JP2005270732A - 次亜塩素酸発生装置及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電解時に発生するガスによってスケールを剥離することはもとより、スケールの発生も抑制する次亜塩素酸発生装置を提供する。
【解決手段】直流電圧を印加して次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置１において、各電極５０，５１を垂直方向に対して交叉するよう配置するとともに、各電極５０，５１のうちカソード５０をアノード５１の上方に位置させ、カソード５０には塩素イオン含有水や電解時に発生したガスが通過可能な貫通孔５０ａを多数形成した構造となっている。これにより、アノード５１側からカソード５０側への上昇流が起き、これに伴い、アノード側のＨ⁺がカソード５０側に移動し、カソード５０側の水が中和される。この中和作用により、カソード５０側における、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＯＨ^-との反応が抑制され、或いは、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＣＯ₃ ^-2との反応が抑制されるため、カソード５０へのスケールの付着が阻止される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、飲料水を貯留する飲料貯水槽、浴槽、水泳用プールなどの殺菌に使用する次亜塩素酸含有水を生成する次亜塩素酸発生装置、並びに、この次亜塩素酸発生装置の制御方法に関するものである。

従来、この種の次亜塩素酸発生装置として、特許文献１，２に記載されたものが提案されている。

この次亜塩素酸装置は、水道水等の塩素イオン含有水を貯留した貯水槽内に陰陽一対の電極を配置したもので、次亜塩素酸を生成するときは、各電極間に直流電圧を印加する。これにより、塩素イオン含有水が電解され、電解により発生した塩素が貯留水に溶解して次亜塩素酸（ＨＣｌＯ）が生成される。

一方、電解操作を継続するときは、カソード側に水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）₂）や水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）₂）等のスケールが付着し、次亜塩素酸の生成効率が低下するおそれがある。また、非特許文献１ではカソード側に炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃）や炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₃）のスケールが付着するおそがある旨が記載されている。

そこで、従来の次亜塩素酸発生装置はスケールを剥離するため、ガス発生装置を有している。即ち、スケール剥離時にガス発生装置を駆動する。これにより、ガス発生装置から貯水槽にガスが放出され、このガスが気泡となって各電極に付着し、この気泡の破裂時にその衝撃でスケールを剥離している。
特開２００３−２４９４１号公報 特開２００３−６２５７６号公報 「ソーダと塩素」２００３年１・２号の「電解百話」第５１号，第５２号の第３６頁（http://www.denkazaika.yic.or.jp/denkai100#b/dk100#c.pdf）

しかしながら、前記従来の次亜塩素酸発生装置では、ガス発生装置が必要不可欠となっており、装置の大型化はもとより、コストが割高となるという問題点を有していた。

このような問題点を解決するため、各電極の極性を交互に切り替え、スケールの付着を防止する構造も提案されているが、各電極の極性切換を頻繁に行うときは、電極自体の素材が早期に劣化し、電極の寿命を短命化させるという問題点を有していた。

本発明の目的は前記従来の課題に鑑み、電解時に発生するガスによってスケールを剥離することはもとより、スケールの付着も抑制し、更には構造も極めて簡単な次亜塩素酸発生装置を提供することにある。

本発明は前記課題を解決するため、請求項１の発明は、水道水等の塩素イオン含有水が給水される貯水槽内に対向配置した板状の電極を少なくとも一組有し、各電極間に直流電圧を印加して次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置において、各電極を垂直方向に対して交叉するよう配置するとともに、各電極のうちカソードをアノードの上方に位置させ、カソードには塩素イオン含有水や電解時に発生したガスが通過可能な貫通孔を多数形成した構造となっている。

