JP2005251058A - 半導体集積回路のシミュレーション方法 - Google Patents

半導体集積回路のシミュレーション方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体集積回路の各配線に対して配線幅を考慮した過電流の自動検出が可能となるシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体集積回路内の各配線の配線幅を抽出し、あらかじめ準備されている電流密度と配線膜厚から最大許容電流値を算出し各配線に関するデータを抽出する配線データ抽出手段と、各配線の接続情報に対して算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成するネットリスト作成手段と、回路動作シミュレーションしながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを判定する許容電流値判定手段と、前記許容電流値判定手段で最大許容電流値を超えた配線に対してエラー出力するエラー出力手段とを備えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体集積回路における配線の過電流を検証するシミュレーション方法に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化及び微細化が著しく進んでおり、半導体素子間の配線に流れる電流密度が増加し、エレクトロマイグレーションによる断線不良・短絡不良が問題になっている。エレクトロマイグレーションとは、配線上に過度の電流が加わり、配線パターンを形成する金属原子が時間経過とともに絶縁物の表面上を移動する現象であり、配線の断線・短絡の原因となる。
従来、回路設計者は、エレクトロマイグレーションの防止のため、設計した回路図データ(ネットリスト)を回路動作シミュレーションし、各素子への電流値を読み取り、許容範囲かどうかを検証していた。
しかしながら、設計した回路図データを用いての回路動作シミュレーションによる電流値の判定は、接続された各素子への電流値しか確認することができず、各配線の電流密度、配線幅、配線膜厚を考慮することができなかった。また、配線層および多層配線の配線間を接続するコンタクト層についても考慮することができなかった。
そこで、特許文献1に開示されているレイアウトパターン検証装置が提案されている。前記レイアウトパターン検証装置では、あらかじめ回路動作シミュレーションを実行することによって得られる各ネットに関する電流値と、レイアウトデータの各ネットに対して幅が最小となる配線図形を抽出し、あらかじめ準備されている最大許容電流値の範囲を満たすかどうかを判定する装置が提案されている。
図15は前記レイアウトパターン検証装置の処理内容を示すフローチャートである。
S1501は半導体集積回路の回路図データとレイアウトデータ(1505)に対応する各素子およびその接続関係が一致するかどうかを検証する手段である。S1502は前記回路図データに基づいて前記半導体集積回路の回路動作シミュレーションを行い、前記各素子の電流値を求める手段である。回路動作シミュレーション装置としては、SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)というソフトウェアが一般的である。このSPICEは、EWS(Engineering Work Station)やPC(Personal Computer)などのコンピュータで使用されるソフトウェアである。S1503はS1501で得られた結果から各ネットに対して配線図形の最小幅を求める手段である。S1504はあらかじめ準備されている電流値検証データ(1506)を用いてS1503で求めた最小幅に対応する最大許容電流値を求め、S1502で求めた電流値がS1503で求めた最大許容電流値の仕様を満足しているかどうかを検証する手段である。前記電流値検証データは各配線幅とそれらに対応する最大許容電流値が1対1で準備されているファイルである。
図5と図6を用いて、前記レイアウトパターン検証装置について説明する。
図5の501は半導体集積回路であり、図6の601は前記半導体集積回路501のレイアウトデータである。前記レイアウトデータ601の606〜614は配線であり、それぞれ配線幅の情報を持っている。配線幅の大小関係はw1<w2<w3である。S1503で前記半導体集積回路501内のNET1〜NET5に対応する配線606(配線幅w2)、607(配線幅w2)、609(配線幅w2)、610(配線幅w2)、613(配線幅w1)、614(配線幅w1)が求められる。
