あるいは物理量が同じであっても、その値の意味が異なるため、これらの変数には正規化等の処理を施すことが望ましい。

（２）状態ベクトル１４Ａを構成する各変数を３個のグループに分け、各グループ内で平均値を算出し、この平均値をそれぞれＲ、Ｇ、Ｂ信号に割り当てる。この場合も、各変数には正規化等の処理を施すことが望ましい。

（３）色を表現する手段として用いられる表色系を用いて、仮想的に色を生成する。例えば、ＪＩＳ−Ｚ−８７０１で規定されているＸＹＺ表色系の色を数値で表現する方法を利用し、状態ベクトル１４Ａを分光分布と仮定して色を再現し、Ｒ，Ｇ，Ｂ信号を求めても良い。ＸＹＺ表色系とは、

で示すことができる。この式において、相対分光分布Ｓ（λ）を状態ベクトルＥｉ（ｉ＝１，２，３・・・Ｎ；Ｎは状態ベクトルの要素数）に置き換えることにより、装置状態を色情報に変換可能である。すなわち、上記（１）式を以下の（２）式に置き換える。なお、状態ベクトルＥｉは前記状態ベクトル１４Ａに相当している。

また、ＸＹＺ表色系からＲＧＢ信号への変換式は、

で表すことができる。

色生成手段１８は、色変換手段１７により得られたＲ，Ｇ，Ｂ信号を用いて色信号１９を生成する。

表示位置制御手段２０は、後述するように、色生成手段１８により生成された色信号を、装置イベント情報出力手段９により指定される表示装置２２上の表示位置に表示する。また、表示位置制御手段２０は、状態ベクトル生成手段１４から、例えば、状態ベクトルの要素である装置状態センサ出力を受信し、受信したセンサ出力値（例えばガス流量値）を、装置イベント情報出力手段９により指定される表示装置２２上の表示位置にグラフとして表示することもできる。

なお、図１に示す半導体製造装置は、状態監視・解析支援手段１３を用いて装置の状態をリアルタイムで監視する監視システムとして利用できる。また、取得した装置の状態を表す情報を時系列に蓄積し、装置の状態やプロセス状態の履歴を解析する解析システムとしても利用可能である。

次に、状態監視・解析支援手段の処理について図２ないし図７を参照して説明する。

図２は、状態監視・解析支援手段により表示装置２２に表示する画面表示例を説明する図である。図２において、上段のグラフ４０は半導体処理装置１により５枚のウエハを連続して処理した際に得られる状態ベクトル１４Ａの要素である反射電力、バイアス電圧、発光強度を時系列にグラフ化したものである。

ウエハ１枚当たりの処理期間は、破線４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅで区切られている。また、前記破線で区切られた内部にある破線は、ウエハ１枚の処理に用いる複数のプロセスステップの区切りを表している。例えば、Ｙ軸と破線４２ａの間にある破線４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄは１枚のウエハ処理に用いる５つのプロセスステップを区切ったものである。すなわち、Ｙ軸から線４４ａはプロセスステップＮｏ．１を、線４４ａから線４４ｂはプロセスステップ間の待ち状態を、線４４ｂから線４４ｃはプロセスステップＮｏ．２を、線４４ｃから線４４ｄはプロセスステップＮｏ．３を、線４４ｄから線４２ｅはプロセスステップＮｏ．４を示している。なお、前記ウエハ１枚当たりの処理期間を表す破線位置あるいはプロセスステップの区切りを表す線の位置は、図１に示す装置イベント情報出力手段９により指定することができる。

この例では、前述のように反射電力、バイアス電庄、発光強度（全波長の平均値）をグラフ化している。しかし、各物理量（単位）が異なるため、同じＹ軸で表示させる場合は各データを例えば最大値を１として正規化し表示する。このように表示することにより、各プロセス変数のトレンドを分かりやすく表示することができる。

