JP2005203329A

JP2005203329A - Light emitting device

Info

Publication number: JP2005203329A
Application number: JP2004016349A
Authority: JP
Inventors: Keiko Kida; 啓子貴田; Takeshi Nishi; 毅西; Ayumi Ishigaki; 歩石垣; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2003-12-18
Filing date: 2004-01-23
Publication date: 2005-07-28

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of suppressing lowering of light emission extracting efficiency for extracting light to the outside of the light emitting device, which is caused by an substance having water absorptivity, and suppressing deterioration of the light emitting element caused by water. <P>SOLUTION: This light emitting device has a first substrate in which a light emitting element is formed, and a second substrate to which a substance having water absorptivity is fixed. The first substrate is pasted to the second substrate by using a sealing material so that the light emitting element formed in the first substrate and the substance fixed to the second substrate and having water absorptivity are sealed in the inside. A second region where the substance having water apsorptivity is fixed in the second substrate is disposed in the outside of a first region where the light emitting element is formed in the first substrate and along the end of the first region, when viewing the light emitting device from the face sides (upper face or lower face). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光素子からの発光を利用した発光装置に関し、特に発光装置の封止技術に関する。 The present invention relates to a light emitting device using light emission from a light emitting element, and more particularly to a sealing technique for a light emitting device.

エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した発光装置は、自発光、高視野角、低消費電力の表示用装置として注目されている装置である。 A light-emitting device using light emission from an electroluminescence element (light-emitting element) is a device that has attracted attention as a display device with self-emission, a high viewing angle, and low power consumption.

発光装置としては、発光素子が形成された基板と、乾燥剤が備えられた封止缶とを、発光素子が形成された領域と乾燥剤が備えられた領域とが重畳するようにシール材によって貼り合わせ、発光素子を内側に閉じこめた構成のものがよく知られている。また、発光素子は、一対の電極間に発光物質を含む層が設けられ、一方の電極が透光性を有する導電物で形成された構成のものがよく知られている。そして、発光素子からの発光は、前記基板を通って外部に取り出される。 As a light-emitting device, a substrate on which a light-emitting element is formed and a sealing can provided with a desiccant are sealed with a sealing material so that a region where the light-emitting element is formed and a region provided with a desiccant overlap each other. A structure in which the light-emitting element is bonded inside is well known. As a light-emitting element, a structure in which a layer containing a light-emitting substance is provided between a pair of electrodes and one electrode is formed using a light-transmitting conductive material is well known. Light emitted from the light emitting element is extracted outside through the substrate.

以上のような発光装置に用いられるシール材は水を透過しやすいものが多く、このシール材を通って大気中から発光装置内部に水が混入してしまう。そして、この水に起因して発光装置は劣化してしまう。このため、発光装置内部に乾燥剤を備えて混入した水を吸水し、発光素子が劣化するのを抑制している。しかし、上記のような構成の発光装置では乾燥剤を備えるための封止缶によって、発光装置の薄型化が阻害されてしまう。また、発光の取り出し面積の拡大を目的として開発が進められている上面発光型の発光装置では、封止缶若しくは乾燥剤によって発光装置外部への発光の取り出しが阻害されてしまう。 Many of the sealing materials used in the light emitting device as described above are likely to transmit water, and water enters the light emitting device from the atmosphere through the sealing material. The light emitting device is deteriorated due to the water. For this reason, the desiccant is provided inside the light emitting device to absorb the mixed water and suppress the deterioration of the light emitting element. However, in the light emitting device having the above configuration, the sealing can for providing the desiccant hinders the thinning of the light emitting device. Further, in a top emission type light emitting device that has been developed for the purpose of expanding the light emission extraction area, the extraction of light emission to the outside of the light emission device is hindered by a sealing can or a desiccant.

このため、封止缶を用いない封止技術の開発が進められている。例えば、特許文献１においては、発光を妨害しないようにパターン配置した乾燥剤が用いられている。しかし、特許文献１に示されたような手段では、吸光性乾燥剤に含まれるバインダーとしては輻射線硬化性ものを用いなければならない。さらに吸光性乾燥剤に含まれる乾燥剤としては、画素間の幅よりも小さいものを用いる必要があり、材料の選定が困難である。 For this reason, development of a sealing technique that does not use a sealing can is being promoted. For example, in Patent Document 1, a desiccant in which a pattern is arranged so as not to interfere with light emission is used. However, in the means shown in Patent Document 1, a radiation curable material must be used as the binder contained in the light-absorbing desiccant. Furthermore, it is necessary to use a desiccant contained in the light-absorbing desiccant that is smaller than the width between pixels, and it is difficult to select a material.

特開２００３−２９７５５９号公報JP 2003-297559 A

本発明は、上記とは異なる新たな手段によって、吸水性を有する物質に起因した発光装置外部への発光取り出し効率の低下を抑制し、また水に起因した発光素子の劣化を抑制できる発光装置について提供することを課題とする。また、基板貼り合わせ時における回路素子の損傷を回避できるような構成を有する発光装置について提供することを課題とする。 The present invention relates to a light emitting device capable of suppressing a decrease in light emission efficiency to the outside of the light emitting device due to a water-absorbing substance and a deterioration of a light emitting element due to water by a new means different from the above. The issue is to provide. It is another object of the present invention to provide a light-emitting device having a structure capable of avoiding damage to circuit elements during substrate bonding.

本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の領域の外側に、前記第１の領域の端に沿うように、吸水性を有する物質が固定された第２の領域が設けられていることを特徴としている。 In the light-emitting device of the present invention, a second region to which a substance having water absorption property is fixed is provided outside the first region where the light-emitting element is formed, along the end of the first region. It is characterized by being.

本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、吸水性を有する物質が固定された第２の基板とを有する。そして、第１の基板と第２の基板とは、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に固定された吸水性を有する物質とが内側に封じ込められるように、シール材を用いて貼り合わせられている。ここで、第２の基板において吸水性を有する物質が固定された第２の領域は、当該発光装置を面側（上面又は下面）からみたときに、第１の基板において発光素子が形成された第１の領域の外側に、第１の領域の端に沿うように配置されている。 The light-emitting device of the present invention includes a first substrate over which a light-emitting element is formed, and a second substrate over which a substance having water absorbency is fixed. The first substrate and the second substrate are sealed so that the light emitting element formed on the first substrate and the water-absorbing substance fixed to the second substrate are enclosed inside. Are pasted together. Here, in the second region where the water-absorbing substance is fixed on the second substrate, the light emitting element is formed on the first substrate when the light emitting device is viewed from the surface side (upper surface or lower surface). It arrange | positions along the edge of a 1st area | region outside the 1st area | region.

吸水性を有する物質としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水（Ｈ₂Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。 As the water-absorbing substance, a substance that adsorbs water (H ₂ O) by chemical adsorption such as an alkaline earth metal oxide such as calcium oxide (CaO) or barium oxide (BaO) is used. preferable. However, the present invention is not limited to this, and a substance that adsorbs water by physical adsorption such as zeolite or silica gel may be used.

これらの吸水性を有する物質は、透湿性の高い樹脂に粒状の物質として含まれた状態で基板に固定することができる。ここで、透湿性の高い樹脂としては、例えば、エステルアクリレート、エーテルアクリレート、エステルウレタンアクリレート、エーテルウレタンアクリレート、ブタジエンウレタンアクリレート、特殊ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、アミノ樹脂アクリレート、アクリル樹脂アクリレート等のアクリル樹脂を用いることができる。この他、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。また、この他の物質を用いても構わない。また、例えばシロキサン等の無機物等を用いてもよい。 These water-absorbing substances can be fixed to the substrate in a state of being contained as a granular substance in a highly moisture-permeable resin. Here, examples of highly moisture-permeable resins include acrylic resins such as ester acrylate, ether acrylate, ester urethane acrylate, ether urethane acrylate, butadiene urethane acrylate, special urethane acrylate, epoxy acrylate, amino resin acrylate, and acrylic resin acrylate. Can be used. In addition, bisphenol A type liquid resin, bisphenol A type solid resin, bromine-containing epoxy resin, bisphenol F type resin, bisphenol AD type resin, phenol type resin, cresol type resin, novolac type resin, cyclic aliphatic epoxy resin, epibis type Epoxy resins such as epoxy resins, glycidyl ester resins, glycidylamine resins, heterocyclic epoxy resins, and modified epoxy resins can be used. Further, other substances may be used. Further, for example, an inorganic material such as siloxane may be used.

さらに、吸水性を有する物質としては、化学吸着によって水を吸着することのできる分子を有機溶媒中に混合した組成物を固化させたもの等を用いることができる。 Further, as the substance having water absorption, a material obtained by solidifying a composition in which molecules capable of adsorbing water by chemical adsorption are mixed in an organic solvent can be used.

