JP2005274161A - Flaw inspection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被検査対象物の欠陥を検出する欠陥検査装置に関している。 The present invention relates to a defect inspection apparatus for detecting a defect of an object to be inspected.
従来、半導体等の基板を製造する際に、前記基板上には、種々の原因により欠陥が形成される場合がある。例えば、フォトリソグラフィ・プロセスにおいての基板表面に塗布されたレジストの膜厚むらや、前記レジストに付着した塵埃は、エッチング後の基板上のパターンの線幅不良や、前記パターン内のピンホールなどの欠陥の原因となる。また、パターンの露光においての合焦不良は、現像後のレジストの断面形状の形成不良の欠陥の原因となり、この結果、後工程においての不良の原因となる。 Conventionally, when a substrate such as a semiconductor is manufactured, defects may be formed on the substrate due to various causes. For example, the film thickness unevenness of the resist applied to the substrate surface in the photolithography process, the dust adhering to the resist, the line width defect of the pattern on the substrate after etching, the pinhole in the pattern, etc. Causes defects. In addition, the in-focus failure in pattern exposure causes a defect in formation of a cross-sectional shape of a resist after development, and as a result, causes a failure in a subsequent process.
このように、前記欠陥は製品不良の原因であるため、前記基板等の被検体に対して欠陥検出を行うとともに、この欠陥を修正する処理が、一般的に行われている。なお、前記欠陥を検出するために、欠陥検査装置が、一般的に用いられている。 As described above, since the defect is a cause of a product defect, a process of detecting a defect on the object such as the substrate and correcting the defect is generally performed. In order to detect the defect, a defect inspection apparatus is generally used.
例えば、前記従来の欠陥検査装置は、特許文献1に示されている。この特許文献1の従来の欠陥検査装置を、以下で、図7を参照して説明する。 For example, Patent Document 1 discloses the conventional defect inspection apparatus. The conventional defect inspection apparatus of Patent Document 1 will be described below with reference to FIG.
特許文献1の欠陥検査装置は、光源を有する照明部102と、照明部102により照射された光束を平行光束にするコリメートレンズ103とを具備している。照明部102とコリメートレンズ103とは、被検体表面の法線に対して入射角度θiで被検体を照明する。さらに、前記欠陥検査装置は、コリメートレンズ104と、結像レンズ106と、ラインイメージセンサ107とを具備している。コリメートレンズ104は、被検体である基板101により、基板101の表面の法線に対して、検査角度θで被検体101により反射、回折、散乱した光束を、収束させ、結像レンズ106に入射させる。
The defect inspection apparatus of Patent Document 1 includes an
この欠陥検査装置は、ラインイメージセンサ107の幅方向と直交する方向(図7中において、矢印AAで示される)に、基板101を前記欠陥検査装置に対して相対的に移動させる。この移動により、前記欠陥検査装置は、基板101全体を撮像し、検査画像を取得する。
This defect inspection apparatus moves the
この検査画像において、前記欠陥は、基板101により反射された光(反射光)の明暗により観察し得る。具体的には、膜厚むら等の欠陥は、前記正反射光の明暗となって現れる。また、合焦不良による欠陥は、回折光の明暗となって観察される。このように、上記欠陥は、正反射光並びに回折光の明暗により検出するため、最も明暗が明瞭な検査角度θdで基板101を撮像し得るように、複数の検査角度θdで基板101を撮像する。
In this inspection image, the defect can be observed by the brightness of light reflected by the substrate 101 (reflected light). Specifically, defects such as film thickness unevenness appear as the brightness of the regular reflection light. In addition, defects due to poor focusing are observed as the brightness of the diffracted light. As described above, since the defect is detected by the brightness of the specular reflection light and the diffracted light, the
そして、上述のように撮像された複数の検査画像は、欠陥を有していない基板を撮像した際の画像である参照画像と比較され、参照画像と検査画像との輝度の異なる部分を欠陥として抽出する。
一般的に、フォトリソグラフィ・プロセスにより、基板101の表面には、多層のパターンが形成されるとともに、これらのパターンのさらに上層に、レジスト層が形成される。従来の欠陥検査装置は、上層のレジスト層における欠陥の検査を行うことを目的としているが、上層のレジスト層より下層に欠陥がある場合、上層のレジスト層の欠陥と同時に下層の欠陥も検出してしまう。例えば、下層に膜厚むらがある場合、この膜厚むらがレジスト層を含めた下層との薄膜干渉により、照射された光の正反射光並びに回折光の強度に影響を与える。従って、検査画像において、上層のレジスト層の欠陥のみならず、下層の欠陥も、輝度の異なる部分として表出する虞を有している。即ち、従来の欠陥検査装置は、前記下層の欠陥の影響により、レジスト層の欠陥を、前記反射光の明暗を用いて検出することが困難になる場合がある。
In general, a multi-layer pattern is formed on the surface of the
上記課題を鑑みて、本発明の目的は、多層の被検体を検査する際に、対象の層のみの欠陥を検出出来る欠陥検査装置を提供することである。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a defect inspection apparatus capable of detecting defects only in a target layer when inspecting a multilayer object.
