JP2005148597A - パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 - Google Patents
パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと、少なくとも酸素原子および/または窒素原子を有する複素環式化合物を含有するパターン微細化用被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターンの形成方法。
【選択図】 なし
Description
で表されるものが好ましい。
で表されるものが好ましい。
で示されるものが好ましい。
次いで、このようなマスクパターンとしてのホトレジストパターンを有する基板上全面に亘って、パターン微細化用被覆形成剤を塗布し被覆する。なお、該被覆形成剤を塗布した後に、80〜100℃の温度で30〜90秒間、基板にプリベークを施してもよい。
次いで熱処理を行って、パターン微細化用被覆形成剤からなる塗膜を収縮させる。この塗膜の収縮作用により、該塗膜に接するホトレジストパターンが塗膜の収縮相当分幅広・広大となり、ホトレジストパターンどうしが互いに近接した状態となってホトレジストパターン間の間隔が狭められる。このホトレジストパターン間の間隔は、すなわち、最終的に得られるパターンの径や幅を規定することから、上記したパターン微細化用被覆形成剤からなる塗膜の収縮によりホールパターンの径やトレンチパターンの幅を狭小化させることができ、パターンの微細化を行うことができる。
この後、ホトレジストパターンを有する基板上に残留するパターン微細化用被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により10〜60秒間洗浄することにより除去する。なお、水洗除去に先立ち、所望によりアルカリ水溶液(例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、コリンなど)でリンス処理をしてもよい。本発明に係るパターン微細化用被覆形成剤は、水での洗浄除去が容易で、かつ、基板およびホトレジストパターンから完全に除去することができる。
ポリアクリル酸/ポリビニルピロリドン(AA/PVP)からなるコポリマー(AA:PVP=2:1(重合比))3g、トリエタノールアミン0.27g、2−メチル−2−オキサゾリン0.30g、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤として「プライサーフA210G」(第一工業製薬(株)製)0.03gを純水44gに溶解し、全体の固形分濃度を約7.5質量%としたパターン微細化用被覆形成剤を調製した。
ポリアクリル酸/ポリビニルピロリドン(AA/PVP)からなるコポリマー(AA:PVP=2:1(重合比))3g、トリエタノールアミン0.27g、3−メチル−2−オキサゾリドン0.30g、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤として「プライサーフA210G」(第一工業製薬(株)製)0.03gを純水44gに溶解し、全体の固形分濃度を約7.5質量%としたパターン微細化用被覆形成剤を調製した。
ポリアクリル酸/ポリビニルピロリドン(AA/PVP)からなるコポリマー(AA:PVP=2:1(重合比))3g、トリエタノールアミン0.27g、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤として「プライサーフA210G」(第一工業製薬(株)製)0.03gを純水41gに溶解し、全体の固形分濃度を約7.5質量%としたパターン微細化用被覆形成剤を調製した。
Claims (9)
- ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために用いられるパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと、少なくとも酸素原子および/または窒素原子を有する複素環式化合物を含有するパターン微細化用被覆形成剤。
- 複素環式化合物が、オキサゾリジン(Oxazolidine)骨格を有する化合物、オキサゾリン(Oxazoline)骨格を有する化合物、オキサゾリドン(Oxazolidone)骨格を有する化合物、およびオキサゾリジノン(Oxazolidinone)骨格を有する化合物の中から選ばれる少なくとも1種である、請求項1記載のパターン微細化用被覆形成剤。
- 水溶性ポリマーがアルキレングリコール系重合体、セルロース系誘導体、ビニル系重合体、アクリル系重合体、尿素系重合体、エポキシ系重合体、メラミン系重合体、およびアミド系重合体の中から選ばれる少なくとも1種である、請求項1または2記載のパターン微細化用被覆形成剤。
- 水溶性ポリマーがアルキレングリコール系重合体、セルロース系誘導体、ビニル系重合体、およびアクリル系重合体から選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン微細化用被覆形成剤。
- 水溶性ポリマーが、アクリル系重合体とビニル系重合体との共重合体である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン微細化用被覆形成剤。
- 被覆形成剤が濃度3〜50質量%の水溶液である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン微細化用被覆形成剤。
- ホトレジストパターンを有する基板上に、請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、加熱し、該パターン微細化用被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで該パターン微細化用被覆形成剤を除去する、微細パターンの形成方法。
- 上記パターン微細化用被覆形成剤の収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめた後、該パターン微細化用被覆形成剤を実質的に完全に除去する、請求項7記載の微細パターンの形成方法。
- 加熱を、基板上のホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で行う、請求項7または8記載の微細パターンの形成方法。
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