JP2005181988A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】液晶表示装置でEMI遮蔽用シールドを具備するためにカラーフィルター基板のブラックマトリックスを利用して工程が単純で液晶パネルのEMI特性が改善される液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第1基板の画像表示領域に対応する第2基板上のアクティブ領域内所定部分とアクティブ領域の周辺部に形成されるブラックマトリックスと;ブラックマトリックスと所定間隔分離されて形成されるブラックマトリックスアイランドと;アクティブ領域に形成される赤、緑、青のカラーフィルターと;ブラックマトリックス及びブラックマトリックスアイランド上に形成されるオーバーコート層と;オーバーコート層上に形成される共通電極と;ブラックマトリックスと連結される第1銀接点及びブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2銀接点;を含んで構成される。
【選択図】図5A

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に電磁妨害(EMI)を防止する構造を有する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
一般に、画像情報を画面に示すディスプレー装置のうちからブラウン管表示装置(CRT)がいままで最も多く使われてきたが、これは表示面積に比べて容積が大きくて重いため使用に際し多くの不便さがあった。
今日、電子産業の発達と共にTVブラウン管などに制限的に使われたディスプレー装置が個人用コンピューター、ノートブック、無線端末機、自動車計器板、電光板などにまで拡大使用されている。
また、情報通信技術の発達と共に大容量の画像情報を伝送できるようになるによってこれを処理して具現することができる次世代ディスプレー装置の重要性が大きくなっている。
このような次世代ディスプレー装置は軽薄短小、高輝度、大画面、低電力消耗及び低価格化を実現できなければならないが、そのうち一つで最近に液晶表示装置が注目を集めている。
前記液晶表示装置(LCD)は表示解像度が他の平板表示装置より優れて、動画像を具現する時その品質がブラウン管に比べて反応速度が速い特性を示している。
一般に液晶表示装置は一面に電極がそれぞれ形成されている両基板を両電極が形成されている面が向かい合うように配置して両基板間に液晶物質を注入し、次に、両電極に電圧を印加して生成される電界により液晶分子を動かすことによって、これにより変化する光の透過率により画像を表現する装置である。
液晶表示装置は多様な形態で構成されることができるが、現在薄膜トランジスタと薄膜トランジスタに連結された画素電極がマトリックス方式で配列されるアクティブマトリックス液晶表示装置(AM−LCD)が解像度及び動画映像表現能力が優秀であって最も注目を集めている。
図1は、一般的な液晶表示装置の一部を示した断面図である。
示したように、液晶表示装置は下部のアレイ基板110と上部のカラーフィルター基板120、そして両基板110、120間に挿入されている液晶層130で構成される。
前記アレイ基板110は透明な第1基板111上に金属のような導電物質からなるゲート電極112が形成されていて、その上にシリコン窒化膜(SiNx)やシリコン酸化膜(SiO)で構成されたゲート絶縁膜113がゲート電極112を覆っている。
前記ゲート電極112上部のゲート絶縁膜113上には非晶質シリコンで構成されたアクティブ層114が形成されており、その上に不純物がドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層115が形成されている。
前記オーミックコンタクト層115上部には金属のような導電物質からなるソース及びドレイン電極116a、116bが形成されているが、ソース及びドレイン電極116a、116bはゲート電極112と共に薄膜トランジスタTを形成する。
図示しなかったが、ゲート電極112はゲート配線と連結されていて、ソース電極116aはデータ配線と連結されていており、ゲート配線とデータ配線は相互に直交して画素領域を定義する。
続いて、ソース及びドレイン電極116a、116b上にはシリコン窒化膜やシリコン酸化膜または有機絶縁膜で構成された保護層117が形成されており、保護層117はドレイン電極116bを露出するコンタクトホール117cを有する。
前記保護層117上部の画素領域には透明導電物質からなる画素電極118が形成されていて、画素電極118はコンタクトホール117cを介してドレイン電極116bと連結されている。
次に、カラーフィルター基板120は第1基板111と一定間隔を有して離隔されていて透明な第2基板121を含んで、第2基板121の内側面にはブラックマトリックス122が薄膜トランジスタTと対応する位置に形成されている。図示しなかったがブラックマトリックス122は画素電極118と対応する部分に開口部を有して基板全面に形成されている。
したがって、ブラックマトリックス122は画素電極118以外の部分で液晶分子がチルトされて発生する光漏れ現象を遮っており、また薄膜トランジスタTのチャネル部に光が入射することを遮断して、光漏れ電流が発生することを防止する役割をする。
続いて、ブラックマトリックス122下部にはカラーフィルター123が形成されているが、カラーフィルター123は赤、緑、青の色が次々と繰り返されていており、一つの色が一つの画素電極118と対応する。
カラーフィルター123下部には透明な導電物質からなる共通電極124が形成されている。
このような液晶表示装置は薄膜トランジスタと画素電極を形成するアレイ基板製造工程とカラーフィルターと共通電極を形成するカラーフィルター基板製造工程、そして製造された両基板の配置と液晶物質の注入及び封じ、そして偏光板付着で構成された液晶セル()工程により形成される。
このような液晶表示装置はアレイ基板110に画素電極118が形成されていてカラーフィルター基板120に共通電極124が形成されている構造であって、上下にかかる基板に垂直な方向の電界により液晶分子を駆動する方式である。
図2は、従来の液晶表示装置のカラーフィルター基板の一部領域を概略的に透視した平面図である。
ただし、これはカラーフィルター基板の一側隅部を図示している。
