JP3611248B2 - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はホトリソグラフィ技術分野における微細パターンの形成方法に関する。さらに詳しくは、近年の半導体デバイスの集積化、微小化に対応し得る微細パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の電子部品の製造においては、基板にエッチングなどの処理を施すに際し、活性放射線に感応するいわゆる感放射線ホトレジストを用いて基板上に被膜（ホトレジスト層）を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行って、ホトレジスト層を選択的に溶解除去して基板上に画像パターン（ホトレジストパターン）を形成し、これを保護層（マスクパターン）として基板にホールパターン、トレンチパターン等のコンタクト用パターンなどの各種パターンを形成するホトリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの集積化、微小化の傾向が高まり、これらパターンの形成についても微細化が進み、現在パターン幅０．２０μｍ以下の超微細加工が要求されており、マスクパターン形成に用いられる活性光線も、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザー光や、電子線などの短波長の照射光が利用され、マスクパターン形成材料としてのホトレジスト材料についても、これらの照射光に対応した物性をもつものの研究・開発が行われている。
【０００４】
このようなホトレジスト材料の面からの超微細化対応策に加え、パターン形成方法の面からも、ホトレジスト材料のもつ解像度の限界を超える技術の研究・開発が行われている。
【０００５】
例えば、特開平５−１６６７１７号公報では、基板上に塗布したパターン形成用レジストに抜きパターンを形成した後、該パターン形成用レジストとミキシングするミキシング生成用レジストを基板全面に塗布した後、ベークして、ミキシング層をパターン形成用レジスト側壁〜表面に形成し、前記ミキシング生成用レジストの非ミキシング部分を除去して、上記ミキシング層寸法分の微細化を図った抜きパターン形成方法が開示されている。また特開平５−２４１３４８号公報では、酸発生剤を含有するレジストパターンを形成した基板上に、酸の存在下で不溶化する樹脂を被着した後、熱処理し、前記樹脂にレジストから酸を拡散させて樹脂とレジストパターン界面付近に一定厚さのレジストを形成した後、現像して、酸の拡散がされていない樹脂部分を除去することにより、上記一定の厚さ寸法分の微細化を図ったパターン形成方法が開示されている。
【０００６】
しかしながらこれらの方法は、レジストパターン側壁に形成される層の厚さのコントロールが難しく、ウェーハ面内の熱依存性が十数ｎｍ／℃程度と大きく、現在の半導体デバイスの製造で用いられる加熱装置ではウェーハ面内を均一に保つことが非常に困難であり、パターン寸法のバラツキの発生を抑制することができないという問題がある。
【０００７】
一方、レジストパターンを熱処理等で流動化させパターン寸法を微細化する方法も知られている。例えば特開平１−３０７２２８号公報では、基板上にレジストパターンを形成した後、熱処理を行い、レジストパターンの断面形状を矩形から半円状へと変形させ底辺長を増大させることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。また特開平４−３６４０２１号公報では、レジストパターンを形成した後、その軟化温度の前後に加熱し、レジストの流動化によりそのパターン寸法を変化させて微細なパターンを形成する方法が開示されている。
【０００８】
これらの方法は、ウェーハ面内の熱依存性は数ｎｍ／℃程度であり、この点での問題点は少ないものの、熱処理によるレジストの変形・流動のコントロールが困難なため、ウェーハ面内で均一なレジストパターンを設けることが難しいという問題がある。
【０００９】
上記方法をさらに発展させた方法として、例えば特開平７−４５５１０号公報では、基板上にレジストパターンを形成した後、該基板上に前記レジストパターンの流動しすぎを防止するためのストッパとしての樹脂を形成し、次いで熱処理し、レジストを流動化させてパターン寸法を変化させた後、樹脂を除去して微細なパターンを形成する方法が開示されている。そして上記樹脂として、具体的にはポリビニルアルコールを用いているが、ポリビニルアルコールは、水に対する溶解性が不十分なため水洗で完全に除去することが難しく、そのため良好なプロフィルのパターンの形成が難しく、また経時安定性の面でも必ずしも満足し得るものとはいえない。
【００１０】
さらに現在、ホトレジストパターンを有する基板上に被覆材料を塗布する際、気泡（マイクロフォーム）発生という問題があり、これが最終的にはディフェクトと呼ばれるパターン欠陥の発生に関係しているといわれることから、このような問題点も併せて解決し得る技術が要求されている。
【００１１】
この点に関し、被覆材料（樹脂）の形成方法についての改良はこれまであまり検討されておらず、上記先行技術においても被覆材料（樹脂溶液）の形成方法についての言及はなされていない。
【００１２】
しかしながらパターンのますますの微細化が要求される現況にあっては、ホトレジストパターン上に被覆する被覆材料の塗布性の向上が要求されている。特に磁気ヘッド等の厚膜のホトレジスト層を形成する必要がある分野においては、該被覆材料を厚膜のホトレジストパターン上に完全に被覆し得る技術が必要とされる。完全に被覆し得ない場合には、ホトレジストパターンの面内均一性悪化、形状悪化、あるいは微細化の効率低下（すなわち熱の保持性能の低下）等の問題が生じる。
【００１３】
これに関し、従来の被覆材料の塗布形成方法は、回転塗布法においては、例えば図１の「従来方法」プロセスに示すように、ホトレジストパターンを有する基板上に被覆材料（樹脂）を滴下した後、該基板を回転開始から短時間で所定の高回転数まで上げ、次いでその高回転数を維持して被覆材料の塗布を行う方法が一般的である。しかしながらこの場合、特にホトレジストパターンが厚膜の場合などにおいては、被覆材料の均一塗布が難しく、ホトレジストパターンを完全に被覆材料で覆うことができないといった不具合を生じやすい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、特に水溶性被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明者らは、これまであまり検討されてこなかった被覆材料（樹脂）の塗布形成方法の改良について着目し、被覆材料を被塗布体上に回転塗布する際、被塗布体の回転を適切にコントロールすることによって、上記従来の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
