JP2005236232A - Connection substrate, method for fixing in position, method for manufacturing solid-type multi-layer substrate, press apparatus, and multi-layer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a multi-layer substrate where a plurality of connection substrates are laminated together and a solid-type multi-layer substrate where the multi-layer substrate is formed into solid efficiently and accurately in position. <P>SOLUTION: The manufacturing method includes a process to position the plurality of the connection substrates having at least an insulation resin layer, a connecting conductor formed to penetrate the insulation resin layer, and/or wiring, a process to adhere thermally the predetermined place of the plurality of the connection substrates positioned to fix in position, a process to heat-press the plurality of the connection substrates fixed in position to be joined together so as to form laminated layers, and a process to press the substrate joined together at a high temperature, sandwiching the substrate by dies with a desired shape. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、接続基板、位置決め固着方法、立体型多層基板の製造方法、プレス装置および多層基板に関する。   The present invention relates to a connection substrate, a positioning and fixing method, a manufacturing method of a three-dimensional multilayer substrate, a press apparatus, and a multilayer substrate.

近年、我々を取り巻く社会環境は、情報通信網の進展と共に大きく変化している。その中に、携帯機器の成長があり、小型・高機能化と共にその市場は拡大している。このため、半導体パッケージの更なる小型化と、それらを高密度に実装できる多層配線基板が要求され、高密度配線が可能な層間接続、すなわち高密度多層化技術が重要となっている。   In recent years, the social environment surrounding us has changed greatly with the development of information and communication networks. Among them is the growth of mobile devices, and the market is expanding with miniaturization and high functionality. For this reason, further miniaturization of semiconductor packages and a multilayer wiring board capable of mounting them at high density are required, and interlayer connection capable of high-density wiring, that is, high-density multilayer technology is important.

主な多層化方法としては、ドリル穴明けとめっきプロセスを組み合わせたスルーホール接続があり、広く一般に知られているが、全ての層にわたって穴があくので、配線収容量に限界がある。   As a main multilayering method, there is a through-hole connection combining drilling and plating processes, which is widely known. However, since holes are formed in all layers, the wiring capacity is limited.

そこで、接続部の穴体積を減らすため、絶縁樹脂組成物層の形成−穴あけ−回路形成を繰り返すビルドアップ技術が主流となりつつある。このビルドアップ技術は、大別して、レーザ法とフォトリソ法があり、レーザ法は、絶縁樹脂組成物層に穴をあけるのにレーザ照射を行うものであり、一方、フォトリソ法は、絶縁樹脂組成物層に感光性の硬化剤(光開始剤)を用い、フォトマスクを重ねて、露光・現像して穴を形成するものである。   Therefore, in order to reduce the hole volume of the connection part, a build-up technique that repeats formation of the insulating resin composition layer, drilling, and circuit formation is becoming mainstream. This build-up technology is roughly classified into a laser method and a photolitho method. The laser method performs laser irradiation to make a hole in the insulating resin composition layer, while the photolitho method uses an insulating resin composition. A photosensitive curing agent (photoinitiator) is used for the layer, a photomask is overlaid, exposed and developed to form holes.

一方、ますます進展する情報・電子機器の小型・高機能化に対応し、半導体パッケージでは高密度実装技術の開発が加速されている。このため、多層基板のみならず、半導体実装用基板にも、薄型化とともに高密度配線形成技術が要求されている。その一つに、直上ビア構造形成の要求がある。これは、フリップチップ実装に対応した配線設計の自由度を改善したり、ビルドアップ層へのワイヤボンディング性を向上するなどを目的としている(非特許文献1参照)。   On the other hand, the development of high-density mounting technology for semiconductor packages is accelerating in response to the ever-increasing size and functionality of information and electronic devices. For this reason, not only a multilayer substrate but also a semiconductor mounting substrate is required to have a high-density wiring formation technique as well as to be thin. One of the requirements is the formation of a via structure directly above. The purpose of this is to improve the degree of freedom of wiring design corresponding to flip-chip mounting, and to improve the wire bonding property to the buildup layer (see Non-Patent Document 1).

これらの要求から、新規な基板製造方法として、一括積層技術が注目されている。一括積層技術は、絶縁樹脂層上に配線層が形成され、絶縁樹脂層内に導電接続部が形成された部材を準備し、それら部材を位置あわせして、熱プレスにより一括で成型加工と同時に層間を導通接続するものである。この技術により、直上ビア構造形成の実現だけでなく、コアレスによる薄型化が図れると考えられる。製造面では、大幅な納期短縮も期待できる。このため、各社から、一括積層技術が発表されている(非特許文献2〜11参照)。   In view of these requirements, a collective stacking technique has attracted attention as a novel substrate manufacturing method. Collective lamination technology is a process in which a wiring layer is formed on an insulating resin layer and members with conductive connection parts are formed in the insulating resin layer. Conductive connection is made between the layers. With this technology, it is considered that not only the formation of the via structure directly above but also the reduction of the coreless thickness can be achieved. In terms of manufacturing, it can be expected to significantly shorten delivery times. For this reason, collective lamination technology has been announced by each company (see Non-Patent Documents 2 to 11).

主だった工法を見ると、絶縁樹脂には、熱硬化系樹脂または熱可塑系樹脂が用いられ、導電接続部には導電ペーストもしくは、めっき銅にはんだをめっきしたものが用いられている。配線層は、あらかじめ絶縁層に設けた金属層からエッチングで形成するもの、導電部上に配線を転写する方法が開発されている。   Looking at the main construction methods, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is used for the insulating resin, and a conductive paste or a plated copper plated with solder is used for the conductive connection portion. A wiring layer is formed by etching from a metal layer previously provided on an insulating layer, and a method of transferring a wiring onto a conductive portion has been developed.

また、発明者は、層間接続部の形成に必要な穴明け工程を省略した一括積層法を発明(特許文献1参照)し、さらに接続基板を効率良く製造するための仮固定方法および該接続基板の複数枚を一括積層する工程の前に行う位置決め固定方法を発明(特許文献2参照)した。これらのなかで、熱可塑系樹脂である液晶ポリマーを使用した接続基板を例にとりあげ、従来の技術として説明する。   The inventor has also invented a batch lamination method (see Patent Document 1) in which a drilling step necessary for forming an interlayer connection is omitted (see Patent Document 1), and a temporary fixing method for efficiently manufacturing a connection substrate and the connection substrate Invented a positioning and fixing method performed before the step of laminating a plurality of sheets (see Patent Document 2). Among these, a connection substrate using a liquid crystal polymer that is a thermoplastic resin will be taken as an example and described as a conventional technique.

この接続基板は、三層クラッド箔からエッチングで形成したバンプ群を液晶ポリマーに埋設後、研磨により露出した電極を有する。その反対面には、ハーフエッチングで薄くした金属層からエッチングで形成した配線層を有し、電極と配線の表面には金めっき層などが形成されている。これら部材を位置あわせしたのち、高温で一括積層することで、樹脂は再溶融し、バンプと配線またはバンプ同士の表面においては固相金属拡散により合金化して層方向に導通接続させることができる。さらに、複数の接続基板をガイドピンを有する冶工具を用いて位置決めし、所定箇所を熱溶融で位置決め固着した後、これをプレスすることで、複数の接続基板を位置精度良く一括積層することができる。   This connection substrate has electrodes exposed by polishing after a group of bumps formed by etching from a three-layer clad foil is embedded in a liquid crystal polymer. The opposite surface has a wiring layer formed by etching from a metal layer thinned by half etching, and a gold plating layer or the like is formed on the surface of the electrode and the wiring. By aligning these members and then laminating them at a high temperature, the resin can be re-melted, and the bumps and wirings or the surfaces of the bumps can be alloyed by solid-phase metal diffusion and conductively connected in the layer direction. Furthermore, after positioning a plurality of connection boards using a jig having a guide pin, fixing and fixing a predetermined location by heat melting, a plurality of connection boards can be stacked together with high positional accuracy by pressing them. it can.

さらに近年、立体回路形成が注目されている。立体回路が形成され、様々な形状に対応しうる立体型プリント配線板は、従来、先に樹脂を立体成形した後、配線を形成することで製造されている。しかしながら、この方法だと、高価なプロセス装置が必要となる他、適用可能な対象が片面または両面板に制限される。
特願2001−391799号公報 特願2002−370933号公報 板谷、他4名、「ヴィアポスト型ビルドアップ配線板のワイヤボンディング性」、第7回マイクロエレクトロ二クスシンポジウム、P157−160、1997年10月 田野倉、他1名、「もう、プリント基板じゃない・第2部一括積層でコスト半減部品内蔵で機能のみ込む」、日経エレクトロ二クス、P120−127、2002年4月 竹ノ内、他1名、「ポリイミドフィルム多層基板の開発、第10回回路実装学術講演大会、P81−82、1996年3月 石野、他3名、「テープ状フィルムの一括積層方式による多層配線板の開発」、エレクトロ二クス実装学会誌、Vol.1、No.2、P124−129、1998年 榎本、他2名、「一括積層プレス法による全層IVH配線板の開発」、第13回エレクトロ二クス実装学術講演大会、P203−204 、1999年3月 林、「一括硬化多層配線基板とその応用」、エレクトロ二クス実装学会2000特別セミナーテキスト、P15−22、2000年 大石、「多層基板の低コスト化技術・積水化学が新型テープ開発」、日経エレクトロ二クス、P26−27、2002年3月 岡田、他4名、「鉛フリー半田による、一括多層・微細層間接続技術」、化学工学会第35回秋季大会講演、B314、P74、2002年9月 近藤、「PALAPの最新技術開発動向と今後の課題と展望」、PWB−10、プリント配線板EXPO、2003年1月 唐沢、「インプラント法による一括積層全層IVH構造配線板の開発」、PWB−10、プリント配線板EXPO、2003年1月 榎本、「一括積層全層IVH構造配線板の最新技術の総括と今後の課題と展望」、PWB−10、プリント配線板EXPO、2003年1月
In recent years, formation of three-dimensional circuits has attracted attention. Conventionally, a three-dimensional printed wiring board in which a three-dimensional circuit is formed and can correspond to various shapes is manufactured by forming a wiring after first three-dimensionally molding a resin. However, this method requires an expensive process device and limits applicable objects to single-sided or double-sided plates.
Japanese Patent Application No. 2001-391799 Japanese Patent Application No. 2002-370933 Itaya, 4 others, “Wire bonding of via post type build-up wiring board”, 7th Microelectronics Symposium, P157-160, October 1997 Tanokura, and one other, "It's not a printed circuit board yet. Part 2 is a single layer and includes only half-cost built-in components." Nikkei Electronics, P120-127, April 2002 Takenouchi and one other, “Development of Polyimide Film Multilayer Substrate, 10th Circuit Packaging Conference, P81-82, March 1996 Ishino, et al., “Development of multilayer wiring boards by batch lamination of tape-like films”, Journal of Electronics Packaging Society, Vol. 1, No. 2, P124-129, 1998 Enomoto and two others, “Development of all-layer IVH wiring board by batch lamination press method”, 13th Electronics Packaging Conference, P203-204, March 1999 Hayashi, “Batch cure multilayer wiring board and its application”, Electronics Packaging Society 2000 Special Seminar Text, P15-22, 2000 Oishi, “Low-cost technology for multilayer substrates, Sekisui Chemical develops new tape”, Nikkei Electronics, P26-27, March 2002 Okada and 4 others, “Batch multilayer and fine interlayer connection technology using lead-free solder”, Chemical Engineering Society 35th Autumn Meeting, B314, P74, September 2002 Kondo, “PALAP's Latest Technology Development Trends and Future Issues and Prospects”, PWB-10, Printed Wiring Board EXPO, January 2003 Karasawa, “Development of all-layer IVH structure wiring board by implant method”, PWB-10, Printed wiring board EXPO, January 2003 Enomoto, “Summary of the latest technology of all-layer IVH structure wiring board and future issues and prospects”, PWB-10, Printed wiring board EXPO, January 2003

上記を鑑みて、本発明の主たる目的は、複数枚の接続基板を一括積層してなる多層基板、およびこれを成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造する方法を提供することである。   In view of the above, a main object of the present invention is to provide a multilayer substrate obtained by laminating a plurality of connection substrates at once, and a method for efficiently and accurately producing a three-dimensional multilayer substrate obtained by molding the multilayer substrate. Is to provide.

