JP2005189660A - 基板工程用レジスト剥離液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び/又はその塩を含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。
【選択図】 選択図なし
Description
イオン種としてひ素を1014個/cm2イオン注入したポジ型レジストを塗布したシリコンウエハ(ポストベーク120℃有り、アドバンテック(株)製)を表1に示す剥離液に80℃、1分浸漬し、その後水洗いし、乾燥した。なお、アンモニアはキシダ化学、過酸化水素はアデカスーパーEL(旭電化工業製)、炭酸アンモニウム(炭酸水素アンモニウムとカルバミン酸アンモニウムを含む)は関東化学製、フッ化アンモニウムは和光純薬製、マロン酸、酒石酸はキシダ化学製、シュウ酸、コハク酸、フタル酸、グリコール酸は関東化学製、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、硫酸は和光純薬製、水酸化テトラメチルアンモニウムは多摩化学工業(株)製(高純度グレード)のものを使用した。
<レジストの剥離性>
○:完全剥離、△:一部残存、×:全面に残存
<Siの侵食性>
:侵食なし、△:一部侵食有り、×:激しい侵食有り
Claims (8)
- アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び/又はその塩を含んでなるレジスト剥離液。
- アンモニアの濃度が0.1〜10重量%、過酸化水素の濃度が0.01〜10重量%、炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び/又はその塩の濃度が0.001〜5重量%である請求項1に記載のレジスト剥離液。
- 炭酸塩が炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、カルバミン酸アンモニウムから成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項1及至請求項2に記載のレジスト剥離液。
- フッ酸塩がフッ化アンモニウムである請求項1及至請求項2に記載のレジスト剥離液
- 有機酸及び/又はその塩がクエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、フタル酸及び/又はその塩からなる群から選ばれる1種以上である請求項1及至請求項2に記載のレジスト剥離液。
- アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び/又はその塩を含んでなる請求項1及至請求項5のいずれかに記載の基板工程用レジスト剥離液。
- レジスト及び/又は反射防止膜を剥離する請求項1及至請求項6のいずれかに記載のレジスト剥離液。
- ひ素又はホウ素がイオン注入されたレジスト及び/又は反射防止膜を剥離することを特徴とする請求項1及至請求項3のいずれかに記載のレジスト剥離液。
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