JP2005203417A - 球面収差測定パターンおよび測定方法 - Google Patents

球面収差測定パターンおよび測定方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005203417A
JP2005203417A JP2004005301A JP2004005301A JP2005203417A JP 2005203417 A JP2005203417 A JP 2005203417A JP 2004005301 A JP2004005301 A JP 2004005301A JP 2004005301 A JP2004005301 A JP 2004005301A JP 2005203417 A JP2005203417 A JP 2005203417A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
line
spherical aberration
measurement
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004005301A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3808467B2 (ja
Inventor
Tadayoshi Shimizu
但美 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2004005301A priority Critical patent/JP3808467B2/ja
Publication of JP2005203417A publication Critical patent/JP2005203417A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3808467B2 publication Critical patent/JP3808467B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】一回の計測で複数のパターンサイズおよびピッチのライン端部の測定が可能な球面収差測定パターンおよび測定方法を提供する。
【解決手段】球面収差測定パターンは、ラインパターンが一定のピッチで並列に複数本形成された繰り返しパターン100と、ラインパターンが異なるピッチで並列に複数本形成された他の繰り返しパターン101とを有し、各ラインパターンは端部にいくにしたがい細くなる形状を有し、繰り返しパターン100と他の繰り返しパターン101のそれぞれの中心付近に位置するラインパターンが、一直線上に並ぶように配置されている。測定方法は、焦点位置を変化させてパターン後退量の異なる複数の測定パターンを形成し、パターン後退量を計測し最適焦点位置を求める。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体集積回路や液晶ドライバなどの製造における露光装置の球面収差測定パターンおよび測定方法に関するものである。
従来の技術は、ラインとスペースで形成されたパターンサイズやピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、且つそれぞれのパターンにおいてライン幅が一定のパターンを、焦点位置を変化させて形成し、この各焦点位置のパターンを光学顕微鏡を用いてそれぞれのパターンにおける最適焦点位置を求め、この最適焦点位置差から球面収差を求めている(例えば、非特許文献1参照)。
別の従来技術は、+1次光と−1次光とで回折効率の異なる周期パターン(非対称格子パターン)と基準パターンを用いて、非対称格子パターンの像と基準パターンの像との相対的な距離を測定することで最適焦点位置を求め、この最適焦点位置差から球面収差を求めている(例えば、特許文献1参照)。
上記の従来技術の他にも、ラインとスペースで形成されたパターンサイズやピッチが異なる2種類の繰り返しパターンで、且つそれぞれのパターンにおいてライン幅が一定のパターンを焦点位置を変化させて形成し、この各焦点位置のパターンを走査型電子顕微鏡を用いてそれぞれのパターンの各焦点位置における線幅を測定し、それぞれのパターンにおける最適焦点位置を求め、この最適焦点位置差から球面収差を求めている。
図8は、従来の球面収差測定方法を示すものである。図8−(a)はパターンピッチが狭い球面収差測定パターン図、図8−(b)はパターンピッチが広い球面収差測定パターン図である。図8−(c)は図8−(a)、(b)のパターンにおいて焦点位置を変化させた時の寸法と焦点位置の関係を示した図である。図8−(a)、(b)において、800、801は各パターンの寸法測定箇所を示す。図8−(c)において、802、803はそれぞれ測定箇所800、801の焦点位置依存寸法を示す。この焦点位置依存寸法802、803の極大点間の焦点位置差から球面収差を求めている。
特開2002−55435号公報 J.P.Kirk,Proc.SPIE 1463(1991)p.282−291
従来の技術では、測定装置に光学顕微鏡を使用しているために測定精度が悪く、また測定に時間を要していた。一方、測定装置に走査型電子顕微鏡を使用しているものは、パターンピッチの異なるラインとスペースの繰り返しパターンのライン幅部分を測定しているため、ライン幅の変動量が焦点位置の変動量に対して感度が低くなっていた。また、2種類のパターンを別々に測定するため測定に時間を要していた。さらに、非対称格子パターンを利用したものは、回折効率を変えるために、マスクパターンの断面構造を階段状にしている。
本発明は、ライン端部を測定し測定感度を高めて測定精度を向上し、また一回の計測で複数のパターンサイズおよびピッチのライン端部の測定が可能で、測定に要する時間を短縮でき、更に測定に利用するパターンは、マスクパターンの断面構造を階段状等の特別な構造にする必要がなく、マスク作成も容易な露光装置の球面収差測定パターンおよび測定方法を提供することを目的とする。
この発明の露光装置の球面収差測定パターンは、ラインパターンが一定のピッチで並列に複数本形成された繰り返しパターンと、
1本のラインパターン、またはラインパターンが前記ピッチとは異なるピッチで並列に複数本形成された他の繰り返しパターンとを有し、
各ラインパターンは端部にいくにしたがい細くなる形状を有し、