発明者は、複数枚の接続基板をあらかじめ位置決め治具などにより位置決めして重ね、これを熱融着により位置決め固着しておくことで、その後の高温プレスによる一括多層化およびその立体成型加工を行うことができ、結果として多層基板や立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造できること、ならびに、高温プレス時に後述するプレス装置を用いることで、より効率的に多層基板や立体型多層基板を製造できることを見出し、本発明を為すに至った。   The inventor positions and stacks a plurality of connection boards in advance with a positioning jig or the like, and positions and fixes them by heat fusion, thereby performing batch multi-layering and three-dimensional molding by subsequent high-temperature pressing. As a result, the multilayer substrate and the three-dimensional multilayer substrate can be manufactured efficiently and with high positional accuracy, and the multilayer substrate and the three-dimensional multilayer substrate can be more efficiently used by using a press device described later during high-temperature pressing. The inventors have found that it can be produced, and have come to make the present invention.

すなわち、本発明は、以下(1)〜(12)の記載をその特徴とする。   That is, the present invention is characterized by the following descriptions (1) to (12).

(1)絶縁樹脂層、該絶縁樹脂層を貫くように形成された接続用導体、および/または配線を少なくとも備える接続基板であって、前記絶縁樹脂が熱硬化樹脂および/または熱可塑性樹脂からなることを特徴とする接続基板。   (1) A connection substrate including at least an insulating resin layer, a connecting conductor formed so as to penetrate the insulating resin layer, and / or a wiring, wherein the insulating resin is made of a thermosetting resin and / or a thermoplastic resin. A connection board characterized by that.

(2)前記接続用導体および/または配線が圧延銅を含むことを特徴とする上記(1)記載の接続基板。   (2) The connection board according to (1), wherein the connection conductor and / or the wiring contains rolled copper.

(3)上記(1)または(2)記載の接続基板の複数を位置あわせした後、熱融着によって複数の所定個所を固着する際に、予め基板全体が相対的に動かないように、いずれかの接続基板に穴を開けておくことを特徴とする位置決め固着方法。   (3) After aligning a plurality of the connection substrates described in the above (1) or (2), when fixing a plurality of predetermined portions by thermal fusion, in order to prevent the entire substrate from moving relatively in advance, A positioning and fixing method, wherein a hole is formed in the connection substrate.

(4)絶縁樹脂層、該絶縁樹脂層を貫くように形成された接続用導体、および/または配線を少なくとも備える接続基板の複数を位置あわせする工程と、位置あわせされた前記複数の接続基板の所定箇所を熱融着して位置決め固着する工程と、位置決め固着された前記複数の接続基板を加熱加圧して積層一体化する工程と、積層一体化された前記基板を所望形状の金型で挟んで高温プレスする工程と、を含むことを特徴とする立体型多層基板の製造方法。   (4) a step of aligning a plurality of connection substrates each including at least an insulating resin layer, a connecting conductor formed so as to penetrate the insulating resin layer, and / or a wiring; and the plurality of aligned connection substrates A step of heat-bonding a predetermined portion and positioning and fixing, a step of heating and pressing the plurality of connection substrates that have been positioned and fixed, and stacking and integrating, and a substrate having a desired shape is sandwiched between molds And a high-temperature pressing step for manufacturing a three-dimensional multilayer substrate.

(5)前記熱融着の熱源が、加熱された金属又はレーザである上記(4)記載の立体型多層基板の製造方法。   (5) The method for producing a three-dimensional multilayer substrate according to the above (4), wherein the heat source of the heat fusion is a heated metal or laser.

(6)前記接続用導体および/または配線が圧延銅を含むことを特徴とする上記(4)または(5)記載の立体型多層基板の製造方法。   (6) The method for producing a three-dimensional multilayer substrate according to (4) or (5) above, wherein the connecting conductor and / or the wiring contains rolled copper.

(7)上方に開口部を有する第1のキャビティが形成されたステージと、前記第1のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第2のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、前記第1および第2のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤であるプレス体と、を少なくとも備えることを特徴とするプレス装置。   (7) A stage having a first cavity having an opening on the upper side and a second cavity having an opening on the lower side at a position facing the opening of the first cavity are formed in the vertical direction. A press apparatus comprising: an operable chamber; and a press body which is installed in the first and second cavities and whose pressing surface is a hot platen.

(8)前記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有することを特徴とする上記(7)記載のプレス装置。   (8) The press apparatus according to (7), wherein the press surface of the press body has a desired three-dimensional shape.

(9)プレス時に前記チャンバーが下降して、前記第1および第2のキャビティが1つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることを特徴とする上記(7)または(8)記載のプレス装置。   (9) During pressing, the chamber is lowered so that the first and second cavities form one closed system, and in the closed system, the both sides of the press body are almost covered by the press body under reduced pressure. The press apparatus according to (7) or (8) above, wherein high-temperature pressing is performed simultaneously.

(10)上記(7)〜(9)のいずれか1項記載のプレス装置を用いることを特徴とする多層基板の製造方法。   (10) A method for producing a multilayer substrate, comprising using the pressing device according to any one of (7) to (9) above.

(11)上記(10)記載の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。   (11) A multilayer substrate produced by the production method described in (10) above.

(12)立体型多層基板であることを特徴とする上記(11)記載の多層基板。   (12) The multilayer substrate according to (11), which is a three-dimensional multilayer substrate.

本発明によれば、複数枚の接続基板、特に3層以上積層された接続基板を一括積そうしてなる多層基板、およびこれを成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造することができる。また、特定のプレス装置を用いることで、より効率的に多層基板や立体型多層基板を製造することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to efficiently and accurately position a plurality of connection boards, in particular, a multilayer board on which three or more layers of connection boards are stacked, and a three-dimensional multilayer board formed by molding the same. Can be manufactured well. Moreover, it becomes possible to manufacture a multilayer board | substrate and a three-dimensional multilayer board | substrate more efficiently by using a specific press apparatus.

以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

まず、本発明に用いる接続基板の製造方法を説明する。   First, the manufacturing method of the connection board used for this invention is demonstrated.

支持基材の片面もしくは両面に、少なくともキャリアとなる第2の金属層と該第2の金属層と除去条件の異なる第1の金属層とを含む複合金属層を、前記第2の金属層側が前記支持基材側となるように配置し、加熱加圧して仮固定する。図1(a)では、上記支持基材として、離型基材451、接着樹脂452、離型基材451の順に重ねて配置された支持基材45を用い、上記支持基材45の両面に複合金属層として、第1の金属層41と、第2の金属層42と、当該第1の金属層41および当該第2の金属層42の間に位置し、これらと除去条件の異なる第3の金属層43とからなる3層の複合金属層4を配置した図である。図1(b)は、図1(a)の複合金属層4と支持基材45を加熱加圧して仮固定された状態の図である。   A composite metal layer including at least a second metal layer serving as a carrier and a first metal layer having a different removal condition from the second metal layer is provided on one side or both sides of a support base. It arrange | positions so that it may become the said support base material side, and heat-presses and temporarily fixes. In FIG. 1 (a), as the support base material, a support base material 45 arranged in the order of a release base material 451, an adhesive resin 452, and a release base material 451 is used. As the composite metal layer, a first metal layer 41, a second metal layer 42, a third metal layer 41 located between the first metal layer 41 and the second metal layer 42 and having different removal conditions. It is the figure which has arrange | positioned the composite metal layer 4 of 3 layers which consists of these metal layers 43. FIG. FIG. 1B is a diagram showing a state in which the composite metal layer 4 and the support base 45 in FIG.

上記支持基材45としては、例えば、図1(a)に示すように離型基材451、接着樹脂452、離型基材451の順に重ねて配置されたものなどを用いることができる。離型基材としては、例えば、電解銅箔、圧延銅箔等を用いる事ができ、さらに、その面積は複合金属層と接着樹脂のそれより小さくしておく。このようにすることで、離型基材の周囲にて接着樹脂の溶融により複合金属板4を接着することができる。また、接着樹脂としては、半硬化および/または硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。   As the support base material 45, for example, as shown in FIG. 1 (a), it is possible to use a material that is arranged in the order of a release base material 451, an adhesive resin 452, and a release base material 451. As the mold release substrate, for example, electrolytic copper foil, rolled copper foil or the like can be used, and the area is made smaller than that of the composite metal layer and the adhesive resin. By doing in this way, the composite metal plate 4 can be adhere | attached by fusion | melting of adhesive resin around a mold release base material. In addition, as the adhesive resin, a semi-cured and / or cured thermosetting resin, a photocurable resin, a thermoplastic resin, or the like can be used.

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アラミド樹脂、エポキシ変成ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などのうちから選択された1種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化したものが使用できる。   Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, bismaleimide triazine resin, polyimide resin, cyanoacrylate resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, melamine resin, urea resin, polyisocyanate resin, furan resin, resorcinol resin, xylene. One or more selected from resin, benzoguanamine resin, diallyl phthalate resin, aramid resin, epoxy-modified polyimide resin, silicone-modified epoxy resin, silicone-modified polyamideimide resin, benzocyclobutene resin, and, if necessary, What mixed the hardening | curing agent, the hardening accelerator, etc. and heated and made it semi-hardened, or what hardened | cured can be used.

上記光硬化性樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された1種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。   Examples of the photocurable resin include one or more selected from unsaturated polyester resins, polyester acrylate resins, urethane acrylate resins, silicone acrylate resins, epoxy acrylate resins, and the like, and if necessary, the light. What mixed the initiator, the hardening | curing agent, the hardening accelerator, etc. into the semi-hardened state by exposure or heating, or what hardened | cured can be used.

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、液晶ポリマーなどのうちから選択された1種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。   Examples of the thermoplastic resin include polycarbonate resin, polysulfone resin, polyetherimide resin, thermoplastic polyimide resin, tetrafluoropolyethylene resin, hexafluoropolypropylene resin, polyetheretherketone resin, vinyl chloride resin, and polyethylene resin. , Polyamideimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyoxybenzoate resin, wholly aromatic polyester resin, liquid crystal polymer, etc., and if necessary, the curing agent, curing accelerator, etc. were mixed A semi-cured or heated product can be used.

これらの樹脂は、異種の樹脂の混合体からなる樹脂組成物であってもよく、さらに、充填剤としてシリカや金属酸化物などの無機フィラーを含むものでもよい。無機フィラーとしては、例えば、ニッケル、金、銀などの導電粒子、あるいはこれらの金属をめっきした樹脂粒子等を用いることができる。また、ガラス織布、不織布に接着樹脂を含浸させ半硬化又は硬化させたものを用いてもよい。ただし、充填材を添加する場合、樹脂組成物の剛性および樹脂組成物と複合金属層との密着力を保持できる範囲とすることが重要である。   These resins may be a resin composition composed of a mixture of different kinds of resins, and may further contain an inorganic filler such as silica or metal oxide as a filler. As the inorganic filler, for example, conductive particles such as nickel, gold, silver, or resin particles plated with these metals can be used. Alternatively, a glass woven fabric or non-woven fabric impregnated with an adhesive resin and semi-cured or cured may be used. However, when a filler is added, it is important that the rigidity of the resin composition and the adhesion between the resin composition and the composite metal layer be maintained.

また、上記複合金属層は、少なくともキャリアとなる第2の金属層と該第2の金属層と除去条件の異なる第1の金属層とを含む複合金属層を用いることが好ましく、図1(a)に示すような3層の複合金属層4を用いることが経済的により好ましい。   The composite metal layer is preferably a composite metal layer including at least a second metal layer serving as a carrier and a first metal layer having a different removal condition from the second metal layer. It is more economically preferable to use a composite metal layer 4 having three layers as shown in FIG.

というのも、第1の金属層には経済的な理由から銅や圧延銅を用いることが好ましく、その銅とエッチング除去条件の異なる第2の金属層には、ニッケルやその合金を用いることが考えられるが、ニッケルやその合金は銅に比べて高価である。しかし、複合金属層が2層からなる場合、第1の金属層から形成される接続用導体の支えとなる第2の金属層には、高い機械的強度が要求されるため、一定の厚みを必要とし、高価な金属を多く使用せざるをえない。その点、第3の金属層として、第1及び第2の金属層とエッチング除去条件が異なる高価な金属層をこれらの間に比較的薄く形成して得られる3層の複合金属層は、第2の金属層を第1の金属層と同じ安価な銅や圧延銅とすることができるため、経済的でありかつ機械的強度にも優れている。   This is because copper or rolled copper is preferably used for the first metal layer for economic reasons, and nickel or an alloy thereof is preferably used for the second metal layer having different etching removal conditions from the copper. Although considered, nickel and its alloys are more expensive than copper. However, when the composite metal layer is composed of two layers, a high mechanical strength is required for the second metal layer that supports the connection conductor formed from the first metal layer. It is necessary to use a lot of expensive metal. In that respect, as the third metal layer, a three-layer composite metal layer obtained by forming a relatively thin expensive metal layer having different etching removal conditions from the first and second metal layers between them is Since the second metal layer can be the same inexpensive copper or rolled copper as the first metal layer, it is economical and excellent in mechanical strength.

このような3層からなる複合金属層の第3の金属層の厚みは上記の通り薄い方がよく、0.05〜5μmの範囲であることが好ましい。0.05μm未満であると、ニッケルやその合金の層を形成するめっき膜に析出欠陥があると薄いために十分にめっき膜で覆われないので、いわゆるピット(めっき欠け)が発生し、第1の金属層をエッチング除去するときに、第2の金属層を浸食したり、そのエッチング液が残り、接続の信頼性が低下するおそれがある。5μmを越えても工程上では支障がないが、材料の費用が高くなり、経済的でない。   The thickness of the third metal layer of such a composite metal layer composed of three layers is preferably thin as described above, and is preferably in the range of 0.05 to 5 μm. If the thickness is less than 0.05 μm, the plating film forming the layer of nickel or an alloy thereof is thin enough to be covered with the plating film because it is thin, so-called pits (plating defects) occur, and the first When the metal layer is removed by etching, the second metal layer may be eroded or the etching solution may remain, which may reduce connection reliability. Even if it exceeds 5 μm, there is no problem in the process, but the cost of the material becomes high and it is not economical.

また、第1の金属層の厚さは、接続用導体を形成するため、所望の絶縁層厚さより厚めに形成する事が望ましい。その程度は、絶縁樹脂組成物層の研磨工程で第1の金属層が研磨除去される量に応じて決めなければならないが、5〜100μmの範囲であることが好ましい。厚さが5μm未満であると、接続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性が低下することがあり、厚さが100μmを越えると、金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度が低下し、好ましくない。より好ましくは、20〜80μmの範囲である。   The first metal layer is preferably formed thicker than the desired insulating layer thickness in order to form a connecting conductor. The degree must be determined according to the amount by which the first metal layer is polished and removed in the step of polishing the insulating resin composition layer, but is preferably in the range of 5 to 100 μm. If the thickness is less than 5 μm, the distance of the conductor circuit to be connected may be reduced and the insulation may be reduced. If the thickness exceeds 100 μm, unnecessary portions of the metal foil may be removed by etching. Processing accuracy is lowered, which is not preferable. More preferably, it is the range of 20-80 micrometers.

また、第2の金属層の厚さは、5〜100μmの範囲であることが好ましい。厚さが5μm未満であると機械的強度が低下し、第1の金属層をエッチング除去したときに折れたり曲がりやすくなり、100μmを越えると、その後に第2の金属層を除去する場合に時間がかかり経済的でない。より好ましくは10〜80μmの範囲である。   The thickness of the second metal layer is preferably in the range of 5 to 100 μm. If the thickness is less than 5 μm, the mechanical strength decreases, and the first metal layer is easily bent or bent when the first metal layer is removed by etching. If the thickness exceeds 100 μm, it takes time to remove the second metal layer thereafter. Cost and not economical. More preferably, it is the range of 10-80 micrometers.

次に、第1の金属層を部分的に除去して接続用導体を形成するが、図1のように3層からなる複合金属層4を用いている場合には、第1の金属層41を部分的に除去した後に、エッチングレジストを除去し、引き続き第3の金属層43を部分的に除去すればよい。図1(c)は、支持基材45の両面に仮固定された複合金属層4の、接続用導体を形成する箇所にエッチングレジスト44が形成された状態を示す図であり、図1(d)は、第1の金属層41および第3の金属層43が順次部分的に除去され、接続用導体13が形成された状態を示す図である。   Next, the first metal layer is partially removed to form a connection conductor. When the composite metal layer 4 including three layers is used as shown in FIG. 1, the first metal layer 41 is used. Then, the etching resist is removed, and then the third metal layer 43 is partially removed. FIG. 1C is a view showing a state in which an etching resist 44 is formed at a location where the connection conductor is formed in the composite metal layer 4 temporarily fixed on both surfaces of the support base 45. ) Is a diagram showing a state in which the first metal layer 41 and the third metal layer 43 are partially removed sequentially to form the connection conductor 13.

次いで、図1(e)に示すように、少なくとも接続用導体13の周囲を覆うように1又は2以上の絶縁樹脂組成物層121を形成する。   Next, as illustrated in FIG. 1E, one or more insulating resin composition layers 121 are formed so as to cover at least the periphery of the connection conductor 13.

この絶縁樹脂組成物層は、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の絶縁性樹脂を少なくとも含む組成物が半硬化および/または硬化した層である。   This insulating resin composition layer is a layer obtained by semi-curing and / or curing a composition containing at least an insulating resin such as a thermosetting resin, a photocurable resin, or a thermoplastic resin.

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アラミド樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、などのうちから選択された1種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化したものが使用できる。   Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, bismaleimide triazine resin, polyimide resin, cyanoacrylate resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, melamine resin, urea resin, polyisocyanate resin, furan resin, resorcinol resin, xylene. One or more selected from resin, benzoguanamine resin, diallyl phthalate resin, aramid resin, epoxy-modified polyimide resin, silicone-modified epoxy resin, silicone-modified polyamideimide resin, benzocyclobutene resin, etc. What mixed the hardening | curing agent, the hardening accelerator, etc. was heated and made into the semi-hardened state, or what hardened | cured can be used.

上記光硬化性樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された1種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。   Examples of the photocurable resin include one or more selected from unsaturated polyester resins, polyester acrylate resins, urethane acrylate resins, silicone acrylate resins, epoxy acrylate resins, and the like, and if necessary, the light. What mixed the initiator, the hardening | curing agent, the hardening accelerator, etc. into the semi-hardened state by exposure or heating, or what hardened can be used.

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、(全)芳香族ポリエステル樹脂、液晶ポリマーなどのうちから選択された1種以上を使用することができる。さらに、上記熱可塑性樹脂の少なくとも1種以上を加熱し、成型・冷却してフィルム化したものも使用できる。   Examples of the thermoplastic resin include polycarbonate resin, polysulfone resin, polyetherimide resin, thermoplastic polyimide resin, tetrafluoropolyethylene resin, hexafluoropolypropylene resin, polyetheretherketone resin, vinyl chloride resin, and polyethylene resin. One or more selected from polyamideimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyoxybenzoate resin, (total) aromatic polyester resin, liquid crystal polymer, and the like can be used. Furthermore, a film obtained by heating, molding and cooling at least one of the above thermoplastic resins can be used.

本発明絶縁樹脂組成物層には、上記のような絶縁樹脂を単独で用いても、異種の絶縁樹脂の混合体を用いてもよく、さらに、充填剤として無機フィラーを含むものを用いてもよい。無機フィラーとしては、従来公知のものを用いることができ、特に限定されないが、例えば、ニッケル、金、銀などの導電粒子、シリカ、金属酸化物、あるいはこれらを金属めっきした樹脂粒子等を挙げられる。また、ガラス織布、不織布に絶縁樹脂を含浸させ半硬化又は硬化させたものを用いることもできる。望ましくは、絶縁樹脂組成物の絶縁性を確保するために、不導体のものがよい。   In the insulating resin composition layer of the present invention, the insulating resin as described above may be used alone, or a mixture of different kinds of insulating resins may be used, and a material containing an inorganic filler as a filler may be used. Good. As the inorganic filler, conventionally known ones can be used, and are not particularly limited. Examples thereof include conductive particles such as nickel, gold, and silver, silica, metal oxide, or resin particles obtained by metal plating these. . Further, a glass woven fabric or non-woven fabric impregnated with an insulating resin and semi-cured or cured can also be used. Desirably, in order to ensure the insulation of the insulating resin composition, a non-conductive material is preferable.

また、本発明の接続基板に用いる絶縁樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含むことが、多層化する際に基板表面に改めて樹脂を塗布する手間を省くことができ、好ましい。より好ましくは熱可塑性樹脂である液晶ポリマーを含む絶縁樹脂組成物である。液晶ポリマーを含む絶縁樹脂組成物を用いた場合、その線膨張係数を銅の線膨張係数に近付けることができるため、接続用導体の接続と同時に絶縁樹脂組成物を一括積層する上で効果的である。本発明において用いられる液晶ポリマーとしては、スメクチック相からネマチック相への相転移温度が180℃以上のものが好ましく、280℃以上のものが鉛レスはんだのリフロー処理温度に耐えられる点でより好ましい。具体的には、Xydar SRT−300、SRT−500、FSR−315、RC−210、FC−110、FC−120、FC−130(以上、日本石油化学(株)製、商品名)、エコノールE2000(住友化学工業(株)製、商品名)シリーズ、エコノールE6000(住友化学工業(株)製、商品名)シリーズ、ベクトラA950、ベクトラA130、ベクトラC130、ベクトラA230、ベクトラA410(以上、ポリプラスチックス(株)製、商品名)、EPE−240G30(三菱化成(株)製、商品名)、ロッドランLC−5000H(ユニチカ(株)製、商品名)、ノバキュレートE322G30、E335G30、EPE−240G30(以上、三菱化学(株)製、商品名)、BIAC(ジャパンゴアテックス(株)製、商品名)などがある。   In addition, it is preferable that the insulating resin composition used for the connection substrate of the present invention contains a thermoplastic resin because it can save the trouble of applying the resin to the surface of the substrate anew when multilayering. More preferably, it is an insulating resin composition containing a liquid crystal polymer which is a thermoplastic resin. When an insulating resin composition containing a liquid crystal polymer is used, its linear expansion coefficient can be brought close to the linear expansion coefficient of copper, which is effective for laminating the insulating resin composition at the same time as connecting the connection conductors. is there. The liquid crystal polymer used in the present invention preferably has a phase transition temperature from a smectic phase to a nematic phase of 180 ° C. or higher, more preferably 280 ° C. or higher because it can withstand the reflow processing temperature of leadless solder. Specifically, Xydar SRT-300, SRT-500, FSR-315, RC-210, FC-110, FC-120, FC-130 (above, Nippon Petrochemical Co., Ltd., trade name), Econol E2000 (Commercial name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) Series, Econol E6000 (Product name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) Series, Vectra A950, Vectra A130, Vectra C130, Vectra A230, Vectra A410 (above, Polyplastics (Trade name), EPE-240G30 (trade name, manufactured by Mitsubishi Kasei Co., Ltd.), Rod Run LC-5000H (trade name, manufactured by Unitika Ltd.), Novacurate E322G30, E335G30, EPE-240G30 (and above) , Manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name), BIAC (Japan Gore-Tex Co., Ltd.) Ltd., trade name), and the like.

