JP2005276910A - Ceramic substrate, package for accommodating electronic component, and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミック層を積層して成るセラミック基板、およびそのセラミック基板を用いて形成される電子部品収納用パッケージならびに電子装置に関するものである。 The present invention relates to a ceramic substrate formed by laminating ceramic layers, an electronic component storage package formed using the ceramic substrate, and an electronic device.
光半導体素子や半導体集積回路素子等の半導体素子、水晶振動子、圧電セラミック部品、弾性表面波素子、容量素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージ等に使用されるセラミック基板は、セラミック層を積層して成る基体と、基体の主面に形成された電子部品収納用の凹部とを具備する構造である。 Ceramic substrates used for electronic component storage packages for storing electronic components such as semiconductor elements such as optical semiconductor elements and semiconductor integrated circuit elements, crystal resonators, piezoelectric ceramic parts, surface acoustic wave elements, capacitive elements, etc. The structure includes a base body formed by laminating ceramic layers, and a recess for storing an electronic component formed on the main surface of the base body.
このセラミック基板の基体に、凹部の内側から基体の外表面に導出するようにして配線導体を形成することにより電子部品収納用パッケージが形成される。 An electronic component housing package is formed by forming a wiring conductor on the ceramic substrate base so as to lead out from the inside of the recess to the outer surface of the base.
この電子部品収納用パッケージの凹部内に電子部品を収納し、凹部の底面に電子部品をろう材や樹脂、ガラス等を介して接合するとともに電子部品の電極を配線導体と電気的に接続し、凹部を蓋体等で塞いで電子部品を気密封止することにより電子装置として完成する。 The electronic component is stored in the recess of the electronic component storage package, the electronic component is joined to the bottom surface of the recess through a brazing material, resin, glass, and the like, and the electrode of the electronic component is electrically connected to the wiring conductor, The recess is closed with a lid or the like and the electronic component is hermetically sealed to complete the electronic device.
完成した電子装置は、携帯電話やデジタルカメラ等の電子機器に部品として実装されて使用される。 The completed electronic device is mounted and used as a component in an electronic device such as a mobile phone or a digital camera.
このようなセラミック基板は、一般に、以下の方法により製作されている。 Such a ceramic substrate is generally manufactured by the following method.
まず、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の原料粉末を有機溶剤、バインダーとともに混練してセラミックスラリーを作製し、次に、セラミックスラリーをドクターブレード法等の加工方法によりシート状に成形して複数のグリーンシートを作製し、次に、グリーンシートのうち一部のものに打抜き加工を施して凹部を形成するための開口部を形成し、次に、複数のグリーンシートを、開口部を形成したものが上層に位置するようにして積層するとともに、4MPa〜20MPaMPa程度の大きな圧力で上下から加圧し、層間を密着させて生セラミック積層体となし、その後、生セラミック積層体を焼成することにより製作される。
近時、電子機器に使用される電子装置の小型化、薄型化に対応して、上記電子部品収納用パッケージ等に用いられるセラミック基板は、薄型化が強く要求されるようになってきている。 Recently, in response to the downsizing and thinning of electronic devices used in electronic devices, the ceramic substrate used in the electronic component storage package and the like has been strongly demanded to be thin.
セラミック基板を薄型化する場合、凹部内に電子部品を収納するだけの高さは最低限必要であるため、凹部の底面における基体の厚さを極力薄くすることが必要になる。 When the thickness of the ceramic substrate is reduced, the height required to accommodate the electronic component in the recess is at a minimum, and therefore it is necessary to reduce the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess as much as possible.
しかしながら、従来のセラミック基板においては、凹部の底面における基体厚さを0.3mmよりも薄くしようとすると、凹部の底面において基体に反り等の変形が生じ、平面度が低下するという問題があった。平面度は、モアレ干渉法等により測定することができ、例えば、凹部の底面における基体の厚さが0.2mmの場合、等高線の間隔10μmのモアレ干渉縞が6本以上発生する。なお、等高線の間隔とは、隣り合う等高線の間に対応する、被測定物の表面の高低差を意味する。干渉縞の等高線の間隔(Δh)は、平行光を用いた場合であれば、光の格子への入出射角(θ)と格子の間隔(p)に応じて決まる。(例えば、特開2002−39726号公報)
(式)Δh=p/(2tanθ)
凹部の底面において基体の平面度が低下すると、電子部品を凹部内に正常に収納して凹部の底面に固定することができなくなり、電子部品の電極を対応する配線導体に確実に接続することができなくなる等の不具合を生じてしまう。
However, in the conventional ceramic substrate, when the thickness of the base at the bottom of the recess is made thinner than 0.3 mm, there is a problem that the base is deformed at the bottom of the recess and the flatness is lowered. . The flatness can be measured by the moire interference method or the like. For example, when the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess is 0.2 mm, six or more moire interference fringes with a 10 μm interval between contour lines are generated. The interval between the contour lines means a difference in height of the surface of the object to be measured, which corresponds between adjacent contour lines. If parallel light is used, the interval (Δh) between the contour lines of the interference fringes is determined according to the light incident / exit angle (θ) to the grating and the grating interval (p). (For example, JP 2002-39726 A)
(Expression) Δh = p / (2 tan θ)
When the flatness of the substrate is lowered at the bottom surface of the recess, the electronic component cannot be normally stored in the recess and fixed to the bottom surface of the recess, and the electrodes of the electronic component can be securely connected to the corresponding wiring conductor. It causes problems such as being unable to do so.
また、例えば、電子部品がCCD(Charge Coupled Device)等の光半導体素子である場合、光半導体素子の上面の受光面に対して蓋体がわずかでも傾くと、蓋体を透過して凹部内に入射する光が受光面に対して歪み、正確に受光することができなくなってしまう。そのため、従来は、凹部の底面において基体の厚さを0.3mm以上確保する必要があり、それ以上の薄型化が難しいという問題があった。 In addition, for example, when the electronic component is an optical semiconductor element such as a CCD (Charge Coupled Device), if the lid body is slightly inclined with respect to the light receiving surface on the upper surface of the optical semiconductor element, the lid body is transmitted into the recess. Incident light is distorted with respect to the light receiving surface and cannot be received accurately. For this reason, conventionally, it has been necessary to secure a thickness of 0.3 mm or more on the bottom surface of the recess, and there is a problem that it is difficult to make the substrate thinner.
