JP2005185784A - 磁石装置及び磁気共鳴イメ−ジング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 傾斜磁場コイルの径方向の漏洩磁場に対する有効な対策を講じて傾斜磁場の乱れを低下する。
【解決手段】 それぞれ環状の主磁石1,3を内蔵し均一静磁場空間領域8を介して対向配置されそれぞれ内部に外部からの熱侵入を防ぐ熱シ−ルド25が配設されていると共に前記均一静磁場空間領域側に当該均一静磁場空間領域に対向する略円形の凹み20131,40131をそれぞれ有する第1及び第2のクライオスタット部2,4、及び前記凹み内に位置し前記均一静磁場空間領域における磁場を任意の傾斜磁場とする円板状の第1及び第2の傾斜磁場コイル211,212を備えた磁石装置において、前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの周面に対応する部分における当該前記傾斜磁場コイルの漏洩磁場が大きい部分に周面対応スリット2531a〜2534a,2531b〜2534b,2531c〜2534cを設けた。
【選択図】図3
【解決手段】 それぞれ環状の主磁石1,3を内蔵し均一静磁場空間領域8を介して対向配置されそれぞれ内部に外部からの熱侵入を防ぐ熱シ−ルド25が配設されていると共に前記均一静磁場空間領域側に当該均一静磁場空間領域に対向する略円形の凹み20131,40131をそれぞれ有する第1及び第2のクライオスタット部2,4、及び前記凹み内に位置し前記均一静磁場空間領域における磁場を任意の傾斜磁場とする円板状の第1及び第2の傾斜磁場コイル211,212を備えた磁石装置において、前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの周面に対応する部分における当該前記傾斜磁場コイルの漏洩磁場が大きい部分に周面対応スリット2531a〜2534a,2531b〜2534b,2531c〜2534cを設けた。
【選択図】図3
Description
この発明は、生体の画像診断に利用されるMRI(Magnetic Resonance Imaging)装置(通称「磁気共鳴イメ−ジング装置」)に使用される磁石装置、及び磁気共鳴イメ−ジング装置に関するものである。
磁気共鳴イメ−ジング装置は、磁石装置の形状により大別して円筒形と、一対の環状磁石部の間に球状の均一静磁場空間領域を形成する対向形とがあり、近年では、被検者に対する開放性や診断関係者の被検者へのアクセスの利便性の観点等で優れた対向形が主流になりつつある。この対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置における球状の均一静磁場空間領域の磁界強度は、一般的には6000〜10000ガウスであり、その許容誤差は通常は数ppmである。尚、対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置の大きさや重さは、例えば、高さ3m前後、平面における最大奥行長2m前後、重さ40トン前後である。
前述のような対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置においては、小型化、軽量化を図りつつ、球状の均一静磁場空間領域における傾斜磁場の精度の確保、誤差の縮小を図ることが重要であり、例えば、特開平9−262223号公報(特許文献1)に見られるような対向形で、球状の均一静磁場空間領域における傾斜磁場コイルの漏洩磁束の抑制を図る技術が開発されている。
前記特許文献1に記載の磁気共鳴イメ−ジング装置においては、均一静磁場空間領域における傾斜磁場の精度の低下原因となる傾斜磁場コイルの漏洩磁場を抑制する為に、傾斜磁場コイルと同軸状に、前記漏洩磁場をキャンセルする方向の磁場を発生するシ−ルドコイルが設けられている。
前記特許文献1に記載の磁気共鳴イメ−ジング装置のように、傾斜磁場コイルと同軸状に、前記漏洩磁場をキャンセルする方向の磁場(傾斜磁場コイルの磁場と逆方向の磁場)を発生するシ−ルドコイルを設ければ、理論上このシ−ルドコイルにより前記漏洩磁場を限りなく零に近づけることができる。しかし、前記シ−ルドコイルは前記漏洩磁場をキャンセルするのみでなく、傾斜磁場コイルによる傾斜磁場の生成に必要な主磁場にも影響を与えるので、前記シ−ルドコイルにより前記漏洩磁場を零に近づけるほど、傾斜磁場コイルの主磁場の発生効率が低下する。また、傾斜磁場コイルの主磁場の発生効率が低下すれば、傾斜磁場コイルに、より大きなパルス電流を流さなければならなくなり、より大きなパルス電流を流す為にはパルス電流源を大容量化しなければならなくなり、又、より大きなパルス電流を流せば、傾斜磁場コイルの振動がより大きくなり、振動音もより大きくなる。従って、シ−ルドコイルにより前記漏洩磁場を抑制することで傾斜磁場コイルの主磁場の発生効率が低下することは避ける必要がある。
更に、シ−ルドコイルを設ければ、前記特許文献1における図2のように、対を成す冷却容器(クライオスタット)の各対向面に設けられた凹みに傾斜磁場コイルとシ−ルドコイルとを収容するタイプにおいては、傾斜磁場コイルの中心線に平行な漏洩磁場はキャンセルできても、前述のようにシ−ルドコイルが傾斜磁場コイルと逆方向の磁場を発生するために、傾斜磁場コイルとシ−ルドコイルとの境界部分においては両コイルの径方向の磁場は同一方向となり、漏洩磁場は逆に増加し、傾斜磁場の乱れを惹起する。従って、対を成す冷却容器(クライオスタット)の各対向面に設けられた凹みに傾斜磁場コイルを収容するタイプにおいては、傾斜磁場コイルの径方向の漏洩磁場に対する対策が重要である。
この発明は、前述のような課題を解決するためになされたもので、特に傾斜磁場コイルの径方向の漏洩磁場に対する有効な対策を講じて傾斜磁場の乱れを低下することを目的とするものである。
この発明に係る磁石装置は、それぞれ環状の主磁石を内蔵し均一静磁場空間領域を介して対向配置されそれぞれ内部に外部からの熱侵入を防ぐ熱シ−ルドが配設されていると共に前記均一静磁場空間領域側に当該均一静磁場空間領域に対向する略円形の凹みをそれぞれ有する第1及び第2のクライオスタット部、及び前記凹み内に位置し前記均一静磁場空間領域における磁場を任意の傾斜磁場とする円板状の第1及び第2の傾斜磁場コイルを備えた磁石装置において、前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの周面に対応する部分における当該前記傾斜磁場コイルの漏洩磁場が大きい部分に周面対応スリットを設けたものである。
この発明は、それぞれ環状の主磁石を内蔵し均一静磁場空間領域を介して対向配置されそれぞれ内部に外部からの熱侵入を防ぐ熱シ−ルドが配設されていると共に前記均一静磁場空間領域側に当該均一静磁場空間領域に対向する略円形の凹みをそれぞれ有する第1及び第2のクライオスタット部、及び前記凹み内に位置し前記均一静磁場空間領域における磁場を任意の傾斜磁場とする円板状の第1及び第2の傾斜磁場コイルを備えた磁石装置において、前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの周面に対応する部分における当該前記傾斜磁場コイルの漏洩磁場が大きい部分に周面対応スリットを設けたので、特に傾斜磁場コイルの径方向の漏洩磁場によってクライオスタット部内の熱シ−ルドにおける傾斜磁場コイルの外周面に対応する部分に発生する渦電流をカットでき、従って、渦電流に起因する傾斜磁場の乱れを低下させることができる効果がある。
実施の形態1.
