JP2005175073A - 高周波装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 放熱性が高く、かつ小型の高周波装置を提供する。
【解決手段】 ペルチェ素子11の吸熱側の面がPSK復調IC13と接触するように、またペルチェ素子11の放熱側の面が熱伝導性の材料からなり蒸発及び凝縮が起こる媒体を封入したパイプ形状の部材であるヒートパイプ12に接触するように、ペルチェ素子11を取り付ける。ヒートパイプ12の端部12aは、シールドケース7に設けられた小孔7cからチューナ装置1外部に導き出され、キャビネット6内の外気にさらされ、ヒートパイプ12の端面12bはキャビネット6に接触するように配置する。
【選択図】図1

Description

本発明は高周波信号を取り扱う高周波回路を有する高周波装置に関し、特にその放熱構造に関する。
高周波の搬送波を周波数変換して各種信号波を取り出す高周波装置は、テレビ受信機、衛星通信機器、移動体通信機器等に使用されている。図5は、従来の高周波装置のうちテレビ受信機等に搭載されるチューナ装置の概略構成を示している。
図5では、チューナ装置100のシールド蓋10を開いた内部の様子を示しており、チューナ装置100はシールドケース7と、RF(Radio Frequency)入力端子8、高周波回路基板9を有している。
防磁部材であるシールドケース7の内部には、回路ブロック等の部品が実装された高周波回路基板9が組み込まれ、半田付けによって固定されている。そして、シールドケース7によって、高周波回路基板9とチューナ装置100外部との電磁的隔離を確保している。また、シールドケース7の開口面100aを、他の防磁部材であるシールド蓋10によって覆うことにより、高周波回路基板9とチューナ装置100外部との電磁的隔離をさらに高めている。なお、シールドケース7は、厚さ1mm弱の薄い表面処理鋼板を板金加工して箱型に成型したものであり、RF入力端子8とともに組み立てられている。なお、シールドケース7の下部に配置された6つの端子30は、チューナ100装置とマザー基板(図示しない)との間での信号及び電源の入出力用の端子である。
高周波回路基板9上には、RFアンプ、IQ(In−phase and Quadrature)検波IC(Integrated Circuit)、PSK(Phase Shift Keying)復調IC13等の回路ブロックが配置されている。図5では、これら回路ブロックのうち発熱の大きなPSK復調IC13のみ図示している。
チューナ装置100では、PSK復調IC13に接触するように平板を折り曲げた形状の熱伝導性部材19が取り付けられている。この場合、熱伝導性部材19は、シールドケース7とシールド蓋10で包囲された閉空間の内部に配置されており、PSK復調IC13で発生した熱をチューナ装置100の外に放散させるためにシールドケース7に伝える役割をしている。なお、放熱板19の形状や材質は要求される放熱量に応じて決定される。
チューナ装置のような高周波装置においては、高周波回路を安定して動作させるために温度環境を定常状態に保つ必要があるので上記のように熱伝導性部材を設けているが、近年、高周波発振の高出力化、高性能化等に伴い発熱量が増加する傾向にあり、より効率の高い放熱を行うことが必要となってきている。
そこで、高周波装置の温度環境を定常状態に保つ方法として、冷却ユニットを配置することによって放熱を行う方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1では、高周波回路である周波数変換器に低温ステージを接触して配置し、それらを熱シールドで囲み、低温ステージは冷媒還流部を介して熱交換部と連結することによって、周波数変換器を冷却する冷却ユニットを配置する方法が提案されている。
特開平9−139528号公報(第9頁、第1図)
最近、高周波装置に対し、高周波発振の高出力化、高性能化に加えて、薄型を含めて小型であることが強く求められており、それに伴って高い放熱性を確保した上で装置の放熱構造もコンパクトにする必要が生じている。
