JP2005150756A - 複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】図1Cに示すように、イリジウムの下部電極12の上に、スパッタ法によりチタンの核14を形成する。つぎに、図1Dに示すように、この下部電極12および核14の上に、ゾルゲル法を用いて、PZT膜8を形成する。PZT膜8を形成する前に、下部電極12の上にチタンの核14を形成することにより、このチタンの核14を中心として、PZT膜8が形成される。したがって、PZT膜8の緻密性が向上する。
【選択図】 図1
Description
4・・・酸化シリコン層
8・・・PZT膜
12・・・下部電極
15・・・上部電極
Claims (7)
- イリジウムを含む下部電極の上に、複合酸化物の結晶性薄膜を生成する方法であって、
前記下部電極の一部に、前記結晶性薄膜の成分元素の核、または、この成分元素の酸化物の核を形成する核形成ステップ、
前記核を形成した後、前記複合酸化物の結晶性薄膜を形成する結晶性薄膜形成ステップ、
を備えたことを特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 請求項1の複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法において、
前記下部電極はイリジウムで構成されていること、
を特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 請求項1の複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法において、
前記下部電極は、イリジウムと白金の合金で構成されていること、
を特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 請求項1の複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法において、
前記下部電極は、イリジウム層およびこのイリジウム層の上に形成された白金層を有すること、
を特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれかの複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法において、
前記核形成ステップで形成される核の成分元素は、前記結晶性薄膜を構成する元素のうち、その酸化物が前記複合酸化物より結晶化温度の低い元素であること、
を特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれかの複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法において、
前記核形成ステップで形成される核は、厚みが1nm〜10nmであること、
を特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。 - 下部電極の上に、複合酸化物の結晶性薄膜を生成する方法であって、
前記下部電極の一部に、前記結晶性薄膜の成分元素の核、または、この成分元素の酸化物の核を形成する核形成ステップ、
前記核を形成した後、前記複合酸化物の結晶性薄膜を形成する結晶性薄膜形成ステップ、
を備えたことを特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。
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WO2008016044A1 (en) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Ulvac, Inc. | Film-forming method and film-forming apparatus |
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