JP2005184838A - バイアス回路を一体化した金属酸化膜半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ICデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するMOSデバイスを備え、ゲート端子はICデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はICデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ICデバイスは、さらに、MOSデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、MOSデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および/またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および/またはバイアス電流がMOSデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、MOSデバイスの1つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。
【選択図】図3
Description
本発明のこれらおよび他の特徴および利点は、その例示的実施形態についての以下の詳細な説明を添付の図面と共に読めば明らかになるであろう。
Claims (10)
- 第1トランジスタに結合可能で、前記第1トランジスタ内でほぼ一定の動作静止点を維持するための半導体デバイスであって、
前記第1トランジスタに動作可能に結合され、それと一体化されたバイアス発生器を備え、
前記バイアス発生器は、前記第1トランジスタにほぼ一定の動作静止点でバイアスをかけるバイアス出力を発生し、前記バイアス出力が前記第1トランジスタの接合温度の関数として変化するように構成される、半導体デバイス。 - ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子を備え、前記ゲート端子が前記ICデバイスの入力部に動作可能に結合され、前記ドレイン端子が前記ICデバイスの出力部に動作可能に結合され、前記ソース端子が負電圧供給源に結合された、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタ・デバイスと、
前記MOSデバイスの前記ゲート端子に動作可能に結合され、ほぼ一定の動作静止点で前記MOSデバイスにバイアスをかけるバイアス出力を発生し、前記バイアス出力が前記MOSデバイスの接合温度の関数として変化するように構成された、バイアス発生器とを備える、集積回路(IC)デバイス。 - 前記バイアス発生器が、前記MOSトランジスタ・デバイスに動作可能に結合され、前記MOSトランジスタ・デバイス中の静止電流のある割合にほぼ一致する基準電流を発生するカレント・ミラーを備え、前記バイアス発生器は、前記基準電流が前記MOSトランジスタ・デバイスの1つまたは複数の動作条件の変動に対してほぼ一定になるように、前記バイアス出力を調節するように構成される、請求項2に記載のICデバイス。
- 前記バイアス発生器が、前記MOSトランジスタ・デバイスに動作可能に結合された基準トランジスタを備え、前記基準トランジスタおよび前記MOSトランジスタ・デバイスがカレント・ミラー構成になされ、前記基準トランジスタ中の基準電流と前記MOSトランジスタ・デバイス中の静止電流の比がほぼ一定である、請求項2に記載のICデバイス。
- 前記バイアス発生器が、前記基準トランジスタに動作可能に結合され、前記基準電流を発生するように構成された電流源をさらに備え、前記バイアス発生器が、ほぼ一定の基準電流を維持するために前記バイアス出力を変化させるように動作可能である、請求項4に記載のICデバイス。
- バイアス発生器が、
ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子を備え、前記ゲート端子および前記ソース端子がそれぞれ前記MOSトランジスタ・デバイスのゲート端子およびソース端子に接続され、前記ドレイン端子がほぼ一定の電流源に接続されている第2トランジスタと、
ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子を備え、前記ゲート端子が前記第2トランジスタの前記ドレイン端子に接続され、前記ソース端子が前記第2トランジスタの前記ゲート端子に接続され、前記ドレイン端子が正電圧供給源に接続された第3トランジスタであって、前記第1トランジスタおよびMOSトランジスタ・デバイスのゲート端子でバイアス出力を供給するように構成され、それによって前記MOSトランジスタ・デバイスの1つまたは複数の動作条件の変動に対して前記MOSトランジスタ・デバイス中でほぼ一定の静止電流を維持するように前記バイアス出力を調節する第3トランジスタとを備える、請求項2に記載のICデバイス。 - 前記ICデバイスの入力部と前記MOSトランジスタ・デバイスの前記ゲート端子の間に動作可能に結合された入力インピーダンス整合回路と、
前記MOSトランジスタ・デバイスの前記ドレイン端子と前記ICデバイスの出力部の間に動作可能に結合された出力インピーダンス整合回路との少なくとも一方をさらに備える、請求項2に記載のICデバイス。 - 前記バイアス発生器と前記MOSトランジスタ・デバイスの前記ゲート端子の間に結合されたフィルタ回路であって、前記バイアス発生器によって発生され前記バイアス出力中に存在する可能性のある所望のカットオフ周波数より高い周波数成分をほぼ取り除くように構成され得るフィルタ回路をさらに備える、請求項2に記載のICデバイス。
- 前記バイアス発生器が、基準電圧または基準電流の少なくとも一方を受け取るための入力部を備え、前記基準電圧または前記基準電流の少なくとも一方に応答して前記MOSトランジスタ・デバイス中の静止電流を制御する、請求項2に記載のICデバイス。
- ほぼ一定の動作静止点を有する離散的トランジスタ・デバイスを形成する方法であって、
前記トランジスタ・デバイスの接合温度を検出する工程と、
前記トランジスタ・デバイスにバイアス出力を発生する工程と、
前記トランジスタ・デバイスの検出された接合温度に応答して、前記トランジスタ・デバイスの1つまたは複数の動作条件の変動に対して前記トランジスタ・デバイス中でほぼ一定の動作静止点を維持するように前記バイアス出力を変化させる工程とを含む、方法。
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