JP2005251361A - 光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成を必要とすることなく、レーザパワー調整を円滑に行い得る光ディスク装置を提供する。
【解決手段】 記録中のＲＦ信号からマークレベル（波高値）を取得し、これを、記録パワーに比例する線形値で除算して正規化波高値を求める。そして、求めた正規化波高値を目標値と比較して記録パワーの設定値を調整する。
図３は、マークレベル（波高値）の測定値を線形値で除算して正規化したときの算出結果を示すものである。図中、正規化波高値は、レーザパワーの増大とともに単調に減少する。よって、正規化波高値をもとに、記録パワーのズレ方向を検出することができる。また、パワーマージン範囲である２１ｍＷ前後では、正規化波高値レベルの変化が比較的大きい。よって、正規化後の波高値レベルをもとに、円滑に、記録パワーのズレ量を検出することができる。
【選択図】 図３

Description

本発明は、レーザ光を用いて情報を記録および／もしくは再生する光ディスク装置に関し、特に、レーザパワーの設定値を調整する際に用いて好適なものである。

現在、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等、様々な光記録メディアが商品化され普及している。これらの記録メディアのうち、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等の追記型メディアでは、記録層材料として有機色素が用いられているため、波長の変化に応じて記録層の反射率が変化する。すなわち、これらのメディアは記録特性に波長依存性を持っている。

一方、半導体レーザは、点灯後、時間とともに温度が上昇し、これに応じて、出射レーザ光の波長がシフトする。このため、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等、波長依存性をもつ記録メディアでは、点灯後の波長変動に応じて、記録パワーを動的に変化させる必要がある。これに対し、以下に示す特許文献１には、記録中のＲＦ信号をもとに、記録パワーの設定値を動的に変化させる技術が記載されている。

図１０は、記録信号と、記録中に検出されるＲＦ信号の関係を示すものである。図において、記録信号のスペース部分では、再生パワーレベルにてレーザ光が記録層に照射され、マーク部分において、レーザパワーが記録パワーレベルに立ち上げられる。しかし、記録パワーの立ち上がり直後にはマークは形成されないため、記録パワーレベルのレーザ光をスペース部分に照射したときと同じ反射光量（ＲＦ信号）が得られる。その後、記録層の温度上昇とともにマークが形成され始めると、これに応じて、反射光レベル（ＲＦ信号）が立下がり、次第に、マーク形成後の反射光レベル（ＲＦ信号）へと遷移する。

ここで、記録パワーの立ち上がり直後の反射光レベル（図中、スペースレベル）とマーク部分の反射光レベル（図中、マークレベル）が分かれば、反射光強度の変調度が計算出来、記録中にリアルタイムで記録マークの形成状態を監視することができる。そこで、特許文献１は、これらスペースレベルとマークレベルを記録中のＲＦ信号から検出し、反射光強度の変調度をもとに、記録レーザパワーを調整している。
特許第３０９６２３９号公報

しかしながら、上記調整方法では、スペースレベルの発生期間が極めて短いことから、これを検出するために、ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成が別途必要となる。これに対し、スペースレベルを用いずに、マークレベルのみからレーザパワー調整を行えば、ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成が必要とならず、構成の簡素化を図れるが、この場合には、以下に示す如く、安定したレーザパワー調整が行えなくなるとの問題が生じる。

図１１は、ＤＶＤ−Ｒドライブにおいて記録パワーを変化させながらマークレベル（波高値）を測定したときの測定結果を示すものである。なお、図中の波高値は、極性を反転して示されている（波高値が低い方が高反射レベル）。また、この測定結果には、記録パワーとＰＩエラーライン数（１ＥＣＣブロック中のＰＩエラーライン数）の関係が重ねて示されている。ここで、ＰＩエラーライン数は、記録パワーを変えて記録を行った後、これを再生したときのものである。

