JP2005254401A - 研磨布、研磨布の製造方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２種類以上の研磨剤を研磨布上で均一に混合することができる研磨布及び研磨装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部を有し、蓄積部を研磨布の中心部を含む近傍に設ける。研磨布の回転により、蓄積部に蓄積された研磨剤は蓄積部内で攪拌、混合される。攪拌、混合された研磨剤は、研磨布の回転運動により蓄積部から流出し、研磨布に供給される。また、より研磨剤の攪拌、混合を行うために、蓄積部の内部にフィンを設けたり、蓄積部を構成する壁部を２重に形成したり、あるいは壁部に流出部を設ける構造とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体等の製造を行うために使用する研磨布及び研磨装置ならびに半導体装置の製造方法に係り、特に化学的機械研磨方法に好適な研磨布及び研磨装置ならびに半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置の製造方法において、微細化及び高集積化の要求が強くなっている。それに伴い、半導体装置の配線構造は多層化が進んでいる。配線構造を多層化すると、上層部に行くほど配線層の段差が大きくなり、その結果、配線層の断線等を引き起こし、半導体装置の不良が多発することになる。配線層の段差を解消するために、最近の半導体プロセスにおいては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing（化学的機械研磨））法による半導体表面の研磨工程が取り入れられている。

ＣＭＰ法においては、半導体基板表面を均一に研磨するために、研磨布に溝（例えば特許文献１及び特許文献２）あるいは突起（例えば特許文献３）を形成し、研磨剤を半導体基板表面に均一に供給するような工夫を行っている。

特開２００３−１２５５号公報 特開２００３−２６０６５７号公報 特開２０００−１５８３２７号公報

ところが、近年、配線層の段差をより高精度に解消するために研磨剤に界面活性剤を混合したり、あるいはＷやＣｕ等の配線材料をより均一に研磨するために、研磨剤を２種類以上混合させたい、あるいは研磨剤と、例えば酸化剤あるいは界面活性剤のような薬液とを混合させたいという要請が出てきた。上記のように研磨剤を２種類以上、あるいは研磨剤と薬液を混合したものを使用する場合には、研磨剤供給装置内で事前に混合した混合液として供給するのが一般的である。しかし、研磨剤混合液を事前に混合しておくと、時間と共に混合液の状態が変化し、実際に研磨する際に所望の効果を得ることができない場合がある。そこで、上記のような研磨剤の混合液を使用する場合には、研磨剤混合液の経時劣化による研磨不良を防止するために、研磨する直前に混合させたいというさらなる要請がある。上記の特許文献においては、研磨布に溝や突起を形成することによって研磨剤混合液を被研磨材に均一に供給する効果はあるが、研磨布上で研磨剤を混合するという効果を有するようにはあまり考慮されていない。したがって、上記のような研磨布上に研磨剤混合液の経時劣化により不均一となった研磨剤を供給した場合、あるいは２種類以上の研磨剤を供給した場合には研磨剤が均一に混合できない可能性が高く、その結果、半導体基板表面を均一に研磨することが困難となる可能性がある。

本発明の目的は、経時劣化等により不均一化した研磨剤あるいは２種類以上の研磨剤を研磨布上で均一に混合することができる研磨布、研磨布の製造方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部を研磨布の中心部を含む範囲に有していることを要旨とする。

この構成によれば、研磨布に研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部を有することにより、２種類以上の研磨剤、あるいは研磨剤と薬液を直接研磨布上で混合することができる。研磨布は、研磨装置の研磨定盤の上に取り付けられて、少なくとも被研磨材を研磨するときには回転運動を行っている。したがって、その回転力は、研磨剤を均一に混合するように働く。これにより、研磨剤を事前に混合すると経時劣化が起こる混合液でも、被研磨材を研磨する直前に、研磨剤が研磨布上に滴下された後に混合することにより、研磨剤混合液の不均一化による研磨不良を低減することができる。

また、本発明は、前記蓄積部は前記研磨布に対して着脱可能に設けられていることが好ましい。

この構成によれば、研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部が着脱自在であるので、研磨布が劣化した場合、研磨布のみを交換できる。また、最適な研磨剤の混合量に応じて蓄積部の大きさ等を変えたものを取り付けることができる。

また、本発明は、前記蓄積部の内側にフィンを有することを要旨とする。

この構成によれば、研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部の内側にあるフィンにより、不均一な研磨剤や複数の研磨剤の混合をより効果的に行うことができる。

また、前記蓄積部の壁部は２重壁構造を有し、内側の第一壁部は外側の第二壁部よりも高く形成されていることを要旨とする。

この構成によれば、第一壁部で囲まれた領域に、２種類以上の研磨剤を供給すると、第一壁部で囲まれた領域で仮に研磨剤の混合が不完全であっても、第二壁部で囲まれた領域で再攪拌されるので、研磨剤の混合をよりよく行うことができる。

また、本発明は、前記蓄積部の壁部に研磨剤が流出する流出部を有することを要旨とする。

この構成によれば、蓄積部の壁部に形成された流出部から研磨剤を流出させることにより、蓄積部で混合された研磨剤のみを研磨布に供給することも可能になる。したがって、被研磨材をより均一に研磨することができる。

また、本発明は、前記蓄積部は凹部で形成され、前記凹部内にフィンを有していることを要旨とする。

この構成によれば、蓄積部は凹部で形成しても、上記の発明と同様に、２種類以上の研磨剤、あるいは研磨剤と薬液を直接研磨布上で混合することができる。

また、本発明は、前記研磨布の前記蓄積部以外の部分に凹部と突起部のうち少なくとも一方を有することを要旨とする。

この構成によれば、研磨布に一時的に複数の研磨剤を蓄積し、混合することによって経時劣化のない研磨剤混合液を研磨布に供給することができる。さらに、研磨布に凹部あるいは突起部、または凹部と突起部の両方を形成することにより研磨剤混合液を研磨布全体に均一に浸透させることができる。これにより、被研磨材をより均一に研磨することができる。

また、本発明は、回転盤と、前記回転盤に取り付けられた上記に記載の研磨布と、研磨剤供給部と、被研磨材保持部と、を有することを要旨とする。

この構成によれば、一時的に研磨剤を蓄積する蓄積部を有する研磨布を用いることにより、研磨剤供給装置ですでに混合されている研磨剤、あるいは研磨剤の固体成分の沈降により分離が起きている研磨剤を再攪拌できる。したがって、研磨剤の経時劣化因子を制御しやすくなるため、被研磨材の研磨レート及び被研磨材の面内均一性等を向上させる条件を安定化させることができる。