なお、上記のような透湿性の高い樹脂若しくは無機物としては、前記シール材として用いる物質よりも透湿性の高い物質を選択することが好ましい。 Note that as the above-described highly moisture-permeable resin or inorganic material, it is preferable to select a material having higher moisture permeability than the material used as the sealing material.

以上のような、本発明の発光装置では、外部から発光装置内部に混入した水を、当該水が発光素子が形成された領域に至る前に吸水することができる。その結果、水に起因した発光素子の劣化を抑制することができる。 In the light emitting device of the present invention as described above, water mixed into the light emitting device from the outside can be absorbed before the water reaches the region where the light emitting element is formed. As a result, deterioration of the light-emitting element due to water can be suppressed.

上記の本発明の発光装置において、第１の基板には、発光素子の他、発光素子を駆動するための回路等が設けられていても構わない。 In the above light-emitting device of the present invention, the first substrate may be provided with a circuit for driving the light-emitting element in addition to the light-emitting element.

また、上記の本発明の発光装置において、第２の基板において吸水性を有する物質が固定された第２の領域と重畳するように、第１の基板において、回路（または配線）が形成された第３の領域等が設けられていてもよい。この場合、第２の基板に凹部を設け、当該凹部の内側に吸水性を有する物質が固定されていることが好ましい。このような構成の発光装置では、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせるために圧力を加えたときに、吸水性を有する物質と回路（または配線）とが接触し、回路（または配線）が損傷してしまうことを防止することができる。 In the light-emitting device of the present invention, a circuit (or wiring) is formed on the first substrate so as to overlap with the second region where the water-absorbing substance is fixed on the second substrate. A third region or the like may be provided. In this case, it is preferable that a recess is provided in the second substrate, and a substance having water absorption is fixed inside the recess. In the light-emitting device having such a structure, when pressure is applied to bond the first substrate and the second substrate, a substance having water absorption and the circuit (or wiring) come into contact with each other, and the circuit (or wiring) It is possible to prevent the wiring) from being damaged.

以上のような構成を有する本発明の発光装置では、吸水性を有する物質によって発光の外部への取り出しを妨げられることがなく、また、水に起因した発光素子の劣化も抑制することのできる発光装置を得ることができる。 In the light-emitting device of the present invention having the above-described structure, light emission that does not hinder the extraction of light emission to the outside by a substance having water absorbency and can suppress deterioration of the light-emitting element due to water. A device can be obtained.

本発明によって、吸水性を有する物質によって発光の外部への取り出しを妨げられることがなく、また、水に起因した発光素子の劣化も抑制することのできる発光装置を得ることができる。 According to the present invention, a light-emitting device can be obtained in which emission of light emission is not hindered by a substance having water absorption property and deterioration of a light-emitting element due to water can be suppressed.

また、本発明によって、基板貼り合わせ時に、吸水性を有する物質に起因して生じ得る回路等の損傷を回避でき、良好な発光装置を得ることができる。 Further, according to the present invention, it is possible to avoid damage to a circuit or the like that may be caused by a substance having water absorbability when the substrates are bonded together, and a favorable light-emitting device can be obtained.

以下、本発明の一態様について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode.

（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本発明の発光装置を上面からみたときの構成を模式的に表した図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）で表した本発明の発光装置のＡ−Ａ’における断面を模式的に表した図である。 (Embodiment 1)
FIG. 1A is a diagram schematically showing a configuration when the light emitting device of the present invention is viewed from above. FIG. 1B is a diagram schematically showing a cross section taken along line AA ′ of the light emitting device of the present invention shown in FIG.

本発明の発光装置において、第１の基板１０１ａと第２の基板１０１ｂとは、シール部１０２において、シール材によって貼り合わせられている。 In the light-emitting device of the present invention, the first substrate 101a and the second substrate 101b are bonded to each other at the seal portion 102 with a sealant.

第１の基板１０１ａは、画素部１０３と駆動回路部１０６，１０７と、外部からの信号を入力するための接続端子部１０５とを有する。また、第２の基板１０１ｂは凹部１０４を有し、当該凹部の内側には吸水性の物質が固定されている。つまり、本態様では第２の基板１０１ｂにおいて凹部が形成されている領域が吸水性の物質が固定された領域となる。 The first substrate 101a includes a pixel portion 103, drive circuit portions 106 and 107, and a connection terminal portion 105 for inputting an external signal. The second substrate 101b has a recess 104, and a water-absorbing substance is fixed inside the recess. That is, in this embodiment, the region where the recess is formed in the second substrate 101b is a region where the water-absorbing substance is fixed.

図１（Ｂ）に示すように、画素部１０３と駆動回路部１０６、１０７と凹部１０４において固定された吸水性の物質とは、第１の基板１０１ａと第２の基板１０１ｂとシール部１０２によって形成された空間内に封じ込められた状態となっている。なお、本形態では、当該空間は真空になっている。しかしこれに限らず、窒素が充填されていてもよいし、または透光性を有する有機または無機の材料によって充填されていてもよい。 As shown in FIG. 1B, the water-absorbing substance fixed in the pixel portion 103, the drive circuit portions 106 and 107, and the recess 104 is separated by the first substrate 101a, the second substrate 101b, and the seal portion 102. It is in a state of being contained in the formed space. In this embodiment, the space is evacuated. However, the present invention is not limited to this, and it may be filled with nitrogen, or may be filled with a light-transmitting organic or inorganic material.

また、本発明の発光装置を上面からみると、図１（Ａ）のように、画素部１０３の端に沿うように吸水性の物質が固定された凹部１０４が設けられている。さらに、凹部１０４を囲むようにシール部１０２が設けられている。また、駆動回路部（画素部に設けられた回路に送る信号を制御するための回路）１０６、１０７と凹部１０４とは重畳するように設けられている。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）では、駆動回路部１０６、１０７全体が凹部１０４と重畳するように設けられているが、これに限らず、駆動回路部１０６または１０７の一部のみが凹部１０４と重畳するように設けられた構成であってもよい。 Further, when the light emitting device of the present invention is viewed from above, a concave portion 104 to which a water-absorbing substance is fixed is provided along the end of the pixel portion 103 as shown in FIG. Further, a seal portion 102 is provided so as to surround the recess 104. In addition, the driver circuit portions (circuits for controlling signals sent to circuits provided in the pixel portion) 106 and 107 and the recesses 104 are provided so as to overlap each other. In FIGS. 1A and 1B, the entire drive circuit portions 106 and 107 are provided so as to overlap with the concave portion 104. However, the present invention is not limited to this, and only a part of the drive circuit portion 106 or 107 is provided. The structure provided so that it might overlap with the recessed part 104 may be sufficient.

画素部１０３は、発光素子と、それを駆動するための回路素子とを含む。画素部１０３の一部の断面構造を図２に示す。図２において、１３１は第１の基板であり、１３２は発光素子を駆動するためのトランジスタであり、１３３は発光素子である。トランジスタ１３２と発光素子１３３とは、端子１３４によって接続している。また、発光素子１３３は電極１３５と電極１３６との間に発光層１３７が挟まれた構成を有するものである。トランジスタ１３２は層間絶縁膜１３８ａ、１３８ｂ、１３８ｃに覆われている。また、発光素子１３３は隔壁層１３９によって同一基板上に形成された別の発光素子と素子分離されている。また、発光層を中心として第１の基板１３１と逆側に設けられている方の電極は透光性を有するものであり、当該電極を介して発光を外部に取り出すことができる。 The pixel portion 103 includes a light emitting element and a circuit element for driving the light emitting element. A partial cross-sectional structure of the pixel portion 103 is shown in FIG. In FIG. 2, 131 is a first substrate, 132 is a transistor for driving a light emitting element, and 133 is a light emitting element. The transistor 132 and the light emitting element 133 are connected by a terminal 134. The light-emitting element 133 has a structure in which a light-emitting layer 137 is sandwiched between an electrode 135 and an electrode 136. The transistor 132 is covered with interlayer insulating films 138a, 138b, and 138c. In addition, the light-emitting element 133 is separated from another light-emitting element formed over the same substrate by the partition layer 139. In addition, the electrode provided on the side opposite to the first substrate 131 with the light-emitting layer as a center has a light-transmitting property, and light emission can be extracted to the outside through the electrode.