前記繰り返しパターンの中心付近に位置する前記ラインパターンと前記1本のラインパターン、または前記繰り返しパターンと前記他の繰り返しパターンのそれぞれの中心付近に位置する前記ラインパターンが、一直線上に並ぶように配置されていることを特徴とするものである。
上記構成において、一定のピッチで形成されている複数のラインパターンの片側に基準位置を決めるパターンエッジを有する。
上記構成において、一定のピッチで形成されている複数のラインパターンの近傍に基準位置を決めるパターンエッジを有する。
この発明の露光装置の球面収差測定方法は、上記球面収差測定パターンであって、焦点位置を変化させて、パターン後退量が異なる複数の測定パターンを形成する工程と、
前記測定パターンのパターン後退量を計測する工程と、
前記パターン後退量から最適焦点位置を求める工程とを含むものである。
上記構成において、パターン後退量は、測定パターン上を電子ビームで走査して検出した二次電子の量からラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測するものである。
上記構成において、パターン後退量は、測定パターン上をレーザービームで走査して得られた反射光の量からラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測するものである。
上記構成において、パターン後退量は、測定パターンを画像認識することで得られたイメージコントラストからラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測するものである。
上記構成において、ラインパターンは片側または近傍に基準位置を決めるパターンエッジを有し、パターンの後退量は前記パターンエッジを基準にして測定されるものである。
本発明の露光装置の球面収差測定パターンによれば、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有していることにより、ライン端部の測定感度が高くなり測定精度が向上し、また一回の計測で複数のパターンサイズおよびピッチのライン端部の測定が可能になるため測定に要する時間を短縮できる。またこの測定パターンは、マスクパターンの断面構造を階段状等の特別な構造にする必要がなく、マスク作成も容易になる。
また、ラインパターンの端部や近傍、例えばパターンピッチが異なる繰り返しパターン間やあるいは外側に、ライン端部間の基準位置を決めるためのパターンエッジを有していることにより、測定に要するパターン自体を左右対象にする必要がなくなり、非対称なパターンで長さを短くでき、測定パターン全体の面積を縮小出来る。
本発明の露光装置の球面収差測定方法によれば、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しているパターンを利用することにより、ライン端部の測定感度が高くなり測定精度が向上し、また一回の計測で複数のパターンサイズおよびピッチのライン端部の測定が可能であるため測定に要する時間を短縮出来る。また測定パターンに対して焦点位置を変化させ、各焦点位置における各パターンのライン端部の後退量を同時に計測でき、測定に要する時間を短縮出来る。
また、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部にいくにしたがい細くなる形状を有しているパターンを利用し、ライン端部の計測に電子ビームを使用しているため、測定パターン上を電子ビームで走査すると、測定パターンからの二次電子の影響によりライン端部で信号波形がピーク位置を示すことになり、このピーク位置からライン端部の後退量を算出できる。
さらに、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しているパターンを利用し、ライン端部の計測にレーザービームを使用しているため、測定パターン上をレーザービームで走査すると、測定パターンからの反射光の影響によりライン端部で信号波形がピーク位置を示すことになり、このピーク位置からライン端部の後退量を算出できる。
また、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しているパターンを利用し、ライン端部の計測に画像認識を使用しているため、測定パターン上を画像認識すると、測定パターンからのイメージコントラストの影響によりライン端部で信号波形がピーク位置を示すことになり、このピーク位置からライン端部の後退量を算出できる。
さらに、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しているパターンを利用すると、それぞれのパターンのライン両端部の信号波形からライン端部の後退量を直接算出できる。
また、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる複数の繰り返しパターンで、ライン端部にいくにしたがい細くなる形状を有し、かつ、ラインパターンの片側または近傍、例えばパターンピッチが異なる繰り返しパターン間あるいは外側に、ライン端部間の基準位置を決めるためのパターンエッジを有しているパターンを利用し、それぞれのパターンのライン端部とパターンエッジの信号波形からライン端部の後退量を直接算出できる。
以下本発明の第1の実施形態について、図1を参照しながら説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態の球面収差測定パターンを示すものであり、図1において、図1−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有する球面収差測定パターン図、図1−(b)はラインとスペースで形成された3種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有する球面収差測定パターン図である。
図1−(a)において、100は3本のラインパターンがそのパターンピッチが狭い一定のピッチで並列した繰り返しパターン、101は3本のラインパターンがそのパターンピッチが広い一定のピッチで並列した他の繰り返しパターンをそれぞれ示している。102はパターン100の中心に位置するパターン、103はパターン101の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。104はパターン100とパターン101の中心位置を結ぶ線である。
図1−(b)は別のパターン形態を示し、105は上記と同様にパターンピッチが狭い繰り返しパターン、106はパターンピッチが広い繰り返しパターン、107はラインパターンが1本の孤立パターンをそれぞれ示している。108はパターン105の中心に位置するパターン、109はパターン106の中心に位置するパターン、110はパターン107の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。111はパターン105、パターン106、パターン107の中心位置を結ぶ線である。
以上のように構成された球面収差測定パターンについて、以下その動作を説明する。ここでは2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有するパターン(図1−(a))について説明する。
本測定パターンは、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる2種類の繰り返しパターン100、101で構成される。このパターン100、101はライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しており、お互いに長手方向に並ぶ配置となる。この時、パターン102とパターン103の中心位置が、パターン100とパターン101自体の中心を結ぶ線104上になければならない。
以上のように本実施の形態によれば、パターンピッチの異なる繰り返しパターンが、長手方向にそれぞれの中心に位置するパターンを一直線上にくるように配置することにより、一回の計測でそれぞれのパターンのライン端部の後退量を後述のように測定する事が出来る。
尚、ここでは2種類のパターンピッチについて説明したが、図1−(b)のように3種類以上のパターンピッチを有する繰り返しパターンにおいても同様に配置し測定できる事は言うまでもない。
次に本発明の第2の実施の形態について、図2を参照しながら説明する。
図2は本発明の第2の実施の形態の球面収差測定パターンを示すものであり、図2において、図2−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン間側に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する球面収差測定パターン図、図2−(b)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が内向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン間に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する別形態の球面収差測定パターン図である。図2−(c)はラインとスペースで形成された3種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン間側に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する別形態の球面収差測定パターン図である。
図2−(a)において、200はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、201はパターンピッチが広い繰り返しパターンをそれぞれ示している。202はパターン200とパターン201のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。203はパターン200の中心に位置するパターン、204はパターン201の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。205はパターン200とパターン201の中心位置を結ぶ線である。
図2−(b) において、206はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、207はパターンピッチが広い繰り返しパターンをそれぞれ示している。208はパターン206とパターン207のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。209はパターン206の中心に位置するパターン、210はパターン207の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。211はパターン206とパターン207の中心位置を結ぶ線である。
図2−(c)において、212はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、213はパターンピッチが広い繰り返しパターン、214は孤立パターンをそれぞれ示している。215はパターン212、パターン213、パターン214のそれぞれのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。216はパターン212の中心に位置するパターン、217はパターン213の中心に位置するパターン、218はパターン214の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。219はパターン212、パターン213、パターン214の中心位置を結ぶ線である。
以上のように構成された球面収差測定パターンについて、以下その動作を説明する。ここでは2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きのパターン(図2−(a))について説明する。
本測定パターンは、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる2種類の繰り返しパターン200、201と、パターン200とパターン201のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ202で構成される。この200、201はライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しており、お互いに長手方向に並ぶ配置となる。この時、パターン203とパターン204の中心位置が、パターン200とパターン201自体の中心を結ぶ線205上になければならない。
以上のように本実施の形態によれば、パターンピッチの異なる繰り返しパターンが、長手方向にそれぞれの中心に位置するパターンを一直線上にくるように配置し、且つそれぞれのパターンのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジをパターン間に配置することにより、一回の計測でそれぞれのパターンのライン端部の後退量を測定する事が出来る。
尚、ここでは2種類のパターンピッチについて説明したが、図2−(c)のように3種類以上のパターンピッチを有する繰り返しパターンにおいても同様に配置し測定できる事は言うまでもない。
次に本発明の第3の実施の形態について、図3を参照しながら説明する。
図3は、本発明の第3の実施の形態の球面収差測定パターンを示すものであり、図3において、図3−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターンの外側の近傍に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する球面収差測定パターン図である。図3−(b)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が内向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターンの外側に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する別形態の球面収差測定パターン図である。図3−(c)はラインとスペースで形成された3種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン外側に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する別形態の球面収差測定パターン図である。
図3−(a)において、300はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、301はパターンピッチが広い繰り返しパターンをそれぞれ示している。302はパターン300とパターン301のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。303はパターン300の中心に位置するパターン、304はパターン301の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。305はパターン300とパターン301の中心位置を結ぶ線である。
図3−(b) において、306はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、307はパターンピッチが広い繰り返しパターンをそれぞれ示している。308はパターン306とパターン307のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。309はパターン306の中心に位置するパターン、310はパターン307の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。311はパターン306とパターン307の中心位置を結ぶ線である。
図3−(c)において、312はパターンピッチが狭い繰り返しパターン、313はパターンピッチが広い繰り返しパターン、314は孤立パターンをそれぞれ示している。315はパターン312、パターン313、パターン314のそれぞれのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジである。316はパターン312の中心に位置するパターン、317はパターン313の中心に位置するパターン、318はパターン314の中心に位置するパターンをそれぞれ示している。319はパターン312、パターン313、パターン314の中心位置を結ぶ線である。
以上のように構成された球面収差測定パターンについて、以下その動作を説明する。ここでは2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きのパターン(図3−(a))について説明する。
本測定パターンは、ラインとスペースで形成されたパターンピッチが異なる2種類の繰り返しパターン300、301と、パターン300とパターン301のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ302で構成される。これらのパターン300、301の各ラインパターンはライン端部に行くにしたがい細くなる形状を有しており、お互いに長手方向に並ぶ配置となる。この時、パターン303とパターン304が、パターン300とパターン301自体の中心を結ぶ線305上になければならない。
以上のように本実施の形態によれば、パターンピッチの異なる繰り返しパターンが、長手方向にそれぞれの中心に位置するパターンを一直線上にくるように配置し、且つそれぞれのパターンのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジをパターンの外側の近傍に配置することにより、一回の計測でそれぞれのパターンのライン端部の後退量を測定する事ができる。
尚、ここでは2種類のパターンピッチについて説明したが、図3−(c)のように3種類以上のパターンピッチを有する繰り返しパターンにおいても同様に配置し測定できる事は言うまでもない。
次に本発明の第4の実施の形態について、図4を参照しながら説明する。
図4は、本発明の第4の実施の形態の球面収差測定方法を示すものであり、図4において、図4−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有する球面収差測定パターン図である。図4−(b)は図4−(a)の球面収差測定パターン上を電子ビームやレーザービームで走査することにより、あるいは画像認識することにより得られたA−A'ライン上の信号波形図である。
図4−(a)において、400から403は、図1−(a)で説明した100から103にそれぞれ対応したものである。矢印404は電子ビームやレーザービームの走査方向を示す。A−A'はパターン402、パターン403からの信号を計測するサンプリングラインを示す。
図4−(b)において、405、406は図4−(a)のパターン402のライン端部の位置を示す信号である。407、408は図4−(a)のパターン403のライン端部の位置を示す信号である。409は図4−(a)のパターン402の長手方向のパターン寸法を示す。410は図4−(a)のパターン403の長手方向のパターン寸法を示す。
以上のように構成された球面収差測定方法について、以下その動作を説明する。
まず、パターン400とパターン401上を矢印404の方向に電子ビームを走査する。次に電子ビームの走査により、パターン400とパターン401から得られた二次電子の情報が信号波形に変換される。同様にしてレーザービームを走査する場合はパターン400とパターン401から得られた反射光の情報が信号波形に変換され、またパターン400とパターン401を画像認識する場合はパターン400とパターン401から得られたイメージコントラストの情報が信号波形に変換される。
そして、変換された信号波形405、406、407、408からパターン402の寸法409とパターン403の寸法410が求まる。この計測を焦点位置を変化させて形成した各球面収差測定パターンに対して行い、各焦点位置におけるパターン402とパターン403の後退量からパターン400とパターン401の最適焦点位置が求まる。
以上のように本実施の形態によれば、パターンピッチの異なる繰り返しパターンで一直線上に配置されたそれぞれの中心パターンを長手方向に計測することにより、各ライン端部の信号波形を計測でき、一回の計測でそれぞれのパターンのライン端部の後退量を測定する事が出来る。
次に本発明の第5の実施の形態について、図5を参照しながら説明する。
図5は本発明の第5の実施の形態の球面収差測定方法を示すものであり、図5において、図5−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン間に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する球面収差測定パターン図である。図5−(b)は図5−(a)の球面収差測定パターン上を電子ビームやレーザービームで走査することにより、あるいは画像認識することにより得られたB−B'ライン上の信号波形図である。
図5−(a)において、500から504は、図2−(a)で説明した200から204にそれぞれ対応したものである。矢印505は電子ビームやレーザービームの走査方向を示す。B−B'はパターン503、パターン504からの信号を計測するサンプリングラインを示す。
図5−(b)において、506は図5−(a)のパターン503のライン端部の位置を示す信号である。507は図5−(a)のパターン504のライン端部の位置を示す信号である。508、509は図5−(a)のパターンエッジ502の位置を示す信号であり、510は508と509の中心位置、またはパターン503とパターン504のライン端部間の基準位置を示している。511は図5−(a)のパターン503の基準位置510からパターン503のライン端部までの距離を示す。512は図5−(a)のパターン504の基準位置510からパターン504のライン端部までの距離を示す。
以上のように構成された球面収差測定方法について、以下その動作を説明する。
まず、パターン500とパターン501上を505の方向に電子ビームやレーザービームで走査する、あるいはパターン500とパターン501を画像認識する。次に電子ビームの走査により、パターン500とパターン501およびパターンエッジ502から得られた二次電子の情報が信号波形に変換される。同様にレーザービームを走査する場合はパターン500とパターン501およびパターンエッジ502から得られた反射光の情報が信号波形に変換され、画像認識の場合はパターン500とパターン501およびパターンエッジ502から得られたイメージコントラストの情報が信号波形に変換される。
そして、変換された信号波形506、507、508、509より、基準位置510からパターン503のライン端部までの距離511と、基準位置510からパターン504のライン端部までの距離512が求まる。この計測を焦点位置を変化させて形成した各球面収差測定パターンに対して行い、各焦点位置におけるパターン503とパターン504の後退量からパターン500とパターン501の最適焦点位置が求まる。
以上のように本実施の形態によれば、パターンピッチの異なる繰り返しパターンで一直線上に配置されたそれぞれの中心パターンを長手方向に計測することにより、各ライン端部および基準位置を決めるパターンエッジの信号波形を計測でき、一回の計測でそれぞれのパターンのライン端部の後退量を測定する事が出来る。
次に本発明の第6の実施の形態について、図6を参照しながら説明する。
図6は本発明の第6の実施の形態の球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法を示すものであり、図6において、図6−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有する球面収差測定パターン図である。図6−(b)は図6−(a)の球面収差測定パターン上を電子ビームやレーザービームで走査することにより、あるいは画像認識することにより得られたC−C'ライン上の信号波形図である。
図6−(a)において、600から604は、図4−(a)で説明した400から404にそれぞれ対応したものである。C−C'はパターン602、パターン603からの信号を計測するサンプリングラインを示す。
図6−(b)において、605から608は、図4−(b)で説明した405から408にそれぞれ対応したものである。D、E、F、Gは、信号波形605、606、607、608のピーク位置をそれぞれ示す。
以上のように構成された球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法について、以下その動作を説明する。
パターン602、パターン603の長手方向の寸法をそれぞれH、Iとすると、寸法HとIは、
H=E−D
I=G−F
と表される。このH、Iの式より、パターンピッチの異なる繰り返しパターンの、それぞれのパターンのライン端部の後退量を算出する事が出来る。
次に本発明の第7の実施の形態について、図7を参照しながら説明する。
図7は、本発明の第7の実施の形態の球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法を示すものであり、図7において、図7−(a)はラインとスペースで形成された2種類のパターンピッチの繰り返しパターンを有し、それぞれのパターンのライン端部が外向きで、且つパターンピッチの異なる繰り返しパターン間に、ライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジを有する球面収差測定パターン図である。図7−(b)は図7−(a)の球面収差測定パターン上を電子ビームやレーザービームで走査することにより、あるいは画像認識することにより得られたJ−J'ライン上の信号波形図である。
