JP2005239672A - ピリジン誘導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 医薬品、農薬、触媒配位子、コンビナートリアルケミストリー、有機エレクトロルミネッセンス素子、電荷移動体、電子写真感光体、染料、液晶等の分野において重要な中間体となる位置特異的なピリジン誘導体を、高価な触媒や特殊な設備を用いることなく、高純度、高収率、低コストで、しかも公害問題を生じずに工業的規模で製造すること。
【解決手段】 特定の３−アルコキシアクロレイン誘導体とアセチル化合物を縮合させ、次いでその反応物にアンモニアまたはアンモニウム塩を作用させ、ピリジン誘導体、例えば５−フェニル−２，３’−ビピリジンを得る。
【選択図】 なし
【解決手段】 特定の３−アルコキシアクロレイン誘導体とアセチル化合物を縮合させ、次いでその反応物にアンモニアまたはアンモニウム塩を作用させ、ピリジン誘導体、例えば５−フェニル−２，３’−ビピリジンを得る。
【選択図】 なし
Description
本発明は、医薬品、農薬、触媒配位子、コンビナートリアルケミストリー、有機エレクトロルミネッセンス素子、電荷移動体、電子写真感光体、染料、液晶等の分野において重要な中間体となるピリジン誘導体の製造方法に関する。
アセチル化合物を原料とするピリジン環の製造方法が近年開発されている。例えば、カルボン酸誘導体にＶｉｌｓｍｅｉｅｒ反応を行って得られるビナミジニウム塩を用い、比較的穏和な条件下で高収率でピリジン環を構築する方法が開示されている（特許文献１〜２、非特許文献１〜３参照）。しかしこの方法の場合、揮発性で環境に多大な影響を与えるジメチルアミンが大量に発生し、これを大気中に放出させないための特殊なガス収集装置が必要となる。更に、用いられているヘキサフルオロリン酸（ＰＦ6）イオンはガラス
をはげしく腐食するため、ガラス製の汎用の反応装置が利用できず、またフッ素イオンを含む廃液の処理に別段の費用が必要となる等の問題点を有している。腐食性の問題が少ない過塩素酸（ＣｌＯ4）塩のビナミジニウム化合物を取り出す方法（特許文献２参照）も
あるが、過塩素酸塩は有機物との接触により爆発性の高い過酸化物を生じやすく、工業的に用いるには不適切である。
ＰＦ6塩よりも腐食性の問題が生じにくいＢＦ4塩でビナミジニウム化合物を単離する方法も開示されている（特許文献１〜３参照）。しかしこの方法でもフッ素イオンを含む廃液の問題は解決できていない。塩化物塩として単離する例（非特許文献４〜６参照）もあるが、その単離収率は総じて低く、コスト面で有利でない。
イオン性前駆体を用いない方法として、アミノアクロレイン誘導体によりピリジン環を構築する方法（特許文献５、非特許文献１〜３参照）も開示されている。しかしこの場合も、反応中にジメチルアミンが発生する点でビナミジニウム塩と同じ問題を有している。またアミノアクロレイン誘導体は一般的に入手しにくく、合成のための工程数が多いこともあり工業的にはあまり適していない。
ジアルデヒド化合物でも同様にピリジン環形成反応が起こることが開示されている（特許文献６、非特許文献１〜３参照）が、他の方法に比べて収率が低く、また不純物が多く生成することから、更なる改良の必要があった。
特許文献１および５に開示されているピリジン誘導体の反応スキームを下記に示す。
をはげしく腐食するため、ガラス製の汎用の反応装置が利用できず、またフッ素イオンを含む廃液の処理に別段の費用が必要となる等の問題点を有している。腐食性の問題が少ない過塩素酸（ＣｌＯ4）塩のビナミジニウム化合物を取り出す方法（特許文献２参照）も
あるが、過塩素酸塩は有機物との接触により爆発性の高い過酸化物を生じやすく、工業的に用いるには不適切である。
ＰＦ6塩よりも腐食性の問題が生じにくいＢＦ4塩でビナミジニウム化合物を単離する方法も開示されている（特許文献１〜３参照）。しかしこの方法でもフッ素イオンを含む廃液の問題は解決できていない。塩化物塩として単離する例（非特許文献４〜６参照）もあるが、その単離収率は総じて低く、コスト面で有利でない。
イオン性前駆体を用いない方法として、アミノアクロレイン誘導体によりピリジン環を構築する方法（特許文献５、非特許文献１〜３参照）も開示されている。しかしこの場合も、反応中にジメチルアミンが発生する点でビナミジニウム塩と同じ問題を有している。またアミノアクロレイン誘導体は一般的に入手しにくく、合成のための工程数が多いこともあり工業的にはあまり適していない。
ジアルデヒド化合物でも同様にピリジン環形成反応が起こることが開示されている（特許文献６、非特許文献１〜３参照）が、他の方法に比べて収率が低く、また不純物が多く生成することから、更なる改良の必要があった。
特許文献１および５に開示されているピリジン誘導体の反応スキームを下記に示す。
本発明の目的は、医薬品、農薬、触媒配位子、コンビナートリアルケミストリー、有機エレクトロルミネッセンス素子、電荷移動体、電子写真感光体、染料、液晶等の分野の中間体として有用なピリジン誘導体を、高価な触媒や特殊な設備を用いることなく、工業的規模で生産可能な製造方法を提供することにある。更に詳しくは高純度、高収率、低コストで製造でき、公害問題を生じない、位置特異的なピリジン誘導体の製造方法を提供することにある。
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、医薬品や農薬、触媒配位子、コンビナートリアルケミストリー、電子写真感光体、染料、液晶等の中間体として有用なピリジン誘導体の製造方法を開発することに成功し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の方法によって達成される。
（１）一般式（Ｉ）で表される３−アルコキシアクロレイン誘導体と一般式（ＩＩ）で表されるアセチル化合物を縮合させ、次いでその反応物にアンモニアまたはアンモニウム塩を作用させることを特徴とする、一般式（III）で表されるピリジン誘導体の製造方法
。
すなわち、本発明は以下の方法によって達成される。
（１）一般式（Ｉ）で表される３−アルコキシアクロレイン誘導体と一般式（ＩＩ）で表されるアセチル化合物を縮合させ、次いでその反応物にアンモニアまたはアンモニウム塩を作用させることを特徴とする、一般式（III）で表されるピリジン誘導体の製造方法
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式中、
Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、ウレイド基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
Ｒ２は、アルキル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、カルバモイル基、ヘテロ環残基を表す。