図1を参照すると、カラーフィルター基板はアレイ基板上に形成された画像表示領域に対応するアクティブ領域Aがあって、前記アクティブ領域周辺に各種部品との電気的信号の印加のための領域がある。
前記カラーフィルター基板にはカラーフィルターパターンのセル間及び前記アクティブ領域A周辺の光遮断の役割をするブラックマトリックス122が形成されている。
また、前記ブラックマトリックス122上のアクティブ領域には赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルター123パターンが次々と形成されており、前記カラーフィルター223パターンが形成された基板上に絶縁及び平坦化の役割をするオーバーコート層130を所定厚さに塗布する。
続いて、オーバーコート層130上には下部のTFT基板に形成される画素電極と共に液晶セルを動作させるための共通電極124を形成する。
そして、下部基板のパッド部から前記共通電極124に信号を印加するために共通電極銀接点(Ag dot)142を前記ブラックマトリックス122上部に形成された共通電極124と接する位置に形成させる。
図3は、図2でI−I'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図である。
図3を参照すると、先に言及したように、カラーフィルター基板は透明な絶縁基板121上にブラックマトリックス122が形成されていて、その上に赤、緑、青のカラーフィルター123が次々と形成されており、その上にオーバーコート層130及び共通電極124が形成されている。
ここで、前記共通電極銀接点142は前記ブラックマトリックス122上部に形成された共通電極124と接する位置に形成される。これは透過率と開口率などの特性が優秀であり、上板の共通電極124が接地の役割をするようになって静電気による液晶セルの破壊を防止することができる。
しかし、従来構造による液晶表示装置の場合、画像を表示するための信号印加時に非常に迅速な電気的変化が発生するため非常に大きい電磁波、すなわちEMIが発生するようになる。
ここで、EMIとは電磁波による干渉を意味する。
通常的に電磁波は無線通信やレーダー等のように電磁波それ自体を有効に利用する場合もあるが、各種電子装置の回路内部で付随的に発生した意図しない電磁波はその電子装置自体やまたは他の電子装置の動作に影響を及ぼしてその動作を妨害して誤動作を起こすようにすることもできる。
そして、このような電磁波成分は空間に放射されたりまたは金属線を介して伝導されて液晶表示装置の画面や音声の質を落とす影響を与えることができる。
したがって、液晶表示装置でEMIを遮蔽できる構造を形成する必要がある。
本発明は液晶表示装置でEMI遮蔽用シールドを具備するカラーフィルター基板のブラックマトリックスを利用して工程が単純で液晶パネルのEMI特性が改善される液晶表示装置及びその製造方法を提供することに目的がある。
また、本発明はカラーフィルター基板の所定領域に形成されたブラックマトリックスをEMI遮蔽用シールドとして用いることにより、前記所定のブラックマトリックスと銀接点(Ag dot)が電気的に連結して素子内部で発生する電磁波がブラックマトリックス及び銀接点を介して外部グラウンドに排出する液晶表示装置及びその製造方法を提供することに目的がある。
前記目的を達成するために本発明の第1実施例による液晶表示装置は、一定間隔離隔されている第1基板及び第2基板と;前記第1基板及び第2基板間に注入される液晶層で構成される。
前記第1基板の画像表示領域に対応する前記第2基板上のアクティブ領域内所定部分と前記アクティブ領域の周辺部に形成されるブラックマトリックスと;前記ブラックマトリックスと所定間隔分離されて形成されるブラックマトリックスアイランドと;前記アクティブ領域に形成される赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターと;前記ブラックマトリックス及びブラックマトリックスアイランド上に形成されるオーバーコート層と;前記オーバーコート層上に形成される共通電極と;前記ブラックマトリックスと連結される第1銀接点及び前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2銀接点と;を含んで構成されることを特徴とする。
また、本発明の第2実施形態による液晶表示装置は、一定間隔離隔されている第1基板及び第2基板と;前記第1基板及び前記第2基板間に注入されている液晶層で構成されており、
前記第1基板の画像表示領域に対応する前記第2基板上のアクティブ領域内所定部分と前記アクティブ領域の周辺部に形成されるブラックマトリックスと;前記非アクティブ領域上に形成されて前記ブラックマトリックスと分離されるブラックマトリックスアイランドと;前記ブラックマトリックスとブラックマトリックスアイランド上に形成される赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターと;前記カラーフィルター上に形成される共通電極と;前記ブラックマトリックスと連結される第1銀接点、前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2銀接点と;を含んで構成されることを特徴とする。
本発明は液晶表示装置の製造においてEMI遮蔽用シールドをブラックマトリックスを利用して形成させることによって電磁波から装置を保護する効果がある。
また、本発明は別途のEMI遮蔽用シールドを用いることなくブラックマトリックスを用いて製造原価を節減する効果があるだけでなく、カラーフィルターレジンを利用してブラックマトリックスと共通電極を絶縁させることによって工程を単純化して製造収率を向上させる効果がある。
以下、添付した図面を参照にして本発明の具体的な実施形態に対して詳細に説明する。
図4は、本発明による液晶表示装置の第2基板の一部領域を概略的に透視する平面図である。
ただし、これは第2基板の一側隅部を図示している。
本発明による液晶表示装置はアレイ基板としての第1基板と、前記第1基板に所定間隔離隔されて位置するカラーフィルター基板としての第2基板と、前記第1基板及び第2基板間に形成される液晶層で構成される。