本発明の欠陥検査装置は、上記課題を鑑みて、以下の構成を有している。 In view of the above problems, the defect inspection apparatus of the present invention has the following configuration.
本発明の一態様の欠陥検査装置は、光源を備えており、前記光源からの光束を略平行光束にして、複数の層を有する被検体を照明する照明手段と、前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、互いに直交する2つの偏光成分に分岐させ、それぞれの被検体の像を結像する結像手段と、前記結像手段により結像された像の夫々を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された2つの画像から、前記被検体の複数の層のうち1つの層の欠陥を抽出する画像処理手段とを具備している。 A defect inspection apparatus according to an aspect of the present invention includes a light source, and a light beam emitted from the light source is made to be a substantially parallel light beam to illuminate a subject having a plurality of layers, and the subject is irradiated with the illumination unit. At least one of the specularly reflected light and diffracted light of the light beam is branched into two polarization components orthogonal to each other, and an image forming means for forming an image of each subject, and an image formed by the image forming means An image pickup means for picking up each image and an image processing means for extracting a defect in one layer among the plurality of layers of the subject from two images picked up by the image pickup means.
本発明は、多層の被検体を検査する際に、対象の層のみの欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供し得る。 The present invention can provide a defect inspection apparatus capable of detecting defects in only a target layer when inspecting a multilayer object.
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
本発明の一つの実施の形態に従った欠陥検査装置について図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施の形態に従った欠陥検査装置1を示す概略的な側面図である。図2は、図1中の欠陥検査装置1の制御系を示す概略的なブロック図である。なお、本実施の形態の欠陥検査装置1は、被検体として多層の基板101を検査する。なお、基板101は、最上層に、複数の周期パターンを有するレジスト層が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A defect inspection apparatus according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic side view showing a defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic block diagram showing a control system of the defect inspection apparatus 1 in FIG. In addition, the defect inspection apparatus 1 of this Embodiment inspects the
欠陥検査装置1は、ステージ2と、照明部3と、結像部4と、撮像部7,7’と、制御系200とを具備している。
本実施の形態において、ステージ2は基板101を吸着保持してX軸線に沿って移動させ得るように構成されている。また、本明細書中において、X、Z軸は、ステージ2に支持された基板101の表面の法線方向と実質的に一致する。なお、本実施の形態において、ステージ2は、基板101を、この基板101の長手方向がX軸と平行で幅方向がY軸と平行であるように支持している。また、本欠陥検出装置は、検査対象となる半導体ウエハの基板やFPD用ガラス基板をステージ2上に搬送する基板搬送ロボットを備えた図示しない被検体搬送部が並設されている。この被検体搬送部には、検査前の被検体である基板101を格納しているストッカー(カセット)と検査後の基板101に格納するストッカー(カセット)を有している。
The defect inspection apparatus 1 includes a
In the present embodiment, the
