JP2005260868A - 移動通信機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 送信増幅器2が発熱するとサーミスタ5の抵抗値が変化し、送信増幅器2の温度が閾値を超えるとFET4が送信増幅器2の電源を切断するので、送信増幅器2の温度上昇を抑えることができる。送信増幅器2の温度が閾値以下に低下後、送信を再開することができる。送信増幅器2に異常が発生すると、LED7が点灯するので、操作者は移動通信機器の送信増幅器2に異常が発生したことを検知することができる。
【選択図】 図1
Description
従って本発明の主な目的は、過電流による温度上昇を抑えることができる移動通信機を提供することにあり、副次的な目的は、使用者に対し異常を通知することができる移動通信機を提供することにある。
図1は本発明の移動通信機器の一実施の形態を示すブロック図である。
以下、移動通信機器が携帯電話機の場合で説明する。
本発明の構成は、主に、送信回路1と、送信回路1からの送信波を増幅する送信増幅器手段としての送信増幅器2と、送信増幅器2を動作させる為の電源3と、送信増幅器2への電源3の供給を制御する送信増幅器電源制御手段としての電界効果トランジスタ(以下「FET(Field Effect Transistor)」という)4と、FET4のソース−ゲート間に接続される半導体素子としてのサーミスタ5と、送信ON/OFF制御手段としての送信ON/OFF制御回路6と、移動通信機器としての携帯電話機の筐体の表面に設けられた発光手段としてのLED(Light-Emitting Diode)7と、LED7の電源を制御する発光手段電源制御手段としてのLED電源制御回路8とで構成される。
また、本携帯電話機は、筐体に設けられたLED7と、送信回路1をONするときはローレベルの信号を発生し、送信回路1をOFFにするときはハイレベルの信号を発生する送信ON/OFF制御回路6と、FET4による電源ラインのON/OFF情報(この場合、ON情報はローレベルの信号であり、OFF情報はハイレベルの信号である)と送信ON/OFF制御回路6のON/OFF情報(この場合、ON情報はローレベルの信号であり、OFF情報はハイレベルの信号である)とに基づいて、送信回路1がONであって電源ラインが切断されたときにのみLED7を点灯させる発光手段電源制御手段としてのLED電源制御回路8と、を備えた携帯電話機でもある。
LED電源制御回路8は、電源ラインのON/OFF情報と送信ON/OFF制御回路6のON/OFF情報とが反転入力端子に入力され、基準となる電圧値が非反転入力端子に入力される比較器(「コンパレータ」とも言う)と、一方の入力端子(図では下方)にコンパレータ9の出力信号が入力され、他方の入力端子(図では上方)に電源ラインのON/OFF情報と送信ON/OFF制御回路6のON/OFF情報とが入力され、コンパレータ9の反転入力端子の入力信号がハイレベルであり、かつ他方の入力端子の入力信号がローレベルのときのみハイレベルの信号を出力する二入力NORとしてのNOR回路10とで構成される。
半導体素子としてのサーミスタ5の一端(図では上側)はFET4の電源3側に接続され、そのサーミスタ5の他端(この場合下側)がFET4の入力端子としてのゲートに接続されている。
FET4のドレイン及びソースは電源ラインに挿入され、そのFET4のゲートが他の抵抗器R1を介して送信ON/OFF制御回路6の出力端子に接続されている。
同図に示すように筐体がストレート式の携帯電話機のアンテナ21の近傍にLED7が設けられている。このLED7が正常時には消灯し、異常時には点灯することで操作者は異常を検知することができる。尚、図ではストレート型の携帯電話機が示されているが、本発明はこれに限定されず折り畳み式の携帯電話機に適用してもよく、LED7をアンテナ21の近傍に設けることに限定されず、筐体の画面近傍に設けてもボタン23の近傍に設けてもよい。