特に本発明は前記第2基板の所定領域に形成されたブラックマトリックスをEMI遮蔽用シールドとして用いることにより、前記ブラックマトリックスと銀接点(Ag dot)が電気的に連結して素子内部で発生する電磁波が前記ブラックマトリックス及び銀接点を介して外部グラウンドに排出するようにすることを特徴とする。
図4を参照すると、カラーフィルター基板(第2基板)は第1基板(アレイ基板)上に形成された画像表示領域に対応するアクティブ領域(active area)Aがあり、前記アクティブ領域周辺に各種部品との電気的信号の印加のための領域がある。
前記カラーフィルター基板にはカラーフィルターパターンのセル間及び前記アクティブ領域A周辺の光遮断の役割をするブラックマトリックス222が形成されており、前記ブラックマトリックス222の一側にはスリットにより前記ブラックマトリックス222と所定間隔離隔されたブラックマトリックスアイランド229が形成されている。
すなわち、前記ブラックマトリックスアイランド229は前記スリットによりアクティブ領域Aが形成された基板と所定間隔分離されている。
ここで、前記ブラックマトリックス222及びブラックマトリックスアイランド229はクロム(Cr)成分のような伝導性物質を含む感光性物質で構成されて低い電流が流れることができる。
これにより前記ブラックマトリックス222はEMI遮蔽用シールドとして用いることができる。
前記ブラックマトリックス222上のアクティブ領域には赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルター223パターンが次々と形成されており、前記カラーフィルター223パターンが形成された基板221上に絶縁及び平坦化役割をするオーバーコート層230を所定厚さに塗布する。
この時、前記オーバーコート層230をブラックマトリックスアイランド229まで形成されるようにする。
続いて、オーバーコート層230上には下部のTFT基板に形成される画素電極と共に液晶セルを動作させるための共通電極224を形成する。
この時、前記共通電極224はブラックマトリックスアイランド229まで形成させる。
前記共通電極224は透過性と導電性が良く化学的、熱的安定性が優秀な透明電極材料であるインジウム錫酸化物(ITO)をスパッタリングによって蒸着する。
そして、下部基板のパッド部から前記共通電極224に信号を印加するために共通電極銀接点(第2銀接点)242を前記ブラックマトリックスアイランド229上部に形成された共通電極224と接する位置に形成させる。
また、液晶表示装置の動作のうち発生するEMIを除去するために本発明の実施形態は、前記ブラックマトリックス222と電気的に連結するEMI銀接点(第1銀接点)241を前記共通電極224及びオーバーコート層230と重ならないブラックマトリックス222の上部領域に形成させて、素子内部で発生する電磁波がブラックマトリックス222及びEMI銀接点241に沿って外部グラウンドに排出させる。
このように本発明の実施形態の場合前記ブラックマトリックススリットにより前記共通電極224との電気的コンタクトのための領域(ブラックマトリックスアイランド229)と前記EMI遮蔽用シールドとして使われるブラックマトリックス222領域が分離されることによって、第1、2銀接点241、242に同一な電圧が印加されても前記領域は電気的に分離される。
図5Aないし図5Cは、図2でII−II'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図である。
図5Aを参照すると、先に言及したように、カラーフィルター基板は透明な絶縁基板221上にブラックマトリックス222が形成されていて、その上に赤、緑、青のカラーフィルター223が次々と形成されており、その上にオーバーコート層230及び共通電極224が形成されている。
ここで、カラーフィルター223は顔料分散法や染色法、印刷法などを利用して形成することができるが、このうち顔料分散法が精巧性が優れて再現性が良くて広く使われている。
図5Aに示したようにEMI銀接点(第1銀接点)241はブラックマトリックス222の所定部分と直接接触するように形成されて、前記共通電極銀接点(第2銀接点)242は前記ブラックマトリックスアイランド229上部に形成された共通電極224と接する位置に形成される。
すなわち、このように前記共通電極224との電気的コンタクトのための領域(ブラックマトリックスアイランド229)と前記EMI遮蔽用シールドとして使われるブラックマトリックス222領域が分離されることによって、前記第1、2銀接点241、242に同一な電圧が印加されても前記領域は電気的に分離される。
これにより共通電圧Vcom印加とは独立的に前記ブラックマトリックス222及び第1銀接点241を介して、素子内部で発生する電磁波を外部グラウンドに排出させることができることである。
また、図5B及び図5Cは、本発明の他の実施形態によるカラーフィルター基板の断面図であって、図5Bに示したようにブラックマトリックスアイランド229上部にオーバーコート層230の代わりにカラーフィルター223が形成されたり、図5Cに示したようにブラックマトリックスアイランド229上部にカラーフィルター223及びオーバーコート層230が次々と形成させることもできる。
図6は、図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程順を示す図である。
先に、図6Aに示したようにガラスのように透明な絶縁基板221上に開口部を有するブラックマトリックス222を形成する。
前記ブラックマトリックス222は通常的に後続して形成されるカラーフィルターパターンの赤(R)、緑(G)、青(B)パターン間に位置しており、前記ブラックマトリックス222の材質としてはクロムなどの金属薄膜や炭素系統の有機材料が使われ、低い電流が流れるようになる。
また、前記ブラックマトリックス222はEMI遮蔽用シールドで使われるためEMIを外部に排出させるために後続して形成されるEMI銀接点のための空間を確保し、共通電極に信号を印加する共通電極銀接点を形成するためのブラックマトリックスアイランド229を形成する。
次に図6Bに示したように、前記ブラックマトリックス222両側面に顔料分散法によるカラーフィルター223パターンをフォト工程技術を利用して形成する。
すなわち、ブラックマトリックス222が形成された基板221上にスピンコーティング(spincoating)方式で感光性カラー樹脂を塗布して、露光及び現像工程を遂行してそれぞれのカラーフィルターパターン223を形成する。