また、基板１０１（１０１ａ、１０１ｂ）は、ガラスや石英等の材料から成るものを用いることができる。その他、プラスチック等の可撓性を有する材料のものや、無機物と有機物とから成る複合材料から成るものを用いても構わない。また、発光素子や吸水性の物質等を支持できるものであれば、これら以外の材料からなるものでもよい。なお、本形態では第１の基板１０１ａと第２の基板１０１ｂとは同一サイズであるが、これに限らず異なるサイズであってもよい。また、基板１０１ａと基板１０１ｂとは、それぞれ異なる材料から成る基板であってもよい。 The substrate 101 (101a, 101b) can be made of a material such as glass or quartz. In addition, a flexible material such as plastic or a composite material made of an inorganic material and an organic material may be used. Moreover, as long as it can support a light emitting element, a water absorptive substance, etc., you may consist of materials other than these. Note that in the present embodiment, the first substrate 101a and the second substrate 101b have the same size, but the present invention is not limited to this and may have different sizes. Further, the substrate 101a and the substrate 101b may be substrates made of different materials.

さらに、シール材としては、第１の基板１０１ａおよび第２の基板１０１ｂと密着性が高い物質を用いることが好ましく、例えばビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。 Further, as the sealing material, it is preferable to use a substance having high adhesion to the first substrate 101a and the second substrate 101b. For example, bisphenol A type liquid resin, bisphenol A type solid resin, bromine-containing epoxy resin, bisphenol F Resin, bisphenol AD resin, phenol resin, cresol resin, novolac resin, cycloaliphatic epoxy resin, epibis epoxy resin, glycidyl ester resin, glycidylamine resin, heterocyclic epoxy resin, modified epoxy resin, etc. Epoxy resin can be used.

また、吸水性の物質としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水（Ｈ₂Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。 Further, as the water-absorbing substance, a substance that adsorbs water (H ₂ O) by chemical adsorption such as an oxide of an alkaline earth metal such as calcium oxide (CaO) or barium oxide (BaO) is used. Is preferred. However, the present invention is not limited to this, and a substance that adsorbs water by physical adsorption such as zeolite or silica gel may be used.

これらの吸水性を有する物質は、透湿性の高い樹脂に粒状の物質として含まれた状態で基板に固定されている。このように、透湿性の高い樹脂を固定剤として用いることによって、樹脂内へ水が浸透し易くなり、結果的に吸水性の物質への水が吸着が容易になる。透湿性の高い樹脂の具体例としては、エステルアクリレート、エーテルアクリレート、エステルウレタンアクリレート、エーテルウレタンアクリレート、ブタジエンウレタンアクリレート、特殊ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、アミノ樹脂アクリレート、アクリル樹脂アクリレート等のアクリル樹脂等が挙げられる。ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。また、例えばシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）等の無機物等を用いてもよい。 These water-absorbing substances are fixed to the substrate in a state of being contained as granular substances in a highly moisture-permeable resin. Thus, by using a highly moisture-permeable resin as a fixing agent, water can easily penetrate into the resin, and as a result, water can be easily adsorbed to a water-absorbing substance. Specific examples of highly moisture-permeable resins include ester acrylates, ether acrylates, ester urethane acrylates, ether urethane acrylates, butadiene urethane acrylates, special urethane acrylates, epoxy acrylates, amino resin acrylates, acrylic resin acrylates, and the like. It is done. Bisphenol A type liquid resin, bisphenol A type solid resin, bromide epoxy resin, bisphenol F type resin, bisphenol AD type resin, phenol type resin, cresol type resin, novolac type resin, cyclic aliphatic epoxy resin, epibis type epoxy resin, Epoxy resins such as glycidyl ester resins, glycidylamine resins, heterocyclic epoxy resins, and modified epoxy resins can be used. Further, for example, an inorganic substance such as siloxane (a substance in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and at least hydrogen is included in a substituent) may be used.

なお、固定剤として用いる物質は、シール材として用いる物質よりも透湿性の高いものであることが好ましい。 In addition, it is preferable that the substance used as a fixing agent has higher moisture permeability than the substance used as a sealing material.

以上のような構成を有する本発明の発光装置では、シール材を通って水が発光装置内部に混入した場合であっても、発光素子が形成された領域（図１では画素部１０３に相当する。）に至る前に、吸水性を有する物質が固定された領域（図１では凹部１０４に相当する。）において前記水は吸水される。その為、発光装置内部へ混入した水に起因した発光素子の劣化を抑制できる。 In the light-emitting device of the present invention having the above-described structure, even when water enters the light-emitting device through the sealing material, the region where the light-emitting element is formed (corresponding to the pixel portion 103 in FIG. 1). .), The water is absorbed in a region (corresponding to the concave portion 104 in FIG. 1) to which the water-absorbing substance is fixed. Therefore, deterioration of the light emitting element due to water mixed into the light emitting device can be suppressed.

また、吸水性を有する物質によって発光の取り出しを妨げられることがないため、発光素子の発光を発光装置内部から効率よく外部に取り出すことができる。 Further, since emission of light emission is not hindered by the substance having water absorption, light emission of the light emitting element can be efficiently extracted from the inside of the light emitting device to the outside.

なお、本実施の形態では、第１の基板１０１ａ上に駆動回路部１０６、１０７が設けられた構成となっているが、これに限らず、駆動回路部が第１の基板１０１ａ外部に取り付けられ接続端子を介して画素部と電気的に接続したような構成の発光装置に本発明を適用しても構わない。 Note that in this embodiment mode, the driver circuit portions 106 and 107 are provided over the first substrate 101a. However, the present invention is not limited to this, and the driver circuit portion is attached to the outside of the first substrate 101a. You may apply this invention to the light-emitting device of a structure electrically connected with the pixel part via the connection terminal.

（実施の形態２）
本形態では、実施の形態１で示したものと異なる構成からなる本発明の発光装置について図３を用いて説明する。 (Embodiment 2)
In this embodiment mode, a light-emitting device of the present invention having a structure different from that shown in Embodiment Mode 1 will be described with reference to FIG.

図３は、本発明の発光装置を上面からみたときの構成を模式的に表した図である。図３の発光装置において、画素部１４３の端に沿うように吸水性の物質が固定された複数の凹部１４４ａ、１４４ｂが設けられている。また、その他の構成については図１に示したものと同様である。このように、本形態の発光装置では、吸水性の物質が固定するために設けられる凹部は複数に分割して設けられていてもよい。なお、１４１は基板であり、第１の基板と第２の基板とが重なって成る。な第１の基板と第２の基板とは、それぞれ実施の形態１で示した第１の基板１０１ａと第２の基板１０１ｂに相当する。１４２はシール部、１４５は接続端子部、１４６、１４７は駆動回路部である。 FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration when the light emitting device of the present invention is viewed from above. In the light emitting device of FIG. 3, a plurality of concave portions 144 a and 144 b to which a water-absorbing substance is fixed are provided along the end of the pixel portion 143. Other configurations are the same as those shown in FIG. As described above, in the light-emitting device of this embodiment, the recess provided for fixing the water-absorbing substance may be divided into a plurality. Reference numeral 141 denotes a substrate, which is formed by overlapping a first substrate and a second substrate. The first substrate and the second substrate correspond to the first substrate 101a and the second substrate 101b described in Embodiment 1, respectively. Reference numeral 142 denotes a seal portion, 145 denotes a connection terminal portion, and 146 and 147 denote drive circuit portions.

（実施の形態３）
本形態では、実施の形態１および実施の形態２で示したものと異なる構成からなる本発明の発光装置について図１３を用いて説明する。 (Embodiment 3)
In this embodiment mode, a light-emitting device of the present invention having a structure different from that shown in Embodiment Modes 1 and 2 will be described with reference to FIGS.

図１３（Ａ）は、本発明の発光装置を上面からみたときの構成を模式的に表した図である。また、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）で表した本発明の発光装置のＡ−Ａ’における断面を模式的に表した図である。 FIG. 13A is a diagram schematically illustrating a configuration of the light emitting device of the present invention as viewed from above. FIG. 13B is a diagram schematically showing a cross section taken along line A-A ′ of the light emitting device of the present invention shown in FIG.

本発明の発光装置において、第１の基板７０１ａと第２の基板７０１ｂとは、シール部７０２において、シール材によって貼り合わせられている。 In the light-emitting device of the present invention, the first substrate 701a and the second substrate 701b are bonded to each other at the seal portion 702 with a sealant.