照明部3は、被検体である基板101を照明する照明手段であり、光源31と、コリメートレンズ32とを有している。このコリメートレンズ32は、自身を通過した光を線状の平行光に成形する。なお、コリメートレンズ32の形状は任意であるが、本実施の形態において、球面レンズの光軸に平行な2平面で切り出した形状を有している。また照明部3は、コリメートレンズ3の光軸と基板101の法線(Z軸)とのなす角度(入射角度)θiが変更可能なように図示しない回転機構を有する回転支持部により支持されている。また、このコリメートレンズ32は、光軸と交差する基板101の幅方向に沿った線状の領域を照明する。
The
光源31は、公知の構成の照明装置であり、本実施の形態において、ハロゲンランプとファイバー束とから構成されており、このファイバー束の出射端が上記回転支持部に支持される。光源31と出射点即ちファイバー束の出射端は、コリメートレンズ32の焦点上に配置される。 照明部3は、上述の光源31とコリメートレンズ32により、基板101の幅方向(Y方向)に対して、線状の照明光を照明する。本明細書中において、この照明部3により照明する領域を照明領域とする。
The
結像部4は、コリメートレンズ41と、偏光ビームスプリッタ42と、結像レンズ43,43’と撮像部7,7’を具備している。
結像部4は、コリメートレンズ41の光軸と基板101の法線(Z軸)とのなす角度(検査角度)θdが変更可能なように、図示しない回転機構を有する回転支持部により支持されている。コリメートレンズ41は、基板101の照明領域から発生した光(正反射光、回折光、拡散光等)を偏光ビームスプリッタ42に導く。
The imaging unit 4 includes a
The imaging unit 4 is supported by a rotation support unit having a rotation mechanism (not shown) so that an angle (inspection angle) θd formed by the optical axis of the
偏光ビームスプリッタ42は、コリメートレンズ41の光軸上に配置されており、コリメートレンズ41からの光束を、互いに直交する2つの偏光成分(p偏光とs偏光)に分岐する。また、偏光ビームスプリッタ42は、分岐した夫々の偏光成分を、結像レンズ43、43’に導く。結像レンズ43,43’は、偏光ビームスプリッタ42の各光路上に配置され、結像レンズ43,43’は、入射瞳がコリメートレンズ41の略焦点位置に配置される。また、結像レンズ43,43’は、コリメートレンズ41からの光束を、対応する撮像部7,7’上に結像させる。
The
撮像部7,7’は、公知の撮像装置であり、本実施の形態においては、ラインイメージセンサである。撮像部7,7’は、対応する結像レンズ43,43’による像を撮像する。この撮像部7,7’は、制御系200と接続されており、撮像した像を、制御系200に送る。 上記構成により、欠陥検査装置1は、照明部3を回転させることにより任意の入射角度θiで基板101を照明することができる。また欠陥検査装置1は、結像部4を回転させることにより任意の検査角度θdに設定し、前記照明領域で検査角度θdに発生した光を撮像部7,7’で撮影することができる。撮像部7は、偏光ビームスプリッタ42を透過した一方の偏光成分(例えば、S偏光)による前記照明領域の像を撮像し、撮像部7’は、偏光ビームスプリッタにより反射された他方の偏光成分による前記照明領域の像を撮像し得る。
The imaging units 7 and 7 ′ are known imaging devices, and are line image sensors in the present embodiment. The imaging units 7 and 7 ′ capture images by the corresponding
続いて、制御系200について、図2を参照して説明する。なお、図2中において、図面を簡略化するため、制御系200に接続されている撮像部として、撮像部7のみが示されている。なお撮像部7’も、上記撮像部7と同様に接続されている。
Next, the
制御系200は、ステージ制御部201と、駆動回路202と、光学系制御部203と、基板搬送制御部204と、画像インターフェース(画像I/F)205と、画像処理装置206と、モニタ207,210と、画像記憶装置208と、ホストコンピュータ209と、キーボード211と、メモリ212と、シーケンサ213と、を有している。
The
ステージ制御部201は、ステージ2と接続されており、ステージ2の駆動を制御する。
駆動回路202は、撮像部7,7’に接続されており、ステージ制御部201の制御と同期して撮像部7,7’の駆動を制御する。
光学系制御部203は、照明部3並びに結像部4と接続されており、これらの駆動を制御する。より具体的には、光学系制御部203は、照明部3の光量並びに位置等を制御するとともに、照明部3並びに結像部4の基板に対する角度(入射角度θi並びに検査角度θd)を制御する。
The stage control unit 201 is connected to the
The
The optical system control unit 203 is connected to the
基板搬送制御部204は、前述の被検体搬送部と接続されており、被検体搬送部の駆動を制御する。
画像I/F205は、撮像部7、7’並びに画像処理装置206に接続されている。撮像部7,7’により取得された画像は、この画像I/F203を介して、画像処理装置206に転送される。
The substrate transport control unit 204 is connected to the above-described subject transport unit, and controls the driving of the subject transport unit.