その次に図6Cを参照すると、カラーフィルターパターン223が形成された第1基板221上に絶縁及び平坦化の役割をするオーバーコート層230を所定厚さに塗布する。
続いて図6Dに示したように、オーバーコート層230上に下部のTFT基板に形成される画素電極と共に液晶セルを動作させるための共通電極224を形成する。
前記共通電極224は透過性と導電性が良く化学的、熱的安定性が優秀な透明電極材料であるITOなどをスパッタリングによって蒸着する。
続いて図6Eを参照すると、EMI銀接点(第1銀接点)241と共通電極銀接点(第2銀接点)242を形成するが、前記EMI銀接点241は先に言及したようにブラックマトリックス222とコンタクトさせており、前記共通電極銀接点242は共通電極224に信号を印加するためにブラックマトリックスアイランド229上に形成されている共通電極224上に形成させる。
この時、前記共通電極224形成時にITOパターンがEMI銀接点241下に形成されることも可能である。
このように本発明の実施形態の場合前記ブラックマトリックススリットにより前記共通電極224との電気的コンタクトのための領域(ブラックマトリックスアイランド229)と前記EMI遮蔽用シールドで使われるブラックマトリックス222領域が分離されることによって、前記EMI銀接点及び共通電極銀接点241、242に同一な電圧が印加されても前記領域は電気的に分離される。
図7は、本発明による他の実施形態で、液晶表示装置の第2基板の一部領域を透視して概略的に見せてくれる図面である。
図7の場合も図4のように第2基板の一側隅部を図示している。
図7に示したように、カラーフィルター基板すなわち、第2基板は第1基板(アレイ基板)上に形成された画像表示領域に対応するアクティブ領域(active area)Aがあり、前記アクティブ領域周辺に各種部品との電気的信号の印加のための領域がある。
前記カラーフィルター基板にはカラーフィルター323パターンのセル間及び前記アクティブ領域A周辺の光遮断の役割をするブラックマトリックス322が形成されており、前記ブラックマトリックス322の一側にはスリットにより前記ブラックマトリックス222と所定間隔離隔されたブラックマトリックスアイランド329が形成されている。
前記ブラックマトリックス322及びブラックマトリックスアイランド329はクロム(Cr)成分のような伝導性物質が含まれている感光性物質で低い電流が流れることができ、これにより前記ブラックマトリックス322はEMI遮蔽用シールド(shield)で使われることができる。
前記ブラックマトリックス322上のアクティブ領域Aには赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルター323パターンが次々と形成されている。
ただし、前記図7に示した実施形態の場合前記カラーフィルター323パターンが前記アクティブ領域Aにだけ形成されることでなく、前記アクティブ領域A以外にブラックマトリックスアイランド329まで延長形成されて、前記カラーフィルターレジン(resin)を絶縁膜として用いることをその特徴とする。
したがって、図7に示した実施形態に具備されたオーバーコート層は形成されない場合がある。
続いて、前記カラーフィルター323パターン上には下部のTFT基板に形成される画素電極と共に液晶セルを動作させるための共通電極324を形成する。
この時、前記共通電極324はブラックマトリックスアイランド329まで形成させる。
前記共通電極324は透過性と導電性が良いし化学的、熱的安定性が優秀な透明電極材料であるITOをスパッタリングによって蒸着する。
そして、下部基板のパッド部から前記共通電極324に信号を印加するためにブラックマトリックスアイランド329上部に形成された共通電極224と接する位置に共通電極銀接点(第2銀接点)342を形成させる。
また、液晶表示装置の動作のうち発生するEMIを除去するためにブラックマトリックス322と電気的に連結するEMI銀接点(第1銀接点)341を前記共通電極224及びカラーフィルター323パターンと重ならないブラックマトリックス222の上部領域に形成させて、素子内部で発生する電磁波がブラックマトリックス322とEMI銀接点341に沿って外部グラウンドに排出させる。
このような本発明の実施形態によればカラーフィルター323レジンを利用してカラーフィルターパターン形成時にブラックマトリックス322と共通電極324を電気的に分離するのでオーバーコート層の形成が不要になって工程が単純になる効果がある。
図8は、図7でIII−III'線に沿う切断断面を示すカラーフィルター基板の概略的な一部断面図である。
図8を参照すると、先に言及したように、カラーフィルター基板すなわち、第2基板は透明な絶縁基板321上にブラックマトリックス322が形成されていて、その上に赤、緑、青のカラーフィルター323が次々と形成されている。
ここで、カラーフィルター323は顔料分散法や染色法、印刷法などを利用して形成することができるが、このうち顔料分散法が精巧性が優れて再現性が良くて広く使われている。
図8に示したようにEMI銀接点(第1銀接点)341はブラックマトリックス322の所定部分と直接接触するように形成されて、前記共通電極銀接点(第2銀接点)342は前記ブラックマトリックスアイランド229上部に形成された共通電極324と接する位置に形成される。
すなわち、このように前記共通電極324との電気的コンタクトのための領域(ブラックマトリックスアイランド329)と前記EMI遮蔽用シールドで使われるブラックマトリックス322領域が分離されることによって、前記第1、2銀接点341、342に同一な電圧が印加されても前記領域は電気的に分離される。
これにより共通電圧Vcom印加とは独立的に前記ブラックマトリックス322及び第1銀接点341を介して、素子内部で発生する電磁波を外部グラウンドに排出させることができることである。
また、図8に示したように、前記カラーフィルター323パターンが前記アクティブ領域Aにだけ形成されるのでなく、前記アクティブ領域A以外にブラックマトリックスアイランド329まで延長形成されて、前記カラーフィルターパターン形成時ブラックマトリックス322と共通電極324を電気的に分離するのでオーバーコート層の形成が不要になって工程が単純になる。