以下この発明の実施の形態1を図1〜図7により説明する。図1は対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置全体の主要部の構成の一例を示す平面図、図2は図1のII−II線における断面を矢印方向に見た縦断側面図、図3はこの発明の実施の形態1の要部の詳細構造を示す図で、図1における第2のクライオスタット部側の傾斜磁場コイル及びその周辺を拡大して示す縦断側面図である。図4は図3のIV−IV線における断面を矢印方向に見た横断平面図、図5は図4のV−V線における断面を矢印方向に見た縦断側面図、図6は側面対応スリットを設ける場所について技術的に説明する為の展開図、図7は効果の事例を示す図である。尚、各図中、同一符号は同一部分を示す。
以下この発明の実施の形態1を図1〜図7により説明する。図1は対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置全体の主要部の構成の一例を示す平面図、図2は図1のII−II線における断面を矢印方向に見た縦断側面図、図3はこの発明の実施の形態1の要部の詳細構造を示す図で、図1における第2のクライオスタット部側の傾斜磁場コイル及びその周辺を拡大して示す縦断側面図である。図4は図3のIV−IV線における断面を矢印方向に見た横断平面図、図5は図4のV−V線における断面を矢印方向に見た縦断側面図、図6は側面対応スリットを設ける場所について技術的に説明する為の展開図、図7は効果の事例を示す図である。尚、各図中、同一符号は同一部分を示す。
最初に図1及び図2により対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置全体の主要部の構成および機能を説明し、その後、この発明の実施の形態1の要部について、図3〜図7により説明する。
図1及び図2において、対向形の磁気共鳴イメ−ジング装置は、環状の第1の主磁石1を内蔵し外観が円柱状の第1のクライオスタット部2と、環状の第2の主磁石3を内蔵し外観が円柱状の第2のクライオスタット部4と、前記第1のクライオスタット部2と前記第2のクライオスタット部4とに跨って延在し前記第1のクライオスタット部2と前記第2のクライオスタット部4とを各クライオスタット部2,4の外周部において連結する連結柱部5とから構成されている。
前記第1のクライオスタット部2と前記第2のクライオスタット部4とは、それらの前記環状の第1及び第2の主磁石1,3の各中心線6が図示のように同軸状になるように配設され、両者の対向面間には所定の空間7が、前記連結柱部5により保持されている。尚、前記空間7に、被検者の画像診断に必要な球状の均一静磁場空間領域8が存在する。又、前記空間7に、被検者を載せる被検者用ベッド71が、矢印イ(図1参照)あるいは矢印ロ(図1参照)の方向に挿入される。
前記第1のクライオスタット部2は、周知のように、非磁性金属製の真空容器部201と、この真空容器部201内に当該真空容器部201の器壁から離間して配設されたヘリウム(He)容器などの冷媒容器(図示省略)と、この冷媒容器(図示省略)と前記真空容器部201との間に当該冷媒容器(図示省略)及び真空容器部201から離間して配設され前記真空容器部201から前記冷媒容器(図示省略)への輻射熱を遮る非磁性の熱シ−ルド(図3〜図5参照)とから、主として構成されている。尚、前記冷媒容器(図示省略)内に超電導コイル等の前記第1の主磁石1が内蔵されている。また、前記真空容器部201はステンレス他の非良導電体であり、前記熱シ−ルド(図3〜図5参照)はアルミ他の良導電体である。
前記真空容器部201は、前記中心線6を中心線とする非磁性の円筒部2011と、この円筒部2011の両端に設けられた円板状の非磁性の端壁部2012,2013と、前記円筒部2011を囲繞し前記両端壁部2012,2013の各周面間に跨って延在している非磁性の周壁部2014とで構成されている。
尚、前記空間7側の前記端壁部2013には、前記空間7側にその中心が前記球状の均一静磁場空間領域8の中心6と同軸状となる円形凹み20131を形成する底壁部201311及び周壁部201312が設けられている。つまり、換言すれば、前記空間7側の前記端壁部2013を、その外周部近傍が前記空間7側に突出した構造とし、当該突出した円形壁部2015に連なる前記各周壁部2014,201312と当該円形壁部2015とにより前記真空容器部201の内側にド−ナツ状の凹み2016が形成されている。このド−ナツ状凹み2016内に、前記真空容器部201内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵の前記第1の主磁石1が配設されている。
前記第1のクライオスタット部2内には、前記第1の主磁石1と前記円筒部2011との間に、前記円形凹み20131の底壁部201311に対向して環状の第1の調整磁石91が配設されている。換言すれば、前記第1の調整磁石91は、前記円筒部2011を囲繞し、前記第1の主磁石1に囲繞されており、その中心線は前記中心線6と同軸状である。尚、前記第1の調整磁石91としては、例えば、前記真空容器部201内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵された超電導コイルが使用される。
又、前記第1のクライオスタット部2内には、前記中心線6と同軸状をなす環状の外域磁場打消磁石10,11が設けられている。これら外域磁場打消磁石10,11としては、前記真空容器部201内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵された超電導コイル、或は前記冷媒容器(図示省略)外の前記真空容器部201内に設けられた非超電導コイルが使用されている。又、前記外域磁場打消磁石10は、前記真空容器部201の前記周壁部2014に近接して設けられ、前記外域磁場打消磁石11は、前記外域磁場打消磁石10より前記円筒部2011寄りに設けられている。
前記第2のクライオスタット部4は、周知のように、非磁性金属製の真空容器部401と、この真空容器部401内に当該真空容器部401の器壁から離間して配設されたヘリウム(He)容器などの冷媒容器(図示省略)と、この冷媒容器(図示省略)と前記真空容器部401との間に当該冷媒容器(図示省略)及び真空容器部401から離間して配設され前記真空容器部401から前記冷媒容器(図示省略)への輻射熱を遮る熱シ−ルド(図示省略)とから、主として構成されている。尚、前記冷媒容器(図示省略)内に超電導コイル等の前記第2の主磁石3が内蔵されている。
前記真空容器部401は、前記中心線6を中心線とする非磁性の円筒部4011と、この円筒部4011の両端に設けられた円板状の非磁性の端壁部4012,4013と、前記円筒部4011を囲繞し前記両端壁部4012,4013の各周面間に跨って延在している周壁部4014とで構成されている。