また、本発明は、上記研磨装置であって、研磨剤供給部が少なくとも２つ以上有することを要旨とする。

この構成によれば、研磨剤供給部を少なくとも２つ以上有することにより、研磨剤を研磨布上で直接混合することができる。したがって、経時劣化のない研磨剤で被研磨材を均一に研磨することができる。

また、本発明は、半導体基板を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板を研磨する工程は、上記に記載の研磨装置を用い、研磨布に形成されている蓄積部に一時的に研磨剤を蓄積し、前記研磨布の回転により前記蓄積部内で前記研磨剤を攪拌した後に、前記研磨布全体に攪拌後の前記研磨剤を供給することを要旨とする。

この方法によれば、本発明の研磨装置を用いることにより、研磨布に形成された蓄積部に一時的に蓄積され、攪拌された研磨剤で半導体基板を研磨することができるため、半導体基板に形成された配線層を構成する絶縁層の段差、あるいは金属配線を均一に研磨することができる。

また、本発明は、前記蓄積部に蓄積される前記研磨剤は複数であることを要旨とする。

この方法によれば、複数の研磨剤を研磨布に形成された蓄積部で攪拌、混合することができるので、半導体基板に形成された配線層を構成する絶縁層の段差、あるいは金属配線をより均一に研磨することができる。

また、本発明は、研磨布の中心部を含む任意の範囲に加工部材を用いてプレスするプレス加工工程により研磨剤を一時的に蓄積可能な蓄積部を形成することを要旨とする。

この方法によれば、研磨布に蓄積部を形成する方法において、研磨布の中心部を含む範囲に研磨布よりも硬い加工部材をプレスするだけで蓄積部をプレス成形することができる。

また、本発明は、前記蓄積部の内部がフィン構造となるように前記加工部材のプレス面が形成された前記加工部材を用いることを要旨とする。

この方法によれば、フィン構造ができるようにプレス面を形成した加工部材を用いてプレス加工することによって、研磨布に蓄積部の形成と同時に、その蓄積部の内部にフィン構造を形成することができる。

また、本発明は、研磨布の表面の中心部を含む任意の範囲に、蓄積部材を取り付ける取付工程により蓄積部を形成することを要旨とする。

この方法によれば、予め用意されている蓄積部材を研磨布表面の中心部を含む任意の範囲に取り付けることにより簡単に蓄積部を有する研磨布を製造することができる。

また、本発明は、研磨布の表面に取り付けられる研磨剤を蓄積するための蓄積部材であって、前記蓄積部材は研磨剤を一時的に保持するための壁部を有することを要旨とする。

この構成によれば、研磨剤を溜めるための壁部を有することにより蓄積部材の内側に研磨剤を一時的に保持することができ、研磨剤を研磨布上で混合することができる。

また、本発明は、前記壁部で囲まれた領域内にフィンを有することを要旨とする。

この構成によれば、研磨布に取り付けられた蓄積部材の中にフィンを有することにより、蓄積部材内で研磨剤をよりよく混合することができる。

また、本発明は、前記壁部は２重壁構造であり、内側の第一壁部は外側の第二壁部よりも高く形成されていることを要旨とする。

この構成によれば、第一壁部で囲まれた領域に２種類以上の研磨剤を供給すると、第一壁部で仮に研磨剤の混合が不完全であっても、第二壁部で囲まれた領域で再攪拌されるので、研磨剤の混合をよりよく行うことができる。

また、本発明は、前記壁部には、研磨剤が流出する流出部を有することを要旨とする。

この構成によれば、蓄積部の壁部に形成された流出部から研磨剤を流出させることにより、蓄積部で混合された研磨剤のみを研磨布に供給することも可能になる。したがって、被研磨材をより均一に研磨することができる。

（第１実施形態）
第１実施形態を、図１〜図５を用いて説明する。図１は研磨装置としてのＣＭＰ装置の模式断面図を示す。ＣＭＰ装置１００の構成について説明する。厚い円盤状の研磨定盤１１０がある。その研磨定盤１１０の円盤部の中央部の鉛直方向の下部に研磨定盤駆動機構１２０が取り付けられている。研磨定盤駆動機構１２０は、研磨定盤１１０を水平方向に円運動するように駆動させる。それ以外にも、研磨定盤駆動機構１２０は、研磨定盤１１０を鉛直方向に上下させたり揺動させたりする機構を有するようにすることもできる。

研磨定盤１１０の上面には、薄い円盤状の研磨布２００が取り付けられている。研磨布２００は研磨定盤の表面に接着剤などで取り付けられている。研磨布２００の中央部の表面には研磨剤１４０を一時的に蓄積する蓄積部２１０が取り付けられている。蓄積部２１０は、平面形状がリング形状の壁部２２０で構成されている。なお、本実施形態で使用する研磨布２００についての詳細は図２の説明で後述する。

蓄積部２１０の上方には、研磨剤供給機構１３０が備えられており、本実施形態では第１研磨剤供給部１３２ａと第２研磨剤供給部１３２ｂの２つの研磨剤供給部１３２が備えられている。なお、本実施形態のＣＭＰ装置１００では、研磨剤供給機構１３０に備えられた研磨剤供給部１３２は２つであるが、使用する研磨剤１４０により研磨剤供給部１３２を増減させることが可能である。同図では、第１研磨剤供給部１３２ａ及び第２研磨剤供給部１３２ｂからそれぞれ第１研磨剤１４０ａ及び第２研磨剤１４０ｂが供給され、研磨布２００上に備えられた蓄積部２１０の内部で混合されて混合研磨剤１４２となっている。

なお、ここでいう研磨剤１４０は、砥粒を含む一般的な研磨剤の他、界面活性剤や酸化剤等の加工液（あるいは化学液）を指す場合もある。また、これら各種組み合わせた混合液も含むものとする。すなわち、異なる研磨剤の混合液や研磨剤と加工液の組み合わせ、さらに３種類以上の混合液も含むものとする。また、説明上異なる研磨剤あるいは加工液として表示したい場合には、例えば第１研磨剤１４０ａ、第２研磨剤１４０ｂのように標記する。また、混合された研磨剤のみを指す場合には混合研磨剤１４２と標記する。

図１の右側には、研磨定盤１１０よりも小さい、厚い円盤状の被研磨材保持部としての研磨ヘッド１５０が備えられている。研磨ヘッド１５０の下部には被研磨材１７０が研磨面を研磨定盤１１０に対向する向きに取り付けられている。ここで、研磨ヘッド１５０は、被研磨材１７０の裏面側の均一加圧部、被研磨材１７０の外れ防止リング及び被研磨材１７０の移送用保持チャックなどで構成されている。研磨ヘッド１５０の上には研磨ヘッド駆動機構１６０が取り付けられている。研磨ヘッド駆動機構１６０は、研磨ヘッド１５０を水平方向に円運動するように駆動させる。また、研磨ヘッド駆動機構１６０は、研磨ヘッド１５０を鉛直方向に上下させる機構を有している。なお、研磨ヘッド１５０を揺動させる機構を有するようにすることもできる。

次に、ＣＭＰ装置１００での研磨方法の一例について説明する。まず、研磨定盤駆動機構１２０を駆動させることにより研磨定盤１１０を水平方向に回転させる。研磨定盤１１０が回転することで研磨布２００も同様に回転する。次に、回転している研磨布２００の中心部に形成されている蓄積部２１０に研磨剤１４０が供給される。研磨剤１４０は、研磨剤供給機構１３０において、第１研磨剤供給部１３２ａから第１研磨剤１４０ａ、第２研磨剤供給部１３２ｂからは第２研磨剤１４０ｂ、それぞれの研磨剤の流量を調整することにより、蓄積部２１０で所望の混合研磨剤１４２となるようにする。研磨布２００の回転運動により第１研磨剤１４０ａと第２研磨剤１４０ｂが蓄積部２１０で混合され、混合研磨剤１４２となる。やがて、研磨剤供給機構１３０から供給される研磨剤１４０の量が蓄積部２１０の有する体積（容積）を超えるか、あるいはその前に蓄積されている混合研磨剤１４２が遠心力により蓄積部２１０の壁部２２０を超えると研磨布２００の回転運動に伴い、研磨布２００の表面に混合研磨剤１４２が供給される。なお、ここでは２種類の研磨剤を供給して混合させる例を説明しているが、例えば、研磨剤供給機構１３０ですでに混合されているような研磨剤１４０を供給してもよい。この場合は、再攪拌により研磨剤１４０が均一化する。また、２種類の研磨剤ではなく、３種類以上の研磨剤を供給することも可能である。

混合研磨剤１４２が研磨布２００の表面に均一に行き渡ったら、研磨ヘッド駆動機構１６０を駆動させ、研磨布２００の上方の研磨位置に被研磨材１７０を移動させる。このとき、研磨ヘッド１５０を水平方向に研磨定盤１１０と同じ方向に回転運動させている。次に、研磨ヘッド１５０を研磨布２００の表面に回転運動をさせながら押圧する。研磨ヘッド１５０の押圧と研磨布２００及びその表面に供給されている混合研磨剤１４２により、被研磨材１７０の研磨が行われる。なお、研磨が終了すると、被研磨材１７０は洗浄機構に移送され、洗浄される。また、研磨布２００は研磨剤１４０及び被研磨材１７０の加工屑により、目詰まりを起こすのでダイヤモンド砥石等を研磨布２００に押し当てて目詰まりを回復させている。

図２は研磨布の平面図を示す。研磨布２００は薄い円盤形状を有している。研磨布２００の表面の中心部を含む範囲に研磨剤１４０を一時的に蓄積するための蓄積部２１０を備えている。蓄積部２１０は研磨剤１４０を蓄積部２１０内に一時的に保持するための壁部２２０を備えている。壁部２２０は、円状であり、その中心は研磨布２００の円盤とほぼ同じ中心にくるように形成されている。ここで、蓄積部２１０の形状は円形に限定しなくてもよい。ただし、研磨剤１４０の研磨布２００表面への供給は、研磨布２００の回転による遠心力によって行われるので、蓄積部２１０の形状は円形かそれに近い形状が望ましい。また形成される位置も蓄積部２１０の一部が研磨布２００の回転中心を含んでいればよい。研磨剤供給部１３２は、研磨布２００の上方の任意の位置に設定することが可能である。しかし、蓄積部２１０において、研磨剤供給部１３２から供給される研磨剤１４０を混合するには、研磨布２００が回転運動を行っていても不動である中心部の位置に研磨剤供給部１３２を設定するのが望ましい。それに伴い蓄積部２１０は少なくとも一部は研磨布２００の中心部の範囲に形成されているのが望ましい。

図３は蓄積部を拡大した平面図を示す。研磨布２００の中心部を含むようにリング形状の壁部２２０を研磨布２００の表面に取り付けることによって蓄積部２１０が形成されている。本実施形態において、蓄積部２１０は研磨布２００と同じ材料を用いて形成されている。蓄積部２１０を有する研磨布の形成方法は、予めリング形状に形成されている壁部２２０を熱圧着法によって、研磨布２００の表面に取り付ける。これにより、研磨布２００の表面と壁部２２０の一部が同化し、蓄積部２１０の取付強度が高くなる。また、密着性も高いので、蓄積部２１０からの研磨剤１４０の液漏れを防止することができる。

図４は蓄積部の拡大断面図を示す。蓄積部２１０には研磨剤供給部１３２から供給された研磨剤１４０が壁部２２０によって蓄積されている。研磨布２００は回転運動を行っており、その回転により蓄積部２１０に蓄積されている研磨剤１４０は攪拌される。ここで、蓄積部２１０に蓄積される研磨剤１４０は、例えば予め研磨剤供給機構１３０で混合されたものでもよい。この場合においても、研磨剤１４０に含まれる砥粒が沈降していたり、あるいは混合された研磨剤１４０が経時変化により部分的に分離が生じる可能性があるので、蓄積部２１０で再攪拌して元の研磨剤１４０に近い状態に戻すことができるという効果がある。

また、第１研磨剤供給部１３２ａから第１研磨剤１４０ａ、第２研磨剤供給部１３２ｂから第２研磨剤１４０ｂを蓄積部２１０に供給し、蓄積部２１０内で所望の比率で混合し、混合研磨剤１４２とすることができる。

ここで、２種類以上の研磨剤、例えば第１研磨剤１４０ａと第２研磨剤１４０ｂとを蓄積部２１０内で所望の比率に混合し、混合研磨剤１４２として研磨布２００に供給するためには、蓄積部２１０の体積（容積）、壁部２２０の高さ、研磨布２００の回転速度、研磨剤供給部１３２から供給される研磨剤１４０の流量等の条件因子を調整することにより実現できる。

ここで、図３に示すように、研磨布２００の中心部を含む範囲に形成された蓄積部２１０の底面部の直径をＲとする。また、蓄積部２１０の壁部２２０の高さをｈとする。本実施形態では、蓄積部２１０の底面部の直径Ｒを５０ｍｍ、壁部２２０の高さｈを５ｍｍとしている。