第１の基板７０１ａは、画素部７０３と駆動回路部７０６，７０７と、外部からの信号を入力するための接続端子部７０５とを有する。第２の基板７０１ｂは凹部７０４を有し、当該凹部７０４の内側には吸水性の物質が固定されている。従って、本形態では第２の基板７０１ｂにおいて凹部７０４が形成されている領域が吸水性の物質が固定された領域となる。なお、凹部７０４が形成された面と逆側の面には、凹部７０４と重畳するように凸部が形成されている。このように、凹部が形成される基板（第２の基板に相当）の形態は、実施の形態１や実施の形態２に示したような形態と異なるものでもよい。なお、第２の基板７０１ｂは、例えば、金型等を用いて型押しする方法によってプラスチックなどの樹脂製の基板に凹部７０４を形成することによって得られる。また、第２の基板７０１ｂの表面のうち、凹部７０４が形成された側は、発光装置外部から発光装置内部への水分の混入を防止するための層７０８で覆われている。なお、層７０８は、窒化珪素等を用いて単層で形成されたものでもよいし、または多層で形成されたものでもよい。 The first substrate 701a includes a pixel portion 703, drive circuit portions 706 and 707, and a connection terminal portion 705 for inputting an external signal. The second substrate 701b has a recess 704, and a water-absorbing substance is fixed inside the recess 704. Therefore, in this embodiment, the region where the recess 704 is formed in the second substrate 701b is a region where a water-absorbing substance is fixed. A convex portion is formed on the surface opposite to the surface where the concave portion 704 is formed so as to overlap the concave portion 704. Thus, the form of the substrate (corresponding to the second substrate) on which the recesses are formed may be different from the form as shown in the first embodiment or the second embodiment. The second substrate 701b can be obtained by forming the recess 704 in a resin substrate such as plastic by a method of embossing using a mold or the like. The side of the surface of the second substrate 701b where the recess 704 is formed is covered with a layer 708 for preventing moisture from entering the light emitting device from the outside of the light emitting device. Note that the layer 708 may be formed of a single layer using silicon nitride or the like, or may be formed of multiple layers.

図１３（Ｂ）に示すように、画素部７０３と駆動回路部７０６、７０７と凹部７０４において固定された吸水性の物質とは、第１の基板７０１ａと第２の基板７０１ｂとシール部７０２によって形成された内部に封じ込められた状態となっている。なお、本形態では、当該内部は透光性を有する樹脂７０９によって充填された状態になっている。しかし、これに限らず、当該内部には窒素が充填されていてもよいし、または真空になっていてもよい。 As shown in FIG. 13B, the water-absorbing substance fixed in the pixel portion 703, the driver circuit portions 706 and 707, and the concave portion 704 is separated by a first substrate 701a, a second substrate 701b, and a seal portion 702. It is in a state of being enclosed in the formed interior. Note that in this embodiment, the interior is filled with a light-transmitting resin 709. However, the present invention is not limited thereto, and the inside may be filled with nitrogen or may be in a vacuum.

また、本発明の発光装置を上面からみると、図１３（Ａ）のように、画素部７０３の端に沿うように吸水性の物質が固定された凹部７０４が設けられている。さらに、凹部７０４を囲むようにシール部７０２が設けられている。また、駆動回路部（画素部に設けられた回路に送る信号を制御するための回路）７０６、７０７と凹部７０４とは重畳するように設けられている。なお、図１３（Ａ）、（Ｂ）では、駆動回路部７０６、７０７全体が凹部７０４と重畳するように設けられているが、これに限らず、駆動回路部７０６または７０７の一部のみが凹部７０４と重畳するように設けられた構成であってもよい。なお、画素部７０３には発光素子と、それを駆動するための回路素子とが含まれている。 Further, when the light emitting device of the present invention is viewed from above, a concave portion 704 to which a water-absorbing substance is fixed is provided along the end of the pixel portion 703 as shown in FIG. Further, a seal portion 702 is provided so as to surround the recess 704. In addition, the driver circuit portion (a circuit for controlling a signal sent to a circuit provided in the pixel portion) 706 and 707 and the concave portion 704 are provided so as to overlap each other. 13A and 13B, the entire drive circuit portions 706 and 707 are provided so as to overlap with the concave portion 704. However, the present invention is not limited to this, and only a part of the drive circuit portion 706 or 707 is provided. The structure provided so that it might overlap with the recessed part 704 may be sufficient. Note that the pixel portion 703 includes a light emitting element and a circuit element for driving the light emitting element.

また、基板７０１ａとしては、ガラスや石英等の材料から成るものを用いることができる。その他、プラスチック等の可撓性を有する材料のものを用いても構わない。また、発光素子や吸水性の物質等を支持できるものであれば、これら以外の材料からなるものでもよい。一方、基板７０１ｂは、可撓性を有するもの、例えばポリカーボネート（ＰＣ）やポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等の樹脂から成ることが好ましい。基板７０１ｂがこのような材料で形成されている場合、型押しによって容易に凹部７０４を形成できるためである。なお、本形態では第１の基板７０１ａと第２の基板７０１ｂとは同一サイズであるが、これに限らず異なるサイズであってもよい。また、基板７０１ａと基板７０１ｂとは、同一の材料から成る基板であってもよいし、またはそれぞれ異なる材料から成る基板であってもよい。 Further, as the substrate 701a, a substrate made of a material such as glass or quartz can be used. In addition, a material having flexibility such as plastic may be used. Moreover, as long as it can support a light emitting element, a water absorptive substance, etc., you may consist of materials other than these. On the other hand, the substrate 701b is preferably made of a flexible material such as polycarbonate (PC) or polyethersulfone (PES). This is because when the substrate 701b is formed of such a material, the concave portion 704 can be easily formed by embossing. Note that in this embodiment, the first substrate 701a and the second substrate 701b have the same size, but the present invention is not limited to this and may have different sizes. Further, the substrate 701a and the substrate 701b may be substrates made of the same material, or may be substrates made of different materials.

シール材、吸水性の物質、吸水性を有する物質を固定するため固定剤のとしては、実施の形態１で示したものと同様のものを用いればよい。 As the fixing agent for fixing the sealing material, the water-absorbing substance, and the water-absorbing substance, those similar to those shown in Embodiment Mode 1 may be used.

以上のような構成を有する本発明の発光装置では、基板７０１ｂが可撓性を有する材料で形成されていることによって、発光装置を曲げた場合でも凹部７０４に加わった力によって発光装置が損傷することを防止できる。また、型押しによって、凹部７０４が容易に形成されるものである。 In the light emitting device of the present invention having the above structure, the light emitting device is damaged by the force applied to the recess 704 even when the light emitting device is bent because the substrate 701b is formed of a flexible material. Can be prevented. Further, the concave portion 704 is easily formed by embossing.

なお、本実施の形態では、第１の基板７０１ａ上に駆動回路部７０６、７０７が設けられた構成となっているが、これに限らず、駆動回路部が第１の基板７０１ａ外部に取り付けられ接続端子を介して画素部と電気的に接続したような構成の発光装置に本発明を適用しても構わない。また、凹部７０４は実施の形態２の用に複数に分割されたものであってもよい。 Note that in this embodiment mode, the driver circuit portions 706 and 707 are provided over the first substrate 701a. However, the present invention is not limited to this, and the driver circuit portion is attached to the outside of the first substrate 701a. You may apply this invention to the light-emitting device of a structure electrically connected with the pixel part via the connection terminal. Further, the recess 704 may be divided into a plurality of parts for the second embodiment.

本実施例では、本発明の発光装置の作製方法について図４、５を用いて説明する。なお、図５（Ａ）は図４（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図であり、図５（Ｂ）は図４（Ｂ）のＡ−Ａ’における断面図であり、図５（Ｃ）は図４（Ｃ）のＡ−Ａ’における断面図である。 In this example, a method for manufacturing a light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A is a cross-sectional view taken along a line AA ′ in FIG. 4A, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along a line AA ′ in FIG. 4B. ) Is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

先ず、画素部や駆動回路部が設けられている第１の基板５０１を作製した（図４（Ａ）、図５（Ａ））。 First, a first substrate 501 provided with a pixel portion and a driver circuit portion was manufactured (FIGS. 4A and 5A).

図４（Ａ）において、ガラスから成る第１の基板５０１上には、画素部５０２と駆動回路部５０３、５０４と、接続端子部５０５とが設けられている。駆動回路部５０３、５０４はそれぞれ、画素部５０２の一端に沿うように配置されている。また、接続端子部は、駆動回路部５０３と隣接して設けられており、駆動回路部５０３、５０４と配線によって接続している。なお、本実施例では、第１の基板５０１として、ガラス基板を用いているが、この他に石英基板や、プラスチックなどの可撓性を有する基板等を用いても構わない。 4A, a pixel portion 502, driver circuit portions 503 and 504, and a connection terminal portion 505 are provided over a first substrate 501 made of glass. The drive circuit portions 503 and 504 are arranged along one end of the pixel portion 502, respectively. The connection terminal portion is provided adjacent to the drive circuit portion 503, and is connected to the drive circuit portions 503 and 504 by wiring. In this embodiment, a glass substrate is used as the first substrate 501, but a quartz substrate, a flexible substrate such as plastic, or the like may be used.