The image I /
画像処理装置206は、撮像部7,7’により取得された画像を画像処理し、後述する検査画像を作成する。なお、画像処理装置206は、ホストコンピュータ209と接続されており、ホストコンピュータ209により駆動が制御される。この画像処理装置206は、ホストコンピュータ209の制御に従って、前記検査画像から合焦不良などの欠陥を抽出する。また、画像処理装置206は、抽出した欠陥に関する欠陥の種類、数、位置、面積などの無欠陥データをホストコンピュータ209に送る。
また、本実施の形態のおいて、撮像部7,7’は、ラインイメージセンサである。このため、画像処理装置206は、撮像部7,7’から送られている1ラインづつの画像を再構成し、撮像部7,7’の夫々に対応した2つの検査画像を作成する。この画像処理装置206は、さらに、モニタ207と、画像記憶装置208と接続されている。
The
In the present embodiment, the imaging units 7 and 7 ′ are line image sensors. For this reason, the
モニタ207は、画像処理装置206により作成された処理画像と検査画像を表示する画像表示装置である。
画像記憶装置208は、処理画像並びに検査画像を格納するデータ格納装置である。
A
The
ホストコンピュータ209は、画像処理装置206、モニタ210、キーボード211、メモリ212,及びシーケンサ213と接続されている。ホストコンピュータ209は、画像処理装置206並びにシーケンサ213の駆動を制御し、この制御のための必要な設定を、モニタ210に制御メニューを表示する。
The
キーボード211は、前記制御メニュー及び/又はその他の制御に必要な命令並びに情報を、ホストコンピュータ209に対して入力するための入力装置である。
The
メモリ212は、前記制御に必要な制御情報を格納する記憶部である。前記制御情報とは、例えば、被検体の種類毎の検査条件(光学系の設定、検査面積、画像処理条件など)、検査データ、前記被検体と同一構成でかつ欠陥を有していない被検体を撮像した参照画像、製品不良を判定する際の不良判定基準、キーボードより入力された命令並びに情報などである。
The
シーケンサ213は、ステージ制御部201、駆動回路202、光学系制御部203、及び、基板搬送制御部204に接続されており、これらが制御する制御対象の駆動シーケンスを、これらに送る。また、シーケンサ213は、ホストコンピュータ209からの駆動命令を、これらに送る。
The
以下に、上記構成の欠陥検査装置1の動作について説明する。
欠陥検査装置1が被検体である基板101の検査を行う際に、まず、ユーザーが、キーボード211から基板101の種類と、検査開始の命令とを入力する。これらの入力されると、ホストコンピュータ209は、メモリ212中の制御情報の検査条件(レシピ)から、入力された基板101の種類に基づいて、該当する基板101に対応した検査条件を取得する。この基板101に対応した検査条件の取得後、ホストコンピュータ209は、前記取得した検査条件に基づいて、シーケンサ213を介して光学系制御部203に制御命令を出す。前記制御命令を受けた光学系制御部203は、前記取得した検査条件に応じた設定を、照明部3並びに結像部4に対して行う。なお、本実施の形態において、欠陥検査装置1は、基板101のレジスト層に対して、欠陥検出を行う。
Below, operation | movement of the defect inspection apparatus 1 of the said structure is demonstrated.