また、絶縁樹脂組成物層を形成する方法としては、直接、接続用導体を形成した基板面に絶縁樹脂組成物を塗布して形成することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔、アルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に絶縁樹脂組成物を塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着剤シートを必要な大きさに切断し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスすることで形成することもできる。   In addition, as a method of forming the insulating resin composition layer, the insulating resin composition can be formed by directly applying the insulating resin composition to the substrate surface on which the connection conductor is formed, but a plastic film such as a polyethylene terephthalate film or copper Foil, metal foil such as aluminum foil is used as a carrier, the insulating resin composition is applied to the surface, the adhesive sheet made into a dry film by heating and drying is cut to the required size, and a conductor for connection is formed It can also be formed by laminating or pressing the substrate.

また、絶縁樹脂組成物層の厚さは、1〜100μmの範囲であることが好ましい。1μm未満では、絶縁樹脂組成物を接着強度が低下しない程度に均一な厚さに形成するのが困難となり、100μmを越えると、接続用導体を露出させることが困難になる。より好ましくは、3〜70μmの範囲である。   Moreover, it is preferable that the thickness of the insulating resin composition layer is in the range of 1 to 100 μm. If the thickness is less than 1 μm, it is difficult to form the insulating resin composition with a uniform thickness to such an extent that the adhesive strength does not decrease, and if it exceeds 100 μm, it becomes difficult to expose the connecting conductor. More preferably, it is the range of 3-70 micrometers.

また、接続用導体を覆う絶縁性樹脂組成物層中に気泡が巻き込まれていると、接続信頼性の上で好ましくないため、できる限り気泡が存在しないようにすることがより好ましい。   Moreover, since it is not preferable in terms of connection reliability that bubbles are entrained in the insulating resin composition layer covering the connection conductor, it is more preferable that bubbles do not exist as much as possible.

また、絶縁性樹脂組成物層は1層でも2層以上でもよいが、2層以上形成することが、加圧や研磨等の工程で基板表面に発生する熱的な応力を緩和し、接続基板の反りを低減することができるため、好ましい。また、2層以上の絶縁樹脂組成物層を形成する場合、用いる絶縁樹脂組成物の種類は勿論、成形後の樹脂の硬さや成形後の樹脂の厚さ、分子の配向性の違い、充填剤の有無、充填剤の種類或いはその含有量、充填剤の平均粒径、充填剤の粒子形状、充填剤の比重などによって区別されるものであることが好ましい。また、上記のように絶縁樹脂組成物層を多層構造とするのに液晶ポリマーを用いる場合、成形した際に分子配向性に基づいて自ら多層構造を形成し易いという性質を利用し、液晶ポリマーを単独で用いて多層構造とすることもできる。   Further, the insulating resin composition layer may be one layer or two or more layers, but forming two or more layers alleviates thermal stress generated on the substrate surface in the process of pressing, polishing, etc. This is preferable because warpage of the film can be reduced. In addition, when forming two or more insulating resin composition layers, not only the type of insulating resin composition to be used, but also the hardness of the resin after molding, the thickness of the resin after molding, the difference in molecular orientation, the filler It is preferable to distinguish them depending on the presence or absence of the filler, the type or content of the filler, the average particle diameter of the filler, the particle shape of the filler, the specific gravity of the filler, and the like. In addition, when a liquid crystal polymer is used to make the insulating resin composition layer a multi-layer structure as described above, the liquid crystal polymer can be formed by utilizing the property that it easily forms a multi-layer structure based on molecular orientation when molded. It can be used alone to form a multilayer structure.

また、絶縁樹脂組成物層を形成する前に(図1(d)参照)、露出した第2の金属層の表面を粗化処理することが絶縁樹脂組成物との密着強度を向上させる上で、好ましい。   In addition, before the insulating resin composition layer is formed (see FIG. 1D), the surface of the exposed second metal layer is roughened to improve the adhesion strength with the insulating resin composition. ,preferable.

また、絶縁樹脂組成物層は絶縁樹脂組成物よりなる接着剤シートを用いて形成することが効率的で好ましく、異種又は同種のシートを複数枚重ねて用いてもよい。   The insulating resin composition layer is preferably formed using an adhesive sheet made of an insulating resin composition, and a plurality of different or similar sheets may be used in a stacked manner.

次に、図1(f)に示すように、接続用導体13が露出するように絶縁樹脂組成物層121を研磨した後、接続用導体13が絶縁樹脂組成物層121の厚さ方向に貫くように形成された前記複合金属層4を前記支持基材45から剥離することで、図1(g)に示すような接続基板11を得ることができる。さらに、第2の金属層42を部分的に除去することで図1(h)に示すような導体回路103を有する接続基板とすることができる。ここで、接続用導体が少なくとも導体回路の接続する箇所に絶縁樹脂組成物層を厚さ方向に貫くように形成されていることが重要である。   Next, as shown in FIG. 1 (f), after polishing the insulating resin composition layer 121 so that the connecting conductor 13 is exposed, the connecting conductor 13 penetrates in the thickness direction of the insulating resin composition layer 121. By peeling the composite metal layer 4 thus formed from the support base material 45, a connection substrate 11 as shown in FIG. 1 (g) can be obtained. Further, by partially removing the second metal layer 42, a connection substrate having a conductor circuit 103 as shown in FIG. Here, it is important that the connecting conductor is formed so as to penetrate the insulating resin composition layer in the thickness direction at least at a location where the conductor circuit is connected.

また、絶縁樹脂組成物層を研磨して露出した接続用導体の表面および/または該接続用導体表面上に形成された導体回路の表面には、さらに金属箔を重ねたり、金属めっき、エッチング等の処理を行うことで、導体回路を追加形成もしくは金属皮膜を施すことができる。図1(i)は、図1(h)の接続基板11の接続用導体表面13および導体回路103の表面に金属被膜21を形成した図である。金属皮膜21は、例えば、パラジウム付与後に無電解銅めっきを施す方法、銅スパッタやクロム下地銅スパッタ等の真空製膜法、銀ペースト等の金属ペースト印刷、置換金めっき、ニッケル/金の電解または無電解めっき、ニッケル/パラジウム/金めっきの電解または無電解めっき、錫もしくは錫合金の無電解めっきなどのめっきによって形成することが出来る。   Further, the surface of the connecting conductor exposed by polishing the insulating resin composition layer and / or the surface of the conductor circuit formed on the surface of the connecting conductor is further overlaid with metal foil, metal plating, etching, etc. By performing this process, a conductor circuit can be additionally formed or a metal film can be applied. FIG. 1I is a diagram in which a metal film 21 is formed on the connection conductor surface 13 and the conductor circuit 103 of the connection substrate 11 in FIG. For example, the metal film 21 may be formed by applying electroless copper plating after applying palladium, vacuum film forming method such as copper sputtering or chromium base copper sputtering, metal paste printing such as silver paste, displacement gold plating, nickel / gold electrolysis or the like. It can be formed by plating such as electroless plating, electrolysis of nickel / palladium / gold plating or electroless plating, or electroless plating of tin or a tin alloy.

また、接続用導体に接続された導体回路上にバンプと呼ばれる突起状の導体を形成してもよい。このバンプを本発明の接続基板に形成するには、比較的厚い導体の突起部分以外の個所を厚さ方向にハーフエッチングして突起の部分を形成し、さらに薄くなった導体回路部分と突起部分を残してほかの部分をエッチング除去することによって形成できる。別の方法では、回路を形成した後に、接続端子の個所だけめっきによって厚くする方法でも形成できる。   Further, a protruding conductor called a bump may be formed on a conductor circuit connected to the connection conductor. In order to form the bumps on the connection substrate of the present invention, portions other than the relatively thick conductor protrusions are half-etched in the thickness direction to form protrusions, and the conductor circuit portions and protrusions further thinned. It can be formed by etching away other parts while leaving In another method, after the circuit is formed, only the connection terminal portion is thickened by plating.

また、接続用導体の露出の状態は、絶縁樹脂組成物層の表面から突出してもよいし、絶縁樹脂組成物層の表面から、内部に入り込んでいてもよい。前者は、後述のように平坦に研磨後、新たに金属層を追加するなどして突出させることができる。後者は、例えば、エッチング液でエッチバックすることで可能である。   The exposed state of the connecting conductor may protrude from the surface of the insulating resin composition layer, or may enter the inside from the surface of the insulating resin composition layer. The former can be protruded by adding a new metal layer after being polished flat, as will be described later. The latter is possible, for example, by etching back with an etching solution.

また、接続用導体の厚みは、5〜100μmの範囲であることが好ましい。厚さが5μm未満であると、接続しようとする導体回路の層間距離が小さくなり、絶縁性が低下することがあり、厚さが100μmを越えると、金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度が低下し、好ましくない。より好ましくは、20〜80μmの範囲である。   The thickness of the connecting conductor is preferably in the range of 5 to 100 μm. When the thickness is less than 5 μm, the interlayer distance of the conductor circuit to be connected may be reduced and the insulation may be lowered. When the thickness exceeds 100 μm, unnecessary portions of the metal foil are removed by etching. This is not preferable because the processing accuracy is reduced. More preferably, it is the range of 20-80 micrometers.

また、複合金属層は支持基板に接着していないので、第2の金属層が接する前記支持基材面の全てが前記離型基材となるように裁断することで、接続基板を支持基板から容易に離脱させることができ、非常に効率的に接続基板を製造することができる。   In addition, since the composite metal layer is not bonded to the support substrate, the connection substrate is separated from the support substrate by cutting so that the entire surface of the support base material in contact with the second metal layer becomes the release base material. It can be easily detached and the connection board can be manufactured very efficiently.

次に、上記のようにして得られた接続基板を複数用いて本発明の多層基板および立体型多層基板を製造する方法を説明する。   Next, a method for producing the multilayer substrate and the three-dimensional multilayer substrate of the present invention using a plurality of connection substrates obtained as described above will be described.

図2は、図1(i)の接続基板の、一部の接続用導体にガイド穴22をあけた状態を示す図である。   FIG. 2 is a view showing a state in which guide holes 22 are formed in some of the connection conductors of the connection board of FIG.

このガイド穴22は、後述する治具を用いて接続基板11を多層化する際にガイドピンを通し、位置あわせするためのものである。勿論、当該ガイド穴22は接続用導体13以外に設けてもよいが、上記のように接続用導体13に形成することで、ガイド穴22が補強され、位置あわせの精度を向上させることができ、好ましい。ガイド穴22を接続用導体13に形成する場合には、接続用導体13の、絶縁樹脂組成物層121より露出している部分の面積よりもガイド穴の穴面積を小さくする必要があり、その形成には、特に限定されないが、接続用導体13に接して設けられた配線層のランド部分を画像処理し、正確な位置に穴明けすることができるNCドリルを用いることが好ましい。また、ガイド穴数が多い場合は、初めに2個所のガイド穴を形成し、そこにガイドピンを立て、ついでこれを基準としてNCドリルを配置し、他のガイド穴を形成することが、穴位置精度を向上させることができ、好ましい。   This guide hole 22 is for passing a guide pin and aligning it when multilayering the connection substrate 11 using a jig described later. Of course, the guide hole 22 may be provided in addition to the connection conductor 13, but by forming the guide hole 22 in the connection conductor 13 as described above, the guide hole 22 can be reinforced and the alignment accuracy can be improved. ,preferable. When the guide hole 22 is formed in the connection conductor 13, it is necessary to make the hole area of the guide hole smaller than the area of the connection conductor 13 exposed from the insulating resin composition layer 121. The formation is not particularly limited, but it is preferable to use an NC drill that can image a land portion of a wiring layer provided in contact with the connection conductor 13 and drill a hole at an accurate position. If there are many guide holes, it is necessary to first form two guide holes, place a guide pin there, then place an NC drill on the basis of this and form other guide holes. Position accuracy can be improved, which is preferable.

次に、ガイド穴が正確に設けられた位置あわせ治具を用いて、複数枚の接続基板を挟む。図4(a)は、4枚の接続基板を位置あわせ治具で挟んだ状態を示す図である。   Next, a plurality of connection boards are sandwiched using an alignment jig in which guide holes are accurately provided. FIG. 4A is a diagram showing a state in which four connection substrates are sandwiched between alignment jigs.

本発明に用いる位置あわせ治具は、図3(a)に示すように、ガイドピン311が溶接された台座31、ならびにガイドピン311を通すガイド穴を有する位置補正用中間板32、下受けシート33、上置きシート34、および押さえ治具35を有し、複数枚の接続基板を下受けシート33および上置きシート34の間に挟んで位置あわせを行うものである。ここで、位置補正用中間板32はガイドピン揺らぎや繰り返し使用で発生する位置精度の狂いを根元から補正するものであり、また、上置きシート34および押さえ治具35は、図3(b)および図3(c)に示すように、四角形の各辺に切欠部36を有している。   As shown in FIG. 3A, the positioning jig used in the present invention includes a pedestal 31 to which a guide pin 311 is welded, a position correcting intermediate plate 32 having a guide hole through which the guide pin 311 passes, and a backing sheet. 33, an upper sheet 34, and a holding jig 35, and a plurality of connection boards are sandwiched between the lower sheet 33 and the upper sheet 34 to perform alignment. Here, the intermediate plate 32 for position correction is used to correct the positional accuracy error caused by the guide pin fluctuation and repeated use, and the upper sheet 34 and the holding jig 35 are shown in FIG. And as shown in FIG.3 (c), it has the notch part 36 in each square side.

ついで、4枚の接続基板11を挟んだ図4(a)の状態で、上置きシート34および押さえ治具35に形成された切欠部36(図3(b)(c)参照)にて、はんだ鏝等を用いて4枚の接続基板を熱融着させた後(図4(b))、これを位置あわせ治具から取り外すことで、図4(c)に示すような、熱融着部444により位置決め固着された複数の接続基板を得ることができる。   Next, in the state shown in FIG. 4A with the four connection substrates 11 sandwiched therebetween, in the cutout portion 36 (see FIGS. 3B and 3C) formed in the upper sheet 34 and the holding jig 35, After the four connection boards are heat-sealed using a soldering iron or the like (FIG. 4B), this is removed from the alignment jig, and as shown in FIG. A plurality of connection substrates that are positioned and fixed by the portion 444 can be obtained.

ここでは、一例としてはんだ鏝をあげているが、これ以外にも、加熱した金属棒、レーザ等の熱源を用いることができ、接続基板の上方ばかりでなく下方、又は上下両方から加熱することもできる。   Here, a soldering iron is used as an example, but other than this, a heated metal rod, a heat source such as a laser can be used, and it is possible to heat not only above the connection board but also from below or both above and below. it can.

さらに、上記で得た複数の接続基板の両面にポリイミドフィルムなどの離型用フィルムを載置し、加熱・加圧して一括積層した後、離型用フィルムを剥離することで、図5(a)に示すような本発明の多層基板10を得ることができる。さらに、一括積層工程の後、多層基板10の両側に所望立体形状の金型を配置し、高温プレスを行うことで、本発明の立体型多層基板を得ることができる。また、一括積層の際、例えば、図5(b)に示すように、各層の接続用導体が接続基板を貫く方向の延長線上にない、クランク状の構造をとる場合が生じうるが、この場合、導体回路に変形が発生し、接続抵抗の安定性を損なう恐れがある。そこで、多層基板の内側となる接続基板の絶縁樹脂組成物層には弾性率が高い絶縁樹脂組成物を用いることが好ましい。絶縁樹脂組成物層が2層以上からなる場合には、導体回路に接している樹脂層の弾性率が高いことが望ましい。弾性率の具体的な数値としては、加熱時の温度で0.0001GPa以上あることが好ましく、0.0
01GPa以上であることがより好ましく、0.01GPa以上あることが特に好ましい。なお、絶縁樹脂組成物の動的弾性率はレオメトリック社製ARES(パラレルプレート、周波数1Hz、5℃/min.で昇温)を用いて測定することができる。
Furthermore, a release film such as a polyimide film is placed on both surfaces of the plurality of connection substrates obtained as described above, and is heated and pressurized to be laminated at once, and then the release film is peeled off, whereby FIG. The multilayer substrate 10 of the present invention as shown in FIG. Furthermore, after the collective laminating step, a three-dimensional multilayer substrate of the present invention can be obtained by placing molds having a desired three-dimensional shape on both sides of the multilayer substrate 10 and performing high-temperature pressing. In addition, when batch stacking, for example, as shown in FIG. 5 (b), there may be a case where a connecting structure of each layer has a crank-like structure that is not on an extension line passing through the connection board. The conductor circuit may be deformed and the stability of the connection resistance may be impaired. Therefore, it is preferable to use an insulating resin composition having a high elastic modulus for the insulating resin composition layer of the connection substrate that is inside the multilayer substrate. When the insulating resin composition layer is composed of two or more layers, it is desirable that the resin layer in contact with the conductor circuit has a high elastic modulus. The specific value of the elastic modulus is preferably 0.0001 GPa or higher at the heating temperature,
It is more preferably 01 GPa or more, and particularly preferably 0.01 GPa or more. The dynamic elastic modulus of the insulating resin composition can be measured by using ARES (parallel plate, temperature rising at a frequency of 1 Hz, 5 ° C./min.) Manufactured by Rheometric.

また、接続基板と共に導体回路および/または金属箔を有する基板を一括積層して多層基板を製造してもよい。さらに、一括積層後、多層基板の最外層にめっきやエッチングにより外層回路を形成してもよい。   In addition, a multilayer substrate may be manufactured by collectively laminating a substrate having a conductor circuit and / or a metal foil together with a connection substrate. Furthermore, an outer layer circuit may be formed on the outermost layer of the multilayer substrate by plating or etching after batch lamination.

また、多層基板の最外層となる絶縁樹脂組成物層は熱可塑性樹脂を含む絶縁樹脂組成物を用いることが好ましく、液晶ポリマーを含むものであることがより好ましい。   Moreover, it is preferable to use the insulating resin composition containing a thermoplastic resin for the insulating resin composition layer used as the outermost layer of a multilayer substrate, and it is more preferable that it contains a liquid crystal polymer.

以上のように4層までの接続基板を位置決め固着し、これを加熱加圧して多層基板を製造する場合には、上記のような方法により位置精度よく一括積層することができ、金−金、金−錫、錫−錫の合金化による導通接続も確認することができるが、同様方法により5層以上の多層基板を製造しようとすると、接続基板の熱融着時に基板に穴があいてしまったり、下層まで十分に熱融着されないなどの不具合が生じる場合があり、安定した位置決め固着を行うことができない。   When a multi-layer substrate is manufactured by positioning and fixing up to four layers of connection substrates as described above and heating and pressurizing the connection substrates, it can be laminated with high positional accuracy by the above method, and gold-gold, Conductive connection due to alloying of gold-tin and tin-tin can be confirmed, but if a multi-layer board having five or more layers is manufactured by the same method, there is a hole in the board when the connection board is heat-sealed. In some cases, there may be a problem that the heat treatment is not sufficiently performed to the lower layer, and stable positioning and fixing cannot be performed.

そこで、この4層の試作を例に改善方法を検討した。すなわち、熱融着部分の層数を4層以下とし、かつ全層にわたり位置決め固着されるように、接続基板の熱融着箇所から選択的に、あらかじめ、NCドリル穴あけ機等で穴あけすることとした。このような穴あけを行うことで、同時に同じ箇所を5層以上熱融着させることがなくなり、全層を安定して位置決め固着することが可能となる。図6には、このような穴あけ行い、4枚の接続基板を位置決め固着した複数の接続基板の一例を示す。基本的にこの方法は、層数が4層以下でも使えるので、ここでは全層数を4層としてその断面を示した。   Therefore, an improvement method was examined by taking this four-layer prototype as an example. That is, the number of layers of the heat-sealed portion is set to 4 layers or less, and a hole is selectively drilled in advance with an NC drill drilling machine or the like so as to be positioned and fixed over all the layers. did. By performing such drilling, five or more layers at the same place are not thermally fused at the same time, and all the layers can be positioned and fixed stably. FIG. 6 shows an example of a plurality of connection boards in which such holes are drilled and four connection boards are positioned and fixed. Basically, this method can be used even when the number of layers is four or less, and here, the cross section is shown with the total number of layers being four.

図6(a)では、A層61の選択された箇所にあらかじめ穴611を設け、その下部となるB層62、C層63、D層64の3層を熱融着させている。あらかじめあける穴の大きさは、熱融着させる時に用いる熱源より大きな径であればよく、特に限定されない。さらに、全層にわたって位置決め固着するためには、少なくともA層の上記以外の所定箇所とその他の層の所定箇所とを熱融着させることが必要である。図6(a)では、A層、B層、C層、およびD層の4層の所定箇所を熱融着させている。   In FIG. 6A, a hole 611 is provided in advance at a selected portion of the A layer 61, and the three layers, the B layer 62, the C layer 63, and the D layer 64, which are the lower part thereof, are thermally fused. The size of the hole to be drilled in advance is not particularly limited as long as it is larger in diameter than the heat source used when heat-sealing. Furthermore, in order to position and fix all the layers, it is necessary to heat-fuse at least a predetermined portion of the A layer other than the above and a predetermined portion of the other layer. In FIG. 6A, the predetermined portions of the four layers of the A layer, the B layer, the C layer, and the D layer are thermally fused.

また、積層する接続基板の間に、絶縁樹脂組成物層が熱硬化系樹脂である接続基板があった場合には、当該接続基板から選択的に穴あけすることが好ましい。例えば、B層が熱硬化系樹脂を用いた接続基板である場合、図6(b)に示すように、B層66の選択された箇所に穴をあけ、その上下に位置するA層65、C層67、D層68の3層の所定箇所を熱融着させる。当然、全層にわたって位置決め固着するためには、少なくともB層の上記以外の箇所とその他の層の箇所とを熱融着させることが必要である。図6(b)では、A層とB層を熱融着させている。   In addition, when there is a connection substrate whose insulating resin composition layer is a thermosetting resin between the connection substrates to be laminated, it is preferable to selectively drill holes from the connection substrate. For example, when the B layer is a connection board using a thermosetting resin, as shown in FIG. 6B, a hole is made in a selected portion of the B layer 66, and the A layer 65 positioned above and below the hole. The predetermined portions of the three layers of the C layer 67 and the D layer 68 are thermally fused. Of course, in order to position and fix all the layers, it is necessary to heat-seal at least other portions of the B layer and other layers. In FIG. 6B, the A layer and the B layer are thermally fused.

このような方法により、4層まではもちろん、5層以上の接続基板をも安定して位置決め固着することができ、位置精度の良い多層基板を製造することができる。   By such a method, it is possible to stably position and fix a connection substrate of 5 layers or more as well as up to 4 layers, and it is possible to manufacture a multilayer substrate with high positional accuracy.

次に、位置決め固着された複数の接続基板を従来技術のそれと比較して効率よく一括積層して、多層基板を製造することのできる本発明のプレス装置ついて説明する。   Next, a press apparatus according to the present invention capable of producing a multilayer substrate by efficiently laminating a plurality of positioning substrates fixedly bonded together as compared with the prior art will be described.

本発明のプレス装置は、上方に開口部を有する第1のキャビティが形成されたステージと、第1のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第2のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、第1および第2のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤であるプレス体と、を少なくとも備えることをその特徴としており、プレス時には、チャンバーが下降して、第1および第2のキャビティが1つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることが好ましい。一括積層時や立体成型加工時にこのプレス装置を用いることで効率よく多層基板を製造することが可能である。   In the press device of the present invention, a stage in which a first cavity having an opening portion is formed on the upper side, and a second cavity having an opening portion on the lower side are formed at a position facing the opening portion of the first cavity, It is characterized by comprising at least a chamber that can be operated in the vertical direction and a press body that is installed in the first and second cavities and whose pressing surface is a hot platen. Thus, it is preferable that the first and second cavities form one closed system, and in the closed system, both sides of the press body are pressed at a high temperature almost simultaneously with the press body under reduced pressure. By using this press apparatus at the time of batch lamination or three-dimensional molding, it is possible to manufacture a multilayer substrate efficiently.

