JP2005221764A - 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置用マザー基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法において、一対の基板間に形成される真空領域を調整することにより、表示品位の良好な液晶表示装置を安定して製造できるようにする。
【解決手段】 基板にパネル部シールを形成する工程(P18)と、パネル部シールを取り囲む外周シールを基板に形成する工程(P18)と、基板に液晶を滴下する工程(P5)と、一方の基板と他方の基板とを真空環境下で貼り合わせて真空領域を形成する工程(P21)とを有する液晶表示装置の製造方法である。真空領域の面積は、外周シール自体を含む外周シールの内側の面積を100%とした場合に25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%にする。真空領域の面積を適正化することにより、一対の基板間の組合せズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等の発生を防止する。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板にパネル部シールを形成する工程(P18)と、パネル部シールを取り囲む外周シールを基板に形成する工程(P18)と、基板に液晶を滴下する工程(P5)と、一方の基板と他方の基板とを真空環境下で貼り合わせて真空領域を形成する工程(P21)とを有する液晶表示装置の製造方法である。真空領域の面積は、外周シール自体を含む外周シールの内側の面積を100%とした場合に25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%にする。真空領域の面積を適正化することにより、一対の基板間の組合せズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等の発生を防止する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法に関する。また、本発明は、その液晶表示装置の製造方法において用いられる液晶表示装置用マザー基板に関する。
一般に、液晶表示装置は、一対の基板をシール材によって貼り合せ、それらの基板間に形成される間隙内、いわゆるセルギャップ内に液晶を封入することによって形成される。このとき、従来の液晶表示装置の製造方法では、シール材の一部に液晶注入用の開口を形成しておき、一対の基板をそのシール材によって貼り合せてパネル構造体を形成した後に、シール材の一部に設けた上記の開口を通してシール材によって囲まれる領域、すなわちセルギャップ内に液晶を注入していた。
このような従来の液晶表示装置の製造方法に対して、最近、液晶滴下貼り合せ方式と称される液晶表示装置の製造方法が提案されている。この製造方法では、液晶注入用の開口を持たない環状のシール材を一対の基板の一方に形成し、そのシール材によって囲まれる領域内又は他方の基板の対応する領域内に必要量の液晶を滴下し、その後にそれらの基板を貼り合わせて液晶パネルを形成する。つまり、この製造方法によれば、一対の基板の貼り合せが完了したときには、セルギャップ内に液晶が封入された状態になっている(例えば、特許文献1参照)。
また、このような液晶滴下貼り合わせ方式の液晶表示装置の製造方法において、一対の基板内に真空空間を形成し、この真空空間と大気圧との相互作用によって上記一対の基板を押圧してセルギャップを均一化する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。さらに、液晶滴下貼り合わせ方式の液晶表示装置の製造方法において、パネル部シールと外周シールとの間の距離を特定の値に設定することが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
本発明者は、特開2001−174829号公報や特開11−326922号公報に開示された液晶表示装置の製造方法に従って液晶表示装置を製造した。しかしながら、表示品質の良好な液晶表示装置を常に安定して製造することができなかった。このことを解消するため、本発明者は種々の製造条件を設定して液晶表示装置を製造し、表示品質を観察した。その結果、一対の基板間に形成される真空領域の面積の大小が液晶表示装置の表示品質に密接に関連することを知見した。
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、液晶滴下貼り合わせ方式の液晶表示装置の製造方法において一対の基板間に形成される真空領域を調整することにより、表示品位の良好な液晶表示装置を安定して製造できるようにすることを目的とする。
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方にパネル部シールを形成する工程と、前記一対の基板の少なくとも一方に前記パネル部シールを取り囲む外周シールを形成する工程と、前記一対の基板の少なくとも一方に前記液晶を滴下する工程と、前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせて前記パネル部シールと前記外周シールとの間に真空領域を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記外周シール自体を含む前記外周シールの内側の面積を100%とした場合に前記真空領域の面積は25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%であることを特徴とする。
ここで「基板」というのは、液晶表示装置を構成する基板そのもののことではなく、液晶表示装置の製造方法の際に用いられるマザー基板のことである。マザー基板に液晶パネルの1個分の要素が形成される場合、いわゆる1個取りの製造方法の場合は、マザー基板は液晶表示装置の基板よりも少し大きい面積を有する。また、マザー基板に液晶パネルの複数個分の要素が形成される場合、いわゆる多数個取りの製造方法の場合は、マザー基板は液晶表示装置の基板の複数個分の面積よりも少し大きい面積を有する。
マザー基板が液晶表示装置の基板よりも「少し」大きいというのは、液晶表示装置はマザー基板を切断、いわゆるスクライブ又はブレイク、することによって形成されるものであり、その切断の際、液晶表示装置の基板はマザー基板よりも小さい面積に切り出されるからである。
また、上記構成中、パネル部シールは液晶に接触するシールである。一般に、このパネル部シールは、1つの大きな面積の基材、いわゆるマザー基材の上に、複数個形成される。そして、上記の外周シールは、それら複数のパネル部シールを取り囲むように形成される。なお、「外周シールが複数のパネル部シールを取り囲む」というのは、一対の基板を貼り合せた状態においてのことである。従って、パネル部シール及び外周シールを形成する際には、両者を同一の基板上に形成しても良いし、あるいは、両者を別々の基板上に形成しても良い。
また、上記構成中、液晶を滴下する基板に関しては、一対の基板のうちの任意のいずれか一方であっても良いし、あるいは、一対の基板の両方であっても良い。また、上記の「真空」とは、完全な真空の場合はもとより、真空に近い減圧状態も含むものである。
また、上記構成中、「前記一対の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する」とは、
(1)シールが形成されている基板に液晶を滴下する場合には、シールによって囲まれた領域に液晶を滴下することであり、他方、
(2)シールが形成されていない基板に液晶を滴下する場合には、基板を貼り合わせて液晶パネルになった時にシールによって囲まれることになる領域に液晶を滴下することである。このことは、これ以降の説明においても同様である。
(1)シールが形成されている基板に液晶を滴下する場合には、シールによって囲まれた領域に液晶を滴下することであり、他方、
(2)シールが形成されていない基板に液晶を滴下する場合には、基板を貼り合わせて液晶パネルになった時にシールによって囲まれることになる領域に液晶を滴下することである。このことは、これ以降の説明においても同様である。
一般に、液晶滴下貼り合わせ方式の液晶表示装置の製造方法において、一対の基板を外側から加圧する力は、品質の良好な液晶表示装置を製造する上で非常に重要な要因である。この加圧力が適正でないと、一対の基板間での組み合わせズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等が発生して、液晶表示装置の表示品質が低下するおそれがある。上記の加圧力は、閉ざされたシールによって一対の基板間に形成される真空領域の内圧と、一対の基板を大気圧下に置いたときの大気圧との間の圧力差である。従って、外周シールの内側の領域の面積に対する真空領域の面積比率を調整すれば、基板に対する加圧力を希望の大きさに設定でき、これにより、液晶表示装置の表示品位を安定して高く維持することができる。
本発明によれば、真空領域の面積を外周シールの内側の領域の面積に対して25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%に設定したので、基板に関して適正な加圧力が得られ、それ故、一対の基板間で、組み合わせズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等が発生することを防止できる。そのため、表示品質の高い液晶表示装置を安定して製造できるようになった。なお、「外周シールの内側の領域の面積」とは、外周シールをも含みその内側の領域の面積のことである。
なお、特開平11−326922号公報では、パネル領域を形成するシール部と外周シールとの間の距離を2〜7mmと規定することで、均一なセルギャップを持たせることができるとある。しかしながら、実際には、シール間の寸法というよりも、一対の基板にどのくらいの力が加わるのかが重要な要因である。そして、一対の基板に加わる圧力は、基板内に存在する真空領域の外周シールの内側の領域の面積に対する比率によって決まるものである。
仮に、液晶層の範囲を決定するパネル部シールと外周シールとの間の距離が2〜7mmであるとしても、真空領域の面積が大き過ぎると、一対の基板が必要以上に加圧されてそれら基板間でのアライメント精度が低下したり、液晶がパネル部シールを突き破る危険性が生じたりする。また、反対に、真空領域の面積が小さ過ぎると、一対の基板を加圧する力が不足して、セルギャップが不均一になるおそれがある。
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記真空領域を形成する工程の後に、前記一対の基板を切断して、前記外周シールを分離する工程を有することが望ましい。この方法は、切断、すなわちスクライブにより外周シールを液晶パネルから分離する方法であり、この場合には、製品としての液晶表示装置には外周シールは残らない。スクライブによって外周シールを分離すれば、液晶表示装置における有効表示領域の周りの領域、いわゆる額縁領域を狭くすることができ、液晶表示装置の省スペース化を実現できる。なお、外周シールは必ずしもスクライブによって除去しなくても良く、この場合には、製品としての液晶表示装置に外周シールが残る。
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記パネル部シール及び前記外周シールを形成する材料の粘度は5万〜100万cP(但し、1cP=1mPa・s)であることが望ましい。この粘度のシール材に対して真空領域の面積を本発明の通りに規定することにより、一対の基板に対して良好な加圧力が得られることが分かった。5万〜100万cPの粘度は、入手が容易である一般的なシール材の粘度である。従って、本発明は、一般的なシール材を用いて容易に実現できる。