サーミスタ5の温度特性は図4のような特性になっており、温度上昇により抵抗値が低下するようになっている。図4において、横軸は温度を示し、縦軸は抵抗を示す。
温度変化により抵抗値が変化すると、FET4のゲートソース間電圧Vgsが変化してFET4がON/OFFする。即ち、温度が上昇するとFET4のゲートソース間抵抗Rdsが減少する。ドレインソース間抵抗Rdsが減少するとゲートソース間電圧Vgsが増加する。ゲートソース間電圧Vgsが増加して閾値を超えてハイレベルに達すると、FET4はOFFとなる。これとは逆に温度が降下するとFET4のゲートソース間抵抗Rdsが増加する。ドレインソース間抵抗Rdsが増加するとゲートソース間電圧Vgsが減少する。ゲートソース間電圧Vgsが減少して閾値を超えてローレベルに達すると、FET4はONとなる。
コンパレータ9とNOR回路10とからなるLED電源制御回路6の真理値表を表1に示す。
次に、図1、図3、図5、及び図6を用いて本実施の形態について詳細に説明する。
図1において、通常状態の場合、送信ON/OFF制御回路6の出力信号によりFET4のON/OFFの制御が行なわれており、送信ON時にはFET4のゲート端子にLが入力されFET4はONし、電源3より送信増幅器2へ電流が流れ、送信OFF時にはHの信号が入力されFET4はOFFし、送信増幅器2への電流は停止する。
しかし、送信増幅器2が誤動作し、送信増幅器2に電源3からの電圧が供給されて過電流が流れる状態となった場合、送信増幅器2は図5の温度電流特性図に示すように電流増加につれ発熱量も増加する特性を持っており、温度上昇が起こる(以下発熱状態)。
温度上昇によりサーミスタ5の抵抗値が低下するとゲートソース間電圧Vgsが低下し、図3に示した特性によりFET4はOFFし送信増幅器2への電源供給が停止する。
次にLED電源制御回路について説明する。
LED電源制御回路8の動作は表1の真理値表のようになっており、通常状態は送信ON/OFF制御回路6からの出力により動作する。送信ON時は送信ON/OFF制御回路6からLが出力され、X1(コンパレータ9の反転入力端子)、X2(NOR回路10の他方の入力端子)共にLが入力されるため出力YはLとなる。また、送信OFF時は送信ON/OFF制御回路6からHが出力されX1、X2共にHが入力されるため出力YはLとなる。しかし、発熱状態となりサーミスタ5の抵抗が低下するとX1に電源3からの電圧がかかりHが常に入力される状態となる。このときX2に対してはR2を電源3側から見た場合にはオープンとなるような十分な大きさの抵抗値に設定することによりサーミスタ5の抵抗値低下による電圧はかからないため、送信ON時にX2にLが入力され出力YはHとなり、LED7が点灯する。また、送信OFFの場合はX2にHが入力され出力YはLとなりLED7は消灯する。
図6は本発明の動作を説明するためのフローチャートである。
送信増幅器2が誤動作し、送信増幅器2に過電流が流れる状態が発生すると(ステップS1)、温度が上昇しサーミスタ5の抵抗値が低下する(ステップS2)。
サーミスタ5の抵抗値が低下することにより、FET4のゲートソース間電圧Vgsが低下し、FET4のON電圧以下になると(ステップS3/Yes)、FET4はOFFし、送信増幅器2への電源の供給が停止する(ステップS4)。
FET4のゲートソース間電圧VgsがFET4のON電圧以下になっていない場合には(ステップS3/No)、ステップS2に戻る。
送信ONの場合(ステップS5/Yes)はLED7が点灯し(ステップS6)、送信OFFの場合(ステップS5/No)は消灯する(ステップS7)。送信増幅器2へサーミスタ5の温度特性の電流供給が停止すると温度が低下し、サーミスタ5の抵抗値が増加する(ステップS8)。
ゲートソース間電圧VgsがFET4のON電圧以上になると(ステップS9/Yes)、FET4はONし、送信増幅器2への電源供給が再開される(ステップS10)。
ゲートソース間電圧VgsがFET4のON電圧以上に成っていない場合には(ステップS9/No)ステップS5に戻る。
