JP2005150199A - Substrate conveyance method and its equipment - Google Patents

Substrate conveyance method and its equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2005150199A
JP2005150199A JP2003382207A JP2003382207A JP2005150199A JP 2005150199 A JP2005150199 A JP 2005150199A JP 2003382207 A JP2003382207 A JP 2003382207A JP 2003382207 A JP2003382207 A JP 2003382207A JP 2005150199 A JP2005150199 A JP 2005150199A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
temporary placement
placement table
processes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2003382207A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyoshi Kitazawa
保良 北澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Co Ltd filed Critical Shinko Electric Co Ltd
Priority to JP2003382207A priority Critical patent/JP2005150199A/en
Priority to KR1020067008800A priority patent/KR100847627B1/en
Priority to CNB2004800321670A priority patent/CN100426484C/en
Priority to PCT/JP2004/016341 priority patent/WO2005045920A1/en
Priority to KR1020077021237A priority patent/KR100880777B1/en
Priority to TW093133852A priority patent/TWI253433B/en
Publication of JP2005150199A publication Critical patent/JP2005150199A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten product turn around time (TAT) of a substrate. <P>SOLUTION: In a clean room, each processor A-D of substrate W is arranged to the order of process, and substrate delivery equipment Ea and Eb for performing delivery of substrate W through a main substrate cassette 1 are arranged in substrate delivery lines L<SB>1</SB>which are juxtaposed to each processor A-D. The substrate W is continuously processed for each sheet in the order of processes. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法、及び装置に関するものである。   The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus for forming a semiconductor element on a substrate through a number of processes in sequence, and transports the substrate along a processing apparatus group consisting of a large number of processing apparatuses arranged in the order of processes in order to process each process. The present invention relates to a method and an apparatus.

基板に成形される半導体素子は、連続した異なる複数の工程を一工程群とした場合に、同一又は近似の複数の工程群を経て多層となって基板に成形されるものが多い。   Many semiconductor elements formed on a substrate are formed on a substrate in multiple layers through a plurality of identical or approximate step groups when a plurality of consecutive different steps are taken as one step group.

例えば、図14に示される基板Wでは、洗浄装置Aによって基板Wの表面を洗浄した後、CVD装置Bにより、その表面に酸化膜51を形成する。その後、フォト装置Cによって、前記酸化膜51に感光剤52を塗布し、露光パターンに従って露光し、現像する。次に、エッチング装置Dによって露光パターン以外の部分を溶かし、更に、感光剤52を取り除く。これにより、基板Wの表面に、第1層の半導体素子が成形される。ある種の基板Wでは、その表面に半導体素子が多層に亘って成形されるものがあり、また、各層の成形工程も、図14に示されるものとは異なる場合もある。   For example, in the substrate W shown in FIG. 14, the surface of the substrate W is cleaned by the cleaning apparatus A, and then the oxide film 51 is formed on the surface by the CVD apparatus B. Thereafter, a photosensitizer 52 is applied to the oxide film 51 by the photo apparatus C, and is exposed and developed according to an exposure pattern. Next, portions other than the exposure pattern are melted by the etching apparatus D, and the photosensitive agent 52 is further removed. As a result, the first layer semiconductor element is formed on the surface of the substrate W. In some types of substrates W, semiconductor elements are formed on the surface over multiple layers, and the forming process of each layer may be different from that shown in FIG.

このため、図15に示されるように、半導体素子の各層を成形する複数の工程群のうち、同一又は近似の工程を処理する複数の処理装置A〜Dを並列状態で配置したり、或いは並列状態で配置したものを対向配置させ、各層において同一又は近似の処理を行う「ベイ」と称される処理装置群をまとめて1箇所に配置させ、各層の工程数に対応する複数の「ベイ」を異なる場所に設置して行われている(例えば、特許文献1参照)。   For this reason, as shown in FIG. 15, among a plurality of process groups for forming each layer of the semiconductor element, a plurality of processing devices A to D that process the same or similar processes are arranged in parallel or in parallel. A plurality of “bays” corresponding to the number of steps in each layer are arranged in one place by collectively arranging a group of processing devices called “bays” that perform the same or approximate processing in each layer by arranging the ones arranged in a state. Are installed in different places (see, for example, Patent Document 1).

そして、基板の搬送に関しては、多数枚の基板がカセットに収納された状態で行われ、全ての工程において、カセットに収納された多数枚の基板はまとめて同一処理(バッチ処理)が行われる。各ベイ間における基板群(カセットに収納された多数枚の基板を意味する)の移動は、各ベイ間を結ぶ専用の搬送車によって行われる。基板に半導体素子を多層にして成形するには、基板群は、各層毎に相前後する工程の各ベイ間を何回も往復することとなる。なお、図15において、54は、カセットを仮置きするためのストッカである。   Substrate transport is performed in a state where a large number of substrates are stored in a cassette, and the same processing (batch processing) is performed on all the substrates stored in the cassette in all steps. The movement of the substrate group (meaning a large number of substrates stored in the cassette) between the bays is performed by a dedicated transport vehicle connecting the bays. In order to form a semiconductor element with multiple layers on the substrate, the substrate group reciprocates between the bays in the successive steps for each layer. In FIG. 15, reference numeral 54 denotes a stocker for temporarily placing a cassette.

このように、上記した「ベイ方式」は、多数枚の基板をまとめて各工程毎にバッチ処理するために、製造ラインに基板を投入してから、全工程の処理を終えて完成品(製品)となるまでに要する製造ライン内での全待機時間を含んだ時間(製品仕掛り時間T12)は、相当に長くなる(図10参照)。この結果、製造ライン内に多数の仕掛り品(製造途中の未完成品)が在庫状態となって製造ライン内に滞留するため、受注後から起算して発注主に完成品を納入できるまでの期間であるリードタイム(納期)が長くなる。このため、短納期の製品の製造には不適である。また、製品仕掛り時間T12が長いことは、製品として計上できずに、製造ライン内に恰も在庫のように滞留している未完成品の数(仕掛り在庫)が多いために、経営面からは投下資本の回転率(回収率)が悪くなる。更に、近時では、基板も大きくなり、それに伴って高価になるため、上記の問題は一層、顕著になっている。なお、「製品仕掛り時間」及び「仕掛り在庫」は、それぞれ「TAT(Turn Around Time)」、「WIP(Work-in-process)」と称されており、前者の略称「TAT」は、以下の説明で使用する。
特開2002−26106号公報
In this way, the above-mentioned “bay method” is a batch process that puts a large number of substrates into batches for each process. The time (product in-process time T 12 ) including the entire standby time in the production line required until () becomes considerably long (see FIG. 10). As a result, a large number of work-in-progress products (unfinished products in the middle of production) are in inventory and stay in the production line. The lead time (delivery date), which is the period, becomes longer. For this reason, it is unsuitable for the manufacture of products with short delivery times. Further, that the product-process time T 12 is long, unable reported as a product, the number of unfinished products staying just like a stock in the production line in order (work-in-progress inventory) is large, managerial The turnover rate (recovery rate) of invested capital will worsen. Furthermore, these problems have become more prominent recently because the substrate becomes larger and the cost increases accordingly. “Product in-process time” and “in-process inventory” are respectively called “TAT (Turn Around Time)” and “WIP (Work-in-process)”, and the former abbreviation “TAT” Used in the following description.
JP 2002-26106 A

本発明は、半導体製造装置において、基板の製品仕掛り時間(TAT)が短くなるようにすることを課題としている。   An object of the present invention is to reduce the product in-process time (TAT) of a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus.

上記課題を解決するための請求項1の発明は、多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法であって、前記基板は、前記各処理装置の間に配置された第1仮置き台に一旦仮置きした後に、各処理装置に対応して配置された基板受渡し装置により取り出して後工程の処理装置に1枚ずつ搬送することを特徴としている。   The invention of claim 1 for solving the above-mentioned problem is a semiconductor manufacturing apparatus for forming a semiconductor element on a substrate through a number of processes in sequence, and comprises a number of processing devices arranged in the order of processes for performing each process. A method of transporting the substrate along a processing device group, wherein the substrate is temporarily placed on a first temporary placement table arranged between the processing devices, and then arranged corresponding to each processing device. It is characterized in that it is picked up by the substrate delivery apparatus and transported one by one to a processing apparatus in a subsequent process.

この発明により、後述の請求項3とほぼ同一の作用効果が奏される。   According to the present invention, substantially the same function and effect as those of Claim 3 described later is achieved.

請求項2の発明は、多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法であって、前記基板の搬送経路は、前記基板に対して各工程の処理を順次行うために、前記各処理装置の間に配置された第1仮置き台を介して後工程側に順次搬送される正規搬送路と、処理途中の基板に付帯処理を行うために、前記第1仮置き台、又は前記第1仮置き台とは別の第2仮置き台と付帯処理装置との間で基板を往復搬送させるバイパス搬送路とを有することを特徴としている。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for forming a semiconductor element on a substrate through a plurality of processes in sequence, along the processing apparatus group including a plurality of processing apparatuses arranged in the order of processes for processing each process. In the method of transporting a substrate, the transport route of the substrate is moved back through a first temporary placement table disposed between the processing apparatuses in order to sequentially process each process on the substrate. In order to perform an auxiliary process on the regular transfer path sequentially transferred to the process side and the substrate in the process, the first temporary table or the second temporary table and the auxiliary process different from the first temporary table And a bypass conveyance path for reciprocally conveying the substrate to and from the apparatus.

この発明により、後述の請求項5とほぼ同一の作用効果が奏される。   According to the present invention, the same function and effect as those of Claim 5 described later are exhibited.

請求項3の発明は、多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する装置であって、搬送中の基板を一時的に仮置きするために、前後の工程を担当する各処理装置の間に配置された多数の第1仮置き台と、前工程側の第1仮置き台から取り出した基板を当該処理装置で処理した後に、前記第1仮置き台に隣接する後工程側の別の第1仮置き台に基板を搬送するための多数の基板受渡し装置とを備え、前記第1仮置き台を介して処理途中の基板を1枚ずつ、順次後工程側に搬送することを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in a semiconductor manufacturing apparatus for forming a semiconductor element on a substrate through a plurality of processes in sequence, the processing apparatus group includes a plurality of processing apparatuses arranged in the order of processes for performing each process. A device for transporting a substrate, in order to temporarily place a substrate being transported, a number of first temporary placement tables arranged between the processing devices in charge of preceding and following processes, and a front process side After the substrate taken out from the first temporary placement table is processed by the processing apparatus, a large number of substrates are delivered to transport the substrate to another first temporary placement table on the post-process side adjacent to the first temporary placement table. And a substrate in the middle of processing one by one through the first temporary placement table one by one to the subsequent process side.