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、貼り合わせ後の前記パネル部シールの幅は0.4mm以上であることが望ましい。こうすれば、基板間でのアライメント精度の低下及び液晶がパネル部シールを突き破る危険性を、より一層確実に回避できる。
次に、本発明に係る液晶表示装置用マザー基板は、一対のマザー基材と、それらのマザー基材の間に挟まれた1つ又は複数のパネル部シールと、該パネル部シールの周囲に配置した外周シールと、前記パネル部シールと前記外周シールとの間に形成された真空領域とを有する液晶表示装置用マザー基板において、前記一対の基板のうちの一方の面積を100%とした場合に前記真空領域の面積は25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%であることを特徴とする。
この構成のマザー基板、すなわち、外周シール部の内側の領域の面積に対する真空領域の面積比率が一定の範囲に調整されているマザー基板、を用いて液晶表示装置を製造すれば、基板に対する加圧力を希望の大きさに設定でき、これにより、液晶表示装置の表示品位を安定して高く維持することができる。
次に、本発明に係る液晶表示装置用マザー基板において、前記パネル部シール及び前記外周シールを形成する材料の粘度は5万〜100万cPであることが望ましい。これにより、液晶表示装置の表示品位をより一層安定して高く維持することができる。また、5万〜100万cPの粘度は一般的なシール材の粘度であるので、発明を実施する上でシール材の選定で支障が生じることはない。
次に、本発明に係る液晶表示装置用マザー基板において、前記パネル部シールの幅は0.4mm以上であることが望ましい。こうすれば、基板間でのアライメント精度の低下及び液晶がパネル部シールを突き破る危険性を、より一層確実に回避できる。
以下、本発明に係る液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置用マザー基板を、スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor)素子を用いた半透過反射型の液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、本発明がその他任意の構造の液晶表示装置を製造する際に適用できることはもちろんである。
本発明に係る液晶表示装置の製造方法を説明するのに先立って、まず、本発明方法によって製造する液晶表示装置について説明する。図3は、その液晶表示装置の一例の断面構造を示している。図4は、図3において矢印Aで示す部分を拡大して示している。図5は、図4において上側に図示された素子基板を矢印B方向から見た場合のその素子基板の平面的な構成を示している。図6(a)は、図5において矢印Cで示す部分を示している。図6(b)は、図6(a)のTFT素子の断面構造を示している。図7は、図3の液晶表示装置の電気的な等価回路を示している。
なお、以上の各図において、液晶表示装置を構成する複数の要素の相互の寸法比は、それらの要素の構造を分かり易く示すために、実際の寸法比とは異ならせてあることに注意を要する。
図3において、液晶表示装置1は、液晶パネル2に液晶駆動用IC3、偏光板4a,4b、そして照明装置6を装着することによって形成されている。照明装置6は、光源としてのLED(Light Emitting Diode)7と、そのLED7から発生する光を液晶パネル2へ導く導光体8とを有する。液晶パネル2は、矢印D方向から見て方形の環状であるシール材9によって貼り合わされた一対の基板、すなわち素子基板11a及びカラーフィルタ基板11bを有する。なお、方形とは、正方形又は長方形のことである。
素子基板11aとカラーフィルタ基板11aとの間であってシール材9によって囲まれた間隙、いわゆるセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層13が形成される。符号15で示すスペーサは概ね球形に形成されており、セルギャップが均一な寸法を維持するように機能する。照明装置6から光が発生すると、その光が液晶層13によって画素領域ごとに変調され、素子基板11aの側に像を表示することができる。すなわち、観察者は矢印D方向から表示を観察する。
素子基板11aは、ガラス、プラスチック等によって形成された透光性を有する基材12aを有する。この基材12aは、矢印D方向から見て方形状に形成されている。基材12aの液晶側の表面には、下地層14が形成され、その上にスイッチング素子としてのTFT素子16及びドット電極17が形成され、その上に配向膜18aが形成される。配向膜18aには液晶層13内の液晶分子を配向させるための配向処理、例えば、ラビング処理が施される。偏光板4aは、基材12aの外側の表面に貼着等によって装着される。
カラーフィルタ基板11bは、ガラス、プラスチック等によって形成された透光性を有する基材12bを有する。この基材12bは、素子基板11a側の基材12aと同様に、矢印D方向から見て方形状に形成されている。基材12bの液晶側の表面には、反射膜19が形成され、その上に遮光膜21が形成され、その遮光膜21によって囲まれる領域に着色要素22が形成され、それらの上にオーバーコート層23が形成され、その上に電極24が形成され、その上に配向膜18bが形成される。配向膜18bには液晶層13内の液晶分子を配向させるための配向処理、例えば、ラビング処理が施される。偏光板4bは、基材12bの外側の表面に貼着等によって装着される。
着色要素22は、光の3原色、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)や、C(シアン)、M(マゼンタ)、Y(イエロー)の各色光を選択的に透過する要素であり、これらの着色要素22によってカラーフィルタが構成される。これらの着色要素22としてR,G,Bを用いた場合、各色着色要素22は図3の矢印D方向から見て所定の配列、例えば、図8(a)に示すようなストライプ配列、図8(b)に示すようなモザイク配列、又は図8(c)に示すようなデルタ配列に並べられる。
