JP2005158785A - 実装構造体、実装構造体の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】
端子等の接続部分の接合強度の確保、電気抵抗の低下等、及び短時間低コストでの形成が可能な実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、その電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
例えば第１の接続部である配線パターン２０の一部と第２の接続部であるボンディングワイヤー２４の一端との間に、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子２５と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し、第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子２６とを有する中層２３ｂを具備することとしたので、径の小さい第１の超微粒子２５のみで中層２３ｂを形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン２０の一部とボンディングワイヤー２４の一端との接合強度を向上させることができる。
【選択図】 図３

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。

従来、プリント基板等の上に電子部品を実装する場合のように電気的に接続すべき部分同士の導通は、金属粉体等の導電性媒体を熱硬化性樹脂中に含む例えばＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を間に挟んで両側から加熱圧着する方法等があった。

しかし、近年の電子機器等の小型化軽量化等の要請からプリント基板等の配線パターンもきわめて緻密なものとなり、従来のような比較的大きい粒子径の導電性媒体を用いると、その接続部分同士の導通特性が悪化する等の問題が生じた。

そこで、例えばより粒子径の小さい所謂超微粒子を表面処理して使用し、微細な配線パターンの接続部分の導通特性を向上させようとする提案がされている。（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−３２９９４５号公報（段落[００１０]から[００１２]）

しかしながら、表面処理した超微粒子を用いる場合であっても、接続部分の接合強度を確保するにはある程度の膜厚が必要となり、超微粒子を吹き付ける等して形成するのに多くの時間を要し、更に折角、時間をかけて形成したものも必ずしも十分な接合強度を得られないという問題が生じた。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、端子等の接続部分の接合強度の確保、電気抵抗の低下等、及び短時間低コストでの形成が可能な実装構造体、その実装構造体の製造方法、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法、その電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る実装構造体は、互いに対向して配置された第１及び第２の接続部と、前記第１の接続部と前記第２の接続部との間に配置され、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層とを具備することを特徴とする。ここで「接続部」とは、例えばフレキシブル基板上の配線パターンの一部、ボンディングワイヤーの一端、バンプ等をいう。

本発明では、第１の接続部と第２の接続部との間に、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層を具備することとしたので、径の小さい第１の超微粒子のみで第１の層を形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、例えば第１の超微粒子が第２の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度が向上する。

また、第１の超微粒子の径を１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下としたのは、１ｎｍより小さいと当該超微粒子の製造が技術的に困難であり、１００ｎｍより大きいと第２の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからである。更に第２の超微粒子を１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し第１の超微粒子より径の大きいとしたのは、１００ｎｍより小さいと第１の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからであり、１０００ｎｍより大きいと大き過ぎて層表面が荒れ接触抵抗が上がってしまい、また、密着度が小さくなり接合強度が低下するといった問題が生じるからである。

本発明の一の形態によれば、前記第２の超微粒子の径は、前記第１の超微粒子の径の２倍以上であって１００倍以下であることを特徴とする。これは、２倍より小さいと第１の超微粒子と第２の超微粒子とのサイズ的な差が少なくなり十分な効果を奏し得ないからであり、１００倍より大きいと差が大き過ぎてうまく積層できず隙間ができて、接触抵抗が上がり接合強度が低下するといった問題が生じるからである。

また、例えば第１の超微粒子が第２の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度を向上させることができる。

本発明の一の形態によれば、少なくとも前記第１の接続部と前記第１の層との間及び前記第２の接続部と前記第１の層との間のいずれか一方に、第１の超微粒子を有する第２の層を更に具備することを特徴とする。これにより、例えば第１の接続部の表面が荒れている場合にも、よりきれいに金属成長させることができる。

本発明の一の形態によれば、前記第１の超微粒子及び第２の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする。これにより、一種類の超微粒子例えば金だけの超微粒子で第１及び第２の超微粒子を形成するので、より安定した金属接合を得ることができることとなる。

本発明の他の観点に係る実装構造体の製造方法は、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層を、互いに対向する第１及び第２の接続部の間に形成して当該第１の接続部と第２の接続部とを接続する工程を具備することを特徴とする。

本発明では、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層を、第１の接続部と第２の接続部との間に形成して第１の接続部と第２の接続部とを接続する工程を具備することとしたので、径の小さい第１の超微粒子のみで第１の層を形成して接続するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、第１の接続部と第２の接続部との接合強度を向上させた実装構造体を製造することができる。

また、例えば第１の超微粒子が第２の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度が大きくなる。

本発明の一の形態によれば、前記第２の超微粒子の径は、前記第１の超微粒子の径の２倍以上であって１００倍以下であることを特徴とする。

本発明の一の形態によれば、少なくとも前記第１の接続部と前記第１の層との間及び前記第２の接続部と前記第１の層との間のいずれか一方に、第１の超微粒子を有する第２の層を形成する工程を更に具備することを特徴とする。

本発明の一の形態によれば、前記第１の超微粒子及び第２の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする。

本発明の一の形態によれば、前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子を夫々別々のノズル又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより形成するものであることを特徴とする。これにより、例えばインクジェットで第１及び第２の超微粒子を夫々別々のノズルから第１又は第２の接続部の表面に吹き付けることができ、きわめて容易に第１の層等を形成できる。

本発明の一の形態によれば、前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子をペースト状にし、そのペースト状にした前記第１及び第２の超微粒子をスクリーン印刷することにより形成することを特徴とする。これにより、より簡単に第１の超微粒子と第２の超微粒子を有する第１の層を形成でき、接合強度が向上し電気抵抗が低い等、信頼性の高い接合が得られる。

本発明の一の形態によれば、基板表面に前記第１及び第２の超微粒子をパターニングする工程を更に具備し、前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子がパターニングされた基板を前記第１の接続部に圧着して、前記第１及び第２の超微粒子を前記第１の接続部に転写することにより形成することを特徴とする。ここで、「基板」とは、例えば超微粒子を形成できるフィルム等をいう。これにより、接合強度を向上させることができると共に、ドライバ等の実装を一貫ラインでの連続実装とすることが可能となる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、少なくとも、上述の実装構造体及び実装構造体の製造方法により製造された実装構造体のいずれかの実装構造体を備えていることを特徴とする。

本発明では、例えば第１の超微粒子と第２の超微粒子とを均質に有する第１の層により、第１及び第２の接続部を接続する実装構造体を備えることとしたので、接合強度が向上し、しかも電気抵抗を低く抑えること等ができ、より機能の安定した電気光学装置とすることができる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に、第１の接続部を形成する工程と、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層により、前記第１の接続部と前記第１の接続部に対向する第２の接続部とを接続する工程とを具備することを特徴とする。ここでの「基板」は、例えば回路基板である電子部品を実装したフレキシブル基板等をいう。

本発明では、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層により、第１の接続部と第２の接続部とを接続する工程を具備することとしたので、より接合強度が向上させ、しかも電気抵抗を低く抑える等、各機能の安定した電気光学装置を製造することができる。

本発明の他の観点に係る電子機器は、少なくとも、上述の電気光学装置及び電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置のいずれかの電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本発明では、接続部の接合強度を上げさせ、しかも電気抵抗を低く抑える等のできる電気光学装置を備えるので、電子機器の性能をより安定させ、向上させることが可能となる。

以上のように、本発明によれば、端子等の接続部分をその接合強度を確保しながら、短時間で低コストに実装構造体等を形成することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、実装構造体を用いた電気光学装置の例として液晶装置について説明し、その液晶装置としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス型の液晶装置について説明するがこれに限られるものではない。

（第１の実施形態）

図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図（駆動用ＩＣ等は、切断していない。）、図３は端子とボンディングワイヤーとの接続を説明する断面図である。

（液晶装置の構造）

液晶装置１は、例えば図1に示すように液晶パネル２と、実装構造体である回路基板３とを有する。ここで、液晶パネル２には、回路基板３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示省略）。

液晶パネル２は、例えば図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた一対の基板５及び６と、両基板間隙（いわゆるセルギャップ）に封止された液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶層7とを有する。基板５及び６は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。また、基板５及び６の外側（液晶層7とは反対側）の表面には、入射光を偏光させるための夫々偏光板８，９が貼り付けられている。

基板５の内側（液晶層7側）表面にはＸ方向にゲート電極１０が形成され、Ｙ方向にソース電極１１が形成されている。ゲート電極１０及びソース電極１１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料によって形成されている。一方、基板６の内側表面には共通電極１２が形成されている。

また、基板５は、基板６の外周縁から張り出した張り出し部１３を有し、該張り出し部１３の面上には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１に接続された液晶駆動用のＸドライバＩＣ１４及びＹドライバＩＣ１５が実装されている。更にＸドライバＩＣ１４及びＹドライバＩＣ１５には、入力端子１６が接続されている。

次に、回路基板３は、図２に示すようにフレキシブル基板１７と、該フレキシブル基板１７上に実装された電子部品として、例えば液晶駆動用のＸドライバＩＣ１４及びＹドライバＩＣ１５の電源用ＩＣ１８やコンデンサー等（図示せず）とを有する。

基板であるフレキシブル基板１７は、ベース基材１９の面上に例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線パターン２０が形成されたものである。ここで、ベース基材１９は、可撓性を有するフィルム状の部材であり、張り出し部１３側の入力端子１６と配線パターン２０とが電気的に導通するように、スルーホール２１が形成されている。そのスルーホール２１の張り出し部１３側には、図２に示すように配線パターン２０に接続された出力端子２２が形成されており、該出力端子２２はＸドライバＩＣ１４及びＹドライバＩＣ１５が接続された入力端子１６と接続されていている。

また、例えば出力端子２２と反対側に形成された配線パターン２０の一端には電源用ＩＣ１８へ接続するための入力端子２３が形成されており、その入力端子２３の表面に電源用ＩＣ１８に接続されたボンディングワイヤー２４が接続されている。

この入力端子２３は、図３に示すように第１の接続部である配線パターン２０の一部の面上に、配線パターン２０側から第２の層である下層２３ａ、その上に第１の層である中層２３ｂ及びその上に第２の層である上層２３ｃが形成され、その上層２３ｃの表面に第２の接続部であるボンディングワイヤー２４の一端が、接続されることとなる。

ここで、下層２３ａ及び上層２３ｃは、径が１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上であって５０ｎｍ以下の第１の超微粒子２５である例えば金の超微粒子により形成されている。第１の超微粒子２５の径を１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下としたのは、第１の超微粒子２５の径が、例えば１ｎｍより小さいとその製造が技術的に困難になり、また、１００ｎｍより大きいと第２の超微粒子２６とのサイズ的な差が出なくなり、大きい第２の超微粒子２６の間に小さい第１の超微粒子２５が入り込み、丁度石垣のような構造とならなくなるからである。

更により好ましくは１ｎｍ以上であって５０ｎｍ以下としたのは、５０ｎｍより大きい場合で第２の超微粒子２６の径が１００ｎｍであると、後述するような第２の超微粒子２６が２倍以上の径とならなくなるからである。

また、中層２３ｂは、同じ金で１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上であって５００ｎｍ以下の径を有し、第１の超微粒子２５より径の大きい第２の超微粒子２６と、第１の超微粒子２５とにより、夫々超微粒子２５，２６が片寄らないように形成されている。第２の超微粒子２６の径を１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下としたのは、第２の超微粒子２６の径が、１００ｎｍより小さくなると第２の超微粒子２６とのサイズ的な差が出なくなると共に、１０００ｎｍより大きくなると層表面が荒れてくるので、接触抵抗が上がってしまい、また、密着力が小さくなるので接合強度が低下してしまうからである。

更により好ましくは１００ｎｍ以上であって５００ｎｍ以下としたのは、より完全な接合強度を確保するために望ましいからである。

また、第２の超微粒子２６の径は、第１の超微粒子２５の径の２倍以上で１００倍以下、より好ましくは２倍以上で３０倍以下となっている。第２の超微粒子２６の径を２倍以上で１００倍以下としたのは、２倍より小さいと第１の超微粒子２５とのサイズ的な差が出なくなってしまうと共に、１００倍より大きいと、うまく積層できず、隙間ができてしまうので接触抵抗が上がり接合強度が低下してしまうからである。

更により好ましくは２倍以上で３０倍以下としたのは、よりうまく積層させ接合強度を上げるためである。

以上により、中層２３ｂが第２の超微粒子２６の間にそれより径の小さい第１の超微粒子２５が入り込み、いわば石垣のように形成されるので、一種類の径の超微粒子により形成される場合に比較してより接合強度が、増大する。更に、小さい径の超微粒子のみで形成する場合に比べ、より早く形成できることとなる。

また、下層２３ａを小さい径の第１の超微粒子２５により形成するので、図３に示すように例えば配線パターン２０の銅箔をスパッタリングで形成する場合に、その表面に生じる小さな凹凸を第１の超微粒子２５により平坦化でき、その上の中層２３ｂ以降の金属成長を乱れの無いものにすることができる。

尚、第１の超微粒子２５及び第２の超微粒子２６とも上述の金に限られるわけではなく、白金や銀、銅及びカーボン等でもよい。

また、張り出し部１３側の入力端子１６と出力端子２２との接続についても、例えば入力端子１６を第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とで上述のように三層構造にして金属接合させることができる。

更に例えばとして図３では、配線パターン２０の下層２３ａとの接触面（第１の接続部）の位置と、上層２３ｃに接続されたボンディングワイヤー２４の一端（第２の接続部）の位置とが平面的に一致しているように表したが、これに限られるものではなく例えば配線パターン２０の下層２３ａとの接触面の位置とボンディングワイヤー２４の一端との位置とが平面的に横方向にずれている場合でもよい。これによっても、第１及び第２の超微粒子２５，２６により短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン２０の一部とボンディングワイヤー２４の一端との接合強度を向上させることができる。

（実装構造体の製造方法）

次に、配線パターン２０の一部に入力端子２３を形成する点を中心に実装構造体である回路基板の製造方法を説明する。

図４は端子を製造する方法のフローチャート、図５はベース基材１９に配線パターンを形成した状態の説明図、図６は配線パターンの上に入力端子の下層を形成する状態の説明図、図７は下層の上に中層を形成する状態の説明図、図８は中層の上に上層を形成する状態の説明図及び図９は上層にボンディングワイヤーを接続する状態の説明図である。

まず、図５に示すようにフレキシブル基板１７のベース基材１９にスパッタリング法等により例えば銅箔やＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより配線パターン２０を形成する（ＳＴ１０１）。

次に、その配線パターン２０の上に例えばインクジェット装置（図示しない）を用いて該インクジェット装置の第１のノズル２７から第１の超微粒子２５を図６に示すように配線パターン２０の入力端子２３を形成する部分に吹き付け、下層２３ａを形成する（ＳＴ１０２）。これにより、スパッタリング等で形成された配線パターン２０の表面に生じた凹凸を第１の超微粒子２５により表面を平坦化でき、より金属成長を乱れのないようにできる。

また、図７に示すように下層２３ａの上にインクジェット装置の第１のノズル２７から第１の超微粒子２５を吹き付けると共に、そのインクジェット装置の第２のノズル２８から第２の超微粒子２６を吹き付け、中層２３ｂを形成する（ＳＴ１０３）。これにより、第１の超微粒子２５がそれより径の大きい第２の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣のような状態となり第２の超微粒子で膜厚を稼ぐと共に、接合強度を向上させることができることとなる。尚、中層２３ｂの形成は上述のように第１のノズル２７と第２のノズル２８に分けて吹き付ける場合に限られず、事前に第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とを所定の割合で混ぜておき、一つのノズルにより吹き付けてもよい。

更に第２の超微粒子２６を先に吹き付けておいて、その後同じところに第１の超微粒子２５を吹き付けても、第１の超微粒子２５が第２の超微粒子２６の間に入り込み、やはり石垣状に金属が成長する。

また図８に示すように、中層２３ｂの上に第１のノズル２７から第１の超微粒子２５を吹き付け、上層２３ｃを形成する（ＳＴ１０４）。これにより、その上に接続するボンディングワイヤー２４等との金属接合を確実にさせることができるようになる。

更に図９に示すように接合部分に、例えば超音波やマイクロ波等を当てながら加熱して入力端子２３の最上面である上層２３ｃの表面に、ボンディングワイヤー２４の一端を接続し（ＳＴ１０５）、その他の電子部品例えば同じフレキシブル基板１７にコンデンサー等を実装し実装構造体である回路基板３が完成する。この場合の加熱は、通常に比べ低温で済むので加熱による他の電子部品等のダメージを防ぐことができる。

