JP2005202371A - 表示装置および表示装置の駆動方法 - Google Patents
表示装置および表示装置の駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005202371A JP2005202371A JP2004356959A JP2004356959A JP2005202371A JP 2005202371 A JP2005202371 A JP 2005202371A JP 2004356959 A JP2004356959 A JP 2004356959A JP 2004356959 A JP2004356959 A JP 2004356959A JP 2005202371 A JP2005202371 A JP 2005202371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- transistor
- path
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
【解決手段】 発光素子に順方向の電流を供給するための経路の他に、該発光素子に逆方向の電流を供給するための経路を別途設ける。そして、前者の経路に駆動用トランジスタを設け、後者の経路に別途トランジスタ(交流用トランジスタ)を設け、これら2つのトランジスタで前者と後者の経路の切り替えを制御する。そして交流用トランジスタは、駆動用トランジスタよりもチャネル長Lとチャネル幅Wの比L/Wが小さいトランジスタを用いる。上記構成により、発光素子に逆方向の発光素子駆動電圧を印加した際に、発光素子を流れる電流を追加した交流用トランジスタに流すことができる。
【選択図】 図1
Description
本発明の一実施形態を図1に示す。
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する画素の、図1とは異なる形態について説明する。
Claims (15)
- 発光素子と、
前記発光素子に順方向の電流を供給するための第1の経路と、
前記発光素子に逆方向の電流を供給するための第2の経路とを有し、
前記第1の経路に駆動用トランジスタを有し、
前記第2の経路に交流用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタとを用い、前記第1の経路と前記第2の経路の切り替えを制御することを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、
前記発光素子に流れる順方向の電流値を制御する駆動用トランジスタと、
映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に逆方向に流れる電流を制御する交流用トランジスタとを画素に有することを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、
前記発光素子に流れる順方向の電流値を制御する駆動用トランジスタと、
映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に逆方向に流れる電流を制御する交流用トランジスタとを画素に有し、
前記発光素子は画素電極と対向電極を有し、
前記スイッチング用トランジスタのゲート電極はゲート信号線に接続され、
前記スイッチング用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は前記映像信号が流れるソース信号線に接続され、他方は前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続され、
前記駆動用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は電源線に接続され、他方は前記発光素子の前記画素電極に接続され、
前記交流用トランジスタのゲート電極は前記電源線に接続され、
前記交流用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は前記画素電極に接続され、他方は電流引き込み線に接続され、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタの極性が同じであり、
前記駆動用トランジスタは飽和領域で動作し、
前記交流用トランジスタは線形領域で動作することを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、
前記発光素子に流れる順方向の電流値を制御する駆動用トランジスタと、
映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に逆方向に流れる電流を制御する交流用トランジスタとを画素に有し、
前記発光素子は画素電極と対向電極を有し、
前記スイッチング用トランジスタのゲート電極はゲート信号線に接続され、
前記スイッチング用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は前記映像信号が流れるソース信号線に接続され、他方は前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続され、
前記駆動用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は電源線に接続され、他方は前記発光素子の前記画素電極に接続され、
前記交流用トランジスタのゲート電極は前記電源線に接続され、
前記交流用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は前記画素電極に接続され、他方は前記電源線に接続され、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタの極性が同じであり、
前記駆動用トランジスタは飽和領域で動作し、
前記交流用トランジスタは線形領域で動作することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記発光素子に順方向に電圧を印加する際に前記発光素子に流れる電流は、前記駆動用トランジスタのソース電極・ドレイン電極間を流れ、
前記発光素子に逆方向に電圧を印加する際に前記発光素子に流れる電流は、前記交流用トランジスタのソース電極・ドレイン電極間を流れることを特徴とする表示装置。 - 請求項3乃至請求項5のいずれか一項において、
前記電源線の電位を固定電位とし、前記対向電極の電位を前記発光素子に流す電流の向きに応じて変化させることを特徴とした表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、
前記駆動用トランジスタはそのチャネル幅に対するチャネル長の比が5以上であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、
前記交流用トランジスタはそのチャネル長がチャネル幅と同じかそれより短いことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか1項において、
前記表示装置を用いた電子機器。 - 発光素子と、
スイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に順方向の電流を供給するための第1の経路と、
前記発光素子に逆方向の電流を供給するための第2の経路とを有し、
前記第1の経路に駆動用トランジスタを有し、
前記第2の経路に交流用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタとを用い、前記第1の経路と前記第2の経路の切り替えを制御する手段を有し、
1フレーム期間は複数のサブフレーム期間を含み、
前記複数のサブフレーム期間に書き込み期間と表示期間を設け、
前記書き込み期間中に、前記スイッチング用トランジスタ及び前記駆動用トランジスタを用いて前記発光素子の点灯もしくは非点灯を設定し、かつ前記交流用トランジスタを用いて前記発光素子に逆方向に電流を流し、
前記表示期間中に、前記書き込み期間中に前記発光素子に行なった設定を実行し、
前記発光素子が発光した期間の和を制御することにより階調表示を行なうことを特徴とした表示装置の駆動方法。 - 発光素子と、
スイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に順方向の電流を供給するための第1の経路と、
前記発光素子に逆方向の電流を供給するための第2の経路とを有し、
前記第1の経路に駆動用トランジスタを有し、
前記第2の経路に交流用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタとを用い、前記第1の経路と前記第2の経路の切り替えを制御する手段を有し、