図3において、素子基板11aを構成する基材12a上に形成された複数のドット電極17は、矢印D方向から見て、縦方向及び横方向へマトリクス状に並べられる。また、個々のドット電極17は、図5に示すように、略方形状に形成される。一方、図3において、素子基板11aに対向するカラーフィルタ基板11b側の電極24は、複数のドット電極17の全てに対向する面状の電極として形成される。図4及び図5に示すように、個々のドット電極17と面状の共通電極24とが対向する領域が表示の最小単位である表示用ドット領域Dを構成する。そして、R,G,Bの3つの着色要素22に対応する3つの表示用ドット領域Dによって1つの画素が形成される。なお、着色要素22を用いることなく白黒のモノクロ表示を行う場合には、1つの表示用ドット領域Dによって1つの画素が形成される。
図4において、個々の表示用ドット領域Dに対応して、反射膜19に開口26が設けられる。これらの開口26は、図3において、照明装置6から発生した光を図4の矢印L1のように通過させる。この透過光L1により、透過型の表示が行われる。一方、太陽光、室内光等といった外部光は素子基板11aを透過し、次いで反射膜19で反射する。この反射光L0により、反射型の表示が行われる。つまり、表示用ドット領域Dのうち、反射膜19が存在する領域が反射領域Rであり、開口26が存在する領域が透過領域Tである。
図5において、素子基板11aの基材12a上の略全面に形成された下地層14の上に直線状のゲート電極線31が複数本、互いに平行に形成される。また、それらのゲート電極線31の個々につながるように通電パターン32が形成される。この通電パターン32は各ゲート電極線31に電流を供給する。
ゲート電極線31とドット電極17は、TFT素子16によって接続されている。TFT素子16は、図6(a)及び(b)に示すように、下地層14の上に次の各層、すなわち、ゲート電極33、ゲート絶縁膜としての陽極酸化膜34、もう1つのゲート絶縁膜としての窒化膜36、チャネル部真性半導体膜としてのa−Si(アモルファス・シリコン)膜37、コンタクト部半導体膜としてのN+a−Si(ドープド・アモルファス・シリコン)膜38,38、そして、チャネル部保護用窒化膜39の各層を順次に積層することによって形成されている。
図5において、基材12aの表面には、ゲート電極線31に直交する位置関係で直線状のソース電極線41が複数本、互いに平行に形成される。これらのソース電極線41は、図6(a)及び図6(b)に示すように、N+a−Si膜38の片側(図6(b)の左片側)の上に積層される。また、N+a−Si膜38のもう一方の片側(すなわち、図6(b)の右片側)の上に、ドット電極17が積層される。
上記構成のTFT素子16は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、図5において、基材12aの上にスパッタリング等によってTa2O5を一様な厚さに形成して下地層14を形成する。次に、周知のパターニング技術、例えば、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理から成るフォトエッチング処理によって下地層14の上にTa(タンタル)をパターニングして複数の直線状のゲート電極線31、及びそれらのゲート電極線31から張り出すTFT素子用のゲート電極33、及び各ゲート電極線31をつなぐ通電パターン32を形成する。
その後、基材12aを化成液、すなわち陽極酸化処理溶液に浸漬し、さらに通電パターン32に所定の電圧を印加することにより陽極酸化処理を実行し、これにより、図6(a)及び図6(b)に示すように、ゲート電極33及びその他のパターン上に陽極酸化膜34を形成する。
次に、図6(b)において、個々の陽極酸化膜34の上に、例えばCVD法によってSi3N4をパターニングしてゲート絶縁膜36を形成する。次に、a−Siを一様な厚さに堆積し、さらにその上にN+a−Siを一様な厚さに堆積し、さらにフォトエチング等によってN+a−Siをパターニングしてコンタクト部半導体膜38を形成する。さらに、a−Siをパターニングしてチャネル部真性半導体膜37を形成する。
その後、Si3N4を周知のパターニング技術を用いてパターニングしてチャネル部保護膜39を形成する。さらに、ITO(Indium Tin Oxide)をその一部がN+a−Si膜38に重なるように且つ所定のドット形状にパターニングすることによって、複数のドット電極17をマトリクス状に形成する。さらに、Al(アルミニウム)をその一部がN+a−Si膜38に重なるように且つ互いに平行に配列するようにパターニングすることによってソース電極線41を形成する。
図3に戻って、素子基板11aはカラーフィルタ基板11bの外側に張り出す張出し部46を有する。この張出し部46の表面には、図5の素子基板11a上のゲート電極線31につながる配線47aと、ソース電極線41につながる配線47bと、カラーフィルタ基板11b上の共通電極24につながる配線47cとが周知のパターニング技術、例えばフォトエチング処理によって適宜のパターンで形成される。また、張出し部46の辺縁には、外部回路との間で電気的な接続をとるための外部接続用端子48が同様のパターニング技術によって形成される。
素子基板11aとカラーフィルタ基板11bとを貼り合わせているシール材9の中には導電粒子49がランダムな分散状態で混ぜられている。図3では、楕円球状の導電粒子が描かれているが、これは図面を分かり易く描く上での便宜的な描かれ方であり、実際には、球状又は円柱状の導電粒子49がシール材9の幅内に複数個含まれる。素子基板11aの張出し部46上に設けられた配線47cと、カラーフィルタ基板11b上に設けられた共通電極24との間の電気的な接続は、シール材9内に含まれる上記の導電粒子49によって行われる。
外部接続用端子48と配線47a,47b,47cとの間には、ACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)等といった導電接合材を用いてCOG(Chip On Glass)技術に基づいて液晶駆動用IC3が実装される。もちろん、その他任意の実装技術、例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いることもできる。
液晶駆動用IC3には、図5のTFT素子16を駆動するための、図7に示す走査線駆動回路51及びデータ線駆動回路52が含まれる。走査線駆動回路51は図5のソース電極線41につながり、それらの線にデータ信号を伝送する。一方、データ線駆動回路52は図5のゲート電極線31につながり、それらの線に走査信号を伝送する。走査信号はTFT素子16のゲートへ送られ、データ信号はTFT素子16のソースへ送られる。TFT素子16がON状態になると、対応するドット電極17への通電が成されて対応する表示用ドット領域D内の液晶への書き込みが行われる。また、引き続いてTFT素子16がOFF状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により、液晶の配向が光透過及び光遮断の間で制御される。
以上の構成より成る液晶表示装置は、太陽光、室内光等といった外部光を用いた反射型表示と、図3の照明装置6を用いた透過型表示とを、希望に応じて選択して実行する。反射型表示が選択された場合には、図4において、外部光L0が素子基板11a及び液晶層13を透過してカラーフィルタ基板11bへ入り、反射膜19で反射して再び液晶層13へ供給される。一方、透過型表示が選択された場合には、図3のLED7が点灯し、LED7からの光が導光体8によって液晶パネル2へ供給される。供給された光L1は、図4において、反射膜19に表示用ドット領域Dごとに設けた開口26を透過して液晶層13へ供給される。
以上のようにして反射型表示及び透過型表示のそれぞれの場合に液晶層13へ光が供給される際、液晶層13はドット電極17及び共通電極24によって表示用ドット領域Dごとに印加電圧が制御され、その内部の液晶分子の配向が制御される。液晶層13へ供給された光は上記の配向制御により変調され、この変調された光が図3の素子基板11a側の偏光板4aを選択的に通過することにより、図3の観察側に文字、数字、図形等といった像が表示される。
以下、上記構成より成る液晶表示装置を製造するための、本発明に係る液晶表示装置の製造方法及び本発明に係る液晶表示装置用マザー基板のそれぞれの一実施形態を説明する。なお、本発明方法がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。
図1は、その液晶表示装置の製造方法の一実施形態を工程図によって示している。この工程図において、工程P1から工程P5に至る工程が図3の素子基板11aを形成するための工程である。また、工程P11から工程P19に至る工程が図3のカラーフィルタ基板11bを形成する工程である。また、工程P21から工程P27に至る工程が素子基板11aとカラーフィルタ基板11bとを貼り合わせて液晶表示装置を完成させる工程である。
なお、本実施形態では、1つの素子基板用マザー基材の上に2組の素子基板用要素を形成して素子基板用マザー基板を形成し、他方、1つのカラーフィルタ基板用マザー基材の上に2組のカラーフィルタ基板用要素を形成してカラーフィルタ基板用マザー基板を形成し、それらのマザー基板を貼り合わせて2個の液晶表示装置を同時に形成するものとする。
この方法とは別に、1つの素子基板用マザー基材の上に1組又は3組以上の素子基板用要素を形成して素子基板用マザー基板を形成し、他方、1つのカラーフィルタ基板用マザー基材の上に1組又は3組以上のカラーフィルタ基板用要素を形成してカラーフィルタ基板用マザー基板を形成し、それらのマザー基板を貼り合わせて1個又は複数個の液晶表示装置を形成する方法もある。マザー基板から1個の液晶パネルを製造する方法は、いわゆる1個取りの製造方法である。また、マザー基板から複数個の液晶パネルを同時に製造する方法は、いわゆる多数個取りの製造方法である。
なお、以下の説明で、切断によって図3の素子基板用基材12aを得る前の面積の大きい基材を素子基板用マザー基材12a’と呼ぶことにする。また、切断によってカラーフィルタ基板用基材12bを得る前の面積の大きい基材をカラーフィルタ基板用マザー基材12b’と呼ぶことにする。
図1の工程P1において、素子基板用マザー基材12a’の上に図6(a)及び図6(b)に示すTFT素子16を形成する。次に、工程P2において、図6及び図3のドット電極17を形成する。TFT素子16やドット電極17を形成する際に、図3の配線47a,47b,47c及び外部接続用端子48を同時に形成することが望ましい。
次に、工程P3において、図3の配向膜18aを形成し、さらに、工程P4において、その配向膜18aに対してラビング処理を行う。次に、工程P5において、図3の液晶層13を形成するために必要となる量の液晶をディスペンサ等を用いてマザー基材12a’上の液晶パネルを形成すべき領域に滴下する。以上により、図3の素子基板11aのための液晶パネル2個分の各要素がマザー基材12a’上に形成されて、素子基板用マザー基板11a’が形成される。
以上の素子基板用マザー基板11a’を製造する一方で、工程P11において、カラーフィルタ基板用マザー基材12b’の上に図3の反射膜19を形成し、同時に光透過用の開口26を形成する。次に、工程P12において、図3の遮光膜21を形成し、さらに工程P13において、図3の着色要素22を形成する。これにより、カラーフィルタが形成される。
次に、工程P14において、図3のオーバーコート層23を形成して表面を滑らかにした後、工程P15において、図3の共通電極24をITOによって形成する。次に、工程P16において、図3の配向膜18bを形成し、さらに工程P17において、その配向膜18bに対してラビング処理を行う。