ここで、上記のように蓄積部２１０の体積（容積）と壁部２２０の高さは、研磨布２００上で研磨剤１４０を混合する条件因子として重要である。壁部２２０は本実施形態の場合、円形状であるので壁部２２０の内径の直径をＲとすると、Ｒは１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、望ましくは２０ｍｍ以上９０ｍｍ以下、さらに望ましくは３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下とする。壁部２２０の直径Ｒが小さすぎると蓄積部２１０の体積（容積）が小さくなり、蓄積部２１０内で十分に研磨剤１４０の再攪拌、あるいは混合研磨剤１４２を十分に混合することができなくなる可能性が高くなる。一方、直径Ｒが大きすぎると、研磨布２００の面積における蓄積部２１０の占める面積の割合が高くなる。そのため、研磨布２００での被研磨材１７０を研磨を行う面積が小さくなり、ほぼ同じ位置でしか研磨を行うことができなくなる。したがって、研磨布２００の表面が目詰まりを起こしやすくなり、その結果研磨布２００の使用寿命が短くなる可能性が高い。

また、壁部２２０の高さｈは、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、望ましくは４ｍｍ以上１５ｍｍ以下、さらに望ましくは５ｍｍ以上１０ｍｍ以下とする。壁部２２０の高さｈが小さすぎると、蓄積部２１０で研磨剤１４０あるいは混合研磨剤１４２を十分に混合攪拌できないまま、研磨布２００の表面へ供給される可能性が高くなる。また、ｈが大きすぎると研磨剤１４０あるいは混合研磨剤１４２を蓄積部２１０に溜めるのにも時間がかかるし、それによりなかなか研磨布２００の表面へ供給できないという時間的な損失を発生させる。

したがって、経験的見地から蓄積部２１０の大きさ、すなわち壁部２２０の内径の直径Ｒと高さｈは上記の範囲にあることが望ましく、その範囲内で所望の混合条件因子を調整する。

図５に蓄積部を備えた研磨布の応用例を示す。図５（ａ）は研磨布２００の中心部を含む範囲に蓄積部２１０が設けられており、さらに研磨布２００の周辺部には研磨布２００の中心に対し凹部としての同心円状の溝３００が形成されている。図５（ｂ）は、研磨布２００の中心部を含む範囲に蓄積部２１０が設けられており、蓄積部２１０が形成されている部分以外に凹部としてのドット状の溝３１０が形成されている。図５（ｃ）は、研磨布２００の中心部を含む範囲に蓄積部２１０が設けられており、蓄積部２１０が形成されている部分以外に凹部としての格子状の溝３２０が形成されている。これらの同心円状の溝３００、ドット状の溝３１０あるいは格子状の溝３２０を研磨布２００が有することにより、蓄積部２１０にて再攪拌された研磨剤１４０あるいは２種類以上の研磨剤１４０を混合した混合研磨剤１４２が研磨布上により均一に供給することができる。

次に被研磨材としての半導体基板１７０を本実施形態で研磨した実施例を以下に示す。

半導体基板１７０に形成されている層間絶縁膜の平坦化について説明する。実施例１での層間絶縁膜は、酸化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜に準ずる絶縁膜、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）、酸化シリコン膜とＳＯＧの多層膜等で形成されている。半導体基板１７０の研磨方法については図１での研磨方法とほぼ同様である。まず、使用する研磨剤１４０について説明する。

酸化シリコン膜を研磨するための研磨剤１４０は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）やアンモニア（ＮＨ₄ＯＨ）等のアルカリベースの液にシリカ（ＳｉＯ₂）等の分散させたものを主に用いている。この研磨剤１４０においては、例えば、水酸化カリウムやアンモニア等が研磨剤１４０から揮発してしまうと、その液のｐＨが変化してシリカの凝集が起こりやすくなる場合がある。しかし、本実施例ではシリカの凝集が起こっても研磨布２００の蓄積部２１０で研磨剤１４０が再攪拌されるので、凝集されたシリカを再分離することができる。

また、層間絶縁膜の平坦化において、例えば電気配線やトランジスタ等の能動素子の形成密度、すなわちパターン密度によって同じ材料であっても研磨速度に差異が生じる場合がある。また、研磨速度だけでなく、研磨後の形状にも差異が生じる場合がある。このような場合、研磨剤１４０の他に界面活性剤を添加することによって研磨速度の差異、研磨形状の差異を緩和することができる。

この場合、第１研磨剤１４０ａとして、シリカ砥粒を含んだアルカリベースの研磨剤を、第２研磨剤１４０ｂとして界面活性剤を用いる。それを研磨布２００の蓄積部２１０に、所望の混合比となるように滴下する。所望の混合比とするために、研磨剤供給機構１３０により流量を調整し第１研磨剤供給部１３２ａ及び第２研磨剤供給部１３２ｂよりそれぞれ第１研磨剤１４０ａ及び第２研磨剤１４０ｂを供給する。蓄積部２１０に蓄積された第１研磨剤１４０ａと第２研磨剤１４０ｂは研磨布２００の回転運動により、蓄積部２１０内で混合され、混合研磨剤１４２となる。蓄積部２１０に混合研磨剤１４２が溜まると、研磨布２００の回転運動により研磨布２００の表面にある程度均一に供給されていく。このようにして、所望の混合研磨剤１４２で層間絶縁膜を研磨することにより、研磨速度あるいは研磨形状の制御が可能となる。また、ＣＭＰ処理中に、界面活性剤等の流量を調整することにより、研磨速度あるいは研磨形状を制御することができる。

また、研磨剤供給部１３２が３つ以上備えられている装置であれば、第１研磨剤１４０ａと同様の研磨剤で含まれる砥粒の粒径が異なるものを第３研磨剤１４０ｃとして用いることもできる。砥粒の粒径の違いによって、研磨速度や研磨形状を変化させることができるので、最初に砥粒の粒径が大きい第１研磨剤１４０ａ及び第２研磨剤１４０ｂとしての界面活性剤を用いて半導体基板１７０を研磨する。所定の研磨量に達する直前に、第１研磨剤に含まれる砥粒の粒径よりも小さい砥粒を含んだ第３研磨剤１４０ｃと界面活性剤１４０ｂを用いて研磨する。なお、層間絶縁膜としての低誘電率膜（low-k膜）においても、適当な研磨剤１４０を調整することにより均一な研磨を行うことができる。

実施例２では、金属配線としてのタングステン（以下「Ｗ」と称す）膜の平坦化について説明する。Ｗ膜は、半導体装置での金属配線間を電気的に接続するプラグとして主に使用される。層間絶縁膜をドライエッチング法によりコンタクトホールを形成し、その後ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりコンタクトホールの中にＷ膜を埋め込む。ＣＶＤ工程後は、層間絶縁膜の上に余分なＷ膜が形成されており、これをＣＭＰ法にて研磨しながら除去する。

