JP2005175328A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 TAT短縮化に効果を発揮すると共に量産ばらつきを考慮した加工精度において有利な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基本素子群SC上に窒化膜21/酸化膜22/窒化膜23/酸化膜24の順次積層を有する層間絶縁層ILが形成されている。窒化膜21上の酸化膜22は平坦化され、以降の窒化膜23、酸化膜24は平坦化されている。窒化膜21に比べて窒化膜23の方が厚い。配線接続領域17各々に対応させて窒化膜21上方の酸化膜22、窒化膜23及び酸化膜24を貫通させたホールH1が形成されている。これが基本構造となり、マスタチップとして準備される。今後ユーザーの要求機能に応じて選択的にホールH1底部の窒化膜21を除去し、電気的接続をする。その際、第1層のメタル配線は、側部が選択的に酸化膜24で囲まれ、かつ窒化膜21を貫通して配線接続領域17とつながる。
【解決手段】 基本素子群SC上に窒化膜21/酸化膜22/窒化膜23/酸化膜24の順次積層を有する層間絶縁層ILが形成されている。窒化膜21上の酸化膜22は平坦化され、以降の窒化膜23、酸化膜24は平坦化されている。窒化膜21に比べて窒化膜23の方が厚い。配線接続領域17各々に対応させて窒化膜21上方の酸化膜22、窒化膜23及び酸化膜24を貫通させたホールH1が形成されている。これが基本構造となり、マスタチップとして準備される。今後ユーザーの要求機能に応じて選択的にホールH1底部の窒化膜21を除去し、電気的接続をする。その際、第1層のメタル配線は、側部が選択的に酸化膜24で囲まれ、かつ窒化膜21を貫通して配線接続領域17とつながる。
Description
本発明は、半導体集積回路製造に係り、特にゲートアレイ等、予め標準チップを準備しておき配線工程により完成させるTAT(Turn Around Time;製品化までの所要時間)の短縮が要求される半導体装置及びその製造方法に関する。
ゲートアレイやASIC(特定用途向けIC)等のセミカスタムICでは、マスタという、所望の集積規模に応じてトランジスタを標準的に配置したチップ(マスタチップ)を予め準備する。スライス工程において、ユーザーの要求機能に合うよう必要なトランジスタ間の電気的接続、変更を達成する。これにより、専用の集積回路を実現する。
マスタチップに作り込まれたトランジスタをできるだけ有効に使用するためと、CADを用いた自動配置配線を行うために、多層メタル配線が用いられる。半導体装置の高集積化、多機能化により、メタル配線は、より多層化が進む傾向にある。これにより、TAT、すなわち、ユーザーの所望する製品化までの所用時間が長くなってしまう。
TATを改善する対策として、マスタチップに作り込まれたトランジスタ上に予め層間絶縁層を有し、トランジスタ各々に必要なコンタクトホールをこの層間絶縁層の途中まで形成しておく技術がある(例えば、特許文献1参照)。このような接続部に至らないコンタクトホールは、ユーザーの要求する仕様に合わせて、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によりどのコンタクトホールを接続部まで貫通させ有効にするかを決める。しかも、このエッチング工程で上記層間絶縁層上の配線層形成用の開口部(配線溝)を所定深さ得るようにしている。
特開2001−176877号公報(第3,4頁、図1〜図3)
[特許文献1]は、TAT短縮化に効果を発揮する技術が含まれている。しかしながら、コンタクトホールを基板まで完全に貫通させるエッチング工程で、同時に配線層形成用の開口部(配線溝)を形成する場合、配線溝の深さ、形状に相当のばらつきが生じざるを得ない。また、エッチング条件の選択によっては基板上のエッチング残り、または基板にえぐれを起こす懸念もある。すなわち、加工精度の信頼性に欠けるという問題がある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、TAT短縮化に効果を発揮すると共に量産ばらつきを考慮した加工精度において有利な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
本発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された、複数の素子及びその配線接続領域と、前記素子上を覆うと、少なくとも前記配線接続領域各々に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させたホールと、を含み、前記ホールは、選択的に前記第4の絶縁膜で側部が囲まれかつ前記第1絶縁膜を貫通して前記配線接続領域とつながる配線経路の一部になる。
上記本発明に係る半導体装置によれば、第1絶縁膜/第2絶縁膜/第3絶縁膜/第4絶縁膜の積層を有する層間絶縁層が設けられている。さらに、この層間絶縁層において、第1絶縁膜上方で配線接続領域に対応したホールを備える。これが標準的な構造として準備される。第1絶縁膜上方のホールは、後に選択的に第1絶縁膜を貫通して配線接続領域とつながる。配線接続領域とつながるホールは、第4の絶縁膜で側部が囲まれる配線経路の一部になる。すなわち、第4絶縁膜で配線の厚みが決まる。第3絶縁膜は配線の底部を画一化するエッチングストッパとして寄与する。
