JP2005203408A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、処理室12内部にラジカルを導入する前にエッチングガスが導入されており、ラジカルが導入されるときには基板15の表面にエッチングガスが吸着している。従って、ラジカルは基板15表面に吸着されたエッチングガスと反応し、基板15表面で反応が均一に進行するので、基板15表面にエッチングむらが起こらない。また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板15表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室12から排気されることなく、エッチング効率が高い。従って、本発明によれば、エッチング量の面内分布がより均一になるだけでなく、エッチング速度が従来に比べて早くなる。
【選択図】図4
Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載のエッチング方法であって、前記基板の加熱は、前記真空雰囲気の圧力を、前記第二の圧力範囲よりも低い第三の圧力範囲にした後行うエッチング方法である。
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング方法であって、前記第二の圧力範囲は、6.67×10Pa以上の圧力であるエッチング方法である。
請求項4記載の発明は、請求項3記載のエッチング方法であって、前記第二の圧力範囲は1.33×103Pa以下の圧力であるエッチング方法である。
この中間生成物はシリコン酸化物と非常に反応性が高いので、下記反応式(2)に示すように、シリコン基板の表面に形成されたシリコン酸化膜(SiO2)と、中間生成物とが反応し、反応生成物((NH4)2SiF6)が生成される。
次に、シリコン基板を100℃以上に加熱すると反応生成物が熱分解して蒸発し、下記反応式(3)に示すような熱分解ガスが真空雰囲気中に放出される。
このように、エッチングガスとしてフッ化物ガスを用いれば、シリコン酸化物との反応性が高い中間生成物が生成されるので、シリコン基板表面からシリコン酸化膜が選択的にエッチング除去される。
このエッチング装置5はエッチング室10を有している。
エッチング速度の結果を図6に示し、エッチング量の面内分布の結果を図7に示す。尚、図6、7の縦軸はエッチング速度とエッチング量の面内分布をそれぞれ示し、横軸はボート26を処理室12へ搬入したときの最も低い位置を1、最も高い位置を50とした場合の基板15の位置を示している。
Claims (5)
- ラジカル生成ガスから生成されたラジカルと、エッチングガスとを、エッチング対象物が表面に形成された基板が配置された真空雰囲気中に導入し、
前記ラジカルと前記エッチングガスと前記エッチング対象物とを反応させ、反応生成物を生成し、
前記基板を加熱して前記反応生成物を分解して熱分解ガスを生成し、前記熱分解ガスを真空排気によって除去するエッチング方法であって、
前記真空雰囲気を第一の圧力範囲に置き、
次に、前記真空雰囲気に前記エッチングガスを導入して前記第一の圧力範囲よりも高い圧力の第二の圧力範囲にし、
前記第二の圧力範囲を維持しながら前記ラジカルを前記真空雰囲気に導入し、反応生成物を生成するエッチング方法。 - 前記基板の加熱は、前記真空雰囲気の圧力を、前記第二の圧力範囲よりも低い第三の圧力範囲にした後行う請求項1記載のエッチング方法。
- 前記第二の圧力範囲は、6.67×10Pa以上の圧力である請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のエッチング方法。
- 前記第二の圧力範囲は1.33×103Pa以下の圧力である請求項3記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガスとして、化学構造中に炭素及び酸素を含有せず、フッ素を含有するフッ化物ガスを用い、
前記ラジカル生成ガスとして、水素又はアンモニアのいずれか一方又は両方のガスを用い、
シリコン酸化物からなるエッチング対象物をエッチングする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のエッチング方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119538A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Ulvac Japan Ltd | ラジカルクリーニング方法及びラジカルクリーニング装置 |
WO2012108321A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | 株式会社アルバック | ラジカルエッチング装置及び方法 |
JP2015065393A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化シリコンから構成された領域を選択的に除去する方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101025323B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 에칭 장치 및 에칭 방법 |
US9705028B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-07-11 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with N-polarity and associated methods of manufacturing |
WO2016068288A1 (ja) | 2014-10-31 | 2016-05-06 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア組成物、ジルコニア仮焼体及びジルコニア焼結体、並びに歯科用製品 |
US10269814B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor structure |
KR102474847B1 (ko) | 2018-04-25 | 2022-12-06 | 삼성전자주식회사 | 가스 인젝터 및 웨이퍼 처리 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284307A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Ftl:Kk | 半導体の表面処理方法 |
JP2002170813A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
JP2002299329A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及びクリーニング方法 |
JP2003059899A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004343017A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4563367A (en) * | 1984-05-29 | 1986-01-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for high rate deposition and etching |
US4883686A (en) * | 1988-05-26 | 1989-11-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for the high rate plasma deposition of high quality material |
KR910010516A (ko) * | 1989-11-15 | 1991-06-29 | 아오이 죠이치 | 반도체 메모리장치 |
US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
KR100431657B1 (ko) | 2001-09-25 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치, 그리고 웨이퍼의 식각방법 및 식각 장치 |
JP3954833B2 (ja) | 2001-10-19 | 2007-08-08 | 株式会社アルバック | バッチ式真空処理装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284307A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Ftl:Kk | 半導体の表面処理方法 |
JP2002170813A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
JP2002299329A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及びクリーニング方法 |
JP2003059899A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004343017A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119538A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Ulvac Japan Ltd | ラジカルクリーニング方法及びラジカルクリーニング装置 |
WO2012108321A1 (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | 株式会社アルバック | ラジカルエッチング装置及び方法 |
US9216609B2 (en) | 2011-02-08 | 2015-12-22 | Ulvac, Inc. | Radical etching apparatus and method |
JP2015065393A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化シリコンから構成された領域を選択的に除去する方法及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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