尚、前記空間7側の前記端壁部4013には、前記空間7側にその中心が前記球状の均一静磁場空間領域8の中心6と同軸状となる円形凹み40131を形成する底壁部401311及び周壁部401312が設けられている。つまり、換言すれば、前記空間7側の前記端壁部4013を、その外周部近傍を前記空間7側に突出した形状とし、当該突出した円形壁部4015に連なる前記各周壁部4014,401312と当該円形壁部4015とにより前記真空容器部401の内側にド−ナツ状の凹み4016が形成されている。このド−ナツ状凹み4016内に、前記真空容器部401内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵の前記第2の主磁石3が配設されている。
前記第2のクライオスタット部4内には、前記第2の主磁石3と前記円筒部4011との間に、前記円形凹み40131の底壁部401311に対向して環状の第2の調整磁石92が配設されている。換言すれば、前記第2の調整磁石92は、前記円筒部4011を囲繞し、前記第2の主磁石3に囲繞されおり、その中心線は前記中心線6と同軸状である。尚、前記第2の調整磁石92としては、例えば前記真空容器部401内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵された超電導コイルが使用される。
又、前記第2のクライオスタット部4内には、前記中心線6と同軸状をなす環状の外域磁場打消磁石12,13が設けられている。これら外域磁場打消磁石12,13としては、前記真空容器部401内の前記冷媒容器(図示省略)内に内蔵された超電導コイル、或は前記冷媒容器(図示省略)外の前記真空容器部401内に設けられた非超電導コイルが使用されている。又、前記外域磁場打消磁石12は、前記真空容器部401の前記周壁部4014に近接して設けられ、前記外域磁場打消磁石13は、前記外域磁場打消磁石12より前記円筒部4011寄りに設けられている。換言すれば、前記外域磁場打消磁石13は、前記円筒部4011を囲繞し、前記外域磁場打消磁石12に囲繞されている。
前記連結柱部5は、非磁性の支持骨部501と、この支持骨部501を内蔵する非磁性の外壁部502とから構成されており、前記第1のクライオスタット部2と第2のクライオスタット部4とを支えている。
前記支持骨部501は、非磁性の前部支柱部5011と、非磁性の後部支柱部5012と、非磁性の端部支柱部5013,5014とで構成されている。又、前記前部支柱部5011と、前記後部支柱部5012と、前記端部支柱部5013,5014とは溶接などにより一体化されている。
前記外壁部502は、非磁性の前壁部5021と、非磁性の後壁部5022と、非磁性の端壁部5023,5024と、非磁性の上壁部5025と、非磁性の底壁部5026とで構成されている。又、前記前壁部5021と、前記後壁部5022と、前記端壁部5023,5024、前記上壁部5025と、前記底壁部5026とは溶接などにより一体化されている。更に又、この外壁部502と前記支持骨部501とは溶接などにより一体化され、1つの構造体となっている。尚、1つの構造体となっている連結柱部5を前記第1及び第2のクライオスタット部2,4の周方向に複数個連結してそれら複数個の連結柱部を1つの構造体としてもよい。つまり、連結柱部5は実質的に1つの構造体とすればよい。このように前記連結柱部5を実質的に1つの構造体とすれば、前述の特許文献1に記載のような相互に離間した2つの連結柱部を設けてある場合に比べ、磁気共鳴イメ−ジング装置を据え付ける部屋内における当該磁気共鳴イメ−ジング装置の配置の自由度が向上する。
尚、前記連結柱部5は、その前記外壁部502は内部が真空の真空容器となっており、後述の冷媒連通管18を内蔵し、前記外壁部502から当該冷媒連通管18への輻射熱を遮る熱シ−ルド(図示省略)も内蔵している。又、前記連結柱部5の前記上壁部5025には、冷凍機14及び非磁性の冷媒注入口部15が設けられている。
前記冷凍機14は、その動力源は電動機であり、前記上壁部5025の上側つまり外側に位置し、前記真空容器部201内における前記冷媒容器(図示省略)内の冷媒を冷却して前記冷媒容器(図示省略)内へ連通路16を介して戻すと共に、前記真空容器部201内の前記熱シ−ルド(図示省略)を、前記真空容器部201の温度と前記冷媒容器(図示省略)の温度との中間の温度まで冷却するために設けられている。又、冷凍機14は、前記冷媒容器(図示省略)内の液冷媒2017の液面20171より高い位置に配設されている。従って、前記冷媒容器(図示省略)内の液冷媒が液化ヘリウム(He)の場合、つまり前記冷媒容器(図示省略)内の前記第1の主磁石1及び前記第2の主磁石3が液化ヘリウム(He)により極低温に冷却される超電導コイルの場合には、前記冷凍機14が前記真空容器部201内における前記冷媒容器(図示省略)内のヘリウム(He)ガスを冷却することによって液化したヘリウム(He)は、自重により前記連通路16内に入り、当該連通路16内に入った液化ヘリウムは、自重により前記冷媒容器(図示省略)内へ戻る。
前記冷媒注入口部15は、前記上壁部5025の上側つまり外側に位置し、前記真空容器部201内の前記冷媒容器(図示省略)内へ連通路17を介して注入するために設けられている。前記冷媒容器(図示省略)内の液冷媒が液化ヘリウム(He)の場合、つまり前記冷媒容器(図示省略)内の前記第1の主磁石1及び前記第2の主磁石3が超電導コイルの場合には、前記冷媒注入口部15から前記真空容器部201内における前記冷媒容器(図示省略)内へ液化ヘリウム(He)が注入される。又、前記冷媒注入口部15は、前記真空容器部201内における前記冷媒容器(図示省略)内の冷媒ガスを抜き出す場合にも使用される。
尚、前記第1のクライオスタット部2の前記真空容器部201内における前記冷媒容器(図示省略)と第2のクライオスタット部4の前記真空容器部401内における前記冷媒容器(図示省略)とは冷媒連通管18を介して連通されており、前記第1のクライオスタット部2の前記冷媒容器(図示省略)内の液冷媒は前記第2のクライオスタット部4の前記冷媒容器(図示省略)内へ前記連通管18を介して供給される。尚、前記液冷媒が液化ヘリウム(He)の場合は、当該液冷媒はその自重により前記第1のクライオスタット部2の前記冷媒容器(図示省略)内から前記第2のクライオスタット部4の前記冷媒容器(図示省略)内へ入っていく。
前記第1のクライオスタット部2の前記円形凹み20131における前記底壁部201311には、その前記球状の均一静磁場空間領域8側の面に、円板状のシム取付部材191が取り付けられている。この円板状のシム取付部材191は、前記球状の均一静磁場空間領域8の中心線6と同軸状に配設されている。又、このシム取付部材191の前記均一静磁場空間領域8側の面には多数のシム取付穴(図1参照)1911が配設されており、この多数のシム取付穴1911のうちの必要な位置のシム取付穴には、磁性片からなるシム(shim)(以下、「第1のシム」と呼称する)19111(図1参照)が着脱可能に螺着されている。