図7−(a)において、700から705は、図5−(a)で説明した500から505にそれぞれ対応したものである。J−J'はパターン703、パターン704からの信号を計測するサンプリングラインを示す。図7−(b)において、706から709は、図5−(b)で説明した506から509にそれぞれ対応したものである。K、L、M、Nは、信号波形706、707、708、709のピーク位置をそれぞれ示す。また、OはMとNの中心位置またはパターン703とパターン704のライン端部の基準位置を示す。
以上のように構成された球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法について、以下その動作を説明する。
基準位置Oからパターン703、パターン704のライン端部までの距離をそれぞれP、Qとすると、距離P、Qは、
O=(N−M)/2
P=O−K=(N−M)/2−K
Q=L−O=L−(N−M)/2
と表される。このP、Qの式より、パターンピッチの異なる繰り返しパターンの、それぞれのライン端部の後退量を算出する事ができる。
なお、上記実施の形態において、ラインパターンは1または複数本であるが、複数本は3本以上を含み、上限は実施上適当数とする。
本発明にかかる球面収差測定パターンおよび測定方法は、ライン端部の測定感度が高くなり測定精度が向上し、また一回の計測で複数のパターンサイズおよびピッチのライン端部の測定が可能であるため測定に要する時間を短縮でき、またマスクパターンの断面構造を階段状等の特別な構造にする必要がなく、マスク作成も容易になる等の効果があり、球面収差測定パターンおよび測定方法等として有用である。
本発明の第1の実施の形態における球面収差測定パターンの説明図である。 本発明の第2の実施の形態における球面収差測定パターンの説明図である。 本発明の第3の実施の形態における球面収差測定パターンの説明図である。 本発明の第4の実施の形態における球面収差測定方法の説明図であり、(a)はパターン図、(b)は信号波形図である。 本発明の第5の実施の形態における球面収差測定方法の説明図であり、(a)はパターン図、(b)は信号波形図である。 本発明の第6の実施の形態における球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法の説明図であり、(a)はパターン図、(b)は信号波形図である。 本発明の第7の実施の形態における球面収差測定パターンのライン端部後退量算出方法の説明図であり、(a)はパターン図、(b)は信号波形図である。 従来の球面収差測定方法の説明図であり、(a)、(b)は測定パターン図、(c)は焦点位置を変化させたときの寸法と焦点位置の関係図である。
符号の説明
100 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
101 パターンピッチが広い繰り返しパターン
102 パターン100の中心に位置するパターン
103 パターン101の中心に位置するパターン
104 パターン100とパターン101の中心位置を結ぶ線
105 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
106 パターンピッチが広い繰り返しパターン
107 孤立パターン
108 パターン105の中心に位置するパターン
109 パターン106の中心に位置するパターン
110 パターン107の中心に位置するパターン
111 パターン105、パターン106、パターン107の中心位置を結ぶ線
200 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
201 パターンピッチが広い繰り返しパターン
202 パターン200とパターン201のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
203 パターン200の中心に位置するパターン
204 パターン201の中心に位置するパターン
205 パターン200とパターン201の中心位置を結ぶ線
206 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
207 パターンピッチが広い繰り返しパターン
208 パターン206とパターン207のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
209 パターン206の中心に位置するパターン
210 パターン207の中心に位置するパターン
211 パターン206とパターン207の中心位置を結ぶ線
212 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
213 パターンピッチが広い繰り返しパターン
214 孤立パターン
215 パターン212、パターン213、パターン214のそれぞれのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
216 パターン212の中心に位置するパターン
217 パターン213の中心に位置するパターン
218 パターン214の中心に位置するパターン
219 パターン212、パターン213、パターン214の中心位置を結ぶ線
300 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
301 パターンピッチが広い繰り返しパターン
302 パターン300とパターン301のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
303 パターン300の中心に位置するパターン
304 パターン301の中心に位置するパターン
305 パターン300とパターン301の中心位置を結ぶ線
306 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
307 パターンピッチが広い繰り返しパターン
308 パターン306とパターン307のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
309 パターン306の中心に位置するパターン
310 パターン307の中心に位置するパターン
311 パターン306とパターン307の中心位置を結ぶ線
312 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