Ｗ膜の研磨における研磨剤１４０は、酸性領域にした加工液の中に砥粒が含まれたものを用いている。また、Ｗ膜の研磨面を酸化し、研磨しやすくするために過酸化水素水等の酸化剤を混合させている。しかし、研磨剤供給機構１３０で事前に研磨剤と酸化剤を混合しておいた場合、過酸化水素水等の酸化剤は経時劣化を起こしやすいため、使用時にＷ膜表面の酸化を十分に行うことができない可能性がある。

本実施形態では、シリカを成分とした砥粒を含んだ研磨剤を第１研磨剤１４０ａとし、過酸化水素水を第２研磨剤１４０ｂとして研磨布２００に設けられた蓄積部２１０にそれぞれ供給する。このとき、過酸化水素水は研磨直前に準備することが望ましい。その後は、実施例１と同様である。これにより、酸化剤としての過酸化水素水の分解等による経時変化による劣化を防止することができ、Ｗ膜を均一に研磨除去することができる。なお、その他ＡｌやＣｕ等の金属配線においても適当な研磨剤１４０を調整することにより均一に研磨することができる。

上記実施形態以外にも、素子分離領域としてのＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）構造の形成時の研磨についても均一な研磨を行うことができる。

第１実施形態の効果を以下に記載する。

（１）研磨布２００に研磨剤１４０を一時的に蓄積する蓄積部２１０を有することにより、２種類以上の研磨剤１４０を直接研磨布２００上で混合し、混合研磨剤１４２にすることができる。研磨布２００は、研磨装置１００の研磨定盤１１０の上に取り付けられて、少なくとも被研磨材１７０を研磨するときには回転している。したがって、その回転力は、研磨剤１４０を均一に混合するように働く。これにより、研磨剤１４０を事前に混合すると経時劣化が起こる混合研磨剤１４２でも、被研磨材１７０を研磨する直前に、研磨剤１４０の滴下後に混合することにより、混合研磨剤１４２の劣化による研磨不良を低減することができる。

（２）研磨布２００の表面に蓄積部２１０を有することにより、蓄積部２１０を着脱可能に形成することもできる。

（３）一時的に研磨剤１４０を蓄積する蓄積部２１０を有する研磨布２００を用いることにより、研磨剤供給機構１３０ですでに混合されている混合研磨剤１４２、あるいは研磨剤の固体成分の沈降により分離が起きている研磨剤１４０を再攪拌できる。したがって、研磨剤１４０の経時劣化因子を制御しやすくなるため、被研磨材１７０の研磨レート及び被研磨材１７０の面内均一性等を向上させる条件を安定化させることができる。

（４）研磨剤供給部１３２を少なくとも２つ以上有することにより、研磨剤１４０を研磨布２００上で直接混合することができる。したがって、経時劣化のない研磨剤１４０で被研磨材１７０を均一に研磨することができる。

（５）本実施形態の研磨装置１００を用いることにより、所望の混合研磨剤１４２で半導体基板１７０を研磨することができるため、半導体基板１７０に形成された配線層を構成する絶縁層の段差、あるいは金属配線を均一に研磨することができる。

（６）研磨布２００に蓄積部２１０を形成する方法において、研磨布２００の中心部を含む範囲に研磨布２００よりも硬い加工部材をプレスするだけで蓄積部２１０をプレス成形することができる。また、図５（ａ）〜（ｃ）に示す研磨布２００に形成される溝もプレス成形することができる。

（７）壁部２２０が研磨布２００と同じ材料であることにより、研磨布２００と壁部２２０の密着性がよくなり取付強度がさらに高くなる。

（８）壁部２２０を研磨布２００の表面に熱プレスすることにより、さらに研磨布２００と壁部２２０の接着強度を高くすることもできる。

（９）蓄積部２１０が形成されている部分以外の研磨布２００の表面に同心円状の凹部としての溝３００を形成することで研磨剤１４０を研磨布２００上により均一に供給することができる。

（１０）蓄積部２１０が形成されている部分以外の研磨布２００の表面にドット状の凹部としての溝３１０を形成することで研磨剤１４０を研磨布２００上により均一に供給することができる。

（１１）蓄積部２１０が形成されている部分以外の研磨布２００の表面に格子状の凹部としての溝３２０を形成することで研磨剤１４０を研磨布２００上により均一に供給することができる。

（１２）シリカの凝集が起こっても研磨布２００の蓄積部２１０で研磨剤１４０が再攪拌されるので、凝集されたシリカを再分離することができる。

（１３）ＣＭＰ処理中に界面活性剤の流量を調整することによって、所望の研磨速度、研磨形状に制御することができる。

（１４）研磨直前に過酸化水素水等の酸化剤を供給することができるので、過酸化水素水の経時変化による劣化を防止することができ、Ｗ膜を均一に研磨除去することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態を、図６〜図８を用いて説明する。第２実施形態で使用する研磨装置１００は、第１実施形態で使用した装置と同様である。以下、研磨布の説明、蓄積部の説明について、第１実施形態と同様のところは説明を省略する。

図６は研磨布の平面図を示す。第１実施形態との違いは、蓄積部２１０において、壁部２２０で囲まれた研磨剤１４０を溜める領域内にフィン２３０を有していることである。

図７は蓄積部２１０の拡大断面図を示す。研磨布２００の表面にリング形状の壁部２２０とその囲まれた領域内にフィン２３０が形成されている。壁部２２０の内側には研磨剤１４０が蓄積されている。

図８は蓄積部２１０を拡大した平面図を示す。フィン２３０は、壁部２２０で囲まれた円形の領域の中心部から壁部２２０の内壁にかけて円弧状の羽が複数本お互いに重ならないように配置されている。フィン２３０を構成する羽は少なくとも１本以上あればよい。図８には一例としてフィン２３０を構成する羽が６本描かれている。フィン２３０を構成する円弧状の羽は、研磨布２００の回転方向に円弧が凹となるように配置されている。したがって、本図において、研磨布２００は時計回りの回転運動をしていることになる。

次に第２実施形態における作用について説明する。蓄積部２１０内に研磨剤供給部１３２から研磨剤１４０が供給されると、研磨布２００の回転運動によって蓄積部２１０内に設けられたフィンも回転しているので、研磨布２００の回転運動に加え、蓄積部２１０内のフィン２３０の回転運動により研磨剤１４０は蓄積部２１０内で攪拌される。蓄積部２１０内にフィン２３０を形成することにより、研磨剤１４０の攪拌の効果を第１実施形態より一層高めることができる。