同図を参照すると、波高値レベルは、記録パワーが１２ｍＷとなるあたりを境に上がり始める（すなわち、反射光レベルが下がり始める）のが分かる。これは、１２ｍＷあたりまでは未だマークが形成されず、記録パワーの変化に応じて反射光レベルが上がり、その後、マークが形成され始めると、波高値が上がる（すなわち、反射光レベルが下がる）ことを示している。

記録パワーが１２ｍＷあたりを越えると、波高値は上がり続ける（すなわち、反射光レベルは下がり続ける）が、記録パワーが２１ｍＷあたりとなると波高値の変化がなくなり、さらにパワーを上げると逆に波高値は下がり始める（すなわち、反射光レベルは上がり始める）。これは、ある程度マークが形成されると、それ以上は反射光が下がることはなくなり、逆に、記録パワーの変化による反射光量の上昇の方が大きくなるからである。

かかる特性上にＰＩエラーによる記録パワーマージンを重ねてみると、記録パワーを２１ｍＷ前後の範囲に設定するのが適正であることが分かる。しかし、２１ｍＷ前後の範囲は、波高値レベルの変化が小さいことから、記録パワーのズレを検出し難い。また、波高値レベルは、２１ｍＷあたりを境に増加から減少へと変化しているため、波高値レベルから記録パワーのズレ方向を直ちに検出することができない。さらに、ディスクの内周、中周、外周位置の波高値特性に大きなズレが生じていることから、ディスク全周に亘って一律にレーザパワーを調整することができない。このように、波高値レベルのみによっては、レーザパワー調整を円滑に行うことができない。

そこで、本発明は、ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成を必要とすることなく、レーザパワー調整を円滑に行い得る光ディスク装置を提供することを課題とする。

請求項１の発明は、記録レーザパワーを設定するレーザパワー設定手段と、前記レーザパワー設定手段によって設定されたパワー設定値を調整するパワー調整手段とを備える光ディスク装置であって、前記パワー調整手段は、記録マーク形成後のディスク反射光量に応じた波高値レベルを取得する波高値レベル取得手段と、前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを記録パワーに比例する線形値で正規化して正規化波高値レベルを求める正規化波高値レベル取得手段と、前記正規化波高値レベル取得手段によって取得された正規化波高値レベルと目標値を比較して記録パワーの設定値を調整する設定値調整手段とを有することを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１に記載の光ディスク装置において、前記正規化波高値レベル取得手段は、前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを記録パワーに比例する値で除算して前記正規化波高値レベルを求めることを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１または２に記載の光ディスク装置において、前記目標値は、前記レーザパワー設定手段によって記録レーザパワーを設定する際に前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを、当該記録レーザパワーに比例する前記線形値で正規化して求められる前記正規化波高値レベルに設定されることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１ないし３の何れかに記載の光ディスク装置において、半導体レーザの温度変化に応じて前記線形値を補正する線形値補正手段をさらに有することを特徴とする。

請求項５の発明は、請求項４に記載の光ディスク装置において、前記線形値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに前記半導体レーザの温度変化に応じた前記線形値の補正値を求めることを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項５に記載の光ディスク装置において、前記線形値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに当該調整によって変化するレーザパワーの変化率ａを求め、この変化率ａをもとに記録層の反射率の変化率ｒを求め、この変化率ｒをもとに前記線形値の補正率を求めることを特徴とする。

請求項７の発明は、請求項１ないし３の何れかに記載の光ディスク装置において、半導体レーザの温度変化に応じて前記目標値を補正する目標値補正手段をさらに有することを特徴とする。

請求項８の発明は、請求項７に記載の光ディスク装置において、前記目標値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに前記半導体レーザの温度変化に応じた前記目標値の補正値を求めることを特徴とする。

請求項９の発明は、請求項８に記載の光ディスク装置において、前記目標値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに当該調整によって変化するレーザパワーの変化率ａを求め、この変化率ａをもとに記録層の反射率の変化率ｒを求め、この変化率ｒをもとに前記目標値の補正率を求めることを特徴とする。

本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。但し、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。