313 パターンピッチが広い繰り返しパターン
314 孤立パターン
315 パターン312、パターン313、パターン314のそれぞれのライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
316 パターン312の中心に位置するパターン
317 パターン313の中心に位置するパターン
318 パターン314の中心に位置するパターン
319 パターン312、パターン313、パターン314の中心位置を結ぶ線
400 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
401 パターンピッチが広い繰り返しパターン
402 パターン400の中心に位置するパターン
403 パターン401の中心に位置するパターン
404 電子ビームやレーザービームの走査方向
405 パターン402のライン端部の位置を示す信号
406 パターン402のライン端部の位置を示す信号
407 パターン403のライン端部の位置を示す信号
408 パターン403のライン端部の位置を示す信号
409 パターン402の長手方向のパターン寸法
410 パターン403の長手方向のパターン寸法
500 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
501 パターンピッチが広い繰り返しパターン
502 パターン500とパターン501のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
503 パターン500の中心に位置するパターン
504 パターン501の中心に位置するパターン
505 電子ビームやレーザービームの走査方向
506 パターン503のライン端部の位置を示す信号
507 パターン504のライン端部の位置を示す信号
508 パターンエッジ502の位置を示す信号
509 パターンエッジ502の位置を示す信号
510 信号508と信号509の中心位置
511 パターン503の基準位置510からパターン503のライン端部までの距離
512 パターン504の基準位置510からパターン504のライン端部までの距離
600 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
601 パターンピッチが広い繰り返しパターン
602 パターン600の中心に位置するパターン
603 パターン601の中心に位置するパターン
604 電子ビームやレーザービームの走査方向
605 パターン602のライン端部の位置を示す信号
606 パターン602のライン端部の位置を示す信号
607 パターン603のライン端部の位置を示す信号
608 パターン603のライン端部の位置を示す信号
700 パターンピッチが狭い繰り返しパターン
701 パターンピッチが広い繰り返しパターン
702 パターン700とパターン701のライン端部間の基準位置を決めるパターンエッジ
703 パターン700の中心に位置するパターン
704 パターン701の中心に位置するパターン
705 電子ビームやレーザービームの走査方向
706 パターン703のライン端部の位置を示す信号
707 パターン704のライン端部の位置を示す信号
708 パターンエッジ702の位置を示す信号
709 パターンエッジ702の位置を示す信号
800 寸法測定箇所
801 寸法測定箇所
802 800の焦点位置依存寸法
803 801の焦点位置依存寸法
A,A' パターン402、パターン403からの信号を計測するサンプリングライン
B,B' パターン503、パターン504からの信号を計測するサンプリングライン
C,C' パターン602、パターン603からの信号を計測するサンプリングライン
D 信号波形605のピーク位置
E 信号波形606のピーク位置
F 信号波形607のピーク位置
G 信号波形608のピーク位置
H パターン602の長手方向の寸法
I パターン603の長手方向の寸法
J,J' パターン703、パターン704からの信号を計測するサンプリングライン
K 信号波形706のピーク位置
L 信号波形707のピーク位置
M 信号波形708のピーク位置
N 信号波形709のピーク位置
O ピーク位置Mとピーク位置Nの中心位置
P 基準位置Oからパターン703のライン端部までの距離
Q 基準位置Oからパターン704のライン端部までの距離

Claims (8)

  1. ラインパターンが一定のピッチで並列に複数本形成された繰り返しパターンと、
    1本のラインパターン、またはラインパターンが前記ピッチとは異なるピッチで並列に複数本形成された他の繰り返しパターンとを有し、
    各ラインパターンは端部にいくにしたがい細くなる形状を有し、
    前記繰り返しパターンの中心付近に位置する前記ラインパターンと前記1本のラインパターン、または前記繰り返しパターンと前記他の繰り返しパターンのそれぞれの中心付近に位置する前記ラインパターンが、一直線上に並ぶように配置されていることを特徴とする露光装置の球面収差測定パターン。
  2. 一定のピッチで形成されている複数のラインパターンの片側に基準位置を決めるパターンエッジを有する請求項1記載の露光装置の球面収差測定パターン。
  3. 一定のピッチで形成されている複数のラインパターンの近傍に基準位置を決めるパターンエッジを有する請求項1記載の露光装置の球面収差測定パターン。
  4. 請求項1記載の露光装置の球面収差測定パターンであって、焦点位置を変化させて、パターン後退量が異なる複数の測定パターンを形成する工程と、
    前記測定パターンのパターン後退量を計測する工程と、
    前記パターン後退量から最適焦点位置を求める工程とを含む露光装置の球面収差測定方法。
  5. パターン後退量は、測定パターン上を電子ビームで走査して検出した二次電子の量からラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測する請求項4記載の露光装置の球面収差測定方法。
  6. パターン後退量は、測定パターン上をレーザービームで走査して得られた反射光の量からラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測する請求項4記載の露光装置の球面収差測定方法。
  7. パターン後退量は、測定パターンを画像認識することで得られたイメージコントラストからラインパターンの端部によるピーク位置を検出することにより計測する請求項4記載の露光装置の球面収差測定方法。