1フレーム期間は複数のサブフレーム期間と複数の逆方向バイアス期間を含み、
前記複数のサブフレーム期間に書き込み期間と表示期間を設け、
前記書き込み期間中に、前記スイッチング用トランジスタ及び前記駆動用トランジスタを用いて前記発光素子の点灯もしくは非点灯を設定し、
前記表示期間中に、前記書き込み期間中に前記発光素子に行なった設定を実行し、
前記逆方向バイアス期間に前記交流用トランジスタを用いて前記発光素子に逆方向に電流を流し、
前記発光素子が発光した期間の和を制御することにより階調表示を行なうことを特徴とした表示装置の駆動方法。 - 発光素子と、
スイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に順方向の電流を供給するための第1の経路と、
前記発光素子に逆方向の電流を供給するための第2の経路とを有し、
前記第1の経路に駆動用トランジスタを有し、
前記第2の経路に交流用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタとを用い、前記第1の経路と前記第2の経路の切り替えを制御する手段を有し、
1フレーム期間は複数のサブフレーム期間と単数の逆方向バイアス期間を含み、
前記複数のサブフレーム期間に書き込み期間と表示期間を設け、
前記書き込み期間中に、前記スイッチング用トランジスタ及び前記駆動用トランジスタを用いて前記発光素子の点灯もしくは非点灯を設定し、
前記表示期間中に、前記書き込み期間中に前記発光素子に行なった設定を実行し、
前記逆方向バイアス期間に前記交流用トランジスタを用いて前記発光素子に逆方向に電流を流し、
前記発光素子が発光した期間の和を制御することにより階調表示を行なうことを特徴とした表示装置の駆動方法。 - 発光素子と、
スイッチング用トランジスタと、
前記発光素子に順方向の電流を供給するための第1の経路と、
前記発光素子に逆方向の電流を供給するための第2の経路とを有し、
前記第1の経路に駆動用トランジスタを有し、
前記第2の経路に交流用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタと前記交流用トランジスタとを用い、前記第1の経路と前記第2の経路の切り替えを制御する手段を有し、
1フレーム期間は順方向バイアス期間と逆方向バイアス期間を含み、
前記順方向バイアス期間中に、前記スイッチング用トランジスタ及び前記駆動用トランジスタを用いて、前記発光素子に順方向に電流を流し、かつ前記発光素子を前記発光素子に流れる電流値に応じた輝度で発光させ、
前記逆方向バイアス期間に、前記発光素子に前記交流用トランジスタを用いて逆方向に電流を流すことを特徴とした表示装置の駆動方法。 - 請求項10乃至請求項13のいずれか1項において、
前記発光素子は画素電極と対向電極を有し、
前記スイッチング用トランジスタのゲート電極はゲート信号線に接続され、
前記スイッチング用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は映像信号が流れるソース信号線に接続され、他方は前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続され、
前記駆動用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は電源線に接続され、他方は前記発光素子の前記画素電極に接続され、
前記交流用トランジスタのゲート電極は前記電源線に接続され、
前記交流用トランジスタのソース電極もしくはドレイン電極の一方は前記画素電極に接続され、他方は前記電源線に接続され、
前記電源線の電位を固定電位とし、前記対向電極の電位を前記発光素子に流す電流の向きに応じて変化させることを特徴とした表示装置の駆動方法。 - 請求項10乃至請求項14のいずれか1項において、
前記表示装置の駆動方法を用いた電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004356959A JP5227491B2 (ja) | 2003-12-18 | 2004-12-09 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421599 | 2003-12-18 | ||
JP2003421599 | 2003-12-18 | ||
JP2004356959A JP5227491B2 (ja) | 2003-12-18 | 2004-12-09 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005202371A true JP2005202371A (ja) | 2005-07-28 |
JP2005202371A5 JP2005202371A5 (ja) | 2008-01-24 |
JP5227491B2 JP5227491B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=34829304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004356959A Expired - Fee Related JP5227491B2 (ja) | 2003-12-18 | 2004-12-09 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5227491B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
WO2009098802A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | 画素回路および表示装置 |
US8004481B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9640599B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-05-02 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2020197736A (ja) * | 2005-12-02 | 2020-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002358048A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003051384A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法および作製方法 |
JP2003255895A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその駆動方法 |
JP2003280576A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型有機el表示装置 |
JP2003308030A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003323154A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
JP2005017485A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2005140827A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置 |
-
2004
- 2004-12-09 JP JP2004356959A patent/JP5227491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002358048A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003051384A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法および作製方法 |
JP2003308030A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003255895A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその駆動方法 |
JP2003280576A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型有機el表示装置 |
JP2003323154A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の駆動方法 |