本発明によれば、ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成を別途必要とすることなく、レーザパワー調整を円滑に行うことができる。特に、請求項４ないし９の発明によれば、半導体レーザの温度変化によってレーザ光に波長シフトが生じても、適正にパワー調整を行うことができる。請求項５、６、８、９のように、レーザパワーの調整値から線形値または目標値を補正するようにすれば、温度センサー等を別途配することなく円滑に、線形値または目標値を補正することができる。

以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。

図１に、実施の形態に係る光ディスク装置の構成を示す。

図示の如く、光ディスク装置は、ＥＣＣエンコーダ１０１と、変調回路１０２と、レーザ駆動回路１０３と、レーザパワー調整回路１０４と、光ピックアップ１０５と、信号増幅回路１０６と、復調回路１０７と、ＥＣＣデコーダ１０８と、サーボ回路１０９と、コントローラ１１０から構成されている。

ＥＣＣエンコーダ１０１は、入力された記録データに誤り訂正符号を付加し、変調回路１０２へと出力する。変調回路１０２は、入力された記録データに所定の変調を施し、さらに記録信号を生成してレーザ駆動回路１０３に出力する。レーザ駆動回路１０３は、記録時には変調回路１０２からの記録信号に応じた駆動信号を半導体レーザ１０５ａに出力し、再生時には単一強度のレーザ光を出射するための駆動信号を半導体レーザ１０５ａに出力する。ここで、レーザパワーは、レーザパワー調整回路１０４によって調整・設定されたレーザパワーに設定される。

レーザパワー調整回路１０４は、試し書き等によって、記録および再生時のレーザパワーを設定するとともに、設定したレーザパワーを、コントローラ１１０から供給される調整値に応じて調整し、これをレーザ駆動回路１０３に供給する。

光ピックアップ１０５は、半導体レーザ１０５ａおよび光検出器１０５ｂを備え、レーザ光をトラック上に収束させることにより、ディスクに対するデータの書き込み／読み出しを行う。なお、かかる光ピックアップ１０５は、この他、トラックに対するレーザ光の照射状態を調整するための対物レンズアクチュエータと、半導体レーザ１０５ａから出射されたレーザ光を対物レンズに導き、且つ、ディスク１００からの反射光を光検出器１０５ｂに導くための光学系等を備えている。

信号増幅回路１０６は、光検出器１０５ｂから受信した信号を増幅および演算処理して各種信号を生成し、これを対応する回路に出力する。復調回路１０７は、信号増幅回路１０６から入力された再生ＲＦ信号を復調して再生データを生成し、ＥＣＣデコーダ１０８に出力する。ＥＣＣデコーダ１０８は、復調回路１０７から入力された再生データに誤り訂正を施し、後段回路に出力する。

サーボ回路１０９は、信号増幅回路１０６から入力されたフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号からフォーカスサーボ信号およびトラッキングサーボ信号を生成し、光ピックアップ１０５の対物レンズアクチュエータに出力する。また、信号増幅回路１０６から入力されたウォブル信号からモータサーボ信号を生成し、ディスク駆動モータに出力する。さらに、コントローラ１１０から供給されるチルトエラー信号からチルトサーボ信号を生成し、光ピックアップ１０５の対物レンズアクチュエータに出力する。

コントローラ１１０は、内蔵メモリに各種データを格納するとともに、あらかじめ設定されたプログラムに従って、各部を制御する。なお、コントローラ１１０は、信号増幅回路１０６から供給されるＲＦ信号から図１０に示すマークレベル（波高値）をサンプリングし、これをもとにレーザパワー設定値の調整値を求め、これをレーザパワー調整回路１０４に供給する。コントローラ１１０において実行されるレーザパワー調整処理の具体例については、以下の実施例において、順次、明らかにする。

本実施例は、記録時に取得したＲＦ信号から図１０に示すマークレベル（波高値）をサンプリングし、サンプリングした波高値を、記録レーザパワーの大きさに比例する値（線形記録パワー）で正規化し、正規化後の波高値をもとに、記録レーザパワーの設定値を調整するものである。