前記円形凹み20131における前記周壁部201312の内周面(前記球状の均一静磁場空間領域8側の面)に、当該周壁部201312の中心線6方向に延在(即ち、当該周壁部201312の中心線6と平行に延在)する多数のシム(以下、「第2のシム」と呼称する)202が、当該周壁部201312の全周に亘って必要な間隔で、当該周壁部201312に着脱可能に取り付けられている。
前記第2のクライオスタット部4の前記円形凹み40131における前記底壁部401311には、その前記球状の均一静磁場空間領域8側の面に、円板状のシム取付部材192が取り付けられている。この円板状のシム取付部材192は、前記球状の均一静磁場空間領域8の中心線6と同軸状に配設されている。又、このシム取付部材192には、前記第1のクライオスタット部2側の前記シム取付部材191と同様に、その前記均一静磁場空間領域8側の面には多数のシム取付穴(図示省略)が設けられており、この多数のシム取付穴のうちの必要な位置のシム取付穴には、前記第1のクライオスタット部2側の前記シム19111と同様に、磁性片からなるシム(以下、「第3のシム」と呼称する)(図示省略)が着脱可能に螺着されている。
前記円形凹み40131における前記周壁部401312の内周面(前記球状の均一静磁場空間領域8側の面)に、当該周壁部401312の中心線6方向に延在(即ち、当該周壁部401312の中心線6と平行に延在)する多数のシム(以下、「第4のシム」と呼称する)203が、当該周壁部401312の全周に亘って必要な間隔で、当該周壁部401312に着脱可能に取り付けられている。
前記第1のクライオスタット部2の前記円形凹み20131には、前記シム取付部材191、前記第1のシム19111、及び前記第2のシム202と所定の空隙gを介して第1の傾斜磁場コイル211が設けられている。この第1の傾斜磁場コイル211は、通常はX軸傾斜磁場コイルとY軸傾斜磁場コイルとZ軸傾斜磁場コイルとを絶縁材料で一体化して構成され、又、前記底壁部201311に隣接する前記熱シ−ルド(図示省略)に前記X軸傾斜磁場コイルとY軸傾斜磁場コイルとZ軸傾斜磁場コイルとによる磁界によって生じる渦電流を抑制するシ−ルドコイルを前記底壁部201311側に有している場合と当該シ−ルドコイルを有していない場合とがある。
尚、前記所定の空隙gとは、前記第1の傾斜磁場コイル211に所定の数百アンペアのパルス電流が供給された際に生じる当該第1の傾斜磁場コイル211の振動によって、当該第1の傾斜磁場コイル211が、前記第1のクライオスタット部2側の前記シム取付部材191、前記第1のシム19111、前記第2のシム202等の各部材に接触しないように確保してある空隙である。
又、図示してないが、前記第1の傾斜磁場コイル211は、前記第1のクライオスタット部2、前記第2のクライオスタット部4、及び前記連結柱部5とは非接触の支持体により、前記第2のクライオスタット部4及び前記連結柱部5と同様に据付フロア22上に取り付けられたり、振動吸収機構や振動吸収部材を介して前記連結柱部5に取り付けられたりしている。
前記第1の傾斜磁場コイル211の前記均一静磁場空間領域8側には、当該均一静磁場空間領域8に対応して第1の高周波コイル(RFコイルとも言われる)231が配設されている。
前記第2のクライオスタット部4の前記円形凹み40131には、前記シム取付部材192、前記第3のシム(図示省略)、及び前記第4のシム203と所定の空隙gを介して第2の傾斜磁場コイル212が設けられている。この第2の傾斜磁場コイル212は、通常はX軸傾斜磁場コイルとY軸傾斜磁場コイルとZ軸傾斜磁場コイルとを絶縁材料で一体化して構成され、又、前記底壁部401311に隣接する前記熱シ−ルド(図示省略)に前記X軸傾斜磁場コイルとY軸傾斜磁場コイルとZ軸傾斜磁場コイルとによる磁界によって生じる渦電流を抑制するシ−ルドコイルを前記底壁部401311側に有している場合もある。
尚、前記所定の空隙gとは、前記第2の傾斜磁場コイル212に所定の数百アンペアのパルス電流が供給された際に生じる当該第2の傾斜磁場コイル212の振動によって、当該第2の傾斜磁場コイル212が、前記第2のクライオスタット部4側の前記シム取付部材192、前記第3のシム(図示省略)、前記第4のシム203等の各部材に接触しないように確保してある空隙である。
又、図示してないが、前記第2の傾斜磁場コイル212は、前記第1のクライオスタット部2、前記第2のクライオスタット部4、及び前記連結柱部5とは非接触の支持体により、前記第2のクライオスタット部4及び前記連結柱部5と同様に据付フロア22上に取り付けられたり、振動吸収機構や振動吸収部材を介して前記連結柱部5に取り付けられたりしている。
前記第2の傾斜磁場コイル212の前記均一静磁場空間領域8側には、当該均一静磁場空間領域8に対応して第2の高周波コイル(RFコイルとも言われる)232が配設されている。
次に前記各磁石や各コイルの機能、及び前記各磁石や各コイル、シムの相対的機能について説明する。
前記第1のクライオスタット部2側の前記第1の主磁石1及び前記第2のクライオスタット部4側の前記第2の主磁石3は、両者で、前記球状均一静磁場空間領域8及びその近傍に図示矢印で示すような前記第1のクライオスタット部2から前記第2のクライオスタット部4へ向かう均一静磁場を発生する。
前記第1のクライオスタット部2側の前記第1の調整磁石91、前記第2のクライオスタット部4側の前記第2の調整磁石92、前記第1のクライオスタット部2側の前記シム取付部材191に取り付けられた第1のシム、前記第2のクライオスタット部4側の前記シム取付部材192に取り付けられた第3のシム(図示省略)、前記第1のクライオスタット部2側の前記第2のシム202、及び前記第2のクライオスタット部4側の前記第4のシム203は、それらにより、前記球状均一静磁場空間領域8における前記第1の主磁石1及び前記第2の主磁石3による均一静磁場の均一度を、前記許容誤差の数ppmまで上げるものである。
次に、この発明の実施の形態1の要部について、図3〜図7により説明する。
図3〜図7において、前記第2の傾斜磁場コイル212の前記第2のクライオスタット部4側の円形凹み40131内に、前記第2の傾斜磁場コイル212と同軸状に、前記第2の傾斜磁場コイル212の漏洩磁場をキャンセルする方向の磁場を発生するシ−ルドコイル24が、前記第2の傾斜磁場コイル212と一体に設けられている。