図２の下段のグラフ５０は、図１に示す状態ベクトル１４Ａを色変換手段１７、色再生手段１８を介して色信号に変換し、変換した色信号を、装置イベント情報出力手段９により指定される表示装置２２上の表示位置に表示したものである。

図において、５２ａは１枚日のウエハ処理のプロセスステップＮｏ．１における装置の状態を示しており、同様に、５２ｂはプロセスステップＮｏ．２、５２ｃはプロセスステップＮｏ，３、５２ｄはプロセスステップＮｏ．４における状態を示している。このように装置の状態を色を用いて表示するので、状態の監視や解析に際して、個々のプロセス変数の値あるいはそのトレンドの詳細を観察しなくとも、装置あるいはその運転の状態を速やかに認識することができる。

図３は、状態監視・解析支援手段により表示装置２２に表示する画面表示の他の例を説明する図である。

図２に示す例では、ウエハ１枚の処理毎に得られるグラフを時間軸方向に順次並べて表示した。これに対し、図３に示す例では、ウエハ５枚の処理の時間軸を重ねて表示する。前述のように、半導体の製造工程においては、１つの工程を複数のプロセスステップを用いて構成することがある。このような場合、１つの工程を構成する複数のプロセスステップはそれぞれ異なる処理条件を用いて処理が実行される。このため、各ウエハ毎の処理の相違を比較するには、同じプロセスステップ間で比較しなければならない。

同じプロセスステップ間での比較を行う場合、図２に示す表示の方法では視覚的な比較が困難である。これに対して、図３に示す表示の方法であれば、プロセスステップ間での比較が容易となり、ウエハ間でのプロセス変動・装置状態変動を捉えやすくなる。例えば、１枚目のウエハのプロセスステップＮｏ．２の状態色６２ａ、２枚目のウエハのプロセスステップＮｏ．２の状態色６２ｂ、３枚目のウエハのプロセスステップＮｏ．２の状態色６２ｃ、４枚目のウエハのプロセスステップＮｏ．２の状態色６２ｄ、５枚目のウエハのプロセスステップＮｏ．２の状態色６２ｅを、各ウエハの処理の時間軸を重ねて表示する。すなわち、各ウエハの処理開始時点を揃えて表示装置上に表示する。

このように、各ウエハの処理の時間軸を重ねて表示すると、各ウエハに対する処理の履歴情報が縦方向に並んで表示されるので視覚的な比較が行いやすくなる。図３の例では、４枚目のウエハの状態色６２ｄが他のウエハにおける状態色６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｅと相違していることが分かる。すなわち、４枚目のウエハ処理は他のウエハのそれとは異なる処理条件で行われたことが分かる。なお、表示画面の上段に前記各ウエハの処理の際に取得した反射電力、バイアス電庄、発光強度等のデータをグラフ化し表示することができる。

なお、表示画面の上段に異なる処理条件で処理した前記４枚目のウエハの処理の際に取得した反射電力、バイアス電庄、発光強度等のデータを他のウエハのデータと対比してグラフ化して表示しておき、ユーザはこのグラフに基づいて、装置の処理を停止するなどしても良い。これにより、不良ウエハが大量に生産されてしまうことを未然に防ぐことができる。また、適切な時期でメンテナンスを実行し、結果として装置稼働率を向上させることができる。

図４は、図２に示すグラフのうち、プロセスステップＮｏ．２のみにおけるグラフ（バイアス電圧を示す）および装置の状態を表す色信号を抽出して表示した例を示す図である。状態色７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、７２ｅが隣り合って並んでいる．したがって、このような表示方法においても、同じプロセスステップ間での装置の状態比較が容易となる。

図５は、図２に示すグラフのうちバイアス電圧のみを抽出して時系列に並べたグラフを示す図である。バイアス電圧のみを抽出して時系列に並べたグラフではバイアス電圧以外の情報を得ることはできない。したがって、この図の例ではグラフの内側を装置の状態を表す色で塗りつぶして表示する。これにより、グラフ表示のみでは表現されない情報を表示することができる。

