JP2005243669A - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体ベアチップが実装基板に搭載される場合の半導体装置およびその製造方法に関し、半導体装置が不良の場合のリペアー性の向上を図った半導体装置、および封止樹脂が開口され、開口された部分のむき出しにされた配線層に外部端子を容易に取り付けることができる封止・開口方法の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor bare chip is mounted on a mounting substrate and a method for manufacturing the same, and relates to a semiconductor device that is improved in repairability when the semiconductor device is defective, and a sealing resin that is opened and opened The present invention relates to a manufacturing method of a sealing / opening method in which an external terminal can be easily attached to an exposed wiring layer.
半導体ベアチップをそのまま基板に実装する半導体装置では、半導体ベアチップに外部端子として主に半田バンプを形成し、基板に搭載した後、熱リフローさせ、基板と半田バンプとを半田付けしたのちに、アンダーフィルと呼ばれる熱硬化性の封止樹脂を半導体チップと基板との間に流し込み、硬化させて完了させて来た。これにより半導体チップと基板との熱膨張係数差を樹脂によって押さえ込むことで、両者間の応力差による半田バンプのクラックや半田バンプの接合部の剥離の問題を解消してきた。しかしながらこの方法によると熱硬化性樹脂により半導体チップと基板とを固めてしまっているため、後でリペアー出来ないと言う問題を抱えていた。 In a semiconductor device in which a semiconductor bare chip is mounted on a substrate as it is, solder bumps are mainly formed on the semiconductor bare chip as external terminals. A thermosetting encapsulating resin called “pour” is poured between the semiconductor chip and the substrate and cured to complete. Thus, by suppressing the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the substrate with the resin, the problem of solder bump cracks and peeling of the solder bump joint due to the stress difference between them has been solved. However, according to this method, since the semiconductor chip and the substrate are hardened by the thermosetting resin, there is a problem that it cannot be repaired later.
本発明による半導体装置および本発明による製造方法では、半導体チップにはすでに封止処理が施されていて、ここで言う封止処理が施されたものはスーパーCSP（チップ・サイズ・パッケージ）と呼ばれる半導体装置、特開平10-079362に既に存在するが、封止材料が熱硬化性であり、封止後に開口させることが困難であり、且つ封止厚が厚く、あらかじめ銅ポストと呼ばれるバンプ形成を配線層上にしたのち、銅ポスト上面まで封止を行い、銅ポスト表面を露出させて外部端子である半田ボールを取り付けると言った処理が必要であった。またこの銅ポスト形成工程はアディティブ法と呼ばれる工法で形成される。あらかじめウエハーに感光性樹脂を塗布して、銅ポストを形成する部分を露光・現像処理によって開口させ、開口させた部分にメッキ法によって銅ポストを形成する、この後あらかじめウエハーに塗布された感光性樹脂は剥離・除去される、と言った複雑な形成工程を必要とする。このために半導体装置自体が高価になり普及しないと言う課題を抱えていた。 In the semiconductor device according to the present invention and the manufacturing method according to the present invention, the semiconductor chip is already subjected to the sealing process, and the semiconductor chip subjected to the sealing process is called a super CSP (chip size package). Although already present in a semiconductor device, Japanese Patent Laid-Open No. 10-079362, the sealing material is thermosetting, it is difficult to open after sealing, the sealing thickness is thick, and bump formation called a copper post in advance is performed. After forming on the wiring layer, it was necessary to perform a process of sealing up to the upper surface of the copper post, exposing the surface of the copper post, and attaching solder balls as external terminals. This copper post forming step is formed by a method called an additive method. Photosensitive resin is applied to the wafer in advance, the part where the copper post is to be formed is opened by exposure / development processing, and the copper post is formed by plating on the opened part. The resin requires a complicated forming process such as peeling and removal. For this reason, the semiconductor device itself is expensive and has a problem of not spreading.
しかし本発明の半導体装置および製造方法を用いることで封止厚が薄く、かつ外部端子を取り付けるための開口部を開けることによって、外部端子を開口された部分のむき出しにされた配線層に直接取り付けることができ、銅ポストが不用となり低コスト化を可能にする。且つ封止済みであるために実装後容易にリペアーすることもできる。 However, by using the semiconductor device and the manufacturing method of the present invention, the sealing thickness is thin, and the external terminal is directly attached to the exposed wiring layer by opening the opening for attaching the external terminal. Therefore, the copper post is unnecessary, and the cost can be reduced. And since it has been sealed, it can be easily repaired after mounting.
また、半導体チップと実装基板との熱膨張係数差に起因して外部端子部に生じる応力に対しては外部端子の足の長さを長くさせることで対処できる。これは応力による故障に至る頻度は足の長さに反比例することは、既に既知であって、外付けである外部端子は足の長さを簡単に長くでき、応力の低減が可能である。 Further, the stress generated in the external terminal portion due to the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the mounting substrate can be dealt with by increasing the length of the external terminal leg. It is already known that the frequency of failure due to stress is inversely proportional to the length of the foot, and the external terminal that is externally attached can easily increase the length of the foot, and the stress can be reduced.
上記課題を解決するために、本発明では半導体チップにあらかじめ封止処理をほどこし、且つ封止樹脂が開口され、開口された部分のむき出しにされた配線層に取り付けた外部端子が複数の外部端子を具備する。この構成により半導体チップと実装基板との熱膨張係数差に応じた応力を外部端子の長さで緩和することができ、かつ封止済みであるため、容易にリペアーができる。また銅ポストが不用であり低コスト化にも対応できる。 In order to solve the above-described problems, in the present invention, a semiconductor chip is preliminarily sealed, and a sealing resin is opened, and external terminals attached to a wiring layer in which the opened portions are exposed include a plurality of external terminals. It comprises. With this configuration, the stress corresponding to the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the mounting substrate can be relaxed by the length of the external terminal, and since it has been sealed, it can be easily repaired. In addition, the copper post is unnecessary, and the cost can be reduced.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、感光性液状樹脂からなる封止材でウエハーの配線面を封止し、外部端子を取り付けるための開口部を露光・現像によって開口させた封止・開口工程を具備する。この場合感光性液状封止樹脂はネガ・ポジどちらでもかまわない。この構成により、開口された部分のむき出しにされた配線層に容易に外部端子を取り付けることができ、且つウエハー上での一括封止および一括開口処理が可能となる。 Further, in the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, the wiring surface of the wafer is sealed with a sealing material made of a photosensitive liquid resin, and an opening for attaching an external terminal is opened by exposure / development. An opening step is provided. In this case, the photosensitive liquid sealing resin may be either negative or positive. With this configuration, the external terminals can be easily attached to the exposed wiring layer of the opened portion, and batch sealing and batch opening processing on the wafer can be performed.
また本発明の半導体装置における製造方法では、液状封止樹脂をスクリーン印刷する。このことで封止厚が薄く、かつ液状封止樹脂をスクリーン印刷で塗布すると同時に、外部端子を取り付けるための開口部を、スクリーン印刷で同時形成することによって、前記銅ポストの形成なしで外部端子を開口された部分のむき出しにされた配線層に直接取り付けることができ、銅ポスト形成工程を不用にすることができる。 Moreover, in the manufacturing method in the semiconductor device of this invention, liquid sealing resin is screen-printed. By this, the sealing thickness is thin and the liquid sealing resin is applied by screen printing, and at the same time, an opening for attaching the external terminal is simultaneously formed by screen printing, thereby forming the external terminal without forming the copper post. Can be directly attached to the exposed wiring layer of the opened portion, and the copper post forming step can be eliminated.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、封止面をレーザーによって開口させ開口部を形成することもできる。このことによって、前記銅ポストの形成なしで外部端子を開口された部分のむき出しにされた配線層に直接取り付けることができ、銅ポスト形成工程を不用にすることができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the sealing surface can be opened by a laser to form an opening. Thus, the external terminals can be directly attached to the exposed wiring layer without forming the copper posts, and the copper post forming step can be made unnecessary.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、液状封止樹脂をスクリーン印刷するが、このときに外部端子を取り付けるための開口部もスクリーン印刷によって同時形成させるのであるが、液状樹脂であるために濡れ広がり易い、よって液状樹脂により開口部をふさぐことを防ぐための感光性樹脂による突起物（ダム・ランド）を開口部に当る部分にあらかじめ形成しておきスクリーン印刷する。このことで開口部に液状封止樹脂が濡れ広がらなくなる。のちに封止樹脂の硬化後、このダム・ランドは除去することで封止面に微細な開口部を形成できる。 Moreover, in the manufacturing method in the semiconductor device of the present invention, the liquid sealing resin is screen-printed. At this time, the opening for attaching the external terminal is also formed simultaneously by screen printing. Protrusions (dams / lands) made of a photosensitive resin for preventing wetting and spreading, and thus preventing the openings from being blocked with a liquid resin, are formed in advance on the portions that contact the openings and screen-printed. This prevents the liquid sealing resin from getting wet and spreading in the opening. After the sealing resin is cured, the dam / land can be removed to form a fine opening on the sealing surface.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、ウエハーの再配線上で開口部に当る部分に感光性樹脂による突起物（ダム・ランド）を設け、これをウエハーと平板で挟み込み、生じたギャップに毛細管現象あるいはバキュームによる気圧差、あるいは圧力による押し込みを利用して、簡単に液状封止樹脂を充填させることができる。充填させたあとは充填材を硬化させ、さらに平板を剥離して、さらにダム・ランドを除去することで封止面に微細な開口部を形成できる。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a protrusion (dam / land) made of a photosensitive resin is provided at a portion corresponding to the opening on the rewiring of the wafer, and this is sandwiched between the wafer and a flat plate, and the generated gap is formed. The liquid sealing resin can be easily filled by utilizing a pressure difference due to capillary action or vacuum, or pressing by pressure. After filling, the filler can be hardened, the flat plate is peeled off, and the dam / land can be removed to form a fine opening on the sealing surface.
本発明の半導体装置では、すでに封止済みであるため、基板に実装され、問題のあった半導体装置は外部端子と基板とが半田により接合されている部分に熱を加えるだけで半田が溶融して簡単にリペアーすることが出来る。 In the semiconductor device of the present invention, since it is already sealed, the semiconductor device which is mounted on the substrate and has a problem is melted by simply applying heat to the portion where the external terminal and the substrate are joined by the solder. Can be easily repaired.
また、本発明の半導体装置では、外付けできる外部端子を具備しており、半導体チップの大きさに応じて外部端子の足の長さを長くすることにより、半導体チップの大きさに比例する応力を十分に緩和することができる。このため大型の半導体チップに対しても十分に適用可能となる。この場合の外部端子の長さは、大型の半導体チップを15mm角として、およそ1mm程度で十分に対応可能なことが算出できるし、実用上はもっと短くて良いかもしれない。 In addition, the semiconductor device of the present invention has external terminals that can be externally attached. By increasing the length of the external terminal legs according to the size of the semiconductor chip, the stress proportional to the size of the semiconductor chip is obtained. Can be sufficiently relaxed. For this reason, it can be sufficiently applied to a large-sized semiconductor chip. In this case, the length of the external terminal can be calculated to be about 1 mm with a large semiconductor chip as a 15 mm square, and may be shorter in practice.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、複数の外部端子を外付けで、一括して組み立てすることができるので、生産性も良く、ウエハー工程の延長線上でウエハーごとの一括アッセンブリーで製造できる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a plurality of external terminals can be externally assembled and collectively assembled, so that the productivity is good and the wafer assembly can be manufactured in a batch assembly on the extended line of the wafer process. .
また、本発明の感光性液状封止樹脂では、液状であるため薄く封止することができ、かつ露光・現像によって開口することができる。この作用のため開口された部分のむき出しにされた配線層に外部端子が、銅ポストなるバンプ形成なしで取り付けできる。この場合の封止厚であるが0.01mmから0.1mm程度が液状樹脂の粘度調整によって制御できるし、この感光性封止樹脂は感光性ポリイミドなどの液状樹脂に、カーボンなどの遮光性粉末を15%から85%程度含有させて製造されたものが使用される。また粉末粒径は数ナノから数十ミクロン・メートルの微粉末が使用される。なお遮光性の粉末が含有されていても、封止厚みが薄いので、自然光に比べ光量の多い露光時の光は十分に透過できることにより、露光・現像による処理が可能となる。 In addition, since the photosensitive liquid sealing resin of the present invention is liquid, it can be sealed thinly and can be opened by exposure and development. Because of this action, external terminals can be attached to the exposed wiring layer of the opened portion without forming bumps such as copper posts. The sealing thickness in this case can be controlled by adjusting the viscosity of the liquid resin from 0.01 mm to 0.1 mm. This photosensitive sealing resin is a liquid resin such as photosensitive polyimide, and a light-shielding powder such as carbon. A product produced by adding about 85% to 85% is used. In addition, a fine powder having a particle size of several nanometers to several tens of microns is used. Even if a light-shielding powder is contained, the sealing thickness is small, and therefore, light during exposure with a larger amount of light than natural light can be sufficiently transmitted, so that processing by exposure / development becomes possible.