上記本発明に係る半導体装置において、好ましく次のような特徴を有する。
前記第2絶縁膜上面は平坦化面であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が前記層間絶縁層としての実質的な厚みを有する。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい。
上記それぞれの構成によれば、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
前記第2絶縁膜上面は平坦化面であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が前記層間絶縁層としての実質的な厚みを有する。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい。
上記それぞれの構成によれば、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
本発明に係る半導体装置は、半導体基板の第1導電型領域上に形成された、配線接続領域を伴う第2導電型の基本素子群と、前記基本素子群上に被覆された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成され平坦化された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と、前記第4絶縁膜上に形成された第4絶縁膜と、少なくとも前記配線接続領域のうち第1選択領域に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させた第1ホールと、少なくとも前記配線接続領域のうち第2選択領域に対応させて前記第1絶縁膜乃至前記第4絶縁膜を貫通させた第2ホールと、前記第1ホール及び前記第2ホールに埋め込まれた導電部材と、前記第2ホールの導電部材とつながる、前記第4の絶縁膜で側部が囲まれた配線層と、を含む。
上記本発明に係る半導体装置によれば、第1選択領域と第2選択領域は、設計に応じて決定され、第1絶縁膜の残留または除去の形態が第1ホールまたは第2ホールとなる。第1ホール、第2ホールは共に導電部材が埋め込まれる。第1ホールの導電部材はダミーとなり、第2ホールの導電部材は第4絶縁膜で側部が囲まれた配線層とつながる。配線の厚みは第4絶縁膜の厚さで決まる。第3絶縁膜は配線の底部を画一化する基礎となる。
上記本発明に係る半導体装置において、好ましく次のような特徴を有する。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜はエッチングストッパ膜であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が層間絶縁層としての実質的な厚みを有する。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい。
上記それぞれの構成によれば、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜はエッチングストッパ膜であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が層間絶縁層としての実質的な厚みを有する。
前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい。
上記それぞれの構成によれば、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
また、上記本発明に係る半導体装置において、前記導電部材は、少なくとも前記第2ホールに関し、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜に囲まれる部分と前記第4絶縁膜に囲まれる部分とでは異なった物質を配している。接続プラグと配線層の関係を示している。
また、上記本発明に係る半導体装置において、前記導電部材は、W,Al,Cuのうちいずれかを含む金属膜と、少なくとも前記第2絶縁膜、前記第4絶縁膜及び前記配線接続領域に対する前記金属膜とのバリア膜と、を含んで構成される。適切なバリア性を有し、密着性を考慮したバリア膜と、主配線としての金属膜で構成されることが好ましい。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、予め半導体基板上に規則的に並べた配線接続領域を伴う基本素子群が敷設され、ユーザーの要求機能を多層配線によって実現する半導体装置の製造方法において、前記基本素子群上に第1絶縁膜を被覆する工程、前記第1絶縁膜上に前記基本素子群の段差をなくするように平坦化した第2絶縁膜を形成する工程、前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、及び前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程を有する層間絶縁層を形成する工程と、少なくとも前記配線接続領域各々に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させた第1ホールを形成する第1エッチング工程と、前記第1ホールのうち、ユーザーの要求機能に応じて選択的に前記第1の絶縁膜を貫通させる第2ホールの形成と同時に前記第4絶縁膜で側部が囲まれる配線溝を形成する第2エッチング工程と、前記第1ホール、前記第2ホール及び前記配線溝に埋め込まれる導電部材を形成する工程と、を含む。
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、層間絶縁層において、第1絶縁膜を残留させる第1ホールとするか、第1絶縁膜を除去する第2ホールとするかをユーザーの要求機能に応じて決定する。第2ホールは、第4絶縁膜で側部が囲まれる配線溝が同時に形成される。配線溝の深さは第4絶縁膜の厚さで決まる。第3絶縁膜は、配線溝の底部を画一化する基礎となる。
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁層に関し、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜は前記層間絶縁層としての実質的な厚みが確保できるよう形成し、前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質で別々の工程におけるエッチングストッパとして前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚を大きくする。これにより、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁層に関し、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜は共に第1のエッチングレートを有し、前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は共に第2のエッチングレートを有しており、前記第1エッチング工程または前記第2エッチング工程は、エッチングガスのステップ切替えを伴う連続エッチング工程で達成される。これにより、エッチング加工効率の向上と量産ばらつきに有利な配線形態が得られる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の要部を示す断面図である。半導体基板11において、2つの導電型の半導体領域(ウェル領域)が設けられる。どのような形態でもよいが、例えば素子分離絶縁膜を隔ててストライプ状にP型領域(Pwell)、N型領域(Nwell)が形成されている(図示せず)。そのうちのP型領域12の部分を図示してある。
半導体基板11のP型領域12上にN型のMOSFETの基本素子群SCが形成されている。各MOSFETは、ゲート絶縁膜13、ゲート電極14、ゲート電極14のサイドウォール絶縁膜15を有する。さらに、ソース/ドレインの低濃度エクステンション領域16、配線接続領域17が形成されている。
半導体基板11のP型領域12上にN型のMOSFETの基本素子群SCが形成されている。各MOSFETは、ゲート絶縁膜13、ゲート電極14、ゲート電極14のサイドウォール絶縁膜15を有する。さらに、ソース/ドレインの低濃度エクステンション領域16、配線接続領域17が形成されている。
基本素子群SC上を覆うように、窒化膜21/酸化膜22/窒化膜23/酸化膜24の順次積層を有する層間絶縁層ILが形成されている。ここで窒化膜はシリコン窒化膜のことを意味し、酸化膜はシリコン酸化膜のことを意味する。窒化膜21,23は薄く、比較的厚い酸化膜22,24によって実質的な層間絶縁層を構成している。基本素子群SCの凹凸を被覆した窒化膜21に対し、その上の酸化膜22は平坦化され、以降の窒化膜23、酸化膜24は平坦化されている。
窒化膜21,23は、それぞれ別々のエッチングストッパとして作用するようになっている。ここでは、窒化膜21の膜厚に比べて窒化膜23の膜厚が大きい。窒化膜21に比べて窒化膜23の方が1.5倍以上厚いことが望ましい。例えば窒化膜21が50nmの厚さであれば窒化膜23は75nm以上の適当な厚さを有する。この層間絶縁層ILにおいて、配線接続領域17各々に対応させて窒化膜21上方の酸化膜22、窒化膜23及び酸化膜24を貫通させたホールH1が形成されている。窒化膜21を底部とするホールH1は、すべてのユーザーに共通で、これが基本構造となる。このような構造がマスタチップとして準備されるのである。
すなわち、マスタチップは、基板に作り込まれた基本素子群SC上に予め層間絶縁層ILを有し、窒化膜21を底部とするホールH1を有する。今後ユーザーの要求機能に応じて選択的にホールH1底部の窒化膜21を除去し、電気的接続をしていく。その際、第1層のメタル配線は、側部が選択的に酸化膜24で囲まれ、かつ窒化膜21を貫通して配線接続領域17とつながる(図2参照)。
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の要部を示す断面図である。図1の構成のマスタチップを用い、ユーザーの要求機能に合うよう必要な素子間の電気的接続を行った一部構成を示している。ホールH1底部の窒化膜21が選択的に除去された、有効なコンタクトホールをホールH2とする。ホールH2は、選択的に酸化膜24で側部が囲まれかつ窒化膜21を貫通して配線接続領域17とつながる配線WRの経路の一部になる。
配線WRを構成する導電部材29は様々考えられる。導電部材29は、例えばバリア膜291と、主配線金属膜292を含む。バリア膜291は、少なくともTi,Ta,W,Pdのうちいずれかを含む薄膜と、Ta,Ti,W,Mo,Zrのうちいずれかの窒化物を含む薄膜の積層膜を有する。または上記窒化物のうち単層膜でもよいものもある。主配線金属膜292は、W,Al,Cuのうちいずれかを含む金属膜で構成される。例えば、適当なバリア膜291とCu(またはAlやW)のデュアルダマシン配線や、適当なバリア膜291とWプラグ及びその上の適当なバリア膜291とAl(またはCu)配線等が考えられる。
導電部材29は、ホールH1,H2それぞれに埋め込まれている。ホールH1に埋め込まれている導電部材29は、底部の窒化膜21により配線接続領域17から絶縁されると共に上部には図示しない層間の絶縁層が配されるので、ダミー化する。また、ホールH2に埋め込まれている導電部材29は、酸化膜24で側部が囲まれた配線WRにつながり、図示しない上層の配線と所望の結線がなされる。これにより、ユーザーの要求機能に合うよう必要な素子間の電気的接続が行われる。なお、ホールH2の部分を除いて、配線WRの底部には窒化膜23がエッチングストッパとして存在する。すなわち、配線WRは、その側部は酸化膜24の厚みに依存し、底部は窒化膜23によって画一化されている。
上記各実施形態によれば、基本素子群SC上の層間絶縁層ILは、配線形状を整えるよう作用する。層間絶縁層ILは、配線接続領域17各々に対応させて窒化膜21上方の酸化膜22、窒化膜23及び酸化膜24を貫通させたホールH1を準備し得る。このような構造がマスタチップとして準備される。そして、ユーザーの要求機能に合わせて窒化膜21の残留または除去の形態がホールH1またはホールH2となる。両ホールH1,H2共に導電部材29が埋め込まれる。ホールH1の導電部材29はダミーとなり、ホールH2の導電部材29は酸化膜24で側部が囲まれた配線WRとつながる。配線WRの厚みは酸化膜24の厚さで決まる。また、窒化膜23は配線WRの底部を画一化する基礎となる。これにより、配線加工精度は向上し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
図3〜図7は、それぞれ本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。ここでは、前記図1や図2と同様の構成を実現するための方法を説明する。
図3に示すように、半導体基板の素子分離絶縁膜11に囲まれた素子領域にP型領域(Pwell)12を形成する。図示しない他の素子領域ではN型領域(Nwell)が形成される。P型領域12にN型のMOSFETの基本素子群SCを形成する。各MOSFETは周知の形成方法による。すなわち、ゲート絶縁膜13、ゲート電極14をパターニングする。次に、ソース/ドレインの低濃度エクステンション領域16の形成、次いでゲート電極14のサイドウォール絶縁膜15を形成する。その後、ソース/ドレインの配線接続領域17を形成する。なお、図示しないN型領域(Nwell)においても各工程を可能な限り共通化しつつP型のMOSFETの基本素子群SCが形成される。また、配線接続領域17は図示しないがゲート電極14の両端部にも設けられている。
図3に示すように、半導体基板の素子分離絶縁膜11に囲まれた素子領域にP型領域(Pwell)12を形成する。図示しない他の素子領域ではN型領域(Nwell)が形成される。P型領域12にN型のMOSFETの基本素子群SCを形成する。各MOSFETは周知の形成方法による。すなわち、ゲート絶縁膜13、ゲート電極14をパターニングする。次に、ソース/ドレインの低濃度エクステンション領域16の形成、次いでゲート電極14のサイドウォール絶縁膜15を形成する。その後、ソース/ドレインの配線接続領域17を形成する。なお、図示しないN型領域(Nwell)においても各工程を可能な限り共通化しつつP型のMOSFETの基本素子群SCが形成される。また、配線接続領域17は図示しないがゲート電極14の両端部にも設けられている。
次に、CVD(化学気相成長)法を用いて基本素子群SC上全体を覆うように、窒化膜(Si3N4)21を厚さ100nm未満、例えば50nm程度形成する。次いで、層間絶縁層ILの厚さを大略決める酸化膜(SiO2)22を形成する。酸化膜22は、その上面が平坦化されていることが重要である。酸化膜22は、例えばCVD法によるTEOS(テトラエトキシシラン)酸化膜形成後、常圧下でオゾンと反応させる低温(400℃以下)のCVD法を経て平坦化する。あるいは酸化膜22は、CMP(化学的機械的研磨)技術を経て平坦化してもよい。その他、酸化膜22は、SOG(スピン・オン・グラス)膜を含むように構成してもよい。
続いて、酸化膜22上にCVD法を用いて窒化膜(Si3N4)23を形成する。窒化膜23は、例えば100nm未満で窒化膜21の1.5倍以上の厚さ(例えば80nm程度)とする。次に、CVD法により酸化膜(SiO2)24を形成する。酸化膜24は、今後形成される配線側部の厚みと同等かそれ以上の厚さを要する。酸化膜24はプラズマCVDによって形成するようにしてもよい。このようにして、窒化膜21/酸化膜22/窒化膜23/酸化膜24の順次積層を有する層間絶縁層ILが形成される。
次に、図4に示すように、フォトリソグラフィ工程を用いて層間絶縁層IL上にレジストマスクRM1を形成する。レジストマスクRM1は、すべての配線接続領域17各々に対応させた開口パターンを形成する。図示しないがゲート電極14の配線接続領域17に対応する領域上にも設けられる。次に、異方性エッチング工程により、窒化膜21上方の酸化膜22、窒化膜23及び酸化膜24を貫通させたホールH1を形成する。
このホールH1のエッチング工程は、エッチングのステップ切替えで達成する。まず、酸化膜24のエッチング、次に、エッチングガスを切替えて窒化膜23のエッチング、再びエッチングガスを切替えて酸化膜24のエッチングを行う。例えば、窒化膜のエッチングは、CF4、その他の不活性ガス等を用いた反応ガスプラズマにより達成する。また、酸化膜のエッチングは、CHF3やC4F8、その他不活性ガス等を用いた反応ガスプラズマにより達成する。
その後、図5に示すように、レジストマスクRM1を除去する。これにより、すべての配線接続領域17各々上方に、窒化膜21を底部とするホールH1を有したマスタチップが得られる(図1と同じ)。
その後、図5に示すように、レジストマスクRM1を除去する。これにより、すべての配線接続領域17各々上方に、窒化膜21を底部とするホールH1を有したマスタチップが得られる(図1と同じ)。
次に、図6に示すように、上記マスタチップを用い、ユーザーの要求機能に合うようにコンタクトホールとして有効なホールH2及び第1層メタル配線の配線溝28を形成する。すなわち、ユーザーの要求機能に基づき、フォトリソグラフィ工程を用いて層間絶縁層IL上にレジストマスクRM2を形成する。レジストマスクRM2は、必要な配線領域及びそれに伴い選択されたホールH1上を露出させた開口パターンを形成する。次に、異方性エッチング工程により、酸化膜24のエッチング、窒化膜21のエッチングを反応ガスのステップ切替えで順次行う。
例えば、酸化膜24のエッチングは、CHF3やC4F8、その他不活性ガス等を用いた反応ガスプラズマにより達成する。これにより、第1層メタル配線の配線溝28が形成される。このとき、ホールH1底部は窒化膜21(エッチングストッパ)によってエッチングされない。また、窒化膜23は配線溝28形成時のエッチングストッパとなる。次いで、窒化膜21のエッチングは、CF4、その他の不活性ガス等を用いた反応ガスプラズマにより達成する。このとき、窒化膜21及び23は共にエッチングされる。しかし、窒化膜23の方が厚いため、窒化膜21がすべて除去された時点では配線溝28底部の窒化膜23は完全には除去しきれず残留する。この時点を検出しエッチングを終了することが望ましい。その後、レジストマスクRM2を除去し、洗浄工程を経てホールH1、H2及び配線溝28を清浄化し形状を整える。
次に、図7に示すように、スパッタ法を用いてホールH1、H2及び配線溝28内を被覆するバリア膜291を形成する。バリア膜291は、例えばTa/TaN積層等を用いる。さらに、スパッタ法により、バリア膜291上に例えばシードCu膜の被覆、その後、電解めっき法を利用してCuめっきすることにより、ホールH1、H2及び配線溝28をCu層で埋め込む。次に、Cu層堆積面上に対し、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用し平坦化する。すなわち、Cuに対する研磨、削減を促進させるスラリーを供給しながら、バリア膜291が露出する終点検出(トルク変化や表面反射率変化等)後、酸化膜24との選択性が取れるスラリーによるCMPで不要なバリア膜291を除去する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内に主配線金属膜292が埋め込まれ、第1層メタルとして導電部材29による配線WRが形成される。
また、上記主配線金属膜292はCuの代りにWを用いてもよい。その際、バリア膜291は、例えばTi/TiNやTiW積層等を用いる。次に、CVD法によってバリア膜291上にWを成膜する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内はWで充填される。次に、Wの堆積面上に対し、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用し平坦化する。すなわち、Wに対する研磨、削減を促進させるスラリーを供給しながら、バリア膜291が露出する終点検出(トルク変化や表面反射率変化等)後、酸化膜24との選択性が取れるスラリーによるCMPで不要なバリア膜291を除去する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内に主配線金属膜292が埋め込まれ、第1層メタルとして導電部材29による配線WRが形成される。
図8は、図7に対応した変形例を示す断面図である。スパッタ法を用いてホールH1、H2及び配線溝28内を被覆するバリア膜291aを形成する。バリア膜291aは、例えばTi/TiNやTiW積層等を用いる。次に、CVD法によってバリア膜291a上にWを成膜する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内はWで充填される。その後、エッチバックして配線溝28内のWを除去する。その後、再びスパッタ法を用い、少なくともW上部をTi/TiN積層等のバリア膜291bで被覆する。配線溝28底部にもTi/TiN積層のバリア膜291aまたは291bが形成されている。次に、ホールH1上部及び配線溝28内にAlを主成分とするAl合金をスパッタ堆積する。次に、Al合金堆積面上に対し、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用し平坦化する。すなわち、Alに対する研磨、削減を促進させるスラリーを供給しながら、バリア膜291a,291bが露出する終点検出(トルク変化や表面反射率変化等)後、酸化膜24との選択性が取れるスラリーによるCMPで不要なバリア膜291a,291bを除去する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内に主配線金属膜292a(Wプラグ)、292b(Al合金配線)が埋め込まれ、第1層メタルとして導電部材29による配線WRが形成される。
また、上記主配線金属膜292bはAl合金配線の代りにCu配線を用いてもよい。その際、バリア膜291bは、例えばTi/TiN積層等でよいが、Ta/TaN積層等も考えられる。前記図7と同様に、スパッタ法を用いて、バリア膜291b上にシードCu膜の被覆、その後、電解めっき法を利用してCuめっきする。これにより、ホールH1上部及び配線溝28内をCu層で埋め込む。次に、Cu層堆積面上に対し、CMP(化学的機械的研磨)技術を利用し平坦化する。すなわち、Cuに対する研磨、削減を促進させるスラリーを供給しながら、バリア膜291a,291bが露出する終点検出(トルク変化や表面反射率変化等)後、酸化膜24のとの選択性が取れるスラリーによるCMPで不要なバリア膜291a,291bを除去する。これにより、ホールH1、H2及び配線溝28内に主配線金属膜292a(Wプラグ)、292b(Cu配線)が埋め込まれ、第1層メタルとして導電部材29による配線WRが形成される。
上記実施形態の方法によれば、層間絶縁層ILにおいて、エッチングストッパになっている窒化膜21を残留させホールH1とするか、窒化膜21を除去してホールH2とするかをユーザーの要求機能に応じて決める。すなわち、ユーザーの要求機能に沿ったレジストマスクが形成され、エッチング工程を経る。ホールH2は、酸化膜24で側部が囲まれる配線溝28が同時に形成される。配線溝28の深さは酸化膜24の厚さで決まる。エッチングストッパになっている窒化膜23は、配線溝28の底部を画一化する基礎となる。酸化膜、窒化膜のエッチングガスのステップ切替えを伴う連続エッチング工程で効率的なエッチングを達成する。窒化膜21,23は同じエッチング工程に晒されるので、窒化膜21に比べて窒化膜23の膜厚を大きくする。これにより、配線加工精度向上に寄与し、量産ばらつきにも有利な配線形態が得られる。
なお、基本素子群SCはMOSFET群として示したが、その他、抵抗素子、容量素子等の他の素子も含まれることがあり、これらに応じた配線接続領域が形成されてもよい。また、層間絶縁層ILを窒化膜/酸化膜/窒化膜/酸化膜の順次積層としたが、これに限定されることはない。シリコン酸化膜に代わるLow−k(低誘電率)材料や、シリコン窒化膜に代わるエッチングストッパを用いるようにしてもよい。
以上、本発明に係る半導体装置及びその製造方法によれば、第1絶縁膜/第2絶縁膜/第3絶縁膜/第4絶縁膜の積層を有する層間絶縁層が設けられている。さらに、この層間絶縁層において、第1絶縁膜上方で配線接続領域に対応したホールを備える。これが標準的な構造として準備される。第1絶縁膜上方のホールは、後に選択的に第1絶縁膜を貫通して配線接続領域とつながる。配線接続領域とつながるホールは、第4の絶縁膜で側部が囲まれる配線経路の一部になる。すなわち、第4絶縁膜で第1層配線の厚みが決まる。第3絶縁膜は第1層配線の底部を画一化するエッチングストッパとして寄与する。ホールの形成は、エッチングガスのステップ切替えを伴う連続エッチング工程で達成される。この結果、TAT短縮化に効果を発揮すると共に量産ばらつきを考慮した加工精度において有利な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
11…半導体基板、12…P型領域、13…ゲート絶縁膜、14…ゲート電極、15…サイドウォール絶縁膜、16…低濃度エクステンション領域、17…配線接続領域、21,23…窒化膜、22,24…酸化膜、28…配線溝、29…導電部材、291,291a,291b…バリア膜、292,292a,292b…主配線金属膜、IL…層間絶縁膜、H1,H2…ホール、RM1,RM2…レジストマスク、WR…配線、SC…基本素子群。
Claims (11)
- 半導体基板上に形成された、複数の素子及びその配線接続領域と、
前記素子上を覆うと、
少なくとも前記配線接続領域各々に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させたホールと、を含み、
前記ホールは、選択的に前記第4の絶縁膜で側部が囲まれかつ前記第1絶縁膜を貫通して前記配線接続領域とつながる配線経路の一部になる半導体装置。 - 前記第2絶縁膜上面は平坦化面であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が前記層間絶縁層としての実質的な厚みを有する請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい請求項1または2記載の半導体装置。
- 半導体基板の第1導電型領域上に形成された、配線接続領域を伴う第2導電型の基本素子群と、
前記基本素子群上に被覆された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され平坦化された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と、
前記第4絶縁膜上に形成された第4絶縁膜と、
少なくとも前記配線接続領域のうち第1選択領域に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させた第1ホールと、
少なくとも前記配線接続領域のうち第2選択領域に対応させて前記第1絶縁膜乃至前記第4絶縁膜を貫通させた第2ホールと、
前記第1ホール及び前記第2ホールに埋め込まれた導電部材と、
前記第2ホールの導電部材とつながる、前記第4の絶縁膜で側部が囲まれた配線層と、を含む半導体装置。 - 前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜はエッチングストッパ膜であり、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜が層間絶縁層としての実質的な厚みを有する請求項4記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質であり、前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚が大きい請求項4または5記載の半導体装置。
- 前記導電部材は、少なくとも前記第2ホールに関し、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜に囲まれる部分と前記第4絶縁膜に囲まれる部分とでは異なった物質を配している請求項4〜6いずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記導電部材は、W,Al,Cuのうちいずれかを含む金属膜と、少なくとも前記第2絶縁膜、前記第4絶縁膜及び前記配線接続領域に対する前記金属膜とのバリア膜と、を含む請求項4〜7いずれか一つに記載の半導体装置。
- 予め半導体基板上に規則的に並べた配線接続領域を伴う基本素子群が敷設され、ユーザーの要求機能を多層配線によって実現する半導体装置の製造方法において、
前記基本素子群上に第1絶縁膜を被覆する工程、前記第1絶縁膜上に前記基本素子群の段差をなくするように平坦化した第2絶縁膜を形成する工程、前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、及び前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程を有する層間絶縁層を形成する工程と、
少なくとも前記配線接続領域各々に対応させて前記第1絶縁膜上方の前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を貫通させた第1ホールを形成する第1エッチング工程と、
前記第1ホールのうち、ユーザーの要求機能に応じて選択的に前記第1の絶縁膜を貫通させる第2ホールの形成と同時に前記第4絶縁膜で側部が囲まれる配線溝を形成する第2エッチング工程と、
前記第1ホール、前記第2ホール及び前記配線溝に埋め込まれる導電部材を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記層間絶縁層に関し、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜は前記層間絶縁層としての実質的な厚みが確保できるよう形成し、前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は同じ膜質で別々の工程におけるエッチングストッパとして前記第1絶縁膜に比べて前記第3絶縁膜の膜厚を大きくする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁層に関し、前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜は共に第1のエッチングレートを有し、前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜は共に第2のエッチングレートを有しており、前記第1エッチング工程または前記第2エッチング工程は、エッチングガスのステップ切替えを伴う連続エッチング工程で達成される請求項9または10記載の半導体装置の製造方法。
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