請求項１の発明によれば、各電極間に直流電圧を印加するとき、各電極間の塩素イオン含有水が電気分解され塩素が発生する。この塩素は水に溶解してＨＣｌＯが生成される。

また、この電気分解によりカソード側では水素ガスが発生しＯＨ^-が多くなる。他方、アノード側では酸素ガスが発生し水素イオン（Ｈ⁺）が多くなる。ここで、水中に含まれているカルシウムイオン（Ｃａ²⁺）やマグネシウムイオン（Ｍｇ²⁺）等はカソード側のＯＨ^-と反応してＣａ（ＯＨ）₂やＭｇ（ＯＨ）₂が生成され易い状況となり、或いは、ＯＨ^-濃度の上昇により、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺と炭酸イオン（ＣＯ₃ ^-2）が結合し、ＣａＣＯ₃やＭｇＣＯ₃が生成され易い状況となる。一方、アノード側で発生した酸素ガスが気泡となってカソード側に上昇し、更に、カソードの貫通孔を通って各電極の外に抜け出る。そして、この酸素ガスの上昇によりアノード側からカソード側への上昇水流が形成される。この上昇流によりＨ⁺もこの水流にのってアノード側からカソード側に向かって移動する。これにより、カソード側でＯＨ^-とＨ⁺が混合し、カソード側の水が中和される。従って、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＯＨ^-との反応が抑制され、或いは、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＣＯ₃ ^-2との反応が抑制され、カソードへのスケールの付着が阻止される。

更に、カソード側で発生した水素ガスやカソードに移動した酸素ガスの一部がカソードの表面で破裂するため、たとえカソードの表面にスケールが付着したとしても、これを剥離することができる。

請求項２の発明は、水道水等の塩素イオン含有水が給水される貯水槽内に対向配置した板状の電極を少なくとも一組有し、各電極間に直流電圧を印加して次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置において、各電極を垂直方向に対して交叉するよう配置するとともに、各電極のうちカソードをアノードの上方に位置させ、各電極には塩素イオン含有水や電解時に発生するガスが通過可能な貫通孔を多数形成した構造となっている。

請求項２の発明によれば、カソード及びアノードの両者に貫通孔を形成しているため、アノードの下方にある塩素イオン含有水が、アノードの貫通孔→アノードとカソード間の電解通路→カソードの貫通孔→カソードの上方へと順に通過する。従って、各電極間にはアノードの下方から常に未電解の塩素イオン含有水が流入するため、次亜塩素酸が効率良く発生する。また、この水流によりアノード側のＨ⁺をカソード側に確実に移動させることができる。

請求項３の発明は、請求項２記載の次亜塩素酸発生装置において、アノードの各貫通孔とカソードの各貫通孔を互いに非対称に配置している。また、請求項４の発明は、カソードの各貫通孔の径をアノードの各貫通孔の径より小さくしている。請求項３，４の発明によれば、アノードからカソードに移動するＨ⁺がカソードの各貫通孔から直ちに抜け出ることがないため、カソード側を確実に中和することができる。

請求項５の発明は、請求項２又は請求項３に係る次亜塩素酸発生装置において、塩素イオン含有水が導入される給水口を各電極間の電解通路に対向させている。また、請求項６の発明は、貯水槽に給水される塩素イオン含有水を各電極間の電解通路に案内する導水ダクトを設けている。請求項５，６の発明によれば、貯水槽に塩素イオン含有水を給水する際、この給水力が電解通路に直接に加わり、カソード表面に付着したスケールが水流により剥離される。

請求項７の発明は、請求項２乃至請求項６に係る次亜塩素酸発生装置において、 前記貯水槽内で発生したガスを捕集し、捕集されたガスをアノードの下方に戻すガス戻し手段を設けた構造となっている。

請求項７の発明によれば、ガス戻し手段により、貯水槽内で発生したガスがアノードの下方に戻される。この戻されたガスは、アノードの貫通孔→アノードとカソード間の電解通路→カソードの貫通孔→カソードの上方と順次上昇する。このように、電解通路で上昇するガス量が戻しガスの分増加するため、アノードからカソードへの水流速度が速くなり、アノード側のＨ⁺をカソード側に多量に移動させることができる。

なお、ガス戻し手段は貯水槽内で発生したガスを捕集するガス貯留タンクと、ガス貯留タンク内のガスをアノードの下方に送るガス給送手段とを備えた構造でも良いし（請求項８）、また、貯水槽内で発生したガスを捕集するガス貯留タンクと、アノードの下方に配置したガス放出器と、ガス貯留タンク内のガスを該ガス放出器に送るガス給送手段とを備えた構造でも良い（請求項９）。

請求項１０の発明は、請求項７に係る次亜塩素酸発生装置において、アノードの周縁に下方に延在した側板を形成した構造となっている。請求項１０の発明によれば、アノードの下方に放出されたガスがアノードの下面側に貯留されるため、アノード周縁からのガス漏れが少なくなり、戻しガスを確実にアノードの貫通孔に通過させることができる。

請求項１１の発明は、アノードの上方にカソードが対向配置された各電極を垂直方向に対して交叉するように貯水槽内に配置するとともに、各電極のうち少なくともカソードにガスや塩素イオン含有水が通過可能な貫通孔を形成し、各電極間に直流電圧を印加することにより次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置の制御方法において、貯水槽内に塩素イオン含有水を給水するとともに貯水槽内の塩素イオン含有水を導出する水導出入工程と、各電極間に直流電圧を印加して貯水槽内の次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生工程とを備え、各工程を交互に行うよう制御する制御方法となっている。

請求項１１の発明によれば、次亜塩素酸発生工程と水導出入工程を別個に行うため、次亜塩素酸発生工程時に生じるアノードからカソードへの上昇水流が水導出入工程により乱されることがない。

本発明によれば、アノード側のＨ⁺をカソード側に移動させてカソード側の水を中和させることができるため、カソードへのスケールの付着が抑制され、次亜塩素酸の発生効率の低下を防止できる。

図１及び図３は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第１実施形態を示すもので、図１は次亜塩素酸発生装置の全体斜視図、図２は次亜塩素酸発生装置の断面図、図３はガス及び水素イオンの移動状態を示す要部拡大断面図である。

この第１実施形態に係る次亜塩素酸発生装置１は、水道水等の塩素イオン含有水を貯留する貯水槽１０を有している。この貯留槽１０は外形が略直方体形状となっており、その対向する側板の一方には塩素イオン含有水が導入される給水口１１を有し、他方には貯留槽１０内の水が導出される導出口１２を有している。ここで、給水口１１は下位で、また、導出口１２は上位となっている。また、この給水口１１は扁平略方形状となっており、後述する電解通路の流通断面積と対応するようが形成されている。なお、この給水口１１には扁平状の給水管２０が連結され、また、導出口１２には同じく扁平状の取水管３０が連結されている。

貯水槽１０の上板１３は給水口１１側の側板から導出口１２側の側板に向かって斜め上方に傾斜してなり、上板１３の上端寄りにガス貯留タンク４０が設置されている。このガス貯留タンク４０は円筒状に形成されており、下端が貯水槽１０内に向かって開口して貯水槽１０で発生したガスＡを捕集できるようになっている。一方、ガス貯留タンク４０の上端にはダイヤフラム等で形成された逆止弁４１が設置されており、ガス貯留タンク４０内の圧力が所定圧力となったとき（圧力は小さく設定されている）、図２に示すように、ガス貯留タンク４０内のガスを外に放出するようになっている。

貯水槽１０の下部寄りには一対の板状の電極５０，５１が設置されている。各電極５０，５１は水平に設置されており（垂直方向と交叉するよう配置しており）、互いに所定間隙（電解通路５３）をおいて対向している。この電解通路５３の一端は給水口１１に近接して対向し、他端は導出口１２が形成された側板に近接するよう配置されている。各電極５０，５１のうち、上方の電極５０がカソードとなっており、下方の電極５１がアノードとなっており、カソード５０及びアノード５１には通電配線５２を通じて給電され、電解通路５３に直流電圧が印加されるようになっている。また、カソード５０には上下に貫通する貫通孔５０ａが多数穿設されており、各貫通孔５０ａを通じてガスＡや水が通過可能となっている。

本実施形態に係る次亜塩素酸発生装置１においてＨＣｌＯを生成させるときは、まず、図２の実線矢印に示すように、給水管２０を通じて水道水を導入する一方、貯水槽１０内の塩素イオン含有水を取水管３０から導出し、貯水槽１０内の水を入れ替える（水導出入工程）。その後、以下のような次亜塩素酸発生工程に移行する。

即ち、次亜塩素酸発生工程では、電解通路５３の水にカソード５０及びアノード５１を通じて直流電圧を印加する。これにより、塩素イオン含有水が電気分解され塩素（Ｃｌ₂）が発生する。このＣｌ₂は水に溶解してＨＣｌＯが生成される。