図7(a)は、プレス装置の好ましい形態を示す断面図であり、ステージ711、該ステージ711に形成され、上方に開口部を有する第1のキャビティ712、該キャビティ712内に設置され、下型熱盤713と該下型熱盤713がステージの温度上昇に寄与しないようにするための下型断熱部714とを有する下型プレス体、下型プレス体と接続された稼動部兼熱供給部715、ステージ711上において披プレス体を搬送する搬送部716、ステージ711の上方に位置するチャンバー721、該チャンバー721に形成され、下方に開口部を有する第2のキャビティ722、該キャビティ722内設置され、上型熱盤723とこの上型熱盤723がチャンバー721の温度上昇に寄与しないようにするための上型断熱部724とを有する上型プレス体、該上型プレス体と接続された熱供給部725、チャンバーが下降して形成される1つの閉じた系内を減圧するための減圧経由穴726、該系内を大気圧に戻すためのリーク穴727、および該系内を密閉状態に保つためのシール部717を備えている。   FIG. 7A is a cross-sectional view showing a preferred embodiment of the press device, which is a stage 711, a first cavity 712 formed on the stage 711 and having an opening on the upper side, installed in the cavity 712, and Lower mold press body having a mold heat plate 713 and a lower mold heat insulating portion 714 for preventing the lower mold heat plate 713 from contributing to the temperature rise of the stage, and an operating unit and heat supply connected to the lower mold press body 715, a transport unit 716 that transports the press body on the stage 711, a chamber 721 positioned above the stage 711, a second cavity 722 formed in the chamber 721 and having an opening below, inside the cavity 722 And an upper mold heat plate 723 and an upper mold heat insulating portion 724 for preventing the upper mold heat plate 723 from contributing to the temperature rise of the chamber 721. An upper press body, a heat supply unit 725 connected to the upper press body, a pressure reducing via hole 726 for reducing the pressure in one closed system formed by lowering the chamber, and atmospheric pressure in the system A leak hole 727 for returning to the inside and a seal portion 717 for keeping the inside of the system in a sealed state are provided.

また、搬送部716に載せられた被プレス体731は、位置決め固着された複数枚の接続基板およびその両面にポリイミドフィルム等の絶縁樹脂組成物層を少なくとも構成として含む。この披プレス体731の両側に所望立体形状の金型を配置し、これをプレス体で加熱加圧することで、本発明の立体型多層基板を得ることができる。その他、例えばSUS板などの金属板、あるいはSUS板の外側にクッション材を配置したもの(732)、これらを固定する冶工具を含めたものなどを被プレス体の両側に配置してもよい。また、上記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有していると、上記のように別途金型で被プレス体を挟む必要がなくなり、より効率的に本発明の立体型多層基板の製造することが可能である。   Moreover, the to-be-pressed body 731 mounted on the transport unit 716 includes at least a plurality of connection substrates that are positioned and fixed and insulating resin composition layers such as polyimide films on both surfaces thereof. A three-dimensional multilayer substrate according to the present invention can be obtained by arranging molds having a desired three-dimensional shape on both sides of the press body 731 and heating and pressing them with the press body. In addition, for example, a metal plate such as a SUS plate, or a material in which a cushion material is disposed outside the SUS plate (732), and a material including a jig for fixing them may be disposed on both sides of the pressed body. Further, when the press surface of the press body has a desired three-dimensional shape, it is not necessary to sandwich the pressed body with a separate mold as described above, and the three-dimensional multilayer substrate of the present invention can be manufactured more efficiently. Is possible.

被プレス体の移動を横から見た図7(a)が示すように、上記プレス装置は、チャンバーが側壁にあり開放するものではなく、上からチャンバーが降りてきて、下にあるステージがチャンバーの蓋代わりになる構成であり、且つ、被プレス体の移動方向から見た図7(b)が示すように、被プレス体がすでに昇温している熱盤を有するプレス体によりほぼ同時に加熱加圧される機構を有する。これによりプレス体の昇温時間がプロセス時間から削除できる。また、この構成により、チャンバー自体の容積も大幅にさげられ、真空度到達時間および大気圧まで戻す時間も大幅に改善される。   As shown in FIG. 7 (a), which shows the movement of the pressed body from the side, the chamber is on the side wall and is not opened, but the chamber is lowered from above, and the stage below is the chamber. As shown in FIG. 7B as viewed from the direction of movement of the pressed body, the pressed body is heated almost simultaneously by a press body having a hot platen whose temperature has already been raised. It has a mechanism to be pressurized. Thereby, the heating time of the press body can be deleted from the process time. This configuration also greatly reduces the volume of the chamber itself, and greatly improves the time to reach the degree of vacuum and the time to return to atmospheric pressure.

次に、位置決め固着された複数の接続基板を披プレス体として、図7のプレス装置を使用してこれを加熱加圧するプロセスを図8を参照して説明する。   Next, with reference to FIG. 8, a process of heating and pressurizing a plurality of connection substrates, which are positioned and fixed, using the press apparatus of FIG. 7 as a press body will be described.

図8(a)は、左から投入する被プレス体731を待機させている状態を示している。この披プレス体731を図8(b)に示すように、搬送部716により第1のキャビティ712の中にある搬送部上に搬入する。図7(b)に示すように、搬送部716には、搬送部軸7161があり、待機の搬送部と連動が可能である。   FIG. 8A shows a state in which the pressed body 731 to be inserted from the left is waiting. As shown in FIG. 8 (b), the press body 731 is carried onto the conveyance unit in the first cavity 712 by the conveyance unit 716. As shown in FIG. 7B, the transport unit 716 has a transport unit shaft 7161, which can be interlocked with the standby transport unit.

次に図8(c)に示すように、チャンバー721が降下し、第2のキャビティ722と第1のキャビティ712が閉じた系を形成する。このとき、被プレス体と上型熱盤723との間は、あらかじめ被プレス体731の厚さを決めておけば、接触しないように近距離にもっていける。チャンバーの周辺は、ステージのシール部717に押し付けられる。閉じた系が形成された後、減圧経由穴726からローターリーポンプ等で減圧する。ロータリーポンプは常に稼動させておき、チャンバーの下降終了と合わせて、電磁弁で減圧を開始することができる。これまでのプレス装置では、ロータリーポンプでの荒引き、およびメカニカルポンプによる高真空引きをしても真空度13.3Paとするのに10分以上を要していたが、ここに示すようなプレス装置によれば、真空とする体積が小さくてすむので、小型のロータリーポンプのみで真空度13.3Paまで約60秒で到達することができる。   Next, as shown in FIG. 8C, the chamber 721 is lowered to form a system in which the second cavity 722 and the first cavity 712 are closed. At this time, if the thickness of the pressed body 731 is determined in advance between the pressed body and the upper mold heating plate 723, the pressed body 731 can be brought into a short distance so as not to contact. The periphery of the chamber is pressed against the seal portion 717 of the stage. After the closed system is formed, the pressure is reduced from the pressure reducing via hole 726 by a rotary pump or the like. The rotary pump is always operated, and the pressure reduction can be started with the electromagnetic valve when the lowering of the chamber is completed. In conventional press devices, it took 10 minutes or more to achieve a vacuum of 13.3 Pa even after roughing with a rotary pump and high vacuuming with a mechanical pump. According to the apparatus, since the volume of vacuum is small, it is possible to reach the degree of vacuum of 13.3 Pa in about 60 seconds with only a small rotary pump.

次に、図8(d)に示すように、稼動部兼熱供給部715が上昇し、被プレス体を搬送部から持ち上げ、上型熱盤723に押し付けるとともに、タイムラグはあるもののほぼ同時にこれを加熱・加圧する。   Next, as shown in FIG. 8 (d), the working unit / heat supply unit 715 rises, lifts the pressed body from the transport unit, and presses it against the upper mold hot platen 723. Heat and pressurize.

次に、図8(e)に示すように、加熱加圧終了後、稼動部兼熱供給部715を下降させることで、被プレス体を、順次、上型熱盤723から離し、搬送部載せ、下型熱盤713から離すことができる。これによりタイムラグはあるもののほぼ同時に、加熱加圧を終了することができる。   Next, as shown in FIG. 8 (e), after the heating and pressurization is completed, the working unit / heat supply unit 715 is lowered to sequentially separate the pressed bodies from the upper mold heating plate 723, and to place the conveyance unit. It can be separated from the lower heating platen 713. Thereby, although there is a time lag, heating and pressurization can be completed almost simultaneously.

次に、図8(f)に示すように、稼動部兼熱供給部715の下降終了時と連動してリーク穴727に接続して設けたリーク用電磁弁を作動させて、キャビティが閉じた系内を大気圧に戻し、リーク時間もしくは圧力計と連動させて、チャンバーを元の位置に上昇させる。本装置によれば、前述したように、減圧している部分の体積が小さいので、1分程度で大気圧まで戻すことができる。   Next, as shown in FIG. 8 (f), the leakage solenoid valve connected to the leak hole 727 is operated in conjunction with the end of the lowering of the working / heat supply unit 715, and the cavity is closed. The system is returned to atmospheric pressure, and the chamber is raised to the original position in conjunction with the leak time or pressure gauge. According to this apparatus, as described above, since the volume of the decompressed portion is small, it can be returned to atmospheric pressure in about 1 minute.

最後に、図8(g)に示すように、チャンバー上昇終了と連動して、ステージ内チャンバーの搬送部と搬出方向の搬送部を稼動させて、被プレス体を搬出する。このとき、被プレス体は熱いままなので、搬出方向の搬送部には耐熱性のある部材を使用する。また、搬出方向の搬送部から先に、披プレス体が自動的に冷却リボルバーに格納され、自然冷却される機構を設けてもよい。   Finally, as shown in FIG. 8G, in conjunction with the end of the chamber rise, the in-stage chamber transport unit and the transport unit in the unloading direction are operated to unload the pressed body. At this time, since the pressed body is still hot, a heat-resistant member is used for the conveyance unit in the carry-out direction. Further, a mechanism may be provided in which the press body is automatically stored in the cooling revolver and naturally cooled first from the conveying section in the carry-out direction.

このプレス装置によれば、加熱加圧すべき披プレス体をプレス装置に投入してから搬出までの時間が大幅に短縮することができる。具体的には、3時間〜4時間かかっていたものを、10分以下にすることができる。   According to this press apparatus, it is possible to greatly reduce the time from when the press body to be heated and pressed is put into the press apparatus to when it is carried out. Specifically, what took 3 hours to 4 hours can be reduced to 10 minutes or less.

以上述べたような製造方法によれば、効率的にかつ位置精度よく多層基板および立体型多層基板を製造することができる。また、この他にも1)スルーホール形成などの穴あけ工程を省略できる。2)強固なフィルドビア構造ができる。3)一括積層であるため、薄型化ができる。4)微細配線回路に対応できる。5)反りを抑制できる。6)低コスト化ができる。7)寸法安定性を向上できる。8)複合箔の配線層における初期厚さを低減できる。9)絶縁樹脂を形成する前の粗化処理工程で、配線層側の粗化を防止できる。10)高位置精度の多層化が可能となる。11)配線が絶縁樹脂に転写され、配線間の絶縁性が向上する。12)均一な構造であるため、熱履歴にともなう断線が激減できる。13)高周波特性に優れるなどの効果を得ることができる。   According to the manufacturing method as described above, a multilayer substrate and a three-dimensional multilayer substrate can be manufactured efficiently and with high positional accuracy. In addition, 1) drilling steps such as through-hole formation can be omitted. 2) A strong filled via structure can be formed. 3) Since it is a batch lamination, it can be made thinner. 4) It can cope with fine wiring circuits. 5) Warpage can be suppressed. 6) Cost can be reduced. 7) The dimensional stability can be improved. 8) The initial thickness in the wiring layer of the composite foil can be reduced. 9) Roughening on the wiring layer side can be prevented in the roughening treatment step before forming the insulating resin. 10) Multi-layering with high position accuracy is possible. 11) The wiring is transferred to the insulating resin, and the insulation between the wirings is improved. 12) Since the structure is uniform, the disconnection caused by the thermal history can be drastically reduced. 13) Effects such as excellent high frequency characteristics can be obtained.