When the defect inspection apparatus 1 inspects the
また、ホストコンピュータ209は、前記検査条件の取得の前、途中、又は後において、シーケンサ213を介して、基板搬送制御部204並びにステージ制御部201に対して駆動命令を出す。この駆動命令を受けた基板搬送制御部204は、前記被検体搬送部を駆動させ、前記ストッカから基板101を1枚取り出すとともに、ステージ2上に配置する。また、ステージ2上に基板101が配置された際に、ステージ2は、ステージ制御部201の制御により、基板101を吸着保持するとともに、照明部3並びに結像部4に対して位置合わせを行う。
Further, the
このようにして、基板101に対応した検査条件の設定並びに基板101の位置合わせが行われる。これらが行われた後、ホストコンピュータ209は、撮像開始の命令をステージ制御部201,駆動回路202,及び光学系制御部203に出力する。
In this way, setting of inspection conditions corresponding to the
ステージ2は、撮像開始の命令に従って、基板101をX軸に沿って一定速度で移動させる。また、駆動回路202が、ステージ2の移動と同期して、撮像部7,7’により、1ラインづつの画像を撮像していき、この画像のデータを画像I/F205を介して、画像処理装置206に転送する。このステージ2並びに撮像部7,7’の撮像動作は、基板101の全面に亘って検査し得るように設定されており、基板101を全面に亘って撮像した際に完了する。
The
上記撮像動作が完了した後、続いて画像処理装置206は、画像I/F205から転送されてきた画像データから、撮像部7,7’の夫々に対応したP偏光成分とS偏光成分の検査画像を作成する。これら2つの検査画像は、基板101の表面のレジスト層及びその下層の構造を反映した輝度分布を有する画像である。なお、これらの2つの検査画像は、互い異なる偏光成分により撮像された画像であるため、上記構造を反映して、互いに異なる輝度分布を有している。この原因は、界面における反射率や、周期パターンの平均屈折率が、偏光の方向に依存して変化するためである。
After the imaging operation is completed, the
例えば、検査画像は、異なる偏向成分ごとに、図3並びに図4のように形成される。図3並びに図4中において、領域A1は、欠陥以外の領域である。領域A2並びにA3は、欠陥を示す領域である。また、領域A3は、基板101における最上層のレジスト層における欠陥を示す領域であり、図3並びに図4中において、実質的に同一な輝度値を有している。これに対して、領域A1とA2とは、上記偏向方向に依存した反射率等の変化により、図3並びに図4において、明暗が実質的に反転した輝度値になっている。
For example, the inspection image is formed as shown in FIGS. 3 and 4 for each different deflection component. In FIG. 3 and FIG. 4, a region A1 is a region other than a defect. Regions A2 and A3 are regions that show defects. The region A3 is a region showing a defect in the uppermost resist layer in the
続いて、画像処理装置206は、2つの検査画像を合成して、欠陥検査に用いられる合成検査画像を形成する。具体的には、合成検査画像は、2つの検査画像の互いに対応する位置のドット同士の輝度値を合成することにより形成される。なお、上述のように、2つの検査画像においてレジスト層の欠陥は、実質的に同一な輝度値を有しており、それら以外の領域は、明暗が実質的に反転した輝度値になっている。従って、形成された合成検査画像は、図5中に示すように、検査対象のレジスト層の欠陥と、それ以外の領域とが異なる輝度になるように、形成される。
Subsequently, the
このように合成検査画像が形成された後、ホストコンピュータ209は、画像処理装置206に欠陥検査命令を出す。画像処理装置206は、欠陥検査命令を受けると、メモリ212から、前記参照画像を取得する。続いて、画像処理装置206は、前記合成検査画像と、前記参照画像とを比較し、欠陥を抽出する。画像処理装置206は、この抽出により、欠陥の位置、面積、並びに種類などの欠陥関連データを取得し、欠陥関連データをこのホストコンピュータ209に送る。