また、図３に示すように、水の電気分解により、カソード５０側では水素ガスが発生しＯＨ^-が多くなる。他方、アノード５１側では酸素ガスが発生しＨ⁺が多くなる。ここで、水中に含まれているＣａ²⁺やＭｇ²⁺等はカソード５０側のＯＨ^-と反応してＣａ（ＯＨ）₂やＭｇ（ＯＨ）₂が生成され易い状況、或いは、ＯＨ^-濃度の上昇により、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺と炭酸イオン（ＣＯ₃ ^-2）が結合し、ＣａＣＯ₃やＭｇＣＯ₃が生成され易い状況となる。一方、アノード５１側で発生したガスＡが気泡となってカソード５０側に上昇し、更に、カソード５０の貫通孔５０ａを通ってカソード５０の上方に抜け出る。このガスＡの上昇流によりアノード５１からカソード５０側への上昇水流が形成される。これにより、図３の破線矢印に示すように、Ｈ⁺も上昇水流にのってアノード５１側からカソード５０側に向かって移動する。このＨ⁺の移動により、カソード５０側でＯＨ^-とＨ⁺が混合し、カソード５０側の水が中和される。従って、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＯＨ^-との反応が抑制され、或いは、Ｃａ²⁺やＭｇ²⁺とＣＯ₃ ^-2との反応が抑制されるため、カソード５０へのスケールの付着が阻止され、ＨＣｌＯの生成効率の低下が阻止される。

また、この水流により電解通路５３内の水が、図３の一点鎖線矢印に示すように、カソード５０から上方に向かって抜けるため、図２及び図３の一点鎖線矢印に示すように、その抜けた分、電解通路５３内に未電解の塩素イオン含有水が流入する。これにより、貯水槽１０に貯留されている塩素イオン含有水全体が電気分解され、ＨＣｌＯ濃度の均一な殺菌水が生成される。

更に、カソード５０側で発生した水素ガスやカソード５０に移動した酸素ガスの一部がカソード５０の表面で破裂するため、たとえカソード５０の表面にスケールが付着したとしても、これを剥離することができる。従って、この点でもＨＣｌＯの生成効率の低下を防止することができる。

このような次亜塩素酸発生工程が終了したときは水導出入工程に再び戻ることとなる。ここで、次亜塩素酸発生工程と水導出入工程とを別個とし、次亜塩素酸発生工程中には水導出入工程を禁止しているので、次亜塩素酸発生工程において電解通路５３で生ずる上昇水流が乱されることがないし、また、貯水槽１０内のＨＣｌＯ濃度が低下することがない。

また、水導出入工程において、貯水槽１０に塩素イオン含有水を給水する際、この給水力が電解通路５３に直接に加わる。従って、たとえカソード５０の内面にスケールが付着していたとしても、この水流によりスケールが剥離される。

図４乃至図６は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第２実施形態を示すもので、図４は次亜塩素酸発生装置の全体斜視図、図５は次亜塩素酸発生装置の断面図、図６はガス及び水素イオンの移動状態を示す要部拡大断面図である。なお、前記第１実施形態と同一構成部分は同一符号を用いて示し、その説明を省略する。

前記第１実施形態では貫通孔５０ａをカソード５０にのみ形成したが、本実施形態ではアノード５１にも同径の貫通孔５１ａを多数形成している。また、アノード５１の各貫通孔５１ａとカソード５０の貫通孔５０ａは、図５及び図６に示すように、電解通路５３を挟んで互いに非対称に配置されている。

本実施形態によれば、電解通路５３にカソード５０及びアノード５１を通じて直流電圧を印加する際、ガスＡの上昇流に起因して電解通路５３内にアノード５１からカソード５０に向かって上昇水流が形成される。この水流により、図６に示すように、アノード５１の下方の水が各貫通孔５１ａを通じて電解通路５３内に流入し、次いで、電解通路５３を上方に向かって流れ、更にカソード５０の貫通孔５０ａを通じてカソード５０の上方に流出する。

このように、電解通路５３内の水流がアノード５１の上面から形成されるため、アノード５１の上面又はその近傍に浮遊するＨ⁺が効率よくカソード５０側に移動し、カソード５０側の水を確実に中和することができる。