JP2005017485A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP2005140827A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
US8004481B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US8212750B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2013178537A (ja) * | 2005-12-02 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8531364B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2020197736A (ja) * | 2005-12-02 | 2020-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2009098802A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | 画素回路および表示装置 |
JP5294274B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2013-09-18 | シャープ株式会社 | 画素回路および表示装置 |
US8878756B2 (en) | 2008-02-08 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Pixel circuit including a first switching element section showing a saturation characteristic and a second switching element section showing a linear characteristic and display device including the pixel circuit |
US10026796B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-07-17 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10615237B2 (en) | 2013-09-12 | 2020-04-07 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10103212B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-10-16 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10121841B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-11-06 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10147779B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-12-04 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10312314B2 (en) | 2013-09-12 | 2019-06-04 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US10615238B2 (en) | 2013-09-12 | 2020-04-07 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
KR20180002899A (ko) | 2013-09-12 | 2018-01-08 | 소니 주식회사 | 표시 장치, 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US9640599B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-05-02 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US11004924B2 (en) | 2013-09-12 | 2021-05-11 | Sony Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US11233109B2 (en) | 2013-09-12 | 2022-01-25 | Sony Group Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
KR20220019852A (ko) | 2013-09-12 | 2022-02-17 | 소니그룹주식회사 | 표시 장치, 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
US11569325B2 (en) | 2013-09-12 | 2023-01-31 | Sony Group Corporation | Display device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
KR20240024325A (ko) | 2013-09-12 | 2024-02-23 | 소니그룹주식회사 | 표시 장치, 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5227491B2 (ja) | 2013-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7460095B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US7592975B2 (en) | Display device and driving method thereof | |
JP5848278B2 (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
JP5487254B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5487269B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5159701B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7595775B2 (en) | Light emitting display device with reverse biasing circuit | |
JP5364235B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2003255895A (ja) | 発光装置及びその駆動方法 | |
US8686934B2 (en) | Display device and electronic device using the same | |
JP2005031598A (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
JP4034122B2 (ja) | 発光装置及び素子基板 | |
JP5352041B2 (ja) | 表示装置を実装した電子機器の作製方法 | |
JP4841831B2 (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
JP5227491B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4860143B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5046657B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2002049354A (ja) | 自発光装置およびそれを用いた電気器具 | |
JP4421641B2 (ja) | 発光装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5227491 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |