JP2005276310A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005276310A JP2005276310A JP2004087415A JP2004087415A JP2005276310A JP 2005276310 A JP2005276310 A JP 2005276310A JP 2004087415 A JP2004087415 A JP 2004087415A JP 2004087415 A JP2004087415 A JP 2004087415A JP 2005276310 A JP2005276310 A JP 2005276310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- data line
- data
- voltage
- memory cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【課題】データ読み出し時間を高速化する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、しきい値電圧の変化によりデータを記憶するメモリセルMCが複数個配置されたメモリセルアレイ1と、前記メモリセルMCに接続された複数のビット線BLと、前記複数のビット線BLを夫々選択し、且つ前記複数のビット線BLに対応して設けられた複数のカラム選択回路3と、前記複数のカラム選択回路3に共通して接続されたデータ線DLと、前記データ線DLの電圧値が第1電圧値以上か否かに基づいてデータの読み出しを行う読み出し回路7と、前記第1電圧値より大きく且つ電源電圧より小さい第2電圧値に前記データ線を充電する充電回路8とを含む。
【選択図】 図3
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、しきい値電圧の変化によりデータを記憶するメモリセルMCが複数個配置されたメモリセルアレイ1と、前記メモリセルMCに接続された複数のビット線BLと、前記複数のビット線BLを夫々選択し、且つ前記複数のビット線BLに対応して設けられた複数のカラム選択回路3と、前記複数のカラム選択回路3に共通して接続されたデータ線DLと、前記データ線DLの電圧値が第1電圧値以上か否かに基づいてデータの読み出しを行う読み出し回路7と、前記第1電圧値より大きく且つ電源電圧より小さい第2電圧値に前記データ線を充電する充電回路8とを含む。
【選択図】 図3
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に係り、特に不揮発性半導体記憶装置のデータ読み出し回路に関する。
半導体記憶装置として、不揮発にデータを記憶して電気的書き換えを可能としたEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)が知られている。EEPROMの中で、複数のメモリセルを一括消去するタイプのものは、フラッシュメモリと称されている。フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルは、しきい値電圧の変化によりデータを記憶する。このメモリセルからデータを読み出す場合、一般的に電流読み出し型のセンスアンプ回路が用いられる。このセンスアンプ回路として、メモリセルからデータが読み出されるビット線の電位を参照データ線の参照電位と比較してデータ読み出しを行う方式が多く用いられる。このようなセンスアンプ回路は、例えば差動アンプ回路により構成される。
ところが、メモリセルの動作電圧が低下してくると、差動アンプ回路を使用した読み出しが難しくなってくる。このため、ビット線を一度電源電圧まで充電した後、メモリセルにより電流が放電されるか否かで記憶データの判定を行う読み出し方式が使用される。
この読み出し方式の場合、データの読み出し時間は、ビット線を充電する時間と、充電されたビット線を読み出し回路のしきい値電圧までメモリセルが放電する時間との和で決定される。ビット線BLの容量をCbl、電源電圧をVcc、充電電流をIpcとすると、充電時間Tpcは以下の式となる。
Tpc=Cbl×Vcc/Ipc
メモリセル電流をIcell、読み出し回路しきい値電圧をVsとすると、放電時間Tdcは以下の式となる。
メモリセル電流をIcell、読み出し回路しきい値電圧をVsとすると、放電時間Tdcは以下の式となる。
Tdc=Cbl×(Vcc−Vs)/Icell
前述したように、データ読み出し時間は、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和となる。上記各式から、データ読み出し時間は、電源電圧Vccに対する依存度が大きいことが分かる。よって、電源電圧Vccの変動が、データ読み出し時間に大きな影響を及ぼす。
前述したように、データ読み出し時間は、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和となる。上記各式から、データ読み出し時間は、電源電圧Vccに対する依存度が大きいことが分かる。よって、電源電圧Vccの変動が、データ読み出し時間に大きな影響を及ぼす。
また、例えば読み出し回路をN型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタとからなるインバータ回路で構成した場合、インバータ回路の特性が製造プロセスや温度等によって変化する。これは、読み出し回路のしきい値電圧Vsの変動につながり、この結果上記データ読み出し時間のバラツキが発生するという問題がある。