S1504で前記配線幅w1、w2に対応する最大許容電流値を電流値検証データから求め、S1502で事前に回路動作シミュレーションしておいたNET1〜NET5それぞれの電流値が前記電流値検証データから求められた最大許容電流値を満足するかどうかを検証することが可能となる。
特開平7−74262号公報
しかしながら、特開平7−74262号では半導体集積回路の各ネットに対して幅が最小となる配線図形しか検証対象としていないため、最大許容電流値を超える配線の検証が十分であるとは言えず、また、あらかじめ回路動作シミュレーションを行い、結果を準備する必要があり、一般的に全ネットに関する回路動作シミュレーション結果を保持しておくには大容量の記憶装置が必要になるという課題を持っている。
上記課題に鑑みて、本発明の半導体集積回路のシミュレーション方法は、半導体集積回路内の各配線の配線幅と配線膜厚を考慮した過電流の検証を行うシミュレーション方法であって、半導体集積回路内の各配線の配線幅を抽出し、あらかじめ準備されている電流密度と配線膜厚から最大許容電流値を算出し各配線に関するデータを抽出する配線データ抽出手段と、前記半導体集積回路の各配線の接続情報に対して前記配線データ抽出手段で算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成するネットリスト作成手段と、前記ネットリスト作成手段で作成したネットリストを読み込み回路動作シミュレーションしながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを時々刻々判定する許容電流値判定手段と、前記許容電流値判定手段で最大許容電流値を超えたネットに対してネット名と前記検出素子に流れた電流値と前記回路動作シミュレーション条件をエラー出力するエラー出力手段とを備え、半導体集積回路のシミュレーションを行う。
上記半導体集積回路のシミュレーション方法において、配線データ抽出手段では半導体集積回路のレイアウトデータからLPE(Layout Parastics Extraction)等のソフトウェアによって抽出したネットリスト(以下、LPEネットリストと称する)から配線の配線幅を抽出することにより、実際のレイアウトデータに対応した素子構成で寄生の影響を考慮して、配線に流れる過電流の検証を行うシミュレーションが可能となる。
また前記半導体集積回路の回路図データ(ネットリスト)で使用されている素子の端子に配線幅のプロパティ情報を付加することにより、前記回路図データを変更することなくシミュレーション用のネットリスト作成時にのみ前記プロパティ情報を指定した素子の端子と前記素子の端子に接続されている配線間に最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、レイアウトデータがない場合でも、配線に流れる過電流の推定検証を行うシミュレーションが可能となる。
本発明によれば、半導体集積回路の各配線に流れる電流が最大許容電流値の範囲を満足するかどうかを時々刻々検証することができ、さらに、最大許容電流値を超えた配線を容易に把握することができ、回路図データ(ネットリスト)とレイアウトを修正することができる。
以下、本発明の実施形態に係る半導体集積回路のシミュレーション方法について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図である。
S101は半導体集積回路の各配線の配線幅を抽出し、あらかじめ準備されている電流密度と配線膜厚から最大許容電流値を算出し、各配線に関するデータを抽出する配線データ抽出手段、S102は前記半導体集積回路の各配線の接続情報に対して前記配線データ抽出手段で算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成するネットリスト作成手段、S103は前記ネットリスト作成手段で作成したネットリストを読み込み回路動作シミュレーションを実行しながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを時々刻々判定する許容電流値判定手段、S104は前記許容電流値判定手段で最大許容電流値を超えたネットに対してネット名と前記検出素子に流れる電流値と前記回路動作シミュレーション条件をエラー出力するエラー出力手段とを用いて半導体集積回路のシミュレーションを実行する手段である。
(第1の実施形態)
図2は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図である。