(実施例1)
<接続基板の製造>
図1(a)に示すように、第1の金属層41が厚さ70μmの銅であり、第3の金属層43が厚さ0.2μmのニッケルであり、第2の金属層42が厚さ18μmの銅からなる複合金属層4を、第一の金属層41が外側になるようにして、間に、離型基材として電解銅箔YGP−18R(日本電解製、商品名)451、液晶ポリマーBIACフィルム100μm(ジャパンゴアテックス社製、商品名)452を3枚、離型基材として電解銅箔YGP−18R(日本電解製、商品名)451の順に配置する。この時、電解銅箔451は平滑面を外側にした。また、電解銅箔451は、図中に示すように、複合箔よりも寸法を小さくしておく。このような構成の両面にポリイミドフィルム(宇部興産製、図示せず)を、少なくともこれら構成を含む様にして、333℃の温度と4MPaの圧力を5分間加えて、加熱・加圧して仮固定した後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図1(b)に示すような構造体を得た。
(Example 1)
<Manufacture of connection board>
As shown in FIG. 1A, the first metal layer 41 is copper having a thickness of 70 μm, the third metal layer 43 is nickel having a thickness of 0.2 μm, and the second metal layer 42 is thick. A composite metal layer 4 made of 18 μm thick copper, with the first metal layer 41 on the outside, and an electrolytic copper foil YGP-18R (product name) 451 as a mold release substrate, Three pieces of liquid crystal polymer BIAC film 100 μm (trade name, manufactured by Japan Gore-Tex Corporation) 452 are arranged in the order of electrolytic copper foil YGP-18R (trade name, manufactured by Nippon Electrolytic Co., Ltd.) 451 as a release substrate. At this time, the electrolytic copper foil 451 had a smooth surface outside. Moreover, as shown in the figure, the electrolytic copper foil 451 is made smaller in size than the composite foil. A polyimide film (manufactured by Ube Industries, not shown) on both sides of such a structure is temporarily fixed by applying a temperature of 333 ° C. and a pressure of 4 MPa for 5 minutes so as to include at least these structures, and heating and pressurizing. After that, the polyimide film was peeled off by hand to obtain a structure as shown in FIG.

次に、図1(c)に示すように、第1の金属層41の表面に、接続用導体13の形状にエッチングレジスト44を形成した。このエッチングレジスト44は、レジストNCP225またはNIT225(ニチゴー・モートン株式会社製、商品名)を用い、ロール温度110℃、ロール速度は0.6m/minの条件でレジストをラミネートし、積算露光量約80mJ/cmの露光条件で焼き付け、炭酸ナトリウム溶液で現像し、レジストの密着を確実なものとするために200mJ/cmで後露光した。 Next, as shown in FIG. 1C, an etching resist 44 was formed on the surface of the first metal layer 41 in the shape of the connection conductor 13. The etching resist 44 is a resist NCP225 or NIT225 (trade name, manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.), laminated with a resist at a roll temperature of 110 ° C. and a roll speed of 0.6 m / min. The film was baked under an exposure condition of / cm 2 , developed with a sodium carbonate solution, and post-exposed at 200 mJ / cm 2 in order to ensure adhesion of the resist.

次に、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアルカリエッチングAプロセス液(メルテックス社製、商品名)をスプレー噴霧して、第1の金属層41を部分的にエッチング除去して、接続用導体13を形成した。この後、水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト44を剥離・除去した。ついで、ニッケルのエッチング液であるメルストリップN950(メルテックス社製、商品名)を用いて、第3の金属層43をエッチング除去し、表面処理液CPE900(三菱ガス化学社製)をスプレー噴霧して、露出した銅表面の粗化処理を行い、図1(d)に示す接続用導体13が形成された複合金属層46が両面に仮固定された構造体を得た。この構造体は、仮固定の基材が吸水しているので、120℃で30分以上乾燥して水分をとばしておく必要がある。   Next, an alkali etching A process solution (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.), which is an etching solution that does not erode nickel, is sprayed and sprayed to partially remove the first metal layer 41, thereby connecting conductors 13. Formed. Thereafter, the etching resist 44 was stripped and removed with a sodium hydroxide solution. Next, the third metal layer 43 is removed by etching using Melstrip N950 (trade name, manufactured by Meltex Co.), which is a nickel etching solution, and the surface treatment liquid CPE900 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) is sprayed. Then, the exposed copper surface was roughened to obtain a structure in which the composite metal layer 46 on which the connection conductor 13 shown in FIG. 1D was formed was temporarily fixed on both surfaces. In this structure, since the temporarily fixed base material absorbs water, it is necessary to dry at 120 ° C. for 30 minutes or more to eliminate moisture.

次に、この複合金属層46の両側に絶縁樹脂組成物として液晶ポリマーBIACシート(ジャパンゴアテックス社製)の75μm厚さのものを載置し、さらにポリイミドフィルム(宇部興産製)を液晶ポリマーシートを覆うようにして載置して、その両側から333℃の温度と4MPaの圧力を5分間加えて、加熱・加圧し、この後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図1(e)に示す絶縁樹脂組成物層121が形成された構造体を得た。   Next, a 75 μm thick liquid crystal polymer BIAC sheet (manufactured by Japan Gore-Tex) as an insulating resin composition is placed on both sides of the composite metal layer 46, and a polyimide film (manufactured by Ube Industries) is placed on the liquid crystal polymer sheet. Is applied so that a temperature of 333 ° C. and a pressure of 4 MPa are applied from both sides for 5 minutes to heat and pressurize, and then the polyimide film is peeled off by hand, as shown in FIG. A structure in which the insulating resin composition layer 121 was formed was obtained.

その後に、図1(e)に示す構造体を図1(f)に示すように回転する研磨ロール47の間隙を荷重および回転速度を調整して、両面を一度に通過研磨した。研磨は1パス4μmの減厚条件で、4回から5回のパスで接続用導体13の先端が全面露出した。従って研磨量は、片面それぞれ20μmであった。研磨後、構成の中にある離型基材である電解銅箔より内側を裁断することにより、支持基板の界面から接続基板を離脱した。これにより図1(g)に示すように金属層と導通し接続用導体が内蔵された接続基板を得ることができた。この後、第2の金属層42を選択的にエッチングして図1(h)に示すような導体回路103をさらに形成した接続基板を得た。さらに、図1(h)の接続基板の、接続用導体13の表面および導体回路103の表面に、無電解ニッケル、無電解パラジウム、無
電解金めっきの順で金属被膜21を形成し、図1(i)に示す接続基板を得た。
Thereafter, the structure shown in FIG. 1 (e) was polished by passing through both surfaces at once by adjusting the load and the rotational speed of the gap between the rotating polishing rolls 47 as shown in FIG. 1 (f). Polishing was performed under conditions of thickness reduction of 4 μm per pass, and the tip of the connection conductor 13 was exposed on the whole surface in 4 to 5 passes. Therefore, the polishing amount was 20 μm on each side. After polishing, the connection substrate was detached from the interface of the support substrate by cutting the inner side from the electrolytic copper foil which is the release base material in the configuration. Thereby, as shown in FIG.1 (g), the connection board | substrate which conducted with the metal layer and incorporated the connection conductor was able to be obtained. Thereafter, the second metal layer 42 was selectively etched to obtain a connection substrate on which a conductor circuit 103 as shown in FIG. 1 (h) was further formed. Furthermore, a metal coating 21 is formed in the order of electroless nickel, electroless palladium, and electroless gold plating on the surface of the connection conductor 13 and the surface of the conductor circuit 103 of the connection substrate of FIG. A connection substrate shown in (i) was obtained.

(実施例2)
<複数の接続基板の位置決め固着>
実施例1で得た図1(i)に示す接続基板の、一部の接続用導体に、図2に示すように、φ3.0mmのガイド穴22を形成した。ここでは、ガイド穴があけられた接続用導体に接して設けられた配線層にランド部分を画像処理し、正確な穴あけを可能とする、自動整合ドリリングマシン(株式会社小野測器製TN−750)を用いて穴あけを行った。
(Example 2)
<Positioning and fixing of multiple connection boards>
As shown in FIG. 2, guide holes 22 having a diameter of 3.0 mm were formed in some of the connecting conductors of the connection substrate shown in FIG. 1 (i) obtained in Example 1. Here, an automatic alignment drilling machine (TN-750, manufactured by Ono Sokki Co., Ltd.) that enables accurate drilling by image processing the land portion on the wiring layer provided in contact with the connecting conductor having the guide hole formed therein. ) Was used to make a hole.

次に、図4(a)に示すように、台座31に溶接されたガイドピン311を、補正用中間板32、下受けシート33、上記で得られた4枚の接続基板、上置きシート34および押さえ治具35の順に、これらに形成されたガイド穴を通して重ねた。ここで、下受けシート33および上置きシート34はともに0.1mmの厚さのテフロン(登録商標)基板であり、0.3mmより少し大き目の穴を形成してある。また、下受けシート33が真四角であるのに対し、上置きシート34および押さえ治具35は、図3(b)および図3(c)に示すような切り欠き部を有している。   Next, as shown in FIG. 4A, the guide pin 311 welded to the pedestal 31 is connected to the correction intermediate plate 32, the lower receiving sheet 33, the four connection boards obtained above, and the upper sheet 34. Then, the holding jig 35 was stacked in the order of the holding jig 35 through the guide holes formed therein. Here, each of the lower sheet 33 and the upper sheet 34 is a Teflon (registered trademark) substrate having a thickness of 0.1 mm, and has a hole slightly larger than 0.3 mm. Further, while the lower receiving sheet 33 is a square, the upper sheet 34 and the pressing jig 35 have notches as shown in FIGS. 3B and 3C.

図4(b)に示すように、上置きシート34および押さえ治具35の切欠部であって、接続基板が露出した部分内で、265℃に熱したはんだ鏝の先端を数箇所に数秒間押し付け、接続基板間を熱溶融で位置決め固着した。   As shown in FIG. 4 (b), the tip of the soldering iron heated to 265 ° C. in the cutout portions of the upper sheet 34 and the holding jig 35 where the connection substrate is exposed is placed at several places for several seconds. They were pressed and fixed between the connection substrates by thermal melting.

その後、図4(c)に示すように、押さえ治具35を除去し、下受けシート33から上を持ち上げて、位置あわせ用治具から、4枚の接続基板が高い精度で位置あわせされ、かつ所定箇所が熱溶融により位置決め固着された複数の接続基板を取り外した。ついで、この複数の接続基板の両面にポリイミドフィルム(宇部興産製)を絶縁樹脂組成物層を覆うようにして載置して、少なくともこれら構成を含む様にして、その両側から333℃の温度と4MPaの圧力を5分間加えて、加熱・加圧して積層一体化し、この後、ポリイミドフィルムを手で剥離し、図5(a)に示す4層の多層基板を得た。また、接続用導体が同一直線上ではなく、図5(b)に示すクランク状に導通接続されたものも作製できた。   Thereafter, as shown in FIG. 4 (c), the holding jig 35 is removed, the top is lifted from the receiving sheet 33, and the four connecting boards are aligned with high accuracy from the positioning jig, And the some connection board by which the predetermined location was positioned and fixed by thermal fusion was removed. Next, a polyimide film (manufactured by Ube Industries) is placed on both surfaces of the plurality of connection substrates so as to cover the insulating resin composition layer, and at least 333 ° C. from both sides of the structure so as to include these components. A pressure of 4 MPa was applied for 5 minutes, and the layers were integrated by heating and pressurization. Thereafter, the polyimide film was peeled off by hand to obtain a four-layer multilayer substrate shown in FIG. Further, it was also possible to produce a conductor in which the connecting conductors are not connected on the same straight line but are conductively connected in a crank shape as shown in FIG.