さらに、メモリセルの動作電圧が低下してくると、電源電圧Vccとの差が大きくなる。よって、メモリセルが電源電圧Vccをしきい値電圧Vsまで放電する時間が長くなる。これにより、上記データ読み出し時間の高速化が困難となってしまうという問題がある。
またこの種の関連技術として、メモリセルデータの読み出し動作を高速化する技術が開示されている。
特開2001−312895号公報
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、電源電圧の変動、製造プロセス及び温度に起因するデータ読み出し時間のバラツキを抑制し、且つデータ読み出し時間の高速化が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の一視点に係る不揮発性半導体記憶装置は、しきい値電圧の変化によりデータを記憶するメモリセルが複数個配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルに接続された複数のビット線と、前記複数のビット線を夫々選択し、且つ前記複数のビット線に対応して設けられた複数のカラム選択回路と、前記複数のカラム選択回路に共通して接続されたデータ線と、前記データ線の電圧値が第1電圧値以上か否かに基づいてデータの読み出しを行う読み出し回路と、前記第1電圧値より大きく且つ電源電圧より小さい第2電圧値に前記データ線を充電する充電回路とを含む。
本発明によれば、電源電圧の変動、製造プロセス及び温度に起因するデータ読み出し時間のバラツキを抑制し、且つデータ読み出し時間の高速化が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図1において、メモリセルMCがマトリクス状に配置されてメモリセルアレイ1が設けられている。メモリセルアレイ1上には、ロウ方向に延びる複数のワード線WLと、カラム方向に延びる複数のビット線BLとがそれぞれ配置されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。図1において、メモリセルMCがマトリクス状に配置されてメモリセルアレイ1が設けられている。メモリセルアレイ1上には、ロウ方向に延びる複数のワード線WLと、カラム方向に延びる複数のビット線BLとがそれぞれ配置されている。
メモリセルアレイ1には、ワード線WLを介してロウデコーダ2が接続されている。ロウデコーダ2は、ロウアドレスに基づいてワード線WLを活性化する。このロウアドレスは、外部回路からアドレスバッファ(図示せず)に入力されたアドレスに基づいて生成される。またロウデコーダ2には、内部電源生成回路(図示せず)によりワード線WLを駆動するための所定電圧が供給されている。
メモリセルアレイ1には、ビット線BLを介してカラムゲート3が接続されている。カラムゲート3には、カラムデコーダ4が接続されている。カラムデコーダ4は、カラムアドレスをデコードする。このカラムアドレスは、外部回路から上記アドレスバッファに入力されたアドレスに基づいて生成される。そしてカラムデコーダ4は、カラム選択信号COLをカラムゲート3に供給する。またカラムデコーダ4には、上記内部電源生成回路によりカラム選択信号COLを活性化するための所定電圧が供給されている。カラムゲート3は、カラム選択信号COLに基づいて1本のビット線BLを選択する。
カラムゲート3には、複数のビット線BLに対して共通に設けられたデータ線DLが接続されている。またカラムゲート3には、上記データ線DLを介して読み出し回路6が接続されている。読み出し回路6は、メモリセルアレイ1からデータ線DLに転送されたデータの読み出しを行う。
読み出し回路6には、出力回路5が接続されている。読み出し回路6により読み出されたデータは、出力回路5により外部回路に出力される。
図2は、図1に示した読み出し回路6の構成を示すブロック図である。読み出し回路6は、読み出し部7と、充電回路8と、充電制御回路9と、リセット回路10と、リセット制御回路11とにより構成されている。
読み出し部7は、データ線DLの電位に応じて、“0”データ或いは“1”データを判定する。充電回路8は、メモリセルアレイ1からデータを読み出す前に、データ線DLを所定電位に充電する。充電制御回路9は、データ線DLを充電するタイミングを制御する。具体的には、データ読み出し動作の初期動作としてデータ線DLを充電する。そしてデータ線DLが所定電位に充電された後に(或いはメモリセル電流が放電される前に)、充電動作を停止する。充電制御回路9は、上記タイミングに基づいてプリチャージ信号PRE/(“/”は、ローレベルが活性であることを示す)を生成する。このプリチャージ信号PRE/は、充電回路8に入力される。
充電回路8は、データ線DLを充電する。充電回路8は、プリチャージ信号PRE/に基づいて充電動作を行う。リセット制御回路11は、データ線DLを例えば接地電位に充電するタイミングを制御する。具体的には、充電制御回路9によりプリチャージ信号PRE/が活性化される直前にデータ線DLを接地電位に充電する。またリセット制御回路11は、データ読み出し動作が行われていない間に、予めデータ線DLを接地電位に充電しておくようにしてもよい。リセット制御回路11は、上記タイミングに基づいてリセット信号RSTを生成する。このリセット信号RSTは、リセット回路10に入力される。リセット回路10は、データ線DLを接地電位に充電する。リセット回路10は、リセット信号RSTに基づいてリセット動作を行う。