After the composite inspection image is formed in this way, the
ホストコンピュータ209は、前記欠陥関連データを取得した際に、前記制御情報中の不良判定基準と、このデータとを比較し、基板101の良否を判定する。この判定後、被検体搬送部は、上記判定に従って、基板101を、良否に区分けし、前記ストッカに格納する。このようにして、基板101の検査は、終了する。
When the
このようにして、本実施の形態の欠陥検査装置1は、順次基板101の検査を行う。
本実施の形態の欠陥検査装置1は、上記構成並びに動作に示されるように、被検体から正反射並びに回折された少なくとも一方の光を、偏光ビームスプリッタ42により、互いに直交する2つの偏光成分の光に分割し得る。これとともに欠陥検査装置1は、上述のようにして分岐された互いに直交する2つの偏光成分の光により結像された夫々の像を撮像し得る。即ち、欠陥検査装置1は、1つの検査領域に対して互いに異なるP偏光成分とS偏光成分による2つの検査画像を取得し得る。なお、これらの検査画像は、偏光成分の特徴の差により、検査対象の層の欠陥のみを実質的に同一な輝度値で表す。これにより欠陥検査装置1は、異なる偏光成分の検査画像の利用し下層の欠陥に影響されることなく、上層のレジスト層の欠陥のみを抽出することが出来る。
In this way, the defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment sequentially inspects the
In the defect inspection apparatus 1 of the present embodiment, as shown in the above configuration and operation, the
また、画像処理装置206は、2つの偏光成分が異なる検査画像を合成して1つの合成検査画像を形成し得る。これにより、検査対象の層の欠陥のみを抽出した1つの合成検査画像を取得し得る。従って、より容易に、欠陥の検出を行い得る。
Further, the
また、画像処理装置206は、前記参照画像を取得し、前記参照画像と前記合成検査画像とを比較し得る。これにより画像処理装置206は、この比較により各欠陥の種類などの前記欠陥関連データを取得し得る。
Further, the
また画像処理装置206は、偏光成分が異なる検査画像を、互いに対応する位置の各ドットの輝度値を合成することにより、合成検査画像を形成し得る。これにより、レジスト層の欠陥以外の領域は、互いに明暗が反転しているため、輝度値が平均化され、実質的に輝度値が一様な値になる。また、検査対象となる上層のレジスト層の欠陥は、2つの異なる偏光成分の検査画像において実質的に輝度値が同一であるため、これら2つの検査画像を合成することにより、上層のレジスト層の欠陥が他の領域に対して輝度値が増し、より容易に欠陥の検出を行い得る。
Further, the
なお、本実施の形態の欠陥検査装置1は、照明角度θi並びに検査角度θdを任意に変更可能である。このため、欠陥検査装置1は、照明角度θi並びに検査角度θdの少なくとも一方を任意に変更することにより、他の層の影響を受けず、レジスト層の欠陥をより確実に検出し得る。 Note that the defect inspection apparatus 1 of the present embodiment can arbitrarily change the illumination angle θi and the inspection angle θd. For this reason, the defect inspection apparatus 1 can detect the defect of the resist layer more reliably without being influenced by other layers by arbitrarily changing at least one of the illumination angle θi and the inspection angle θd.