図9は、図7及び図8に示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程順を示す図である。
先に、図9Aに示したようにガラスのように透明な絶縁基板321上に開口部を有するブラックマトリックス322を形成する。
前記ブラックマトリックス322は通常後に形成されるカラーフィルター323パターンの赤(R)、緑(G)、青(B)パターン間に位置しており、前記ブラックマトリックス322の材質としてはクロムなどの金属薄膜や炭素系統の有機材料が使われ、低い電流が流れるようになる。
また、前記ブラックマトリックス322はEMI遮蔽用シールドで使われるためEMIを外部に排出させるために後続して形成されるEMI銀接点(第1銀接点)のための空間を確保し、後続して形成される共通電極に信号を印加する共通電極銀接点(第2銀接点)を形成するためのブラックマトリックスアイランド329を形成する。
次に図9Bに示したように、前記ブラックマトリックス322両側面に顔料分散法によるカラーフィルター323パターンをフォト工程技術を利用して形成する。
すなわち、ブラックマトリックス322が形成された基板321上にスピンコーティング方式で感光性カラー樹脂を塗布して、露光及び現像工程を遂行してそれぞれのカラーフィルター323パターンを形成する。
ここで、前記カラーフィルター323パターンはアクティブ領域以外にも形成して前記ブラックマトリックスアイランド329まで延長させる。
これは後の工程で共通電極324形成時にブラックマトリックス322と共通電極324間の電気的な干渉が起こらないように絶縁させるためあってカラーフィルター323パターン形成時に前記カラーフィルターレジンを利用して形成させることができる。
この時、前記アクティブ領域A以外に形成されるカラーフィルターレジンは画像に影響を与えない領域であるので赤、緑、青パターンに構わずに形成されることができる。
すなわち、前記アクティブ領域A以外に形成させるカラーフィルターレジンはすべて赤色パターンで形成することもできて緑色パターンで形成することもできて青色パターンで形成することもできて赤、緑、青の順序に構わずに形成させることができる。
続いて図9Cを参照すると、前記カラーフィルターパターン上に下部のTFT基板に形成される画素電極と共に液晶セルを動作させるための共通電極324を形成する。
前記共通電極324は透過性と導電性が良く化学的、熱的安定性が優秀な透明電極材料であるITOなどをスパッタリングによって蒸着する。
続いて図9Dに示したように、EMI銀接点341と共通電極銀接点342を形成するが、前記EMI銀接点341は先に言及したようにブラックマトリックス322とコンタクトさせており、前記共通電極銀接点は共通電極324に信号を印加するためにブラックマトリックスアイランド329上に形成されている共通電極324上に形成させる。
この時、前記共通電極324形成時にITOパターンがEMI銀接点341下に形成されることも可能である。
このようにカラーフィルターレジンを液晶パネルのアクティブ領域A外まで拡張してオーバーコート層として用いることによってブラックマトリックス322と共通電極324を分離できるので工程単純化を成し遂げることができる。
図10は、図5Aに示したカラーフィルター基板及びその下部に具備されたアレイ基板の概略的な一部断面図である。
先に図10に示したカラーフィルター基板221の構造は図5Aに示したものと同一であるのでその説明は省略するようにする。
図10を参照すると、カラーフィルター基板のアクティブ領域すなわち、カラーフィルター223が形成された領域に対応する前記アレイ基板上に画像表示領域(image display region)が形成されており、前記画像表示領域外部に共通電極パッド(Vcom pad)400及び接地パッド(ground pad)410が形成されている。
図示したように前記カラーフィルター基板上に形成された共通電極銀接点242は共通電極パッド400に電気的に連結されて、EMI銀接点241は接地パッド410と電気的に連結される。
また、前記共通電極パッド400及び接地パッド410は保護膜420上に形成されたコンタクトホールを介してそれぞれ所定のソース/ドレイン金属412と接触されるが、前記ソース/ドレイン金属412は相互に離隔されて形成されることによって、結果的に前記共通電極パッド400及び接地パッド410は電気的に分離される。
これにより前記共通電極パッド400及び接地パッド410にそれぞれ接続された共通電極銀接点242及びEMI銀接点241また電気的に分離されることである。
ここで、前記共通電極パッド400には所定の共通電圧が印加されて、前記接地パッド410は接地と連結されることによって、液晶表示装置に発生するEMIを除去することができることである。
未説明された図面符号430及び440はそれぞれ中間層(inter layer)及びゲート絶縁膜であり、前記ソース/ドレイン金属412がゲート金属で形成される場合には前記中間層430が除去できる。
以上本発明を具体的な実施形態を通じて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであって、本発明による液晶表示装置及びその製造方法はこれに限られなくて、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能なことが明白である。
液晶表示装置を製造することににおいてEMI遮蔽用シールドをブラックマトリックスを利用して形成させることによって電磁波から装置を保護することができるという産業上利用可能性がある。