なお、第１実施形態に記載した実施例１の層間絶縁膜の研磨や実施例２の金属膜の研磨、その他ＳＴＩの研磨工程にも使用することができる。

第２の実施形態でも第１の実施形態と同様の効果（１）〜（１４）が得られる。さらに以下の効果も得られる。

（１５）研磨剤１４０を一時的に蓄積する蓄積部２１０の内側にフィン２３０が形成されていることにより、不均一になった研磨剤１４０の攪拌及び複数の研磨剤１４０の混合をより効果的に行うことができる。

（第３実施形態）
第３の実施形態を、図９及び図１０を用いて説明する。第３実施形態で使用する研磨装置１００は、第１実施形態で使用した装置と同様である。以下、研磨布の説明、蓄積部の説明について、第１実施形態と同様のところは説明を省略する。

図９は研磨布の平面図を示す。第１実施形態との違いは、蓄積部２１０が第１壁部２２０ａ及び第２壁部２２０ｂからなる２重壁構造を有していることである。

図１０は蓄積部２１０の拡大断面図を示す。第１壁部２２０ａは第２壁部２２０ｂよりも高く形成されている。ここで、第１壁部２２０ａで囲まれた領域を第１領域２２２とし、第１壁部２２０ａと第２壁部２２０ｂで囲まれたリング形状の領域を第２領域２２４と定義する。

第３実施形態における作用について説明する。蓄積部２１０に形成されている第１領域２２２に研磨剤供給部１３２から研磨剤１４０を供給する。研磨剤１４０は、第１領域２２２内で攪拌、あるいは混合される。研磨剤１４０の供給量がある限度を超えると、第１壁部２２０ａ越えて第２領域２２４に第１領域２２２で攪拌された研磨剤１４０が供給される。これにより、第１領域２２２ではまだ研磨剤１４０の攪拌あるいは混合が不完全であっても、第２領域２２４で再攪拌されることにより研磨剤１４０は均一に攪拌あるいは混合することができる。

したがって、第３実施形態においては、蓄積部２１０を２重壁構造にしてあり、また第１壁部２２０ａは第２壁部２２０ｂよりも高く形成してあることにより、第１領域２２２内で研磨剤１４０が攪拌され、続いて第２領域２２４でも攪拌されるため、第１実施形態における研磨剤１４０の攪拌よりも、確実に攪拌効果がある。

なお、第１実施形態に記載した実施例１の層間絶縁膜の研磨や実施例２の金属膜の研磨、その他ＳＴＩの研磨工程にも使用することができる。

第３の実施形態でも第１の実施形態と同様の効果（１）〜（１４）が得られる。さらに以下の効果も得られる。

（１６）蓄積部２１０の壁部２２０は２重構造であり、内側の第１壁部２２０ａは外側の第２壁部２２０ｂよりも高く形成しているので、第１領域２２２で仮に研磨剤の攪拌あるいは混合が不完全であっても、第２領域２２４で再攪拌あるいは再混合されるので、研磨剤１４０の攪拌あるいは混合をよりよく行うことができる。

（第４実施形態）
第４の実施形態を、図１１を用いて説明する。第４実施形態で使用する研磨装置１００は、第１実施形態で使用した装置と同様である。以下、研磨布の説明、蓄積部の説明について、第１実施形態と同様のところは説明を省略する。

第４実施形態における研磨布２００の平面構造、及び蓄積部２１０の平面構造及び蓄積部２１０内に形成されているフィン２３０は第２実施形態と同様である。

図１１は蓄積部２１０の拡大断面図を示す。蓄積部２１０が有するリング形状の壁部２２０には攪拌あるいは混合された研磨剤１４０を流出する流出部としての孔部２４０が形成されている。また、蓄積部２１０の内部にはフィン２３０が形成されている。

第４実施形態における作用について説明する。蓄積部２１０に研磨剤供給部１３２から研磨剤１４０を供給する。研磨剤１４０は、研磨布２００の回転運動により攪拌あるいは混合が行われる。さらに、蓄積部２１０内に形成されたフィン２３０により、さら攪拌あるいは混合が行われる。攪拌あるいは混合された研磨剤１４０は、孔部２４０を通り研磨布２００上に供給される。このとき、研磨剤１４０が壁部２２０の上面を通って研磨布２００に供給されることがないように制御する。このように制御しないと、例えば、研磨剤１４０を供給する量が多すぎる場合、蓄積部２１０で十分に攪拌あるいは混合されず、蓄積部２１０の壁部２２０の上面を通って研磨布２００に供給されてしまう、いわゆるオーバーフローが起こる可能性が高くなる。孔部２４０だけから研磨剤１４０を流出させることによって、より確実に攪拌あるいは混合された研磨剤１４０を研磨布２００に供給することができる。また、孔部２４０から研磨剤１４０が流出するためにはフィン２３０の近傍を通ることになるので、孔部２４０からはさらに攪拌あるいは混合された研磨剤１４０が流出することになる。

なお、流出部としての孔部２４０から流出する研磨剤１４０の量を制御する因子として、研磨剤供給機構１３０における研磨剤１４０の流量、研磨布２００の回転速度、孔部２４０が壁部２２０に形成される位置、孔部２４０の開口面積、フィン２３０の形状等が挙げられる。これらの条件を適当に調整することにより、上記の孔部２４０だけから研磨剤１４０を研磨布２００に供給することができ、また、所望の研磨剤１４０の流出量も制御できる。

なお、本実施形態では蓄積部２１０内にフィン２３０を形成して研磨剤１４０の攪拌あるいは混合を行っているが、フィン２３０を有していない、壁部２２０に孔部２４０が形成されているだけのもので実施してもよい。

なお、第１実施形態に記載した実施例１の層間絶縁膜の研磨や実施例２の金属膜の研磨、その他ＳＴＩの研磨工程にも使用することができる。

第４の実施形態でも第１の実施形態と同様の効果（１）〜（１４）が得られる。さらに以下の効果も得られる。

（１７）蓄積部２１０の壁部２２０から研磨剤１４０を流出させるようにすることにより、より確実に混合された研磨剤１４０を研磨布２００に供給することができる。

（１８）蓄積部２１０に形成されたフィン２３０と壁部２２０に形成された孔部２４０の組み合わせにより、さらに研磨剤１４０の攪拌あるいは混合することができる。

以上、第１実施形態から第４実施形態まで説明を行ってきたが、これらの実施形態だけでなく、これらを可能な限りの組み合わせで実施を行ってもよい。

本発明の実施形態は上記に限らず、以下のように変形してもよい。

（変形例１）本実施形態では、研磨布の中心部を含む範囲に蓄積部を研磨布の表面に形成しているが、蓄積部の構造はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部は研磨布の中心部を含む範囲に凹部を形成することで成してもよい。このようにしても、第１実施形態の効果を得ることができる。さらに、凹部で形成された蓄積部内にフィン構造を有するように形成してもよい。このようにしても、第２実施形態の効果を得ることができる。