画素部５０２では、発光素子５０７とそれを駆動するための回路素子（回路を構成する各部分単位であって、トランジスタ・抵抗等をいう。）とが設けられている。図５（Ａ）では、回路素子のなかでも特に端子によって発光素子５０７と電気的に接続されたトランジスタ５０６とが示されている。なお、図５（Ａ）は、第１の基板５０１の構造を模式的に表したものである。従って、発光素子５０７やトランジスタ５０６の構造等は図５（Ａ）のものには限定されない。またトランジスタ５０６や発光素子５０７等の作製工程についても、特に限定されず公知の方法を用いて作製すればよい。 The pixel portion 502 is provided with a light-emitting element 507 and circuit elements for driving the light-emitting element 507 (each unit constituting the circuit, which is a transistor, a resistor, or the like). FIG. 5A illustrates a transistor 506 that is electrically connected to the light-emitting element 507 through a terminal, among circuit elements. Note that FIG. 5A schematically illustrates the structure of the first substrate 501. Therefore, the structure and the like of the light-emitting element 507 and the transistor 506 are not limited to those shown in FIG. In addition, a manufacturing process of the transistor 506, the light-emitting element 507, and the like is not particularly limited and may be manufactured using a known method.

また、吸水性を有する物質が固定された領域を有する第２の基板５１１を以下のようにして作製した（図４（Ｂ）、図５（Ｂ））。 In addition, a second substrate 511 having a region where a substance having water absorbability was fixed was manufactured as follows (FIGS. 4B and 5B).

先ず、ガラスから成る第２の基板５１１に凹部５１２を形成した。凹部５１２は、フライス盤を用いて第２の基板５１１の所定の場所を切削して形成した。なお凹部５１２は、幅２ｍｍ、深さ０．６ｍｍとなるように形成した。そして、ディスペンサを用いて、凹部５１２内に、粒径４０μｍ以下の粒状の酸化カルシウムを含む液状の固定剤５１３を注入した後、加熱してこれを固化させた（図５（Ｂ））。本実施例では、固定剤５１３として、エステルアクリレートを用いた。なお、加熱温度は、固定材５１３のガラス転移点および第２の基板５１１の耐熱性を考慮して決めることが好ましい。また、加熱は、異なる加熱温度で複数回に分けて行ってもよい。また、固定剤５１３は、必ずしも完全に硬化させる必要はなく、半硬化状態であっても構わない。半硬化状態することで、発光装置を曲げた場合でも凹部５１２に加わった力によって発光装置が損傷することを防止できる効果が得られる。 First, the recess 512 was formed in the second substrate 511 made of glass. The concave portion 512 was formed by cutting a predetermined place of the second substrate 511 using a milling machine. The recess 512 was formed to have a width of 2 mm and a depth of 0.6 mm. Then, using a dispenser, a liquid fixing agent 513 containing granular calcium oxide having a particle size of 40 μm or less was injected into the recess 512, and then heated to solidify it (FIG. 5B). In this example, ester acrylate was used as the fixing agent 513. Note that the heating temperature is preferably determined in consideration of the glass transition point of the fixing material 513 and the heat resistance of the second substrate 511. Further, the heating may be performed in a plurality of times at different heating temperatures. Further, the fixing agent 513 does not necessarily need to be completely cured, and may be in a semi-cured state. The semi-cured state provides an effect of preventing the light emitting device from being damaged by the force applied to the recess 512 even when the light emitting device is bent.

なお、本実施例では、第２の基板５１１として、ガラス基板を用いているが、この他に石英基板や、プラスチックなどの可撓性を有する基板等を用いても構わない。また、エステルアクリレート以外に実施の形態１に示したような透湿性の高い物質を用いても構わない。また、樹脂以外に、シロキサンなどの無機物を用いても構わない。また、本実施例では、加熱によって固定剤を固化させているが、これに限らず、重合開始剤を含み光硬化性を有する物質であって透湿性の高い物質を固定剤として用いても構わない。 In this embodiment, a glass substrate is used as the second substrate 511. However, a quartz substrate, a flexible substrate such as plastic, or the like may be used. In addition to the ester acrylate, a substance having high moisture permeability as shown in Embodiment Mode 1 may be used. In addition to the resin, an inorganic material such as siloxane may be used. In this embodiment, the fixing agent is solidified by heating. However, the present invention is not limited to this, and a material having a photocurable property including a polymerization initiator and having high moisture permeability may be used as the fixing agent. Absent.

なお、本実施例では、吸水性を有する物質として、粒状の酸化カルシウムを用いているが、これに限らず、例えば実施の形態１で示したような吸水性を有する物質を用いてもよい。また、化学吸着によって水を吸着することのできる分子を有機溶媒中に混合した組成物を凹部に注入した後、これを固化させたものを用いてもよい。 In this example, granular calcium oxide is used as the substance having water absorption, but the present invention is not limited thereto, and for example, a substance having water absorption as shown in Embodiment 1 may be used. Alternatively, a composition obtained by injecting into a recess a composition in which molecules capable of adsorbing water by chemical adsorption are mixed in an organic solvent may be used.

さらに凹部に固定剤を注入についても、ディスペンサに限らず、例えばインクジェット方式のような液吐出手段を用いて行っても構わない。 Furthermore, the injection of the fixing agent into the concave portion is not limited to the dispenser, and may be performed using a liquid discharge means such as an ink jet method.

次に、シール材としてビスフェノールＡ型液状樹脂を用い、シール部５２２において第１の基板５０１と第２の基板５１１とを貼り合わせ、封止した（図４（Ｃ）、図５（Ｃ））。この時、第１の基板５０１と第２の基板５１１とは、互いにプレスされる。 Next, bisphenol A liquid resin is used as a sealing material, and the first substrate 501 and the second substrate 511 are attached and sealed at the seal portion 522 (FIGS. 4C and 5C). . At this time, the first substrate 501 and the second substrate 511 are pressed together.

なお、本実施例ではシール材として、ビスフェノールＡ型液状樹脂を用いているが、この他の材料、例えば実施の形態１で示したような物質等を用いてもよい。 In this embodiment, bisphenol A type liquid resin is used as the sealing material, but other materials such as those shown in Embodiment Mode 1 may be used.

図４（Ｃ）において、５２１は、第１の基板５０１と第２の基板５１１とが重畳した部分である。図４（Ｃ）において、吸水性を有する物質が固定された凹部５１２は、画素部５０２を囲むように設けられている。さらに、シール部５２２は、当該凹部５１２を囲むように設けられている。なお、駆動回路部５０３、５０４と凹部５１２とは重畳している。また、接続端子部５０５を介してフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）５２３が接続されている。 In FIG. 4C, reference numeral 521 denotes a portion where the first substrate 501 and the second substrate 511 overlap with each other. In FIG. 4C, a recess 512 to which a water-absorbing substance is fixed is provided so as to surround the pixel portion 502. Further, the seal portion 522 is provided so as to surround the concave portion 512. Note that the drive circuit portions 503 and 504 and the recess 512 overlap each other. Further, a flexible printed circuit board (FPC) 523 is connected through a connection terminal portion 505.

また、第１の基板５０１と第２の基板５１１とシール部５２２とで囲まれた空間（発光装置内部）には窒素などの不活性ガスが充填されている。 A space surrounded by the first substrate 501, the second substrate 511, and the seal portion 522 (inside the light emitting device) is filled with an inert gas such as nitrogen.

なお、第２の基板５１１に凹部を形成するときは、第１の基板５０１と貼り合わせたときに、図４（Ｃ）の上面図で表されるような構成となるように、凹部を形成する位置を調節している。 Note that when the concave portion is formed in the second substrate 511, the concave portion is formed so that the structure shown in the top view of FIG. 4C is obtained when the first substrate 501 is attached. The position to be adjusted is adjusted.

以上に示した本発明の発光装置では、画素部５０２からの外部への発光の取り出しを妨げるようなものがないため、効率よく発光を取り出すことができる。また、凹部５１２内に吸水性を有する物質が固定されているため（図５（Ｃ））、第１の基板５０１と第２の基板５１１との貼り合わせるためにプレスしても、吸水性を有する物質が駆動回路部５０３、５０４と接触することがなく、当該吸水性を有する物質によって駆動回路部５０３、５０４が損傷することを防止できる。 In the light-emitting device of the present invention described above, since there is nothing that prevents extraction of light emission from the pixel portion 502 to the outside, light emission can be extracted efficiently. In addition, since a substance having water absorption property is fixed in the recess 512 (FIG. 5C), even if the first substrate 501 and the second substrate 511 are bonded to each other, the water absorption property is reduced. The substance having the water does not come into contact with the drive circuit portions 503 and 504, and the drive circuit portions 503 and 504 can be prevented from being damaged by the water-absorbing substance.

本実施例では、本発明の発光装置の画素部に設けられている発光装置およびトランジスタについて、図６を用いて説明する。但し、本発明の発光装置の構造および発光装置を構成する物質等は、本実施例に示すものに限定されない。 In this embodiment, a light-emitting device and a transistor provided in the pixel portion of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS. However, the structure of the light-emitting device of the present invention and the substances constituting the light-emitting device are not limited to those shown in this embodiment.