また、本発明の液状封止樹脂では、液状であるため薄く封止することができ、かつスクリーン印刷によって開口部を同時形成することができる。この作用のため開口部に外部端子を、銅ポストなるバンプ形成なしで取り付けることができる。この場合の封止厚であるが0.01mmから0.1mm程度がスクリーン厚の調整によって制御できるし、開口部直径も液状封止樹脂の粘度を制御することで0.05mm程度の微小開口部まで形成できる。 Moreover, since the liquid sealing resin of the present invention is liquid, it can be sealed thinly, and the opening can be formed simultaneously by screen printing. Because of this action, external terminals can be attached to the openings without forming bumps such as copper posts. The sealing thickness in this case can be controlled by adjusting the screen thickness from about 0.01 mm to 0.1 mm, and the opening diameter can also be formed to a minute opening of about 0.05 mm by controlling the viscosity of the liquid sealing resin. .
また、本発明のレーザーによる開口部形成方法では直径0.01mm程度の極微小開口部まで形成できる。 Further, the opening forming method using a laser according to the present invention can form a very small opening having a diameter of about 0.01 mm.
また、本発明のスクリーン印刷とダム・ランドによる開口部形成方法では切り口の整った開口部が形成できる。この場合のダム・ランドの厚みは10から100μmが最適である。 In addition, the screen printing and the opening forming method using the dam / land according to the present invention can form an opening having a cut surface. In this case, the optimum dam / land thickness is 10 to 100 μm.
また、本発明のダム・ランドと平板による開口部形成方法では微細な開口部が形成できる。この場合のダム・ランドの厚みは10から100μmが最適である。 In addition, the opening forming method using the dam / land and the flat plate according to the present invention can form a fine opening. In this case, the optimum dam / land thickness is 10 to 100 μm.
本発明による半導体装置では、すでに封止済みであるため、基板に実装された問題のあった半導体装置は、外部端子と基板とが半田により接合された部分に熱を加えるだけで半田が溶融して簡単にリペアーすることが出来る。 In the semiconductor device according to the present invention, since the semiconductor device is already sealed, the semiconductor device having a problem mounted on the substrate melts the solder only by applying heat to the portion where the external terminal and the substrate are joined by the solder. Can be easily repaired.
また、本発明による半導体装置では、半導体チップの大きさに応じて外部端子の足の長さを長くすることにより、半導体チップの大きさに比例する熱膨張係数差に起因する応力を十分に緩和することができるため、大型の半導体チップに対しても十分に適用できる。 Further, in the semiconductor device according to the present invention, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient proportional to the size of the semiconductor chip is sufficiently relieved by increasing the length of the external terminal leg according to the size of the semiconductor chip. Therefore, it can be sufficiently applied to a large semiconductor chip.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、複数の外部端子を一括して組み立て形成することができるので、生産性も良く、ウエハー工程の延長線上でウエハーごとの一括アッセンブリーで製造できる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a plurality of external terminals can be assembled and formed at a time, so that the productivity is good and the wafer assembly can be manufactured in a batch assembly on the extended line of the wafer process.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、封止樹脂に容易に開口部を形成することができる。この作用のため開口部に外部端子が容易に且つ安価に取り付けることができる。 Moreover, in the manufacturing method in the semiconductor device of the present invention, the opening can be easily formed in the sealing resin. Because of this action, the external terminal can be easily and inexpensively attached to the opening.
また、本発明の半導体装置における製造方法では、封止樹脂を開口させて配線層に外部端子を直接取り付けるため、銅ポストなる余分な材料および工程を省くことができ低コスト化への道を開くものである。 Further, in the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, since the external terminals are directly attached to the wiring layer by opening the sealing resin, it is possible to omit the extra material and process of the copper post and open the way to cost reduction. Is.