図3は、図1に示した不揮発性半導体記憶装置の主要部を示す回路図である。メモリセルMCは、例えば、電荷蓄積層としてのフローティングゲートと制御ゲート(図示せず)が積層されたMISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)構造を有する不揮発性メモリセルである。メモリセルMCのゲートは、ワード線WLに接続されている。メモリセルMCのソースには、接地電圧が供給されている。メモリセルMCのドレインは、ビット線BLに接続されている。
カラムゲート3は、複数のカラム選択トランジスタCT0〜CTnにより構成されている。カラム選択トランジスタCT0は、N型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタにより構成されている。カラム選択トランジスタCT0のゲートは、カラム選択信号COL0が供給されている。カラム選択トランジスタCT0のソースは、ビット線BL0に接続されている。カラム選択トランジスタCT0のドレインは、データ線DLに接続されている。また、他のカラム選択トランジスタCT1〜nのドレインは、データ線DLに接続されている。
読み出し部7は、例えばインバータ回路INV1により構成されている。インバータ回路INV1の入力部は、データ線DLに接続されている。インバータ回路INV1の出力部は、出力回路5に接続されている。
充電回路8は、充電トランジスタQP1と、バイアストランジスタQN1と、インバータ回路INV2とにより構成されている。充電トランジスタQP1は、例えばP型MOSトランジスタにより構成される。バイアストランジスタQN1は、例えばN型MOSトランジスタにより構成される。充電トランジスタQP1のゲートには、プリチャージ信号PRE/が供給されている。充電トランジスタQP1のソースには、電源電圧Vccが供給されている。充電トランジスタQP1のドレインは、バイアストランジスタQN1のソースが接続されている。
インバータ回路INV2の入力部は、データ線DLに接続されている。インバータ回路INV2の出力部は、バイアストランジスタQN1のゲートに接続されている。バイアストランジスタQN1のドレインは、データ線DLに接続されている。
リセット回路10は、N型MOSトランジスタQN2により構成されている。トランジスタQN2のドレインは、データ線DLに接続されている。トランジスタQN2のソースには、接地電圧が供給されている。
ところで、インバータ回路INV1とINV2とは、インバータ回路INV1のしきい値電圧Vt1とインバータ回路INV2のしきい値電圧Vt2とが、
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt1とは、インバータ回路INV1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化する際のインバータ回路INV1の入力部に入力される電圧値をいう。インバータ回路INV2についても同様である。
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt1とは、インバータ回路INV1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化する際のインバータ回路INV1の入力部に入力される電圧値をいう。インバータ回路INV2についても同様である。
図4は、図3に示したインバータ回路INV2の構成を示す回路図である。インバータ回路INV2は、P型MOSトランジスタQP2と、N型MOSトランジスタQN3とにより構成されている。また、インバータ回路INV1も同様の回路により構成されている。しきい値電圧Vt1とVt2は、P型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとの電流比を変化させることにより設定される。具体的には、電流比の変化は、トランジスタサイズを変更することにより行う。さらに具体的には、トランジスタのチャネル長を変更することにより行う。また、トランジスタのチャネル幅を変更することで、電流比を変化させてもよい。また、ソース及びドレインを形成する際に注入する不純物イオンの濃度を変更することで、電流比を変化させてもよい。
また、インバータ回路INV1及びINV2を構成するP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタは、同一の製造プロセスにより形成されている。
このように構成された不揮発性半導体記憶装置の動作について説明する。先ず、メモリセルMCの動作について説明する。メモリセルMCは、しきい値電圧の高い状態をデータ“0”(書き込み状態)、しきい値電圧の低い状態をデータ“1”(消去状態)としてデータ記憶を行う。なお、データ“0”を記憶しているメモリセルMCをOFFセルという。データ“1”を記憶しているメモリセルMCをONセルという。
データ書き込みは、ワード線WLに10V程度の書き込み電位を与え、ビット線BLにはデータ“0”,“1”に応じて、6V,0Vを与える。データ“0”が与えられたメモリセルMCでは、ドレイン−ソース間の大きな電界によりホットエレクトロンが生成され、これがフローティングゲートに注入される。データ“1”の場合には、このような電子注入は生じない。
これにより、フローティングゲートに電子が注入されてしきい値電圧が高くなった状態が“0”である。データ“1”の場合はホットエレクトロンが生成されず、従ってフローティングゲートに電子が注入されず、消去状態即ちしきい値電圧の低いデータ“1”状態を保持する。