上記凹部底面における基体の変形は、以下のような原因によると考えられる。 The deformation of the base body at the bottom of the recess is considered to be caused by the following reasons.
すなわち、
グリーンシートを積層して密着させるときに加えられる4MPa〜20MPa程度の大きな圧力が、グリーンシート(積層体)のうち凹部を取り囲む部位を介して薄い凹部底面に、凹部の底面を中心方向に向けて押し付けるような応力として伝わり、この応力により薄いグリーンシートが褶曲、変形する。
That is,
A large pressure of about 4 MPa to 20 MPa applied when the green sheets are laminated and adhered is directed to the bottom surface of the thin recess through the portion surrounding the recess in the green sheet (laminate), and the bottom surface of the recess is directed toward the center. The stress is transmitted as pressing force, and the thin green sheet is bent and deformed by this stress.
また、このときの圧力は、凹部を取り囲む部位には効率よく伝わるが、凹部の底面に対しては直接には作用しないことから、薄いグリーンシートのうち特に凹部の底面となる部位が固定されず変形しやすい状態となっているため、上記のような凹部底面における基体の変形が非常に発生しやすくなっている。 In addition, the pressure at this time is efficiently transmitted to the portion surrounding the concave portion, but does not act directly on the bottom surface of the concave portion. Since it is in a state of being easily deformed, the deformation of the substrate on the bottom surface of the recess as described above is very likely to occur.
本発明は、上記従来の問題を解消するために考案されたものであり、その目的は、底面の厚さが、たとえば0.3mm程度未満と薄く、より一層の低背化可能で、かつその凹部の底面における平面度が良好なセラミック基板、および、そのセラミック基板を用いた電子部品収納用パッケージ、電子装置を提供することにある。 The present invention has been devised in order to solve the above-described conventional problems. The object of the present invention is to make the bottom surface thin, for example, less than about 0.3 mm, and to further reduce the height. An object of the present invention is to provide a ceramic substrate with good flatness on the bottom surface of a recess, an electronic component storage package using the ceramic substrate, and an electronic device.
なお、基体の厚さを従来の0.3mm程度よりも薄いものとする際、その差はわずか約0.1mmであるため、容易なように思われるが、厚さの比に換算すると67%以下と非常に大きな割合で薄型化することになり、また、このように厚さの薄い領域ではわずかな厚さの減少でもグリーンシートの機械的な強度の低下が著しいためグリーンシートを積層して密着させるときに加えられる4MPa〜20MPa程度の大きな圧力で凹部底面における基体の変形が非常に発生しやすくなっている。この差0.1mmの薄型化は極めて困難で、従来、このような薄型のセラミック基板は提供されていなかった。 When the thickness of the substrate is thinner than the conventional 0.3 mm, the difference is only about 0.1 mm, which seems easy, but it is 67% when converted to the thickness ratio. The thickness of the sheet will be reduced to a very large ratio as shown below, and in such a thin area, even if the thickness is slightly reduced, the mechanical strength of the green sheet is significantly reduced. Deformation of the substrate on the bottom surface of the recess is very likely to occur with a large pressure of about 4 MPa to 20 MPa applied when closely contacting. It is extremely difficult to reduce the thickness of the difference of 0.1 mm. Conventionally, such a thin ceramic substrate has not been provided.
また、セラミック基板等の基板の表面の平面度を高くするための手法としては、ラッピングやポリシング等の平面研磨加工が知られており、このような研磨加工を基体に対して施すということも考えられるが、凹部の底面における基体の厚さを0.05mm乃至0.2mmとした場合、基体の厚さが非常に薄く、機械的強度が低いので、研磨時に作用する外力により基体に割れ等の機械的な破壊が生じてしまう。 Further, as a method for increasing the flatness of the surface of a substrate such as a ceramic substrate, surface polishing processing such as lapping and polishing is known, and it is considered that such polishing processing is performed on a substrate. However, when the thickness of the base at the bottom of the recess is 0.05 mm to 0.2 mm, the thickness of the base is very thin and the mechanical strength is low. Mechanical destruction will occur.
また、サンドブラスト等のブラスト加工により凹部の底面の凹凸を研削して平面度を高くするという手段も考えられるが、この場合、薄い凹部の底面における表面粗さが粗くなり、また部分的に厚さが薄くなってしまうので、上記の研磨の場合と同様に、基体に割れ等の不具合を誘発しやすくなってしまう。また、凹部の底面に電子部品を接合材を介して搭載するようなときに接合材の流れが悪くなるおそれもある。 In addition, it is possible to increase the flatness by grinding the unevenness on the bottom surface of the recess by blasting such as sandblasting, but in this case, the surface roughness on the bottom surface of the thin recess becomes rough and the thickness is partially increased. Therefore, as in the case of the above-described polishing, defects such as cracks are easily induced in the substrate. In addition, when an electronic component is mounted on the bottom surface of the recess through the bonding material, the flow of the bonding material may be deteriorated.
本発明のセラミック基板は、複数のセラミック層を積層して成る基体と、該基体の主面に形成された凹部とを具備し、前記凹部の底面における前記基体の厚さが0.05mm乃至0.2mmであることを特徴とするものである。 The ceramic substrate of the present invention comprises a substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers, and a recess formed on the main surface of the substrate, and the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess is 0.05 mm to 0 mm. .2 mm.
また、本発明のセラミック基板は、前記凹部は、底面の面積が25mm2乃至121mm2以下であり、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞が5本以下であることを特徴とするものである。 In the ceramic substrate of the present invention, the recess has an area of a bottom surface of 25 mm 2 to 121 mm 2 and has no more than 5 interference fringes when measured by a moire interferometry with a contour line interval of 10 μm. It is characterized by this.
また、本発明のセラミック基板は、前記干渉縞は、前記凹部底面の中央部を中心として、同心円状に生じることを特徴とするものである。 The ceramic substrate of the present invention is characterized in that the interference fringes are concentrically formed around a central portion of the bottom surface of the recess.
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成のセラミック基板の前記基体に、前記凹部の内側から外表面にかけて導出するようにして配線導体が形成され、前記凹部内に電子部品が収納されることを特徴とするものである。 In the electronic component storage package of the present invention, a wiring conductor is formed on the base of the ceramic substrate having the above-described structure so as to be led out from the inside of the recess to the outer surface, and the electronic component is stored in the recess. It is characterized by that.