なお、Ｒ１、Ｒ２は連結して、各々が結合している炭素原子および酸素原子と共に非金属原子からなる置換または非置換の環を形成してもよい。
Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、ウレイド基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
Ｒ２は、アルキル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、カルバモイル基、ヘテロ環残基を表す。
なお、Ｒ１、Ｒ２は連結して、各々が結合している炭素原子および酸素原子と共に非金属原子からなる置換または非置換の環を形成してもよい。
式中、
Ｒ３は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、またはヘテロ環残基を表わす。
Ｒ４は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
Ｒ３は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、またはヘテロ環残基を表わす。
Ｒ４は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４は前記と同じ意味を有する。
本発明により、医薬品、農薬、触媒配位子、コンビナートリアルケミストリー、有機エレクトロルミネッセンス素子、電荷移動体、電子写真感光体、染料、液晶等の分野において重要な中間体となる位置特異的なピリジン誘導体を、高価な触媒や特殊な設備を用いることなく、高純度、高収率、低コストで、しかも公害問題を生じずに工業的規模で製造することが可能となる。
以下に本発明について更に詳しく説明する。
本発明の方法をより詳しく説明するために、本発明の方法の一態様を一例として下記に示すが、本発明の内容がこれに限定されるものではない。
本発明の方法をより詳しく説明するために、本発明の方法の一態様を一例として下記に示すが、本発明の内容がこれに限定されるものではない。
本発明の一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ４が表わすアル
キル基とは具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル等の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ３およびＲ４が表わすアルケニル基とは、ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、イコセニル、ヘキサジエニル、ドデカトリエニル等の直鎖、分岐、または環状のアルケニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ３およびＲ４が表わすアルキニル基とは、エチニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、シクロオクチニル、シクロノニニル、シクロデシニルなどの直鎖、分岐または環状のアルキニル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすアリール基とは、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントリル等の６〜１０員の単環式または多環式アリール基を表わす。
キル基とは具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル等の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ３およびＲ４が表わすアルケニル基とは、ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、イコセニル、ヘキサジエニル、ドデカトリエニル等の直鎖、分岐、または環状のアルケニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ３およびＲ４が表わすアルキニル基とは、エチニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、シクロオクチニル、シクロノニニル、シクロデシニルなどの直鎖、分岐または環状のアルキニル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすアリール基とは、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントリル等の６〜１０員の単環式または多環式アリール基を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、オクタデシルオキシ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアリールオキシ基とは、フェノキシ、ナフチルオキシ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすカルボニルオキシ基とはアセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、ヘキシルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、ドデシルカルボニルオキシ、ヘキサデシルカルボニルオキシ等のアルキルカルボニルオキシ基；ベンゾイルオキシ、ナフチルカルボニルオキシ等のアリールカルボニルオキシ基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすカルボニル基とはアセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル、バレリル、オクタノイル等のアルキルカルボニル基；ベンゾイル、ナフトイル等のアリールカルボニル基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル等のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカルボニル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすスルホニル基とは、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル、オクチルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル等のアルキルスルホニル基；フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル等のアリールスルホニル基；メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、ｔｅｒｔ−ブトキシスルホニル、ｎ−デシルオキシスルホニル、ｎ−ヘキサデシルオキシスルホニル等のアルコキシスルホニル基；フェノキシスルホニル、ナフチルオキシスルホニル等のアリールオキシスルホニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアリールオキシ基とは、フェノキシ、ナフチルオキシ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすカルボニルオキシ基とはアセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、ヘキシルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、ドデシルカルボニルオキシ、ヘキサデシルカルボニルオキシ等のアルキルカルボニルオキシ基；ベンゾイルオキシ、ナフチルカルボニルオキシ等のアリールカルボニルオキシ基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすカルボニル基とはアセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル、バレリル、オクタノイル等のアルキルカルボニル基；ベンゾイル、ナフトイル等のアリールカルボニル基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル等のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル等のアリールオキシカルボニル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすスルホニル基とは、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル、オクチルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル等のアルキルスルホニル基；フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル等のアリールスルホニル基；メトキシスルホニル、エトキシスルホニル、ｔｅｒｔ−ブトキシスルホニル、ｎ−デシルオキシスルホニル、ｎ−ヘキサデシルオキシスルホニル等のアルコキシスルホニル基；フェノキシスルホニル、ナフチルオキシスルホニル等のアリールオキシスルホニル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすカルバモイル基とは、カルバモイル；Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチル）カルバモイル、Ｎ−ドデシルカルバモイル、Ｎ−オクタデシルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル等のモノ置換カルバモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジドデシルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルカルバモイル等のジ置換カルバモイル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすスルファモイル基とは、スルファモイル；Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（ｉｓｏ−ヘキシル）スルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−デシルスルファモイル、Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル等のモノ置換スルファモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジオクチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−テトラデシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルスルファモイル等のジ置換スルファモイル基を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすスルファモイル基とは、スルファモイル；Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（ｉｓｏ−ヘキシル）スルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−デシルスルファモイル、Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル等のモノ置換スルファモイル基；Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジオクチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−テトラデシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルスルファモイル等のジ置換スルファモイル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアルキルチオ基とは、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ、ヘキサデシルチオ、オクタデシルチオ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアリールチオ基とは、フェニルチオ、ナフチルチオ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすチオカルボニル基とは、メチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、プロピルチオカルボニル、ブチルチオカルボニル、ペンチルチオカルボニル、ヘキシルチオカルボニル、オクチルチオカルボニル、デシルチオカルボニル、ドデシルチオカルボニル、オクタデシルチオカルボニル等のアルキルチオカルボニル基、またはフェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル等のアリールチオカルボニル基を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすアリールチオ基とは、フェニルチオ、ナフチルチオ等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすチオカルボニル基とは、メチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、プロピルチオカルボニル、ブチルチオカルボニル、ペンチルチオカルボニル、ヘキシルチオカルボニル、オクチルチオカルボニル、デシルチオカルボニル、ドデシルチオカルボニル、オクタデシルチオカルボニル等のアルキルチオカルボニル基、またはフェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル等のアリールチオカルボニル基を表わす。