また、本実施の形態の欠陥検査装置1は、基板101の最上層の欠陥を抽出したが、照明角度θi並びに検査角度θdを任意に変更することにより、他の層の欠陥のみを抽出することもの可能である。即ち、欠陥検査装置1は、検査対象の任意の層の欠陥を、他の層の欠陥に影響することなく検出し得る。
Moreover, although the defect inspection apparatus 1 of this Embodiment extracted the defect of the uppermost layer of the board |
また、本実施の形態の欠陥検査装置1は、図1中に示すように、結像部4の偏光ビームスプリッタ42により、コリメートレンズ41を通過した光束を互いに異なる偏光成分毎に分岐されている。しかしながら、本実施の形態の欠陥検査装置1において、前記偏光成分毎の分岐は、上記以外の構成においても実現可能である。例えば、図6中の欠陥検査装置1’は、ハーフミラー108と、偏光板109、109’により、これを実現している。具体的には、ハーフミラー108は、コリメートレンズ41の光軸上の配置されおり、コリメートレンズ41からの光束を2つに分岐する光学素子である。偏光板109,109’は夫々、ハーフミラー108により分岐された光路上に配置されており、互いに直交する偏光成分を透過するように設定されている。これにより、上記図6中の欠陥検査装置1’は、被検体から正反射並びに回折された少なくとも一方の光束を、ハーフミラー108により分岐し、そして、偏光板109,109’により、分岐後の光束の偏光方向を互いに直交させ得る。このように、基板101から光の分岐と、分岐後の光束の偏光方向の設定とを1つの光学部材で行う必要がない。従って、この欠陥検査装置1’は、偏光ビームスプリッターに比べて有効波長帯域の広い光学素子であるハーフミラー108と、偏光板109,109’とにより、図1中の欠陥検査装置1と同様な機能をもつ結像部を構成させ得る。
Further, as shown in FIG. 1, the defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment branches the light beam that has passed through the
なお、本実施の形態の欠陥検査装置1は、基板101からの光を2つの偏光成分に分岐させ、対応する撮像部7,7’により撮像させ得るならば、任意に前記結像手段の構成を変更し得る。
Note that the defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment arbitrarily configures the imaging unit as long as the light from the
これまで、いくつかの実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で行なわれるすべての実施を含む。 Although several embodiments have been specifically described so far with reference to the drawings, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and all the embodiments performed without departing from the scope of the invention are not limited thereto. Including implementation.
θi…照明角度;θd…検査角度;A1、A2、A3…領域;1、1’…欠陥検査装置;2…ステージ;3…照明部;4…結像部;7、7’…撮像部;31…光源;32…コリメートレンズ;41…コリメートレンズ;42…偏光ビームスプリッタ;43、43’…結像レンズ;101…基板;108…ハーフミラー;109,109’…偏光板;200…制御系;201…ステージ制御部;202…駆動回路;203…光学系制御部;204…基板搬送制御部;205…画像インターフェース;206…画像処理装置;207、210…モニタ;208…画像記憶装置;209…ホストコンピュータ;211…キーボード;212…メモリ;213…シーケンサ
θi ... illumination angle; θd ... inspection angle; A1, A2, A3 ... area; 1, 1 '... defect inspection device; 2 ... stage; 3 ... illumination part; 4 ... imaging part; DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、互いに直交する2つの偏光成分に分岐させ、それぞれの被検体の像を結像する結像手段と、
前記結像手段により結像された像の夫々を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された2つの画像から、前記被検体の複数の層のうち1つの層の欠陥を抽出する画像処理手段とを具備する欠陥検査装置。 An illuminating unit that includes a light source, illuminates a subject having a plurality of layers by making a light beam from the light source into a substantially parallel light beam,
Imaging means for branching at least one of the specularly reflected light and diffracted light of the light beam applied to the subject into two polarized components orthogonal to each other, and forming images of the respective subjects;
Imaging means for capturing each of the images formed by the imaging means;
A defect inspection apparatus comprising: an image processing unit that extracts a defect of one layer among a plurality of layers of the subject from two images captured by the imaging unit.
一方の光路上の前記偏光板は、他方の光路上の偏光板を透過する偏光成分に対して、直交する偏光成分を透過するように設定されている請求項1に記載の欠陥検査装置。 The imaging means is disposed in each of an optical element that branches at least one of specularly reflected light and diffracted light of the light beam irradiated on the subject into two optical paths and an optical path branched by the optical element. A polarizing plate,
The defect inspection apparatus according to claim 1, wherein the polarizing plate on one optical path is set to transmit a polarization component orthogonal to a polarizing component that transmits the polarizing plate on the other optical path.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2004
- 2004-03-22 JP JP2004083620A patent/JP2005274161A/en not_active Withdrawn
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