また、アノード５１の外側の塩素イオン含有水が、図５及び図６に示すように、貫通孔５１ａを通じて電解通路５３内に導入されるため、貯水槽１０に貯留されている塩素イオン含有水が図５の１点鎖線矢印に示すように循環し、塩素イオン含有水全体が確実に電気分解される。

更に、上下の各貫通孔５０ａ，５１ａが互いに非対称となっているため、アノード５１からカソード５０に向かって流れた水（及びＨ⁺）が直ちにカソード５０の貫通孔５０ａから抜け出ることがなく、カソード５０側の水を確実に中和することができる。なお、その他の構成、作用は前記第１実施形態と同様である。

図７は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第３実施形態を示すものである。なお、前記第２実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

前記第２実施形態ではカソード５０及びアノード５１に形成された各貫通孔５０ａ，５１ａは同径となっており、かつ、各貫通孔５０ａと各貫通孔５１ａとを互いに非対称に配置している。これに対して、第３実施形態ではカソード５０の各貫通孔５０ｂとアノード５１の各貫通孔５１ｂが電解通路５３を挟んで対向し、かつ、各貫通孔５０ｂの径を各貫通孔５１ｂの径より小さく形成している。

本実施形態によれば、各貫通孔５０ｂの径を各貫通孔５１ｂの径より小さく形成しているので、アノード５１からカソード５０に向かう上昇水流の速度がカソード５０側で遅くなり、カソード５０側の水が確実に中和される。なお、前記第２実施形態と同様に各貫通孔５０ｂを各貫通孔５１ｂと非対称に配置し、上昇水流を更に遅くするようにしても良い。その他の構成、作用は前記第２実施形態と同様である。

図８は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第４実施形態を示すものである。なお、前記第２実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

前記第２実施形態ではカソード５０及びアノード５１を水平に配置している。これに対して、本実施形態に係るカソード５０及びアノード５１は給水口１１側の側板から導出口１２側の側板に向かって下方に傾斜している（垂直方向と交叉するよう配置している）。また、給水口１１に連結された給水管２１は電解通路５３の傾斜に合わせて傾斜し、その給水方向が電解通路５３と対向するよう設計されている。

本実施形態によれば、カソード５０及びアノード５１が斜めに配置されているため、カソード５０及びアノード５１の横方向寸法を長く取ることができ、これにより、電極対向面積を大きくすることができ、ＨＣｌＯの発生量を増大させることができる。なお、その他の構成、作用は前記第２実施形態と同様である。

図９は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第５実施形態を示すものである。なお、前記第１実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

第１実施形態〜第４実施形態ではガス貯留タンク４０を貯水槽１１の上板１３に設置しているが、本実施形態では取水管３０に設置している。また、この取水管３０は貯水槽１０の側板最上部の導水口１２に設置されている。

本実施形態によれば、貯水槽１０内で発生したガスＡが貯水槽１０の最上部から取水管３０に流入し、更にガス貯留タンク４０内に捕集される。このガス貯留タンク４０の圧力が所定圧力以上となったとき、逆止弁４１が開いて外に排出される。このように、ガス貯留タンク４０を取水管３０に設置するときも同様にガス抜きができる。なお、その他の構成、作用は前記第１実施形態と同様である。

図１０は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第６実施形態を示すものである。なお、前記第２実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

前記第１実施形態では給水口１１と電解通路５３を対向配置しているが、本実施形態では給水口１１と電解通路５３との間に導水ダクト６０を設け、給水管２０から導入された塩素イオン含有水を電解通路５３に直接に導くようになっている。

本実施形態によれば、貯水槽１０に塩素イオン含有水を給水する際、この給水力が実線矢印に示すように電解通路５３に直接に加わり、カソード５０の表面に付着したスケールが確実に剥離される。なお、その他の構成、作用は前記第２実施形態と同様である。

図１１及び図１２は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第７実施形態を示すものである。なお、前記第２実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

本実施形態に係る次亜塩素酸発生装置１は貯水槽１０で発生したガスをアノード５０の下方に戻すガス戻し機構７０を有している。このガス戻し機構７０は、ガス貯留タンク７１と、ガス放出器７２と、ガス給送機構７３とから構成されている。

ガス貯留タンク７１は上板１３の上端寄りに設置されている。また、ガス貯留タンク７１は円筒状に形成されており、下端が貯水槽１０内に向かって開口して貯水槽１０で発生したガスＡを捕集するようになっている。