図1に示すように、本発明による半導体装置においては、半導体装置は封止面3が開口6され、開口された部分のむき出しにされた配線層に取り付けた複数の外部端子5を具備する。
As shown in FIG. 1, in the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor device includes a plurality of
本発明による半導体装置を基板に実装する場合、図2のように、半導体装置は外部端子5によって基板に半田12を用いて表面実装されるので、半田12を再溶融させることによって、製品不良の場合のリペアーもできるし、外部端子の足の長さを長くすることによって、半導体チップと実装基板との熱膨張係数差による応力に対応できることとなる。また本発明によって容易に封止部を開口させることができ、開口された部分のむき出しにされた配線層に直接外部端子を取り付けることができる。
When the semiconductor device according to the present invention is mounted on a substrate, as shown in FIG. 2, the semiconductor device is surface-mounted using the
以下、本発明の製造方法における実施例について図面を用いて詳細に説明する。 Embodiments of the production method of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
図3は、本発明の第1の製造方法の実施例を示す。まず、半導体素子および配線層形成済みの半導体ウエハーに、スピンコート法などにより全面に感光性液状封止樹脂を塗布し、露光・現像を行い、外部端子を取り付けるための開口部を形成し、硬化させて封止処理を完了する。感光性液状封止樹脂に開口部が形成された部分に、半田ボールからなる外部端子を開口された部分のむき出しにされた配線層に対し半田付けされる。また、もちろん開口された部分の配線層あるいは封止層下の配線層には、半田などとの濡れ性の良い金属や、配線層と半田とのバリアーとしての下地金属がめっきされていても良い。 FIG. 3 shows an embodiment of the first manufacturing method of the present invention. First, a photosensitive liquid sealing resin is applied to the entire surface of a semiconductor wafer on which a semiconductor element and a wiring layer have been formed by spin coating or the like, exposed and developed, and an opening for attaching an external terminal is formed and cured. To complete the sealing process. An external terminal made of a solder ball is soldered to the exposed wiring layer of the portion where the opening is formed in the photosensitive liquid sealing resin. Of course, the wiring layer in the opened portion or the wiring layer under the sealing layer may be plated with a metal having good wettability with solder or the like, or a base metal as a barrier between the wiring layer and the solder. .
図4は本発明の第2の製造方法の実施例を示す。液状樹脂からなる封止材でウエハーの配線面をスクリーン印刷により封止し、外部端子を取り付けるための開口部を同じくスクリーン印刷によって、同時開口させた封止工程を具備する。外部端子は開口された部分のむき出しにされた配線層の金属に直接接続される。この場合配線層に外部端子の金属との濡れ性の良い他の金属及び半田とのバリアーとしての下地金属が被覆されていても良い。 FIG. 4 shows an embodiment of the second production method of the present invention. A sealing process is provided in which the wiring surface of the wafer is sealed by screen printing with a sealing material made of a liquid resin, and openings for attaching external terminals are simultaneously opened by screen printing. The external terminal is directly connected to the metal of the exposed wiring layer of the opened portion. In this case, the wiring layer may be coated with another metal having good wettability with the metal of the external terminal and a base metal as a barrier with the solder.
図5は本発明の第3の製造方法の実施例を示す。樹脂からなる封止材でウエハーの配線面を封止し、外部端子を取り付けるための開口部をレーザーによって、開口させた封止・開口工程を具備する。外部端子は開口された部分のむき出しにされた配線層の金属に直接接続される。この場合配線層に外部端子の金属との濡れ性の良い他の金属及び半田とのバリアーとしての下地金属が被覆されていても良い。 FIG. 5 shows an embodiment of the third manufacturing method of the present invention. A sealing / opening step is provided in which a wiring surface of a wafer is sealed with a sealing material made of resin, and an opening for attaching an external terminal is opened by a laser. The external terminal is directly connected to the metal of the exposed wiring layer of the opened portion. In this case, the wiring layer may be coated with another metal having good wettability with the metal of the external terminal and a base metal as a barrier with the solder.