前工程の処理装置から後工程の処理装置に基板を搬送するのに、各処理装置の間に配置された第1仮置き台に基板を一旦仮置きし、前記第1仮置き台を介して基板受渡し装置により基板を順次後工程に搬送するので、各処理装置のタクトタイム(当該処理装置において連続処理される基板1個当たりの処理に要する時間、或いは連続処理される基板の当該処理装置に対する投入時間間隔又は当該処理装置からの排出時間間隔)に多少のずれがあっても、各基板受渡し装置は、相前後する工程の基板受渡し装置の動きと同期させることなく(連動させることなく)、独自に基板の受け渡し(搬送)を行える。   In order to transfer the substrate from the processing apparatus in the previous process to the processing apparatus in the subsequent process, the substrate is temporarily placed on a first temporary placement table disposed between the processing devices, and the first temporary placement table is interposed therebetween. Since the substrate is sequentially transferred to the subsequent process by the substrate transfer device, the tact time of each processing device (the time required for processing per substrate processed continuously in the processing device or the processing device corresponding to the processing device of the substrate processed continuously) Even if there is a slight deviation in the input time interval or the discharge time interval from the processing apparatus), each substrate transfer device is not synchronized with the movement of the substrate transfer device in successive steps (without being interlocked), The board can be transferred (transported) independently.

相前後する各基板受渡し装置の間で処理途中(全工程のうち特定の工程までの処理を終え、残りの工程の処理を残している状態を意味する)の基板を直接に受け渡すことは、基板を損傷させたり、或いは基板受渡し装置の構造が複雑になったりする問題があるが、第1仮置き台を介して処理中の基板を後工程に搬送するので、上記各問題が解消される。   Directly delivering a substrate in the middle of processing between each successive substrate delivery device (meaning that the process up to a specific process among all processes is left and the process of the remaining process is left) Although there is a problem that the substrate is damaged or the structure of the substrate delivery device is complicated, the substrate being processed is transported to a subsequent process via the first temporary placement table, so that the above problems are solved. .

工程順に配置された処理装置群に沿って基板を1枚ずつ流して、多工程の処理を行う方式であるので、製品仕掛り時間が短くなる。このため、多数枚の基板をまとめて同一処理を行った後に、次の処理を同様にまとめて行う「ベイ方式」に比較して、前記製品仕掛り時間が著しく短くなると共に、製造ライン内に仕掛り品(未完成品)となって滞留する基板の数も激減されるため、リードタイム(納期)が短くなって、短納期、或いは即納期に対応可能となる。この結果、上記した基板搬送方法に特徴を有する半導体の製造方法を経営面から見ると、投下資本の回収(回転)がはやくなって、資本回転率(回収率)が高まる。   Since the multi-step processing is performed by flowing the substrates one by one along the processing apparatus group arranged in the process order, the product in-process time is shortened. For this reason, the product in-process time is remarkably shortened in the production line as compared with the “bay system” in which the same processing is performed after a large number of substrates are collectively processed in the same manner. Since the number of substrates that remain as work-in-progress (unfinished products) is also drastically reduced, the lead time (delivery date) is shortened, making it possible to cope with short delivery times or immediate delivery times. As a result, when the semiconductor manufacturing method characterized by the above-described substrate transfer method is viewed from the management side, the recovery (rotation) of invested capital becomes faster and the capital turnover rate (recovery rate) increases.

請求項4の発明は、請求項3の発明を前提として、前記第1仮置き台は、複数枚の基板を仮置きできることを特徴としている。この発明では、後工程の処理装置が一時的に故障した場合等において、前工程の処理装置での処理を終えた処理途中の基板を処理装置内、或いは受渡し装置内に滞留させることなく、これらの各装置から出してまとめて仮置きできる。   According to a fourth aspect of the invention, on the premise of the invention of the third aspect, the first temporary placement table is capable of temporarily placing a plurality of substrates. In the present invention, in the case where the processing apparatus in the post process temporarily fails, these are not caused to stay in the processing apparatus or in the delivery apparatus in the processing apparatus or in the delivery apparatus after finishing the processing in the processing apparatus in the previous process. It can be temporarily put out from each device.

請求項5の発明は、請求項4の発明を前提として、前記第1仮置き台は多段収納構造であって、先入れ先出し方式で搬入出されることを特徴としている。この発明では、第1仮置き台に複数枚の基板が仮置きされても、先入れ先出し方式で搬入出されるため、他の基板に比較して特定の基板のみが製造ライン内に長時間滞留することにより発生する製品品質の低下等の発生を防止できる。   According to a fifth aspect of the invention, on the premise of the invention of the fourth aspect, the first temporary placing table has a multi-stage storage structure, and is carried in and out by a first-in first-out method. In this invention, even if a plurality of substrates are temporarily placed on the first temporary placement table, only a specific substrate stays in the production line for a long time as compared with other substrates because it is loaded and unloaded by the first-in first-out method. It is possible to prevent the product quality from being degraded due to the above.

請求項6の発明は、請求項3ないし5のいずれかの発明を前提として、基板の正規搬送経路の所望位置に前記第1仮置き台とは別に配置された付帯処理装置専用の第2仮置き台と、前記第2仮置き台から取り出した基板を付帯処理装置までバイパス搬送するための基板バイパス搬送車とを備えていることを特徴としている。   According to a sixth aspect of the present invention, on the premise of any of the third to fifth aspects of the present invention, a second temporary provision dedicated to an auxiliary processing apparatus disposed separately from the first temporary placement table at a desired position on the regular transport path of the substrate. It is characterized by comprising a placing table and a substrate bypass transport vehicle for bypass transporting the substrate taken out from the second temporary placing table to the auxiliary processing apparatus.

付帯処理がされる処理途中の基板は、基板受渡し装置により第2仮置き台に仮置きされた後に、基板バイパス搬送車に受け渡されて付帯処理装置までバイパス経路を経て搬送され、処理後においては、前記基板バイパス搬送車により、次の工程の処理が可能な位置に配置された第2仮置き台まで搬送されて仮置きされる。その後は、付帯処理済の基板は、通常の基板と同様に正規搬送路を経て未処理の各工程順に搬送される。各工程のタクトタイムは、ほぼ一定に設定されているため、上記抜取りにより、抜取りの際、及び付帯処理を終えて正規搬送路に戻した際に、抜き取った工程を基準にしてその前後の工程において、所定枚数の処理を終えるまでタクトタイムを変化させることにより(抜取りの際には、後工程のタクトタイムを短くし、元に戻す際には、前工程のタクトタイムを短くすることにより)、それ以後は元のタクトタイムとなってスムーズに処理される。   Substrates that are being processed are temporarily placed on the second temporary placement table by the substrate delivery device, then delivered to the substrate bypass transport vehicle and transported to the supplementary processing device via the bypass path. Are transported and temporarily placed by the substrate bypass transport vehicle to a second temporary placement table disposed at a position where the next process can be performed. After that, the substrate subjected to incidental processing is transported in the order of each unprocessed process through the regular transport path in the same manner as a normal substrate. Since the tact time of each process is set to be almost constant, the process before and after the above process with reference to the extracted process at the time of extraction and when the auxiliary process is completed and returned to the regular conveyance path. , By changing the tact time until a predetermined number of processes are completed (by shortening the tact time of the subsequent process when sampling, and by shortening the tact time of the previous process when returning to the original) After that, the original tact time is processed smoothly.

ここで、特定の処理装置の故障等が原因で、抜取りを行う位置に配置された第1又は第2のいずれかの仮置き台に別の基板がストックされている場合には、付帯処理用の基板を抜き取った後に、前記抜取りに係る基板と同一処理を終えた別の基板を後工程に搬送する(流す)ことにより、後工程のタクトタイムを維持したままで、基板の処理を行える。   Here, when another substrate is stocked on either the first or second temporary placement table arranged at the position where the sampling is performed due to a failure of a specific processing apparatus, etc. After the substrate is extracted, the substrate can be processed while maintaining the tact time of the subsequent step by transporting (flowing) another substrate that has completed the same processing as the substrate related to the extraction to the subsequent step.

請求項7の発明は、請求項6の発明を前提として、前記第2仮置き台に仮置きされた基板は、第2仮置き台そのものの搬送により行うことを特徴としている。第2仮置き台の基板の搬入口と搬出口とは同一である設計が多く、しかも第2仮置き台は、正規搬送路とバイパス搬送路の間に配置されるため、第2仮置き台そのものを搬送することにより、搬入口(搬出口)を2箇所に設ける必要がなくなる。   According to a seventh aspect of the present invention, on the premise of the sixth aspect of the invention, the substrate temporarily placed on the second temporary placement table is carried by transporting the second temporary placement table itself. Since there are many designs in which the carry-in port and the carry-out port of the substrate of the second temporary placement table are the same, and the second temporary placement table is disposed between the regular conveyance path and the bypass conveyance path, the second temporary placement table By transporting itself, there is no need to provide carry-in ports (carry-out ports) at two locations.

請求項8の発明は、請求項3ないし7のいずれかの発明を前提として、多数の処理装置から成る処理装置群は、正規搬送路に沿って二分割されて対向配置され、二分割された各処理装置群の間がバイパス搬送路となっていることを特徴としている。バイパス搬送路は、その両側の処理装置群の双方に対応しているため、正規搬送路が直線の場合に比較して、その長さが半分となって、基板バイパス搬送車により基板を付帯処理装置と第2仮置き台との間で搬送に要する時間が短くなる。   The invention of claim 8 is based on the invention of any one of claims 3 to 7, and the processing device group consisting of a large number of processing devices is divided into two along the regular conveyance path, and is arranged oppositely. It is characterized by a bypass conveyance path between each processing device group. Since the bypass conveyance path corresponds to both the processing device groups on both sides, the length of the bypass conveyance path is halved compared to the case where the regular conveyance path is a straight line, and the substrate is incidentally processed by the substrate bypass conveyance vehicle. The time required for conveyance between the apparatus and the second temporary placing table is shortened.

本発明は、多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法であって、前記基板は、前記各処理装置の間に配置された第1仮置き台に一旦仮置きした後に、各処理装置に対応して配置された基板受渡し装置により取り出して後工程の処理装置に1枚ずつ搬送することを特徴としている。このため、各処理装置のタクトタイムに多少のずれがあっても、各基板受渡し装置は、相前後する工程の基板受渡し装置の動きと同期させることなく(連動させることなく)、独自に基板の受け渡し(搬送)を行える。また、工程順に配置された処理装置群に沿って基板を1枚ずつ流して、多工程の処理を行う方式であるので、製品仕掛り時間が短くなると共に、製造ライン内に仕掛り品(未完成品)となって滞留する基板の数も激減されるため、リードタイム(納期)が短くなって、短納期、或いは即納期に対応可能となる。   The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus for forming a semiconductor element on a substrate through a number of processes in sequence, and transports the substrate along a processing apparatus group consisting of a large number of processing apparatuses arranged in the order of processes in order to process each process. In this method, the substrate is temporarily placed on a first temporary placement table arranged between the processing apparatuses, and then taken out by a substrate delivery apparatus arranged corresponding to each processing apparatus. It is characterized in that it is conveyed one by one to this processing apparatus. For this reason, even if there is a slight shift in the tact time of each processing apparatus, each substrate transfer apparatus does not synchronize (does not synchronize) with the movement of the substrate transfer apparatus in successive steps, and independently of the substrate. Delivery (conveyance) can be performed. In addition, since the substrate is flowed one by one along a group of processing devices arranged in the order of processes and the process is performed in multiple steps, the product in-process time is shortened and the in-process product (unprocessed in the production line) Since the number of substrates staying in the finished product) is drastically reduced, the lead time (delivery date) is shortened, and it becomes possible to cope with short delivery time or immediate delivery time.