一般的な液晶表示装置の一部を示した断面図。 従来の液晶表示装置のカラーフィルター基板の一部領域を概略的に透視して見せてくれる平面図。 図2でI−I'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図。 本発明による液晶表示装置の第2基板の一部領域を概略的に透視して見せてくれる平面図。 図2でII−II'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図。 図2でII−II'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図。 図2でII−II'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図。 図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図4及び図5Aに示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 本発明による他の実施形態で、液晶表示装置の第2基板の一部領域を透視して概略的に見せてくれる図面。 図7でIII−III'線に沿う切断断面を見せてくれるカラーフィルター基板の概略的な一部断面図。 図7及び図8に示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図7及び図8に示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図7及び図8に示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図7及び図8に示した本発明の実施形態によるカラーフィルター基板製造工程を示す順序図。 図5Aに示したカラーフィルター基板及びその下部に具備されたアレイ基板の概略的な一部断面図。
符号の説明
221、321:基板
222、322:ブラックマトリックス
223、323:カラーフィルター
224、324:共通電極
229、329:ブラックマトリックスアイランド
230、330:オーバーコート層
241、341:EMI銀接点
242、342:共通電極銀接点

Claims (27)

  1. 一定間隔離隔されている第1基板及び第2基板と;
    前記第1基板及び第2基板間に注入される液晶層で構成されており、
    前記第1基板の画像表示領域に対応する前記第2基板上のアクティブ領域内所定部分と前記アクティブ領域の周辺部に形成されるブラックマトリックスと;
    前記ブラックマトリックスと所定間隔分離されて形成されるブラックマトリックスアイランドと;
    前記アクティブ領域に形成される赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターと;
    前記ブラックマトリックス及びブラックマトリックスアイランド上に形成されるオーバーコート層と;
    前記オーバーコート層上に形成される共通電極と;
    前記ブラックマトリックスと連結される第1伝導性物質及び前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2伝導性物質;を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記伝導性物質は銀で構成された銀接点であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記ブラックマトリックスアイランドは非アクティブ領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 前記ブラックマトリックスは伝導性ブラックレジンで構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  5. 前記オーバーコート層は絶縁物質からなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  6. 前記第1伝導性物質とブラックマトリックス層間に共通電極物質が形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  7. 前記第2伝導性物質は前記ブラックマトリックスアイランド上部に形成される共通電極と電気的に連結されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  8. 前記第1伝導性物質は前記オーバーコート層と重ならないブラックマトリックスの領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  9. 基板上にブラックマトリックス及び前記ブラックマトリックスと分離されるブラックマトリックスアイランドを形成する段階と;
    前記ブラックマトリックス上部にカラーフィルターを形成する段階と;
    前記カラーフィルター上部とブラックマトリックスアイランド上にオーバーコート層を形成する段階と;
    前記オーバーコート層上部に共通電極を形成する段階と;
    前記ブラックマトリックスと連結される第1伝導性物質と、前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2伝導性物質を形成する段階と;を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  10. 前記伝導性物質は銀で構成された銀接点であることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置製造方法。
  11. 前記第2伝導性物質は前記ブラックマトリックスアイランド上部に形成される共通電極と電気的に連結されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
  12. 前記第1伝導性物質は前記カラーフィルター層及びオーバーコート層と重ならないブラックマトリックスの領域に形成されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
  13. 前記第1伝導性物質とブラックマトリックス層間に共通電極物質が形成されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置製造方法。
  14. 一定間隔離隔されている第1基板及び第2基板と;
    前記第1基板及び前記第2基板間に注入されている液晶層で構成されており、
    前記第1基板の画像表示領域に対応する前記第2基板上のアクティブ領域内所定部分と前記アクティブ領域の周辺部に形成されるブラックマトリックスと;
    前記非アクティブ領域上に形成されて前記ブラックマトリックスと分離されるブラックマトリックスアイランドと;
    前記ブラックマトリックスとブラックマトリックスアイランド上に形成される赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターと;
    前記カラーフィルター上に形成される共通電極と;