前記第2のクライオスタット部4の内側に連続的に配設された前述の熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212の側面(外周面に対し径方向に延在する面)に対応する部分251には、前記第2の傾斜磁場コイル212の径方向と略同方向に延在する側面対応スリット2521,2522,2523,2524が設けられている。
前記熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212に対応する部分251は、前記第2の傾斜磁場コイル212の形状、即ち円板状、に対応して図示のように円板状であり、前記第2の傾斜磁場コイル212と平行である。以下、前記熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212に対応する部分251は、「熱シ−ルド円板部分」と呼称する。前記熱シ−ルド円板部分251の径は、前記第2の傾斜磁場コイル212の径及び前記第2のクライオスタット部4の前記円形凹み40131の底壁部401311の径の何れよりも大きく、前記第2の主磁石3の径よりは小さい。
前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524は、前記熱シ−ルド円板部分251における前記第2の傾斜磁場コイル212の漏洩磁場が集中する部分に設けられ、当該漏洩磁場によって前記熱シ−ルド円板部分251に流れようとする渦電流をカットして当該渦電流の発生を阻止するように、図4に示すように、前記熱シ−ルド円板部分251の内周部分から外周部分に至る連続スリットとしてある。
又、前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524は、前述のように前記第2の傾斜磁場コイル212の漏洩磁場が集中する部分に設けられるので、略90度の間隔を隔てて配設されている。
又、前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524から、前記第2のクライオスタット部4の外壁部(つまり、前記底壁部401311や周壁部401312)からの輻射熱による熱侵入が行われるの阻止する為、前記側面対応スリット2521は短冊状の絶縁部材25211を介して短冊状の熱シ−ルド部材25212によって覆われ、前記側面対応スリット2522は短冊状の絶縁部材25221を介して短冊状の熱シ−ルド部材25222によって覆われ、前記側面対応スリット2523は短冊状の絶縁部材25231を介して短冊状の熱シ−ルド部材25232によって覆われ、前記側面対応スリット2524は短冊状の絶縁部材25241を介して短冊状の熱シ−ルド部材25242によって覆われている。
尚、絶縁部材25211,25221,25231,25241は、前記熱シ−ルド円板部分251の前記第2の傾斜磁場コイル212と反対側の面に接着剤等で固着されている。前記短冊状の熱シ−ルド部材25212,25222,25232,25242は、対応する前記絶縁部材25211,25221,25231,25241の前記第2の傾斜磁場コイル212と反対側の面に接着剤等で固着されている。
前記第2のクライオスタット部4の内側に連続的に配設された前述の熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212の外周面に対応する部分253には、中心線の方向と略同方向延在する周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534cが径方向漏洩磁場の最も大きい部分に密に設けられ、周面対応スリット253dが漏洩磁場の最も大きい部分以外の部分に疎に設けられている。
前記熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212の外周面に対応する部分253は、前記円形凹み40131の周壁部401312、前記第2の傾斜磁場コイル212、及び前記シ−ルドコイル24と同心状に配設されている。以下、前記熱シ−ルド25の前記第2の傾斜磁場コイル212の外周面に対応する部分253は、「熱シ−ルド円筒部分」と呼称する。
前記熱シ−ルド円筒部分253は、前記第2の傾斜磁場コイル212と前記シ−ルドコイル24との境界部分に対応している。前記第2の傾斜磁場コイル212と前記シ−ルドコイル24との境界部分においては両コイル212,24の径方向の磁場は同一方向となり、径方向の漏洩磁場が他の部分より大きい領域Aが生じ、この径方向の漏洩磁場が大きい領域Aに、前記円形凹み40131を設けた構造上、前記熱シ−ルド円筒部分253が位置する。
径方向の漏洩磁場が大きい領域Aにおいては、前記中心線6の方向に見た場合、図4における前記周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534cを設けた部分が径方向の漏洩磁場が最も大きい部分である。従って、径方向の漏洩磁場が最も大きい部分においては、図示のように、前記周面対応スリット2531a,2531b,2531cを密に隣接配置し、同様に前記周面対応スリット2532a,2532b,2532cを、前記周面対応スリット2533a,2533b,2533cを夫々密に隣接配置し、前記径方向の最も大きい漏洩磁場による渦電流を効果的にカットするようにしてある。また、前記傾斜磁場コイル212の周面の中心線の方向と略同方向の長さより前記周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dの前記中心線の方向と略同方向の長さを長くし、漏洩磁場による渦電流を効果的にカットするようにしてある。
前記径方向の漏洩磁場が最も大きい部分以外の部分では、前記径方向の漏洩磁場は存在するが比較的小さいので、図4のように前記周面対応スリット253dを、1個づつ間隔を隔てて配置してある。
又、図5に示すように、前記周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dは、前記熱シ−ルド円筒部分253の前記熱シ−ルド円板部分251との境界部分から前記熱シ−ルド円板部分251と反対側の端面まで全長に亘って前記中心線6と平行に延在している。
又、図4に示すように、前記熱シ−ルド円筒部分253における漏洩磁場の強い部分と前記熱シ−ルド円板部分251における漏洩磁場の強い部分とは、周方向にの位置において一致するので、前記周面対応スリット2531aと前記側面対応スリット2521とは一連のスリットとしてあり、同様に、前記周面対応スリット2532aと前記側面対応スリット2522、前記周面対応スリット2533aと前記側面対応スリット2523、前記周面対応スリット2534aと前記側面対応スリット2524、とは夫々一連のスリットとしてある。
又、図4に示すように、前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524と同様に、前記周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dから、前記第2のクライオスタット部4の外壁部(つまり、前記底壁部401311や周壁部401312)からの輻射熱による熱侵入が行われるのを阻止する為、前記周面対応スリット2531a,2531b,2531cは短冊状の絶縁部材25311を介して短冊状の熱シ−ルド部材25312によって覆われ、前記周面対応スリット2532a,2532b,2532cは短冊状の絶縁部材25321を介して短冊状の熱シ−ルド部材25322によって覆われ、前記周面対応スリット2533a,2533b,2533cは短冊状の絶縁部材25331を介して短冊状の熱シ−ルド部材25332によって覆われ、前記周面対応スリット2534a,2534b,2534cは短冊状の絶縁部材25341を介して短冊状の熱シ−ルド部材25342によって覆われ、前記各周面対応スリット253dは短冊状の絶縁部材25351を介して短冊状の熱シ−ルド部材25322によって覆われている。
尚、絶縁部材25311,25321,25331,25341,25351は、前記熱シ−ルド円筒部分253の前記第2の傾斜磁場コイル212と反対側の面に接着剤等で固着されている。前記短冊状の熱シ−ルド部材25312,25322,25332,25342,25352は、対応する前記絶縁部材25311,25321,25331,25341,25351の前記第2の傾斜磁場コイル212と反対側の面に接着剤等で固着されている。
次いで、前記熱シ−ルド円板部分251における前記第2の傾斜磁場コイル212の漏洩磁場の集中と前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524の位置との関係を図6により説明する。
前記第2の傾斜磁場コイル212は、図6に示すように、X軸傾斜磁場コイル212xとY軸傾斜磁場コイル212yとZ軸傾斜磁場コイル212zとを重積して一つの傾斜磁場コイルとして構成されている。前記X軸傾斜磁場コイル212xは相隣る一対のコイル212xa,212xbで構成され、前記Y軸傾斜磁場コイル212yも相隣る一対のコイル212ya,212ybで構成され、前記Z軸傾斜磁場コイル212zは1つのコイルで構成されている。
前記X軸傾斜磁場コイル212xの前記一対のコイル212xa,212xbの配列方向と、前記Y軸傾斜磁場コイル212yの前記一対のコイル212ya,212ybの配列方向とは、図6に示すように90度ずらしてある。従って、前記X軸傾斜磁場コイル212xと前記Z軸傾斜磁場コイル212zとによる漏洩磁場は、図6における前記熱シ−ルド円板部分251の側面対応スリット2522,2524の部分に集中し、前記Y軸傾斜磁場コイル212yと前記Z軸傾斜磁場コイル212zとによる漏洩磁場は、図6における前記熱シ−ルド円板部分251の側面対応スリット2521,2523の部分に集中する。
又、当該集中する部分においては、前記第2の傾斜磁場コイル212と前記シ−ルドコイル24との境界部分では前記第2の傾斜磁場コイル212の径方向の漏洩磁場と前記シ−ルドコイル24の径方向の磁場とが同じ方向であるので、当該集中する部分での径方向の漏洩磁場は最大となるので、当該集中する部分に周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534cを密に配設してある。換言すれば、前記周面対応スリットの数を前記漏洩磁場の小さい部分より前記漏洩磁場の大きい部分の方を多くしてある。又、同様な観点で、前記周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dの数を前記側面対応スリット2521,2522,2523,2524の数より多くしてある。
従って、前記X軸傾斜磁場コイル212xと前記Y軸傾斜磁場コイル212yと前記Z軸傾斜磁場コイル212zとにより漏洩磁場が集中する場所に、前述の渦電流カット用の側面対応スリット2521,2522,2523,2524を設ければ、当該漏洩磁場による前記熱シ−ルド円板部分251における渦電流の発生を効果的に阻止でき、又、当該場所に渦電流カット用の周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534cを密に設ければ、前記熱シ−ルド円筒部分253における渦電流の発生を効果的に阻止できる。例えば、図7に示すように、前述のような渦電流カット用の側面対応スリット2521,2522,2523,2524、周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dを設けない場合には傾斜磁場が一点鎖線のように乱れていたのが、前述のような渦電流カット用の側面対応スリット2521,2522,2523,2524、周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dを設ければ、一点鎖線のような乱れは無くなる。
従って、前述の特許文献1のようにシ−ルドコイルに依存して、傾斜磁場コイルの漏洩磁束を零に近づける場合のように、傾斜磁場の直線性や、傾斜磁場コイルの主磁場の発生効率の低下を招き、ひいては傾斜磁場コイルに、より大きなパルス電流を流さなければならなくなり、より大きなパルス電流を流す為にはパルス電流源を大容量化しなければならなくなり、又、より大きなパルス電流を流せば、傾斜磁場コイルの振動がより大きくなり、振動音もより大きくなる等の問題は、前述のような渦電流カット用の側面対応スリット2521,2522,2523,2524を前記熱シ−ルド円板部分251に設けることにより無くなる。
又、観点を変えれば、前述のような渦電流カット用の側面対応スリット2521,2522,2523,2524を前記熱シ−ルド円板部分251に設けることにより、傾斜磁場コイルの漏洩磁場を大きくすることができるので傾斜磁場コイルの傾斜磁場発生効率がよくなり、従って、傾斜磁場コイルの通電電流を小さくでき、その結果、傾斜磁場コイル用電源の小容量化、低廉化ができる上、傾斜磁場コイルの振動も軽減され傾斜磁場コイルの固定構造が小型化しその取り付けも容易になり、更には、傾斜磁場コイルの振動音も軽減されることになり、被検者の恐怖感や不快感を軽減できる。
又、クライオスタットに設けた凹み40131に傾斜磁場コイル212を位置させたタイプにおいても、前記熱シ−ルド円筒部分253に周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dを設ければ、前記径方向の漏洩磁場による前記熱シ−ルド円筒部分253における渦電流をカットできるので、傾斜磁場の歪の発生を抑制できる。
実施の形態2.