以下、本発明の最良実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。図1は、半導体製造装置Uの全体平面図、図2は同じく正面図、図3は第1群の処理装置A〜Dにおける正規搬送路の基板Wの流れを示す平面図、図4は第1洗浄装置A11とCVD装置B1 の平面図、図5は主基板カセット1から基板Wが搬出される状態を示す正面断面図、図6は第1群の処理装置A〜Dにおけるバイパス搬送路の基板Wの流れを示す平面図である。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the best examples of the present invention. 1 is an overall plan view of the semiconductor manufacturing apparatus U, FIG. 2 is a front view of the same, FIG. 3 is a plan view showing the flow of the substrate W in the regular transport path in the first group of processing apparatuses A to D, and FIG. 1 is a plan view of the cleaning apparatus A 11 and the CVD apparatus B 1 , FIG. 5 is a front sectional view showing a state in which the substrate W is unloaded from the main substrate cassette 1, and FIG. 6 is a bypass transfer in the first group of processing apparatuses A to D. It is a top view which shows the flow of the board | substrate W of a path | route.

最初に、半導体製造装置Uの全体構成について説明する。図1に示されるように、この半導体製造装置Uは、基板Wに5層に亘って半導体素子を成形させるためのものであり、第1層成形工程P1 から第5層成形工程P5 までの5つの工程群を構成する各処理装置A〜Dは、クリーンルームの設計効率を考慮して、2つの群に分かれて設置されている。即ち、工程順に配列された各処理装置A〜Dは、クリーンルームの広さに対応して第1及び第2の2つの群に分かれていて、更に、各群の処理装置A〜Dは、相対向する形態で2列の分割状態で配設されている。前記第1層成形工程P1 には、処理工程順に、第1洗浄装置A11、CVD装置B1 、第2洗浄装置A12、フォト装置C1 、エッチング装置D1 が、装置配列方向Qに沿ってほぼ一直線上に配設されている。同様に、第2層成形工程P2 には、処理工程順に、第1洗浄装置A21、第1CVD装置B21、第2CVD装置B22、第2洗浄装置A22、フォト装置C2 、エッチング装置D2 が配設されている。第3層成形工程P3 には、処理工程順に、第1洗浄装置A31、CVD装置B3 、第2洗浄装置A32、フォト装置C3 、エッチング装置D3 が、第1及び第2の各群に跨がって配設されている。第4層成形工程P4 には、処理工程順に、洗浄装置A4 、CVD装置B4 、フォト装置C4 、エッチング装置D4 が配設されている。第5層成形工程P5 には、処理工程順に、洗浄装置A5 、CVD装置B5 、フォト装置C5 、エッチング装置D5 が配設されている。相対向する各処理装置群の間には、装置配列方向Qに沿って、2本の基板受渡し列L1 と、2本の基板仮置き台列L2 と、1本のバイパス搬送列L3 とが設けられている。そして、各群の終端部に、付帯処理装置の一例である各検査装置Ma,Mb が配設されている。 First, the overall configuration of the semiconductor manufacturing apparatus U will be described. As shown in FIG. 1, this semiconductor manufacturing apparatus U is for forming a semiconductor element on a substrate W over five layers, from the first layer forming step P 1 to the fifth layer forming step P 5. The processing apparatuses A to D constituting the five process groups are divided into two groups in consideration of the design efficiency of the clean room. That is, the processing devices A to D arranged in the order of the processes are divided into two groups, the first and second groups, corresponding to the size of the clean room. They are arranged in two rows in a divided state. In the first layer forming step P 1 , a first cleaning device A 11 , a CVD device B 1 , a second cleaning device A 12 , a photo device C 1 , and an etching device D 1 are arranged in the device arrangement direction Q in the order of processing steps. It is arrange | positioned on the substantially straight line along. Similarly, in the second layer forming step P 2 , the first cleaning device A 21 , the first CVD device B 21 , the second CVD device B 22 , the second cleaning device A 22 , the photo device C 2 , and the etching device are sequentially processed. D 2 is provided. In the third layer forming step P 3 , the first cleaning device A 31 , the CVD device B 3 , the second cleaning device A 32 , the photo device C 3 , and the etching device D 3 are arranged in the order of processing steps. It is arranged across each group. In the fourth layer forming step P 4 , a cleaning device A 4 , a CVD device B 4 , a photo device C 4 , and an etching device D 4 are arranged in the order of the processing steps. In the fifth layer forming step P 5 , a cleaning device A 5 , a CVD device B 5 , a photo device C 5 , and an etching device D 5 are arranged in the order of the processing steps. Between the processing apparatus groups facing each other, along the apparatus arrangement direction Q, two substrate delivery rows L 1 , two temporary substrate placement rows L 2 , and one bypass transport row L 3 are arranged. And are provided. Each inspection device Ma, Mb, which is an example of an accessory processing device, is disposed at the end of each group.

即ち、相対向する各処理装置A〜Dに近接して、各基板受渡し列L1 が設けられていて、各処理装置A〜Dに対応する基板受渡し装置Ea,Eb が配設されている。前記基板受渡し列L1 の内側には、各基板仮置き台列L2 が配設されていて、各処理装置A〜Dどうしの間に、それぞれ主基板カセット1(第1仮置き台)が固定状態で設置されている。この主基板カセット1は、処理途中の基板Wを、次工程の処理装置A〜Dに受け渡すために、該基板Wを一旦収納して仮置きするためのものである。このため、多数枚の基板Wを多段に収納可能であり、しかも、先入れ先出し方式(後述)により、任意の基板Wの搬入出が可能である。ここで、「処理途中」とは、全工程のうち特定の工程までの処理を終え、残りの工程の処理を残している状態を意味する。 That is, each substrate delivery row L 1 is provided in the vicinity of the opposing processing devices A to D, and substrate delivery devices Ea and Eb corresponding to the processing devices A to D are provided. Each substrate temporary placement table row L 2 is disposed inside the substrate delivery row L 1 , and the main substrate cassette 1 (first temporary placement table) is disposed between the processing apparatuses A to D, respectively. It is installed in a fixed state. The main substrate cassette 1 is for temporarily storing and temporarily placing the substrate W in order to transfer the substrate W being processed to the processing apparatuses A to D in the next process. For this reason, a large number of substrates W can be stored in multiple stages, and any substrate W can be loaded and unloaded by a first-in first-out method (described later). Here, “in the middle of processing” means a state in which processing up to a specific step among all the steps is finished and the processing of the remaining steps is left.

また、前記各基板仮置き台列L2 で、特定の処理装置A〜Dと対応する部分には、処理途中の基板Wの抜取り検査を行うために、当該基板Wを収納させるための検査用基板カセット2(第2仮置き台)が載置されている。この検査用基板カセット2は、バイパス搬送列L3 に設けられたバイパス搬送車3により、第1及び第2の各群の検査装置Ma,Mb に搬送される(後述)。更に、前記基板仮置き台列L2 の始端部と終端部には、前工程から搬送された基板W、及び次工程へ搬送される基板Wを収納するための搬送用基板カセット4が載置される。なお、図1において、各主基板カセット1には斜線を施し、各検査用基板カセット2には対角線を施し、また、各搬送用基板カセット4には、前記主基板カセット1と逆方向の斜線を施すことによって、それらを区別する。 Further, in each of the temporary substrate placement tables L 2 , a part corresponding to a specific processing apparatus A to D is used for an inspection for storing the substrate W in order to perform a sampling inspection of the substrate W being processed. A substrate cassette 2 (second temporary placement table) is placed. The testing board cassette 2, the bypass transport vehicle 3 which is provided in the bypass transport column L 3, and is conveyed inspection device Ma of the first and second respective group, in Mb (described later). Furthermore, a transfer substrate cassette 4 for storing the substrate W transferred from the previous process and the substrate W transferred to the next process is placed on the start end and the end of the temporary substrate stand L 2. Is done. In FIG. 1, each main substrate cassette 1 is hatched, each inspection substrate cassette 2 is diagonally lined, and each transfer substrate cassette 4 is hatched in the opposite direction to the main substrate cassette 1. To distinguish them.

そして、対向配置された2本の基板仮置き台列L2 の間には、バイパス搬送列L3 が設けられていて、装置配列方向Qに沿って自走可能なバイパス搬送車3が配設されている。上記した2本の基板受渡し列L1 に装着された各基板受渡し装置Ea,Eb 、各基板仮置き台列L2 に設けられた各基板カセット1,2,4、及びバイパス搬送列L3 に配設されたバイパス搬送車3により、基板搬送装置Sが形成されている。なお、図1において、Maは、第1群における基板Wの検査装置であり、Mbは、第2群における基板Wの検査装置である。また、Mcは、最終工程(第5層成形工程P5)終了後の基板Wの検査装置である。ここで、検査装置Ma,Mb に対応して設置された複数個の検査用基板カセット2は、各処理装置A〜Dの途中工程で抜き取られた基板Wを搬送し、検査装置Ma,Mb に受け渡す状態のものを示している。 A bypass conveyance row L 3 is provided between the two substrate temporary placement table rows L 2 arranged opposite to each other, and a bypass conveyance vehicle 3 capable of self-propelling along the device arrangement direction Q is disposed. Has been. Each substrate transfer device Ea is attached to the substrate transfer sequence L 1 of the two mentioned above, Eb, each substrate temporary base sequence L 2 each substrate cassette provided 1, 2, 4, and the bypass conveying column L 3 A substrate transfer device S is formed by the provided bypass transfer vehicle 3. In FIG. 1, Ma is an inspection apparatus for the substrate W in the first group, and Mb is an inspection apparatus for the substrate W in the second group. Further, Mc is an inspection apparatus for the substrate W after completion of the final process (fifth layer forming process P 5 ). Here, the plurality of inspection substrate cassettes 2 installed corresponding to the inspection apparatuses Ma and Mb transport the substrates W extracted in the middle of the processing apparatuses A to D, and send them to the inspection apparatuses Ma and Mb. Shown in the state of delivery.

また、図1及び図2に示されるように、第1群の各処理装置A〜Dと、第2群の各処理装置A〜Dは、平面視において、それぞれの処理装置A〜Dの装置配列方向Qと直交する方向に沿って設けられたレール搬送車5によって接続されている。このレール搬送車5は、各基板仮置き台列L2 の始端部又は終端部との間で、搬送用基板カセット4の受渡しを行う機能を有している。第1群の処理装置A〜Dによって所定の処理が施された基板Wは、搬送用基板カセット4に収納された状態でレール搬送車5に受け渡される。そして、第2群の処理装置A〜Dに搬送され、基板仮置き台列L2 の始端部に載置される。 Moreover, as FIG.1 and FIG.2 shows, each processing apparatus AD of 1st group and each processing apparatus AD of 2nd group are apparatus of each processing apparatus AD in planar view. They are connected by a rail transport vehicle 5 provided along a direction orthogonal to the arrangement direction Q. The rail transport vehicle 5 has a function of delivering the transport substrate cassette 4 between the start end portion or the end portion of each temporary substrate stand L 2 . The substrate W that has been subjected to the predetermined processing by the first group of processing apparatuses A to D is delivered to the rail transport vehicle 5 while being stored in the transport substrate cassette 4. Then, it is conveyed to the processing apparatus A~D second group is placed on the leading end of the substrate temporary placement table columns L 2.