    前記ブラックマトリックスと連結される第1伝導性物質、前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2伝導性物質と;を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置。
  15. 前記伝導性物質は銀で構成された銀接点であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  16. 前記非アクティブ領域上に形成されるカラーフィルターは赤(R)、緑(G)、青(B)のうちいずれか一カラーで形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  17. 前記非アクティブ領域上に形成されるカラーフィルターは赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターが次々と形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  18. 前記ブラックマトリックスは伝導性ブラックレジンで構成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  19. 前記第1伝導性物質とブラックマトリックス層間に共通電極物質が形成されることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
  20. 前記第2伝導性物質は前記ブラックマトリックスアイランド上部に形成される共通電極と電気的に連結されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  21. 前記第1伝導性物質は前記カラーフィルターと重ならないブラックマトリックスの上部領域に形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
  22. 基板上にブラックマトリックス及び前記ブラックマトリックスと分離されるブラックマトリックスアイランドを形成する段階と;
    前記ブラックマトリックスとブラックマトリックスアイランド上にカラーフィルターを形成する段階と;
    前記カラーフィルター上に共通電極を形成する段階と;
    前記ブラックマトリックスと連結される第1伝導性物質、前記ブラックマトリックスアイランド上で共通電極と連結される第2伝導性物質を形成する段階と;を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  23. 前記伝導性物質は銀で構成された銀接点であることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置製造方法。
  24. 前記ブラックマトリックスアイランド上に形成されるカラーフィルターは赤(R)、緑(G)、青(B)のうちいずれか一カラーで形成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
  25. 前記ブラックマトリックスアイランド上に形成されるカラーフィルターは赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルターが次々と形成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
  26. 前記第2伝導性物質は前記ブラックマトリックスアイランド上部に形成される共通電極と電気的に連結されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
  27. 前記第1伝導性物質は前記カラーフィルター層と重ならないブラックマトリックスの領域に形成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218142A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Seiko Epson Corp 入力機能付有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2009163168A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR101328848B1 (ko) * 2006-12-29 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9722766D0 (en) 1997-10-28 1997-12-24 British Telecomm Portable computers
JP4682575B2 (ja) * 2004-09-30 2011-05-11 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP4910296B2 (ja) * 2005-03-16 2012-04-04 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ基板および液晶表示パネル
KR101326575B1 (ko) * 2005-12-30 2013-11-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 컬러필터 제조방법
KR101325198B1 (ko) * 2006-08-29 2013-11-04 삼성디스플레이 주식회사 쇼트 패드와 이를 구비한 박막 트랜지스터 기판 및액정표시패널
KR100911422B1 (ko) * 2006-12-29 2009-08-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20080076481A (ko) * 2007-02-16 2008-08-20 삼성전자주식회사 표시패널 및 이를 갖는 표시장치
JP5046014B2 (ja) * 2007-09-13 2012-10-10 Nltテクノロジー株式会社 カラーフィルタ基板及び液晶表示装置
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI420197B (zh) 2010-01-21 2013-12-21 Tpk Touch Solutions Inc 內嵌式觸控顯示器及其製程方法