しかし、特許文献1に提案されている方法では、冷却ユニットを設置するので広い空間を必要とし、高周波装置が大きくなってしまうという問題が生じていた。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、放熱性が高く、かつ小型の高周波装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の高周波装置は、高周波信号を取り扱う高周波回路を搭載した高周波回路基板が防磁部材によって包囲されている高周波装置であって、高周波回路に隣接してペルチェ素子が配置されていることを特徴としている。
これによって、小型で放熱性の高い高周波装置が提供される。つまり、高周波回路から発生した熱をペルチェ素子が効率よく吸熱し、高周波装置の外部に放熱することができ、かつ、ペルチェ素子は高周波回路基板上に搭載できる程度に十分小さいので、高周波装置を薄型にすることも、全体の大きさを小さくすることもできる。そして、この高周波装置は放熱性が高いので、高出力で高性能を有する装置とすることができる。
この場合、高周波回路のうち特に発熱の大きいICに接触するようにペルチェ素子を配置することが好ましい。このような配置により、発熱の大きなICの過熱をより効率的に抑えることができるからである。なお、ペルチェ素子は電流を流すことにより素子の一方の面で吸熱し、他方の面で放熱する性質を有する素子である。
上記構成の高周波装置において、ペルチェ素子の吸熱側の部分が高周波回路に接触し、ペルチェ素子の放熱側の部分と接触して熱伝導性部材が配置され、更に熱伝導性部材は防磁部材にも接触するようにすることができる。
このように熱伝導性部材を配置することにより、高周波回路から発生した熱が防磁部材を伝わって外部へ効率よく伝えられるので、更に効率的な放熱を行うことが可能となる。また、熱伝導性部材は、高周波回路基板を包囲している防磁部材にも接触するように設置さえすればよく、大きなものを必要としないので熱伝導性部材によって高周波装置が特に大きくなることはない。ここで、熱伝導性部材の材質や形状は要求される放熱量に応じて決定すればよい。熱伝導性部材の材質としては、銅、銀、黒鉛等の高熱伝導性のセラミックス、ダイヤモンドを含む素材等が挙げられる。また、その形状は平板状であってもパイプ形状であってもよく、特に限定されない。
また、上記構成の高周波装置において、熱伝導性部材を蓋付きパイプ形状のように中空部分を有するものとした場合、その中空部分に蒸発及び凝縮が起こる媒体を封入することができる。これによって、高周波回路から発生し中空部分を有する熱伝導性部材に伝えられた熱は、媒体によっても吸収されるので、更に効率的に高周波回路の過熱を抑制することができる。つまり、この中空部分を有する熱伝導性部材は、いわゆるヒートパイプであり、封入された媒体が熱によって一部又は全部が蒸発し、蒸発潜熱によって熱を吸収した後は凝縮するサイクルが繰り返されることによって熱が吸収される。好適な媒体として、水を挙げることができる。
また、上記構成の高周波装置において、高周波装置がキャビネット内に配置されている場合、熱伝導性部材が更にキャビネットにも接触するようにすることができる。
この場合、高周波回路から発生した熱はキャビネットにも放熱されるので、更により効率的な放熱を行うことができる。また、この場合も熱伝導性部材は、前述のヒートパイプにすることができる。
また、本発明のペルチェ素子が配置されている高周波装置は、高周波回路を搭載した高周波回路基板が防磁部材によって包囲されており、高周波装置はキャビネット内に配置され、冷媒液が熱伝導性部材から熱を受け取る熱交換ジャケット及びキャビネットに熱を放出する放熱部を循環する熱交換ユニットを有し、ペルチェ素子の吸熱側の部分が高周波回路に接触し、ペルチェ素子の放熱側の部分と接触して熱伝導性部材が配置され、熱伝導性部材は、更に熱交換ジャケットとも接触し、放熱部はキャビネットと接触していることを特徴としている。
このように、熱伝導性部材により防磁部材の外部に放出した熱を冷媒液により冷却し、キャビネットに放出することによって、より効率的な放熱を行うことができる。このような構成は、高周波回路の発熱量が非常に大きな場合、特に有効である。そして、熱交換ユニットは防磁部材とキャビネットとの間に設置されているので、高周波装置の小型化を確保することができる。なお、冷媒液としては水を使用することができる。