S201はLPEネットリスト(207)から各寄生抵抗素子が持つ配線幅の情報を抽出する手段である。S202はプロセスデータ(208)から電流密度、配線膜厚を抽出する手段である。図8は前記プロセスデータの一例を示した図で、プロセス名、電流密度、配線幅から構成される。S203は201、202で抽出した電流密度、配線幅、配線膜厚から最大許容電流値を算出する手段である。S204はS203で算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成する手段である。S205はS204で作成した前記ネットリストを読み込み、回路動作シミュレーションを実行しながら前記検出素子に流れる電流値と前記検出素子が持つ最大許容電流値とを比較し、許容範囲かどうかを判定する手段である。S206はS205で許容範囲外であった場合にエラー出力する手段である。
以下、図5と図6を用いて図2の具体的なフローについて説明する。
図5の501は半導体集積回路であり、502、503、504は前記半導体集積回路501内で使用されているNPNトランジスタであり、505は前記半導体集積回路501内で使用されている抵抗素子であり、506は前記半導体集積回路501内で配線部分を示した図である。
図6の601は前記半導体集積回路501のレイアウトデータであり、602、603、604は前記半導体集積回路501で使用されているNPNトランジスタ502、503、504に対応する素子であり、605は前記半導体集積回路501で使用されている抵抗505に対応する素子であり、615、616、617は前記半導体集積回路内501の配線部分506の寄生抵抗素子である。
図7はレイアウトデータ601から抽出したLPEネットリストの一例を示した図である。前記LPEネットリストは配線間に存在する寄生抵抗素子の素子名、接続情報1、接続情報2、抵抗値、配線幅から構成される。寄生抵抗素子615、616は素子のプロパティとして抵抗値R1、配線幅w2を有し、直列にNET2で接続されている。S201で前記LPEネットリストから各寄生抵抗素子が持つ配線幅の情報を抽出する。前記寄生抵抗素子615を例にとれば、配線幅w2の情報が抽出される。S202で前記半導体集積回路501内で使用されているプロセスProcess1に対応した電流密度J1、配線膜厚h1の情報を抽出する。S203はS201、S202で抽出した電流密度、配線幅、配線膜厚から電流密度を求める。最大許容電流値は、
最大許容電流値=電流密度×配線幅×配線膜厚
で求めることができる。
前記寄生抵抗素子615の電流密度J1を0.4(mA/um2)、配線幅w2を1(um)、配線膜厚h1を0.3(um)と仮定すれば、最大許容電流値は0.12(mA)と求めることができる。S204で前記LPEネットリストに算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入しネットリストを作成する。図7の寄生抵抗素子名、接続情報1、接続情報2から前記検出素子を挿入するテキスト処理の一例を示す。図7の接続情報1、接続情報2の中で重複して指定されているネット(NET8)を前記半導体集積回路501内に存在しないネット名に置換する。前記寄生抵抗素子615の接続情報1、接続情報2はNET7、NET11(置換前はNET8)であり、前記寄生抵抗素子616の接続情報1、接続情報2はNET12(置換前はNET8)、NET9であり、前記寄生抵抗素子617の接続情報1、接続情報2はNET13(置換前はNET8)、NET10となる。次に上記の処理で置換したネット名と置換前のネット名に対して検出素子901、902、903を挿入する。前記検出素子901の接続情報1、接続情報2はNET11、NET8であり、前記検出素子902の接続情報1、接続情報2はNET8、NET12であり、前記検出素子903の接続情報1、接続情報2はNET8、NET13となる。前記検出素子901は置換されたネット(NET11)に接続されている前記寄生抵抗素子615の最大許容電流値0.12(mA)の情報を持つ。同様に前記検出素子902、903は前記寄生抵抗素子616、617で算出された最大許容電流値の情報を持つ。上記のようなテキスト処理で全ての寄生抵抗素子にそれぞれ対応した検出素子を容易に挿入することが可能となる。図9と図10に前記LPEネットリストに前記検出素子を挿入した後の回路図とネットリストを示す。S205で前記ネットリストを読み込み、回路動作シミュレーションを実行しながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを判定する。S206で最大許容電流値を超えた電流値を検出した場合、前記最大許容電流値を超えたネットに対してネット名と前記検出素子に流れた電流値と前記回路動作シミュレーション条件をエラー出力する。図3を用いてS205、S206のフローの一例を示す。
