JP2005277005A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 加熱手段によって反応管を加熱しながら、該反応管に覆われた反応室内に搭載された半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置であって、
   前記加熱手段から輻射されるヒータ赤外線を遮蔽しながら前記反応管から輻射される反応管赤外線を検出して前記反応室内の温度を計測する輻射温度計を備えることを特徴とする半導体製造装置。
2. 前記輻射温度計の検出部の検出端側を最も大きい形状とし、前記反応管から輻射される前記反応管赤外線以外の赤外線を遮断するために前記検出部の周りを囲うように構成されたカバーをさらに備える請求項１の半導体製造装置。
3. 基板を処理する反応室と、該反応室を囲うように設けられる発熱体により加熱する加熱手段と、前記反応室の外側に設けられ温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段の検出部の先端側を最も大きい形状として検出部の周りを囲うカバーとを備えることを特徴とする半導体製造装置。
4. 基板を反応管内で処理する反応室と、該反応管を囲うように設けられる発熱体により加熱する加熱手段と、前記反応管と前記加熱手段との間に検出部が配置され、前記反応管の温度を検出する輻射温度計と、該輻射温度計の検出部の先端側がつば形状であって該検出部の周りを囲うカバーとを備えることを特徴とする半導体製造装置。
5. 基板を反応管で覆われた反応室に収納する工程と、前記反応室を加熱手段によって加熱する工程と、前記前記加熱手段から輻射されるヒータ赤外線をカバーによって遮蔽しながら前記反応管から輻射される反応管赤外線を輻射温度計が検出する工程と、基板に熱処理を施す工程とを有する半導体製造方法。