Ｒ１が表わすウレイド基とは、ウレイド；Ｎ’−メチルウレイド、Ｎ’−（ｔｅｒｔ−ブチル）ウレイド、Ｎ’−オクチルウレイド、Ｎ’−ドデシルウレイド、Ｎ’−フェニル
ウレイド等のモノ置換ウレイド基；Ｎ’，Ｎ’−ジエチルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジ（ｉｓｏ−プロピル）ウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジデシルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジヘキサデシルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルウレイド等のジ置換ウレイド基を表わす。
Ｒ１が表わすアミノ基とは、アミノ；Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−ヘキシルアミノ、Ｎ−デシルアミノ、Ｎ−テトラデシルアミノ、Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ナフチルアミノ等のモノ置換アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジヘプチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ドデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ等のジ置換アミノ基：アジリジノ、ピロリジノ、ピペリジノ等の環状ジ置換アミノ基を表わす。
Ｒ１が表わすカルボニルアミノ基とは、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ、ｎ−オクチルカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、ナフトイルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクチルオキシカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ等を表わす。
Ｒ１が表わすスルホニルアミノ基とは、メチルスルホニルアミノ、エチルスルホニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ、ｉｓｏ−ドデシルスルホニルアミノ、ｎ−オクタデシルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、ナフチルスルホニルアミノ等を表わす。
ウレイド等のモノ置換ウレイド基；Ｎ’，Ｎ’−ジエチルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジ（ｉｓｏ−プロピル）ウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジデシルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジヘキサデシルウレイド、Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルウレイド等のジ置換ウレイド基を表わす。
Ｒ１が表わすアミノ基とは、アミノ；Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−ヘキシルアミノ、Ｎ−デシルアミノ、Ｎ−テトラデシルアミノ、Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ナフチルアミノ等のモノ置換アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジヘプチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ドデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−オクタデシルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ等のジ置換アミノ基：アジリジノ、ピロリジノ、ピペリジノ等の環状ジ置換アミノ基を表わす。
Ｒ１が表わすカルボニルアミノ基とは、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ、ｎ−オクチルカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、ナフトイルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクチルオキシカルボニルアミノ、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ等を表わす。
Ｒ１が表わすスルホニルアミノ基とは、メチルスルホニルアミノ、エチルスルホニルアミノ、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ、ｉｓｏ−ドデシルスルホニルアミノ、ｎ−オクタデシルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、ナフチルスルホニルアミノ等を表わす。
Ｒ１〜Ｒ４が表わすヘテロ環残基とは、５〜１０員の単環式又は多環式の窒素、酸素、硫黄、セレン、リン等のヘテロ原子群から選択される１〜４個の原子を含有するヘテロ環基を表わし、例えば、チオフェン、フラン、ピラン、ピリジン、ピロール、ピラジン、アゼピン、アゾシン、アゾニン、アゼシン、オキサゾール、チアゾール、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ピラゾール、モルホリン、チオモルホリン、ピペリジン、ピペラジン、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キノキサリン、フタラジン、キノリジン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、キサンテン、ベンゾチオフェン、セレノフェン、２Ｈ-セレノピラン、ホスホラン、ホスホリン、オキサチオール、フェノキ