その後、再び過電流によって温度上昇が起きると送信増幅器2への電源電圧の供給を停止するためFET4が作動する。
以上において、本実施の形態によれば、送信増幅器2が発熱したときには、送信増幅器2への電源の供給が停止されるので、送信増幅器が高温になるのが防止され、LED7が点灯するので、操作者が送信増幅器の異常を検知することができる。
第一の効果は、送信増幅器2が誤動作した時の過電流による温度上昇を抑えられることである。
その理由は、過電流が発生した場合、送信増幅器2が高温になる前にサーミスタ5とFET4とにより電源制御を行い、送信増幅器2への電源供給を停止できる為である。
第二の効果は、安全性が向上することである。
その理由は、送信増幅器2の温度が上昇するとLED7が点灯し、使用者に対して異常を通知することができ、使用を中止するなどの対応が可能になるためである。
2 送信増幅器(送信増幅手段)
3 電源
4 FET(送信増幅器電源制御手段、電界効果トランジスタ)
5 サーミスタ(半導体素子)
6 送信ON/OFF制御回路(送信ON/OFF制御手段)
7 LED(発光手段)
8 LED電源制御回路(発光手段電源制御手段)
9 コンパレータ(比較器)
10 NOR回路(二入力NOR)
Claims (6)
- 筐体内に設けられ送信回路で発生した送信波を増幅する送信増幅手段と、
該送信増幅手段の近傍に設けられ該送信増幅手段の温度変化によって抵抗値が変化する半導体素子と、
前記送信増幅手段の電源ラインに挿入され、前記半導体素子の抵抗値が閾値を超えると前記電源ラインを切断する送信増幅器電源制御手段と、
を備えたことを特徴とする移動通信機器。 - 前記筐体に設けられた発光手段と、
前記送信回路をONするときはローレベルの信号を発生し、前記送信回路をOFFをするときはハイレベルの信号を発生する送信ON/OFF制御手段と、
前記送信増幅器電源制御手段による前記電源ラインのON/OFF情報と前記送信ON/OFF制御手段のON/OFF情報とに基づいて、前記送信回路がONであって前記電源ラインが切断されたときにのみ前記発光手段を点灯させる発光手段電源制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1記載の移動通信機器。 - 前記発光手段電源制御手段は、
前記電源ラインのON/OFF情報と前記送信ON/OFF制御手段のON/OFF情報とが反転入力端子に入力され、基準となる電圧値が非反転入力端子に入力される比較器と、
一方の入力端子に前記比較器の出力信号が入力され、他方の入力端子に前記電源ラインのON/OFF情報と前記送信ON/OFF制御手段のON/OFF情報とが入力され、前記比較器の反転入力端子の入力信号がハイレベルであり、かつ前記他方の入力端子の入力信号がローレベルのときのみハイレベルの信号を出力する二入力NORと、
を備えたことを特徴とする請求項2記載の移動通信機器。 - 前記半導体素子は、サーミスタであり、そのサーミスタの一端が前記送信増幅器電源制御手段の電源側に接続され、そのサーミスタの他端が前記送信増幅器電源制御手段の入力端子に接続されていることを特徴とする請求項2または3記載の移動通信機器。
- 前記発光手段は、LEDであり、そのLEDのアノードが前記二入力NORの出力端子に接続され、そのLEDのカソードが抵抗器を介して接地されていることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項記載の移動通信機器。
- 前記送信増幅器電源制御手段は、電界効果トランジスタであり、その電界効果トランジスタのドレイン及びソースが前記電源ラインに挿入され、その電界効果トランジスタのゲートが他の抵抗器を介して前記送信ON/OFF制御手段の出力端子に接続されていることを特徴とする請求項2から5のいずれか1項記載の移動通信機器。
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