  8. ラインパターンは片側または近傍に基準位置を決めるパターンエッジを有し、パターンの後退量は前記パターンエッジを基準にして測定される請求項4から請求項7のいずれか1項記載の露光装置の球面収差測定方法。
JP2004005301A 2004-01-13 2004-01-13 球面収差測定パターンおよび測定方法 Expired - Fee Related JP3808467B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004005301A JP3808467B2 (ja) 2004-01-13 2004-01-13 球面収差測定パターンおよび測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004005301A JP3808467B2 (ja) 2004-01-13 2004-01-13 球面収差測定パターンおよび測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005203417A true JP2005203417A (ja) 2005-07-28
JP3808467B2 JP3808467B2 (ja) 2006-08-09

Family

ID=34819674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004005301A Expired - Fee Related JP3808467B2 (ja) 2004-01-13 2004-01-13 球面収差測定パターンおよび測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3808467B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019526064A (ja) * 2016-06-10 2019-09-12 アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw 半導体製造プロセスのための計測方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019526064A (ja) * 2016-06-10 2019-09-12 アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw 半導体製造プロセスのための計測方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3808467B2 (ja) 2006-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102160840B1 (ko) 임베디드 sem 구조물 오버레이 타겟을 갖는 ovl을 위한 디바이스 상관 계측(dcm)
US10107621B2 (en) Image based overlay measurement with finite gratings
US7616313B2 (en) Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US6894783B2 (en) Overlay alignment mark design
JP6014845B1 (ja) オーバーレイマーク、これを用いたオーバーレイの計測方法、および半導体デバイスの製造方法
JP5530959B2 (ja) パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法
JP2005241328A5 (ja)
KR20120138695A (ko) 패턴 측정 장치 및 패턴 측정 방법
US11119419B2 (en) Moiré target and method for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices
JP3808467B2 (ja) 球面収差測定パターンおよび測定方法
JP6482137B2 (ja) フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のための方法及びデバイス
KR102466584B1 (ko) 모아레 타겟 및 반도체 디바이스들의 편심의 측정에 이를 사용하기 위한 방법
JP4647376B2 (ja) 曲がりセンサとその製造方法
JP2016523379A5 (ja)
JP2009158720A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007163429A (ja) 3次元距離測定方法およびその装置
CN115729056A (zh) 一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法
JP2007206333A (ja) フレア測定用マスク及びフレア測定方法
CN102446902A (zh) 一种集成尺寸量测和套刻精度检测的图形结构及检测方法
JPH0922864A (ja) 半導体基板の位置検出方法及び半導体基板とフォトマスク
KR102580204B1 (ko) 1차원 오버레이 오차 측정을 위한 오버레이 마크, 이를 이용한 광학 수차 평가 방법, 이를 이용한 오버레이 마크 품질 평가 방법, 오버레이 측정 장치, 오버레이 측정 방법 및 반도체 소자의 제조방법
KR101490447B1 (ko) 검사 장치
US20210356873A1 (en) Metrology method and apparatus therefor
KR100498619B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 마크
KR101278391B1 (ko) 레이저 스캔 장치 및 레이저 스캔 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060516

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060517

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees