JP2005158785A - 実装構造体、実装構造体の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】
端子等の接続部分の接合強度の確保、電気抵抗の低下等、及び短時間低コストでの形成が可能な実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、その電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
例えば第1の接続部である配線パターン20の一部と第2の接続部であるボンディングワイヤー24の一端との間に、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子25と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し、第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子26とを有する中層23bを具備することとしたので、径の小さい第1の超微粒子25のみで中層23bを形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン20の一部とボンディングワイヤー24の一端との接合強度を向上させることができる。
【選択図】 図3
端子等の接続部分の接合強度の確保、電気抵抗の低下等、及び短時間低コストでの形成が可能な実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、その電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
例えば第1の接続部である配線パターン20の一部と第2の接続部であるボンディングワイヤー24の一端との間に、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子25と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し、第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子26とを有する中層23bを具備することとしたので、径の小さい第1の超微粒子25のみで中層23bを形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン20の一部とボンディングワイヤー24の一端との接合強度を向上させることができる。
【選択図】 図3
Description
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。
従来、プリント基板等の上に電子部品を実装する場合のように電気的に接続すべき部分同士の導通は、金属粉体等の導電性媒体を熱硬化性樹脂中に含む例えばACF(Anisotropic Conductive Film)を間に挟んで両側から加熱圧着する方法等があった。
しかし、近年の電子機器等の小型化軽量化等の要請からプリント基板等の配線パターンもきわめて緻密なものとなり、従来のような比較的大きい粒子径の導電性媒体を用いると、その接続部分同士の導通特性が悪化する等の問題が生じた。
そこで、例えばより粒子径の小さい所謂超微粒子を表面処理して使用し、微細な配線パターンの接続部分の導通特性を向上させようとする提案がされている。(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−329945号公報(段落[0010]から[0012])
しかしながら、表面処理した超微粒子を用いる場合であっても、接続部分の接合強度を確保するにはある程度の膜厚が必要となり、超微粒子を吹き付ける等して形成するのに多くの時間を要し、更に折角、時間をかけて形成したものも必ずしも十分な接合強度を得られないという問題が生じた。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、端子等の接続部分の接合強度の確保、電気抵抗の低下等、及び短時間低コストでの形成が可能な実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、その電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る実装構造体は、互いに対向して配置された第1及び第2の接続部と、前記第1の接続部と前記第2の接続部との間に配置され、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層とを具備することを特徴とする。ここで「接続部」とは、例えばフレキシブル基板上の配線パターンの一部、ボンディングワイヤーの一端、バンプ等をいう。
本発明では、第1の接続部と第2の接続部との間に、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層を具備することとしたので、径の小さい第1の超微粒子のみで第1の層を形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、例えば第1の超微粒子が第2の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度が向上する。
また、第1の超微粒子の径を1nm以上であって100nm以下としたのは、1nmより小さいと当該超微粒子の製造が技術的に困難であり、100nmより大きいと第2の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからである。更に第2の超微粒子を100nm以上であって1000nm以下の径を有し第1の超微粒子より径の大きいとしたのは、100nmより小さいと第1の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからであり、1000nmより大きいと大き過ぎて層表面が荒れ接触抵抗が上がってしまい、また、密着度が小さくなり接合強度が低下するといった問題が生じるからである。
本発明の一の形態によれば、前記第2の超微粒子の径は、前記第1の超微粒子の径の2倍以上であって100倍以下であることを特徴とする。これは、2倍より小さいと第1の超微粒子と第2の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからであり、100倍より大きいと差が大き過ぎてうまく積層できず隙間ができて、接触抵抗が上がり接合強度が低下するといった問題が生じるからである。
また、例えば第1の超微粒子が第2の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度を向上させることができる。
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記第1の接続部と前記第1の層との間及び前記第2の接続部と前記第1の層との間のいずれか一方に、第1の超微粒子を有する第2の層を更に具備することを特徴とする。これにより、例えば第1の接続部の表面が荒れている場合にも、よりきれいに金属成長させることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第1の超微粒子及び第2の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする。これにより、一種類の超微粒子例えば金だけの超微粒子で第1及び第2の超微粒子を形成するので、より安定した金属接合を得ることができることとなる。
本発明の他の観点に係る実装構造体の製造方法は、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層を、互いに対向する第1及び第2の接続部の間に形成して当該第1の接続部と第2の接続部とを接続する工程を具備することを特徴とする。
本発明では、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層を、第1の接続部と第2の接続部との間に形成して第1の接続部と第2の接続部とを接続する工程を具備することとしたので、径の小さい第1の超微粒子のみで第1の層を形成して接続するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、第1の接続部と第2の接続部との接合強度を向上させた実装構造体を製造することができる。
また、例えば第1の超微粒子が第2の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度が大きくなる。
本発明の一の形態によれば、前記第2の超微粒子の径は、前記第1の超微粒子の径の2倍以上であって100倍以下であることを特徴とする。
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記第1の接続部と前記第1の層との間及び前記第2の接続部と前記第1の層との間のいずれか一方に、第1の超微粒子を有する第2の層を形成する工程を更に具備することを特徴とする。
本発明の一の形態によれば、前記第1の超微粒子及び第2の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする。
本発明の一の形態によれば、前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子を夫々別々のノズル又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより形成するものであることを特徴とする。これにより、例えばインクジェットで第1及び第2の超微粒子を夫々別々のノズルから第1又は第2の接続部の表面に吹き付けることができ、きわめて容易に第1の層等を形成できる。
本発明の一の形態によれば、前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子をペースト状にし、そのペースト状にした前記第1及び第2の超微粒子をスクリーン印刷することにより形成することを特徴とする。これにより、より簡単に第1の超微粒子と第2の超微粒子を有する第1の層を形成でき、接合強度が向上し電気抵抗が低い等、信頼性の高い接合が得られる。
本発明の一の形態によれば、基板表面に前記第1及び第2の超微粒子をパターニングする工程を更に具備し、前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子がパターニングされた基板を前記第1の接続部に圧着して、前記第1及び第2の超微粒子を前記第1の接続部に転写することにより形成することを特徴とする。ここで、「基板」とは、例えば超微粒子を形成できるフィルム等をいう。これにより、接合強度を向上させることができると共に、ドライバ等の実装を一貫ラインでの連続実装とすることが可能となる。
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、少なくとも、上述の実装構造体及び実装構造体の製造方法により製造された実装構造体のいずれかの実装構造体を備えていることを特徴とする。
本発明では、例えば第1の超微粒子と第2の超微粒子とを均質に有する第1の層により、第1及び第2の接続部を接続する実装構造体を備えることとしたので、接合強度が向上し、しかも電気抵抗を低く抑えること等ができ、より機能の安定した電気光学装置とすることができる。