また、本発明の電子装置は、上記構成の電子部品収納用パッケージと、前記凹部内に収納されるとともに前記電極と電気的に接続された電子部品とを具備することを特徴とするものである。 According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic device including the electronic component storage package having the above-described configuration and an electronic component that is stored in the recess and is electrically connected to the electrode. .
本発明のセラミック基板によれば、凹部の底面における基体の厚さが0.05mm乃至0.2mmであることから、基体の厚さを電子部品の厚さと同程度までに薄くすることができる。 According to the ceramic substrate of the present invention, since the thickness of the substrate at the bottom surface of the recess is 0.05 mm to 0.2 mm, the thickness of the substrate can be made as thin as the thickness of the electronic component.
この場合、基体の厚さが従来の厚さの0.3mmに対して0.1mm程度薄くなるだけなので、一見、あまり効果がないように思われるが、カメラ付き携帯電話やデジタルカメラに代表される薄い撮像用の光半導体素子を組み込むことを必要とする電子製品においては、光半導体素子を組み込むためのCCDセンサー、CMOSセンサー等に代表される光半導体収納用のパッケージや、ICカード用の半導体集積回路収納用のパッケージ等の、薄型化が強く要求される分野では、この薄型化により極めて大きな効果を得ることができる。 In this case, since the thickness of the substrate is only about 0.1 mm thinner than the conventional thickness of 0.3 mm, it seems to be not very effective at first glance, but it is represented by mobile phones with cameras and digital cameras. In electronic products that require the incorporation of thin optical semiconductor elements for imaging, optical semiconductor storage packages such as CCD sensors and CMOS sensors for incorporating optical semiconductor elements, and semiconductors for IC cards In fields where thinning is strongly demanded, such as packages for housing integrated circuits, this thinning can provide a significant effect.
その結果、電子部品収納用パッケージや電子装置の薄型化に有効なセラミック基板を提供することができる。 As a result, it is possible to provide a ceramic substrate that is effective for reducing the thickness of electronic component storage packages and electronic devices.
また、本発明のセラミック基板は、凹部の底面の面積が25mm2乃至121mm2以下であり、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞が5本以下である場合には、凹部の底面の面積を十分に広く確保して、光半導体素子や半導体集積回路素子等の半導体素子、水晶振動子やセラミック圧電部品等の圧電振動子、弾性表面波素子、容量素子等の電子部品を効率よく収納することができる。また同時に、干渉縞の発生数が少なく、平面度が良好であるので、電子部品を凹部底面に正常な位置に、傾き等の不具合を生じさせること無く固定することができる。その結果、薄型でかつ高機能の電子部品収納用パッケージや電子装置をより確実に形成することが可能なセラミック基板とすることができる。 Further, the ceramic substrate of the present invention is the area of the bottom surface of the recess is 25 mm 2 to 121mm 2 or less, when the interference fringes produced as measured by moire interferometry in which the contour interval between 10μm is not more than five Is a semiconductor element such as an optical semiconductor element or a semiconductor integrated circuit element, a piezoelectric vibrator such as a crystal vibrator or a ceramic piezoelectric part, a surface acoustic wave element, a capacitor element, etc. Electronic components can be stored efficiently. At the same time, since the number of occurrence of interference fringes is small and the flatness is good, the electronic component can be fixed on the bottom surface of the recess at a normal position without causing problems such as tilt. As a result, it is possible to provide a ceramic substrate capable of more reliably forming a thin and highly functional electronic component storage package or electronic device.
また、本発明のセラミック基板において、上記干渉縞が、凹部底面の中央部を中心として同心円状に生じるようにした場合には、凹部の底面は、中央部が高く、外周部に向かって、全周において、漸次その高さが低くなるような形状になるので、例えば凹部の底面に電子部品を載置し、接合材で接合固定するような場合、凹部の中央部に電子部品の底面の中央部分が載置されるとともに、電子部品の下面と凹部の底面との間に、電子部品の外周部に向かって漸次大きくなる接着材の溜まりが形成されるので、電子部品を凹部の底面により一層確実・強固に接着固定することができる。 Further, in the ceramic substrate of the present invention, when the interference fringes are formed concentrically around the central portion of the bottom surface of the concave portion, the bottom surface of the concave portion is high in the central portion, and is entirely directed toward the outer peripheral portion. Since the shape gradually decreases in the circumference, for example, when an electronic component is placed on the bottom surface of the recess and bonded and fixed with a bonding material, the center of the bottom surface of the electronic component is placed at the center of the recess. The portion of the electronic component is placed between the lower surface of the electronic component and the bottom surface of the recess, and a pool of adhesive that gradually increases toward the outer peripheral portion of the electronic component is formed. It can be securely fixed firmly.
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成のセラミック基板の基体に、前記凹部の内側から外表面にかけて導出するようにして配線導体が形成され、前記凹部内に電子部品が収納されることから、薄くかつ高機能な電子装置を形成することが可能な、電子部品収納用パッケージを提供することができる。 According to the electronic component storage package of the present invention, the wiring conductor is formed on the base of the ceramic substrate having the above-described configuration so as to be led out from the inside of the recess to the outer surface, and the electronic component is stored in the recess. Therefore, an electronic component storage package capable of forming a thin and highly functional electronic device can be provided.
また、本発明の電子装置は、上記構成の電子部品収納用パッケージと、凹部内に収納されるとともに電極と電気的に接続された電子部品とを具備することから、薄くかつ高機能なものとすることができる。 In addition, the electronic device of the present invention includes the electronic component storage package having the above-described configuration and the electronic component that is housed in the recess and is electrically connected to the electrode, so that the electronic device is thin and highly functional. can do.
本発明のセラミック基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置について以下に詳細に説明する。 The ceramic substrate, electronic component storage package, and electronic device of the present invention will be described in detail below.
図1は本発明のセラミック基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置の一実施例を示す断面図であり、図1において、1は複数のセラミック層1aを積層して成る基体、2は基体1の上面に形成された凹部であり、これらの基体1および凹部2により本発明のセラミック基板3が形成される。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a ceramic substrate, an electronic component storage package and an electronic device according to the present invention. In FIG. 1,
また、セラミック基板3の基体1に配線導体4を形成することにより電子部品収納用パッケージ5が形成され、電子部品収納用パッケージ5に電子部品6を収納することにより電子装置7が形成される。
Further, an electronic
セラミック層1aは、酸化アルミニウム質焼結体や、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、チタン酸バリウム質焼結体、チタン酸鉛質焼結体等のセラミック焼結体により形成される。なお、セラミック焼結体の種類は、セラミック基板の用途に応じて適宜選択することができる。例えば、基体1の機械的な強度を重視する場合は各セラミック層1aを酸化アルミニウム質焼結体等で形成する。また、基体1中に静電容量の大きな部位を確保するような場合には、対応するセラミック層1aを比誘電率の大きなチタン酸バリウム質焼結体等で形成する。
The ceramic layer 1a includes ceramics such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a barium titanate sintered body, and a lead titanate sintered body. It is formed by a sintered body. In addition, the kind of ceramic sintered compact can be suitably selected according to the use of a ceramic substrate. For example, when emphasizing the mechanical strength of the
基体1は、例えば、各セラミック層1aが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム等のセラミック粉末を有機溶剤、バインダー等とともに支持体上でシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製するとともに、所定のものに打抜き加工を施して枠状のセラミックグリーンシートを形成し、その後、打抜き加工を施していないセラミックグリーンシートが下層に位置し、枠状のセラミックグリーンシートが上層に位置するように積層してセラミックグリーンシート積層体を形成し、焼成することにより製作される。
For example, if each ceramic layer 1a is made of an aluminum oxide sintered body, the
本発明のセラミック基板3は、凹部2の底面における基体1の厚さが0.05mm乃至0.2mmである。
In the
凹部2の底面における基体1の厚さを0.05mm乃至0.2mmとすることにより、基体1の厚さを、例えば凹部2に収納される電子部品5の厚さと同程度までに薄くすることができる。
By making the thickness of the
この場合、基体の厚さが従来の厚さの0.3mmに対して0.1mm程度薄くなるだけなので、一見、あまり効果がないように思われるが、カメラ付き携帯電話やデジタルカメラに代表される薄い撮像用の光半導体素子を組み込むことを必要とする電子製品においては、光半導体素子を組み込むためのCCDセンサー、CMOSセンサー等に代表される光半導体収納用のパッケージや、ICカード用の半導体集積回路収納用のパッケージ等の、薄型化が強く要求される分野では、この薄型化により極めて大きな効果を得ることができる。 In this case, since the thickness of the substrate is only about 0.1 mm thinner than the conventional thickness of 0.3 mm, it seems to be not very effective at first glance, but it is represented by mobile phones with cameras and digital cameras. In electronic products that require the incorporation of thin optical semiconductor elements for imaging, optical semiconductor storage packages such as CCD sensors and CMOS sensors for incorporating optical semiconductor elements, and semiconductors for IC cards In fields where thinning is strongly demanded, such as packages for housing integrated circuits, this thinning can provide a significant effect.
その結果、電子部品収納用パッケージ5や電子装置7の薄型化に有効なセラミック基板を提供することができる。
As a result, a ceramic substrate effective for reducing the thickness of the electronic
なお、凹部2の底面における基体1の厚さが0.2mmを超えると、従来のセラミック基板に比べて薄型化が不十分であり、上記のような電子機器用の用途等において十分な効果を得ることができない。また、0.05mm未満であると、セラミック基板3の機械的な強度が弱くなりすぎるため、凹部2の底面に電子部品6を搭載するときの熱応力等の応力により基体1にクラック等の機械的な破壊が生じやすくなるため、電子部品収納用パッケージ等の用途で使用されるセラミック基板としての信頼性が不十分なものとなってしまう。従って、凹部2の底面における基体1の厚さは0.05mm乃至0.2mmとする必要がある。
If the thickness of the
また、本発明のセラミック基板1において、凹部2の底面の面積を25mm2乃至121mm2とし、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞を5本以下とした場合には、
凹部2の底面の面積を十分に広く確保して、光半導体素子や半導体集積回路素子等の半導体素子、水晶振動子やセラミック圧電部品等の圧電振動子、弾性表面波素子、容量素子等の電子部品6を効率よく収納することができる。
Further, in the
The area of the bottom surface of the
また同時に、干渉縞の発生数が少なく、凹部2底面の平面度が良好であるので、電子部品6を凹部2底面に正常な位置に、傾き等の不具合を生じさせること無く固定することができる。その結果、薄型でかつ高機能の電子部品収納用パッケージ5や電子装置7をより確実に形成することが可能なセラミック基板とすることができる。
At the same time, since the number of interference fringes is small and the flatness of the bottom surface of the
この場合、凹部2の底面の面積が25mm2以下では電子部品6を効率よく収納することが難しくなり、121mm2を超えると、セラミック基板31の機械的な強度が弱くなりすぎるため、薄い凹部2の底面に電子部品6を搭載するときの熱応力等の応力によりクラック等の機械的な破壊が生じやすくなるおそれがある。
In this case, when the area of the bottom surface of the
また、干渉縞の発生数が5本を超えると、凹部2の底面の平面度が不十分となり、例えば、電子部品収納用パッケージとして使用し、凹部2内に電子部品6を収納するようなときに、電子部品6を所定の位置に固定することが難しく、電子部品6の電極を対応する配線導体4に正確に接続させることが難しくなったり、電子部品6が傾いてしまったりする。電子部品6が傾くと、例えば電子部品6が光半導体素子の場合、上面の受光面が傾いてしまい、受光精度が劣化する傾向がある。従って、凹部2は、底面の面積が25mm2乃至121mm2以下であり、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞が5本以下であることが好ましい。
If the number of interference fringes exceeds 5, the flatness of the bottom surface of the
この場合、等高線は各干渉縞が生じている位置に相当し、等高線の間隔とは、隣り合う等高線の間に対応する、被測定物の表面の高低差を意味する。つまり、等高線の間隔が10μmの場合、被測定物(凹部2の底面)の表面の高さが10μm変化するごとに、干渉縞が1本生じる。 In this case, the contour line corresponds to the position where each interference fringe is generated, and the interval between the contour lines means the difference in height of the surface of the object to be measured corresponding to the adjacent contour lines. That is, when the interval between the contour lines is 10 μm, one interference fringe is generated every time the surface height of the object to be measured (the bottom surface of the recess 2) changes by 10 μm.
なお、底面の面積が25mm2乃至121mm2の凹部2は、例えば、1辺の長さが5mm×5mm〜11mm×11mmの正方形や、そのような面積となる長方形等の四角形状等である。この場合、完全な四角形状とせずに、角部を円弧状に成形して角部で基体1にクラック等が生じることをより有効に防止したり、電子部品収納用パッケージ等の用途において収納される電子部品の形状等に応じて、外辺の一部を外側や内側に湾曲,屈曲させたりしてもよい。
The
また、モアレ干渉法による凹部2底面の測定は、格子の間隔が20μmの回折格子を凹部2の直上にセットした後、格子の上側から、入出射角度が45度になるようにして回折格子を通して凹部の底面に光源から光を照射し、凹部の底面で反射した回折格子の像と、回折格子自体との重ね合わせにより生じる干渉縞(モアレ縞)の数を測定することにより行うことができる。回折格子は、例えば、ガラス板に、上記のような格子状のパターンで遮光部を形成することにより製作される。
Further, the measurement of the bottom surface of the
この場合、干渉縞で示される等高線の間隔(Δh)は、平行光を用いた場合であれば、光の格子への入出射角(θ)と格子の間隔(p)に応じて決まる。(下記式参照)なお、光源から照射される光を平行光とするには、光源と格子との間にレンズを配置しておく。 In this case, the interval (Δh) between the contour lines indicated by the interference fringes is determined according to the light incident / exit angle (θ) to the grating and the grating interval (p) if parallel light is used. (Refer to the following formula.) In order to make the light emitted from the light source parallel light, a lens is disposed between the light source and the grating.
(式)Δh=p/(2tanθ)
例えば、θ=45度、p=20μmとした場合、Δh=20/(2tan45°)=10μmになる。
(Expression) Δh = p / (2 tan θ)
For example, when θ = 45 degrees and p = 20 μm, Δh = 20 / (2 tan 45 °) = 10 μm.
また、本発明のセラミック基板3において、上記の干渉縞は、凹部2底面の中央部を中心として同心円状に生じることが好ましい。
In the
干渉縞が、凹部2底面の中央部を中心として同心円状に生じるようにした場合には、凹部2の底面は、中央部が高く、外周部に向かって、全周において同じような傾斜で、漸次その高さが低くなるような形状になるので、例えば、後述するように凹部2の底面に電子部品6を載置し、接合材で接合固定するような場合、凹部2の中央部に電子部品6の底面の中央部分が載置されるとともに、電子部品6の下面と凹部2の底面との間に、電子部品6の外周部に向かって漸次大きくなる接合材の溜まりが形成されるので、電子部品6を凹部2の底面により一層確実・強固に接着固定することができる。
When the interference fringes are formed concentrically around the central portion of the bottom surface of the
このセラミック基板3に、凹部2の内側から基体1の外表面にかけて配線導体4を形成することにより、凹部2内に電子部品6が収納される電子部品収納用パッケージが形成される。
By forming the
配線導体4は、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銅(Cu),銀(Ag),パラジウム(Pd),金(Au),白金(Pt)等の金属材料等の導体から成り、例えば、タングステンの粉末に有機溶剤,バインダーを添加混練して作製した導体ペーストを基体1を形成するセラミックグリーンシートの表面に印刷して導体層を形成しておくことにより形成される。
The
電子部品6は、上述のように、光半導体素子や半導体集積回路素子等の半導体素子、水晶振動子やセラミック圧電部品等の圧電振動子、弾性表面波素子、容量素子等であり、凹部2内に収納されるとともに、凹部2の底面に樹脂やろう材、ガラス等の接合材により接合固定される。
As described above, the
また、凹部2内に収納された電子部品6の電極は、配線導体4のうち凹部2内に露出している部位に、ボンディングワイヤ8や半田(図示せず)等の導電性接続材を介して電気的に接続される。
The electrode of the
この場合、上記構成のセラミック基板3の基体1に、凹部2の内側から外表面にかけて導出するようにして配線導体4が形成され、凹部2内に電子部品6が収納されることから、薄くかつ高機能な電子装置7を形成することが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
In this case, the
なお、配線導体4の表面には、配線導体4の腐食防止のために、またはボンディングワイヤ8のボンディング性やはんだの濡れ性等の向上のために、ニッケル(Ni)やコバルト(Co),Cu,Pd,Pt,Au等のめっきを施すとよい。
The surface of the
電子部品収納用パッケージ5の凹部2に電子部品6を収納した後、必要に応じて、蓋体9を基体1の上面に取着して凹部2を塞ぐことや、凹部2内に封止用樹脂(図示せず)を充填すること等の手段で電子部品6を封止することにより、電子装置7が形成される。
After the
本発明の電子装置7によれば、上記構成の電子部品収納用パッケージ5に電子部品6を収納して形成されることから、薄くかつ高機能なものとすることができる。
According to the
蓋体9の基体1に対する取着は、ろう材やガラス、樹脂接着剤等の接合材を介して接合する方法や、溶接等の方法により行うことができる。
Attachment of the lid 9 to the
次に、本発明のセラミック基板1について、凹部2の底面における基体1の厚さを0.05mm乃至0.2mmとし、好ましくは、底面の面積を25mm2乃至121mm2以下、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞が5本以下とする製造方法について、一例を挙げて具体的に説明する。
Next, the
なお、基体1の反り等の変形にともなう凹部2の底面の平面度の低下は、基体を製作する際に、セラミックグリーンシートの積層体を約4MPa〜20MPaという大きな圧力で加圧することに起因するので、平面度を高くするには、その加圧の圧力を低くし、かつセラミックグリーンシートの層間の密着を確保できるようにすればよい。以下に説明する具体例は、その一例であり、セラミックグリーンシートを、溶融成分を含有する層を含む2層構造とし、セラミックグリーンシートを上下に積層したときに、溶融成分を溶融させて上下のセラミックグリーンシートの層間を密着させるというものである。
The lowering of the flatness of the bottom surface of the
図2は本発明のセラミック基板1の製造方法の一例を示す工程毎の断面図であり、11は支持体、14はセラミックグリーンシート、15は導体層、16はセラミックグリーンシート積層体である。この製造方法の例では、セラミックグリーンシート14は、第1のセラミックグリーンシート層12と第2のセラミックグリーンシート層13とにより形成されている。
FIG. 2 is a cross-sectional view for each process showing an example of the method for producing the
まず図2(a)に示すように、支持体11上に第1のセラミックグリーンシート層12を形成し、ついで図2(b)に示すように、第1のセラミックグリーンシート層12上に第2のセラミックグリーンシート層13を形成してセラミックグリーンシート14を形成する。
First, as shown in FIG. 2A, the first ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12および第2のセラミックグリーンシート層13は、セラミック粉末、有機バインダー、溶剤等を混合したものが用いられる。第1のセラミックグリーンシート層12はさらに溶融成分を含有する。第1のセラミックグリーンシート層12および第2のセラミックグリーンシート層13ともに、さらに可塑剤を添加してセラミックグリーンシート14の硬度や強度を調整してもよい。
As the first ceramic
セラミック粉末としては、例えば、Al2O3,AlN,ガラスセラミック粉末(ガラス粉末とフィラー粉末との混合物),BaTiO3系,PbTiO3系等の複合ペロブスカイト系セラミック粉末が挙げられ、セラミック基板3に要求される特性に合わせて適宜選択される。 Examples of the ceramic powder include composite perovskite ceramic powders such as Al 2 O 3 , AlN, glass ceramic powder (a mixture of glass powder and filler powder), BaTiO 3 system, PbTiO 3 system, and the like. It is appropriately selected according to the required characteristics.
ガラスセラミック粉末のガラス成分としては、例えばSiO2−B2O3系、SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3−MO系(ただし、MはCa,Sr,Mg,BaまたはZnからなる),SiO2−Al2O3−M1O−M2O系(ただし、M1およびM2は同一であっても異なっていてもよくCa,Sr,Mg,BaまたはZnからなる),SiO2−B2O3−Al2O3−M1O−M2O系(ただし、M1およびM2は同一であっても異なっていてもよくCa,Sr,Mg,BaまたはZnからなる),SiO2−B2O3−M3 2O系(ただし、M3はLi、NaまたはKからなる),SiO2−B2O3−Al2O3−M3 2O系(ただし、M3はLi、NaまたはKからなる),Pb系ガラス,Bi系ガラス等が挙げられる。
Examples of the glass component of the glass ceramic powder include SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —MO system (however, , M is composed of Ca, Sr, Mg, Ba or Zn), SiO 2 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (where
また、ガラスセラミック粉末のフィラー粉末としては、例えばAl2O3,SiO2,ZrO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物,TiO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物,Al2O3およびSiO2から選ばれる少なくとも1種を含む複合酸化物(例えばスピネル,ムライト,コージェライト)等のセラミック粉末が挙げられる。 Further, as the filler powder of the glass ceramic powder, for example, a composite oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 and an alkaline earth metal oxide, a composite oxide of TiO 2 and an alkaline earth metal oxide, A ceramic powder such as a composite oxide (for example, spinel, mullite, cordierite) containing at least one selected from Al 2 O 3 and SiO 2 can be used.
セラミックグリーンシート14に配合される有機バインダーとしては、従来よりセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系(アクリル酸,メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体,具体的にはアクリル酸エステル共重合体,メタクリル酸エステル共重合体,アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等),ポリビニルブチラ−ル系,ポリビニルアルコール系,アクリル−スチレン系,ポリプロピレンカーボネート系,セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系バインダーがより好ましい。
As the organic binder blended in the ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12に含有される溶融成分は、セラミックグリーンシート積層体6を作製する際の加熱時に溶融状態となるものであり、炭化水素,脂肪酸,エステル,脂肪アルコール,多価アルコール等が挙げられる。スラリーを調整する際の溶媒への溶解性を考慮すると、分子量が小さくかつ極性を有する炭化水素,エステル,脂肪アルコール,多価アルコールが好ましい。さらに上述したアクリルバインダーとの相溶性を考慮すると、エステル,脂肪アルコール,多価アルコールがより好ましい。
The molten component contained in the first ceramic
溶融成分は前記のものの中でも、その融点が35乃至100℃であるものが好ましい。これは、この範囲の融点のものを用いると、常温では第1のセラミックグリーンシート層12が軟化して変形することはないので、積層工程までのハンドリングが容易となり、セラミックグリーンシート積層体16を作製する工程における加熱時にセラミックグリーンシート14中のバインダーや可塑剤等の有機成分が分解することがないので、分解ガスによりデラミネーションが発生してしまうことがないからである。融点が35乃至100℃である溶融成分としては具体的には、ヘキサデカノール,ポリエチレングリコール,ポリグリセロール,ステアリルアミド,オレイルアミド,エチレングリコールモノステアレート,パラフィン,ステアリン酸,シリコーン等が挙げられる。
Among the above-mentioned melting components, those having a melting point of 35 to 100 ° C. are preferred. This is because when the melting point in this range is used, the first ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12に含有される溶融成分の含有量は、使用するバインダー成分およびその量や、使用する溶融成分により異なるが、溶融成分が溶融した状態で第1のセラミックグリーンシート層12が軟化し、その下に位置するセラミックグリーンシート14の第2のセラミックグリーンシート層13およびその上に形成された金属ペースト15の形状に追従して変形するような量であればよい。
The content of the molten component contained in the first ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12は、上記セラミック粉末,有機バインダー,溶融成分に溶剤(有機溶剤,水等)、必要に応じて所定量の可塑剤,分散剤を加えてスラリーを得、これをPETフィルム等の支持体上にドクターブレード法,リップコーター法,ダイコーター法等により成形することによって得られる。第1のセラミックグリーンシート層2の厚さは、導体層とセラミックグリーンシートとの段差を埋めるために、導体層の厚みより厚くなるように形成される。
The first ceramic
第2のセラミックグリーンシート層13は、第1のセラミックグリーンシート層12に用いるスラリーに対して、溶融成分を含まないスラリーを用いて形成される。
The second ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12上に第2のセラミックグリーンシート層13を形成する方法は、(1)第1のセラミックグリーンシート層12と同様に成形した第2のセラミックグリーンシート層13を第1のセラミックグリーンシート層12の上に積層して形成する方法、(2)支持体11上に形成された第1のセラミックグリーンシート層12上に第2のセラミックグリーンシート13のスラリーを塗布して形成する方法、(3)支持体11上に塗布された第1のセラミックグリーンシート層12のスラリー上に第2のセラミックグリーンシート層13のスラリーを塗布して形成する方法が挙げられる。
The method for forming the second ceramic
第1のセラミックグリーンシート層12上への第2のセラミックグリーンシート層13の積層の際に、第1のセラミックグリーンシート層12と第2のセラミックグリーンシート層13との間に空隙を発生させる可能性があり、また第1のセラミックグリーンシート層12と第2のセラミックグリーンシート層13との密着性を向上させるためには上記(2)または(3)の方法が好ましい。さらには、上記(3)の方法では第1のセラミックグリーンシート層12と第2のセラミックグリーンシート層13の形成がほぼ同時に行なわれるので、工程が簡略化されるのでより好ましい。この(3)の方法においては、ダイコーター法やリップコーター法等の押し出し式の方法を用いるとよく、これらは非接触式の塗布方法であり、また溶剤の少ない、比較的粘度の高いスラリーを用いることができるので、第1のセラミックグリーンシート層12のスラリーと第2のセラミックグリーンシート層13のスラリーが混ざり合うことなくセラミックグリーンシート14を形成することができるのでよい。
When the second ceramic
次に図2(c)に示すように、セラミックグリーンシート14の一部に金型を用いた打抜き加工等の孔あけ加工を施して枠状に成形するとともに、第2のセラミックグリーンシート層13上に導体層15を形成する。セラミックグリーンシート14上に導体層15を形成する方法としては、例えばタングステン等の導体材料粉末をペースト化した導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷したり、めっき法や蒸着法等により所定パターン形状の金属膜を形成するようなセラミックグリーンシート14上に直接形成する方法、あるいは印刷により所定パターン形状に形成した導体厚膜や所定パターン形状に加工した金属箔、めっき法や蒸着法等により形成した所定パターン形状の金属膜をセラミックグリーンシート14上に転写する方法がある。導体材料としては、例えばW,Mo,Mn,Au,Ag,Cu,Pd,Pt等の1種または2種以上が挙げられ、2種以上の場合は混合、合金、コーティング等のいずれの形態であってもよい。
Next, as shown in FIG. 2 (c), a part of the ceramic
導体層15はセラミックグリーンシート14の第2のセラミックグリーンシート層13上に形成される。これは、第2のセラミックグリーンシート層13は加熱時に溶融する溶融成分を含有しないことから、第2のセラミックグリーンシート層13は加熱時に変形することはないので、その上に導体層15を形成することにより導体層15を変形させないようにするためである。
The
なお、導体層15を形成する前に必要に応じて上下の層間の導体層15同士を接続するためのビアホール導体やスルーホール導体等の貫通導体を形成してもよい。これら貫通導体は、パンチング加工やレーザ加工等によりセラミックグリーンシート14に形成した貫通孔に、導体材料粉末をペースト化したもの(導体ペースト)を印刷やプレス充填により埋め込む等の手段によって形成される。
In addition, before forming the
次に図1(d)に示すように、位置合わせして積み重ねたセラミックグリーンシート14を、溶融成分が溶融状態となり第1のセラミックグリーンシート層12が軟化して変形する程度の温度つまり溶融成分の融点程度の温度で加熱することでセラミックグリーンシート積層体16を作製する。また、このとき、凹部2の底面と成るセラミックグリーンシート14’に変形が生じない程度の範囲で、積層したセラミックグリーンシート14が位置ずれしないように、また、軟化した第1のセラミックグリーンシート層12を第2のセラミックグリーンシート層13およびその上に形成された導体層15のパターン形状に追従して変形するのを補助するために押さえる程度の加圧を行なうと、より精度よく確実な圧着が可能となる。
Next, as shown in FIG. 1 (d), the stacked ceramic
この場合の加圧は、例えば、約0.5MPa程度であり、従来の4〜20MPaという大きな圧力に比べて、約1/8〜1/40と非常に小さい圧力である。 The pressurization in this case is about 0.5 MPa, for example, and is a very small pressure of about 1/8 to 1/40 compared to the conventional high pressure of 4 to 20 MPa.
このように、上下のセラミックグリーンシートの間を密着させる際、溶融成分の融点以上に加熱するのみ、または、加熱するとともに、非常に小さい圧力で加圧するのみであるため、薄い凹部2の底面に、凹部2を取り囲む部位を介して大きな応力が作用することはなく、薄いグリーンシートに褶曲、変形が生じることを効果的に防止することができる。
As described above, when the upper and lower ceramic green sheets are brought into close contact with each other, only heating to the melting point or higher of the molten component, or heating and pressurization with a very small pressure are performed. A large stress does not act through the portion surrounding the
セラミックグリーンシート積層体16を作製する工程において、第1のセラミックグリーンシート層12は加熱時に溶融する溶融成分を含有することから、導体層15が形成されたセラミックグリーンシート14を積層して加熱した際に第1のセラミックグリーンシート層12が軟化するので、第1のセラミックグリーンシート層12はその下に位置する別のセラミックグリーンシート14の第2のセラミックグリーンシート層13およびその上に形成された導体層15の形状に追従して変形することとなる。これにより導体層15の周囲や導体層15間に空隙が発生することなくセラミックグリーンシート14同士が密着することとなり、セラミックグリーンシート積層体16を焼成して得られる電子部品はデラミネーションの発生のないものとなる。
In the process of producing the ceramic
また、第1のセラミックグリーンシート層12は、加熱時に溶融する溶融成分を含有することから、加熱のみで第1のセラミックグリーンシート層12が軟化して接着性を有するものとなるので、大きな加圧力によりセラミックグリーンシート14を圧着させる必要がない。そして、導体層15の形成される第2のセラミックグリーンシート層13は加熱時に溶融する溶融成分を含有しないことから、第2のセラミックグリーンシート層13は加熱時に変形することはなく、積層したセラミックグリーンシート14が位置ずれしないように、また、軟化した第1のセラミックグリーンシート層12を第2のセラミックグリーンシート層13およびその上に形成された導体層15のパターンの形状に追従して変形するのを補助するために押さえる程度では変形しないものである。よって、セラミックグリーンシート14およびその上に形成された導体層15の形状が変形することがなく、さらに加圧によるグリーンシート14への歪がなく得られるセラミックグリーンシート積層体16およびそれを焼成して得られるセラミック基板3(電子部品収納用パッケージ5)は、高い寸法精度を有するとともに、凹部2の底面における反り等の変形が効果的に防止されたものとなる。
In addition, since the first ceramic
例えば、4MPa〜20MPa程度の大きな圧力で上下のセラミック層を加圧する必要のある従来のグリーンシートを用いた場合、セラミックグリーンシート積層体16およびセラミック基板の凹部2底面における平面度、等高線の間隔を10μmとしたモアレ干渉法により測定したときに生じる干渉縞が7本〜9本と、干渉縞の数が5本を大きく超えるものであったが、上記のように溶融成分を含有する第1のセラミックグリーンシート層12を用いた場合、セラミックグリーンシート積層体16およびセラミック基板3の凹部2底面における干渉縞の数は1本〜5本程度となり、大幅に平面度が向上することが実験により判明した。なお、上記例は、凹部2の底面積が25mm2〜121mm2の場合である。
For example, when a conventional green sheet that needs to pressurize the upper and lower ceramic layers with a large pressure of about 4 MPa to 20 MPa is used, the flatness and the interval between the contour lines on the bottom surface of the
図1(d)の最下部に位置するセラミックグリーンシート、つまり凹部2の底面を形成するセラミックグリーンシートとしては、第2のセラミックグリーンシート層3のみで構成されるセラミックグリーンシート4’を用いればよい。また、基体1の両主面に配線導体4が露出するような電子部品収納用パッケージの場合は、最下部のセラミックグリーンシート14’の両面に導体層15を形成したものを用いればよい。
As the ceramic green sheet positioned at the bottom of FIG. 1D, that is, the ceramic green sheet forming the bottom surface of the
そして最後に、セラミックグリーンシート積層体16を焼成することにより本発明のセラミック基板3(電子部品収納用パッケージ5)が作製される。焼成する工程は有機成分の除去とセラミック粉末の焼結とから成る。
Finally, the ceramic
有機成分の除去は100〜800℃の温度範囲でセラミックグリーンシート積層体16を加熱することによって行い、有機成分を分解、揮発させ、焼結温度はセラミック組成により異なり、約800〜1600℃の範囲内で行なう。焼成雰囲気はセラミック粉末や導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等で行なわれ、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。
Removal of the organic component is performed by heating the ceramic
セラミック材料としてガラスセラミックスのような低温焼結材料を用いる場合は、セラミックグリーンシート積層体16の上下面にさらに拘束グリーンシートを積層して焼成し、焼成後に拘束シートを除去するようにすれば、より高寸法精度のセラミック基板3を得ることが可能となる。拘束グリーンシートは、Al2O3等の難焼結性無機材料を主成分とするグリーンシートであり、焼成時に収縮しないものである。この拘束グリーンシートが積層された積層体は、収縮しない拘束グリーンシートにより積層平面方向(xy平面方向)の収縮が抑制され、積層方向(z方向)にのみ収縮するので、焼成収縮に伴う寸法ばらつきが抑制される。このときの拘束グリーンシートも本発明のセラミックグリーンシート14と同様の第1のセラミックグリーンシート層12と第2のセラミックグリーンシート層13とを有する構成にすると、拘束グリーンシートを積層して圧着する際にも大きな加圧力を必要とせず、得られるセラミック基板3(電子部品収納用パッケージ5)はより高寸法精度のものとなるのでよい。
When a low-temperature sintered material such as glass ceramic is used as the ceramic material, if a constrained green sheet is further laminated on the upper and lower surfaces of the ceramic
また、拘束グリーンシートには難焼結性無機成分に加えて、焼成温度以下の軟化点を有
するガラス成分、例えばセラミックグリーンシート14中のガラスと同じガラスを含有させるとよい。焼成中にこのガラスが軟化してセラミックグリーンシート14と結合することによりセラミックグリーンシート14と拘束グリーンシートとの結合が強固なものとなり、より確実な拘束力が得られるからである。このときのガラス量は難焼結性無機成分とガラス成分を合わせた無機成分に対して0.5〜15質量%とすると拘束力が向上し、かつ拘束グリーンシートの焼成収縮が0.5%以下に抑えられる。
In addition to the hardly sinterable inorganic component, the constrained green sheet may contain a glass component having a softening point equal to or lower than the firing temperature, for example, the same glass as the glass in the ceramic
焼成後、拘束シートを除去する。除去方法としては、例えばウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト(砥粒と水とを空気圧により噴射させる方法)等が挙げられる。 After firing, the constraining sheet is removed. Examples of the removing method include water jet, chemical blasting, sand blasting, wet blasting (a method of spraying abrasive grains and water by air pressure) and the like.
なお、上記のようにウォーターブラスト等のブラスト加工を行う際、拘束シートを除去した後、薄い凹部2の底面に直接ブラストの噴射が当たらないようにする必要がある。凹部の底面に直接ブラストの噴射が当たると、凹部2の底面において基体1に割れ等の不具合を生じるおそれがある。
In addition, when performing blasting such as water blasting as described above, it is necessary to prevent blasting from directly hitting the bottom surface of the
以上のような方法で作製されたセラミック基板3(電子部品収納用パッケージ5)は、その内部にデラミネーションを有さず寸法精度の高いものであるので、セラミック基板3(電子部品収納用パッケージ5)として要求される優れた電気特性や気密性の高いものとなる。
Since the ceramic substrate 3 (electronic component storage package 5) manufactured by the above method does not have delamination inside and has high dimensional accuracy, the ceramic substrate 3 (electronic
1・・・基体
2・・・凹部
3・・・セラミック基板
4・・・配線導体
5・・・電子部品収納用パッケージ
6・・・電子部品
7・・・電子装置
8・・・ボンディングワイヤ
9・・・蓋体
11・・支持体
12・・第1のセラミックグリーンシート層
13・・第2のセラミックグリーンシート層
14・・セラミックグリーンシート
15・・導体層
DESCRIPTION OF
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