図6は本発明の第4の製造方法の実施例を示す。液状樹脂からなる封止材でウエハーの配線面をスクリーン印刷により封止し、外部端子を取り付けるための開口部を同じくスクリーン印刷によって、同時開口させる場合にあらかじめ開口させる部位に感光性樹脂によって突起物（ダム・ランド）を形成しておき、この上からスクリーン印刷を施す。このことによって液状樹脂からなる封止材が開口される部分に濡れ広がることを防ぐ役割をする。のちに液状樹脂を硬化したのちケミカル処理によって、この感光性樹脂からなるダム・ランドを除去する。これにより封止樹脂面に開口部を形成させた封止・開口工程が完了される。さらに外部端子は開口された部分のむき出しにされた配線層の金属に直接接続される。この場合配線層に外部端子の金属との濡れ性の良い他の金属及び半田とのバリアーとしての下地金属が被覆されていても良い。 FIG. 6 shows an embodiment of the fourth production method of the present invention. When the wiring surface of the wafer is sealed by screen printing with a sealing material made of liquid resin, and the openings for attaching external terminals are also simultaneously opened by screen printing, the protrusions are made of photosensitive resin at the site to be opened in advance. (Dam Land) is formed and screen printing is performed from above. This serves to prevent the sealing material made of a liquid resin from spreading out into the opening portion. After the liquid resin is cured, the dam / land made of the photosensitive resin is removed by chemical treatment. Thereby, the sealing / opening step in which the opening is formed on the sealing resin surface is completed. Furthermore, the external terminal is directly connected to the metal of the exposed wiring layer of the opened portion. In this case, the wiring layer may be coated with another metal having good wettability with the metal of the external terminal and a base metal as a barrier with the solder.
図7は本発明の第5の製造方法の実施例を示す。ウエハーの配線上で開口部にあたる部分に感光性樹脂による突起物（ダム・ランド）を設け、これをウエハーと平板で挟み込み、生じたギャップに毛細管現象あるいはバキュームによる気圧差、あるいは圧力による押し込みを利用して、簡単に液状封止樹脂を充填させることができる。充填させたあとは充填材を硬化させ、そのあと平板を剥離して、さらにダム・ランドをケミカル処理によって除去することで封止面に微細な開口部を形成できる。これにより封止樹脂面に開口部を形成させた封止・開口工程が完了される。さらに外部端子は開口された部分のむき出しにされた配線層の金属に直接接続される。この場合配線層に外部端子の金属との濡れ性の良い他の金属及び半田とのバリアーとしての下地金属が被覆されていても良い。 FIG. 7 shows an embodiment of the fifth manufacturing method of the present invention. Protrusions (dams and lands) made of photosensitive resin are provided at the opening on the wiring of the wafer, sandwiched between the wafer and a flat plate, and the resulting gap is utilized by capillary action or pressure difference due to vacuum, or by pressure. Thus, the liquid sealing resin can be easily filled. After filling, the filler is cured, and then the flat plate is peeled off, and the dam / land is removed by chemical treatment to form a fine opening on the sealing surface. Thereby, the sealing / opening step in which the opening is formed on the sealing resin surface is completed. Furthermore, the external terminal is directly connected to the metal of the exposed wiring layer of the opened portion. In this case, the wiring layer may be coated with another metal having good wettability with the metal of the external terminal and a base metal as a barrier with the solder.
１ 半導体チップ
２ 配線層
３ 封止樹脂（感光性封止樹脂含む）
４ 半田ボール
５ 外部端子
６ 開口部
７ 露光
８ ダイシングによる個片化される部位を示す
９ 半導体ウエハー
１０ 実装基板
１１ 実装基板上の配線ランド
１２ 半田
１３ 透過部
１４ 露光マスク
１５ スクリーン開口部
１６ 液状封止樹脂
１７ スキージー
１８ レーザー光
１９ 突起物（ダム・ランド）
２０ 平板
２１ スクリーンマスク部
1
4
20
Claims (6)
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein when the wiring surface of the wafer is sealed with a sealing material made of a liquid resin and an opening for attaching an external terminal is provided, the photosensitive layer is exposed on the wiring layer that contacts the opening in advance. Protrusions are provided with a functional resin, and the wafer and flat plate with protrusions are overlapped with the protrusions facing the flat plate, and the gap space corresponding to the thickness of the protrusions between the wafer and flat plate is filled with a sealing material made of liquid resin. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a sealing / opening step in which a flat plate is peeled off after being cured, and protrusions are removed and opened.
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Cited By (1)
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2004
- 2004-02-24 JP JP2004047307A patent/JP2005243669A/en active Pending
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