本実施例の半導体製造装置Uは、基板Wが、製造ラインに1枚ずつ流されて処理される形態(枚葉処理)である[これに対して、従来のベイ方式は、多数枚の基板Wがまとめて処理される形態(バッチ処理)である]。即ち、図3に示されるように、1枚の基板Wが、基板搬送装置Sによって、各処理装置A〜Dの間を搬送される。特定の処理装置A〜Dによって処理が施された基板Wは、当該処理装置A〜Dに対応して配設されている基板受渡し装置Ea,Eb によって当該処理装置A〜Dから搬出され、主基板カセット1に収納され、一時的に仮置きされる。前記主基板カセット1に仮置きされた基板Wは、次工程の処理装置A〜Dに対応して配設されている基板受渡し装置Ea,Eb によって、当該処理装置A〜Dに搬送される。この作用が繰り返されることによって、前記基板Wに所定の処理が施される。図3における各矢印は、1枚の基板Wに施される処理の流れ(動線)を示している。なお、本明細書では、上記した基板Wの搬送経路を「正規搬送路」と記載する。   The semiconductor manufacturing apparatus U of the present embodiment is in a form (single-wafer processing) in which the substrates W are flowed and processed one by one in the manufacturing line [In contrast, the conventional bay method has a large number of substrates. W is a form (batch process) that is processed together]. That is, as shown in FIG. 3, one substrate W is transferred between the processing apparatuses A to D by the substrate transfer apparatus S. The substrate W processed by the specific processing apparatuses A to D is unloaded from the processing apparatuses A to D by the substrate transfer apparatuses Ea and Eb arranged corresponding to the processing apparatuses A to D. It is stored in the substrate cassette 1 and temporarily placed temporarily. The substrate W temporarily placed in the main substrate cassette 1 is transported to the processing apparatuses A to D by the substrate transfer apparatuses Ea and Eb arranged corresponding to the processing apparatuses A to D in the next process. By repeating this action, the substrate W is subjected to a predetermined process. Each arrow in FIG. 3 indicates a flow of processing (flow line) performed on one substrate W. In the present specification, the transport path of the substrate W described above is referred to as a “regular transport path”.

上記した基板搬送装置Sにおける正規搬送路について、詳細に説明する。ここで、第1〜第5の各層成形工程P1 〜P5 における各処理装置A〜D間の基板搬送装置Sの作用(各処理装置A〜Dと基板受渡し装置Eとの間における基板Wの受渡し作用)は、いずれの工程においてもほぼ同一なので、本明細書では、第1層成形工程P1 における基板Wの受渡し作用について説明する。図4に示されるように、本実施例の基板搬送装置Sにおける基板受渡し列L1 には、各処理装置A〜Dに対応して、2種類の基板受渡し装置Ea,Eb のうちのいずれかが配設されている。ここで、各処理装置A〜Dに対して、いずれの基板受渡し装置Ea,Eb が使用されるかは、当該処理装置A〜Dによって定められる。即ち、洗浄装置Aやフォト装置Cのように、基板Wが通常の雰囲気で処理される場合には基板受渡し装置Eaが使用され、CVD装置Bやエッチング装置Dのように、基板Wが真空の雰囲気で処理される場合には、処理中にそれらの搬入出開口を閉じておく必要があるため、基板受渡し装置Ebが使用される。このため、第1層成形工程P1 において、基板受渡し装置Eaは、第1及び第2の各洗浄装置A11,A12とフォト装置C1 に対応して設けられていて、同じく基板受渡し装置Ebは、CVD装置B1 とエッチング装置D1 に対応して設けられている(図3参照)。 The regular transport path in the substrate transport apparatus S described above will be described in detail. Here, the action of the substrate transfer apparatus S between the processing apparatuses A to D in the first to fifth layer forming steps P 1 to P 5 (the substrate W between the processing apparatuses A to D and the substrate delivery apparatus E). The delivery action of the substrate W is almost the same in any process, and therefore, in this specification, the delivery action of the substrate W in the first layer forming process P 1 will be described. As shown in FIG. 4, the substrate transfer row L 1 in the substrate transfer apparatus S of the present embodiment includes one of two types of substrate transfer apparatuses Ea and Eb corresponding to the processing apparatuses A to D. Is arranged. Here, which substrate transfer device Ea, Eb is used for each of the processing devices A to D is determined by the processing devices A to D. That is, when the substrate W is processed in a normal atmosphere like the cleaning device A or the photo device C, the substrate delivery device Ea is used, and the substrate W is vacuumed like the CVD device B or the etching device D. When processing is performed in an atmosphere, it is necessary to close the loading / unloading opening during the processing, and thus the substrate delivery device Eb is used. For this reason, in the first layer forming step P 1 , the substrate delivery device Ea is provided corresponding to each of the first and second cleaning devices A 11 , A 12 and the photo device C 1 , and is also the substrate delivery device. Eb is provided corresponding to the CVD apparatus B 1 and the etching apparatus D 1 (see FIG. 3).

図2及び図4に示されるように、各基板受渡し装置Ea,Eb は、床面に敷設された一対のガイドレール11にガイドされて、装置配列方向Qに沿って自走可能である。しかも、それらのベース6a,6b は、水平面内で回転可能であると共に、昇降自在である。そして、前記基板受渡し装置Eaを構成するベース6aには、基板Wを吸着して搬入出するための真空吸着装置7と、搬入出される基板Wを支持するための複数本の支持ローラ8とが設けられている。前記真空吸着装置7は、例えば、ボールねじを駆動回転させることにより、進退される。また、基板受渡し装置Ebを構成するベース6bには、基板Wを持ち上げて搬入出するための支持アーム9が一対にして設けられている。   As shown in FIGS. 2 and 4, each board transfer device Ea, Eb is guided by a pair of guide rails 11 laid on the floor surface, and can self-run along the device arrangement direction Q. Moreover, the bases 6a and 6b can be rotated in a horizontal plane and can be raised and lowered. The base 6a constituting the substrate delivery device Ea includes a vacuum suction device 7 for sucking and loading the substrate W, and a plurality of support rollers 8 for supporting the loaded and unloaded substrate W. Is provided. The vacuum suction device 7 is advanced and retracted, for example, by driving and rotating a ball screw. A pair of support arms 9 for lifting the substrate W and carrying it in and out is provided on the base 6b constituting the substrate delivery device Eb.

図3及び図4に示されるように、第1洗浄装置A11に対応して設けられた基板受渡し装置Eaは、搬送用基板カセット4に収納された基板Wを搬出して(引き出して)、第1洗浄装置A11に搬入させると共に、洗浄処理が終了した基板Wを、第1洗浄装置A11から搬出して、第1洗浄装置A11とCVD装置B1 との間に設置された主基板カセット1に収納させるという機能を有している。そして、CVD装置B1 に対応して配設された基板受渡し装置Ebは、前記主基板カセット1に収納された基板Wを搬出して、CVD装置B1 に搬入させると共に、前記CVD装置B1 での処理が終了した基板Wを、当該CVD装置B1 から搬出し、CVD装置B1 と第2洗浄装置A12との間に設置された主基板カセット1に収納させるという機能を有している。このため、基板受渡し装置Eaと基板受渡し装置Ebの各走行範囲Ra,Rb は、主基板カセット1の部分で重複している。 As shown in FIGS. 3 and 4, the substrate delivery device Ea provided corresponding to the first cleaning device A 11 unloads (pulls out) the substrate W stored in the transfer substrate cassette 4. together is carried into the first cleaning device a 11, the substrate W cleaning process is completed, it is unloaded from the first cleaning device a 11, which is placed between the first cleaning device a 11 and the CVD device B 1 main It has a function of being stored in the substrate cassette 1. Then, the substrate delivery device Eb arranged corresponding to the CVD device B 1 unloads the substrate W stored in the main substrate cassette 1 and loads it into the CVD device B 1, and at the same time, the CVD device B 1. the substrate W which processing has been completed in, and unloaded from the CVD device B 1, has a function that is stored in the installed main substrate cassettes 1 between the CVD device B 1 and the second cleaning device a 12 Yes. For this reason, the travel ranges Ra and Rb of the substrate transfer device Ea and the substrate transfer device Eb are overlapped in the main substrate cassette 1 portion.

このように、主基板カセット1に収納された基板Wは、いずれかの基板受渡し装置Ea,Eb によって搬出され、各処理装置A〜Dに搬入される。また、各処理装置A〜Dによる処理が終了した基板Wは、いずれかの基板受渡し装置Ea,Eb によって搬出され、後工程側の主基板カセット1に収納される。以下、上記の工程が繰り返されることによって、基板Wに各処理装置A〜Dによる処理が施される。このため、前記主基板カセット1に収納されている基板Wの枚数は、通常の場合(換言すれば、各処理装置A〜Dが順調に作動している場合)には、1枚である。   As described above, the substrate W stored in the main substrate cassette 1 is unloaded by any of the substrate transfer devices Ea and Eb and is loaded into the processing apparatuses A to D. Further, the substrate W that has been processed by each of the processing apparatuses A to D is unloaded by any of the substrate transfer apparatuses Ea and Eb and is stored in the main substrate cassette 1 on the subsequent process side. Hereinafter, the processing by the processing apparatuses A to D is performed on the substrate W by repeating the above steps. For this reason, the number of substrates W stored in the main substrate cassette 1 is one in a normal case (in other words, when the processing apparatuses A to D are operating smoothly).

主基板カセット1について説明する。図5に示されるように、本実施例の主基板カセット1は直方体枠状であり、基板Wを搬入出させるために、基板受渡し装置Ea,Eb と対向する面が開口されている。そして、その幅方向(装置配列方向Q)に沿って、複数本のワイヤ12が張力付与状態で取付けられている。これらのワイヤ12は、高さ方向に所定間隔で取付けられていて、各段に前記ワイヤ12を棚板とする基板収納棚13が形成されている。これにより、1個の主基板カセット1に、複数枚の基板Wを多段にして収納することができる。しかも、この主基板カセット1は、先入れ先出し方式(First-in First-out)である。即ち、その側方から昇降アーム14を、主基板カセット1内に出入りさせることにより、任意の段の基板収納棚13に収納されている基板Wを、各ワイヤ12から僅かに離脱させることができる。このため、任意の基板Wの搬入出が可能である。この結果、何らかの原因(各処理装置A〜Dの故障等)で、前記主基板カセット1に2枚以上の基板Wが収納されても、先に処理が終了した基板Wを先に取り出すことができ、処理途中の基板Wが長時間に亘って放置されることにより発生する製品品質の低下等を防止できる。このように、本発明における主基板カセット1は、受け渡される基板Wを一時的に仮置きするという機能だけでなく、各処理装置A〜Dが故障した場合等に、これよりも上流側の工程に滞留している基板Wを、製造ラインの流れから離脱させて、一時的に収納するという機能、即ち、製造ラインの緩衝機能をも有している。   The main substrate cassette 1 will be described. As shown in FIG. 5, the main substrate cassette 1 of this embodiment has a rectangular parallelepiped frame shape, and in order to load and unload the substrates W, the surfaces facing the substrate transfer devices Ea and Eb are opened. A plurality of wires 12 are attached in a tensioned state along the width direction (device arrangement direction Q). These wires 12 are attached at a predetermined interval in the height direction, and substrate storage shelves 13 having the wires 12 as shelf plates are formed at each stage. As a result, a plurality of substrates W can be stored in multiple stages in one main substrate cassette 1. Moreover, the main substrate cassette 1 is a first-in first-out system. That is, by moving the elevating arm 14 into and out of the main substrate cassette 1 from the side, the substrate W stored in the substrate storage shelf 13 at an arbitrary stage can be slightly detached from each wire 12. . For this reason, it is possible to carry in / out an arbitrary substrate W. As a result, even if two or more substrates W are stored in the main substrate cassette 1 due to some cause (failure of each processing apparatus A to D, etc.), the substrate W that has been processed first can be taken out first. In addition, it is possible to prevent a decrease in product quality that occurs when the substrate W being processed is left for a long time. As described above, the main substrate cassette 1 according to the present invention not only has a function of temporarily placing the delivered substrate W temporarily, but also in the case where each of the processing apparatuses A to D breaks down. The substrate W staying in the process is separated from the flow of the production line and temporarily stored, that is, the production line has a buffering function.