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に、第1の接続部を形成する工程と、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層により、前記第1の接続部と前記第1の接続部に対向する第2の接続部とを接続する工程とを具備することを特徴とする。ここでの「基板」は、例えば回路基板である電子部品を実装したフレキシブル基板等をいう。
本発明では、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層により、第1の接続部と第2の接続部とを接続する工程を具備することとしたので、より接合強度が向上させ、しかも電気抵抗を低く抑える等、各機能の安定した電気光学装置を製造することができる。
本発明の他の観点に係る電子機器は、少なくとも、上述の電気光学装置及び電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置のいずれかの電気光学装置を備えていることを特徴とする。
本発明では、接続部の接合強度を上げさせ、しかも電気抵抗を低く抑える等のできる電気光学装置を備えるので、電子機器の性能をより安定させ、向上させることが可能となる。
以上のように、本発明によれば、端子等の接続部分をその接合強度を確保しながら、短時間で低コストに実装構造体等を形成することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、実装構造体を用いた電気光学装置の例として液晶装置について説明し、その液晶装置としてTFT(Thin Film Trannsistor)アクティブマトリクス型の液晶装置について説明するがこれに限られるものではない。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図2は図1のA−A線断面図(駆動用IC等は、切断していない。)、図3は端子とボンディングワイヤーとの接続を説明する断面図である。
(液晶装置の構造)
液晶装置1は、例えば図1に示すように液晶パネル2と、実装構造体である回路基板3とを有する。ここで、液晶パネル2には、回路基板3の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される(図示省略)。
液晶パネル2は、例えば図2に示すようにシール材4を介して貼り合わされた一対の基板5及び6と、両基板間隙(いわゆるセルギャップ)に封止された液晶、例えばTN(Twisted Nematic)型の液晶層7とを有する。基板5及び6は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。また、基板5及び6の外側(液晶層7とは反対側)の表面には、入射光を偏光させるための夫々偏光板8,9が貼り付けられている。
基板5の内側(液晶層7側)表面にはX方向にゲート電極10が形成され、Y方向にソース電極11が形成されている。ゲート電極10及びソース電極11は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料によって形成されている。一方、基板6の内側表面には共通電極12が形成されている。
また、基板5は、基板6の外周縁から張り出した張り出し部13を有し、該張り出し部13の面上には、例えばゲート電極10及びソース電極11に接続された液晶駆動用のXドライバIC14及びYドライバIC15が実装されている。更にXドライバIC14及びYドライバIC15には、入力端子16が接続されている。
次に、回路基板3は、図2に示すようにフレキシブル基板17と、該フレキシブル基板17上に実装された電子部品として、例えば液晶駆動用のXドライバIC14及びYドライバIC15の電源用IC18やコンデンサー等(図示せず)とを有する。
基板であるフレキシブル基板17は、ベース基材19の面上に例えば銅(Cu)等からなる配線パターン20が形成されたものである。ここで、ベース基材19は、可撓性を有するフィルム状の部材であり、張り出し部13側の入力端子16と配線パターン20とが電気的に導通するように、スルーホール21が形成されている。そのスルーホール21の張り出し部13側には、図2に示すように配線パターン20に接続された出力端子22が形成されており、該出力端子22はXドライバIC14及びYドライバIC15が接続された入力端子16と接続されていている。
また、例えば出力端子22と反対側に形成された配線パターン20の一端には電源用IC18へ接続するための入力端子23が形成されており、その入力端子23の表面に電源用IC18に接続されたボンディングワイヤー24が接続されている。
この入力端子23は、図3に示すように第1の接続部である配線パターン20の一部の面上に、配線パターン20側から第2の層である下層23a、その上に第1の層である中層23b及びその上に第2の層である上層23cが形成され、その上層23cの表面に第2の接続部であるボンディングワイヤー24の一端が、接続されることとなる。
ここで、下層23a及び上層23cは、径が1nm以上であって100nm以下、より好ましくは1nm以上であって50nm以下の第1の超微粒子25である例えば金の超微粒子により形成されている。第1の超微粒子25の径を1nm以上であって100nm以下としたのは、第1の超微粒子25の径が、例えば1nmより小さいとその製造が技術的に困難になり、また、100nmより大きいと第2の超微粒子26とのサイズ的な差が出なくなり、大きい第2の超微粒子26の間に小さい第1の超微粒子25が入り込み、丁度石垣のような構造とならなくなるからである。
更により好ましくは1nm以上であって50nm以下としたのは、50nmより大きい場合で第2の超微粒子26の径が100nmであると、後述するような第2の超微粒子26が2倍以上の径とならなくなるからである。
また、中層23bは、同じ金で100nm以上であって1000nm以下、より好ましくは100nm以上であって500nm以下の径を有し、第1の超微粒子25より径の大きい第2の超微粒子26と、第1の超微粒子25とにより、夫々超微粒子25,26が片寄らないように形成されている。第2の超微粒子26の径を100nm以上であって1000nm以下としたのは、第2の超微粒子26の径が、100nmより小さくなると第2の超微粒子26とのサイズ的な差が出なくなると共に、1000nmより大きくなると層表面が荒れてくるので、接触抵抗が上がってしまい、また、密着力が小さくなるので接合強度が低下してしまうからである。
更により好ましくは100nm以上であって500nm以下としたのは、より完全な接合強度を確保するために望ましいからである。
また、第2の超微粒子26の径は、第1の超微粒子25の径の2倍以上で100倍以下、より好ましくは2倍以上で30倍以下となっている。第2の超微粒子26の径を2倍以上で100倍以下としたのは、2倍より小さいと第1の超微粒子25とのサイズ的な差が出なくなってしまうと共に、100倍より大きいと、うまく積層できず、隙間ができてしまうので接触抵抗が上がり接合強度が低下してしまうからである。
更により好ましくは2倍以上で30倍以下としたのは、よりうまく積層させ接合強度を上げるためである。
以上により、中層23bが第2の超微粒子26の間にそれより径の小さい第1の超微粒子25が入り込み、いわば石垣のように形成されるので、一種類の径の超微粒子により形成される場合に比較してより接合強度が、増大する。更に、小さい径の超微粒子のみで形成する場合に比べ、より早く形成できることとなる。
また、下層23aを小さい径の第1の超微粒子25により形成するので、図3に示すように例えば配線パターン20の銅箔をスパッタリングで形成する場合に、その表面に生じる小さな凹凸を第1の超微粒子25により平坦化でき、その上の中層23b以降の金属成長を乱れの無いものにすることができる。
尚、第1の超微粒子25及び第2の超微粒子26とも上述の金に限られるわけではなく、白金や銀、銅及びカーボン等でもよい。
また、張り出し部13側の入力端子16と出力端子22との接続についても、例えば入力端子16を第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とで上述のように三層構造にして金属接合させることができる。
更に例えばとして図3では、配線パターン20の下層23aとの接触面(第1の接続部)の位置と、上層23cに接続されたボンディングワイヤー24の一端(第2の接続部)の位置とが平面的に一致しているように表したが、これに限られるものではなく例えば配線パターン20の下層23aとの接触面の位置とボンディングワイヤー24の一端との位置とが平面的に横方向にずれている場合でもよい。これによっても、第1及び第2の超微粒子25,26により短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン20の一部とボンディングワイヤー24の一端との接合強度を向上させることができる。
(実装構造体の製造方法)
次に、配線パターン20の一部に入力端子23を形成する点を中心に実装構造体である回路基板の製造方法を説明する。
図4は端子を製造する方法のフローチャート、図5はベース基材19に配線パターンを形成した状態の説明図、図6は配線パターンの上に入力端子の下層を形成する状態の説明図、図7は下層の上に中層を形成する状態の説明図、図8は中層の上に上層を形成する状態の説明図及び図9は上層にボンディングワイヤーを接続する状態の説明図である。
まず、図5に示すようにフレキシブル基板17のベース基材19にスパッタリング法等により例えば銅箔やITO(インジウムスズ酸化物)等の薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより配線パターン20を形成する(ST101)。
次に、その配線パターン20の上に例えばインクジェット装置(図示しない)を用いて該インクジェット装置の第1のノズル27から第1の超微粒子25を図6に示すように配線パターン20の入力端子23を形成する部分に吹き付け、下層23aを形成する(ST102)。これにより、スパッタリング等で形成された配線パターン20の表面に生じた凹凸を第1の超微粒子25により表面を平坦化でき、より金属成長を乱れのないようにできる。
また、図7に示すように下層23aの上にインクジェット装置の第1のノズル27から第1の超微粒子25を吹き付けると共に、そのインクジェット装置の第2のノズル28から第2の超微粒子26を吹き付け、中層23bを形成する(ST103)。これにより、第1の超微粒子25がそれより径の大きい第2の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣のような状態となり第2の超微粒子で膜厚を稼ぐと共に、接合強度を向上させることができることとなる。尚、中層23bの形成は上述のように第1のノズル27と第2のノズル28に分けて吹き付ける場合に限られず、事前に第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とを所定の割合で混ぜておき、一つのノズルにより吹き付けてもよい。
更に第2の超微粒子26を先に吹き付けておいて、その後同じところに第1の超微粒子25を吹き付けても、第1の超微粒子25が第2の超微粒子26の間に入り込み、やはり石垣状に金属が成長する。
また図8に示すように、中層23bの上に第1のノズル27から第1の超微粒子25を吹き付け、上層23cを形成する(ST104)。これにより、その上に接続するボンディングワイヤー24等との金属接合を確実にさせることができるようになる。
更に図9に示すように接合部分に、例えば超音波やマイクロ波等を当てながら加熱して入力端子23の最上面である上層23cの表面に、ボンディングワイヤー24の一端を接続し(ST105)、その他の電子部品例えば同じフレキシブル基板17にコンデンサー等を実装し実装構造体である回路基板3が完成する。この場合の加熱は、通常に比べ低温で済むので加熱による他の電子部品等のダメージを防ぐことができる。
尚、上述のインクジェット装置は圧電体素子の体積変化により溶剤に超微粒子を分散した流動体を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより流動体を吐出させる方式であってもよい。また、溶剤としては例えばアルコール類や有機エステル類を含有するものがある。更にバインダーを用いてもよい。これら溶剤やバインダーは溶融結合する際に飛んでしまうので、純粋な金属接合の強度と低い電気抵抗が得られることとなる。
更に電子部品が実装された回路基板3を液晶パネル2に例えば図1及び図2に示すように接続すると共に、その他の照明装置やその他の付帯機構を付設、接続し液晶装置1が完成する。
このように本実施形態によれば、例えば第1の接続部である配線パターン20の一部と第2の接続部であるボンディングワイヤー24の一端との間に、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子25と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し、第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子26とを有する中層23bを具備することとしたので、径の小さい第1の超微粒子25のみで中層23bを形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン20の一部とボンディングワイヤー24の一端との接合強度を向上させることができる。
また、第2の超微粒子26の径を第1の超微粒子25の径の2倍以上であって100倍以下としたので、第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とのサイズ的な差を出すことができると共に、差が大き過ぎてうまく積層できず隙間ができて、接触抵抗が上がり接合強度が低下するといったことを防止できる。例えば第1の超微粒子が第2の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度を向上させることができる。
更に、配線パターン20の一部と中層23bとの間に、第1の超微粒子25を有する第2の層である下層23aを具備することとしたので、例えば配線パターン20の一部の表面が荒れている場合にも、よりきれいに金属成長させることができる。
また、第1の超微粒子25及び第2の超微粒子26は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成される超微粒子、例えば金だけの超微粒子で第1及び第2の超微粒子を形成するので、より安定した金属接合を得ることができることとなる。
更に中層23bを形成する工程は、第1及び第2の超微粒子25,26を夫々別々のノズル27,28又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより、中層23bを形成することとしたので、例えばインクジェットで第1及び第2の超微粒子25,26を夫々別々のノズル27,28から下層23aの表面に吹き付けることができ、きわめて容易に第1及び第2の超微粒子25,26を均質に有する中層23bを形成できる。
(第2の実施形態)
次に、本発明に係る液晶装置の第2の実施形態について説明する。本実施形態においては、第1の実施形態が電子部品である電源用IC18と配線パターン20との接続が、入力端子23にボンディングワイヤー24が金属接合されていたのに対し、入力端子23にバンプが金属接合されている点が異なるので、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第1の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第1の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
図10は本発明の第2の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図11は図10のA−A線断面図(駆動用IC等は、切断していない。)である。
図10及び図11に示すように、例えば回路基板3に実装された電子部品である電源用IC18は、その下面(張り出し部13側)に複数のバンプ29が形成されている。そして、そのバンプ29は、その下(張り出し部13側)に対向配置された配線パターン20の入力端子23の上層23cに金属接合されている。
また、入力端子23は第1の実施形態と同様、第1の超微粒子25を有する下層23a、第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とが、例えば均質に形成された中層23b及び第1の超微粒子25を有する上層23cから構成されており、その製造方法も第1の実施形態と同様である。
このように本実施形態によれば、バンプ29を入力端子23の上層23cに金属接合させたので、第1の超微粒子25とそれより径の大きい第2の超微粒子26を均質に混ぜて中層23bを形成し、その上下に第1の超微粒子25を有する下層23a、上層23cを形成する入力端子23により、バンプ29と入力端子23の上層23cとでその接合強度を十分有することができると共に、電気抵抗を小さくできる。
(第3の実施形態)
次に、本発明に係る液晶装置の第3の実施形態について説明する。本実施形態においては、第1の実施形態がその実装構造体の製造方法がインクジェット装置により入力端子を製造する方法なのに対し、超微粒子をペースト状にしてスクリーン印刷をして製造する点が異なるので、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第1の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第1の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
図12は本発明の第3の実施形態に係る入力端子のスクリーン印刷のフローチャート、図13は配線パターンへのスクリーンマスクのセットの説明図、図14はペースト状の超微粒子のセットの説明図、図15はスキージによる超微粒子の印刷の説明図及び図16は入力端子の下層が形成された状態の説明図である。
まず、図4、図5に示すように第1の実施形態と同様フレキシブル基板17のベース基材19に配線パターン20を形成する(ST101)。
次に図4のST102のように第1の超微粒子25を有する下層23aを形成することとなるが、ここで図12に示すフローチャートのように、スクリーン印刷により下層23aが形成される。以下に説明する。
図13に示すように必要なところ、例えば入力端子23が形成される配線パターン20部分に超微粒子を印刷できるように、スクリーンマスク30をセットする(ST201)。
そして、図14に示すようにスクリーンマスク30の端に第1の超微粒子25をペースト化した物をセットする(ST202)。ペースト化は、例えば第1の超微粒子25を樹脂や溶剤に分散して生成する。
更に図15に示すように、セットされたペースト化した第1の超微粒子25をスキージ31によりスクリーンマスク30上に引き延ばし、埋め込んで印刷する(ST203)。
次に、スクリーンマスク30をフレキシブル基板17から除去する(ST204)と、図16に示すように下層23aが形付けられることとなる。この後、加熱処理する(ST205)ことにより、下層23aから樹脂や溶剤成分が取り除かれ、第1の超微粒子25を有する下層23aが形成される。以下同様なこと(ST201からST205)を、中層23b及び上層23cを形成するために夫々行う。
尚、中層23bでは第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とを均質になるよう樹脂及び溶剤中に分散し、印刷してもよいし、径の大きい第2の超微粒子26を印刷した後に(加熱処理しないで)、径の小さい第1の超微粒子25を印刷してもよい。
これにより、入力端子23が形成され、例えば超音波やマイクロ波等を当てながら加熱して入力端子23の最上面である上層23cの表面に、ボンディングワイヤー24の一端を接続し(ST105)、その他の電子部品例えば同じフレキシブル基板17にコンデンサー等を実装し実装構造体である回路基板3が完成する。
このように本実施形態によれば、第1の超微粒子25とそれより径の大きい第2の超微粒子を、例えば均質に有するようにペースト化しスクリーン印刷することとしたので、簡単に微細化した接続を可能とし、しかも第1の超微粒子25が第2の超微粒子26の間に入り込み、接合強度を向上させると共にその膜厚を短時間で形成できることとなる。
(第4の実施形態)
次に、本発明に係る液晶装置の第4の実施形態について説明する。本実施形態においては、第1の実施形態がその実装構造体の製造方法がインクジェット装置により入力端子を製造する方法なのに対し、超微粒子をパターニングしたフィルムの圧着で製造する点が異なるので、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第1の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第1の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
図17は本発明の第4の実施形態に係る入力端子の製造のフローチャート、図18はフィルムに入力端子を形成した状態の説明図、図19はフィルムごと入力端子を配線パターンに圧着する状態の説明図及び図20は配線パターンに転写された状態の説明図である。
図17に示すように、配線パターン20の形成は第1の実施形態と同様である(ST101)。
その後、例えば図18に示すように基板であるフィルム32に第1の超微粒子25で上層23cを形成し(ST301)、その上(図18では配線パターン20方向)に第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とを均質に混ざり合うように中層23bを形成する(ST302)。
更にその上に、(図18では配線パターン20方向)第1の超微粒子25で下層23aを形成する(ST303)。
次に、例えば図19に示すようにフィルム32ごと配線パターン20の所定の位置に、配線パターン20側から下層23a、中層23b及び上層23cとなるように圧着し(ST304)、その後フィルム32を除去すると、図20に示すように上から上層23c、中層23b及び下層23aにより形成される入力端子23が、配線パターン20の所定の場所に転写されることとなる(ST305)。その後は、第1の実施形態と同様である(ST105)。
このように本実施形態によれば、フィルム32に配線パターン20側から下層23a、中層23b、上層23cを形成したものを、フィルム32の上から圧着し、配線パターン20の所定の位置に転写することとしたので、簡単に下層23a、中層23b、上層23cを配線パターン20に形成できる。また、中層23bで第1の超微粒子25とそれより大きい第2の超微粒子26とが均質に混じり、いわば石垣状に形成されるので接合強度を大きくできる。
更にハンダリフローのラインが要らなくなり、ドライバ実装のインラインで枚葉圧着が可能となり、ドライバ実装、FPC(Flexible Printed Circuit)実装と一貫ラインでの連続実装が可能となる。
(第5の実施形態)
(電子機器)
次に、上述した液晶装置1を備えた本発明の第5の実施形態に係る電子機器について説明する。
図21は本発明の第5の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。
電子機器300は、表示制御系として例えば図21に示すように液晶パネル2及び表示制御回路390などを備え、その表示制御回路390は表示情報出力源391、表示情報処理回路392、電源回路393及びタイミングジェネレータ394などを有する。
また、液晶パネル2には表示領域Fを駆動する駆動回路361を有する。
表示情報出力源391は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源391は、タイミングジェネレータ394によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路392に供給するように構成されている。
また、表示情報処理回路392はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路361へ供給する。駆動回路361は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路393は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
このように本実施形態によれば、電子機器300に用いられている液晶装置1は、第1の超微粒子25と第2の超微粒子26とを有する中層23b等により接合強度を向上させ、しかも電気抵抗を低く抑えること等ができるので、更に機能の安定した電子機器300とすることができる。
特に携帯可能な電子機器にあっては、小型で且つ正確な機能を発揮できることが求められており、接合強度を向上させ外部ショックにも耐性を有し、電気的接続部で低抵抗である本発明の意義は大きいといえる。
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置1が適用可能なのは言うまでもない。
なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば、上述した電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶装置であるが、無機或は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display及びSurface‐Conduction Electron‐Emitter Display等)などの各種電気光学装置であってもよい。
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
例えば、上述の実施形態ではTFTアクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えばパッシブマトリクス型、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、その接続部の接合強度を向上させ電気抵抗を低くさせること等が可能となる。
また、上述の実施形態では例えば入力端子23の構造として下層23a、中層23b及び上層23cを有する場合を説明したが、これに限られるものではなく例えば図22に示すように、下層23aと中層23bにより入力端子23が形成されるものや、図23に示すように、中層23bだけで入力端子23を形成してもよい。これにより、製造コストを下げながら、中層23bによる接合強度の向上を図ることも可能である。
更に上述の実施形態では、例えばとして入力端子23の下層23aの超微粒子と上層23cの超微粒子とを、中層23bの第1の超微粒子と同じものとして説明したが、これに限られるものではなく、同様な作用効果を奏する範囲で完全に同一のものではなく、例えば材料、サイズ等が中層23bに用いられる第1の超微粒子と異なっていてもよい。これにより、更に多様な接合に対応できる。
また、上述の実施形態では例えばとして第1及び第2の接続部の接続として電気的接続を中心に説明したが、これに限られるものではなく例えば電子部品等の単なる固定としても適用可能である。これにより、電子部品等の接合をより強固、且つ、低コストにできることとなる。
更に上述の実施形態では、例えばとして第1及び第2の超微粒子25,26を同一の物質により形成することとしたが、これに限られるものではなく例えば異なる物質により形成することもできる。これにより、より多種多様な接合に対応できる。
また、上述の実施形態では実装構造体として、液晶パネル2に接続される回路基板3を中心に説明したが、これに限られるものではなく例えばガラス基板にICを実装したもの等が含まれ、電気光学装置には限られず半導体装置等も含まれる。これにより、半導体装置等の接合においても接合強度を向上させると共に、製造コストを下げることが可能となる。
1 液晶装置、 2 液晶パネル、 3 回路基板、 4 シール材、 5,6 基板、 7 液晶層、 8,9 偏光板、 10 ゲート電極、 11 ソース電極、 12 共通電極、 13 張り出し部、 14 XドライバIC、 15 YドライバIC、 16,23 入力端子、 17 フレキシブル基板、 18 電源用IC、 19 ベース基材、 20 配線パターン、 21 スルーホール、 22 出力端子、 23a 下層、 23b 中層、 23c 上層、 24 ボンディングワイヤー、 25 第1の超微粒子、 26 第2の超微粒子、 27 第1のノズル、 28 第2のノズル、 29 バンプ、 30 スクリーンマスク、 31 スキージ、 32 フィルム、 300 電子機器、 361 駆動回路、 390 表示制御回路
Claims (14)
- 互いに対向して配置された第1及び第2の接続部と、
前記第1の接続部と前記第2の接続部との間に配置され、1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層とを具備することを特徴とする実装構造体。 - 前記第2の超微粒子の径は、前記第1の超微粒子の径の2倍以上であって100倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の実装構造体。
- 少なくとも前記第1の接続部と前記第1の層との間及び前記第2の接続部と前記第1の層との間のいずれか一方に、第1の超微粒子を有する第2の層を更に具備することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の実装構造体。
- 前記第1の超微粒子及び第2の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の実装構造体。
- 1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層を、互いに対向する第1及び第2の接続部の間に形成して当該第1の接続部と第2の接続部とを接続する工程を具備することを特徴とする実装構造体の製造方法。
- 前記第2の超微粒子の径は、前記第1の超微粒子の径の2倍以上であって100倍以下であることを特徴とする請求項5に記載の実装構造体の製造方法。
- 少なくとも前記第1の接続部と前記第1の層との間及び前記第2の接続部と前記第1の層との間のいずれか一方に、第1の超微粒子を有する第2の層を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の実装構造体の製造方法。
- 前記第1の超微粒子及び第2の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
- 前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子を夫々別々のノズル又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより形成するものであることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
- 前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子をペースト状にし、そのペースト状にした前記第1及び第2の超微粒子をスクリーン印刷することにより形成することを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
- 基板表面に前記第1及び第2の超微粒子をパターニングする工程を更に具備し、
前記第1の層を形成する工程は、前記第1及び第2の超微粒子がパターニングされた基板を前記第1の接続部に圧着して、前記第1及び第2の超微粒子を前記第1の接続部に転写することにより形成することを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。 - 少なくとも、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の実装構造体及び請求項5から請求項11のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法により製造された実装構造体のいずれかの実装構造体を備えていることを特徴とする電気光学装置。
- 基板上に、第1の接続部を形成する工程と、
1nm以上であって100nm以下の径を有する第1の超微粒子と、100nm以上であって1000nm以下の径を有し前記第1の超微粒子より径の大きい第2の超微粒子とを有する第1の層により、前記第1の接続部と前記第1の接続部に対向する第2の接続部とを接続する工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項12に記載の電気光学装置及び請求項13に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置のいずれかの電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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JP2013077745A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2013077745A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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