図２をもとに、本実施例における波高値の正規化処理について説明する。図において、Ｍ１は、記録レーザパワーを変化させたときにおけるマークレベル（波高値）の変動特性である。また、Ｓ１は、正規化に用いる記録レーザパワーの線形値を示すもの（パワー線形ライン）である。

本実施例では、マークレベル（波高値）を線形記録パワーで除算して、マークレベル（波高値）を正規化する。たとえば、図２において、記録パワーＰｗａのときの波高値Ｌｍａは、記録パワーＰｗａに対応するパワー線形ラインＳ１上の値Ｌｓａにて波高値Ｌｍａを除算して正規化される。

図３は、図１１にて説明したマークレベル（波高値）の測定値を線形記録パワーで除算して正規化したときの算出結果を示すものである。なお、ここでは、線形記録パワーＳ１として記録パワーの値がそのまま用いられている。また、同図には、図１１と同様、記録パワーとＰＩエラーライン数（１ＥＣＣブロック中のＰＩエラーライン数）の関係が重ねて示されている。

図示の如く、正規化後の波高値は、レーザパワーの増大とともに単調に減少することが分かる。よって、正規化後の波高値をもとに、記録パワーのズレ方向を直ちに検出することができる。また、パワーマージン範囲である２１ｍＷ前後では、正規化波高値レベルの変化が比較的大きく、よって、正規化後の波高値レベルをもとに、円滑に、記録パワーのズレ量を検出することができる。さらに、図示の如く、ディスクの内周、中周、外周位置の波高値特性にほとんどズレが生じないことから、ディスク全周に亘って一律にレーザパワー調整を行うことができる。

このように、本実施例の如く波高値レベルを正規化し、正規化後の波高値をもとに、記録レーザパワーの設定値を調整すれば、ディスク全周に亘ってレーザパワー調整を円滑に調整することができる。

図４に、本実施例におけるレーザパワー調整時の処理フローを示す。

試し書き等によって記録パワーＰｗ０が設定されると（Ｓ１０１）、このときの波高値レベルを記録パワーＰｗ０で除算して正規化波高値レベルが算出され、これがターゲット波高値レベルＴＬとして保持される（Ｓ１０２）。

しかる後、記録が開始され、レーザパワーの調整タイミングとなると（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、現時点の記録パワーＰｗ０が線形記録パワーＳとして設定される（Ｓ１０４）。

次いで、記録中のＲＦ信号から現時点のマークレベル（波高値）がサンプリングされ、サンプリングされた波高値を線形記録パワーＳで除算して正規化波高値レベルＨＬが算出される（Ｓ１０５）。そして、算出した正規化波高値レベルＨＬとターゲット波高値レベルとを比較し、その差に応じて、記録パワーの設定値Ｐｗ０を調整する。たとえば、正規化波高値レベルＨＬがターゲット波高値レベルよりも小さければ、差分に応じた分だけ設定値Ｐｗ０を減少させ、逆に、正規化波高値レベルＨＬがターゲット波高値レベルよりも大きければ、差分に応じた分だけ設定値Ｐｗ０を増大させる（Ｓ１０６）。

しかして、記録レーザパワーＰｗ０が再設定されると、再設定後の記録レーザパワーＰｗ０にて記録動作が行われる（Ｓ１０７：ＮＯ）。そして、次のレーザパワーの調整タイミングとなると（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、上記と同様にしてレーザパワーの再設定が行われる（Ｓ１０４〜Ｓ１０６）。かかる調整動作は、記録動作が終了するまで繰り返される（Ｓ１０７）。そして、記録動作が終了すると、レーザパワー調整処理も終了する。

以上、本実施例によれば、ピークホールド回路等、特別なハードウエア構成を必要とすることなく、レーザパワー調整を円滑に行うことができる。

上記実施例１では、半導体レーザの温度変化を考慮することなくレーザパワー調整が行われている。しかし、上記従来技術にて言及した如く、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等のメディアは、記録特性に波長選択性を持つため、半導体レーザの温度変化に伴う波長シフトに応じて、レーザパワーの調整処理を適宜補正する方が良い。本実施例は、この点に鑑み、半導体レーザの温度変化に伴って、パワー線形ラインＳを補正するものである。