次に、工程P18において、図2(a)に示すように、カラーフィルタ基板用マザー基材12b’上に液晶パネル2個分のパネル部シール9及び外周シール29を形成する。パネル部シール9は閉ざされたシール部であり、液晶注入用の開口は設けられない。外周シール29はパネル部シール9との間で後述する真空領域を形成するためのものである。そして、その真空領域は、素子基板用マザー基板11a’とカラーフィルタ基板用マザー基板12b’とを後述のように貼り合わせた後に大気圧との相互作用でそれらの基板に加圧力を発生させるためのものである。
パネル部シール9は、図3のシール材9そのものである。このパネル部シール9は、例えば、光硬化型樹脂によって形成される。光硬化型樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂を用いることができる。なお、光硬化型樹脂としては、可視光又は紫外線によって硬化する樹脂を用いることができる。また、外周シール29としては、例えば、光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂を用いる。熱硬化型樹脂としは、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。パネル部シール9及び外周シール29は、例えば、粘度が5万〜100万cP(但し、1cP=1mPa・s)のシール材料によって形成する。
次に、図1の工程P19において、図3のスペーサ15をマザー基材12b’上にランダムにばら撒く。そしてさらに、それらのスペーサ15をマザー基材12b’上、すなわち配向膜18b上に固着させる。この固着は、例えば、スペーサ15を加熱することによって行われる。以上により、図3のカラーフィルタ基板11bのための液晶パネル2個分の各要素がマザー基材12b’上に形成されて、カラーフィルタ基板用マザー基板11b’が形成される。
以上のようにして図3の素子基板用マザー基板11a’及びカラーフィルタ基板用マザー基板11b’が形成された後、図1の工程P21において、それらのマザー基板を真空環境下、例えば真空チャンバ内、において互いに貼り合わせる。なお、貼り合わせ作業を大気中で行うようにしていた従来の製造方法においては、素子基板用マザー基板11a’及びカラーフィルタ基板用マザー基板11b’を個々に真空チャックによって吸着して保持した上でそれらの基板を貼り合わせていた。
しかしながら、マザー基板の貼り合わせを真空環境下で行うようにした本実施形態では、環境が真空であるが故に真空チャックを用いた保持を行うことができない。それ故、本実施形態では、静電チャックを用いてマザー基板を保持した上で貼り合わせの作業を行うことにする。ここで、静電チャックとは、チャック部材に電圧を印加したときに発生するクーロン力を利用してマザー基板を吸着して保持するチャック方法である。この静電チャックを用いることにより、真空環境下であってもマザー基板を支持して貼り合わせ作業を行うことができる。
工程P21において素子基板用マザー基板11a’とカラーフィルタ基板用マザー基板11b’との貼り合わせが終了すると、図2(b)に示すように、素子基板用マザー基板11a’とカラーフィルタ基板用マザー基板11b’とがパネル部シール9及び外周シール29によって貼り合わされた構造のパネル構造体が形成される。素子基板用マザー基板11a’上には図1の工程P5で液晶が滴下されていたので、両方のマザー基板を貼り合わせた時点で液晶層13が形成される。また、外周シール29とパネル部シール9との間に真空領域Vが形成される。
本実施形態では、素子基板用マザー基板11a’又はカラーフィルタ基板用マザー基板11b’の外周シール29の内側の領域の面積A0を100%とした場合に、真空領域Vの面積は25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%に設定する。このような面積設定は、パネル部シール9及び外周シール29のパターン設計の際に決めることができる。また、パネル部シール9の幅W0は、図2(b)のように素子基板用マザー基板11a’とカラーフィルタ基板用マザー基板11b’とを貼り合わせた後において、0.4mm以上となるように設定する。
次に、工程P22において、図2(b)のパネル構造体を真空環境から解放して、大気圧下に置く。すると、素子基板用マザー基板11a’及びカラーフィルタ基板用マザー基板11b’の外側には、図2(b)に模式的に示すように、大気圧P0が加わる。また、それに応じて、液晶層13に液晶内圧P1が発生し、さらに、各スペーサ15にスペーサ圧縮変形応力P2が発生する。
一対の基板11a’及び11b’を加圧する力は、閉ざされたパネル部シール9及び外周シール29によって形成される真空領域Vの内圧と、大気圧P0との圧力差である。本実施形態では、真空領域Vの面積を、素子基板用マザー基板11a’又はカラーフィルタ基板用マザー基板11b’の面積A0に対して、25%以内、望ましくは10〜25%、より望ましくは15〜20%に設定したので、基板に関して適正な加圧力が得られる。そのため、一対の基板間で、組み合わせズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等が発生することを防止できる。それ故、表示品質の高い液晶表示装置を安定して製造できる。
次に、図1の工程P23において、図2(a)及び図2(b)のパネル部シール9及び外周シール29に対して硬化処理を実行する。本実施形態では、パネル部シール9を光硬化型樹脂によって形成したので、パネル部シール9を硬化させるためには、光照射を行う。なお、外周シール29を光硬化型樹脂によって形成した場合には、その外周シール29の硬化をパネル部シール9と同時に行うことができる。また、外周シール29を熱硬化型樹脂によって形成した場合には、パネル部シール9の硬化を行う前又はパネル部シール9の硬化を行った後に加熱によって外周シール29を硬化させる。