（変形例２）本実施形態では、研磨布の中心部を含む範囲に蓄積部を有する研磨布を用いているが、蓄積部が形成されている部分以外の研磨布に突起部を形成してもよい。研磨布に突起部を形成することで研磨剤を研磨布上により均一に供給することができる。

（変形例３）本実施形態では、研磨布の中心部を含む範囲に蓄積部を有する研磨布を用いているが、蓄積部が形成されている部分以外の研磨布に凹部及び突起部を形成してもよい。この場合、凹部はドット形状や溝形状を含む。研磨布に凹部及び突起部を形成することで研磨剤を研磨布上により均一に供給することができる。

（変形例４）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部材を着脱可能なようにしてもよい。研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部が着脱自在であるので、研磨布が劣化した場合、研磨布のみを交換できる。また、最適な研磨剤の混合量に応じて蓄積部の大きさ等を変えたものを取り付けることができる。例えば、蓄積部の取付を係止構造にすることにより、蓄積部は着脱可能となる。より具体的には、研磨布に係止凹部を形成し、蓄積部材に係止突起部を形成することにより、蓄積部が着脱可能となる。

（変形例５）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、研磨布の表面に蓄積部を形成する際に、予め用意されている蓄積部材としての壁部を研磨布の表面の中心部を含む任意の範囲に取り付けることにより簡単に蓄積部を有する研磨布を製造することができる。

（変形例６）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、研磨布に蓄積部を形成する方法において、研磨布の中心部を含む範囲に研磨布よりも硬い加工部材を押し付けるプレス加工で蓄積部を形成することができる。

（変形例７）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、研磨布の中心部を含む範囲に研磨布よりも硬い加工部材を押し付けるプレス加工において、熱を加える熱プレス法により形成しても良い。熱プレス法を用いることにより迅速にかつ確実に蓄積部を形成することができる。

（変形例８）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、研磨布の中心部を含む範囲に研磨布よりも硬い加工部材を押し付けるプレス加工あるいは熱プレス加工において、蓄積部の内部がフィン構造となるように加工部材のプレス面が形成された加工部材を用いることにより、蓄積部内に簡易にフィン構造を形成することができる。

（変形例９）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部材は有機材料で形成されていてもよい。研磨布も発泡ウレタン等の有機材料で形成されているので、蓄積部材と研磨布の密着性が高く、取付強度が高くなる。

（変形例１０）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部材を構成する材料は、金属やセラミックスでもかまわない。各材料の特質により、蓄積部材と研磨布の取り外しを容易にしたりすることもできる。また、セラミックスであれば、研磨剤に含まれる薬品に対して耐性を強化した蓄積部材を形成できる。また、その接着剤を特定の薬液等により溶解するものを使用して蓄積部材を取り外したりするようにしてもよい。さらに、その蓄積部材を繰り返し使用することも可能となる。

（変形例１１）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部材を研磨布の表面に接着することによって取り付けてもよい。

（変形例１２）本実施形態では、研磨布と同じ材料で形成された蓄積部材を研磨布に熱圧着加工して蓄積部を形成したが、蓄積部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、蓄積部材を圧着によって研磨布の表面に取り付けても良い。

（変形例１３）本実施形態では、蓄積部の側壁に流出部として孔部を形成したが、流出部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、流出部としては壁部に形成されたスリットであってもよい。このスリットは例えば、壁部の鉛直方向に沿って形成してもよいし、逆に水平方向に形成されていてもよい。蓄積部の側面から研磨剤を流出させることにより、より確実に混合された研磨剤を研磨布に供給することができる。例えば、鉛直方向のスリットであれば、蓄積部成形時にスリットも一緒に成形することもできる。

（変形例１４）本実施形態では、蓄積部の側壁に流出部として孔部を形成したが、流出部の形成方法はそれだけに拘束されない。すなわち、流出部としては壁部の上面に溝部を形成しても良い。溝部を通って壁部の上端より低い位置から研磨剤を流出させるようにすることにより、より確実に混合された研磨剤を研磨布に供給することができる。

（変形例１５）本実施形態では、被研磨材として半導体基板について説明したが、被研磨剤は半導体基板だけに限定されない。すなわち、コンパクトディスクや光磁気ディスク等のディスク型記録媒体や、液晶表示パネルやエレクトロルミネッセンス用パネル等に使用されるガラス基板等を被研磨剤として用いることができる。

以下、上記実施形態から導き出される技術的思想を記載する。

（１）請求項１に記載の研磨布であって、前記蓄積部は研磨剤の蓄積される領域を囲む連続的又は断続的に連なる略環状の壁部を有する研磨布。

この構成によれば、連続的又は断続的に連なる略環状の壁部で蓄積部を形成しているので、蓄積部内で混合・攪拌された研磨剤を均一に研磨布に供給することができる。

（２）請求項２に記載の研磨布であって、前記蓄積部の高さは前記研磨布の表面より３ｍｍ以上１０ｍｍ以下である研磨布。

この構成によれば、壁部２２０の高さｈが小さすぎると、蓄積部２１０で研磨剤１４０あるいは混合研磨剤１４２を十分に混合攪拌できないまま、研磨布２００の表面へ供給される可能性が高くなる。また、ｈが大きすぎると研磨剤１４０あるいは混合研磨剤１４２を蓄積部２１０に溜めるのにも時間がかかるし、それによりなかなか研磨布２００の表面へ供給できないという時間的な損失を発生させる。

（３）請求項１または２に記載の研磨布であって、前記蓄積部は円形状であり、前記円の直径は１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である研磨布。

この構成によれば、壁部２２０の直径Ｒが小さすぎると蓄積部２１０の有する体積（容積）が小さくなり、蓄積部２１０内で十分に研磨剤１４０の再攪拌、あるいは混合研磨剤１４２を十分に混合することができなくなる可能性が高くなる。一方、直径Ｒが大きすぎると、研磨布２００の面積における蓄積部２１０の占める面積の割合が高くなる。そのため、研磨布２００での被研磨材１７０を研磨を行う面積が小さくなり、ほぼ同じ位置でしか研磨を行うことができなくなる。したがって、研磨布２００の表面が目詰まりを起こしやすくなり、その結果研磨布２００の使用寿命が短くなる可能性が高い。

（４）請求項１に記載の研磨布であって、前記蓄積部は前記研磨布の表面上に形成されている研磨布。

この構成によれば、通常の研磨布でも後から蓄積部を外付けすることができる。

（５）請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨布であって、前記研磨布の前記蓄積部以外の部分に凹部を有する研磨布。