図５を参照して、本実施例におけるパワー線形ラインの補正処理について説明する。図において、Ｍ１は、半導体レーザの温度がＴ１にあるときのマークレベル（波高値）の変動特性である。また、Ｓ１は、そのときに用いるパワー線形ラインである。

いま、温度Ｔ１のときの最適記録パワーＰｗ０が、変動特性Ｍ１上のＡ点にあるとする。その後、半導体レーザの温度がＴ２に上昇すると、マークレベル（波高値）の変動特性はＭ１からＭ２へと移り、これに伴って最適記録パワーＰｗ０の位置はＡ’点へと移る。このとき、パワー線形ラインＳ１は変動特性Ｍ１に対するものであるため、変動特性Ｍ２には適正なものとはならない。そこで、パワー線形ラインをＳ１からＳ２へと補正し、このＳ２を用いて、マークレベル（波高値）の変動特性を正規化する。

図６（ａ）は、パワー線形ラインをＳ１からＳ２へと補正したときの正規化波高値特性を示すものである。図示の如く、変動特性Ｍ１をパワー線形ラインＳ１で正規化したときの正規化波高値特性（Ｍ１／Ｓ１）上における最適記録パワーの位置Ａは、変動特性Ｍ２をパワー線形ラインＳ２で正規化したときの正規化波高値特性（Ｍ２／Ｓ２）上の位置Ａ’へと移る。ここで、Ａ点における正規化波高値と、Ａ’点における正規化波高値は同じ値となっている。換言すれば、Ａ点における正規化波高値と、Ａ’点における正規化波高値が同じ値となるように、パワー線形ラインをＳ１からＳ２へと補正する。こうすれば、レーザパワー調整時のターゲット波高値ＴＬ（レーザパワー設定時の正規化波高値）を変更・補正することなく、初期に設定されたターゲット波高値ＴＬにて記録パワー調整を行うことができる。

なお、本実施例は、半導体レーザの温度変化に応じてパワー線形ラインを補正するものであるから、レーザパワー調整時点の半導体レーザの温度を何らかの方法で検出する必要がある。しかし、半導体レーザの温度を直接計測するのは難しく、缶温度であれば検出できるものの、この場合には缶温度センサー等が別途必要となり、また、半導体レーザの実温度と缶温度との間の温度差（温度伝播特性）も考慮しなければならない。

これに対し、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等のメディアでは、上記の如く、半導体レーザの温度変化によるレーザ光の波長シフトによって、記録層の反射率が変化するため、逆に、メディアからの反射光量を監視することで、半導体レーザの温度変化を予測することができる。

かかる予測は、記録時のＲＦ信号等、記録層の反射率変化を表す信号をもとに行うことができる。たとえば、図１０に示すマークレベル（波高値）や再生パワーレベルから記録層の反射率変化を把握し、これをもとに、半導体レーザの温度変化を予測することができる。

このほか、以下に示す如く、記録パワー調整後のパワー設定値をもとに、半導体レーザの温度変化ないし反射率変化を予測し、線形記録パワー値（パワー線形ライン）Ｓを補正するようにすることもできる。

たとえば、上記実施例１においては、半導体レーザの温度上昇に伴って波長シフトが生じると、記録層の反射率が増大するため、レーザパワー調整処理により、記録パワーの設定値Ｐｗ０が先の設定値よりも大きく再設定される。ここで、再設定前のパワー設定値Ｐｗ０と再設定後のパワー設定値Ｐｗ０との差ΔＰｗ０は、記録層の反射率変動に応じたものであるが、この反射率変動は、もともと半導体レーザの温度変化に応じて生じたものである。よって、この設定値の差ΔＰｗ０を半導体レーザの温度変化として捉えることもできる。

