JP2005149451A - 半導体ディスク装置およびディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 データを格納するフラッシュメモリーと、フラッシュメモリーに格納される前に所定量づつ一時的にデータを蓄積するバッファメモリーと、フラッシュメモリーにデータを書き込むメモリーコントローラと、当該ディスク装置の駆動電圧に異常が生じた場合においても、前記バッファーメモリーと前記フラッシュメモリー並びに前記メモリーコントローラに電源を供給し、少なくとも前記電圧異常発生時に前記バッファメモリーに蓄積されていた全データを前記フラッシュメモリーに格納するキャパシター電源を設ける。
【選択図】 図1
Description
バッテリバックアップ制御基板13は、複数のキャパシタ(130−1、130−2、・・)とバッテリバックアップ制御部131を有する。
ディスク装置1のバッテリバックアップ制御部131はホスト機の電源(図2)から電圧の供給を受け、これをディスク装置の駆動電源として使用する。キャパシタ130は互いに並列接続されており、バッファメモリー120、メモリーコントローラ121並びにフラッシュメモリー110に接続されており、ディスク装置1にホスト機の電源から電圧が供給されると、キャパシタ130に電荷が蓄積され充電されるように構成されている。全キャパシタの充電完了時間は、キャパシタの容量、回路の時定数などによって決定されるが、キャパシタ電圧が安定するまで約1〜2分である。ホスト機は電源投入時からこの充電までの時間を当該ホスト機のready状態とする。
即ち、上限のスレッシュホールドを上回った場合、下限のスレッシュホールドを下回った場合をトリガー発生タイミングにすればよい。この異常発生の事実および内容はフラッシュメモリーの管理領域に履歴として保存される。なお、電圧監視部1311は、入力電圧にリップル(交流成分)、即ち、電圧レベルが所定値以下になった場合を電圧異常通知部1312に通知してもよい。
11:フラッシュメモリー基板
12:メモリーコントローラ基板
13:バッテリバックアップ制御基板
110:フラッシュメモリー
120:バッファメモリー
121:メモリーコントローラ
130:キャパシタ
131:バッテリバックアップ制御部
132:回路遮断スイッチ
1311:電圧監視部
1312:電圧異常通知部
Claims (6)
- 半導体ディスク装置であって、
中央処理装置から書き込み指令のあったデータを格納するフラッシュメモリーと、
前記中央処理装置の書き込み指令によって送出されたデータが前記フラッシュメモリー に格納される前に所定量ずつ一時的に蓄積されるバッファメモリーと、
前記バッファメモリーに蓄積されたデータを前記フラッシュメモリーに書き込むメモリーコントローラと、
当該ディスク装置の駆動電圧に異常が生じた場合において、前記バッファメモリーと前記フラッシュメモリー並びに前記メモリーコントローラに電源を供給し、少なくとも前記電圧異常発生時に前記バッファメモリーに蓄積されていた全データを前記フラッシュメモリーに格納するキャパシタ電源を有することを特徴とする半導体ディスク装置。 - 電圧異常は、当該ディスク装置の駆動電圧の瞬間的な停止、電圧レベルの低下、駆動不可能な程度の電圧上昇、若しくは停電のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の半導体ディスク装置。
- 当該ディスク装置の駆動電圧の異常を常時監視し、異常があった場合直ちにこれをメモリーコントローラに通知するバッテリバックアップ制御部を有し、当該メモリーコントローラはタイマーを有し、前記通知を受けて、前記駆動電圧の異常発生時刻と、異常の種別、並びに異常発生時に前記バッファメモリーからフラッシュメモリーに格納したデータ内容を、フラッシュメモリーの管理領域に記憶することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ディスク装置。
- バッテリバックアップ制御部は、当該ディスク装置の動作を監視し、ディスク装置が書き込み指令実行中にその駆動電圧に異常があった場合、これを中央処理装置に通知することを特徴とする請求項3記載の半導体ディスク装置。
- フラッシュメモリーを搭載した第1の基板、バッファメモリーとメモリーコントローラを搭載した第2の基板、キャパシタとバッテリバックアップ制御部を搭載した第3の基板の計3枚の基板で構成し、これらを階層状に固定した状態で筺体で覆い、単一のユニット構成にしたことを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の半導体ディスク装置。
- ディスク装置であって、
中央処理装置から書き込み指令のあったデータを格納するデータ格納手段と、
前記中央処理装置から送出され前記格納手段に格納される前に所定量ずつ一時的にデー タが蓄積されるバッファメモリーと、
前記バッファメモリーに蓄積されたデータを前記格納手段に書き込むメモリーコントローラと、
当該ディスク装置の駆動電圧に異常が生じた場合において、前記バッファメモリーと前記格納手段並びに前記メモリーコントローラに電源を供給し、少なくとも前記電圧異常発生時に前記バッファメモリーに蓄積されていた全データを前記格納手段に格納するキャパパシター電源を有することを特徴とするディスク装置。
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JP2003418697A JP2005149451A (ja) | 2003-11-13 | 2003-11-13 | 半導体ディスク装置およびディスク装置 |
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JP2005149451A true JP2005149451A (ja) | 2005-06-09 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005149451A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010160634A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Nippon Signal Co Ltd:The | メモリドライブ装置 |
US8806271B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Auxiliary power supply and user device including the same |
JP2015032328A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体記憶装置及びその書き込み方法並びにメモリシステム |
JP2015215900A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | エルエス産電株式会社Lsis Co., Ltd. | メモリデータバックアップ機能を有する電子装置 |
-
2003
- 2003-11-13 JP JP2003418697A patent/JP2005149451A/ja active Pending
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