KR101722229B1 (ko) * 2010-12-15 2017-04-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 평판 표시 장치
JP6014978B2 (ja) * 2011-09-22 2016-10-26 ソニー株式会社 液晶表示素子および液晶表示装置
KR102113523B1 (ko) * 2011-10-11 2020-05-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US9316859B2 (en) * 2011-10-11 2016-04-19 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN102402080B (zh) * 2011-11-18 2015-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
DE102011056166A1 (de) * 2011-12-08 2013-06-13 Universität Stuttgart Elektrooptischer Phasenmodulator
KR101985481B1 (ko) * 2012-07-23 2019-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US9349753B2 (en) 2014-02-24 2016-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for producing the same and display apparatus
KR102203769B1 (ko) * 2014-12-29 2021-01-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102439308B1 (ko) * 2015-10-06 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102609077B1 (ko) * 2015-11-17 2023-12-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN106054444A (zh) * 2016-08-19 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置
TWI603132B (zh) * 2016-12-26 2017-10-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
KR20220090954A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8702508A (nl) * 1986-10-22 1988-05-16 Toppan Printing Co Ltd Electrodeplaat voor kleurenweergeefinrichting.
TWI234674B (en) * 1995-10-12 2005-06-21 Hitachi Ltd In-plane electric field LCD panel with structure for preventing electric charging
US5847690A (en) * 1995-10-24 1998-12-08 Lucent Technologies Inc. Integrated liquid crystal display and digitizer having a black matrix layer adapted for sensing screen touch location
CN2401913Y (zh) * 1999-11-17 2000-10-18 神达电脑股份有限公司 液晶显示器的组装构造
GB0205479D0 (en) * 2002-03-08 2002-04-24 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix display devices
US7050131B2 (en) * 2002-10-17 2006-05-23 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same
TWI263091B (en) * 2003-02-27 2006-10-01 Innolux Display Corp A black matrix, color filter and method for manufacturing the same, liquid crystal display
KR100963032B1 (ko) 2003-09-08 2010-06-10 엘지디스플레이 주식회사 히터용 공통전극을 구비한 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328848B1 (ko) * 2006-12-29 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2008218142A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Seiko Epson Corp 入力機能付有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2009163168A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN1637550B (zh) 2010-05-05
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US7212263B2 (en) 2007-05-01
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US20070242194A1 (en) 2007-10-18

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