すなわち、図５において、状態色７４ａはプロセスステップＮｏ．１における装置の状態を、状態色７４ｂはプロセスステップＮｏ．２における装置の状態を、状態色７４ｃはプロセスステップＮｏ．３における装置の状態を、状態色７４ｄはプロセスステップＮｏ．４のにおける装置の状態を表している。

図６は、図５に示すグラフのうちプロセスステップＮｏ．２のみを抽出して表示した例を示す図である。図６に示すグラフでは、５枚分のウエハのプロセスステップＮｏ．２のみの状態色７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、７６ｄ、７６ｅを並べて表示している。この例では、同じプロセスステップ間での装置状態の比較を速やかに行うことができる。なお、この図の例でもグラフの内側を装置の状態を表す色で塗りつぶして表示することができる。

図７は、図２に示すグラフのうちバイアス電圧のみを抽出して時系列に並べたグラフを示す図である。このグラフではバイアス電圧以外の情報を得ることはできない。したがって、この図の例では、プロセスステップ毎にグラフの背景を状態色で塗りつぶす。これにより、バイアス電圧の外に装置の状態を表示することができる。すなわち、図７において、状態色７８ａはプロセスステップＮｏ．１における装置の状態を、状態色７８ｂはプロセスステップＮｏ．２における装置の状態を、装置状態色７８ｃはプロセスステップＮｏ．３における装置の状態を、装置状態色７８ｄはプロセスステップＮｏ．４における装置の状態を表している。

以上の説明では、装置の状態を色で表現する例について説明した。しかし、本発明は装置の状態を色以外の情報で表示することもできる。例えば、色変換手段１７のＲＧＢ出力信号を装置の状態を表す文字記号等の図形（あるいは音声）とを関連付けて、すなわち、状態ベクトル１４Ａを、それぞれ特定の図形（あるいは音声）と関連づけて、装置イベント情報出力手段により指定される表示位置に表示し、あるいは装置イベント情報出力手段により指定されるときに音声により報知することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、稼動中の製造装置の状態を色情報等を用いて表示し、この色信号等を利用して監視し、解析することができる。このため、膨大な数のモニタ値を個別に監視することなく、装置状態を迅速且つ簡易に監視し診断し運転することができる。

なお、本発明の実施形態として半導体製造装置およびその監視・解析支援方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば液晶表示装置の製造装置およびその製造方法についても適用できるものである。

本発明の実施形態にかかる半導体製造装置の全体構成をを説明する図である。 状態監視・解析支援手段により表示装置に表示する画面表示例を説明する図である。 状態監視・解析支援手段により表示装置に表示する画面表示の他の例を説明する図である。 図２に示すグラフのうち、プロセスステップＮｏ．２のみを抽出した例を示す図である。 図２に示すグラフのうちバイアス電圧のみを抽出したグラフを示す図である。 図５に示すグラフのうちプロセスステップＮｏ．２のみを抽出した例を示す図である。 図２に示すグラフのうちバイアス電圧のみを抽出したグラフを示す図である。 図８は、従来の監視・解析システムにおけるグラフ表示の例を説明する図である。

符号の説明

１ 半導体処理装置
２ チャンバ
３ ウエハ
４ ステージ
５ プラズマ
６ 光ファイバ
７ 発光分光器
８ 装置状態センサ
９ 装置イベント情報出力手段
１０，１１，１２，２１ インタフェース
１３ 状態監視・解析支援手段
１４ 状態ベクトル生成手段
１４Ａ 状態ベクトル
１５ タイムスタンプ付加手段
１６ クロック
１７ 色変換手段
１８ 色生成手段
１９ 色信号
２０ 表示位置制御手段
２２ 表示装置

Claims (12)