S301で回路動作シミュレーション中にネットリスト内に含まれる検出素子全ての情報を抽出する。S302はS301で抽出した前記検出素子の中から1つを選択し、S302で選択した前記検出素子に流れる電流値をSPICEのような回路動作シミュレーション装置から求め、前記検出素子が持つ最大許容電流値との比較を行い、許容範囲外であれば逐次エラー出力を行う。図4はエラー出力の一例を示した図である。図4でTransient解析を行った場合のエラー内容は過電流が検出された時間ステップ“0.2msec”とネット名“NET1”に流れる電流値“0.17mA”と最大許容電流値“0.12mA”が出力される。電源電圧VCCをスイープするDC解析を行った場合のエラー内容は過電流が検出された電源電圧VCC“3.7V”とネット名“NET3”に流れる電流値“0.21mA”と最大許容電流値“0.12mA”が出力される。S305で未調査の前記検出素子があればS302に戻り、全ての検出素子に流れる電流値と最大許容電流値の比較を終えるまで処理を繰り返す。
回路動作シミュレーション中に時々刻々と検出素子に流れる電流値の判定を行い、過電流を検出した場合の条件、ネット名が明確になるため回路図データ(ネットリスト)とレイアウトデータの修正も容易に行うことができる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態と異なり、レイアウトデータから抽出したLPEネットリストが存在しない場合、回路図データ内の素子の端子に配線幅のプロパティ情報を付加し、前記プロパティ情報を人手で設定することにより、配線に流れる過電流の推定検証を行うシミュレーションが可能となる。
図11は、本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図である。
S1101は回路図データ(1107)で指定された素子の端子が持つ配線幅プロパティから配線幅の情報を抽出する手段である。S1102はプロセスデータ(1108)から電流密度、配線膜厚を抽出する手段である。S1103はS1101、S1102で抽出した電流密度、配線幅、配線膜厚から最大許容電流値を算出する手段である。S1104はS1103で算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を回路図データの前記素子の端子とそれに接続されている配線に対して挿入し、ネットリストを作成する手段である。S1105はS1104で作成したネットリストを読み込み、回路動作シミュレーションを実行しながら前記検出素子に流れる電流値と前記検出素子が持つ最大許容電流値とを比較し、許容範囲かどうかを判定する手段である。S1106はS1105で許容範囲外であった場合にエラー出力する手段である。
以下、図12を用いて図11の具体的なフローについて説明する。
半導体集積回路501内の1201、1202はNPNトランジスタ502、503のエミッタ端子であり、配線幅プロパティ情報w=w2がそれぞれ設定されており、1203はNPNトランジスタ504のコレクタ端子であり、配線幅プロパティ情報w=w3が設定されている。
S1101で前記半導体集積回路501内の素子の端子情報を全て抽出し、それぞれに設定されている前記配線幅プロパティ情報から配線幅を抽出する。前記NPNトランジスタ504のコレクタ端子1203を例に取れば配線幅w=w3の情報が抽出される。S1102はプロセスデータに基づいて電流密度、配線膜厚を抽出する電流密度、配線膜厚抽出手段である。前記半導体集積回路501内で使用されているプロセスであるProcess1に対応した電流密度J1、配線膜厚h1を抽出する。S1103は前記配線幅抽出手段で抽出した配線幅と前記電流密度、配線膜厚抽出手段で抽出した電流密度と配線膜厚から最大許容電流値を算出する最大許容電流値算出手段である。配線の最大許容電流値は、
最大許容電流値=電流密度×配線幅×配線膜厚
で求めることができる。
前記NPNトランジスタ504のコレクタ端子1203の電流密度J1を0.4(mA/um2)、配線幅w3を1.5(um)、配線膜厚h1を0.3(um)と仮定すれば、最大許容電流値は0.18(mA)と求めることができる。S1104で回路図データ(1107)で指定された素子の端子とそれに接続されている配線間に算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成する。1107がネットリストであれば、第1の実施形態のネットリスト作成で用いたテキスト処理と同様の方法から前記検出素子1301、1302、1303を挿入したネットリストを作成することができる。1107が回路図データ(Cadence社より市販されている回路図エディタ“Composer”やMentor社より市販されている回路図エディタ“Design Architect”というソフトウェアなどを用いて作成した回路図)であれば、ネットリスト作成時に回路図エディタ上に配置されている全ての素子の端子情報を読み込み、前記端子が持つ配線幅プロパティと接続されているネット名の座標を抽出し、座標の中点に最大許容電流値の情報を持つ前記検出素子を挿入する簡単なマクロプログラムで対応することができる。前記回路図エディタ上で前記検出素子を挿入し、前記回路図エディタの機能であるネットリスト作成を実行するので挿入後の前記検出素子の接続情報は前記半導体集積回路501内に存在しないネット名が自動で割り振られる。図13、14は回路図データ(1107)に前記検出素子を挿入した後の回路図とネットリストである。