これに対して、検査用基板カセット2と搬送用基板カセット4は、シーケンシャル方式の例である。図2に示されるように、上記した主基板カセット1と同様に、各ワイヤ12によって、基板収納棚13が多段にして設けられていると共に、各基板カセット2,4の直下に、昇降可能なローラ付フレーム15が設けられている。これらの基板カセット2,4に収納された基板Wを搬入出する場合には、前記ローラ付フレーム15を上昇させて、最下段の基板収納棚13に収納されている基板Wをワイヤ12から離脱させる。この状態で、基板受渡し装置Ea,Eb を構成する真空吸着装置7又は支持アーム9により、前記基板Wを搬入出させる。この構成の基板カセット2,4の場合、基板Wを上昇させる手段(ローラ付フレーム15)の構成が簡単になるという利点がある。また、この検査用基板カセット2は、主基板カセット1と同じ方式(先入れ先出し方式)の基板カセットであってもよく、この場合には、基板Wの検査工程でのランダムアクセスが可能になる。   On the other hand, the inspection substrate cassette 2 and the transfer substrate cassette 4 are examples of a sequential method. As shown in FIG. 2, similarly to the main substrate cassette 1 described above, the substrate storage shelves 13 are provided in multiple stages by the wires 12 and can be moved up and down directly below the substrate cassettes 2 and 4. A roller-equipped frame 15 is provided. When loading / unloading the substrates W stored in these substrate cassettes 2 and 4, the frame 15 with rollers is lifted to detach the substrates W stored in the lowermost substrate storage shelf 13 from the wires 12. Let In this state, the substrate W is carried in and out by the vacuum suction device 7 or the support arm 9 constituting the substrate delivery devices Ea and Eb. In the case of the substrate cassettes 2 and 4 having this configuration, there is an advantage that the configuration of the means for raising the substrate W (frame 15 with a roller) is simplified. Further, the inspection substrate cassette 2 may be a substrate cassette of the same system (first-in first-out system) as the main substrate cassette 1, and in this case, random access in the inspection process of the substrate W becomes possible.

次に、基板搬送装置Sにおけるバイパス搬送路について説明する。半導体製造装置Uでは、基板Wの抜取り検査を行うために、所定の工程から処理途中の基板Wが抜き取られる場合がある。前記バイパス搬送路は、抜き取られた基板Wを、各群の検査装置Ma,Mb に搬送するためのものである。例えば、本実施例の第1層成形工程P1 では、図6に示されるように、第1層成形工程P1 におけるフォト装置C1 及びエッチング装置D1 と対応する基板仮置き台列L2 の部分に、それぞれ抜き取った基板Wを収納するための検査用基板カセット2が設置されている。これは、本実施例の第1層成形工程P1 では、フォト装置C1 による処理が終了した基板W、或いは、エッチング装置D1 による処理が終了した基板Wに対して抜取り検査が行われることを意味している。 Next, the bypass conveyance path in the substrate conveyance apparatus S will be described. In the semiconductor manufacturing apparatus U, in order to perform a sampling inspection of the substrate W, the substrate W being processed may be extracted from a predetermined process. The bypass transport path is for transporting the extracted substrate W to each group of inspection apparatuses Ma and Mb. For example, in the first layer forming step P 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 6, the temporary substrate placement table L 2 corresponding to the photo device C 1 and the etching device D 1 in the first layer forming step P 1 . In this portion, an inspection substrate cassette 2 for storing the extracted substrates W is installed. This is because, in the first layer forming process P 1 of this embodiment, a sampling inspection is performed on the substrate W that has been processed by the photo device C 1 or the substrate W that has been processed by the etching device D 1. Means.

図2に示されるように、バイパス搬送路を構成するバイパス搬送列L3 には、装置配列方向Qに沿って一対のガイドレール16が敷設されていて、該ガイドレール16にバイパス搬送車3が配設されている。このバイパス搬送車3は、前記ガイドレール16にガイドされて自走可能である。また、このバイパス搬送車3には、カセット受渡し装置17が設けられていて、抜き取られた基板Wが収納されている検査用基板カセット2を受け取り、検査装置Ma,Mb に受け渡すという機能、及びその逆の作用を行う機能を有している。 As shown in FIG. 2, a pair of guide rails 16 are laid along the apparatus arrangement direction Q in the bypass conveyance row L 3 constituting the bypass conveyance path, and the bypass conveyance vehicle 3 is disposed on the guide rails 16. It is arranged. The bypass conveyance vehicle 3 is guided by the guide rail 16 and can be self-propelled. In addition, the bypass delivery vehicle 3 is provided with a cassette delivery device 17 for receiving the inspection substrate cassette 2 containing the extracted substrate W and delivering it to the inspection devices Ma and Mb. It has the function of performing the reverse action.

図6における各矢印は、抜き取られた基板Wに対する処理の流れ(動線)を示している。図6に示されるように、抜取り検査される基板Wは、いずれかの基板受渡し装置Ea,Eb により、検査用基板カセット2に収納される。該基板Wが収納された検査用基板カセット2は、そのままバイパス搬送車3に受け渡される。そして、前記バイパス搬送車3によって、基板仮置き台列L2 における検査装置Maの近接位置まで搬送され、基板仮置き台列L2 における前記近接位置の部分に載置される。この基板Wは、検査装置Maに対応して配設された基板受渡し装置Eaにより、検査装置Maに搬入される。前記検査装置Maによる検査が終了した基板Wは、検査用基板カセット2に収納され、再び、バイパス搬送車3によって、抜き取られた工程の次の工程の位置まで搬送されて、基板仮置き台列L2 に載置される。 Each arrow in FIG. 6 indicates a flow of processing (flow line) for the extracted substrate W. As shown in FIG. 6, the substrate W to be sampled and inspected is stored in the inspection substrate cassette 2 by one of the substrate delivery devices Ea and Eb. The inspection substrate cassette 2 in which the substrate W is stored is transferred to the bypass conveyance vehicle 3 as it is. Then, the bypass transport vehicle 3 transports the substrate temporary placement table row L 2 to the proximity position of the inspection apparatus Ma, and places it on the proximity position portion of the temporary substrate placement table row L 2 . The substrate W is carried into the inspection device Ma by the substrate delivery device Ea disposed corresponding to the inspection device Ma. The substrate W that has been inspected by the inspection device Ma is stored in the inspection substrate cassette 2, and is again transported to the position of the next process after the extracted process by the bypass transport vehicle 3, and the temporary substrate placement table array It is placed on the L 2.

次に、基板搬送装置Sの作用について説明する。ここでは、第1洗浄装置A11からCVD装置B1 の間の基板Wの受渡し作用についてのみ説明する。図7に示されるように、第1洗浄装置A11に対応して配設された基板受渡し装置Eaが移動され、搬送用基板カセット4に対向配置される。前記搬送用基板カセット4に収納されている基板Wは、基板受渡し装置Eaに設けられた真空吸着装置7により、搬送用基板カセット4から搬出され、基板受渡し装置Eaのベース6aに載置される。そして、前記ベース6aが、水平面内で180°回転される。この状態で、基板受渡し装置Eaが下流側(後工程側)に移動され、第1洗浄装置A11の搬入開口18と対向配置される。基板Wは、基板受渡し装置Eaに設けられた真空吸着装置7の作用により、第1洗浄装置A11の搬入開口18を介して該装置A11内に搬入され、洗浄処理が行われて、その搬出開口19から搬出される。 Next, the operation of the substrate transfer apparatus S will be described. Here, a description will be given only transfer action of the substrate W between the CVD device B 1 from the first cleaning device A 11. As shown in FIG. 7, the substrate delivery device Ea disposed corresponding to the first cleaning device A 11 is moved and disposed opposite to the transfer substrate cassette 4. The substrate W stored in the transfer substrate cassette 4 is unloaded from the transfer substrate cassette 4 by the vacuum suction device 7 provided in the substrate transfer device Ea and placed on the base 6a of the substrate transfer device Ea. . Then, the base 6a is rotated 180 ° in a horizontal plane. In this state, the substrate transfer device Ea is moved to the downstream side (post-process side), it is opposed to the loading opening 18 of the first cleaning device A 11. Substrate W by the action of the vacuum suction device 7 provided in the substrate delivery device Ea, through the loading opening 18 of the first cleaning device A 11 is carried within the device A 11, the cleaning process is performed, the It is unloaded from the unloading opening 19.

図8に示されるように、基板Wの洗浄処理が行われている間に、基板受渡し装置Eaは、装置配列方向Qに沿って後工程側に移動され、第1洗浄装置A11の搬出開口18と対向配置される。上記と殆ど同様の作用により、第1洗浄装置A11から搬出された基板Wは、再び基板受渡し装置Eaに受け渡され、そのまま、主基板カセット1と対向する位置まで移動される。そして、前記基板Wは、主基板カセット1に収納される。前記基板受渡し装置Eaは、搬送用基板カセット4と対向する位置に移動され、上記した作用が繰り返される。 As shown in FIG. 8, while the substrate W is being cleaned, the substrate transfer device Ea is moved to the subsequent process side along the device arrangement direction Q, and the unloading opening of the first cleaning device A 11 is moved. 18 is disposed opposite to the main body. By almost the same operation as described above, the substrate W carried out from the first cleaning device A 11 is transferred again to the substrate transfer device Ea and is moved to a position facing the main substrate cassette 1 as it is. The substrate W is stored in the main substrate cassette 1. The substrate delivery device Ea is moved to a position facing the transfer substrate cassette 4 and the above-described operation is repeated.

そして、図9に示されるように、基板Wが主基板カセット1に収納され、基板受渡し装置Eaが退避されると、CVD装置B1 に対応して配設された基板受渡し装置Ebが移動され、前記主基板カセット1に対向して配置される。基板受渡し装置Ebに設けられた支持アーム9の作用により、主基板カセット1から基板Wが搬出される。この基板Wは、前記基板受渡し装置Ebに載置されたまま、後工程側に移動され、更に水平面内で所定角度だけ回転されて、CVD装置B1 の搬入開口21と対向配置される。そして、CVD装置B1 内に搬入される。 Then, as shown in FIG. 9, when the substrate W is stored in the main substrate cassette 1 and the substrate delivery device Ea is retracted, the substrate delivery device Eb disposed corresponding to the CVD device B 1 is moved. The main substrate cassette 1 is disposed opposite to the main substrate cassette 1. The substrate W is carried out of the main substrate cassette 1 by the action of the support arm 9 provided in the substrate delivery device Eb. The substrate W is moved to the post-process side while being placed on the substrate delivery device Eb, and is further rotated by a predetermined angle in the horizontal plane, and is disposed opposite to the loading opening 21 of the CVD device B 1 . Then, it is carried into the CVD apparatus B 1.