1. 半導体処理装置を構成する処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光した複数の分光スペクトルおよび装置状態を表す複数の装置状態信号の少なくとも何れか一方を複数の状態信号として検出する検出手段と、
   半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、
   前記検出手段が検出した複数の状態信号の組み合わせをそれぞれ特定の図形に変換する変換手段と、
   変換手段により生成した図形を、処理ステップに応じた所定の表示位置に表示する表示位置制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
2. 半導体処理装置を構成する処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光する発光分光器と、
   半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、
   前記発光分光器の出力を複数の分光スペクトルに変換し、変換した複数の分光スペクトルの組み合わせを色信号に変換する色信号生成手段と、
   色信号生成手段により生成した色信号を、装置イベント情報出力手段により指定される表示装置上の表示位置に表示する表示位置制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
3. 半導体処理装置の装置状態を表す複数の装置状態信号を検出する装置状態センサと、
   半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、
   前記装置状態センサが検出した複数の装置状態信号の組み合わせを色信号に変換する色信号生成手段と、
   色信号生成手段により生成した色信号を、装置イベント情報出力手段により決定される表示装置上の表示位置に表示する表示位置制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
4. 請求項２または３記載の半導体製造装置において、
   前記色信号は、装置イベント情報出力手段が出力する試料毎の処理時点を表す信号に従って、時間軸を揃えて表示装置上に表示することを特徴とする半導体製造装置。
5. 請求項２または３記載の半導体製造装置において、
   前記色信号は、装置イベント情報出力手段が出力する情報に従って、時系列に表示装置上に表示することを特徴とする半導体製造装置。
6. 半導体処理装置を構成する処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光する発光分光器と、
   半導体処理装置の装置状態を表す複数の装置状態信号を検出する装置状態センサと、
   半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、
   前記発光分光器の出力を複数の分光スペクトルに変換し、変換した複数の分光スペクトルの組み合わせを色信号に変換する色信号生成手段と、
   色信号生成手段により生成した色信号および装置状態センサが検出した装置状態信号を装置イベント情報出力手段により決定される表示位置に表示する表示位置制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
7. 請求項６記載の半導体製造装置において、
   前記色信号および装置状態信号は、装置イベント情報出力手段が出力する試料毎の処理時点を表す信号に従って、時間軸を揃えて表示装置上に表示することを特徴とする半導体製造装置。
8. 請求項６記載の半導体製造装置において、
   前記色信号および装置状態信号は、装置イベント情報出力手段が出力する信号に従って、時系列に表示装置上に表示することを特徴とする半導体製造装置。
9. 処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光した複数の分光出力信号および装置状態を表す複数の装置状態信号の少なくとも何れか一方を複数の状態信号として検出し、検出した複数の状態信号の組み合わせをそれぞれ特定の図形に変換する工程と、前記図形を処理ステップに応じた所定の表示位置に表示する工程を備えたことを特徴とする半導体製造装置の監視・解析支援方法。
10. 処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光して複数の分光スペクトルに変換し、変換した複数の分光スペクトルの組み合わせを色信号に変換する工程と、前記色信号を、現在の処理ステップ状態を表す装置イベント情報出力手段により指定される表示位置に表示する工程を備えたことを特徴とする半導体製造装置の監視・解析支援方法。
11. 装置状態センサが検出した複数の装置状態信号の組み合わせを色信号に変換する工程と、前記色信号を、現在の処理ステップ状態を表す装置イベント情報出力手段により指定される表示位置に表示する工程を備えたことを特徴とする半導体製造装置の監視・解析支援方法。
12. 半導体処理装置を構成する処理チャンバ内に生成したプラズマ発光を分光した複数の分光スペクトルおよび装置状態を表す複数の装置状態信号の少なくとも何れか一方を複数の状態信号として検出する検出手段と、
    半導体処理装置の現在の処理ステップ状態を出力する装置イベント情報出力手段と、
    前記検出手段が検出した複数の状態信号の組み合わせをそれぞれ特定の音声情報に変換する変換手段と、
    変換手段により生成した音声情報を、処理ステップに応じた所定の時間に再生することを特徴とする半導体製造装置。
    
    
    
    

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