データ消去は、ブロック単位で一括消去が行われる。選択されたブロック内の全ワード線WLに−7V程度の電圧を印加する。これにより、ブロック内のメモリセルMCのゲート絶縁膜に大きな電界がかかり、Fowler−Nordheimトンネル電流(FNトンネル電流)によりフローティングゲートの電子が放出されて、データ“1”の消去状態になる。
データ読み出しは、メモリセルMCが有するしきい値電圧に基づいて生じるメモリセルMCの電流引き込みの有無により判定される。
次に、データ読み出し動作について説明する。先ず、データ読み出し動作を行う前に、リセット信号RSTをハイレベルにする。これにより、トランジスタQN2がオンし、データ線DLが接地電位になる。また、データ線DLが接地電位になると、インバータ回路INV2の出力は、ハイレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オンする。その後、リセット信号RSTをローレベルにする。
次に、プリチャージ信号PRE/をローレベルにする。さらに、カラム選択信号COL0をハイレベルにする。これにより、データ線DL及びビット線BL0の充電が開始される。そして、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt1まで充電されると、インバータ回路INV1の出力がローレベルになる。
次に、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt2まで充電されると、インバータ回路INV2の出力がローレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オフする。このとき、インバータ回路INV1の出力は、Vt1<Vt2の関係よりローレベルのままである。
次に、プリチャージ信号PRE/をハイレベルにする。これにより、電源電圧Vccの供給が停止される。さらに、ワード線WLをハイレベルにする。これにより、メモリセルMCのしきい値電圧に基づくメモリセル電流Icellによりデータ線DLおよびビット線BL0の電圧が放電される。
ここで、メモリセルMCがOFFセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は高い状態にある。よって、Icellは略“0”であるため、インバータ回路INV1の出力はローレベルが保持される。一方、メモリセルMCがONセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は低い状態にある。よって、データ線DLの電圧Vdlは、メモリセルMCに向かって放電される。そして、データ線DLの電圧VdlがVdl<Vt1になるまで放電されたところでインバータ回路INV1の出力はハイレベルとなる。このようにして、データ読出し動作が行われる。
ビット線BLの容量をCbl、データ線DLの容量をCdl、充電電流をIpcとすると、充電時間Tpc及び放電時間Tdcは以下の式となる。
Tpc=(Cbl+Cdl)×Vt2/Ipc
Tdc=(Cbl+Cdl)×(Vt2−Vt1)/Icell
データ読み出し時間は、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和となる。
Tdc=(Cbl+Cdl)×(Vt2−Vt1)/Icell
データ読み出し時間は、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和となる。
上記各式から、データ読み出し時間は、電源電圧Vccに依存度しないことが分かる。よって、電源電圧Vccの変動に対して、データ読み出し時間への影響を防止することが可能となる。
また、電圧Vt2は電圧Vccより小さいため、データ線DLを電源電圧Vccに充電する場合と比べて充電時間Tpc及び放電時間Tdcを短くすることができる。また、インバータ回路INV1とINV2との同一の製造プロセスにより形成した場合、しきい値電圧Vt1とVt2とのバラツキは、同じ方向にバラツキが発生する。これにより、電圧値(Vt2−Vt1)のバラツキが小さくなるため、放電時間Tdcのバラツキを小さくすることができる。
上記説明したような充電回路8を備えることにより、充電制御回路9は、データ線DLがしきい値電圧Vt2になった時点でプリチャージ信号PRE/をハイレベルにすることが可能となる。このような構成にするために、例えば充電制御回路9がデータ線DLの電位を検出する回路をさらに備え、データ線DLがしきい値電圧Vt2になった時点で、プリチャージ信号PRE/をハイレベルにするようにしてもよい。そして、外部回路は、プリチャージ信号PRE/がハイレベルになった時点で、ワード線WLを活性化する。このような構成にすることで、図1に示した不揮発性半導体記憶装置を備えた装置のデータ読み出し時間を高速化することができる。
また、外部回路がデータ線DLがしきい値電圧Vt2になったか否かを検出する。そして、データ線DLがしきい値電圧Vt2になった時点で、ワード線WLを活性化するように構成してもよい。また、充電を開始してからデータ線DLがしきい値電圧Vt2になるまでの時間が略一定である場合には、上記時間が経過した後にワード線WLを活性化するように構成してもよい。このような構成にすることで、図1に示した不揮発性半導体記憶装置を備えた装置のデータ読み出し時間を高速化することができる。
以上詳述したように本実施形態では、読み出し部7がデータを判定するしきい値電圧Vt1より大きく、且つ電源電圧Vccより小さいしきい値電圧Vt1にデータ線DL及びビット線BLを充電するようにしている。