前記CVD装置B1 での処理が終了した基板Wは、基板受渡し装置Ebにより、次工程の主基板カセット1に収納される。以降、第2洗浄装置A12、フォト装置C1 、エッチング装置D1 について、殆ど同様の作用が行われる。そして、図3に示されるように、第1群の処理装置A〜Dのうち、最下流の部分に配設されたCVD装置B3 から搬出された基板Wは、基板受渡し装置Ebによって搬送用基板カセット4に収納され、バイパス搬送車によって、一旦、基板仮置き台列L2 におけるレール搬送車5の近接位置に載置された後、前記レール搬送車5によって、第2群の処理装置A〜Dに搬送される。更に、第2群の処理装置A〜Dにおいて、殆ど同様の作用が行われる。 The substrate W which processing has been completed in the CVD apparatus B 1 represents, by the substrate transfer device Eb, is housed in the main substrate cassette 1 in the next step. Thereafter, almost the same operation is performed for the second cleaning device A 12 , the photo device C 1 , and the etching device D 1 . Then, as shown in FIG. 3, of the processing apparatus A~D first group, the substrate W taken out from the CVD apparatus B 3 disposed most downstream portion, for conveying the substrate transfer apparatus Eb is stored in the substrate cassette 4, by a bypass transport vehicle, once, after being placed in position near the rail guided vehicle 5 in the substrate temporary base sequence L 2, by the rail transport vehicle 5, the second group of processing devices a To D. Further, almost the same operation is performed in the second group of processing apparatuses A to D.

次に、上記した正規搬送路における基板Wの処理時間を、従来のベイ方式と比較して説明する。図10は、処理途中の基板Wが枚葉処理、及びバッチ処理により正常に処理されている場合の基板Wの流れを示す模式的なタイムチャートである。なお、図10ないし図12では、基板Wの正常な流れを理解するための模式的なタイムチャートであるため、前述した実施例の処理工程とは対応しておらず、その工程数を少なくしてある。以下、1枚の基板Wを示すときは、符号に添字「1 」〜「n」を付す。なお、各処理装置の処理時間(タクトタイム)は、ほぼ同一となるように設定されている。 Next, the processing time of the substrate W in the regular transport path described above will be described in comparison with the conventional bay method. FIG. 10 is a schematic time chart showing the flow of the substrate W when the substrate W being processed is normally processed by single wafer processing and batch processing. 10 to 12 are schematic time charts for understanding the normal flow of the substrate W, and therefore do not correspond to the processing steps of the above-described embodiment, and the number of steps is reduced. It is. Hereinafter, when one substrate W is shown, the suffixes “ 1 ” to “n” are attached to the reference numerals. The processing time (tact time) of each processing apparatus is set to be substantially the same.

本発明に係る枚葉処理においては、各基板(W1 〜Wn)は、設定タクトタイム(T1)で工程(イ)の処理装置に投入されて処理された後に、主基板カセット1(第1仮置き台)を介して工程(ロ)の処理装置に投入されて処理される。更に、工程(ロ)の処理装置から取り出された基板Wは、別の主基板カセット1を介して工程(ハ)の処理装置に投入されて処理される。このように、処理途中の基板Wを検査のために抜き取ることのない、或いは特定の処理装置の故障の発生がない正常な処理の場合には、各基板(W1 〜Wn)は、各主基板カセット1に、一旦仮置きされるのみで、前記主基板カセット1に収納されたままとなることなく、下流の工程に順次流れて、各工程において、ほぼ同一の設定タクトタイム(T1)で処理される。 In the single wafer processing according to the present invention, each of the substrates (W 1 to Wn) is put into the processing apparatus of step (a) at the set tact time (T 1 ) and processed, and then the main substrate cassette 1 (first 1 (temporary placement table) is introduced into the processing apparatus in step (b) and processed. Further, the substrate W taken out from the processing apparatus in the step (b) is put into the processing apparatus in the step (c) via the main substrate cassette 1 and processed. In this way, in the case of normal processing in which a substrate W in the middle of processing is not extracted for inspection or a specific processing apparatus does not have a failure, each substrate (W 1 to Wn) is assigned to each main substrate. Once temporarily placed in the substrate cassette 1, it does not remain stored in the main substrate cassette 1, but sequentially flows to downstream processes. In each process, substantially the same set tact time (T 1 ) Is processed.

以上のことを、具体的に説明する。本発明の場合、図10に示されるように、1枚目の基板W1 が工程(イ)に投入されると、該工程(イ)の処理装置によって、基板W1 に所定の処理が施される。この処理が終了すると、該基板W1 は、主基板カセット1(第1仮置き台)を介して、工程(ロ)の処理装置に投入される。これに伴い、2枚目の基板W2 が、工程(イ)の処理装置に投入される。このように、本発明では、基板W1 〜W3 が、それぞれ1枚ずつ各工程(イ),(ロ),(ハ)に投入されて処理される(枚葉処理)。これに対して、従来のベイ方式では、多数枚の基板Wが、各工程毎にまとめて処理されるため、各工程毎の処理時間は長くなってしまう。しかし、本発明の場合、各基板W1 〜W3 のTAT(T2 )は、ベイ方式の場合のTAT(T12)と比較して、極めて短くなる。また、本発明の各基板W1 〜W3 のタクトタイムT1 も、ベイ方式のタクトタイムT11と比較して、短くなる。 The above will be specifically described. In the case of the present invention, as shown in FIG. 10, when the first substrate W 1 is put into the process (A), a predetermined process is performed on the substrate W 1 by the processing apparatus in the process (A). Is done. When this processing is completed, the substrate W 1 is put into the processing apparatus in step (b) via the main substrate cassette 1 (first temporary placement table). Along with this, the second substrate W 2 is put into the processing apparatus of step (ii). As described above, in the present invention, the substrates W 1 to W 3 are respectively put into the respective steps (a), (b), and (c) and processed (single wafer processing). On the other hand, in the conventional bay method, since a large number of substrates W are processed together for each process, the processing time for each process becomes long. However, in the case of the present invention, the TAT (T 2 ) of each of the substrates W 1 to W 3 is extremely shorter than the TAT (T 12 ) in the case of the bay method. Also, the tact time T 1 of each of the substrates W 1 to W 3 of the present invention is shorter than the tact time T 11 of the bay method.

また、図11に示されるグラフは、本発明に係る枚葉処理とバッチ処理との時間に対する基板Wの処理枚数の関係を示したものである。この図において、実線22は、本発明の枚葉処理の場合を示していて、二点鎖線23は、従来のベイ方式の場合を示している。ただし、本図は、基板Wを製造ラインに投入してから完成品として取り出されるまでに要する基板W1枚当りの総処理時間が、枚葉処理とバッチ処理とで同一であると仮定した場合である。従来のベイ方式では、例えば20枚の基板Wをまとめて処理しているため、そのTAT(T12)が経過しなければ、完成品である基板Wが得られない。しかし、本発明の場合、1枚ずつ処理する形態であるため、1枚分のTAT(T2)が経過すれば1枚の基板Wが生産される。 Further, the graph shown in FIG. 11 shows the relationship of the number of processed substrates W with respect to the time between the single wafer processing and the batch processing according to the present invention. In this figure, the solid line 22 shows the case of the single wafer processing of the present invention, and the two-dot chain line 23 shows the case of the conventional bay system. However, this figure is based on the assumption that the total processing time per substrate W required from when the substrate W is introduced to the production line until it is taken out as a finished product is the same for the single wafer processing and the batch processing. is there. In the conventional bay system, for example, 20 substrates W are processed together, so that the finished substrate W cannot be obtained unless the TAT (T 12 ) has elapsed. However, in the present invention, since the processing is performed one by one, one substrate W is produced when one TAT (T 2 ) has elapsed.

上記した結果、製造ライン内に仕掛り品(未完成品)となって滞留する基板W(仕掛り在庫)の数も少なくなり、運転資金が少なくて済む、投下資本に対して回収が短時間で済むので資本回転率が良い等の経理上の利点がある。また、仕掛り在庫の減少により、製造ライン内における基板Wの保管スペースが少なくて済むため、クリーンルームの建設費が安価になるという利点がある。特に、近時では、基板Wのサイズが大きくなっていて、基板W1枚当りの単価も高額となっているため、上記したTATの短縮や仕掛り在庫の減少は、大きな利益を発生させることとなる。更に、リードタイム(納期)が短くなって、短納期、或いは即納期に対応可能となる。   As a result of the above, the number of substrates W (in-process inventory) that remain as work-in-process (unfinished products) in the production line is reduced, and working capital can be reduced. There are accounting advantages such as a good capital turnover rate. In addition, since the in-process inventory is reduced, the storage space for the substrate W in the production line can be reduced, so that there is an advantage that the construction cost of the clean room is reduced. In particular, recently, the size of the substrate W is increasing, and the unit price per substrate W is also high. Therefore, the above-mentioned shortening of TAT and reduction of in-process inventory will generate a large profit. Become. Furthermore, the lead time (delivery date) is shortened, and it becomes possible to cope with short delivery time or immediate delivery date.

次に、処理途中の基板Wが抜き取られた場合について説明する。図12は、処理途中の基板Wを抜取り検査する場合の基板Wの流れを理解するための模式的なタイムチャートである。各工程(イ),(ロ),(ハ)の設定タクトタイムはいずれもT1 であって、投入開始から4枚目の基板W4 が工程(イ)を終えた後に抜き取られ、検査時間T3 を経た後に、基板W(n-m- 4)の次に工程(ロ)に割り込んで投入された例である。このようにして、基板W(n- 4)が工程(ロ)に割り込んで投入されると、その後の複数枚(図示例では2枚)の基板W(n-m- 3),同W(n-m- 2)の工程(イ)に対する投入間隔であるタクトタイム(T1 +α)は、前記設定タクトタイムT1 よりも大きくなり、その直後の基板W(n-m- 1),同W(n-m) は、元のタクトタイムT1 で工程(イ)の処理装置に投入され、以後、全工程において設定タクトタイムT1 で基板Wがスムーズに処理されてゆく。このように、抜取り検査を終えた基板W4 が、工程(ロ)から割り込んだ直後の数枚の基板の工程(イ)における投入間隔(タクトタイム)を設定タクトタイムT1 よりも長くすると、以後は、全工程において通常のタクトタイムで処理されることとなる。 Next, a case where the substrate W in the middle of processing is extracted will be described. FIG. 12 is a schematic time chart for understanding the flow of the substrate W when the substrate W being processed is sampled and inspected. The set tact time of each process (A), (B), and (C) is T 1 , and the fourth substrate W 4 from the start of loading is extracted after the process (A) is completed, and the inspection time. In this example, after passing through T 3 , the substrate W (nm-4) is inserted next to the process (b). In this way, when the substrate W (n-4) is inserted into the process (b), a plurality of (two in the illustrated example) substrates W (nm-3) and W (nm-) The tact time (T 1 + α), which is the input interval for the step (b) in 2), is larger than the set tact time T 1 , and the substrate W (nm-1) and W (nm) immediately after that are is introduced under the tact time T 1 to the processing device of step (b), thereafter, the substrate W in set tact time T 1 in the entire process Yuku is processed smoothly. In this way, when the substrate W 4 that has undergone the sampling inspection is made longer than the set tact time T 1 in the insertion interval (tact time) in the process (A) of several substrates immediately after interrupting from the process (B), Thereafter, processing is performed with a normal tact time in all steps.