ガス放出器７２は図１２に示すように横長筒状に形成されたもので、アノード５１の下方に設置されている。また、ガス放出器７２の上部には多数のガス放出孔７２ａが形成されている。

ガス給送機構７３は、ポンプ７３ａと、ガス吸入管７３ｂと、ガス吐出管７３ｃとから構成されている。ガス吸入管７３ｂの一端はガス貯留タンク７１の上端に接続し、他端はポンプ７３ａの吸入口側に接続している。ガス吐出管７３ｃの一端はガス放出器７２の長手方向中央に接続し、他端はポンプ７３ａの吐出側に接続している。

本実施形態によれば、次亜塩素酸発生工程において、電解通路５３への電圧印加と同時にポンプ７３ａを駆動する。これにより、前記第２実施形態と同様に電解通路５３で発生したガスＡが上方に上昇する。また、これと同時にガス貯留タンク７１内のガスが、図１１の破線矢印に示すように、ガス吸入管７３ｂ→ポンプ７３ａ→ガス吐出管７３ｃ→ガス放出器７２→ガス放出孔７２ａと順次流れ、アノード５１の下面側に気泡となって給送される。このアノード５１の下面に至ったガスＡはアノード５１の各貫通孔５１ａを通じて電解通路５３内に流入する。

このように、アノード５１で発生したガスＡはもとより、ガス貯留タンク７１内のガスＡも電解通路５３内を上昇するため、電解通路５３内の上昇流が速くなり、アノード５１側のＨ⁺が多量にカソード５０側に移動し、カソード５０側の水を確実に中和することができる。

また、ガス放出孔７２ａからアノード５１に向かって上昇するガスＡによって、アノード５１の下方に位置する水にも上昇流が起き、貯水槽１０の下部の水が円滑に電解通路５３内に導入され、貯水槽１０のＨＣｌＯ濃度を短時間で上昇させることができる。

更に、電解通路５３内のガスＡの量が増大するため、その分、気泡破裂によるスケール剥離作用が更に向上する。その他の構成、作用は前記第２実施形態と同様である。

なお、本実施形態に係るガス貯留タンク７１は貯水槽１０に設置されたものを使用しているが、図９に示すように、取水管３０に設置したガス貯留タンク（図示せず）からガスを導入するようにしてもよい。また、本実施形態に係るカソード５０及びアノード５１としては水平に配置された例を説明したが、図８に示すように、カソード（図示せず）及びアノード（図示せず）が傾斜したタイプに適用するようにしても良い。

図１３及び図１４は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第８実施形態を示すものである。なお、前記第７実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

前記第７実施形態に係るアノード５１は全体が面一の板状電極で形成されている。これに対して、本実施形態に係るアノード５１はその周縁から下方に向かって延在した側板５１ｂを有している。

本実施形態によれば、アノード５１の側板５１ｂが堰として機能するため、アノード５１の周縁からのガスＡの漏れが少なくなり、ガス放出器７２から放出された戻しガスを貫通孔５１ａに確実に通過させることができる。なお、その他の構成、作用は前記第７実施形態と同様である。

図１５は本発明に係る次亜塩素酸発生装置の第９実施形態を示すものである。なお、前記第８実施形態と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する。

前記第８実施形態ではガス放出器７２を用いてガスＡを放出するようになっているが、本実施形態ではガス放出器を用いることなくガス吐出管７３ｃをアノード５１の下方に延在し、ガスをアノード５１の下方に直接に放出する構造になっている。

本実施形態によれば、ガス放出器を用いない分、ガス戻し機構が簡単な構造になっている。なお、図示しないが、ガス貯留タンク、ポンプ及びガス吸入管は図１１に示す構造と同一の構成となっている。その他の構成、作用は前記第８実施形態と同様である。

なお、前記各実施形態では各電極（カソード５０及びアノード５１）を一組設置した例を掲げて説明したが、図示しない各電極を上下に複数組配置するようにしてもよい。

第１実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の全体斜視図 第１実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の断面図 第１実施形態に係る次亜塩素酸発生装置のガス及び水素イオンの移動状態を示す要部拡大断面図 第２実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の全体斜視図 第２実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の断面図 第２実施形態に係る次亜塩素酸発生装置のガス及び水素イオンの移動状態を示す要部拡大断面図 第３実施形態に係る次亜塩素酸発生装置のガス及び水素イオンの移動状態を示す要部拡大断面図 第４実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の断面図 第５実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の要部断面図 第６実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の要部断面図 第７実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の断面図 ガス放出器の斜視図 第８実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の要部断面図 アノードの斜視図 第９実施形態に係る次亜塩素酸発生装置の要部断面図