また、この場合も熱伝導性部材は、前述のヒートパイプとすることによって更に放熱性を高めることができる。
また、本発明のペルチェ素子が配置されている高周波装置は、高周波回路基板が防磁部材によって包囲されている高周波装置であって、高周波回路に隣接して配置されているペルチェ素子は、ペルチェ素子の吸熱側の部分が高周波回路に接触し、ペルチェ素子の放熱側の部分が防磁部材に接触していることを特徴としている。
これによって、高周波回路から発生した熱がペルチェ素子の放熱側の部分から直接防磁部材を伝わって外部へ効率よく伝えられるので、効率的な放熱を行うことができる。このような構成においては、高周波回路、ペルチェ素子、防磁部材が接触して並んでいるので容易に薄型の高周波装置にすることができる利点がある。
また、この場合において、ペルチェ素子の放熱側の部分が防磁部材の脱着可能な部分に接触するようにすることが好ましい。これによって、ペルチェ素子と防磁部材と位置関係の調整等を行いやすくなり、良好な接触を容易にすることができる。
本発明の高周波装置にあっては、ペルチェ素子を利用して高周波回路から発生する熱を放散させているので、コンパクトな高周波装置で、大きな発熱量を効率よく放熱させることができる。従って、発熱量の大きな高性能及び/又は多機能の高周波装置であっても、小型化された装置が提供できる。
また、本発明の高周波装置にあっては、高周波装置を大きくすることなく、ヒートパイプや熱交換ジャケットを取り付けることができ、更に効率的な放熱を行うことが可能である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
ここでは、本発明の実施の形態に係る高周波装置として、テレビ受信機等に搭載されるチューナ装置を例に説明するが、本発明の高周波装置はこれに限定されることなく、高周波信号を取り扱う高周波回路と、高周波回路を包囲して外部との電磁的隔離を確保する防磁部材とを有して成る高周波装置に広く適用することが可能である。
<実施形態1>
図1は、本発明の実施の形態に係るテレビ受信機の概略構成を示す図であり、特にテレビ受信機に搭載されているチューナ装置の主要部分の概略構成を示している。
図1に示すテレビ受信機は、入力RF信号から所望周波数の信号を取り出すチューナ装置1、チューナ装置1の制御を行うマイクロコンピュータ2、ディジタル信号の処理を行うディジタル信号処理回路3、テレビ受信機各部への電源供給を行う電源回路4及び各種回路を搭載するマザー基板5を有している。そして、図1では、テレビ受信機の構成を説明するためにキャビネット6はマザー基板5から離れて示されているが、実際は、マザー基板5はキャビネット6内部に収納されている。なお、シールドケース7の下部に配置された6つの端子30は、チューナ装置1とマザー基板5との間での信号及び電源の入出力用の端子である。
図1において、チューナ装置1は、シールドケース7、RF入力端子8、高周波回路基板9、シールド蓋10、ペルチェ素子11及びヒートパイプ12を具備している。そして、シールドケース7の下部7aとマザー基板5とを半田付けすることによって、チューナ装置1をマザー基板5に固定し、電気的接続を確保している。また、ヒートパイプ12内には、媒体が封入されており、その媒体の蒸発・凝縮サイクルによって熱を吸収するようになっている。
防磁部材であるシールドケース7の内部には、回路ブロック等の部品が実装された高周波回路基板9が組み込まれ、半田付けによって固定されている。そして、シールドケース7によって、高周波回路基板9とチューナ装置1外部との電磁的隔離を確保している。また、シールドケース7の開口面7bを、他の防磁部材であるシールド蓋10によって覆うことにより、高周波回路基板9とチューナ装置1外部との電磁的隔離をさらに高めている。なお、チューナ装置1は、その構成を説明するためにシールド蓋10を開いた状態で示されているが、実際はシールド蓋10によってシールドケース7の開口面7bが閉塞されている。また、シールドケース7は、厚さ1mm弱の薄い表面処理鋼板を板金加工して箱型に成型したものであり、同じく防磁部材である仕切り板7c、7dが設けられ、RF入力端子8とともに組み立てられている。
高周波回路基板9上には、実際にはRFアンプ、IQ検波IC、PSK復調IC13等の回路ブロックが配置されているが、図1ではこれら回路ブロックのうち発熱の大きなPSK復調IC13のみを図示している。
本実施形態1では、回路ブロックからの熱を放出するためにPSK復調IC13に接触するようにペルチェ素子11を配置している。この場合、ペルチェ素子11の吸熱側の面がPSK復調IC13と接触するように取り付けられている。また、媒体が封入された熱伝導性部材であるヒートパイプ12が、ペルチェ素子11の放熱側の面に接触するように取り付けられている。
一方、ヒートパイプ12の端部12aは、仕切り板7c及びシールドケース7に設けられたそれぞれの小孔7e、7fからチューナ装置1外部に導き出され、キャビネット6内の外気にさらされ、ヒートパイプ12の端面12bがキャビネット6に接触するように配置されている。
このような構成のチューナ装置1においては、PSK復調IC13で発生した熱は、ペルチェ素子11の吸熱側の面より吸熱されペルチェ素子11の放熱側の面に接触しているヒートパイプ12を介して、ヒートパイプ12の端部12aに伝わり、更に端面12bと接触しているキャビネット6へと伝わりキャビネット6外表面から外気に放散される。
このように、ペルチェ素子11及びヒートパイプ12を用いて吸熱による強制的冷却をし、キャビネット6等を介して放熱する構成とすることにより、小型で効率的な放熱を行うことが可能なチューナ装置1を実現することができる。このとき、ヒートパイプ12は熱伝導率の高い材料を用いるとより高い放熱効果が得られる。
<実施形態2>
本実施形態2は、実施形態1に係るチューナ装置1(図1参照)に、更に熱交換ユニットを取り付けた場合である。本実施形態2においては、熱交換ユニットを更に取り付けたことによる実施形態1との相違点を中心に説明する。
図2は、熱交換ユニットが図1に示すチューナ装置1のヒートパイプ12に連結されたチューナ装置の概略構成を示している。なお、図1では、ヒートパイプ12の端面12bはキャビネット6と接触しているが、本実施形態2では、その端面12bは熱交換ジャケット16と接触している。
図2に示す熱交換ユニット18は、熱交換ジャケット16、放熱部14、冷媒液15が流れるパイプ17から構成されている。そして、熱交換ユニット18は、冷媒液15が循環するようにヒートパイプ12に接触する熱交換ジャケット16とキャビネット6に接触する放熱部14との間をパイプ17でつないでいる。なお、ここで冷媒液15が流れる方向を矢符15aで示している。
つまり、図2に示すチューナ装置では、ペルチェ素子11の放熱側の面からヒートパイプ12へ伝えられた熱が熱交換ジャケット16へと伝えられ、冷媒液15を介して放熱部14に伝わり、放熱部14からキャビネット6に伝わり外部に放熱される。そして、放熱部14を通過した冷媒液15は、再び熱交換ジャケット16に戻り、再び上記と同様の熱交換が繰り返される。
本実施形態2では、熱交換ユニット18のような強制冷却装置を付加した放熱構造を採用しているが、熱交換ユニット18はキャビネット6内に収められているので、チューナ装置を小型に維持することができる。
<実施形態3>
本実施形態3は、チューナ装置1において、熱伝導性部材としてヒートパイプ12(図1参照)の代わりに平板を折り曲げた形状の部材を配置している場合である。なお、本実施形態3においては、平板を折り曲げた形状の熱伝導性部材を取り付けたことによる実施形態1との相違点を中心に説明する。
図3は、本実施形態3に係るチューナ装置の内部の概略構成を示している。
図3に示すチューナ装置では、PSK復調IC13がペルチェ素子11の吸熱側の面と接触し、熱伝導性部材19がペルチェ素子11の放熱側の面と接触しており、更に熱伝導性部材19がシールドケース7の仕切り板7cに接触している。
この構成によって、PSK復調IC13で発生した熱は、ペルチェ素子11の吸熱され熱伝導性部材19に放熱され、熱伝導性部材19からシールドケース7へ伝わり、シールドケース7の下部7aからマザー基板5及びキャビネット6(図1参照)へと伝わりキャビネット6外表面から外気に放散される。
このような構成においては、熱伝導性部材を任意の形状や大きさにすることができ、放熱性に優れた薄型及び/又は小型のチューナ装置を提供できる。
<実施形態4>
本実施形態4は、チューナ装置1がヒートパイプ12(図1参照)も平板を折り曲げた形状の熱伝導性部材17(図3参照)も配置していない場合である。なお、本実施形態4においても、実施形態1と異なる点を中心に説明する。
図4は、本実施形態4に係るチューナ装置の一部の断面図を示している。
図4に示すチューナ装置では、ペルチェ素子11の吸熱側の面がPSK復調IC13と接触するように取り付けられており、シールド蓋10とペルチェ素子11の放熱側の面とが接触するように取り付けられている。また、PSK復調IC13と高周波回路基板9との間には、PSK復調ICの入出力端子20が配置されている。
図4に示すチューナ装置はPSK復調IC13で発生した熱をペルチェ素子11の吸熱側で吸熱し放熱側からシールド蓋10へ放熱することができる。つまり、シールド蓋10からはシールドケース7を通じてマザー基板5及びキャビネット6(図1参照)へと伝わりキャビネット6外表面から外気に熱が放散される。
このような構成にすることにより、チューナ装置を薄型にすることができ、かつチューナ装置は効率的に放熱を行うことができる。
本発明の実施形態1に係る高周波装置を搭載したテレビ受信機の概略構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態2に係る高周波装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施形態3に係る高周波装置の内部構造を示す図である。 本発明の実施形態4に係る高周波装置の内部構造を示す断面図である。 従来の高周波装置の概略構成を示す図である。
符号の説明
1、100 チューナ装置
2 マイクロコンピュータ
3 ディジタル信号処理回路
4 電源回路
5 マザー基板
6 キャビネット
7 シールドケース
8 RF入力端子
9 高周波回路基板
10 シールド蓋
11 ペルチェ素子
12 熱伝導性部材(ヒートパイプ)
13 PSK復調IC
14 放熱部
15 冷媒液
16 熱交換ジャケット
17 パイプ
18 熱交換ユニット
19 平板を折り曲げた熱伝導性部材
20 PSK復調ICの入出力端子
30 端子

Claims (7)

  1. 高周波信号を取り扱う高周波回路を搭載した高周波回路基板が防磁部材によって包囲されている高周波装置であって、
    前記高周波回路に隣接してペルチェ素子が配置されていることを特徴とする高周波装置。
  2. 請求項1に記載の高周波装置において、
    前記ペルチェ素子の吸熱側の部分が前記高周波回路に接触し、前記ペルチェ素子の放熱側の部分と接触して熱伝導性部材が配置され、前記熱伝導性部材は前記防磁部材にも接触していることを特徴とする高周波装置。
  3. 請求項2に記載の高周波装置において、
    前記高周波装置はキャビネット内に配置され、前記熱伝導性部材が更に前記キャビネットにも接触していることを特徴とする高周波装置。
  4. 請求項1に記載の高周波装置において、
    前記高周波装置はキャビネット内に配置され、前記熱伝導性部材から熱を受け取る熱交換ジャケットと前記キャビネットに熱を放出する放熱部との間を冷媒液が循環する熱交換ユニットを有し、
    前記ペルチェ素子の吸熱側の部分が前記高周波回路に接触し、前記ペルチェ素子の放熱側の部分と接触して熱伝導性部材が配置され、前記熱伝導性部材が、更に前記熱交換ジャケットにも接触し、前記放熱部は前記キャビネットと接触していることを特徴とする高周波装置。
  5. 請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の高周波装置において、
    前記熱伝導性部材が中空部分を有し、前記中空部分の中に蒸発及び凝縮が起こる媒体が封入されていることを特徴とする高周波装置。
  6. 請求項1に記載の高周波装置において、
    前記ペルチェ素子の吸熱側の部分が前記高周波回路に接触し、前記ペルチェ素子の放熱側の部分が前記防磁部材に接触していることを特徴とする高周波装置。
  7. 請求項6に記載の高周波装置において、
    前記防磁部材は脱着可能な部分を含み、前記ペルチェ素子の放熱側の部分が前記脱着可能な部分に接触していることを特徴とする高周波装置。

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