一方、工程(イ)の処理を終えた後に、基板W4 を抜き取ると、その後の工程(ロ),(ハ)を担当する処理装置には基板が投入されないため、工程(ロ),(ハ)における基板の排出間隔(タクトタイム)が通常の2倍となって、生産能率が低下する。そこで、本発明においては、工程(ロ)の処理装置の近傍に配置された主基板カセット1(第1仮置き台)又は検査用基板カセット2(第2仮置き台)に工程(イ)を終えて、製造ラインを流れない基板が一時的に収納されている場合(どのような場合に一時的に収納されるかは後述する)には、この基板W(n-m+1)を工程(ロ)の処理装置に投入すると、抜取り検査のために基板W4 を正規搬送路から抜き取っても、その直後において後工程のタクトタイムは設定タクトタイムT1 となって、生産能率の低下がなくなる。 On the other hand, if the substrate W 4 is extracted after the process (A) is completed, the substrate is not put into the processing apparatus in charge of the subsequent processes (B) and (C). ), The substrate discharge interval (tact time) is doubled, and the production efficiency is lowered. Therefore, in the present invention, the step (b) is applied to the main substrate cassette 1 (first temporary placement table) or the inspection substrate cassette 2 (second temporary placement table) disposed in the vicinity of the processing apparatus in step (b). In the case where a substrate that does not flow through the production line is temporarily stored (when it is temporarily stored, it will be described later), this substrate W (n−m + 1) is processed (b). ), Even if the substrate W 4 is extracted from the regular transport path for sampling inspection, the tact time of the subsequent process becomes the set tact time T 1 immediately after that and the production efficiency is not lowered.

次に、特定の処理装置が故障した場合について説明する。図13は、特定の処理装置が一時的に故障した場合の基板Wの流れを理解するための模式的なタイムチャートである。工程(ロ)において基板W3 の処理を終えた後に、工程(ロ)の処理装置が故障した場合であり、故障後においても、数枚(4枚) の基板W4 〜W7 は、設定タクトタイムT1 で工程(イ)の処理をされ、これに続く数枚(3枚)の基板W8 〜W10は、工程(ロ)の処理装置の停止による処理調整のために設定タクトタイムT1 よりも長いタクトタイム(T1 +β)で処理される。これらの複数枚の基板W4 〜W10は、後続の基板(例えば、基板W4 に対しては基板W5 )が工程(イ)の処理を終えた後においても、工程(ロ)に投入できないために、工程(イ)と工程(ロ)の間の主基板カセット1に順次搬入されて収納される。 Next, a case where a specific processing apparatus fails will be described. FIG. 13 is a schematic time chart for understanding the flow of the substrate W when a specific processing apparatus temporarily fails. This is a case in which the processing apparatus in the step (b) fails after finishing the processing of the substrate W 3 in the step (b). Even after the failure, several (four) substrates W 4 to W 7 are set. The process (A) is processed at the tact time T 1 , and the following several (3) substrates W 8 to W 10 are set to the tact time set for process adjustment by stopping the processing apparatus in the process (B). Processing is performed with a tact time (T 1 + β) longer than T 1 . These multiple substrates W 4 to W-10, the subsequent substrates (e.g., substrates W 5 for the substrate W 4) even after finishing the process of step (a), charged in Step (b) Since it cannot be performed, it is sequentially carried into and stored in the main substrate cassette 1 between the steps (A) and (B).

3番目の基板W3 が工程(ロ)の処理を終えてから停止時間T4 を経過した後に、工程(ロ)の処理装置が再開すると、主基板カセット1に収納されている複数枚の基板W4 〜W10は、先に搬入された基板から順次搬出されて、設定タクトタイムT1 で工程(ロ)の処理装置に投入される。そして、最終に設定タクトタイムT1 よりも大きなタクトタイム(T1 +β)で工程(イ)に投入された基板W11の次の基板W12を含んでこれ以降の基板は、順次設定タクトタイムT1 で工程(イ)に投入されて、全工程においてスムーズに連続処理される。 After the stop time T 4 has elapsed since the third substrate W 3 finished the process (b), when the processing apparatus in the process (b) resumes, a plurality of substrates stored in the main substrate cassette 1 W 4 to W 10 are sequentially unloaded from the previously loaded substrate, and are loaded into the processing apparatus (b) at the set tact time T 1 . Then, the next subsequent substrate includes a substrate W 12 of the substrate W 11 put into the step (b) with a large tact time (T 1 + beta) than the set final tact time T 1 is sequentially set tact time is put into step (a) with T 1, it is continuously processed smoothly in the entire process.

本実施例の基板搬送装置Sでは、バイパス搬送列L3 は、その両側に分割して配置された各処理装置A〜D群の双方に対応している。このため、バイパス搬送車3の走行距離を短くでき、バイパス搬送車3による基板Wの搬送時間を短縮できる。 In the substrate transfer apparatus S of the present embodiment, the bypass transfer row L 3 corresponds to both of the processing apparatuses A to D arranged separately on both sides thereof. For this reason, the travel distance of the bypass conveyance vehicle 3 can be shortened, and the conveyance time of the board | substrate W by the bypass conveyance vehicle 3 can be shortened.

上記した実施例の基板搬送装置Sでは、主基板カセット1は、基板仮置き台列L2 に固定状態で設置されている。このため、本実施例では、主基板カセット1とは別に、検査用基板カセット2を設け、抜き取られた基板Wを前記検査用カセット2に収納させ、バイパス搬送車3により、該検査用基板カセット2そのものを検査装置Ma,Mb まで搬送させている。この結果、前記検査用基板カセット2における基板Wの搬入口又は搬出口は1箇所で済み、その構成が簡単になるという利点がある。 In the substrate transfer apparatus S of the embodiment described above, the main substrate cassette 1 is installed in a fixed state to the substrate temporary placement table columns L 2. Therefore, in this embodiment, an inspection substrate cassette 2 is provided separately from the main substrate cassette 1, and the extracted substrate W is stored in the inspection cassette 2, and the inspection substrate cassette is bypassed by the bypass transport vehicle 3. 2 itself is conveyed to the inspection devices Ma and Mb. As a result, there is an advantage that the substrate W in the inspection substrate cassette 2 has only one entrance or exit, and the configuration is simplified.

本実施例の基板搬送装置Sでは、検査のために抜き取られた基板Wを、検査用基板カセット2ではなく、主基板カセット1に収納させて、当該基板Wをバイパス搬送車3に受け渡すことは困難である。しかし、例えば、前記主基板カセット1が、水平面内で回転可能に設けられている場合、検査される基板Wを前記基板カセット1から、バイパス搬送車3に受け渡すこともできる。これにより、検査用基板カセット2が不要となり、基板搬送装置Sの構成が簡単になるという利点がある。   In the substrate transport apparatus S of the present embodiment, the substrate W extracted for inspection is stored in the main substrate cassette 1 instead of the inspection substrate cassette 2, and the substrate W is transferred to the bypass transport vehicle 3. It is difficult. However, for example, when the main substrate cassette 1 is rotatably provided in a horizontal plane, the substrate W to be inspected can be transferred from the substrate cassette 1 to the bypass transport vehicle 3. This eliminates the need for the inspection substrate cassette 2 and has the advantage that the configuration of the substrate transfer apparatus S is simplified.

また、本実施例では、抜き取られた基板Wは、検査用基板カセット2に収納された状態で、該検査用基板カセット2ごと、バイパス搬送車3に受け渡される形態である。しかし、検査用基板カセット2に収納されず、基板W単体でバイパス搬送車3に受け渡される形態であっても構わない。これにより、検査用基板カセット2が不要になるという利点がある。   Further, in this embodiment, the extracted substrate W is delivered to the bypass transport vehicle 3 together with the inspection substrate cassette 2 in a state of being accommodated in the inspection substrate cassette 2. However, the substrate W may not be stored in the inspection substrate cassette 2 but may be transferred to the bypass transport vehicle 3 as a single substrate W. This has the advantage that the inspection substrate cassette 2 is not required.

本実施例の基板搬送装置Sでは、いずれかの基板受渡し装置Ea,Eb により、主基板カセット1(第1仮置き台)を介して基板Wの受渡しが行われる形態である。しかし、基板受渡し装置Ea,Eb が、直接基板Wを受け渡す形態であっても構わない。この場合、基板Wの受渡しに要する時間が大幅に短縮され、TATを更に短くすることができる。   In the substrate transfer apparatus S of the present embodiment, the substrate W is delivered via one of the substrate delivery devices Ea and Eb via the main substrate cassette 1 (first temporary placement table). However, the substrate transfer devices Ea and Eb may be configured to directly transfer the substrate W. In this case, the time required for delivery of the substrate W is greatly shortened, and the TAT can be further shortened.

本明細書では、処理途中の基板Wに行われる付帯処理として、抜取り検査の場合を説明した。しかし、付帯処理として、抜取り検査以外の処理であっても構わない。例えば、処理パターンが設計通りでない場合等に、不具合部分を補修するための補修装置に、バイパス搬送する例等がある。   In the present specification, the case of the sampling inspection has been described as an incidental process performed on the substrate W being processed. However, the incidental processing may be processing other than sampling inspection. For example, when the processing pattern is not as designed, there is an example of bypass conveyance to a repair device for repairing a defective portion.

本実施例の第1及び第2の各群における2本の基板仮置き台列L2 において、主基板カセット1が取付けられた部分以外のスペースを、処理途中の基板Wを収納した基板カセットをストックするための保管スペースとして使用することができる。これにより、特定の処理装置A〜Dが故障したり、製造ライン全体のメンテナンスをしたりするときに、より多くの基板Wを、一時的に製造ラインから外して収納することができる。即ち、基板仮置き台列L2 による「製造ラインの緩衝機能」が増大するという効果が奏される。 In the two substrate temporary placement table L 2 in each of the first and second groups of the present embodiment, a space other than the portion to which the main substrate cassette 1 is attached is used as a substrate cassette containing the substrate W being processed. It can be used as a storage space for stocking. Thereby, when a specific processing apparatus A to D breaks down or maintenance of the entire production line is performed, more substrates W can be temporarily removed from the production line and stored. That is, an effect of increasing the “buffer function of the production line” by the temporary substrate placement table L 2 is achieved.