いま、初期パワーＰ１に対しパワー調整をかけた結果、記録パワーがＰ２になったとすると、記録パワーの増加率ａは
ａ＝Ｐ２／Ｐ１ …（１）
となる。

ここで、記録パワーをＰ２に上げることの原因となった温度変化による反射光アップを考慮すると、初期の記録層の吸収率Ａｂ１と現時点の記録層の吸収率Ａｂ２は、
Ａｂ２＝Ａｂ１／ａ …（２）
の関係を満たす。

よって、初期の記録層の反射率Ｒ１と現時点の記録層の反射率Ｒ２は、
Ｒ１＝１−Ａｂ１ …（３）
Ｒ２＝１−Ａｂ１／ａ …（４）
となり、記録層の反射率の増加率ｒは、
ｒ＝（１−Ａｂ１／ａ）／（１−Ａｂ１） …（５）
となる。

このように、記録パワーをａ倍にしたときには、反射光量はｒ倍になっているはずなので、線形記録パワー値Ｓ（パワー線形ライン）もｒ倍する必要がある。よって、初期の線形記録パワー特性をＳ１（Ｐｗ）、現時点の線形記録パワー特性をＳ２（Ｐｗ）とすると、
Ｓ２（Ｐｗ）＝Ｓ１（Ｐｗ）×ｒ …（６）
として再設定することで、記録パワーを適正に調整することができる。

なお、記録パワーの変動と反射率（吸収率）の変動の関係は、メディアによってばらつくため、実験的ないし統計的検証によって、記録パワーの変化と反射率の変化の関係を設定するようにしても良い。発明者の検証によれば、記録パワーが１％上昇したとき、反射率も１％増大するとして設定すると、不都合なく記録パワー追従を行えることが確認できた。

図７に、再設定後のパワー設定値Ｐｗ０を用いてパワー調整を行う場合の処理フローを示す。なお、この処理フローは、図４に比べ、Ｓ１０４がＳ１１０に変更されている。また、Ｓ１１１が新たに追加されている。その他のステップは上記図４と同様である。

すなわち、上記実施例１では、現時点の記録パワーＰｗ０が線形記録パワーＳとして設定されたが（図４のＳ１０４）、この処理フローでは、現時点の記録パワーＰｗ０に補正率αを乗じたものが線形記録パワーＳとして設定される（Ｓ１１０）。ここで、補正率αは、１回前のレーザパワー調整時に、Ｓ１１１にて設定される。すなわち、Ｓ１１１では、Ｓ１０６にて再設定されたパワー設定値Ｐｗ０と初期設定時（Ｓ１０１における設定）のパワー設定値Ｐｗ０との間の変化率ａから、上述の如くして、記録層の反射率変化ｒを把握し、これをもとに、線形記録パワーＳの補正率α（たとえば、補正率α＝ｒ）を設定する。

このようにして設定された補正率αは、次のレーザパワー調整タイミングにおいて（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、線形記録パワーＳの補正に用いられる。すなわち、現時点の記録パワーＰｗ０に、１回前に求めた補正率αを乗じて線形記録パワーＳが設定される（Ｓ１１０）。そして、この線形記録パワーＳにて現時点のマークレベル（波高値）を除算して正規化波高値レベルＨＬが算出され（Ｓ１０５）、さらに、算出された正規化波高値レベルＨＬとターゲット波高値レベルとを比較して、記録パワーの設定値Ｐｗ０が再設定される（Ｓ１０６）。

本実施例によれば、半導体レーザの温度変化に応じて、正規化に用いる線形記録パワーＳが補正されるため、上記実施例１に比べ、より適正に、レーザパワー調整を行うことができる。

上記実施例２では、半導体レーザの温度変化に伴って、パワー線形ラインＳを補正するようにしたが、本実施例では、半導体レーザの温度変化に伴って、ターゲット波高値レベルＴＬを補正する。