さらに、得られた多層基板の金−金の合金化による導通接続を確認できた。また、接続基板への表面めっきに無電解錫めっき(置換タイプまたは還元タイプ)を用いた場合でも、同様に多層基板が作製できた。また、最外層の接続基板の表面めっきに、無電解ニッケル、無電解パラジウム、無電解金めっきを用い、内層の接続基板の表面めっきに、無電解錫めっき(置換タイプまたは還元タイプ)を用いた、表面めっきの種類が異なる接続基板を用いても同様に多層基板を作製することができ、その接続部では、金−錫や錫−錫の合金化による導通接続が確認できた。また、最外層の配線が絶縁樹脂組成物層に転写されており、基板の表面に段差のない平滑な面が確認できた。本発明を具体的に実施し、確認できた特徴のある構造である。   Furthermore, the conductive connection by the gold-gold alloying of the obtained multilayer substrate was confirmed. Further, even when electroless tin plating (replacement type or reduction type) was used for surface plating on the connection substrate, a multilayer substrate could be similarly produced. In addition, electroless nickel, electroless palladium, and electroless gold plating were used for the surface plating of the outermost connection board, and electroless tin plating (substitution type or reduction type) was used for the surface plating of the inner connection board. A multi-layer substrate can be produced in the same manner even when a connection substrate having a different type of surface plating is used, and conduction connection due to gold-tin or tin-tin alloying can be confirmed at the connection portion. Moreover, the wiring of the outermost layer was transferred to the insulating resin composition layer, and a smooth surface without a step was confirmed on the surface of the substrate. The present invention is a specific structure that has been specifically implemented and confirmed.

また、5層以上の多層基板についても、接続基板の熱融着箇所から選択的にあらかじめ穴あけして位置決め固着を行うことで、上記4層の場合と同様の、位置精度の高い多層基板を得ることができた。   In addition, with respect to a multi-layer substrate having five or more layers, a multi-layer substrate with high positional accuracy similar to the case of the above-described four layers is obtained by selectively drilling and fixing in advance from the heat-sealed portion of the connection substrate. I was able to.

(実施例3)
実施例1、2において、第一の金属層41が圧延銅であり、第2の金属層も圧延銅である複合金属層4を用いた。また、図1(h)の接続基板の接続用導体13の表面および導体回路103の表面に、金属皮膜として、錫コバルト合金めっき、スズ銀合金めっき、スズ銅合金めっきを施した。この場合においても、実施例1、2と同様に導通接続が確認できた。また、接続信頼性も−65℃に15分放置と150℃に15分放置を1サイクルとする熱サイクル試験で1000サイクルを合格した。
(Example 3)
In Examples 1 and 2, the composite metal layer 4 in which the first metal layer 41 was rolled copper and the second metal layer was also rolled copper was used. Moreover, tin cobalt alloy plating, tin silver alloy plating, and tin copper alloy plating were performed as a metal film on the surface of the connection conductor 13 and the surface of the conductor circuit 103 of the connection substrate in FIG. Also in this case, the conductive connection was confirmed as in Examples 1 and 2. In addition, the connection reliability passed 1000 cycles in a thermal cycle test in which a cycle of standing at -65 ° C for 15 minutes and standing at 150 ° C for 15 minutes was one cycle.

(実施例4)
実施例1〜3で得た多層基板を、表1に示す各金型を図9のように配置して挟み、高温プレスすることによって立体成型加工を行った。プレス時の温度は、190℃〜300℃の範囲である。得られた立体型多層基板の接続信頼性を調べた結果、−65℃に15分放置と150℃に15分放置を1サイクルとする熱サイクル試験において、すべてが1000サイクルをクリアした。また、1枚の接続基板に、圧延銅を、接続用導体が露出している側にプレスした後、回路形成した両面板を同様に金型で挟んでプレスしても立体成型加工することができ、同様の接続信頼性を得た。図1の多層基板の中に、上記両面板を使用しても同様の結果を得ることができた。

Figure 2005236232
Example 4
The multilayer substrates obtained in Examples 1 to 3 were subjected to three-dimensional molding by placing each mold shown in Table 1 as shown in FIG. The temperature at the time of pressing is in the range of 190 ° C to 300 ° C. As a result of investigating the connection reliability of the obtained three-dimensional multilayer substrate, in a thermal cycle test in which a cycle of standing at -65 ° C for 15 minutes and standing at 150 ° C for 15 minutes was all, 1000 cycles were cleared. Also, three-dimensional molding can be performed by pressing rolled copper on one connection board on the side where the connection conductor is exposed, and then pressing the circuit-formed double-sided board in the same way. And similar connection reliability was obtained. Similar results could be obtained even when the above double-sided board was used in the multilayer substrate of FIG.
Figure 2005236232

本発明に用いる接続基板の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the connection board used for this invention. 図1で得た接続基板の接続用導体にガイド穴を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which formed the guide hole in the connection conductor of the connection board obtained in FIG. 本発明に用いる位置あわせ治具の概略を示す断面図および上面図である。It is sectional drawing and the top view which show the outline of the alignment jig | tool used for this invention. 図3の位置あわせ治具を用いて4枚の接続基板を位置決め固着し、本発明の多層基板を製造する過程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing a multilayer substrate of the present invention by positioning and fixing four connection substrates using the alignment jig of FIG. 3. 本発明の多層基板の一形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one form of the multilayer substrate of this invention. あらかじめ穴あけされた接続基板を含む4枚の接続基板が位置決め固着された状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in which the four connection boards containing the connection board drilled previously are positioned and fixed. プレス装置の好ましい形態を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the preferable form of a press apparatus. 図7のプレス装置を用いて披プレス体を加熱加圧するプロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the process which heat-presses a press body using the press apparatus of FIG. 実施例4における金型の配置図である。FIG. 6 is a layout view of molds in Example 4.

符号の説明Explanation of symbols

10:多層基板
11:接続基板
121:絶縁樹脂組成物層
13:接続用導体
101、102:金属箔
103:導体回路
21:金属被膜
22:ガイド穴
31:台座
311:ガイドピン
32:位置補正用中間板
33:下受けシート
34:上置きシート
35:押え治具
36:切欠部
4:複合金属層
41:第1の金属層
42:第2の金属層
43:第3の金属層
44:エッチングレジスト
444:熱融着部
45:支持基材
451:離型基材
452:接着樹脂
46:複合金属箔
47:研磨ロール
61:A層
611:穴
62:B層
63:C層
64:D層
65:A層
66:B層
661:穴
666:A層とB層の熱融着部
67:C層
68:D層
711:ステージ
712:キャビティ
713:下型熱盤
714:下型断熱部
715:稼動部兼熱供給部
716:搬送部
7161:搬送部軸
717:シール部
721:チャンバー
722:キャビティ
723:上型熱盤
724:上型断熱部
725:熱供給部
726:減圧経由穴
727:リーク穴
731:被プレス体
732:金属板あるいはクッション材
10: Multilayer substrate 11: Connection substrate 121: Insulating resin composition layer 13: Connection conductor 101, 102: Metal foil 103: Conductor circuit 21: Metal coating 22: Guide hole 31: Base 311: Guide pin 32: For position correction Intermediate plate 33: Lower receiving sheet 34: Upper sheet 35: Holding jig 36: Notch portion 4: Composite metal layer 41: First metal layer 42: Second metal layer 43: Third metal layer 44: Etching Resist 444: heat-bonding portion 45: support base 451: release base 452: adhesive resin 46: composite metal foil 47: polishing roll 61: A layer 611: hole 62: B layer 63: C layer 64: D layer 65: A layer 66: B layer 661: Hole 666: Thermal fusion part 67 of A layer and B layer 67: C layer 68: D layer 711: Stage 712: Cavity 713: Lower mold hot platen 714: Lower mold heat insulation part 715 : Operation unit / heat supply unit 716: Conveying unit 161: Conveying section shaft 717: Sealing section 721: Chamber 722: Cavity 723: Upper mold heat plate 724: Upper mold heat insulating section 725: Heat supply section 726: Depressurized via hole 727: Leak hole 731: Press body 732: Metal plate Or cushion material

Claims (12)

絶縁樹脂層、該絶縁樹脂層を貫くように形成された接続用導体、および/または配線を少なくとも備える接続基板であって、前記絶縁樹脂が熱硬化樹脂および/または熱可塑性樹脂からなることを特徴とする接続基板。   A connection substrate comprising at least an insulating resin layer, a connecting conductor formed so as to penetrate the insulating resin layer, and / or wiring, wherein the insulating resin is made of a thermosetting resin and / or a thermoplastic resin. Connection board. 前記接続用導体および/または配線が圧延銅を含むことを特徴とする請求項1記載の接続基板。   The connection board according to claim 1, wherein the connection conductor and / or the wiring contains rolled copper. 請求項1または2記載の接続基板の複数を位置あわせした後、熱融着によって複数の所定個所を固着する際に、予め基板全体が相対的に動かないように、いずれかの接続基板に穴を開けておくことを特徴とする位置決め固着方法。   After aligning a plurality of connection substrates according to claim 1 or 2, when fixing a plurality of predetermined portions by heat fusion, holes are formed in any of the connection substrates so that the entire substrate does not move relatively in advance. A positioning and fixing method, characterized by opening the wire. 絶縁樹脂層、該絶縁樹脂層を貫くように形成された接続用導体、および/または配線を少なくとも備える接続基板の複数を位置あわせする工程と、
位置あわせされた前記複数の接続基板の所定箇所を熱融着して位置決め固着する工程と、
位置決め固着された前記複数の接続基板を加熱加圧して積層一体化する工程と、
積層一体化された前記基板を所望形状の金型で挟んで高温プレスする工程と、
を含むことを特徴とする立体型多層基板の製造方法。
A step of aligning a plurality of connecting substrates including at least an insulating resin layer, a connecting conductor formed so as to penetrate the insulating resin layer, and / or wiring;
A step of thermally fixing and fixing a predetermined portion of the plurality of aligned connection substrates; and
A step of stacking and integrating the plurality of connection substrates that are positioned and fixed by heating and pressing; and
A step of high-temperature pressing the laminated and integrated substrate between molds of a desired shape;
A method for producing a three-dimensional multilayer substrate, comprising:
前記熱融着の熱源が、加熱された金属又はレーザである請求項4記載の立体型多層基板の製造方法。   The method for manufacturing a three-dimensional multilayer substrate according to claim 4, wherein the heat source of the heat fusion is a heated metal or a laser. 前記接続用導体および/または配線が圧延銅を含むことを特徴とする請求項4または5記載の立体型多層基板の製造方法。   6. The method for manufacturing a three-dimensional multilayer substrate according to claim 4, wherein the connecting conductor and / or the wiring contains rolled copper. 上方に開口部を有する第1のキャビティが形成されたステージと、
前記第1のキャビティの開口部に対向する位置で下方に開口部を有する第2のキャビティが形成され、上下方向に稼働可能なチャンバーと、
前記第1および第2のキャビティ内に設置され、対向するプレス面が熱盤であるプレス体と、
を少なくとも備えることを特徴とするプレス装置。
A stage on which a first cavity having an opening is formed;
A second cavity having an opening below the first cavity at a position facing the opening of the first cavity, and a chamber operable in a vertical direction;
A press body which is installed in the first and second cavities and whose pressing surface is a hot platen;
The press apparatus characterized by including at least.
前記プレス体のプレス面が所望の立体形状を有することを特徴とする請求項7記載のプレス装置。   The press apparatus according to claim 7, wherein a press surface of the press body has a desired three-dimensional shape. プレス時に前記チャンバーが下降して、前記第1および第2のキャビティが1つの閉じた系を形成し、該閉じた系内において、減圧下、プレス体により披プレス体の両面をほぼ同時に高温プレスすることを特徴とする請求項7または8記載のプレス装置。   During the pressing, the chamber is lowered, and the first and second cavities form a closed system. In the closed system, both sides of the press body are hot-pressed almost simultaneously by the press body under reduced pressure. The press apparatus according to claim 7 or 8, characterized in that: 請求項7〜9のいずれか1項記載のプレス装置を用いることを特徴とする多層基板の製造方法。   A method for producing a multilayer substrate, comprising using the pressing device according to any one of claims 7 to 9. 請求項10記載の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。   A multilayer substrate manufactured by the manufacturing method according to claim 10. 立体型多層基板であることを特徴とする請求項11記載の多層基板。   12. The multilayer substrate according to claim 11, wherein the multilayer substrate is a three-dimensional multilayer substrate.
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