半導体製造装置Uの全体平面図である。1 is an overall plan view of a semiconductor manufacturing apparatus U. FIG. 同じく正面図である。It is also a front view. 第1群の処理装置A〜Dにおける正規搬送路の基板Wの流れを示す平面図である。It is a top view which shows the flow of the board | substrate W of the regular conveyance path in 1st group processing apparatus AD. 第1洗浄装置A11とCVD装置B1 の平面図である。The first is a plan view of the cleaning device A 11 and the CVD device B 1. 主基板カセット1から基板Wが搬出される状態を示す正面断面図である。FIG. 3 is a front cross-sectional view showing a state where a substrate W is unloaded from the main substrate cassette 1. 第1群の処理装置A〜Dにおけるバイパス搬送路の基板Wの流れを示す平面図である。It is a top view which shows the flow of the board | substrate W of the bypass conveyance path in 1st group processing apparatus AD. 搬送用基板カセット4に収納されている基板Wが、第1洗浄装置A11に搬入される状態の作用説明図である。Substrate W accommodated in the transport substrate cassette 4 is an operation explanatory view of a state that is carried into the first cleaning device A 11. 第1洗浄装置A11から排出された基板Wが、主基板カセット1に収納される状態の作用説明図である。FIG. 10 is an operation explanatory diagram of a state in which the substrate W discharged from the first cleaning apparatus A 11 is stored in the main substrate cassette 1. 主基板カセット1に収納されている基板Wが、CVD装置B1 に搬入される状態の作用説明図である。Substrate W accommodated in the main substrate cassette 1 is an explanatory diagram of the operation of the condition to be carried into the CVD apparatus B 1. 処理途中の基板Wが枚葉処理、及びバッチ処理により正常に処理されている場合の基板Wの流れを示す模式的なタイムチャートである。It is a typical time chart which shows the flow of the board | substrate W in case the board | substrate W in the middle of a process is processed normally by the single wafer process and a batch process. 本発明に係る枚葉処理とバッチ処理との時間に対する基板Wの処理枚数の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the process number of the board | substrate W with respect to the time of the single wafer process and batch process which concern on this invention. 処理途中の基板Wが抜き取られた場合の基板Wの流れを示す模式的なタイムチャートである。It is a typical time chart which shows the flow of substrate W when substrate W in the middle of processing is extracted. 特定の処理装置が故障した場合の基板Wの流れを示す模式的なタイムチャートである。It is a typical time chart which shows the flow of the board | substrate W when a specific processing apparatus fails. 基板Wに半導体素子が成形される工程を示す図である。5 is a diagram illustrating a process of forming a semiconductor element on a substrate W. FIG. 従来のベイ方式による半導体製造装置Uの全体平面図である。It is a whole top view of the semiconductor manufacturing apparatus U by the conventional bay system.

符号の説明Explanation of symbols

A:洗浄装置(処理装置)
B:CVD装置(処理装置)
C:フォト装置(処理装置)
D:エッチング装置(処理装置)
Ea,Eb :基板受渡し装置
1 :基板受渡し列(正規搬送路)
2 :基板仮置き台列(正規搬送路)
3 :バイパス搬送列(バイパス搬送路)
Ma,Mb :検査装置(付帯処理装置)
U:半導体製造装置
W:基板
1:主基板カセット(第1仮置き台)
2:検査用基板カセット(第2仮置き台)
3:バイパス搬送車(基板バイパス搬送車)
A: Cleaning device (processing device)
B: CVD equipment (processing equipment)
C: Photo device (processing device)
D: Etching device (processing device)
Ea, Eb: Board delivery device
L 1 : Board delivery line (regular transport path)
L 2 : Substrate temporary table (regular transport path)
L 3 : Bypass transport line (bypass transport path)
Ma, Mb: Inspection device (accessory processing device)
U: Semiconductor manufacturing equipment
W: Substrate
1: Main board cassette (first temporary storage stand)
2: Inspection substrate cassette (second temporary table)
3: Bypass carrier vehicle (substrate bypass carrier vehicle)

Claims (8)

多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法であって、
前記基板は、前記各処理装置の間に配置された第1仮置き台に一旦仮置きした後に、各処理装置に対応して配置された基板受渡し装置により取り出して後工程の処理装置に1枚ずつ搬送することを特徴とする基板搬送方法。
In a semiconductor manufacturing apparatus in which a semiconductor element is formed on a substrate through a number of processes in sequence, the substrate is transported along a processing apparatus group consisting of a large number of processing apparatuses arranged in the order of processes in order to perform each process. And
The substrate is temporarily placed on a first temporary placement table arranged between the processing apparatuses, and then taken out by a substrate delivery apparatus arranged corresponding to each processing apparatus, and then one substrate is processed in a post-processing apparatus. A substrate carrying method characterized by carrying each piece.
多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する方法であって、
前記基板の搬送経路は、前記基板に対して各工程の処理を順次行うために、前記各処理装置の間に配置された第1仮置き台を介して後工程側に順次搬送される正規搬送路と、
処理途中の基板に付帯処理を行うために、前記第1仮置き台、又は前記第1仮置き台とは別の第2仮置き台と付帯処理装置との間で基板を往復搬送させるバイパス搬送路とを有することを特徴とする基板搬送方法。
In a semiconductor manufacturing apparatus in which a semiconductor element is formed on a substrate through a number of processes in sequence, the substrate is transported along a processing apparatus group consisting of a large number of processing apparatuses arranged in the order of processes in order to perform each process. And
The substrate transport path is a regular transport that is sequentially transported to a subsequent process side via a first temporary placement table disposed between the processing apparatuses in order to sequentially perform the processes of the processes on the substrate. Road,
In order to perform an incidental process on a substrate in the middle of processing, the substrate is reciprocally conveyed between the first temporary table or the second temporary table different from the first temporary table and an auxiliary processing apparatus. A substrate carrying method comprising: a path.
多数工程を順次経て基板に半導体素子を成形する半導体製造装置において、各工程の処理を行うために工程順に配置された多数の処理装置から成る処理装置群に沿って前記基板を搬送する装置であって、
搬送中の基板を一時的に仮置きするために、前後の工程を担当する各処理装置の間に配置された多数の第1仮置き台と、
前工程側の第1仮置き台から取り出した基板を当該処理装置で処理した後に、前記第1仮置き台に隣接する後工程側の別の第1仮置き台に基板を搬送するための多数の基板受渡し装置とを備え、
前記第1仮置き台を介して処理途中の基板を1枚ずつ、順次後工程側に搬送することを特徴とする基板搬送装置。
In a semiconductor manufacturing apparatus for forming semiconductor elements on a substrate through a number of processes in sequence, the apparatus transports the substrate along a processing apparatus group consisting of a large number of processing apparatuses arranged in the order of processes in order to perform the processes of each process. And
In order to temporarily place the substrate being transported, a number of first temporary placement tables arranged between the processing apparatuses in charge of the preceding and following processes;
A number of substrates for transporting a substrate to another first temporary placement table on the post-process side adjacent to the first temporary placement table after the substrate taken out from the first temporary placement table on the previous process side is processed by the processing apparatus. And a substrate delivery device of
A substrate transfer apparatus, wherein substrates in the middle of processing are sequentially transferred to a subsequent process side one by one through the first temporary placement table.
前記第1仮置き台は、複数枚の基板を仮置きできることを特徴とする請求項3に記載の基板搬送装置。 The substrate transport apparatus according to claim 3, wherein the first temporary placement table can temporarily place a plurality of substrates. 前記第1仮置き台は多段収納構造であって、先入れ先出し方式で搬入出されることを特徴とする請求項4に記載の基板搬送装置。 5. The substrate transfer apparatus according to claim 4, wherein the first temporary placement table has a multistage storage structure and is carried in and out by a first-in first-out method. 基板の正規搬送経路の所望位置に前記第1仮置き台とは別に配置された付帯処理装置専用の第2仮置き台と、前記第2仮置き台から取り出した基板を付帯処理装置までバイパス搬送するための基板バイパス搬送車とを備えていることを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の基板搬送装置。 A second temporary placement table dedicated to the auxiliary processing apparatus disposed separately from the first temporary placement table at a desired position on the normal transfer path of the substrate, and a substrate taken out from the second temporary placement table by-pass transfer to the auxiliary processing apparatus A substrate transfer apparatus according to claim 3, further comprising a substrate bypass transfer vehicle. 前記第2仮置き台に仮置きされた基板は、第2仮置き台そのものの搬送により行うことを特徴とする請求項6に記載の基板搬送装置。 The substrate transport apparatus according to claim 6, wherein the substrate temporarily placed on the second temporary placement table is performed by transporting the second temporary placement table itself. 多数の処理装置から成る処理装置群は、正規搬送路に沿って二分割されて対向配置され、二分割された各処理装置群の間がバイパス搬送路となっていることを特徴とする請求項3ないし7のいずれかに記載の基板搬送装置。 The processing device group consisting of a large number of processing devices is divided into two along the regular transport path and arranged opposite to each other, and a bypass transport path is formed between each of the two processing device groups. The substrate transfer apparatus according to any one of 3 to 7.
JP2003382207A 2003-11-06 2003-11-12 Substrate conveyance method and its equipment Abandoned JP2005150199A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003382207A JP2005150199A (en) 2003-11-12 2003-11-12 Substrate conveyance method and its equipment
KR1020067008800A KR100847627B1 (en) 2003-11-06 2004-11-04 Device for carrying in and out boards
CNB2004800321670A CN100426484C (en) 2003-11-06 2004-11-04 Device for carrying in and out boards, board carrying method and device therefor
PCT/JP2004/016341 WO2005045920A1 (en) 2003-11-06 2004-11-04 Device for carrying in and out boards, board carrying method and device therefor
KR1020077021237A KR100880777B1 (en) 2003-11-06 2004-11-04 Board carrying method and device therefor
TW093133852A TWI253433B (en) 2003-11-06 2004-11-05 Substrate transportation device, substrate transportation method, and substrate transportation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003382207A JP2005150199A (en) 2003-11-12 2003-11-12 Substrate conveyance method and its equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005150199A true JP2005150199A (en) 2005-06-09

Family

ID=34691350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003382207A Abandoned JP2005150199A (en) 2003-11-06 2003-11-12 Substrate conveyance method and its equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005150199A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5134575B2 (en) Method for manufacturing semiconductor devices in a multi-chamber system
JP4614455B2 (en) Substrate transfer processing equipment
JP4954162B2 (en) Processing system
JP2001519598A (en) Modular substrate processing system
US20100143082A1 (en) Portable stocker and method of using same
US6698991B1 (en) Fabrication system with extensible equipment sets
JPH05178416A (en) Plate like body treating device and conveying device
JPH07101706B2 (en) Wafer continuous processing apparatus and continuous processing method
JP5588469B2 (en) Substrate processing equipment
JP2005228771A (en) Substrate transfer method and its apparatus
KR100880777B1 (en) Board carrying method and device therefor
US7032739B2 (en) Intermediate product carrying apparatus, and intermediate product carrying method
JP2005150199A (en) Substrate conveyance method and its equipment
TW200415096A (en) Production line system and automated warehouse used in the system
JP2006111421A (en) Conveyor system between floors
KR100592132B1 (en) Manufacturing apparatus, and manufacturing method
JP2005197761A (en) Bay of semiconductor wafer production line, the semiconductor wafer production line, bay of liquid crystal production line and the liquid crystal production line
JP4154269B2 (en) Manufacturing equipment transfer system
JP3512404B2 (en) Vacuum processing apparatus and sample vacuum processing method
JP2000332080A (en) Manufacturing method and apparatus for processed product
JPH11330190A (en) Carrying method and processing system of substrate
JP2006196630A (en) Substrate transporting method and its apparatus
JP4850404B2 (en) Substrate transfer equipment and ceiling transfer device
JP3267266B2 (en) Cassette stocker and method of manufacturing semiconductor device
JP2006228886A (en) Production line of substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20061106

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20090820