したがって本実施形態によれば、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和であるデータ読み出し時間を高速化することができる。
また、データ読み出し時間を電源電圧Vccに依存度しないようにすることで、電源電圧Vccの変動に対して、データ読み出し時間への影響を防止することができる。
また、インバータ回路INV1とINV2とを同一の製造プロセスにより形成しているため、しきい値電圧Vt1とVt2とのバラツキは、同じ方向にバラツキが発生する。これにより、放電時間Tdcのバラツキを小さくすることができる。
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図である。リセット制御回路11は、リセット信号RST/を生成する。リセット制御回路11は、データ読み出し動作が行われていない間は、リセット信号RST/をローレベルにする。一方リセット制御回路11は、データ読み出し動作が開始されると、リセット信号RST/をハイレベルにする。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図である。リセット制御回路11は、リセット信号RST/を生成する。リセット制御回路11は、データ読み出し動作が行われていない間は、リセット信号RST/をローレベルにする。一方リセット制御回路11は、データ読み出し動作が開始されると、リセット信号RST/をハイレベルにする。
充電回路8は、充電トランジスタQP1と、バイアストランジスタQN1と、NAND回路NA1とにより構成されている。NAND回路NA1の第1入力部には、リセット信号RST/が供給されている。NAND回路NA1の第2入力部は、データ線DLに接続されている。NAND回路NA1の出力部は、バイアストランジスタQN1のゲートに接続されている。
なお、本実施形態において、リセット回路10は設けられていない。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。
ところで、インバータ回路INV1とNAND回路NA1とは、インバータ回路INV1のしきい値電圧Vt1とNAND回路NA1のしきい値電圧Vt2とが、
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt2とは、NAND回路NA1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化するときの、上記第1或いは第2入力部に入力される電圧値をいう。
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt2とは、NAND回路NA1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化するときの、上記第1或いは第2入力部に入力される電圧値をいう。
また、インバータ回路INV1とNAND回路NA1とは、同一の製造プロセスにより形成されている。
このように構成された不揮発性半導体記憶装置の動作について説明する。先ず、データ読み出し動作を行う前に、リセット信号RST/をローレベルにする。すると、NAND回路NA1の出力は、ハイレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オンする。
次に、プリチャージ信号PRE/をローレベルにする。さらに、カラム選択信号COL0をハイレベルにする。これにより、データ線DL及びビット線BL0の充電が開始される。充電が開始された後、リセット信号RST/をハイレベルにする。そして、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt1まで充電されると、インバータ回路INV1の出力がローレベルになる。
次に、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt2まで充電されると、NAND回路NA1の出力がローレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オフする。このとき、インバータ回路INV1の出力は、Vt1<Vt2の関係よりローレベルのままである。
次に、プリチャージ信号PRE/をハイレベルにする。これにより、電源電圧Vccの供給が停止される。さらに、ワード線WLをハイレベルにする。これにより、メモリセルMCのしきい値電圧に基づくメモリセル電流Icellによりデータ線DLおよびビット線BL0の電圧が放電される。
ここで、メモリセルMCがOFFセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は高い状態にある。よって、Icellは略“0”であるため、インバータ回路INV1の出力はローレベルが保持される。一方、メモリセルMCがONセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は低い状態にある。よって、データ線DLの電圧Vdlは、メモリセルMCに向かって放電される。そして、データ線DLの電圧VdlがVdl<Vt1になるまで放電されたところでインバータ回路INV1の出力はハイレベルとなる。このようにして、データ読出し動作が行われる。なお、充電時間Tpc及び放電時間Tdcの関係式は、上記第1の実施形態と同じである。
以上詳述したように本実施形態では、読み出し部7がデータを判定するしきい値電圧Vt1より大きく、且つ電源電圧Vccより小さいしきい値電圧Vt1にデータ線DL及びビット線BLを充電するようにしている。さらに、バイアストランジスタQN1の制御にNAND回路NA1を用い、リセット回路10を省略して不揮発性半導体記憶装置を構成している。
したがって本実施形態によれば、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和であるデータ読み出し時間を高速化することができる。
また、データ読み出し時間を電源電圧Vccに依存度しないようにすることで、電源電圧Vccの変動に対して、データ読み出し時間への影響を防止することができる。
また、インバータ回路INV1とNAND回路NA1とを同一の製造プロセスにより形成しているため、しきい値電圧Vt1とVt2とのバラツキは、同じ方向にバラツキが発生する。これにより、放電時間Tdcのバラツキを小さくすることができる。
また、リセット回路10を用いていないため、回路面積を縮小することができる。
図6は、不揮発性半導体記憶装置の他の構成例である。図6において、読み出し部7は、NAND回路NA2により構成されている。NAND回路NA2の第1入力部には、リセット制御回路11からリセット信号RST/が供給されている。NAND回路NA2の第2入力部は、データ線DLに接続されている。NAND回路NA2の出力部は、出力回路5に接続されている。なお、NAND回路NA2の第1入力部には、電源電圧Vccを供給するようにしてもよい。
このように構成された不揮発性半導体記憶装置において、NAND回路NA2のしきい値電圧Vt1とNAND回路NA1のしきい値電圧Vt2とが、
Vt1<Vt2
の関係を満足するようにNAND回路NA1とNA2とを構成することで、上記同様の効果を得ることができる。
Vt1<Vt2
の関係を満足するようにNAND回路NA1とNA2とを構成することで、上記同様の効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図7は、本発明の第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図である。リセット制御回路11は、常にローレベルのリセット信号RST/を生成する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図である。リセット制御回路11は、常にローレベルのリセット信号RST/を生成する。
読み出し部7は、NOR回路NR1により構成されている。NOR回路NR1の第1入力部には、リセット制御回路11からリセット信号RST/が供給されている。NOR回路NR1の第2入力部は、データ線DLに接続されている。NOR回路NR1の出力部は、出力回路5に接続されている。なお、NOR回路NR1の第1入力部には、接地電圧を供給するようにしてもよい。
充電回路8は、充電トランジスタQP1と、バイアストランジスタQN1と、NOR回路NR2とにより構成されている。NOR回路NR2の第1入力部には、リセット信号RST/が供給されている。NOR回路NR2の第2入力部は、データ線DLに接続されている。NOR回路NR2の出力部は、バイアストランジスタQN1のゲートに接続されている。なお、NOR回路NR2の第1入力部には、接地電圧を供給するようにしてもよい。
ところで、NOR回路NR1とNOR回路NR2とは、NOR回路NR1のしきい値電圧Vt1とNOR回路NR2のしきい値電圧Vt2とが、
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt1とは、NOR回路NR1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化するときの、上記第1或いは第2入力部に入力される電圧値をいう。
Vt1<Vt2
の関係を満足するよう構成される。また、しきい値電圧Vt1とVt2とは、電源電圧Vccより小さくなるように設定される。なお、しきい値電圧Vt1とは、NOR回路NR1の出力が、ハイレベルからローレベルに変化するときの、上記第1或いは第2入力部に入力される電圧値をいう。
また、NOR回路NR1とNOR回路NR2とは、同一の製造プロセスにより形成されている。
このように構成された不揮発性半導体記憶装置の動作について説明する。先ず、データ読み出し動作を行う前に、リセット信号RST/をローレベルにする。すると、NOR回路NR2の出力は、ハイレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オンする。
次に、プリチャージ信号PRE/をローレベルにする。さらに、カラム選択信号COL0をハイレベルにする。これにより、データ線DL及びビット線BL0の充電が開始される。そして、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt1まで充電されると、NOR回路NR1の出力がローレベルになる。
次に、データ線DLの電圧Vdlがしきい値電圧Vt2まで充電されると、NOR回路NR2の出力がローレベルになる。これにより、バイアストランジスタQN1は、オフする。このとき、NOR回路NR1の出力は、Vt1<Vt2の関係よりローレベルのままである。
次に、プリチャージ信号PRE/をハイレベルにする。これにより、電源電圧Vccの供給が停止される。さらに、ワード線WLをハイレベルにする。これにより、メモリセルMCのしきい値電圧に基づくメモリセル電流Icellによりデータ線DLおよびビット線BL0の電圧が放電される。
ここで、メモリセルMCがOFFセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は高い状態にある。よって、Icellは略“0”であるため、NOR回路NR1の出力はローレベルが保持される。一方、メモリセルMCがONセルの場合は、メモリセルMCのしきい値電圧は低い状態にある。よって、データ線DLの電圧Vdlは、メモリセルMCに向かって放電される。そして、データ線DLの電圧VdlがVdl<Vt1になるまで放電されたところでNOR回路NR1の出力はハイレベルとなる。このようにして、データ読出し動作が行われる。なお、充電時間Tpc及び放電時間Tdcの関係式は、上記第1の実施形態と同じである。
以上詳述したように本実施形態では、読み出し部7がデータを判定するしきい値電圧Vt1より大きく、且つ電源電圧Vccより小さいしきい値電圧Vt1にデータ線DL及びビット線BLを充電するようにしている。さらに、読み出し部7と充電回路8とにNOR回路を用いて不揮発性半導体記憶装置を構成している。
したがって本実施形態によれば、充電時間Tpcと放電時間Tdcとの和であるデータ読み出し時間を高速化することができる。
また、データ読み出し時間を電源電圧Vccに依存度しないようにすることで、電源電圧Vccの変動に対して、データ読み出し時間への影響を防止することができる。
また、NOR回路NR1とNOR回路NR2とを同一の製造プロセスにより形成しているため、しきい値電圧Vt1とVt2とのバラツキは、同じ方向にバラツキが発生する。これにより、放電時間Tdcのバラツキを小さくすることができる。
なお、読み出し部7は、インバータ回路により構成してもよい。このような構成にしても、上記同様の効果を得ることができる。
この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その他、本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形して実施可能である。
Vcc…電源電圧、MC…メモリセル、BL…ビット線、WL…ワード線、DL…データ線、NA1,NA2…NAND回路、NR1,NR2…NOR回路、CT0〜CTn…カラム選択トランジスタ、INV1,INV2…インバータ回路、QP1…充電トランジスタ、QN1…バイアストランジスタ、QN2,QN3…N型MOSトランジスタ、QP2…P型MOSトランジスタ、1…メモリセルアレイ、2…ロウデコーダ、3…カラムゲート、4…カラムデコーダ、5…出力回路、6…読み出し回路、7…読み出し部、8…充電回路、9…充電制御回路、10…リセット回路、11…リセット制御回路。
Claims (5)
- しきい値電圧の変化によりデータを記憶するメモリセルが複数個配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続された複数のビット線と、
前記複数のビット線を夫々選択し、且つ前記複数のビット線に対応して設けられた複数のカラム選択回路と、
前記複数のカラム選択回路に共通して接続されたデータ線と、
前記データ線の電圧値が第1電圧値以上か否かに基づいてデータの読み出しを行う読み出し回路と、
前記第1電圧値より大きく且つ電源電圧より小さい第2電圧値に前記データ線を充電する充電回路と、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記充電回路は、前記電源電圧が入力される電源電圧端子と、前記電源電圧を前記データ線に供給し、且つ前記データ線の電圧値が前記第2電圧値に到達した場合に前記電源電圧の供給を停止する充電制御回路とを含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記読み出し回路は、第1インバータ回路からなり、
前記充電制御回路は、前記電源電圧端子と前記データ線との間に接続された第1N型MOSトランジスタと、入力部が前記データ線に接続され、出力部が前記第1N型MOSトランジスタのゲートに接続された第2インバータ回路とを有することを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2インバータ回路は、第2N型MOSトランジスタと第1P型MOSトランジスタとからなり、
前記第2電圧値は、前記第2N型MOSトランジスタと第1P型MOSトランジスタとのサイズの比率を変えることにより設定されることを特徴とする請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイからデータを読み出す前に、前記データ線の電圧を接地電圧にリセットするリセット回路をさらに具備することを特徴とする請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087415A JP2005276310A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087415A JP2005276310A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005276310A true JP2005276310A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=35175815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004087415A Pending JP2005276310A (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005276310A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007133927A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2011529242A (ja) * | 2008-07-28 | 2011-12-01 | エヌエックスピー ビー ヴィ | フィードバック・ループを備える電流検知増幅器 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087415A patent/JP2005276310A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007133927A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2011529242A (ja) * | 2008-07-28 | 2011-12-01 | エヌエックスピー ビー ヴィ | フィードバック・ループを備える電流検知増幅器 |
US8400857B2 (en) | 2008-07-28 | 2013-03-19 | Nxp B.V. | Circuit for sensing the content of a semiconductor memory cell |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4427382B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
TWI286754B (en) | Algorithm dynamic reference programming | |
TWI286755B (en) | System and method for multi-bit flash reads using dual dynamic references | |
US7450418B2 (en) | Non-volatile memory and operating method thereof | |
US20040027858A1 (en) | Nonvolatile memory having a trap layer | |
US7248504B2 (en) | Data processing device | |
JPH1093058A (ja) | フラッシュメモリ装置 | |
JP2010073246A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2006228275A (ja) | 半導体記憶装置及びその書き込み方法 | |
US5025417A (en) | Semiconductor memory device capable of preventing data of non-selected memory cell from being degraded | |
JPH11233653A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の消去方法 | |
US5293212A (en) | Non-volatile semiconductor memory device allowing erase of storage data of an arbitrary memory cell and method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device | |
JP4106028B2 (ja) | メモリ装置におけるソフトプログラム検証のための方法および装置 | |
US20110075489A1 (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
JP4252464B2 (ja) | 動的ページプログラムのためのリフレッシュ方法 | |
JP2007149291A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び書き込み方法 | |
US6934190B1 (en) | Ramp source hot-hole programming for trap based non-volatile memory devices | |
KR20050084562A (ko) | 비휘발성 메모리 및 그 기록 방법 | |
US7933150B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and programming method thereof | |
JP2011070712A (ja) | Nand型フラッシュメモリ | |
JP4737918B2 (ja) | ワード線及び選択線における電圧を正確に制御するためにフラッシュメモリxデコーダの容量性負荷を減少させる方法 | |
JP2009301691A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR0164354B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 데이타 독출 교란방지 회로 | |
JP2005276310A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2007080338A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその読み書き制御方法 |