符号の説明

１…次亜塩素酸発生器、１０…貯水槽、１１…給水口、１２…導出口、２０…給水管、３０…取水管、４０…ガス貯留タンク、５０…カソード、５１…アノード、５０ａ，５１ｂ…貫通孔、５３…電解通路、６０…導水ダクト、７０…ガス戻し機構、７１…ガス貯留タンク、７２…ガス放出器、７３…ガス給送機構、Ａ…ガス。

Claims (11)

1. 水道水等の塩素イオン含有水が給水される貯水槽内に対向配置した板状の電極を少なくとも一組有し、該各電極間に直流電圧を印加して次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置において、
   前記各電極を垂直方向に対して交叉するよう配置するとともに、該各電極のうちカソードをアノードの上方に位置させ、該カソードには塩素イオン含有水や電解時に発生したガスが通過可能な貫通孔を形成した
   ことを特徴とする次亜塩素酸発生装置。
2. 水道水等の塩素イオン含有水が給水される貯水槽内に対向配置した板状の電極を少なくとも一組有し、該各電極間に直流電圧を印加して次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置において、
   前記各電極を垂直方向に対して交叉するよう配置するとともに、該各電極のうちカソードをアノードの上方に位置させ、該各電極には塩素イオン含有水や電解時に発生するガスが通過可能な貫通孔を多数形成した
   ことを特徴とする次亜塩素酸発生装置。
3. 前記アノードの各貫通孔と前記カソードの各貫通孔を互いに非対称に配置した
   ことを特徴とする請求項２記載の次亜塩素酸発生装置。
4. 前記カソードの各貫通孔の径を前記アノードの各貫通孔の径より小さく形成した
   ことを特徴とする請求項２又は請求項３記載の次亜塩素酸発生装置。
5. 塩素イオン含有水が導入される給水口を前記各電極間の電解通路に対向させた
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の次亜塩素酸発生装置。
6. 前記貯水槽に給水される塩素イオン含有水を前記各電極間の電解通路に案内する導水ダクトを設けた
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の次亜塩素酸発生装置。
7. 前記貯水槽内で発生したガスを捕集し、捕集されたガスを前記アノードの下方に戻すガス戻し手段を有する
   ことを特徴とする請求項２乃至請求項６の何れか一項に記載の次亜塩素酸発生装置。
8. 前記ガス戻し手段は、
   前記貯水槽内で発生したガスを捕集するガス貯留タンクと、
   前記ガス貯留タンク内のガスを前記アノードの下方に送るガス給送手段とを備えた
   ことを特徴とする請求項７記載の次亜塩素酸発生装置。
9. 前記ガス戻し手段は、
   前記貯水槽内で発生したガスを捕集するガス貯留タンクと、
   前記アノードの下方に配置したガス放出器と、
   前記ガス貯留タンク内のガスを該ガス放出器に送るガス給送手段とを備えた
   ことを特徴とする請求項７記載の次亜塩素酸発生装置。
10. 前記アノードの周縁に下方に延在した側板を有する
    ことを特徴とする請求項８又は請求項９記載の次亜塩素酸発生装置。
11. アノードの上方にカソードが対向配置された各電極を垂直方向に対して交叉するように貯水槽内に配置するとともに、該各電極のうち少なくとも該カソードにガスや塩素イオン含有水が通過可能な貫通孔を多数形成し、該各電極間に直流電圧を印加することにより次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生装置の制御方法において、
    前記貯水槽内に塩素イオン含有水を給水するとともに該貯水槽内の塩素イオン含有水を導出する水導出入工程と、前記各電極間に直流電圧を印加して該貯水槽内の次亜塩素酸を発生させる次亜塩素酸発生工程とを備え、該各工程を交互に行うよう制御する
    ことを特徴とする次亜塩素酸発生装置の制御方法。
    

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