（６）請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨布であって、前記研磨布の前記蓄積部以外の部分に突起部を有する研磨布。

（７）請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨布であって、前記研磨布の前記蓄積部以外の部分に凹部を有し、前記蓄積部及び前記凹部以外の部分に突起部を有する研磨布。

上記（５）〜（７）の構成によれば、研磨布に一時的に複数の研磨剤を蓄積し、混合することによって経時劣化のない研磨剤混合液を研磨布に供給することができる。さらに、研磨布に凹部あるいは突起部、または凹部と突起部の両方を形成することにより研磨剤混合液を研磨布全体に均一に浸透させることができる。これにより、被研磨材をより均一に研磨することができる。

（８）請求項１２または１３に記載の研磨布の製造方法であって、前記プレス加工工程は、熱プレス法を用いる研磨布の製造方法。

この方法によれば、プレス加工は押し付けるだけでなく熱を加えることにより、迅速にかつ確実に蓄積部を形成することができる。

（９）請求項１７に記載の研磨布の製造方法であって、前記蓄積部材は有機系材料で形成されている研磨布の製造方法。

この方法によれば、蓄積部材が有機系材料であることが好ましい。通常、研磨布はポリウレタン発泡体等の有機系材料で形成されている場合が多い。したがって、蓄積部材も有機系材料であれば、研磨布との密着性が上がり取付強度が高くなる。

（１０）請求項１８に記載の研磨布の製造方法であって、前記蓄積部材は研磨布と同じ材料である研磨布の製造方法。

この方法によれば、蓄積部材が研磨布と同じ材料であることにより、密着性がよくなり取付強度がさらに高くなる。

（１１）請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の研磨布の製造方法であって、前記取付工程は、接着によって行われる研磨布の製造方法。

この方法によれば、接着剤等を用いて蓄積部材を研磨布表面に簡単に取り付けることができる。

（１２）請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の研磨布の製造方法であって、前記取付工程は、プレスによって形成される研磨布の製造方法。

この方法によれば、蓄積部材を研磨布表面にプレスすることにより、取付強度を高くすることができる。

（１３）請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の研磨布の製造方法であって、前記取付工程は、熱プレスで行われる研磨布の製造方法。

この方法によれば、蓄積部材を研磨布表面に熱プレスすることにより、さらに取付強度を高くすることができる。

本発明の第１実施形態における研磨装置の断面図。 第１実施形態における研磨布の平面図。 第１実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の平面図。 第１実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の断面図。 （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態における蓄積部を備えたその他の態様の一例を示した研磨布の平面図。 第２実施形態における研磨布の平面図。 第２実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の断面図。 第２実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の平面図。 第３実施形態における研磨布の平面図。 第３実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の断面図。 第４実施形態における研磨布に備えられた蓄積部の断面図。

符号の説明

１００…研磨装置、１１０…回転盤としての研磨定盤、１２０…研磨定盤駆動機構、１３０…研磨剤供給機構、１３２…研磨剤供給部、１３２ａ…第１研磨剤供給部、１３２ｂ…第２研磨剤供給部、１４０…研磨剤、１４０ａ…第１研磨剤、１４０ｂ…第２研磨剤、１４２…混合研磨剤、１５０…被研磨材保持部としての研磨ヘッド、１６０…研磨ヘッド供給機構、１７０…被研磨材としての半導体基板、２００…研磨布、２１０…蓄積部、２２０…壁部、２２０ａ…第１壁部、２２０ｂ…第２壁部、２２２…第１領域、２２４…第２領域、２３０…フィン、２４０…流出部としての孔部、３００…凹部としての同心円状の溝、３１０…凹部としてのドット状の溝、３２０…凹部としての格子状の溝。

Claims (18)

1. 研磨剤を一時的に蓄積する蓄積部を研磨布の中心部を含む範囲に有している研磨布。
2. 請求項１に記載の研磨布であって、
   前記蓄積部は前記研磨布に対して着脱可能に設けられている研磨布。
3. 請求項１乃至２のいずれか一項に記載の研磨布であって、
   前記蓄積部の内側にフィンを有する研磨布。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の研磨布であって、
   前記蓄積部の壁部は２重壁構造を有し、内側の第一壁部は外側の第二壁部よりも高く形成されている研磨布。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨布であって、
   前記蓄積部の壁部に研磨剤が流出する流出部を有する研磨布。
6. 請求項１に記載の研磨布であって、
   前記蓄積部は凹部で形成され、前記凹部内にフィンを有している研磨布。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の研磨布であって、
   前記研磨布の前記蓄積部以外の部分に凹部と突起部のうち少なくとも一方を有する研磨布。
8. 回転盤と、
   前記回転盤に取り付けられた請求項１乃至７のいずれか一項に記載の研磨布と、
   研磨剤供給部と、
   被研磨材保持部と、
   を有する研磨装置。
9. 請求項８に記載の研磨装置であって、
   前記研磨剤供給部を少なくとも２つ以上有する研磨装置。
10. 半導体基板を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
    前記半導体基板を研磨する工程は、請求項８または９に記載の研磨装置を用い、
    研磨布に形成されている蓄積部に一時的に研磨剤を蓄積し、
    前記研磨布の回転により前記蓄積部内で前記研磨剤を攪拌した後に、前記研磨布全体に攪拌後の前記研磨剤を供給する半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０の半導体装置の製造方法であって、
    前記蓄積部に蓄積される前記研磨剤は複数である半導体装置の製造方法。
12. 研磨布の中心部を含む任意の範囲に加工部材を用いてプレスするプレス加工工程により請求項１及び請求項３〜７に記載の前記蓄積部を形成する研磨布の製造方法。
13. 請求項１２に記載の研磨布の製造方法であって、
    前記蓄積部の内部がフィン構造となるように前記加工部材のプレス面が形成された前記加工部材を用いる研磨布の製造方法。
14. 研磨布の表面の中心部を含む任意の範囲に、蓄積部材を取り付ける取付工程により蓄積部を形成する研磨布の製造方法。
15. 研磨布の表面に取り付けられる研磨剤を蓄積するための蓄積部材であって、
    前記蓄積部材は研磨剤を一時的に保持するための壁部を有する蓄積部材。
16. 請求項１５に記載の蓄積部材であって、
    前記壁部で囲まれた領域内にフィンを有する蓄積部材。
17. 請求項１５または１６に記載の蓄積部材であって、
    前記壁部は２重壁構造であり、内側の第一壁部は外側の第二壁部よりも高く形成されている蓄積部材。
18. 請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の蓄積部材であって、
    前記壁部には、研磨剤が流出する流出部を有する蓄積部材。
    

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