図６（ｂ）は、図５の変動特性Ｍ１、Ｍ２を、それぞれ同一のパワー線形ラインＳ１で除算して正規化したときの正規化波高値特性を示すものである。図示の如く、変動特性Ｍ１をパワー線形ラインＳ１で正規化したときの正規化波高値特性（Ｍ１／Ｓ１）上における最適記録パワーの位置Ａは、変動特性Ｍ２を同じパワー線形ラインＳ１で正規化したときの正規化波高値特性（Ｍ２／Ｓ２）上の位置Ａ’へと移る。したがって、正規化波高値特性（Ｍ２／Ｓ２）にてパワー調整をかける場合には、ターゲット波高値レベルをＴＬからＴＬ’に変更する必要がある。

この変更は、上記実施例２と同様、半導体レーザの温度変化に基づいて行う必要がある。このとき、半導体レーザの温度変化は、半導体レーザ温度または缶温度を実際に測定して検出するようにしてもよいが、測定の困難性および部品点数（温度センサー等）の増大を回避するために、上記実施例２にて示した如く、パワー調整後のパワー設定値から温度変化ないし記録層反射率の変化を予測し、これをもとに、ターゲット波高値レベルＴＬを補正するようにすると良い。

すなわち、上記実施例２において、式（１）〜式（５）を示しながら説明したとおり、記録パワーをａ倍にしたときには、反射光量はｒ倍になっているはずなので、ターゲット波高値レベルＴＬ２もｒ倍に引き上げる必要がある。よって、初期パワーをＰ１、その時の波高値をＭ１とし、パワー調整をかけた結果、記録パワーがＰ２になったとすると、ターゲット波高値レベルＴＬは、
ＴＬ＝（Ｍ１／Ｐ１）×ｒ …（７）
として再設定する。これにより、記録パワーを最適パワーに追従させることができるようになる。

図８に、再設定前後のパワー設定値の変化率を用いてパワー調整を行う場合の処理フローを示す。この処理フローは、図４に比べ、Ｓ１２０が新たに追加されている。その他のステップは上記図４と同様である。

すなわち、この処理フローでは、初期のパワー設定時に求めたターゲット波高値レベルＴＬに補正率αを乗じてターゲット波高値レベルＴＬを補正し（Ｓ１２０）、これを次のパワー調整タイミングにて用いてパワー調整を行う（Ｓ１０６）。ここで、補正率αは、上述の如く、再設定されたパワー設定値Ｐｗ０（Ｓ１０６にて再設定）と、初期設定時のパワー設定値Ｐｗ０（Ｓ１０１にて初期設定）との間の変化率ａから記録層の反射率変化ｒを把握して設定される。

本実施例によれば、半導体レーザの温度変化に応じて、正規化に用いる線形記録パワーＳが補正されるため、上記実施例１に比べ、より適正に、レーザパワー調整を行うことができる。

図９に、上記処理フロー（図８）をＤＶＤ＋Ｒドライブに適用したときの検証結果を示す。

この検証結果は、５５℃恒温槽でパワー調整をかけながらＤＶＤ＋Ｒメディアに対して全周記録させたときの記録パワーと記録した信号のβ値の変遷を測定したものである。なお、この検証では、記録パワーが１％上昇したときに、反射率も１％増大するとして、反射率変化ｒを求めた。また、ターゲット波高値レベルＴＬの補正率αとして、反射率変化率ｒをそのまま用いるようにした。さらに、正規化に用いる線形波高値Ｓは、パワー調整時のレーザパワーをそのまま用いるようにした。

同図から、記録パワーは２２．５ｍＷから２４ｍＷの範囲で振れるよう調整されており、このときのβ値は±０．０２程度の誤差で収まっていることがわかる。よって、上記処理フローに従えば、適正にパワー追従を行えることが分かる。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明は係る実施の形態に限定されるものではなく、他に種々の変更が可能であることは言うまでもない。

たとえば、上記実施の形態では、線形パワー値Ｓとしてパワー調整時の記録パワーをそのまま用いる処理フローを示したが、線形パワーＳの設定方法はこれに限定されるものではなく、記録パワーの増大に比例して増大するものであれば、これ以外の設定方法も適用可能である。