以上によりシールの硬化が終了した後、図1の工程P24においてブレイク処理を行って、図2(b)のパネル構造体を、例えば矢印Gの所でブレイク、すなわち切断する。これにより、真空領域Vの真空状態が解放される。また、このブレイクにより、図3の液晶パネル2が同時に2個、完成する。その後、工程P25において、図3の液晶駆動用IC3を素子基板11aの張出し部46の表面に実装し、さらに工程P26において、図3の偏光板4a及び4bを装着し、さらに工程P27において照明装置6を装着することにより、液晶表示装置1が完成する。なお、偏光板4a,4bを装着する際、必要に応じて、他の光学要素、例えば位相差板等を装着しても良い。
以上の説明のように、本実施形態では、図2(b)における真空領域Vの面積を基板の面積A0に対して適切な値に設定したので、図1の工程P22でパネル構造体を真空状態から大気圧へ解放した際には、一対の基板に適切な加圧力が加わる。このため、一対の基板間で、組み合わせズレ、液晶漏れ、セルギャップの不均一等が発生することを防止でき、表示品質の高い液晶表示装置を安定して製造できる。
(変形例)
上記の実施形態では、図1の工程P18において、図2(a)及び(b)のパネル部シール9を光硬化型樹脂によって形成し、外周シール29は光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成した。そして、工程P23において、パネル部シール9と外周シール29とを同時又は別々に硬化させた。
上記の実施形態では、図1の工程P18において、図2(a)及び(b)のパネル部シール9を光硬化型樹脂によって形成し、外周シール29は光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂によって形成した。そして、工程P23において、パネル部シール9と外周シール29とを同時又は別々に硬化させた。
しかしながら、パネル部シール9及び外周シール29の材質は、これに限定されない。例えば、パネル部シール9を熱硬化型樹脂によって形成し、工程P23においてパネル部シール9を加熱によって硬化させることもできる。このとき、外周シール29は、光硬化型樹脂及び熱硬化型樹脂のいずれによって形成しても良い。外周シール29を熱硬化型樹脂によって形成した場合には、シール硬化工程P23では、パネル部シール9と外周シール29とを同時に硬化させることができる。
また、パネル部シール9を光硬化型樹脂及び熱硬化型樹脂の両方によって形成することができる。この場合には、工程P23においてパネル部シール9に光照射及び加熱の両方を同時に付与することにより該パネル部シール9を硬化させる。このとき、外周シール29は、光硬化型樹脂及び熱硬化型樹脂のいずれによって形成しても良い。
また、以上の説明では、図2(a)に示したように、マザー基材12b’に液晶表示装置の構成要素を液晶表示装置の2個分だけ形成するようにした。しかしながら、液晶表示装置の構成要素は素子基板側のマザー基材12a’及びカラーフィルタ基板側のマザー基材12b’上に1個分又は3個以上分、形成することもできる。いずれの場合でも、外周シール29はパネル部シール9を取り囲むように形成する。これにより、図1の工程P21で素子基板用マザー基板11a’とカラーフィルタ基板用マザー基板11b’とを貼り合わせたとき、液晶表示装置部分の周囲に真空領域Vが形成される。
(その他の実施形態)
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記実施形態では、スイッチング素子としてTFT素子を用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合に本発明を適用したが、本発明はスイッチング素子を用いない単純マトリクス、すなわちパッシブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)素子等といった2端子型のスイッチング素子を用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。
本発明者は、図1に示す製造方法を用いて、図2(b)の真空領域Vが基板面積A0に対して3%から80%の範囲で変化する、図3に示す液晶表示装置を複数種類、製造した。そして、それらの液晶表示装置によって実際に表示を行い、表示品質を判定した。判定は、アライメント精度、液晶モレ、及びセルギャップの均一性の3項目で行った。
実験の結果、図9に示す結果が得られた。図9において、『アライメント精度』の項目で、「○」は、基板ズレの発生がなく点灯不良が発生しないことを示す。また、「×」は、基板の組みズレにより点灯不良が発生したことを示す。
また、『液晶モレ』の項目で、「○」は、1つのマザー基板において液晶モレが発生した液晶パネルの数がゼロであったことを示す。また、「△」は、液晶モレが発生した液晶パネルの数が10%以下であったことを示す。また、「×」は、液晶モレが発生した液晶パネルの数が10%以上であったことを示す。
また、『セルギャップ均一性』の項目で、「×」は、セルギャップが±10%以上の範囲でばらつくことを示す。また、「○」は、セルギャップのばらつきが±10%以内であることを示す。
図9に示す結果によれば、アライメント精度、液晶漏れ、セルギャップ均一性の全ての項目で製品としての能力を満たしている条件は、真空領域Vの面積が10〜25%の範囲であった。また、真空領域Vの面積が15〜20%の範囲にある場合には、表示品位がさらに良好であった。なお、本実験は粘度が5〜100万cPの間のシール材を複数種類用いて行ったが、全てに関して同様の結果が得られた。
本発明に係る液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置用マザー基板は、液晶表示装置を液晶滴下貼り合せ方式で製造する場合に好適に用いられる。
1.液晶表示装置、 2.液晶パネル、 3.液晶駆動用IC、 4a,4b.偏光板、
6.照明装置、 9.シール材(パネル部シール)、 11a.素子基板、
11a’.素子基板用マザー基板、 11b.カラーフィルタ基板、
11b’.カラーフィルタ基板用マザー基板、 12a,12b.基材、
12a’.素子基板用マザー基材、 12b’.カラーフィルタ基板用マザー基材、
13.液晶層、 14.下地層、 15.スペーサ、 16.TFT素子、
17.ドット電極、 18a,18b.配向膜、 19.反射膜、 21.遮光膜、
22.着色要素、 23.オーバーコート層、 24.電極、 26.開口、
29.外周シール、 31.ゲート電極線、 32.通電パターン、
33.ゲート電極、 34.陽極酸化膜(ゲート絶縁膜)、
36.窒化膜(ゲート絶縁膜)、 37.a−Si膜(チャネル部真性半導体膜)、
38.N+a−Si膜(コンタクト部半導体膜)、
39.チャネル部保護用窒化膜(チャネル部保護膜)、 41.ソース電極線、
46.張出し部、 47a,47b,47c.配線、 48.外部接続用端子、
49.導電粒子、 A0.基板面積、 D.表示用ドット領域、 L0.反射光、
L1.透過光、P0.大気圧、 P1.液晶内圧、 P2.スペーサ圧縮変形応力、
R.反射領域、 T.透過領域、 V.真空領域、 W0.パネル部シール幅
6.照明装置、 9.シール材(パネル部シール)、 11a.素子基板、
11a’.素子基板用マザー基板、 11b.カラーフィルタ基板、
11b’.カラーフィルタ基板用マザー基板、 12a,12b.基材、
12a’.素子基板用マザー基材、 12b’.カラーフィルタ基板用マザー基材、
13.液晶層、 14.下地層、 15.スペーサ、 16.TFT素子、
17.ドット電極、 18a,18b.配向膜、 19.反射膜、 21.遮光膜、
22.着色要素、 23.オーバーコート層、 24.電極、 26.開口、
29.外周シール、 31.ゲート電極線、 32.通電パターン、
33.ゲート電極、 34.陽極酸化膜(ゲート絶縁膜)、
36.窒化膜(ゲート絶縁膜)、 37.a−Si膜(チャネル部真性半導体膜)、
38.N+a−Si膜(コンタクト部半導体膜)、
39.チャネル部保護用窒化膜(チャネル部保護膜)、 41.ソース電極線、
46.張出し部、 47a,47b,47c.配線、 48.外部接続用端子、
49.導電粒子、 A0.基板面積、 D.表示用ドット領域、 L0.反射光、
L1.透過光、P0.大気圧、 P1.液晶内圧、 P2.スペーサ圧縮変形応力、
R.反射領域、 T.透過領域、 V.真空領域、 W0.パネル部シール幅
Claims (6)
- 閉じた環状のパネル部シールを介して一対の基板に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方に前記パネル部シールを形成する工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方に前記パネル部シールを取り囲む外周シールを形成する工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方に前記液晶を滴下する工程と、
前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせて、前記パネル部シールと前記外周シールとの間に真空領域を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の製造方法において、
前記外周シール自体を含む前記外周シールの内側の面積を100%とした場合に前記真空領域の面積は25%以内である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の液晶表示装置の製造方法において、前記真空領域を形成する工程の後に、前記一対の基板を切断して、前記外周シールを分離する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項1又は請求項2記載の液晶表示装置の製造方法において、前記真空領域の面積は、15〜20%であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の液晶表示装置の製造方法において、前記パネル部シール及び前記外周シールを形成する材料の粘度は5万〜100万cP(但し、1cP=1mPa・s)であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の液晶表示装置の製造方法において、貼り合わせ後の前記パネル部シールの幅は0.4mm以上であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 閉じた環状のパネル部シールを介して一対の基板に液晶を挟持してなる液晶表示装置を含む液晶表示装置用マザー基板であって、
一対のマザー基材と、それらのマザー基材の間に挟まれた1つ又は複数の前記パネル部シールと、該パネル部シールの周囲に配置された外周シールと、前記パネル部シールと前記外周シールとの間に形成された真空領域とを有する液晶表示装置用マザー基板において、
前記外周シール自体を含む前記外周シールの内側の面積を100%とした場合に前記真空領域の面積は25%以内である
ことを特徴とする液晶表示装置用マザー基板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008309863A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Sharp Corp | 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル |
JP2008310243A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2013206747A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
-
2004
- 2004-02-05 JP JP2004029487A patent/JP2005221764A/ja not_active Withdrawn
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