尚、上述のインクジェット装置は圧電体素子の体積変化により溶剤に超微粒子を分散した流動体を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより流動体を吐出させる方式であってもよい。また、溶剤としては例えばアルコール類や有機エステル類を含有するものがある。更にバインダーを用いてもよい。これら溶剤やバインダーは溶融結合する際に飛んでしまうので、純粋な金属接合の強度と低い電気抵抗が得られることとなる。

更に電子部品が実装された回路基板３を液晶パネル２に例えば図１及び図２に示すように接続すると共に、その他の照明装置やその他の付帯機構を付設、接続し液晶装置１が完成する。

このように本実施形態によれば、例えば第１の接続部である配線パターン２０の一部と第２の接続部であるボンディングワイヤー２４の一端との間に、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子２５と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し、第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子２６とを有する中層２３ｂを具備することとしたので、径の小さい第１の超微粒子２５のみで中層２３ｂを形成するより、短時間及び低コストで所定の厚さを形成できると共に、配線パターン２０の一部とボンディングワイヤー２４の一端との接合強度を向上させることができる。

また、第２の超微粒子２６の径を第１の超微粒子２５の径の２倍以上であって１００倍以下としたので、第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とのサイズ的な差を出すことができると共に、差が大き過ぎてうまく積層できず隙間ができて、接触抵抗が上がり接合強度が低下するといったことを防止できる。例えば第１の超微粒子が第２の超微粒子の間に入り込み、いわば石垣状に金属成長するので接合強度を向上させることができる。

更に、配線パターン２０の一部と中層２３ｂとの間に、第１の超微粒子２５を有する第２の層である下層２３ａを具備することとしたので、例えば配線パターン２０の一部の表面が荒れている場合にも、よりきれいに金属成長させることができる。

また、第１の超微粒子２５及び第２の超微粒子２６は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成される超微粒子、例えば金だけの超微粒子で第１及び第２の超微粒子を形成するので、より安定した金属接合を得ることができることとなる。

更に中層２３ｂを形成する工程は、第１及び第２の超微粒子２５，２６を夫々別々のノズル２７，２８又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより、中層２３ｂを形成することとしたので、例えばインクジェットで第１及び第２の超微粒子２５，２６を夫々別々のノズル２７，２８から下層２３ａの表面に吹き付けることができ、きわめて容易に第１及び第２の超微粒子２５，２６を均質に有する中層２３ｂを形成できる。

（第２の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が電子部品である電源用ＩＣ１８と配線パターン２０との接続が、入力端子２３にボンディングワイヤー２４が金属接合されていたのに対し、入力端子２３にバンプが金属接合されている点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

図１０は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図１１は図１０のＡ−Ａ線断面図（駆動用ＩＣ等は、切断していない。）である。

図１０及び図１１に示すように、例えば回路基板３に実装された電子部品である電源用ＩＣ１８は、その下面（張り出し部１３側）に複数のバンプ２９が形成されている。そして、そのバンプ２９は、その下（張り出し部１３側）に対向配置された配線パターン２０の入力端子２３の上層２３ｃに金属接合されている。

また、入力端子２３は第１の実施形態と同様、第１の超微粒子２５を有する下層２３ａ、第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とが、例えば均質に形成された中層２３ｂ及び第１の超微粒子２５を有する上層２３ｃから構成されており、その製造方法も第１の実施形態と同様である。

このように本実施形態によれば、バンプ２９を入力端子２３の上層２３ｃに金属接合させたので、第１の超微粒子２５とそれより径の大きい第２の超微粒子２６を均質に混ぜて中層２３ｂを形成し、その上下に第１の超微粒子２５を有する下層２３ａ、上層２３ｃを形成する入力端子２３により、バンプ２９と入力端子２３の上層２３ｃとでその接合強度を十分有することができると共に、電気抵抗を小さくできる。

（第３の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第３の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態がその実装構造体の製造方法がインクジェット装置により入力端子を製造する方法なのに対し、超微粒子をペースト状にしてスクリーン印刷をして製造する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

図１２は本発明の第３の実施形態に係る入力端子のスクリーン印刷のフローチャート、図１３は配線パターンへのスクリーンマスクのセットの説明図、図１４はペースト状の超微粒子のセットの説明図、図１５はスキージによる超微粒子の印刷の説明図及び図１６は入力端子の下層が形成された状態の説明図である。

まず、図４、図５に示すように第１の実施形態と同様フレキシブル基板１７のベース基材１９に配線パターン２０を形成する（ＳＴ１０１）。

次に図４のＳＴ１０２のように第１の超微粒子２５を有する下層２３ａを形成することとなるが、ここで図１２に示すフローチャートのように、スクリーン印刷により下層２３ａが形成される。以下に説明する。

図１３に示すように必要なところ、例えば入力端子２３が形成される配線パターン２０部分に超微粒子を印刷できるように、スクリーンマスク３０をセットする（ＳＴ２０１）。

そして、図１４に示すようにスクリーンマスク３０の端に第１の超微粒子２５をペースト化した物をセットする（ＳＴ２０２）。ペースト化は、例えば第１の超微粒子２５を樹脂や溶剤に分散して生成する。

更に図１５に示すように、セットされたペースト化した第１の超微粒子２５をスキージ３１によりスクリーンマスク３０上に引き延ばし、埋め込んで印刷する（ＳＴ２０３）。

次に、スクリーンマスク３０をフレキシブル基板１７から除去する（ＳＴ２０４）と、図１６に示すように下層２３ａが形付けられることとなる。この後、加熱処理する（ＳＴ２０５）ことにより、下層２３ａから樹脂や溶剤成分が取り除かれ、第１の超微粒子２５を有する下層２３ａが形成される。以下同様なこと（ＳＴ２０１からＳＴ２０５）を、中層２３ｂ及び上層２３ｃを形成するために夫々行う。

尚、中層２３ｂでは第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とを均質になるよう樹脂及び溶剤中に分散し、印刷してもよいし、径の大きい第２の超微粒子２６を印刷した後に（加熱処理しないで）、径の小さい第１の超微粒子２５を印刷してもよい。

これにより、入力端子２３が形成され、例えば超音波やマイクロ波等を当てながら加熱して入力端子２３の最上面である上層２３ｃの表面に、ボンディングワイヤー２４の一端を接続し（ＳＴ１０５）、その他の電子部品例えば同じフレキシブル基板１７にコンデンサー等を実装し実装構造体である回路基板３が完成する。

このように本実施形態によれば、第１の超微粒子２５とそれより径の大きい第２の超微粒子を、例えば均質に有するようにペースト化しスクリーン印刷することとしたので、簡単に微細化した接続を可能とし、しかも第１の超微粒子２５が第２の超微粒子２６の間に入り込み、接合強度を向上させると共にその膜厚を短時間で形成できることとなる。

（第４の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第４の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態がその実装構造体の製造方法がインクジェット装置により入力端子を製造する方法なのに対し、超微粒子をパターニングしたフィルムの圧着で製造する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。

図１７は本発明の第４の実施形態に係る入力端子の製造のフローチャート、図１８はフィルムに入力端子を形成した状態の説明図、図１９はフィルムごと入力端子を配線パターンに圧着する状態の説明図及び図２０は配線パターンに転写された状態の説明図である。

図１７に示すように、配線パターン２０の形成は第１の実施形態と同様である（ＳＴ１０１）。

その後、例えば図１８に示すように基板であるフィルム３２に第１の超微粒子２５で上層２３ｃを形成し（ＳＴ３０１）、その上（図１８では配線パターン２０方向）に第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とを均質に混ざり合うように中層２３ｂを形成する（ＳＴ３０２）。

更にその上に、（図１８では配線パターン２０方向）第１の超微粒子２５で下層２３ａを形成する（ＳＴ３０３）。

次に、例えば図１９に示すようにフィルム３２ごと配線パターン２０の所定の位置に、配線パターン２０側から下層２３ａ、中層２３ｂ及び上層２３ｃとなるように圧着し（ＳＴ３０４）、その後フィルム３２を除去すると、図２０に示すように上から上層２３ｃ、中層２３ｂ及び下層２３ａにより形成される入力端子２３が、配線パターン２０の所定の場所に転写されることとなる（ＳＴ３０５）。その後は、第１の実施形態と同様である（ＳＴ１０５）。

このように本実施形態によれば、フィルム３２に配線パターン２０側から下層２３ａ、中層２３ｂ、上層２３ｃを形成したものを、フィルム３２の上から圧着し、配線パターン２０の所定の位置に転写することとしたので、簡単に下層２３ａ、中層２３ｂ、上層２３ｃを配線パターン２０に形成できる。また、中層２３ｂで第１の超微粒子２５とそれより大きい第２の超微粒子２６とが均質に混じり、いわば石垣状に形成されるので接合強度を大きくできる。

更にハンダリフローのラインが要らなくなり、ドライバ実装のインラインで枚葉圧着が可能となり、ドライバ実装、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）実装と一貫ラインでの連続実装が可能となる。

（第５の実施形態）

（電子機器）

次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。

図２１は本発明の第５の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。

電子機器３００は、表示制御系として例えば図２１に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。

また、液晶パネル２には表示領域Ｆを駆動する駆動回路３６１を有する。

表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。

また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。駆動回路３６１は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。

このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられている液晶装置１は、第１の超微粒子２５と第２の超微粒子２６とを有する中層２３ｂ等により接合強度を向上させ、しかも電気抵抗を低く抑えること等ができるので、更に機能の安定した電子機器３００とすることができる。

特に携帯可能な電子機器にあっては、小型で且つ正確な機能を発揮できることが求められており、接合強度を向上させ外部ショックにも耐性を有し、電気的接続部で低抵抗である本発明の意義は大きいといえる。

具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。

なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば、上述した電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶装置であるが、無機或は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置であってもよい。

以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。

例えば、上述の実施形態ではＴＦＴアクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えばパッシブマトリクス型、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、その接続部の接合強度を向上させ電気抵抗を低くさせること等が可能となる。

また、上述の実施形態では例えば入力端子２３の構造として下層２３ａ、中層２３ｂ及び上層２３ｃを有する場合を説明したが、これに限られるものではなく例えば図２２に示すように、下層２３ａと中層２３ｂにより入力端子２３が形成されるものや、図２３に示すように、中層２３ｂだけで入力端子２３を形成してもよい。これにより、製造コストを下げながら、中層２３ｂによる接合強度の向上を図ることも可能である。

更に上述の実施形態では、例えばとして入力端子２３の下層２３ａの超微粒子と上層２３ｃの超微粒子とを、中層２３ｂの第１の超微粒子と同じものとして説明したが、これに限られるものではなく、同様な作用効果を奏する範囲で完全に同一のものではなく、例えば材料、サイズ等が中層２３ｂに用いられる第１の超微粒子と異なっていてもよい。これにより、更に多様な接合に対応できる。

また、上述の実施形態では例えばとして第１及び第２の接続部の接続として電気的接続を中心に説明したが、これに限られるものではなく例えば電子部品等の単なる固定としても適用可能である。これにより、電子部品等の接合をより強固、且つ、低コストにできることとなる。

更に上述の実施形態では、例えばとして第１及び第２の超微粒子２５，２６を同一の物質により形成することとしたが、これに限られるものではなく例えば異なる物質により形成することもできる。これにより、より多種多様な接合に対応できる。

また、上述の実施形態では実装構造体として、液晶パネル２に接続される回路基板３を中心に説明したが、これに限られるものではなく例えばガラス基板にＩＣを実装したもの等が含まれ、電気光学装置には限られず半導体装置等も含まれる。これにより、半導体装置等の接合においても接合強度を向上させると共に、製造コストを下げることが可能となる。

第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。 図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。 端子とボンディングワイヤーとの接続を説明する断面図である。 第１の実施形態に係る端子を製造する方法のフローチャートである。 ベース基材１９に配線パターンを形成した状態の説明図である。 配線パターンの上に入力端子の下層を形成する状態の説明図である。 第１の実施形態に係る下層の上に中層を形成する状態の説明図である。 第１の実施形態に係る中層の上に上層を形成する状態の説明図である。 上層にボンディングワイヤーを接続する状態の説明図である。 第２の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。 図１０のＡ−Ａ線断面図である。 第３の実施形態に係る入力端子のスクリーン印刷のフローチャートである。 配線パターンへのスクリーンマスクのセットの説明図である。 第３の実施形態に係るペースト状の超微粒子のセットの説明図である。 第３の実施形態に係るスキージによる超微粒子の印刷の説明図である。 第３の実施形態に係る入力端子の下層が形成された状態の説明図である。 第４の実施形態に係る入力端子の製造のフローチャートである。 第４の実施形態に係るフィルムに入力端子を形成した状態の説明図である。 フィルムごと入力端子を配線パターンに圧着する状態の説明図である。 第４の実施形態に係る配線パターンに転写された状態の説明図である。 第５の実施形態に係る電子機器の表示制御系を示す概略構成図である。 上層を形成しない入力端子の説明図である。 下層及び上層を形成しない入力端子の説明図である。

符号の説明

１ 液晶装置、 ２ 液晶パネル、 ３ 回路基板、 ４ シール材、 ５，６ 基板、 ７ 液晶層、 ８，９ 偏光板、 １０ ゲート電極、 １１ ソース電極、 １２ 共通電極、 １３ 張り出し部、 １４ ＸドライバＩＣ、 １５ ＹドライバＩＣ、 １６，２３ 入力端子、 １７ フレキシブル基板、 １８ 電源用ＩＣ、 １９ ベース基材、 ２０ 配線パターン、 ２１ スルーホール、 ２２ 出力端子、 ２３ａ 下層、 ２３ｂ 中層、 ２３ｃ 上層、 ２４ ボンディングワイヤー、 ２５ 第１の超微粒子、 ２６ 第２の超微粒子、 ２７ 第１のノズル、 ２８ 第２のノズル、 ２９ バンプ、 ３０ スクリーンマスク、 ３１ スキージ、 ３２ フィルム、 ３００ 電子機器、 ３６１ 駆動回路、 ３９０ 表示制御回路

Claims (14)

1. 互いに対向して配置された第１及び第２の接続部と、
   前記第１の接続部と前記第２の接続部との間に配置され、１ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層とを具備することを特徴とする実装構造体。
2. 前記第２の超微粒子の径は、前記第１の超微粒子の径の２倍以上であって１００倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
3. 少なくとも前記第１の接続部と前記第１の層との間及び前記第２の接続部と前記第１の層との間のいずれか一方に、第１の超微粒子を有する第２の層を更に具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の実装構造体。
4. 前記第１の超微粒子及び第２の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の実装構造体。
5. １ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層を、互いに対向する第１及び第２の接続部の間に形成して当該第１の接続部と第２の接続部とを接続する工程を具備することを特徴とする実装構造体の製造方法。
6. 前記第２の超微粒子の径は、前記第１の超微粒子の径の２倍以上であって１００倍以下であることを特徴とする請求項５に記載の実装構造体の製造方法。
7. 少なくとも前記第１の接続部と前記第１の層との間及び前記第２の接続部と前記第１の層との間のいずれか一方に、第１の超微粒子を有する第２の層を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の実装構造体の製造方法。
8. 前記第１の超微粒子及び第２の超微粒子は、白金、金、銀、銅及びカーボンからなる群より選択される、一種類の物質から形成されることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
9. 前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子を夫々別々のノズル又は同一のノズルから同時又は交互に噴射させることにより形成するものであることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
10. 前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子をペースト状にし、そのペースト状にした前記第１及び第２の超微粒子をスクリーン印刷することにより形成することを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
11. 基板表面に前記第１及び第２の超微粒子をパターニングする工程を更に具備し、
    前記第１の層を形成する工程は、前記第１及び第２の超微粒子がパターニングされた基板を前記第１の接続部に圧着して、前記第１及び第２の超微粒子を前記第１の接続部に転写することにより形成することを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。
12. 少なくとも、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の実装構造体及び請求項５から請求項１１のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法により製造された実装構造体のいずれかの実装構造体を備えていることを特徴とする電気光学装置。
13. 基板上に、第１の接続部を形成する工程と、
    １ｎｍ以上であって１００ｎｍ以下の径を有する第１の超微粒子と、１００ｎｍ以上であって１０００ｎｍ以下の径を有し前記第１の超微粒子より径の大きい第２の超微粒子とを有する第１の層により、前記第１の接続部と前記第１の接続部に対向する第２の接続部とを接続する工程と
    を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 請求項１２に記載の電気光学装置及び請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置のいずれかの電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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