図６において、トランジスタ１１は、発光素子１２を駆動するために設けられている。発光素子１２は第１の電極１３と第２の電極１４とこれらの電極に挟まれた発光層１５で構成されている。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６を貫通している端子１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本実施例において、基板１０上に設けられている。 In FIG. 6, the transistor 11 is provided to drive the light emitting element 12. The light emitting element 12 includes a first electrode 13, a second electrode 14, and a light emitting layer 15 sandwiched between these electrodes. The drain of the transistor 11 and the first electrode 13 are electrically connected by a terminal 17 penetrating the first interlayer insulating film 16. The light emitting element 12 is separated from another light emitting element provided adjacent thereto by a partition wall layer 18. The light emitting device of the present invention having such a configuration is provided on the substrate 10 in this embodiment.

発光素子１２において、発光層１５は、複数の層から成る。ここで、複数の層は、キャリア輸送性の高い物質とキャリア注入性の高い物質とから選ばれた物質から成る層を組み合わせて構成されたものであり、一部に発光性の高い物質を含むものである。なお、発光体としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル) −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９-エニル) −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＰＡ）、ペリフランテン、２,５−ジシアノ−１,４−ビス(１０−メトキシ−１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル)ベンゼン、Ｎ,Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス(８−キノリノラト)アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９,９’−ビアントリル、９,１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９,１０−ビス(２−ナフチル)アントラセン（略称：ＤＮＡ）等を用いることができる。また、この他の物質でもよい。キャリア輸送性の高い物質のうち、特に電子輸送性の高い物質としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［h］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正孔輸送性の高い物質としては、例えば４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４'−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４'，４''−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物が挙げられる。また、キャリア注入性の高い物質のうち、特に電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Ａｌｑ₃のような電子輸送性の高い物質とマグネシウム（Ｍｇ）のようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。また、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。 In the light emitting element 12, the light emitting layer 15 includes a plurality of layers. Here, the plurality of layers are formed by combining layers made of a substance selected from a substance having a high carrier transporting property and a substance having a high carrier injecting property, and a part thereof contains a substance having a high light emitting property. It is a waste. Note that as the luminescent material, 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran (abbreviation: DCJT), 4-dicyano Methylene-2-t-butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran (abbreviation: DPA), perifrantene, 2,5-dicyano-1,4 -Bis (10-methoxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) benzene, N, N'-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd), coumarin 6, coumarin 545T, tris (8- Quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), 9,9′-bianthryl, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA), 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), and the like can be used. it can. Other substances may also be used. Among substances having a high carrier transport property, a substance having a particularly high electron transport property includes, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq _3). ), Bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq ₂ ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), or the like, Examples include metal complexes having a benzoquinoline skeleton. As a substance having a high hole-transport property, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: α-NPD), 4,4′-bis [ N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: TPD) or 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (abbreviation: TDATA) ), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -triphenylamine (abbreviation: MTDATA) (ie, benzene ring-nitrogen) And a compound having a bond of In addition, among substances having a high carrier-injecting property, substances having a particularly high electron-injecting property include alkali metals or alkalis such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and calcium fluoride (CaF ₂ ). Examples include earth metal compounds. In addition, a mixture of a substance having a high electron transport property such as Alq ₃ and an alkaline earth metal such as magnesium (Mg) may be used. Examples of the material having a high hole injection property include molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx), and manganese oxide (MnOx). A metal oxide is mentioned. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H ₂ Pc) and copper phthalocyanine (CuPC) can be given.

なお、トランジスタ１１はトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えば図７（Ａ）に示すような逆スタガ型のものでもよい。また逆スタガ型の場合には、図７（Ｂ）のようにチャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。なお、２１はゲート電極、２２はゲート絶縁膜、２３は半導体層、２４はｎ型の半導体層、２５は電極、２６は保護膜である。 The transistor 11 is a top gate type. However, the structure of the transistor 11 is not particularly limited, and may be, for example, an inverted staggered type as shown in FIG. In the case of an inverted staggered type, a semiconductor film in which a protective film is formed on a semiconductor layer for forming a channel (channel protective type) as shown in FIG. 7B may be used, or a semiconductor layer for forming a channel may be used. A part of which is concave (channel etch type) may be used. Note that 21 is a gate electrode, 22 is a gate insulating film, 23 is a semiconductor layer, 24 is an n-type semiconductor layer, 25 is an electrode, and 26 is a protective film.

また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。 Further, the semiconductor layer included in the transistor 11 may be either crystalline or non-crystalline. Moreover, a semi-amorphous etc. may be sufficient.

なお、セミアモルファスな半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０nmの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪化物気体としては、ＳｉＨ₄、その他にもＳｉ₂Ｈ₆、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄などを用いることが可。この珪化物気体をＨ₂、又は、Ｈ₂とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０²⁰cm^-1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０¹⁹/cm³以下、好ましくは１×１０¹⁹/cm³以下とする。なお、セミアモルファスなものを有する半導体を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の移動度はおよそ１〜１０ｍ²/Vsecとなる。 The semi-amorphous semiconductor is as follows. A semiconductor having an intermediate structure between amorphous and crystalline (including single crystal and polycrystal) and having a third state that is stable in terms of free energy, has a short-range order, and has a lattice distortion. It contains a crystalline region. At least a part of the region in the film contains crystal grains of 0.5 to 20 nm. The Raman spectrum is shifted to the lower wavenumber side than 520 cm ⁻¹ . In X-ray diffraction, diffraction peaks of (111) and (220) that are derived from the Si crystal lattice are observed. At least 1 atomic% or more of hydrogen or halogen is contained as a neutralizing agent for dangling bonds. It is also called a so-called microcrystalline semiconductor (microcrystal semiconductor). A silicide gas is formed by glow discharge decomposition (plasma CVD). As the silicide gas, SiH ₄ , Si ₂ H ₆ , SiH ₂ Cl ₂ , SiHCl ₃ , SiCl ₄ , SiF ₄ or the like can be used. This silicide gas may be diluted with H ₂ , or H ₂ and one or more kinds of rare gas elements selected from He, Ar, Kr, and Ne. The dilution rate is in the range of 2 to 1000 times. The pressure is generally in the range of 0.1 Pa to 133 Pa, and the power supply frequency is 1 MHz to 120 MHz, preferably 13 MHz to 60 MHz. The substrate heating temperature may be 300 ° C. or less, preferably 100 to 250 ° C. As an impurity element in the film, impurities of atmospheric components such as oxygen, nitrogen, and carbon are desirably 1 × 10 ²⁰ cm ⁻¹ or less, and in particular, the oxygen concentration is 5 × 10 ¹⁹ / cm ³ or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ / cm ³ or less Note that the mobility of a TFT (thin film transistor) using a semi-amorphous semiconductor is approximately 1 to 10 m ² / Vsec.

また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。 Further, specific examples of the crystalline semiconductor layer include those made of single crystal or polycrystalline silicon, silicon germanium, or the like. These may be formed by laser crystallization, or may be formed by crystallization by a solid phase growth method using nickel or the like, for example.

なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。 Note that in the case where the semiconductor layer is formed of an amorphous material, for example, amorphous silicon, the transistor 11 and other transistors (transistors constituting a circuit for driving a light emitting element) are all configured by N-channel transistors. It is preferable that the light-emitting device have a structured circuit. Other than that, a light-emitting device having a circuit including any one of an N-channel transistor and a P-channel transistor, or a light-emitting device including a circuit including both transistors may be used.

さらに、第１層間絶縁膜１６は、図６（Ａ）、（Ｃ）に示すように１６ａ、１６ｂ、１６ｃから成る多層でもよいし、または単層でもよい。なお、１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、１６ｂはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６は、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。 Further, the first interlayer insulating film 16 may be a multilayer composed of 16a, 16b, 16c as shown in FIGS. 6A and 6C, or may be a single layer. Note that 16a is made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, and 16b is acrylic or siloxane (a substance having a skeletal structure composed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and containing at least hydrogen as a substituent). It is made of a material having self-flatness such as silicon oxide that can be coated and formed. Further, 16c is made of a silicon nitride film containing argon (Ar). In addition, there is no limitation in particular about the substance which comprises each layer, You may use things other than what was described here. Moreover, you may further combine the layer which consists of substances other than these. Thus, the 1st interlayer insulation film 16 may be formed using both an inorganic substance or an organic substance, or may be formed by either one of an inorganic film and an organic film.

隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。 The partition layer 18 preferably has a shape in which the radius of curvature continuously changes at the edge portion. The partition layer 18 is formed using acrylic, siloxane, resist, silicon oxide, or the like. The partition wall layer 18 may be formed of any one of an inorganic film and an organic film, or may be formed using both.

なお、図６（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６のみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図６（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９（１９ａ、１９ｂ）が設けられた構成のものであってもよい。図６（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、端子１７と接続している。 In FIGS. 6A and 6C, only the first interlayer insulating film 16 is provided between the transistor 11 and the light emitting element 12, but as shown in FIG. 6B, the first interlayer insulating film 16 is provided. In addition to the insulating film 16 (16a, 16b), the second interlayer insulating film 19 (19a, 19b) may be provided. In the light emitting device shown in FIG. 6B, the first electrode 13 penetrates the second interlayer insulating film 19 and is connected to the terminal 17.

第２層間絶縁膜１９は、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。１９ａはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９は、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。 Similar to the first interlayer insulating film 16, the second interlayer insulating film 19 may be a multilayer or a single layer. 19a is a substance having self-flatness such as acrylic or siloxane (a substance having a skeletal structure composed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and having at least hydrogen as a substituent), silicon oxide capable of being coated and formed. Consists of. Further, 19b is made of a silicon nitride film containing argon (Ar). In addition, there is no limitation in particular about the substance which comprises each layer, You may use things other than what was described here. Moreover, you may further combine the layer which consists of substances other than these. As described above, the second interlayer insulating film 19 may be formed using both an inorganic material and an organic material, or may be formed of any one of an inorganic film and an organic film.

発光素子１２において、第１の電極１３および第２の電極１４がいずれもインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透光性を有する物質で構成されている場合、図６（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図６（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。 In the light-emitting element 12, when both the first electrode 13 and the second electrode 14 are formed using a light-transmitting material such as indium tin oxide (ITO), the white area in FIG. As shown by the arrow, light emission can be extracted from both the first electrode 13 side and the second electrode 14 side. In addition, in the case where only the second electrode 14 is formed using a light-transmitting substance, light emission is extracted only from the second electrode 14 side as represented by a white arrow in FIG. 6B. be able to. In this case, it is preferable that the first electrode 13 is made of a material having a high reflectivity, or a film (reflective film) made of a material having a high reflectivity is provided below the first electrode 13.

また、発光素子１２は、第１の電極１３が陽極として機能し、第２の電極１４が陰極として機能する構成であってもよいし、或いは第１の電極１３が陰極として機能し、第２の電極１４が陽極として機能する構成であってもよい。但し、前者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタである。 The light-emitting element 12 may have a configuration in which the first electrode 13 functions as an anode and the second electrode 14 functions as a cathode, or the first electrode 13 functions as a cathode, and the second The electrode 14 may function as an anode. However, in the former case, the transistor 11 is a P-channel transistor, and in the latter case, the transistor 11 is an N-channel transistor.

本発明を、図６（Ａ）や図６（Ｂ）等で表されるような、発光層よりも上側（発光層を中心として基板と逆側）から発光を取り出すことのできる発光素子を有する発光装置に適用することで、効率よく発光を取り出すことができ、また水に起因した発光素子の劣化も抑制することができる。 The present invention includes a light-emitting element that can extract light emitted from above the light-emitting layer (on the side opposite to the substrate with the light-emitting layer as the center) as illustrated in FIGS. 6A and 6B. By applying to a light emitting device, light emission can be taken out efficiently and deterioration of the light emitting element due to water can be suppressed.

本実施例では、本発明の発光装置において発光素子を駆動するために画素部に設けられている回路について説明する。但し、発光装置を駆動するための回路は、本実施例で示すものには限定されない。 In this embodiment, a circuit provided in a pixel portion in order to drive a light emitting element in a light emitting device of the present invention will be described. However, the circuit for driving the light emitting device is not limited to that shown in this embodiment.

図８に示すように、発光素子３０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、それぞれ、映像信号によって発光素子３０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ３２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ３２２と、前記映像信号に関わらず発光素子３０１を非発光状態にする消去用トランジスタ３２３とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ３２２のソース（又はドレイン）はソース線３３１と接続し、駆動用トランジスタ３２１のソース及び消去用トランジスタ３２３のソースはソース線３３１と並列するように延びた電流供給線３３２と接続し、スイッチング用トランジスタ３２２のゲートは第１の走査線３３３と接続し、第１の走査線３３３と並列に延びた消去用トランジスタ３２３のゲートは第２の走査線３３４と接続している。また、駆動用トランジスタ３２１と発光素子３０１とは直列に接続している。各々の発光素子に接続する回路の構成は、ここで述べたものに限定されず、上記と異なる構成のものであってもよい。 As shown in FIG. 8, the light emitting element 301 is connected to a circuit for driving each light emitting element. The circuit includes a driving transistor 321 that determines light emission / non-light emission of the light emitting element 301 based on a video signal, a switching transistor 322 that controls input of the video signal, and a light emitting element 301 regardless of the video signal. And an erasing transistor 323 which is brought into a non-light-emitting state. Here, the source (or drain) of the switching transistor 322 is connected to the source line 331, and the source of the driving transistor 321 and the source of the erasing transistor 323 are connected to the current supply line 332 extending in parallel with the source line 331. The gate of the switching transistor 322 is connected to the first scanning line 333, and the gate of the erasing transistor 323 extending in parallel with the first scanning line 333 is connected to the second scanning line 334. Further, the driving transistor 321 and the light emitting element 301 are connected in series. The configuration of the circuit connected to each light emitting element is not limited to that described here, and may be different from the above configuration.

なお、図９は、本実施例の発光装置の画素部の上面図である。図５では、画素部の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図５に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図５において、８１は半導体層、８２は駆動用トランジスタ３２１、３２２、３２３、第１の走査線３３３、第２の走査線３３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、８３はソース線３３１、電流供給線３３２等として機能する導電膜である。また、８４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する積層部である。 FIG. 9 is a top view of the pixel portion of the light emitting device of this embodiment. FIG. 5 shows only a part of the pixel portion. Note that the configuration of the pixel portion of the light-emitting device is not limited to that illustrated in FIG. 5, and may have other configurations. In FIG. 5, 81 is a semiconductor layer, 82 is a conductive film functioning as a gate (gate electrode) of driving transistors 321, 322, 323, first scanning line 333, second scanning line 334, etc. 83 is a source line Reference numeral 331 denotes a conductive film functioning as a current supply line 332 or the like. Reference numeral 84 denotes a stacked portion having a stacked structure in which a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes.

次に、図８に示したものと異なる回路構成を有する発光素子について図１０を用いて説明する。 Next, a light-emitting element having a circuit configuration different from that illustrated in FIG. 8 will be described with reference to FIG.

図１０に示すように、発光素子８０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、映像信号によって発光素子８０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ８２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ８２２と、前記映像信号に関わらず発光素子８０１を非発光状態にする消去用トランジスタ８２３と、発光素子８０１に供給される電流の大きさを制御するための電流制御用トランジスタ８２４とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ８２２のソース（又はドレイン）はソース線８３１と接続し、駆動用トランジスタ８２１のソース及び消去用トランジスタ８２３のソースはソース線８３１と並列するように延びた電流供給線８３２と接続し、スイッチング用トランジスタ８２２のゲートは第１の走査線８３３と接続し、第１の走査線８３３と並列に延びた消去用トランジスタ８２３のゲートは第２の走査線８３４と接続している。また、駆動用トランジスタ８２１と発光素子８０１と間に電流制御用トランジスタ８２４を挟み、直列に接続している。電流供給用トランジスタ８２４のゲートは、電源線８３５に接続している。なお、電流制御用トランジスタ８２４は、電圧−電流（Ｖｄ−Ｉｄ）特性における飽和領域において電流が流れるように構成、制御されたものであり、これによって、当該トランジスタ８２４に流れる電流値の大きさを決定することができる。 As shown in FIG. 10, the light emitting element 801 is connected to a circuit for driving each light emitting element. The circuit includes a driving transistor 821 that determines light emission / non-light emission of the light emitting element 801 according to a video signal, a switching transistor 822 that controls input of the video signal, and a light emitting element 801 that does not emit light regardless of the video signal. It has an erasing transistor 823 for making a state and a current control transistor 824 for controlling the magnitude of the current supplied to the light emitting element 801. Here, the source (or drain) of the switching transistor 822 is connected to the source line 831, and the source of the driving transistor 821 and the source of the erasing transistor 823 are connected to the current supply line 832 extending in parallel with the source line 831. In addition, the gate of the switching transistor 822 is connected to the first scanning line 833, and the gate of the erasing transistor 823 extending in parallel with the first scanning line 833 is connected to the second scanning line 834. In addition, a current control transistor 824 is sandwiched between the driving transistor 821 and the light emitting element 801 and connected in series. The gate of the current supply transistor 824 is connected to the power supply line 835. Note that the current control transistor 824 is configured and controlled so that a current flows in a saturation region in the voltage-current (Vd-Id) characteristics, and thus, the magnitude of a current value flowing through the transistor 824 is increased. Can be determined.