以下、この発明の実施の形態2を図8及び図9により説明する。図8は要部の平面図、図9は図8のIX−IX線に置ける断面を矢印の方向に見た縦断側面図である。尚、図8及び図9において、図1〜図7と同一又は相当部分には同一符号を付してある。また、この発明の実施の形態2の説明は、前述のこの発明の実施の形態1と異なる点を主体に説明する。
以下、この発明の実施の形態2を図8及び図9により説明する。図8は要部の平面図、図9は図8のIX−IX線に置ける断面を矢印の方向に見た縦断側面図である。尚、図8及び図9において、図1〜図7と同一又は相当部分には同一符号を付してある。また、この発明の実施の形態2の説明は、前述のこの発明の実施の形態1と異なる点を主体に説明する。
この発明の実施の形態2は、図8及び図9に示すように、周面対応スリット2531a,2531b,2531c,2532a,2532b,2532c,2533a,2533b,2533c,2534a,2534b,2534c,253dを、前記熱シ−ルド円筒部分253から更に第2のクライオスタット部4の円形壁部4015まで延在させた事例であり、前述のこの発明の実施の形態1より渦電流のカットがより充分に行われる。尚、図8及び図9においては、周面対応スリット2531a,2531b,2531cのみ図示し、他の周面対応スリットや側面対応スリットについては図示省略してある。
なお、前述の図3〜図6、図8及び図9においては、何れも第2のクライオスタット部4側について図示して説明し、第1のクライオスタット部2側については図示及び説明を割愛したが、第1のクライオスタット部2側についても、図3〜図6、及び図8〜図12において図示した構造と実質的に同じ構造、同じ機能としてある。
1 第1の主磁石、
2 第1のクライオスタット部、
201 真空容器部、
2011 円筒部、
2012 端壁部、
2013 端壁部、
20131 円形凹み、
201311 底壁部、
201312 周壁部、
2014 端壁部、
2015 円形壁部、
2016 ド−ナツ状凹み、
2017 液冷媒、
20171 液冷媒の液面、
3 第2の主磁石、
4 第2のクライオスタット部、
401 真空容器部、
4011 円筒部、
4012 端壁部、
4013 端壁部、
40131 円形凹み、
401311 底壁部、
401312 周壁部、
4014 周壁部、
4015 円形壁部、
4016 ド−ナツ状凹み、
5 連結柱部、
501 支持骨部、
5011 前部支柱部、
5012 後部支柱部、
5013 端部支柱部、
5014 端部支柱部、
502 外壁部、
5021 前壁部、
5022 後壁部、
5023 端壁部、
5024 端壁部、
5025 上壁部、
5026 底壁部、
6 中心(中心線)、
7 空間、
71 被者用ベッド、
8 均一静磁場空間領域、
91 第1の調整磁石、
92 第2の調整磁石、
10 外域磁場打消磁石、
11 外域磁場打消磁石、
12 外域磁場打消磁石、
13 外域磁場打消磁石、
14 冷凍機、
15 冷媒注入口部、
16 連通路、
17 連通路、
18 連通管、
191 シム取付部材、
1911 シム取付穴
19111 第1のシム、
192 シム取付部材、
202 第2のシム、
203 第4のシム、
211 第1の傾斜磁場コイル、
212 第2の傾斜磁場コイル、
212x X軸傾斜磁場コイル、
212y Y軸傾斜磁場コイル、
212z Z軸傾斜磁場コイル、
22 据付フロア、
231 第1の高周波コイル、
232 第2の高周波コイル
24 シ−ルドコイル、
25 熱シ−ルド、
251 熱シ−ルドの傾斜磁場コイルに対応する部分(熱シ−ルド円板部分)、
2521 側面対応スリット、
2521a 側面対応スリット、
2521b 側面対応スリット、
2521c 側面対応スリット、
25211 絶縁部材、
25212 熱シ−ルド部材、
2522 側面対応スリット、
2522a 側面対応スリット、
2522b 側面対応スリット、
2522c 側面対応スリット、
25221 絶縁部材、
25222 熱シ−ルド部材、
2523 側面対応スリット、
2523a 側面対応スリット、
2523b 側面対応スリット、
2523c 側面対応スリット、
25231 絶縁部材、
25232 熱シ−ルド部材、
2524 側面対応スリット、
2524a 側面対応スリット、
2524b 側面対応スリット、
2524c 側面対応スリット、
25241 絶縁部材、
25242 熱シ−ルド部材、
253 熱シ−ルド円筒部分、
2531a 周面対応スリット、
2531b 周面対応スリット、
2531c 周面対応スリット、
25311 絶縁部材、
25312 熱シ−ルド部材、
2532a 周面対応スリット、
2532b 周面対応スリット、
2532c 周面対応スリット、
25321 絶縁部材、
25322 熱シ−ルド部材、
2533a 周面対応スリット、
2533b 周面対応スリット、
2533c 周面対応スリット、
25331 絶縁部材、
25332 熱シ−ルド部材、
2534a 周面対応スリット、
2534b 周面対応スリット、
2534c 周面対応スリット、
25341 絶縁部材、
25342 熱シ−ルド部材、
253d 周面対応スリット、
25351 絶縁部材、
25352 熱シ−ルド部材。
2 第1のクライオスタット部、
201 真空容器部、
2011 円筒部、
2012 端壁部、
2013 端壁部、
20131 円形凹み、
201311 底壁部、
201312 周壁部、
2014 端壁部、
2015 円形壁部、
2016 ド−ナツ状凹み、
2017 液冷媒、
20171 液冷媒の液面、
3 第2の主磁石、
4 第2のクライオスタット部、
401 真空容器部、
4011 円筒部、
4012 端壁部、
4013 端壁部、
40131 円形凹み、
401311 底壁部、
401312 周壁部、
4014 周壁部、
4015 円形壁部、
4016 ド−ナツ状凹み、
5 連結柱部、
501 支持骨部、
5011 前部支柱部、
5012 後部支柱部、
5013 端部支柱部、
5014 端部支柱部、
502 外壁部、
5021 前壁部、
5022 後壁部、
5023 端壁部、
5024 端壁部、
5025 上壁部、
5026 底壁部、
6 中心(中心線)、
7 空間、
71 被者用ベッド、
8 均一静磁場空間領域、
91 第1の調整磁石、
92 第2の調整磁石、
10 外域磁場打消磁石、
11 外域磁場打消磁石、
12 外域磁場打消磁石、
13 外域磁場打消磁石、
14 冷凍機、
15 冷媒注入口部、
16 連通路、
17 連通路、
18 連通管、
191 シム取付部材、
1911 シム取付穴
19111 第1のシム、
192 シム取付部材、
202 第2のシム、
203 第4のシム、
211 第1の傾斜磁場コイル、
212 第2の傾斜磁場コイル、
212x X軸傾斜磁場コイル、
212y Y軸傾斜磁場コイル、
212z Z軸傾斜磁場コイル、
22 据付フロア、
231 第1の高周波コイル、
232 第2の高周波コイル
24 シ−ルドコイル、
25 熱シ−ルド、
251 熱シ−ルドの傾斜磁場コイルに対応する部分(熱シ−ルド円板部分)、
2521 側面対応スリット、
2521a 側面対応スリット、
2521b 側面対応スリット、
2521c 側面対応スリット、
25211 絶縁部材、
25212 熱シ−ルド部材、
2522 側面対応スリット、
2522a 側面対応スリット、
2522b 側面対応スリット、
2522c 側面対応スリット、
25221 絶縁部材、
25222 熱シ−ルド部材、
2523 側面対応スリット、
2523a 側面対応スリット、
2523b 側面対応スリット、
2523c 側面対応スリット、
25231 絶縁部材、
25232 熱シ−ルド部材、
2524 側面対応スリット、
2524a 側面対応スリット、
2524b 側面対応スリット、
2524c 側面対応スリット、
25241 絶縁部材、
25242 熱シ−ルド部材、
253 熱シ−ルド円筒部分、
2531a 周面対応スリット、
2531b 周面対応スリット、
2531c 周面対応スリット、
25311 絶縁部材、
25312 熱シ−ルド部材、
2532a 周面対応スリット、
2532b 周面対応スリット、
2532c 周面対応スリット、
25321 絶縁部材、
25322 熱シ−ルド部材、
2533a 周面対応スリット、
2533b 周面対応スリット、
2533c 周面対応スリット、
25331 絶縁部材、
25332 熱シ−ルド部材、
2534a 周面対応スリット、
2534b 周面対応スリット、
2534c 周面対応スリット、
25341 絶縁部材、
25342 熱シ−ルド部材、
253d 周面対応スリット、
25351 絶縁部材、
25352 熱シ−ルド部材。
Claims (8)
- それぞれ環状の主磁石を内蔵し均一静磁場空間領域を介して対向配置されそれぞれ内部に外部からの熱侵入を防ぐ熱シ−ルドが配設されていると共に前記均一静磁場空間領域側に当該均一静磁場空間領域に対向する略円形の凹みをそれぞれ有する第1及び第2のクライオスタット部、及び前記凹み内に位置し前記均一静磁場空間領域における磁場を任意の傾斜磁場とする円板状の第1及び第2の傾斜磁場コイルを備えた磁石装置において、前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの周面に対応する部分における当該前記傾斜磁場コイルの漏洩磁場が大きい部分に周面対応スリットを設けたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項1に記載の磁石装置において、前記周面対応スリットを、前記熱シ−ルドに前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの漏洩磁場の大きい場所に対応して略90度毎に設けたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項1に記載の磁石装置において、前記周面対応スリットの数を前記漏洩磁場の小さい部分より前記漏洩磁場の大きい部分の方を多くしたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項1に記載の磁石装置において、前記傾斜磁場コイルの周面の中心線の方向と略同方向の長さより前記周面対応スリットの前記中心線の方向と略同方向の長さを長くしたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項1に記載の磁石装置において、前記周面対応スリットを、前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの中心線と略同方向に延在するスリットとし、更に前記熱シ−ルドの前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの径方向に延在する側面に対応する部分に前記第1及び第2の傾斜磁場コイルの径方向と略同方向に延在する側面対応スリットを設けたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項6に記載の磁石装置において、前記周面対応スリットの数を前記側面対応スリットの数より多くしたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項6に記載の磁石装置において、漏洩磁場の大きい部分における前記周面対応スリットと前記側面対応スリットとを一連のスリットとしたことを特徴とする磁石装置。
- 請求項1〜請求項7の何れか一に記載の磁石装置を備えた磁気共鳴イメ−ジング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003434781A JP2005185784A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 磁石装置及び磁気共鳴イメ−ジング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003434781A JP2005185784A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 磁石装置及び磁気共鳴イメ−ジング装置 |
Publications (1)
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007061528A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Hitachi Ltd | 磁気共鳴イメージング装置 |
JP2011200348A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Hitachi Ltd | 超電導磁石装置及び磁気共鳴イメージング装置 |
CN103732137A (zh) * | 2011-08-09 | 2014-04-16 | 日立金属株式会社 | 线圈装置和磁共振成像装置 |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003434781A patent/JP2005185784A/ja active Pending
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US9664757B2 (en) | 2011-08-09 | 2017-05-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Coil device and magnetic resonance imaging apparatus |
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