サチアン、１，２−オキサセレノラン、１，３−オキサセレノラン、１，２−チアセレノラン、１，３−オキサホスホラン、アクリジン、キサンテン、フェノチアジン、フェノキサジン、フェナントロリン等を表わす。
サチアン、１，２−オキサセレノラン、１，３−オキサセレノラン、１，２−チアセレノラン、１，３−オキサホスホラン、アクリジン、キサンテン、フェノチアジン、フェノキサジン、フェナントロリン等を表わす。
Ｒ１、Ｒ４が表わすハロゲン原子とは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等を表わす。
Ｒ１、Ｒ２は連結して、各々が結合している炭素原子および酸素原子と共に非金属原子からなる置換または非置換の環を形成してもよく、具体的には２，３−ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２，３−ベンゾフランクロメン等が挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２は連結して、各々が結合している炭素原子および酸素原子と共に非金属原子からなる置換または非置換の環を形成してもよく、具体的には２，３−ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２，３−ベンゾフランクロメン等が挙げられる。
これらＲ１〜Ｒ４は更に置換基を有してもよく、反応に関与しないものであれば特に制限されない。具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル等のアルキル基；ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、イコセニル、ヘキサジエニル、ドデカトリエニル等のアルケニル基；エチニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、シクロオクチニル、シクロノニニル、シクロデシニル等のアルキニル基；フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントリル等の単環式またはニ〜四環式アリール基；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアルコキシ基；フェノキシ、ナフチルオキシ等のアリールオキシ基；ジメチルアミノ、Ｎ−エチル
−Ｎ−フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−ナフチルアミノ等のジ置換アミノ基；ニトロ基；フリル、チエニル、ピリジル等のヘテロ環残基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子であり、より好ましくはアルキル基、アリール基である。
−Ｎ−フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−ナフチルアミノ等のジ置換アミノ基；ニトロ基；フリル、チエニル、ピリジル等のヘテロ環残基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子であり、より好ましくはアルキル基、アリール基である。
Ｒ１は好ましくは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ニトロ基、臭素原子である。
Ｒ２は好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基である。
Ｒ３は好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環残基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、含窒素ヘテロ環残基である。
Ｒ４は好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、含窒素ヘテロ環残基が挙げられ、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基である。
Ｒ２は好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基である。
Ｒ３は好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環残基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、含窒素ヘテロ環残基である。
Ｒ４は好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、含窒素ヘテロ環残基が挙げられ、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基である。
以下に本発明の一般式（III）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらの
化合物に限定されるものではない。
化合物に限定されるものではない。
次に、本発明の製法について詳しく説明する。
本発明で使用される３−アルコキシアクロレイン類は種々市販されており容易に入手可能である。または既知の合成方法（例えば “Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．” １９９６年、１９４３〜１９５１頁）により調製することが可能であり、或いは“Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．”１９８４年、５２４３〜５２４６頁記載のビスアセタール化合物を分解する方法でも簡単に合成することができる。
本発明で使用されるアセチル化合物も種々市販されており、また既知の方法、例えばフリーデルクラフツ反応により目的とする骨格にアシル基を導入することができ、簡単に合成することが可能である。
本発明で使用される３−アルコキシアクロレイン類は種々市販されており容易に入手可能である。または既知の合成方法（例えば “Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．” １９９６年、１９４３〜１９５１頁）により調製することが可能であり、或いは“Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．”１９８４年、５２４３〜５２４６頁記載のビスアセタール化合物を分解する方法でも簡単に合成することができる。