S1105で前記ネットリストを読み込み、回路動作シミュレーションを実行しながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを判定する。S1106で最大許容電流値を超えた電流値を検出した場合、前記最大許容電流値を超えたネットに対してネット名と前記検出素子に流れた電流値と前記回路動作シミュレーション条件をエラー出力する。
レイアウトデータがない場合でも、回路図データ内の素子の端子に配線幅のプロパティ情報を付加することにより配線に流れる過電流の推定検証を行うシミュレーションが可能となる。
以上説明したように、本発明は、半導体集積回路の配線に流れる過電流のシミュレーション検証などに有用である。
本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法のシミュレーション手順を説明する図 結果ログ出力の一例を示した図 半導体集積回路の一例を示した回路図 図5のレイアウトデータの一例を示した図 図6のレイアウトデータから抽出したLPEネットリストの一例を示した図 プロセスデータの一例を示した図 図5に検出素子を挿入した一例を示した図 図7に検出素子を挿入したLPEネットリストの一例を示した図 本発明の一実施の形態である半導体集積回路のシミュレーション方法を説明する図 半導体集積回路の一例を示した図 図12に検出素子を挿入した一例を示した図 図13のネットリストの一例を示した図 レイアウトパターン検証装置の処理内容を示すフローチャート
符号の説明
S101 配線データ抽出手段
S102、S204、S1104 ネットリスト作成手段
S103、S205、S1105 許容電流値判定手段
S104、S206、S1106 エラー出力手段
S201、S1101 配線幅抽出手段
S202、S1102 電流密度、配線膜厚抽出手段
S203、S1103 許容電流値算出手段
207 LPEネットリスト
208、1108 プロセスデータ
1107 回路図データ
S1501 接続検証手段
S1502 回路解析手段
S1503 配線抽出手段
S1504 許容電流値検証手段
1505 回路図データ、レイアウトデータ
1506 電流値検証データ

Claims (3)

  1. 半導体集積回路のシミュレーション方法であって、前記半導体集積回路内の各配線の配線幅を抽出し、あらかじめ準備されている電流密度と配線膜厚から最大許容電流値を算出し、各配線に関するデータを抽出する配線データ抽出手段と、前記半導体集積回路の各配線の接続情報に対して前記配線データ抽出手段で算出した最大許容電流値の情報を持つ検出素子を挿入し、ネットリストを作成するネットリスト作成手段と、前記ネットリスト作成手段で作成したネットリストを読み込み回路動作シミュレーションしながら前記検出素子に流れる電流値が最大許容電流値を満足するかどうかを判定する許容電流値判定手段と、前記許容電流値判定手段で最大許容電流値を超えたネットに対してエラー出力するエラー出力手段とを有することを特徴とする半導体集積回路のシミュレーション方法。
  2. 前記配線データ抽出手段において、前記半導体集積回路のレイアウトデータから抽出した配線の寄生素子を含んだネットリストから前記配線幅を抽出し、最大許容電流値を算出することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。
  3. 前記配線データ抽出手段において、前記半導体集積回路の回路図データの素子の端子プロパティから前記配線幅を抽出し、最大許容電流値を算出することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010108048A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Fujitsu Microelectronics Ltd 電流判定プログラム、電流判定装置および電流判定方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010108048A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Fujitsu Microelectronics Ltd 電流判定プログラム、電流判定装置および電流判定方法

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