JP2005277270A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理室内のプラズマは、処理室内の温度、圧力、雰囲気などの状態の変化、そして、処理される半導体ウエハの膜質等のさまざまな要因により変動を起し、その結果、エッチングレート,均一性などのプロセスパラメーターに影響を及ぼし、半導体デバイスの品質安定化を妨げる要因となる。そのため、半導体ウエハ毎にプラズマ状態を一定に保ち続けることは非常に重要である。
【解決手段】気密な処理装置に配置された電極に対し高周波電力を印加することにより、電極上に配置された半導体ウエハに対し、プラズマ処理を行う処理装置に適用されるものである。そして、上記課題を解決するため、Vpp検出器において半導体ウエハ処理中のVppを検出し、そのVppを常に所望の状態に保つために、プラズマ中の静電容量のパラメーターを可変制御する手段とを備えたことを特徴としている。
【選択図】図1
【解決手段】気密な処理装置に配置された電極に対し高周波電力を印加することにより、電極上に配置された半導体ウエハに対し、プラズマ処理を行う処理装置に適用されるものである。そして、上記課題を解決するため、Vpp検出器において半導体ウエハ処理中のVppを検出し、そのVppを常に所望の状態に保つために、プラズマ中の静電容量のパラメーターを可変制御する手段とを備えたことを特徴としている。
【選択図】図1
Description
本発明は、高周波電力を用いるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
従来から半導体基板の加工にはプラズマを用いたドライエッチング処理が多用されている。プラズマによるドライエッチング処理は反応性のガスを高周波、磁場等を用いて励起し、被処理物をエッチングする。従って処理の再現性を確保するためには、処理室内におけるプラズマ状態の維持が非常に重要な要素である。
図7は、従来の平行平板方式ドライエッチング装置の断面図である(例えば、特許文献1参照)。図7において、1はドライエッチを行う処理室、2は処理室1を真空排気するための排気口、3はドライエッチングガスを処理室1に導入するガス導入口、4はガス導入口3から入ったプロセスガスを処理室1内へ噴出するガス吹き出し口(シャワーヘッド方式)構造の陽極電極、5は高周波が印加される陰極電極、6はエッチング対象物である基板で、7はフォーカスリングである。陰極電極5には、整合器9を介して高周波電源8が接続されている。10はVpp検出器で、整合器9の出力側の高周波電力のVppを測定する。
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下に、その動作について説明する。搬送機により基板6を陰極電極5上に搬送設置し、昇降軸11により陰極電極5を上下させ、所定の陽極電極4と陰極電極5間になるように動作する。次に処理室1の内部を所定の真空度に到達するまで、排気口2から真空排気し、ガス導入口3からエッチングに必要な反応性ガスを導入し、シャワーヘッド構造の上部電極5を通して処理室1内へ拡散させる。ガスの流量と圧力が安定してから、陰極電極5に対して、高周波電源9から所定の高周波電力が整合器9を通じて印加され、ガスプラズマを起しプロセスを行う。
特開平11−054489号公報
半導体プロセスの微細化に伴い、プラズマ処理装置においても、高密度プラズマを高精度で制御することが求められている。しかしながら、処理室1内のプラズマは、処理室1内の温度、圧力、雰囲気などの状態の変化、そして、処理される半導体ウエハの膜質等々のさまざまな要因により変動を起し、その結果、エッチングレート,均一性などのプロセスパラメーターに影響を及ぼし、半導体デバイスの品質安定化を妨げる要因となる。そのため、半導体ウエハ毎にプラズマ状態を一定に保ち続けることは非常に重要である。
本発明は、上記に示すような技術的課題を克服するものであり、各半導体ウエハのプロセス条件の変化を逐次効果的にコントロールすることにより、各半導体ウエハに対して常に均一なプラズマ処理を施すことが可能な、プラズマ処理装置を提供することにある。
本発明は、気密な処理装置に配置された電極に対し高周波電力を印加することにより、電極上に配置された半導体ウエハに対し、プラズマ処理を行う処理装置に適用されるものである。そして、上記課題を解決するため、Vpp検出器において、処理中のVppを検出し、そのVppを常に所望の状態に保つために、プラズマ中の静電容量のパラメーターを可変制御する手段とを備えたことを特徴としている。
本発明のプラズマ処理方法は、処理室内に配置された電極に高周波電力を印加することにより、前記電極上に設置された被処理体に対して任意の処理を施すプラズマ処理方法において、少なくとも1工程以上の処理工程で、処理中の前記高周波電力のVppを所望の一定値に保持する工程を備えることを特徴とする。
本発明原理の理解を容易にするため、まずVppについて説明する。本明細書中のVppとは、高周波電力の交流成分のピークからピークまでの一周期分の電圧のことである。一般的にVppは、プラズマ処理室内に励起されたプラズマの状態、たとえばプラズマ密度の変化に伴い変動を起す。そのためこのVppを常時測定することは、プラズマ処理中のプラズマ状態を正確に検出することが可能である。したがって、Vpp検出器で検出されたVppに基づいて、そのVppが所望の状態に維持されるように、プラズマ中の静電容量にフィードバック制御する事で実現が可能となる。
本発明によれば、高周波電源と電極との間に設置された整合器の出力側のVppを測定し、そのVppが一定に維持されるように、プラズマ中の静電容量と各周波数にフィードバック制御を施すため、処理室内に定常なプラズマを励起させることができ、かかるプラズマにより定常なプラズマ処理を被処理体に施すことができる。
この発明の実施形態について、図1から図6を用いて説明する。
図1(a)および(b)は、プラズマ処理中に、Vpp検出器10で検出した定常状態のVppのグラフであり、縦軸にVpp検出器で検出されたVpp電圧を表し、横軸はエッチング処理時間を表している。ここで、Vppとは、高周波電力の交流成分のピークからピークまでの一周期分の電圧のことである。
図1(a)に示すように、処理の進行に伴い、Vpp検出器10により測定されるVppが減少した場合、プロセスではエッチングレートの低下や均一性の悪化等が発生する可能性がある。Vppは、プラズマ中の静電容量をC,角周波数ω,イオン電流をIとすれば、次式(α)に示すように簡略的に示せる。
Vpp=I/(jωC) ・・・(α)
この式(α)より、イオン電流Iを一定とすれば、Vppを図1(b)に示すように所望の状態に維持するには、jωCを変化させることで実現ができる。プラズマ中の静電容量は、空間の静電容量(以下、Cs)と、ブロッキングコンデンサ12の容量(以下、Cb)、半導体ウエハ上の堆積膜の静電容量(以下、Cf)から決まる。このいずれかの静電容量を変化させることで、Vppの制御が可能である。以下に、具体的例を用いて説明する。
この式(α)より、イオン電流Iを一定とすれば、Vppを図1(b)に示すように所望の状態に維持するには、jωCを変化させることで実現ができる。プラズマ中の静電容量は、空間の静電容量(以下、Cs)と、ブロッキングコンデンサ12の容量(以下、Cb)、半導体ウエハ上の堆積膜の静電容量(以下、Cf)から決まる。このいずれかの静電容量を変化させることで、Vppの制御が可能である。以下に、具体的例を用いて説明する。
(実施例1)
図2に示す本発明のプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。図7のブロッキングコンデンサ12を可変ブロッキングコンデンサ13に換装し、かつブロッキングコンデンサ制御器14を設置し、Vpp検出器10の結果を可変ブロッキングコンデンサ13にフィードバック制御できるようにシステム構成する。Vpp検出器10で測定したVppに基づいて、ブロッキングコンデンサ制御器14を通じ、可変コンデンサに換装したブロッキングコンデンサ13の容量を逐次制御することで、プラズマ中の静電容量のCbを変化させ、Vppを所望の状態で維持することが可能となり、Vppの変動が及ぼすプロセスシフトを抑制することができる。
図2に示す本発明のプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。図7のブロッキングコンデンサ12を可変ブロッキングコンデンサ13に換装し、かつブロッキングコンデンサ制御器14を設置し、Vpp検出器10の結果を可変ブロッキングコンデンサ13にフィードバック制御できるようにシステム構成する。Vpp検出器10で測定したVppに基づいて、ブロッキングコンデンサ制御器14を通じ、可変コンデンサに換装したブロッキングコンデンサ13の容量を逐次制御することで、プラズマ中の静電容量のCbを変化させ、Vppを所望の状態で維持することが可能となり、Vppの変動が及ぼすプロセスシフトを抑制することができる。
(実施例2)
図3、図4、図5に示すプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。
図3、図4、図5に示すプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。
図3に示すように、ブロッキングコンデンサ12はなく、昇降軸11に陰極電極昇降制御器15を設置し、Vpp検出器10の結果を昇降軸11にフィードバック制御できるようにシステム構成する。Vpp検出器10で測定したVppに基づいて、陰極電極昇降制御器15を通じ、昇降軸11を逐次上下制御することで、プラズマ中の静電容量のCsを変化させ、Vppを所望の状態で維持することが可能になり、Vppの変動が及ぼすプロセスシフトを抑制することができる。
また、図4に示すように、陰極電極5にベローズ16を設置し、ベローズ伸張制御器17とベローズ伸張機構18を設け、Vpp検出器10の結果をベローズ伸張機構18にフィードバック制御できるようにシステム構成を行う。Vpp検出器10で測定したVppを所望の状態に維持するように、ベローズ伸張機構18でベローズ16を伸張させれば、上記と同様の効果を得ることができる。
また、図5に示すプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。フォーカスリング昇降制御器19とフォーカスリング昇降機構20を設置し、Vpp検出器10の結果をフォーカスリング昇降機構20にフィードバック制御できるようにシステム構成をする。Vpp検出器10で測定したVppを所望の状態に維持するように、フォーカスリング昇降機構20を逐次上下させれば、上記と同様の効果を得ることができる。
(実施例3)
上記実施例1,2記載の手法は、プラズマ中の静電容量を変化させることで、Vppを所望の状態で維持する構成であるが、上記の式(α)より、角周波数ωは、
ω=2πf ・・・・(β)
であり、式(β)より、高周波電源8の周波数fを変化させることで、プラズマ中の静電容量を変化させるのと同様の効果を得ることができる。
上記実施例1,2記載の手法は、プラズマ中の静電容量を変化させることで、Vppを所望の状態で維持する構成であるが、上記の式(α)より、角周波数ωは、
ω=2πf ・・・・(β)
であり、式(β)より、高周波電源8の周波数fを変化させることで、プラズマ中の静電容量を変化させるのと同様の効果を得ることができる。
図6に示すプラズマ処理装置において、符号1から11までは図7と同一である。周波数制御器21を設置し、Vpp検出器10の結果を周波数制御器21を通じて高周波電源8の周波数にフィードバック制御できるようにシステム構成をするVpp検出器10の結果を、高周波電源8にフィードバックし、高周波電力の周波数を逐次変化させることができるシステム構成をする。Vpp検出器10で測定したVppに基づいて、高周波電力の周波数を変化させれば、角周波数成分ωが変化し、Vppを所望の状態に維持することができ、Vppの変動が及ぼすプロセスシフトを抑制することができる。
本発明の高周波電力を用いるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法は、ドライエッチング処理だけでなく、各種プラズマ処理でプラズマ状態を一定に保ち続けるために利用可能である。
1 処理室
2 排気口
3 ガス導入口
4 陽極電極
5 陰極電極
6 基板
7 フォーカスリング
8 高周波電源
9 整合器
10 Vpp検出器
11 昇降軸
12 ブロッキングコンデンサ
13 可変ブロッキングコンデンサ
14 ブロッキングコンデンサ制御器
15 陰極電極昇降制御器
16 ベローズ
17 ベローズ伸張制御器
18 ベローズ伸張機構
19 フォーカスリング昇降制御器
20 フォーカスリング昇降機構
21 周波数制御器
2 排気口
3 ガス導入口
4 陽極電極
5 陰極電極
6 基板
7 フォーカスリング
8 高周波電源
9 整合器
10 Vpp検出器
11 昇降軸
12 ブロッキングコンデンサ
13 可変ブロッキングコンデンサ
14 ブロッキングコンデンサ制御器
15 陰極電極昇降制御器
16 ベローズ
17 ベローズ伸張制御器
18 ベローズ伸張機構
19 フォーカスリング昇降制御器
20 フォーカスリング昇降機構
21 周波数制御器
Claims (8)
- 処理室内に配置された電極に高周波電力を印加することにより、前記電極上に設置された被処理体に対して任意の処理を施すプラズマ処理方法において、少なくとも1工程以上の処理工程で、処理中の前記高周波電力のVppを所望の一定値に保持する工程を備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 処理中の前記高周波電力のVppを所望の一定値に保持する工程は、処理中の前記高周波電力のVppを測定する工程と、前記電極と高周波電源の間の静電容量を調整する工程からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- 処理中の前記高周波電力のVppを所望の一定値に保持する工程は、処理中の前記高周波電力のVppを測定する工程と、前記プラズマ中の静電容量を調整する工程からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- 処理中の前記高周波電力のVppを所望の一定値に保持する工程は、処理中の前記高周波電力のVppを測定する工程と、前記高周波電力の周波数を調整する工程からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- 密閉可能な処理室と、前記処理室内に配置された電極と、前記電極に整合器を介して接続された高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記整合器は電力経路に直列に挿入されたコンデンサを備え、前記整合器の出力側のVppを測定する手段と、前記Vpp測定値を演算し、この値を基に前記整合器の前記コンデンサの容量を制御する制御手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 密閉可能な処理室と、前記処理室内に配置された電極と、前記電極に整合器を介して接続された高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記電極は前記処理室内における高さを調整できる昇降手段とを備え、前記整合器は電力経路に直列に挿入されたコンデンサを備え、前記整合器の出力側のVppを測定する手段と、前記Vpp測定値を演算し、この値を基に前記電極の昇降手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 密閉可能な処理室と、前記処理室内に配置された電極と、前記電極に整合器を介して接続された高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記電極上に、前記電極と分離して配置された電位調整リングと、前記電位調整リングの昇降機構とを備え、前記整合器は電力経路に直列に挿入されたコンデンサとを備え、前記整合器の出力側のVppを測定する手段と、前記Vpp測定値を演算し、この値を基に前記電位調整リングの昇降手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 密閉可能な処理室と、前記処理室内に配置された電極と、前記電極に整合器を介して接続された高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記整合器は電力経路に直列に挿入されたコンデンサとを備え、前記高周波電源は発信周波数を任意の範囲で変化させる手段を備え、前記整合器の出力側のVppを測定する手段と、前記Vpp測定値を演算し、この値を基に前記高周波電源の周波数を制御する制御手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004091462A JP2005277270A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004091462A JP2005277270A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005277270A true JP2005277270A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=35176568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004091462A Pending JP2005277270A (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005277270A (ja) |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004091462A patent/JP2005277270A/ja active Pending
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