本発明で使用されるアセチル化合物も種々市販されており、また既知の方法、例えばフリーデルクラフツ反応により目的とする骨格にアシル基を導入することができ、簡単に合成することが可能である。
本発明においては、すべての工程を通して反応溶媒は使用しなくても良いが、必要に応じて用いることが可能である。用いる溶媒は例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族溶媒；ピリジン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の極性溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等のアルコール系溶媒等、極性、非極性を問わずいずれの有機溶媒も利用し得る。好ましくはジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦと略記する）等のエーテル系溶媒であり、より好ましくはＴＨＦである。また２種以上の溶媒を混合して用いることができ、混合使用の際の混合比は任意に定めることができる。上記反応溶媒の使用量はアセチル化合物に対して、１〜５０倍重量の範囲で使用されるが、より好ましくは２〜３０倍重量、より好ましくは４〜８倍重量の範囲である。
まず、アセチル化合物と３−アルコキシアクロレイン類との縮合反応について述べる。
この反応では、ａ）塩基、ｂ）酸、またはｃ）塩基と酸触媒、のいずれかを用いることが好ましい。
まず塩基を用いて縮合反応を行う場合、塩基は如何なるものでも使用可能であるが、通常はカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムエトキシドなどの金属アルコキシド；水素化ナトリウム、金属ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機塩基；トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エンのような有機塩基等が用いられる。好ましくはカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水素化ナトリウムであり、より好ましくはカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドである。上記塩基の使用量はアセチル化合物１モルに対し、０．１〜１０モル量、好ましくは０．８〜２．０モル量、より好ましくは０．９〜１．５モル量の範囲である。
この反応では、ａ）塩基、ｂ）酸、またはｃ）塩基と酸触媒、のいずれかを用いることが好ましい。
まず塩基を用いて縮合反応を行う場合、塩基は如何なるものでも使用可能であるが、通常はカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムエトキシドなどの金属アルコキシド；水素化ナトリウム、金属ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機塩基；トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エンのような有機塩基等が用いられる。好ましくはカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、水素化ナトリウムであり、より好ましくはカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドである。上記塩基の使用量はアセチル化合物１モルに対し、０．１〜１０モル量、好ましくは０．８〜２．０モル量、より好ましくは０．９〜１．５モル量の範囲である。
酸を用いて縮合反応を行う場合、用いる酸は、有機酸、無機酸の如何なるものでも使用可能であり、例えば塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸；ｐ−トルエンスルホン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の有機酸が挙げられる。好ましくは安価で入手し易い酢酸、プロピオン酸であり、これらは良好な結果を与える。これら酸の使用量はアセチル化合物１モルに対し、０．０１〜６．０モル量、好ましくは０．３〜５．０モル量、より好ましくは２．０〜４．０モル量の範囲である。
塩基と酸触媒とを用いて縮合反応を行う場合、用いる塩基は如何なるものも使用できるが、通常はトリエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、ピリジン、２，６−ルチジンなどの有機塩基；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基が挙げられる。これらの中でもトリエチルアミン、ピリジン、無水炭酸ナトリウム等が安価であり良好な結果を与える。上記塩基の使用量はアセチル化合物１モルに対し０．１〜１０モル量、好ましくは０．８〜８．０モル量、より好ましくは１．５〜４．０モル量の範囲である。用いる酸触媒は、酸無水物、酸ハライド、または酸を必要に応じて用いても良好な結果を与える。使用する酸無水物としては如何なるものでも使用できるが、無水酢酸、無水安息香酸が安価であり良好な結果を与える。酸ハライドとしては、有機酸や無機酸等如何なるものも使用できるが、酢酸クロリド、クロロスルホン酸が安価であり良好な結果を与える。酸としては、有機酸や無機酸等如何なる酸でも用いることができるが、酢酸、プロピオン酸が安価であり、良好な結果を与える。これら酸無水物、酸クロリドおよび酸の使用量はアセチル化合物１モルに対し、０．０１〜６．０モル量、好ましくは０．３〜４．５モル量、より好ましくは０．５〜３．０モル量の範囲で使用するのがよい。
上記のａ）塩基、ｂ）酸、ｃ）塩基と酸触媒の中で、好ましくは塩基を添加する方法である。
上記のａ）塩基、ｂ）酸、ｃ）塩基と酸触媒の中で、好ましくは塩基を添加する方法である。
本縮合反応における反応温度は−８０〜２００℃の範囲であり、好ましくは−４０〜１４０℃、より好ましくは−２０〜１２０℃である。これらの反応は通常２４時間以内で終了し、多くの場合１０分〜１２時間で原料の消失が確認される。
次に、アセチル化合物と３−アルコキシアクロレイン誘導体との縮合反応で得られる反応物とアンモニアまたはアンモニウム塩との反応について説明する。
本発明において用いるアンモニアまたはアンモニウム塩は多種市販されており如何なる形態のものでも使用可能であるが、通常はアンモニアガス、アンモニア水、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム等が用いられる。好ましくは塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、ギ酸アンモニウムであり、より好ましくは酢酸アンモニウムである。これらの使用量は、アセチル化合物１モルに対し１〜３０倍モル、好ましくは１．５〜１５倍モル、より好ましくは２〜１０倍モルの範囲である。また、２種以上の異なる形態のアンモニアを混合して用いることができ、混合使用の際の混合比は任意に定めることができる。
本発明において用いるアンモニアまたはアンモニウム塩は多種市販されており如何なる形態のものでも使用可能であるが、通常はアンモニアガス、アンモニア水、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム等が用いられる。好ましくは塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、ギ酸アンモニウムであり、より好ましくは酢酸アンモニウムである。これらの使用量は、アセチル化合物１モルに対し１〜３０倍モル、好ましくは１．５〜１５倍モル、より好ましくは２〜１０倍モルの範囲である。また、２種以上の異なる形態のアンモニアを混合して用いることができ、混合使用の際の混合比は任意に定めることができる。
本反応では特に触媒を必要としないが、必要に応じて酸触媒を使用すると反応がより短時間で終了するので好ましい。酸触媒は具体的には硫酸、塩酸等の無機酸；ｐ−トルエンスルホン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の有機酸；アンバーライト、アンバーリストなどの強酸性のイオン交換樹脂等が使用され、好ましくは反応系中を弱酸性に保つことができるギ酸、酢酸、プロピオン酸であり、より好ましくは酢酸である。
これら酸触媒の使用量はアンモニア又はアンモニウム塩１モルに対し、０．００１〜２．０倍モル、好ましくは０．０５〜０．５倍モル、より好ましくは０．０１〜０．２倍モルである。
これら酸触媒の使用量はアンモニア又はアンモニウム塩１モルに対し、０．００１〜２．０倍モル、好ましくは０．０５〜０．５倍モル、より好ましくは０．０１〜０．２倍モルである。
本反応における反応温度は−８０〜２００℃の範囲であり、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは５０〜１３０℃である。これらの反応は通常２４時間以内で終了し、多くの場合１時間〜１５時間で原料の消失が確認される。
反応終了後、目的物であるピリジン誘導体を精製する方法としては、アルコール、へキサン、トルエンなどを用いた再結晶、シリカゲルを用いたカラム精製、減圧蒸留などが挙げられる。これらの方法は、単独又は２つ以上組み合わせて精製を行うことにより、目的物を高純度で得ることが可能である。
反応終了後、目的物であるピリジン誘導体を精製する方法としては、アルコール、へキサン、トルエンなどを用いた再結晶、シリカゲルを用いたカラム精製、減圧蒸留などが挙げられる。これらの方法は、単独又は２つ以上組み合わせて精製を行うことにより、目的物を高純度で得ることが可能である。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、純度評価は高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣと略記する）により行った。 ＨＰＬＣの分析条件は以下の通りである。 カラム：ＯＤＳ−８０ＴＭ、検出ＵＶ：２５４ｎｍ、流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ、溶離液：アセトニトリル／水＝５０／５０、バッファ−：トリエチルアミンおよび酢酸各０．１％
（実施例１）
５−メチル−２，４’−ビピリジン（III−１）の合成
カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド５．３９ｇ（４８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４０ｍｌに溶解し、４−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−エトキシ−２−メタクロレイン７．１９ｇ（６３ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１００℃まで加熱し１時間撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム９．３ｇ（０．１２ｍｏｌ）と酢酸７．２ｇ（０．１２ｍｏｌ）を加えてＴＨＦを留去しながら、内温を１２０℃まで上げ４時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液１１３ｍｌを加えて、酢酸エチルで３回抽出した。抽出液を合わせて濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル）で精製して、目的物５．３１ｇ（収率７８．０％）を得た。ｍｐ５６〜５７℃ ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．８％であった。
５−メチル−２，４’−ビピリジン（III−１）の合成
カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド５．３９ｇ（４８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４０ｍｌに溶解し、４−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−エトキシ−２−メタクロレイン７．１９ｇ（６３ｍｍｏｌ）を加え、反応液を１００℃まで加熱し１時間撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム９．３ｇ（０．１２ｍｏｌ）と酢酸７．２ｇ（０．１２ｍｏｌ）を加えてＴＨＦを留去しながら、内温を１２０℃まで上げ４時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液１１３ｍｌを加えて、酢酸エチルで３回抽出した。抽出液を合わせて濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル）で精製して、目的物５．３１ｇ（収率７８．０％）を得た。ｍｐ５６〜５７℃ ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．８％であった。
（実施例２）
５−フェニル−２，３’−ビピリジン（III−２）の合成
３−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−メトキシ−２−フェニルアクロレイン６．８１ｇ（４２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２０ｍｌに溶解し、−１０℃まで冷却した。反応液に酢酸７．２ｇ（０．１２ｍｏｌ）を加え、−１０℃で１時間撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム２４．７ｇ（０．３２ｍｏｌ）を加えて加熱し、６０℃で１２時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液１１０ｍｌを加えて、析出した結晶をろ別して、酢酸エチル５０ｍLで洗浄して、目的物７．９０ｇ（収率８５％）を得た。ＨＰＬ
Ｃ分析の結果、純度は９９．８％であった。
５−フェニル−２，３’−ビピリジン（III−２）の合成
３−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−メトキシ−２−フェニルアクロレイン６．８１ｇ（４２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２０ｍｌに溶解し、−１０℃まで冷却した。反応液に酢酸７．２ｇ（０．１２ｍｏｌ）を加え、−１０℃で１時間撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム２４．７ｇ（０．３２ｍｏｌ）を加えて加熱し、６０℃で１２時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液１１０ｍｌを加えて、析出した結晶をろ別して、酢酸エチル５０ｍLで洗浄して、目的物７．９０ｇ（収率８５％）を得た。ＨＰＬ
Ｃ分析の結果、純度は９９．８％であった。
（実施例３）
５−ブロモ−２，４’−ビピリジン（III−３）の合成
トリエチルアミン８．５ｇ（８４ｍｍｏｌ）と４−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−フェノキシ−２−ブロモアクロレイン７．２６ｇ（３２ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ５０ｍｌに溶解し、３０℃以下で酢酸クロリド６．２８ｇ（８０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０℃で３０分撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム１３．９ｇ（０．１８ｍｏｌ）と酢酸１．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加えてＴＨＦを留去しながら、内温を９５℃まで上げて４時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液３０ｍｌを加えて、酢酸エチルで３回抽出した（中性付近での抽出）。抽出液を合わせて濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル）で精製して、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え結晶化させ、目的物３．８８ｇ（収率５５％）を得た。ｍｐ１２７〜１２８℃ ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．８％であった。
以下に実施例１〜３で得られた目的物の構造を示す。
５−ブロモ−２，４’−ビピリジン（III−３）の合成
トリエチルアミン８．５ｇ（８４ｍｍｏｌ）と４−アセチルピリジン４．８５ｇ（４０ｍｍｏｌ）と３−フェノキシ−２−ブロモアクロレイン７．２６ｇ（３２ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ５０ｍｌに溶解し、３０℃以下で酢酸クロリド６．２８ｇ（８０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０℃で３０分撹拌した。反応液に酢酸アンモニウム１３．９ｇ（０．１８ｍｏｌ）と酢酸１．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加えてＴＨＦを留去しながら、内温を９５℃まで上げて４時間撹拌した。反応後放冷し、２５％ＮａＯＨ水溶液３０ｍｌを加えて、酢酸エチルで３回抽出した（中性付近での抽出）。抽出液を合わせて濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル）で精製して、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え結晶化させ、目的物３．８８ｇ（収率５５％）を得た。ｍｐ１２７〜１２８℃ ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．８％であった。
以下に実施例１〜３で得られた目的物の構造を示す。
（実施例４〜１２）
原料のアセチル化合物と３−アルコキシアクロレイン化合物を変えた以外は実施例１と同様の方法で合成を行った。以下に得られた目的物の構造式と、表１にその結果を示す。
原料のアセチル化合物と３−アルコキシアクロレイン化合物を変えた以外は実施例１と同様の方法で合成を行った。以下に得られた目的物の構造式と、表１にその結果を示す。
Claims (1)
- 一般式（Ｉ）で表される３−アルコキシアクロレイン誘導体と一般式（ＩＩ）で表されるアセチル化合物を縮合させ、次いでその反応物にアンモニアまたはアンモニウム塩を作用させることを特徴とする、一般式（III）で表されるピリジン誘導体の製造方法。
Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、ウレイド基、アミノ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
Ｒ２は、アルキル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、ヘテロ環残基を表す。
なお、Ｒ１、Ｒ２は連結して、各々が結合している炭素原子および酸素原子と共に非金属原子からなる置換または非置換の環を形成してもよい。
Ｒ３は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホン酸基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、またはヘテロ環残基を表わす。
Ｒ４は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ−ル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、ヘテロ環残基、ハロゲン原子を表わす。
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