また、上記実施例２、３にて示された処理フローでは、パワー調整後のパワー設定値をもとに、線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬの補正率αをもとめ、かかる補正率αを次のパワー調整時に適用して、線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬを補正するようにしたが、かかる補正率αを次のパワー調整時でなく現在のパワー調整に適用して、パワー調整を行うようにしても良い。

すなわち、補正率αにて補正せずにパワー調整後のパワー設定値を仮に求め、求めたパワー設定値から線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬの補正率αをもとめ、さらに、この補正率αにて線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬを補正し、補正後の線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬを用いて、当該パワー調整時における最終的なパワー設定値を求める。こうすると、上記実施例２、３に示すフローチャートのように、１回遅れで線形記録パワーＳまたはターゲット波高値レベルＴＬを補正する場合に比べ、パワー調整をより適正に行うことができる。

この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。

実施の形態に係る光ディスク装置の構成を示す図 実施例１に係る波高値レベルの正規化方法を説明する図 実施例１に係る波高値レベルの正規化方法を説明する図 実施例１に係るパワー調整時の処理フローを示す図 実施例２に係る波高値レベルの正規化方法を説明する図 実施例２および３に係るレーザパワー調整処理を説明する図 実施例２に係るパワー調整時の処理フローを示す図 実施例３に係るパワー調整時の処理フローを示す図 実施例３に係るパワー調整処理の検証結果を示す図 記録信号と記録中のＲＦ信号の関係を示す図 本発明の課題を説明する図

符号の説明

１０３ レーザ駆動回路
１０４ レーザパワー調整回路
１０５ 光ピックアップ
１０６ 信号増幅回路
１１０ コントローラ

Claims (9)

1. 記録レーザパワーを設定するレーザパワー設定手段と、
   前記レーザパワー設定手段によって設定されたパワー設定値を調整するパワー調整手段とを備え、
   前記パワー調整手段は、
   記録マーク形成後のディスク反射光量に応じた波高値レベルを取得する波高値レベル取得手段と、
   前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを記録パワーに比例する線形値で正規化して正規化波高値レベルを求める正規化波高値レベル取得手段と、
   前記正規化波高値レベル取得手段によって取得された正規化波高値レベルと目標値を比較して記録パワーの設定値を調整する設定値調整手段とを有する、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
2. 請求項１において、
   前記正規化波高値レベル取得手段は、前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを記録パワーに比例する値で除算して前記正規化波高値レベルを求める、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
3. 請求項１または２において、
   前記目標値は、前記レーザパワー設定手段によって記録レーザパワーを設定する際に前記波高値レベル取得手段によって取得された波高値レベルを、当該記録レーザパワーに比例する前記線形値で正規化して求められる前記正規化波高値レベルに設定される、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
4. 請求項１ないし３の何れかにおいて、
   半導体レーザの温度変化に応じて前記線形値を補正する線形値補正手段をさらに有する、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
5. 請求項４において、
   前記線形値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに前記半導体レーザの温度変化に応じた前記線形値の補正値を求める、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
6. 請求項５において、
   前記線形値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに当該調整によって変化するレーザパワーの変化率ａを求め、この変化率ａをもとに記録層の反射率の変化率ｒを求め、この変化率ｒをもとに前記線形値の補正率を求める、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
7. 請求項１ないし３の何れかにおいて、
   半導体レーザの温度変化に応じて前記目標値を補正する目標値補正手段をさらに有する、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
8. 請求項７において、
   前記目標値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに前記半導体レーザの温度変化に応じた前記目標値の補正値を求める、
   ことを特徴とする光ディスク装置。
9. 請求項８において、
   前記目標値補正手段は、設定値調整手段によって調整されるレーザパワーの調整値をもとに当該調整によって変化するレーザパワーの変化率ａを求め、この変化率ａをもとに記録層の反射率の変化率ｒを求め、この変化率ｒをもとに前記目標値の補正率を求める、
   ことを特徴とする光ディスク装置。

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