発光素子８０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線８３３が選択されると、第１の走査線８３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ８２２がオンになる。そして、ソース線８３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ８２２を介して駆動用トランジスタ８２１のゲートに入力さる。さらに、駆動用トランジスタ８２１と、電源線８３５からの信号を受けてオン状態になった電流制御用トランジスタ８２４とを介して電流供給線８３２から発光素子８０１へ電流が流れ、発光に至る。このとき、発光素子へ流れる電流の大きさは、電流制御用トランジスタ８２４によって決まる。 A driving method when the light-emitting element 801 emits light will be described. When the first scan line 833 is selected in the writing period, the switching transistor 822 whose gate is connected to the first scan line 833 is turned on. Then, the video signal input to the source line 831 is input to the gate of the driving transistor 821 through the switching transistor 822. Further, current flows from the current supply line 832 to the light-emitting element 801 through the driving transistor 821 and the current control transistor 824 that is turned on in response to a signal from the power supply line 835, and thus light emission is performed. At this time, the magnitude of the current flowing to the light emitting element is determined by the current control transistor 824.

図１１は、本実施例に示すような回路構成を有する発光装置の画素部の上面図である。図１１では、画素部の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図１１に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図１１において、９１は半導体層、９２は、トランジスタ８２１、８２２、８２３、８２４や走査線８３３、８３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、９３はソース線８３１、電流供給線８３２、電源線８３５等として機能する導電膜である。また、９４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する積層部である。 FIG. 11 is a top view of a pixel portion of a light emitting device having a circuit configuration as shown in this embodiment. In FIG. 11, only a part of the pixel portion is illustrated. Note that the configuration of the pixel portion of the light-emitting device is not limited to that illustrated in FIG. 11, and may be other configurations. In FIG. 11, 91 is a semiconductor layer, 92 is a conductive film functioning as a gate (gate electrode) such as transistors 821, 822, 823, and 824 and scanning lines 833 and 834, 93 is a source line 831, a current supply line 832, The conductive film functions as the power supply line 835 or the like. Reference numeral 94 denotes a laminated portion having a laminated structure in which a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes.

本発明を適用した発光装置は、外部入力端子が装着された状態で各種電子機器に実装される。 A light emitting device to which the present invention is applied is mounted on various electronic devices with an external input terminal mounted.

本発明を適用した電子機器は、水に起因した発光素子の劣化による画像の不具合や、基板貼り合わせ工程における回路の損傷等に起因した画像の不具合が抑制された良好な画像を得ることができるものである。 An electronic device to which the present invention is applied can obtain a good image in which image defects due to deterioration of light emitting elements due to water and image defects due to circuit damage in a substrate bonding process are suppressed. Is.

本実施例では、本発明を適用した発光装置およびその発光装置を実装した電子機器について図１２を用いて説明する。但し、図１２に示したものは一実施例であり、発光装置の構成はこれに限定されるものではない。 In this example, a light-emitting device to which the present invention is applied and an electronic device in which the light-emitting device is mounted will be described with reference to FIGS. However, what is shown in FIG. 12 is one example, and the structure of the light-emitting device is not limited to this.

図４（Ｃ）、図５（Ｃ）で表されるような本発明の発光装置は、例えば図１２のような電子機器に実装され表示装置として用いられる。 The light emitting device of the present invention as shown in FIGS. 4C and 5C is mounted on an electronic device as shown in FIG. 12, for example, and used as a display device.

図１２（Ａ）は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでパーソナルコンピュータを完成できる。 FIG. 12A illustrates a laptop personal computer manufactured by applying the present invention, which includes a main body 5521, a housing 5522, a display portion 5523, a keyboard 5524, and the like. A personal computer can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention as a display portion.

図１２（Ｂ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでテレビ受像機を完成できる。 FIG. 12B illustrates a television set manufactured by applying the present invention, which includes a display portion 5531, a housing 5532, a speaker 5533, and the like. A television receiver can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention as a display portion.

なお、本実施例では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話やテレビ受像機、カーナビゲイション、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。 Note that in this embodiment, a laptop personal computer is described; however, in addition to this, a light emitting device having the light emitting element of the present invention is mounted on a mobile phone, a television receiver, a car navigation system, or a lighting device. It doesn't matter.

本発明の発光装置の一実施形態について説明する図。FIG. 6 illustrates one embodiment of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の画素部の断面構造について説明する図。4A and 4B each illustrate a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の一態様について説明する図。4A and 4B illustrate one embodiment of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置について説明する上面図。FIG. 6 is a top view illustrating a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置について説明する断面図。Sectional drawing explaining the light-emitting device of this invention. 本発明の発光装置の画素部の断面構造について説明する図。4A and 4B each illustrate a cross-sectional structure of a pixel portion of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の画素部の構造について説明する図。3A and 3B each illustrate a structure of a pixel portion of a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置に設けられている発光素子を駆動するための回路について説明する図。3A and 3B each illustrate a circuit for driving a light-emitting element provided in a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の画素部の構成について表した上面図。FIG. 6 is a top view illustrating a structure of a pixel portion of a light emitting device of the present invention. 本発明の発光装置に設けられている発光素子を駆動するための回路について説明する図。3A and 3B each illustrate a circuit for driving a light-emitting element provided in a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の画素部の構成について表した上面図。FIG. 6 is a top view illustrating a structure of a pixel portion of a light emitting device of the present invention. 本発明を適用した電子機器について説明する図。6A and 6B illustrate electronic devices to which the present invention is applied. 本発明の発光装置の一実施形態について説明する図。FIG. 6 illustrates one embodiment of a light-emitting device of the present invention.

Explanation of symbols

１０１基板
１０１ａ第１の基板
１０１ｂ第２の基板
１０２シール部
１０３画素部
１０４凹部
１０５接続端子部
１０６駆動回路部
１０７駆動回路部
101 Substrate 101a First substrate 101b Second substrate 102 Sealing portion 103 Pixel portion 104 Recessed portion 105 Connection terminal portion 106 Driving circuit portion 107 Driving circuit portion

Claims

A first region where a light emitting element is formed;
A second region to which a water-absorbing substance is fixed;
Have
The light emitting device, wherein the second region is provided outside the first region so as to extend along an end of the first region.

The light-emitting device according to claim 1, wherein the water-absorbing substance is contained and fixed as a granular substance in a fixing agent.

A first substrate having a first region on which a light emitting element is formed;
A second substrate having a second region to which a water-absorbing substance is fixed;
Have
The first substrate and the second substrate are bonded using a sealing material so that the light-emitting element and the water-absorbing substance are enclosed inside,
The light emitting device, wherein the second region is provided outside the first region so as to extend along an end of the first region.

A first substrate having a first region in which a light emitting element is formed and a third region in which a circuit is formed;
A second substrate having a second region to which a water-absorbing substance is fixed;
Have
The first substrate and the second substrate are bonded using a sealing material so that the light-emitting element, the circuit, and the water-absorbing substance are enclosed inside,
The light emitting device, wherein the second region is provided outside the first region so as to overlap with the third region.

The light-emitting device according to claim 3 or claim 4,
The water-absorbing substance is contained and fixed as a granular substance in a fixing agent,
The light-emitting device, wherein the fixing agent is a substance having higher moisture permeability than the sealing material.

The light emitting device according to any one of claims 3 to 5,
The second substrate has a recess;
The light-emitting device, wherein the water-absorbing substance is fixed inside the recess.

A first substrate having a pixel portion and a driver circuit portion;
A second substrate having a recess;
Have
The pixel portion includes a light emitting element,
A substance having water absorption is fixed inside the recess,
The first substrate and the second substrate are bonded together using a sealing material so that the pixel portion, the driving circuit portion, and the concave portion are enclosed inside,
The light emitting device, wherein at least a part of the drive circuit portion and the recess overlap each other.

The light-emitting device according to claim 7.
The water-absorbing substance is contained and fixed as a granular substance in a fixing agent,
The light-emitting device, wherein the fixing agent is a substance having higher moisture permeability than the sealing material.

An electronic apparatus using the light-emitting device according to claim 1 as a display portion.

A first substrate having a pixel portion and a driver circuit portion;
A second substrate having a recess, and a substance having water absorbability fixed inside the recess,
A method for manufacturing a light-emitting device, including a step of bonding using a sealant so that the driving circuit portion and the concave portion overlap each other.

In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 10,
The water-absorbing substance is contained and fixed as a granular substance in a fixing agent,
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the fixing agent is a substance having higher moisture permeability than the sealing material.