すなわち本発明は、ホトレジストパターンを有する基板上に、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、被塗布体を所定の高回転数まで回転数を上げる工程（第１工程）、該所定の高回転数を維持する工程（第２工程）、該所定の高回転数から所定の低回転数まで回転数を下げる工程（第３工程）、および該所定の低回転数を維持する工程（第４工程）を含む回転塗布方法により水溶性樹脂被覆形成剤を被覆した後、熱処理を行うことにより該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法に関する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
【００１９】
本発明の微細パターンの形成方法は、図１の「本発明方法」プロセスに示すように、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、被塗布体を所定の高回転数まで回転数を上げる工程（第１工程）、該所定の高回転数を維持する工程（第２工程）、該所定の高回転数から所定の低回転数まで回転数を下げる工程（第３工程）、および該所定の低回転数を維持する工程（第４工程）を含む。
【００２０】
上記第１工程では、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、回転開始から通常、１〜２秒間かけて目的とする所定の高回転数まで上げるのが好ましい。この時間が短すぎると塗布性が悪くなり、一方、長すぎると被塗布体上に塗布液（水溶性樹脂被覆形成剤）が均一に広がらないという問題が生ずる。
【００２１】
回転数の上げ方は、所定の高回転数まで一気に高めてもいいが、好ましくは、いったん中間程度の回転数レベルまで上げて被塗布体上で塗布液を一度拡散させ、その後に所定の高回転数まで上げるのが好ましい。この中回転数レベルでの回転は回転開始から０．５〜１秒間程度の間行うのが好ましい。
【００２２】
続く第２工程では、上記所定の高回転数を短時間維持する。この所定の高回転数は、具体的には１０００〜４０００ｒｐｍが好ましく、特には１５００〜３０００ｒｐｍである。回転数が低すぎると塗布液が被塗布体上に均一に広がらないという問題が生じ、一方、回転数が高すぎると、被覆が厚膜の場合、その厚膜を維持することが難しくなる。
【００２３】
該第２工程においては、塗布液を被塗布体全面に広げることが必要であるが、０．３〜２秒間程度以内の短時間でこの高回転数維持工程を完了するのが好ましい。第２工程の時間が長すぎると、被覆が厚膜の場合、その厚膜の維持が困難であり、一方、短すぎると塗布液が被塗布体上に均一に広がり難いという問題が生ずる。
【００２４】
続く第３工程では、上記所定の高回転数から、所定の低回転数まで回転数を下げるが、通常、０．５〜２秒間程度で目的の低回転数まで下げるのが好ましい。これよりも長い時間をかけて回転数を下げることは、歩留まりの低下や、膜厚維持が困難であるなどの点からも好ましくない。
【００２５】
続く第４工程では、該所定の低回転数を維持するが、この低回転数は５００〜１５００ｒｐｍが好ましく、特には７００〜１２００ｒｐｍであるが、上記高回転数よりも低い回転数となる限りにおいて、上記好適回転数範囲内において適宜、決定するのがよい。第４工程の回転数が高すぎると膜厚維持が困難であり、一方、回転数が低すぎると膜厚の面内均一性が劣化する、あるいは歩留まりの低下などの点で好ましくない。
【００２６】
この所定の低回転数を維持する時間は、従来方法に比べてやや長くするのが好ましく、通常、３０秒間以上とするのが好ましい。これよりも短い時間では乾燥不完全によりエッジリンスができないなどの問題が生じ、一方、長すぎれば歩留まりの低下や、面内均一性の悪化などの問題が生じやすい。
【００２７】
被塗布体としては、ホトリソグラフィー分野において適用され得るものであれば特に限定されるものでなく、例えば基板上に設けられた層間膜等の絶縁膜やホトレジストパターンなどが例示される。本発明では特に、ホトレジストパターンを有する基板への塗布に有用であるが、これに限定されるものでないことはもちろんである。
【００２８】
本発明方法で用いられる水溶性樹脂被覆形成剤としては、室温で水に溶解し得るポリマーを含有するものが好ましく、該水溶性ポリマーとしては、アクリル系重合体、ビニル系重合体、セルロース系誘導体、アルキレングリコール系重合体、尿素系重合体、メラミン系重合体、エポキシ系重合体、アミド系重合体などが好ましく用いられる。
【００２９】
アクリル系重合体としては、例えば、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００３０】
ビニル系重合体としては、例えば、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルイミダゾリジノン、酢酸ビニル等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００３１】
セルロース系誘導体としては、例えばヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。
【００３２】
アルキレングリコール系重合体としては、例えば、エチレングリコール、プロピレンググリコール等の付加重合体または付加共重合体などが挙げられる。
【００３３】
尿素系重合体としては、例えば、メチロール化尿素、ジメチロール化尿素、エチレン尿素等を構成成分とするものが挙げられる。
【００３４】
メラミン系重合体としては、例えば、メトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、メトキシエチル化メラミン等を構成成分とするものが挙げられる。
【００３５】
さらに、エポキシ系重合体、ナイロン系重合体などの中で水溶性のものも用いることができる。
【００３６】
中でも、アルキレングリコール系重合体、セルロース系重合体、ビニル系重合体、アクリル系重合体の中から選ばれる少なくとも１種を含む構成とするのが好ましく、特には、ｐＨ調整が容易であるという点からアクリル系重合体が最も好ましい。さらには、アクリル系重合体と、アクリル系重合体以外の水溶性ポリマーとの共重合体とすることが、加熱処理時にホトレジストパターンの形状を維持しつつ、ホトレジストパターン間隔の収縮効率を高くすることができるという点から好ましい。水溶性ポリマーは１種または２種以上を用いることができる。
【００３７】
水溶性ポリマーは、共重合体として用いた場合、構成成分の配合比は特に限定されるものでないが、特に経時安定性を重視するなら、アクリル系重合体の配合比を、それ以外の他の構成重合体よりも多くすることが好ましい。なお、経時安定性の向上は、アクリル系重合体を上記のように過多に配合する以外に、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の酸性化合物を添加することにより解決することも可能である。
【００３８】
界面活性剤も好ましく含有される。該界面活性剤としては、特に限定されるものでないが、上記水溶性ポリマーに添加した際、溶解性が高く、懸濁を発生せず、ポリマー成分に対する相溶性がある、等の特性が必要である。このような特性を満たす界面活性剤を用いることにより、従来問題となっていた、特に被覆用材料を塗布する際の気泡（マイクロフォーム）発生と関係があるとされる、ディフェクトの発生をより効果的に防止することができる。
【００３９】
上記の点から、本発明では、界面活性剤としてはＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
【００４０】
Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤としては、下記一般式（Ｉ）
【００４１】
【００４２】
（式中、Ｒ１は炭素原子数６以上のアルキル基を示す）
で表されるものが好ましい。
【００４３】
かかるＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤として、具体的には、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−へプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。中でもＮ−オクチル−２−ピロリドン（「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ ＬＰ１００」；ＩＳＰ社製）が好ましく用いられる。
【００４４】
第４級アンモニウム系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩ）
【００４５】
【００４６】
〔式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立にアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示し（ただし、そのうちの少なくとも１つは炭素原子数６以上のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示す）；Ｘ−は水酸化物イオンまたはハロゲンイオンを示す〕
で表されるものが好ましい。
【００４７】
かかる第４級アンモニウム系界面活性剤として、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、トリデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、へプタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく用いられる。
【００４８】
ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩＩ）
【００４９】
【００５０】
（式中、Ｒ６は炭素原子数１〜１０のアルキル基またはアルキルアリル基を示し；Ｒ７は水素原子または（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｒ６（ここでＲ６は上記で定義したとおり）を示し；ｎは１〜２０の整数を示す）
で示されるものが好ましい。
【００５１】
かかるポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、具体的には「プライサーフＡ２１２Ｅ」、「プライサーフＡ２１０Ｇ」（以上、いずれも第一工業製薬（株）製）等として市販されているものを好適に用いることができる。
【００５２】
これら界面活性剤の中でも、特にディフェクト低減の点からは、ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤が好ましく用いられる。
【００５３】
界面活性剤の配合量は、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜１０質量％程度とするのが好ましく、特には０．２〜２質量％程度である。上記配合量範囲を外れた場合、塗布性の悪化に起因する、面内均一性の低下に伴うパターンの収縮率のバラツキ、あるいはマイクロフォームと呼ばれる塗布時に発生する気泡に因果関係が深いと考えられるディフェクトの発生といった問題が生じるおそれがある。
【００５４】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤には、不純物発生防止、ｐＨ調整等の点から、所望により、さらに水溶性アミンを配合してもよい。
【００５５】
かかる水溶性アミンとしては、２５℃の水溶液におけるｐＫａ（酸解離定数）が７．５〜１３のアミン類が挙げられる。具体的には、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等が挙げられる。中でも、沸点１４０℃以上（７６０ｍｍＨｇ）のものが好ましく、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が好ましく用いられる。
【００５６】
水溶性アミンを配合する場合、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には２〜１５質量％程度である。０．１質量％未満では経時による液の劣化が生じるおそれがあり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンの形状悪化を生じるおそれがある。
【００５７】
また本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤には、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクトの発生抑制などの点から、所望により、さらに非アミン系水溶性有機溶媒を配合してもよい。
【００５８】
かかる非アミン系水溶性有機溶媒としては、水と混和性のある非アミン系有機溶媒であればよく、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。中でも、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクト発生抑制の点から多価アルコール類およびその誘導体が好ましく、特にはグリセリンが好ましく用いられる。非アミン系水溶性有機溶媒は１種または２種以上を用いることができる。
【００５９】
非アミン系水溶性有機溶媒を配合する場合、水溶性ポリマーに対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には０．５〜１５質量％程度である。上記配合量が０．１質量％未満ではディフェクト低減効果が低くなりがちであり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンとの間でミキシング層を形成しがちとなり、好ましくない。
【００６０】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、３〜５０質量％濃度の水溶液として用いるのが好ましく、５〜２０質量％濃度の水溶液として用いるのが特に好ましい。濃度が３質量％未満では基板への被覆不良となるおそれがあり、一方、５０質量％超では、濃度を高めたことに見合う効果の向上が認められず、取扱い性の点からも好ましくない。
【００６１】
なお、本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、上記したように溶媒として水を用いた水溶液として通常用いられるが、水とアルコール系溶媒との混合溶媒を用いることもできる。アルコール系溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等の１価アルコール等が挙げられる。これらのアルコール系溶媒は、水に対して３０質量％程度を上限として混合して用いられる。
【００６２】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、ホトレジスト材料のもつ解像度の限界を超えるほどに解像性を向上させる効果を奏し、また基板面内におけるパターンのバラツキを是正して面内均一性を得ることができ、さらに、露光光の基板からの反射光等に起因するパターン形状の乱れ（ラフネス）を是正してプロフィルの良好なパターンを形成することができる。さらに、ディフェクト発生を抑制することができる効果を奏する。
【００６３】
本発明に係る微細パターン形成方法は、ホトレジストパターンを有する基板上に、上記した本発明に係る水溶性樹脂被覆の形成方法によってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む。
【００６４】
ホトレジストパターンを有する基板の作製は、特に限定されるものでなく、半導体デバイス、液晶表示素子、磁気ヘッドあるいはマイクロレンズなどの製造において用いられる常法により行うことができる。例えば、シリコンウェーハ等の基板上に、化学増幅型等のホトレジスト用組成物を、スピンナーなどで塗布、乾燥してホトレジスト層を形成した後、縮小投影露光装置などにより、紫外線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光などの活性光線を、所望のマスクパターンを介して照射するか、あるいは電子線により描画した後、加熱し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液等のアルカリ性水溶液などを用いて現像処理することによって、基板上にホトレジストパターンを形成することができる。
【００６５】
なお、ホトレジストパターンの材料となるホトレジスト用組成物としては、特に限定されるものではなく、ｉ、ｇ線用ホトレジスト組成物、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザー用ホトレジスト組成物、さらにはＥＢ（電子線）用ホトレジスト組成物等、広く一般的に用いられるホトレジスト組成物を用いることができる。
【００６６】
次いで、このようなホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を塗布し被覆する。なお、被覆形成剤を塗布した後に、８０〜１００℃の温度で３０〜９０秒間、基板にプリベークを施してもよい。
【００６７】
被覆方法は、上記した４工程を含む本発明に係る水溶性樹脂被覆の形成方法による。具体的な態様としては、例えばスピンナー等により、上記パターン微細化用被覆形成剤の水溶液を基板上に滴下しながらあるいは滴下した後、基板の回転数をいったん８００ｒｐｍ程度に上げ、続いて２０００ｒｐｍ程度の高回転数に上げた後、これを８００ｒｐｍ程度の低回転数まで下げ、該低回転数を３０秒間以上、例えば６０秒間程度、維持する。これにより、ホトレジストパターンが厚膜の場合であっても、均一に、厚膜パターン上を完全に被覆し得るような被覆を行うことができる。
【００６８】
次いで熱処理を行って、被覆形成剤からなる塗膜を熱収縮させる。これにより、該塗膜に接するホトレジストパターンが幅広となり、ホトレジストパターン間の間隔が狭められる。このホトレジストパターン間の間隔は、すなわち、最終的に得られるパターンの径や幅を規定することから、これによりホールパターンの径やトレンチパターンの幅を狭小化させることができ、パターンの微小化を行うことができる。
【００６９】
加熱温度は、被覆形成剤からなる塗膜の熱収縮を起こし得る温度であって、パターンの微細化を行うに十分な温度であれば、特に限定されるものでないが、ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で加熱するのが好ましい。ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度とは、被覆形成剤からなる塗膜の形成がされてなく、ホトレジストパターンだけを形成した基板を加熱した場合、該ホトレジストパターン自体に形状変化（例えば、断面形状変化）を生じさせない温度をいう。このような温度での加熱処理により、プロフィルの良好な微細パターンの形成をより一層効果的に行うことができ、また特にウェーハ面内におけるデューティ（Ｄｕｔｙ）比、すなわちウェーハ面内におけるパターン間隔に対する依存性を小さくすることができる等の点において極めて効果的である。
【００７０】
現在のホトリソグラフィー技術において用いられる種々のホトレジスト組成物の熱流動を起させない温度を考慮すると、上記加熱処理は通常、８０〜１６０℃程度の温度で、３０〜９０秒間程度行われる。
【００７１】
また、被覆形成剤からなる塗膜の厚さとしては、ホトレジストパターンの高さと同程度あるいはそれを覆う程度の高さが好ましく、通常、０．１〜０．５μｍ程度が適当である。
【００７２】
この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する。本発明に係る被覆形成剤は、水での洗浄除去が容易で、かつ、基板およびホトレジストパターンから完全に除去することができる。
【００７３】
そして基板上に、幅広となったホトレジストパターンの間に画定された、微小化されたパターンを有する基板が得られる。
【００７４】
本発明により、例えばトレンチパターンの場合、２２０ｎｍから１６０ｎｍ程度に、またホールパターンの場合、１８０ｎｍから１６０ｎｍ程度にパターンの間隔を狭めることができる。
【００７５】
本発明により得られる微細パターンは、これまでの方法によって得られる解像限界よりもより微細なパターンサイズを有するとともに、良好なプロフィルを有し、所要の要求特性を十分に満足し得る物性を備えたものである。
【００７６】
本発明が適用される技術分野としては、半導体分野に限られず、広く液晶表示素子、磁気ヘッド製造、さらにはマイクロレンズ製造等に用いることが可能である。
【００７７】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、配合量は特記しない限り質量％である。
【００７８】
（実施例１）
コポリマー（アクリル酸：ビニルピロリドン＝２：１（質量比））６．４ｇ、トリエタノールアミン０．６ｇを水９３ｇに溶解し、固形分濃度７質量％の水溶性樹脂被覆形成剤を調製した。
【００７９】
一方、基板上にポジ型ホトレジストである「ＥＰ−ＴＦ００４」（東京応化工業（株）製）を回転塗布し、１５０℃で３００秒間ベーク処理し、膜厚０．２μｍのホトレジスト層を形成した。
【００８０】
該ホトレジスト層に対して、描画装置ＨＬ−８００Ｄ（（株）日立製作所製）を用いて描画処理し、１４０℃にて３００秒間加熱処理を施し、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液を用いて現像処理してホトレジストパターンを形成した。このホトレジストパターンの形成により、パターン幅２５１．８ｎｍ（すなわち、ホトレジストパターンがなす間隔が２５１．８ｎｍ）のトレンチパターンを形成した。
【００８１】
次に、このトレンチパターン上に、上記水溶性樹脂被覆形成剤５ｇを基板静止状態で滴下し、続いて基板の回転数を０．５秒間で８００ｒｐｍに上げ、８００ｒｐｍを０．５秒間維持し、その後０．５秒間で２０００ｒｐｍまで回転数を上げ、２０００ｒｐｍを０．５秒間維持し、さらに１秒間かけて８００ｒｐｍまで回転数を下げ、その回転数を６０秒間維持し、水溶性樹脂被覆を形成した。
【００８２】
その結果、ホトレジストパターンを有する基板は、図２（ａ）に示すように、完全に、かつ均一に水溶性樹脂被覆で覆うことができた。なお図２（ａ）中、符号１は基板、符号２はホトレジストパターン、符号３は水溶性樹脂被覆を示す。
【００８３】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、水溶性樹脂被膜の熱収縮作用を利用してホトレジストパターンがなす間隔を狭小せしめて、パターンの微細化を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２３７．２ｎｍであった。
【００８４】
さらに１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２０２．１ｎｍであった。
【００８５】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は１８１．０ｎｍであった。
【００８６】
このとき得られたトレンチパターンは、断面形状が垂直な矩形のパターンで良好なプロフィルであった。
【００８７】
（比較例１）
ホトリソグラフィー処理により基板上にパターン幅２５８．９ｎｍ（すなわちホトレジストパターンがなす間隔が２５８．９ｎｍ）のトレンチパターンを形成した。
【００８８】
上記実施例１で用いたものと同じ被覆形成剤を、該トレンチパターン上に塗布するにあたり、通常の塗布方法、すなわち基板上に、水溶性樹脂被覆形成剤５ｇを基板静止状態で滴下し、続いて基板の回転数を０．５秒間で８００ｒｐｍに上げ、８００ｒｐｍを１．５秒間維持し、その後３秒間で２０００ｒｐｍまで回転数を上げ、２０００ｒｐｍを２７秒間維持し水溶性樹脂被覆を形成した。
【００８９】
その結果、ホトレジストパターンを有する基板は、図２（ｂ）に示すように、水溶性樹脂被覆で完全に覆うことはできなかった。
【００９０】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、水溶性樹脂被膜の熱収縮作用を利用してホトレジストパターンがなす間隔を狭小せしめて、パターンの微細化を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２３７．５ｎｍであった。
【００９１】
さらに１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２２９．６ｎｍであった。
【００９２】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２１５．１ｎｍであった。
【００９３】
このとき得られたトレンチパターンは、断面形状が弓状に湾曲し、デバイスの製造に支障をきたす形状であった。さらに、得られたパターン寸法は上記実施例１で得られたパターン寸法の約１．２倍の大きさであった。
【００９４】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、特に水溶性被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる水溶性樹脂被覆の形成方法およびこれを用いた微細パターンの形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の水溶性樹脂被覆形成方法と、本発明に係る水溶性樹脂被覆形成方法の一態様を比較対照した図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１において得られた水溶性樹脂被覆の様子を模式的に示した図であり、図２（ｂ）は比較例１において得られた水溶性樹脂被覆の様子を模式的に示した図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ ホトレジストパターン
３ 水溶性樹脂被覆
【発明の属する技術分野】
本発明はホトリソグラフィ技術分野における微細パターンの形成方法に関する。さらに詳しくは、近年の半導体デバイスの集積化、微小化に対応し得る微細パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の電子部品の製造においては、基板にエッチングなどの処理を施すに際し、活性放射線に感応するいわゆる感放射線ホトレジストを用いて基板上に被膜（ホトレジスト層）を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行って、ホトレジスト層を選択的に溶解除去して基板上に画像パターン（ホトレジストパターン）を形成し、これを保護層（マスクパターン）として基板にホールパターン、トレンチパターン等のコンタクト用パターンなどの各種パターンを形成するホトリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの集積化、微小化の傾向が高まり、これらパターンの形成についても微細化が進み、現在パターン幅０．２０μｍ以下の超微細加工が要求されており、マスクパターン形成に用いられる活性光線も、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザー光や、電子線などの短波長の照射光が利用され、マスクパターン形成材料としてのホトレジスト材料についても、これらの照射光に対応した物性をもつものの研究・開発が行われている。
【０００４】
このようなホトレジスト材料の面からの超微細化対応策に加え、パターン形成方法の面からも、ホトレジスト材料のもつ解像度の限界を超える技術の研究・開発が行われている。
【０００５】
例えば、特開平５−１６６７１７号公報では、基板上に塗布したパターン形成用レジストに抜きパターンを形成した後、該パターン形成用レジストとミキシングするミキシング生成用レジストを基板全面に塗布した後、ベークして、ミキシング層をパターン形成用レジスト側壁〜表面に形成し、前記ミキシング生成用レジストの非ミキシング部分を除去して、上記ミキシング層寸法分の微細化を図った抜きパターン形成方法が開示されている。また特開平５−２４１３４８号公報では、酸発生剤を含有するレジストパターンを形成した基板上に、酸の存在下で不溶化する樹脂を被着した後、熱処理し、前記樹脂にレジストから酸を拡散させて樹脂とレジストパターン界面付近に一定厚さのレジストを形成した後、現像して、酸の拡散がされていない樹脂部分を除去することにより、上記一定の厚さ寸法分の微細化を図ったパターン形成方法が開示されている。
【０００６】
しかしながらこれらの方法は、レジストパターン側壁に形成される層の厚さのコントロールが難しく、ウェーハ面内の熱依存性が十数ｎｍ／℃程度と大きく、現在の半導体デバイスの製造で用いられる加熱装置ではウェーハ面内を均一に保つことが非常に困難であり、パターン寸法のバラツキの発生を抑制することができないという問題がある。
【０００７】
一方、レジストパターンを熱処理等で流動化させパターン寸法を微細化する方法も知られている。例えば特開平１−３０７２２８号公報では、基板上にレジストパターンを形成した後、熱処理を行い、レジストパターンの断面形状を矩形から半円状へと変形させ底辺長を増大させることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。また特開平４−３６４０２１号公報では、レジストパターンを形成した後、その軟化温度の前後に加熱し、レジストの流動化によりそのパターン寸法を変化させて微細なパターンを形成する方法が開示されている。
【０００８】
これらの方法は、ウェーハ面内の熱依存性は数ｎｍ／℃程度であり、この点での問題点は少ないものの、熱処理によるレジストの変形・流動のコントロールが困難なため、ウェーハ面内で均一なレジストパターンを設けることが難しいという問題がある。
【０００９】
上記方法をさらに発展させた方法として、例えば特開平７−４５５１０号公報では、基板上にレジストパターンを形成した後、該基板上に前記レジストパターンの流動しすぎを防止するためのストッパとしての樹脂を形成し、次いで熱処理し、レジストを流動化させてパターン寸法を変化させた後、樹脂を除去して微細なパターンを形成する方法が開示されている。そして上記樹脂として、具体的にはポリビニルアルコールを用いているが、ポリビニルアルコールは、水に対する溶解性が不十分なため水洗で完全に除去することが難しく、そのため良好なプロフィルのパターンの形成が難しく、また経時安定性の面でも必ずしも満足し得るものとはいえない。
【００１０】
さらに現在、ホトレジストパターンを有する基板上に被覆材料を塗布する際、気泡（マイクロフォーム）発生という問題があり、これが最終的にはディフェクトと呼ばれるパターン欠陥の発生に関係しているといわれることから、このような問題点も併せて解決し得る技術が要求されている。
【００１１】
この点に関し、被覆材料（樹脂）の形成方法についての改良はこれまであまり検討されておらず、上記先行技術においても被覆材料（樹脂溶液）の形成方法についての言及はなされていない。
【００１２】
しかしながらパターンのますますの微細化が要求される現況にあっては、ホトレジストパターン上に被覆する被覆材料の塗布性の向上が要求されている。特に磁気ヘッド等の厚膜のホトレジスト層を形成する必要がある分野においては、該被覆材料を厚膜のホトレジストパターン上に完全に被覆し得る技術が必要とされる。完全に被覆し得ない場合には、ホトレジストパターンの面内均一性悪化、形状悪化、あるいは微細化の効率低下（すなわち熱の保持性能の低下）等の問題が生じる。
【００１３】
これに関し、従来の被覆材料の塗布形成方法は、回転塗布法においては、例えば図１の「従来方法」プロセスに示すように、ホトレジストパターンを有する基板上に被覆材料（樹脂）を滴下した後、該基板を回転開始から短時間で所定の高回転数まで上げ、次いでその高回転数を維持して被覆材料の塗布を行う方法が一般的である。しかしながらこの場合、特にホトレジストパターンが厚膜の場合などにおいては、被覆材料の均一塗布が難しく、ホトレジストパターンを完全に被覆材料で覆うことができないといった不具合を生じやすい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、特に水溶性被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明者らは、これまであまり検討されてこなかった被覆材料（樹脂）の塗布形成方法の改良について着目し、被覆材料を被塗布体上に回転塗布する際、被塗布体の回転を適切にコントロールすることによって、上記従来の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
すなわち本発明は、ホトレジストパターンを有する基板上に、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、被塗布体を所定の高回転数まで回転数を上げる工程（第１工程）、該所定の高回転数を維持する工程（第２工程）、該所定の高回転数から所定の低回転数まで回転数を下げる工程（第３工程）、および該所定の低回転数を維持する工程（第４工程）を含む回転塗布方法により水溶性樹脂被覆形成剤を被覆した後、熱処理を行うことにより該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法に関する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
【００１９】
本発明の微細パターンの形成方法は、図１の「本発明方法」プロセスに示すように、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、被塗布体を所定の高回転数まで回転数を上げる工程（第１工程）、該所定の高回転数を維持する工程（第２工程）、該所定の高回転数から所定の低回転数まで回転数を下げる工程（第３工程）、および該所定の低回転数を維持する工程（第４工程）を含む。
【００２０】
上記第１工程では、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、回転開始から通常、１〜２秒間かけて目的とする所定の高回転数まで上げるのが好ましい。この時間が短すぎると塗布性が悪くなり、一方、長すぎると被塗布体上に塗布液（水溶性樹脂被覆形成剤）が均一に広がらないという問題が生ずる。
【００２１】
回転数の上げ方は、所定の高回転数まで一気に高めてもいいが、好ましくは、いったん中間程度の回転数レベルまで上げて被塗布体上で塗布液を一度拡散させ、その後に所定の高回転数まで上げるのが好ましい。この中回転数レベルでの回転は回転開始から０．５〜１秒間程度の間行うのが好ましい。
【００２２】
続く第２工程では、上記所定の高回転数を短時間維持する。この所定の高回転数は、具体的には１０００〜４０００ｒｐｍが好ましく、特には１５００〜３０００ｒｐｍである。回転数が低すぎると塗布液が被塗布体上に均一に広がらないという問題が生じ、一方、回転数が高すぎると、被覆が厚膜の場合、その厚膜を維持することが難しくなる。
【００２３】
該第２工程においては、塗布液を被塗布体全面に広げることが必要であるが、０．３〜２秒間程度以内の短時間でこの高回転数維持工程を完了するのが好ましい。第２工程の時間が長すぎると、被覆が厚膜の場合、その厚膜の維持が困難であり、一方、短すぎると塗布液が被塗布体上に均一に広がり難いという問題が生ずる。
【００２４】
続く第３工程では、上記所定の高回転数から、所定の低回転数まで回転数を下げるが、通常、０．５〜２秒間程度で目的の低回転数まで下げるのが好ましい。これよりも長い時間をかけて回転数を下げることは、歩留まりの低下や、膜厚維持が困難であるなどの点からも好ましくない。
【００２５】
続く第４工程では、該所定の低回転数を維持するが、この低回転数は５００〜１５００ｒｐｍが好ましく、特には７００〜１２００ｒｐｍであるが、上記高回転数よりも低い回転数となる限りにおいて、上記好適回転数範囲内において適宜、決定するのがよい。第４工程の回転数が高すぎると膜厚維持が困難であり、一方、回転数が低すぎると膜厚の面内均一性が劣化する、あるいは歩留まりの低下などの点で好ましくない。
【００２６】
この所定の低回転数を維持する時間は、従来方法に比べてやや長くするのが好ましく、通常、３０秒間以上とするのが好ましい。これよりも短い時間では乾燥不完全によりエッジリンスができないなどの問題が生じ、一方、長すぎれば歩留まりの低下や、面内均一性の悪化などの問題が生じやすい。
【００２７】
被塗布体としては、ホトリソグラフィー分野において適用され得るものであれば特に限定されるものでなく、例えば基板上に設けられた層間膜等の絶縁膜やホトレジストパターンなどが例示される。本発明では特に、ホトレジストパターンを有する基板への塗布に有用であるが、これに限定されるものでないことはもちろんである。
【００２８】
本発明方法で用いられる水溶性樹脂被覆形成剤としては、室温で水に溶解し得るポリマーを含有するものが好ましく、該水溶性ポリマーとしては、アクリル系重合体、ビニル系重合体、セルロース系誘導体、アルキレングリコール系重合体、尿素系重合体、メラミン系重合体、エポキシ系重合体、アミド系重合体などが好ましく用いられる。
【００２９】
アクリル系重合体としては、例えば、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００３０】
ビニル系重合体としては、例えば、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルイミダゾリジノン、酢酸ビニル等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００３１】
セルロース系誘導体としては、例えばヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。
【００３２】
アルキレングリコール系重合体としては、例えば、エチレングリコール、プロピレンググリコール等の付加重合体または付加共重合体などが挙げられる。
【００３３】
尿素系重合体としては、例えば、メチロール化尿素、ジメチロール化尿素、エチレン尿素等を構成成分とするものが挙げられる。
【００３４】
メラミン系重合体としては、例えば、メトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、メトキシエチル化メラミン等を構成成分とするものが挙げられる。
【００３５】
さらに、エポキシ系重合体、ナイロン系重合体などの中で水溶性のものも用いることができる。
【００３６】
中でも、アルキレングリコール系重合体、セルロース系重合体、ビニル系重合体、アクリル系重合体の中から選ばれる少なくとも１種を含む構成とするのが好ましく、特には、ｐＨ調整が容易であるという点からアクリル系重合体が最も好ましい。さらには、アクリル系重合体と、アクリル系重合体以外の水溶性ポリマーとの共重合体とすることが、加熱処理時にホトレジストパターンの形状を維持しつつ、ホトレジストパターン間隔の収縮効率を高くすることができるという点から好ましい。水溶性ポリマーは１種または２種以上を用いることができる。
【００３７】
水溶性ポリマーは、共重合体として用いた場合、構成成分の配合比は特に限定されるものでないが、特に経時安定性を重視するなら、アクリル系重合体の配合比を、それ以外の他の構成重合体よりも多くすることが好ましい。なお、経時安定性の向上は、アクリル系重合体を上記のように過多に配合する以外に、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の酸性化合物を添加することにより解決することも可能である。
【００３８】
界面活性剤も好ましく含有される。該界面活性剤としては、特に限定されるものでないが、上記水溶性ポリマーに添加した際、溶解性が高く、懸濁を発生せず、ポリマー成分に対する相溶性がある、等の特性が必要である。このような特性を満たす界面活性剤を用いることにより、従来問題となっていた、特に被覆用材料を塗布する際の気泡（マイクロフォーム）発生と関係があるとされる、ディフェクトの発生をより効果的に防止することができる。
【００３９】
上記の点から、本発明では、界面活性剤としてはＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
【００４０】
Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤としては、下記一般式（Ｉ）
【００４１】
（式中、Ｒ１は炭素原子数６以上のアルキル基を示す）
で表されるものが好ましい。
【００４３】
かかるＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤として、具体的には、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−へプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。中でもＮ−オクチル−２−ピロリドン（「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ ＬＰ１００」；ＩＳＰ社製）が好ましく用いられる。
【００４４】
第４級アンモニウム系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩ）
【００４５】
〔式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立にアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示し（ただし、そのうちの少なくとも１つは炭素原子数６以上のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示す）；Ｘ−は水酸化物イオンまたはハロゲンイオンを示す〕
で表されるものが好ましい。
【００４７】
かかる第４級アンモニウム系界面活性剤として、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、トリデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、へプタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく用いられる。
【００４８】
ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩＩ）
【００４９】
（式中、Ｒ６は炭素原子数１〜１０のアルキル基またはアルキルアリル基を示し；Ｒ７は水素原子または（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｒ６（ここでＲ６は上記で定義したとおり）を示し；ｎは１〜２０の整数を示す）
で示されるものが好ましい。
【００５１】
かかるポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、具体的には「プライサーフＡ２１２Ｅ」、「プライサーフＡ２１０Ｇ」（以上、いずれも第一工業製薬（株）製）等として市販されているものを好適に用いることができる。
【００５２】
これら界面活性剤の中でも、特にディフェクト低減の点からは、ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤が好ましく用いられる。
【００５３】
界面活性剤の配合量は、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜１０質量％程度とするのが好ましく、特には０．２〜２質量％程度である。上記配合量範囲を外れた場合、塗布性の悪化に起因する、面内均一性の低下に伴うパターンの収縮率のバラツキ、あるいはマイクロフォームと呼ばれる塗布時に発生する気泡に因果関係が深いと考えられるディフェクトの発生といった問題が生じるおそれがある。
【００５４】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤には、不純物発生防止、ｐＨ調整等の点から、所望により、さらに水溶性アミンを配合してもよい。
【００５５】
かかる水溶性アミンとしては、２５℃の水溶液におけるｐＫａ（酸解離定数）が７．５〜１３のアミン類が挙げられる。具体的には、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等が挙げられる。中でも、沸点１４０℃以上（７６０ｍｍＨｇ）のものが好ましく、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が好ましく用いられる。
【００５６】
水溶性アミンを配合する場合、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には２〜１５質量％程度である。０．１質量％未満では経時による液の劣化が生じるおそれがあり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンの形状悪化を生じるおそれがある。
【００５７】
また本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤には、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクトの発生抑制などの点から、所望により、さらに非アミン系水溶性有機溶媒を配合してもよい。
【００５８】
かかる非アミン系水溶性有機溶媒としては、水と混和性のある非アミン系有機溶媒であればよく、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。中でも、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクト発生抑制の点から多価アルコール類およびその誘導体が好ましく、特にはグリセリンが好ましく用いられる。非アミン系水溶性有機溶媒は１種または２種以上を用いることができる。
【００５９】
非アミン系水溶性有機溶媒を配合する場合、水溶性ポリマーに対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には０．５〜１５質量％程度である。上記配合量が０．１質量％未満ではディフェクト低減効果が低くなりがちであり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンとの間でミキシング層を形成しがちとなり、好ましくない。
【００６０】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、３〜５０質量％濃度の水溶液として用いるのが好ましく、５〜２０質量％濃度の水溶液として用いるのが特に好ましい。濃度が３質量％未満では基板への被覆不良となるおそれがあり、一方、５０質量％超では、濃度を高めたことに見合う効果の向上が認められず、取扱い性の点からも好ましくない。
【００６１】
なお、本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、上記したように溶媒として水を用いた水溶液として通常用いられるが、水とアルコール系溶媒との混合溶媒を用いることもできる。アルコール系溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等の１価アルコール等が挙げられる。これらのアルコール系溶媒は、水に対して３０質量％程度を上限として混合して用いられる。
【００６２】
本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、ホトレジスト材料のもつ解像度の限界を超えるほどに解像性を向上させる効果を奏し、また基板面内におけるパターンのバラツキを是正して面内均一性を得ることができ、さらに、露光光の基板からの反射光等に起因するパターン形状の乱れ（ラフネス）を是正してプロフィルの良好なパターンを形成することができる。さらに、ディフェクト発生を抑制することができる効果を奏する。
【００６３】
本発明に係る微細パターン形成方法は、ホトレジストパターンを有する基板上に、上記した本発明に係る水溶性樹脂被覆の形成方法によってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む。
【００６４】
ホトレジストパターンを有する基板の作製は、特に限定されるものでなく、半導体デバイス、液晶表示素子、磁気ヘッドあるいはマイクロレンズなどの製造において用いられる常法により行うことができる。例えば、シリコンウェーハ等の基板上に、化学増幅型等のホトレジスト用組成物を、スピンナーなどで塗布、乾燥してホトレジスト層を形成した後、縮小投影露光装置などにより、紫外線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光などの活性光線を、所望のマスクパターンを介して照射するか、あるいは電子線により描画した後、加熱し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液等のアルカリ性水溶液などを用いて現像処理することによって、基板上にホトレジストパターンを形成することができる。
【００６５】
なお、ホトレジストパターンの材料となるホトレジスト用組成物としては、特に限定されるものではなく、ｉ、ｇ線用ホトレジスト組成物、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザー用ホトレジスト組成物、さらにはＥＢ（電子線）用ホトレジスト組成物等、広く一般的に用いられるホトレジスト組成物を用いることができる。
【００６６】
次いで、このようなホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を塗布し被覆する。なお、被覆形成剤を塗布した後に、８０〜１００℃の温度で３０〜９０秒間、基板にプリベークを施してもよい。
【００６７】
被覆方法は、上記した４工程を含む本発明に係る水溶性樹脂被覆の形成方法による。具体的な態様としては、例えばスピンナー等により、上記パターン微細化用被覆形成剤の水溶液を基板上に滴下しながらあるいは滴下した後、基板の回転数をいったん８００ｒｐｍ程度に上げ、続いて２０００ｒｐｍ程度の高回転数に上げた後、これを８００ｒｐｍ程度の低回転数まで下げ、該低回転数を３０秒間以上、例えば６０秒間程度、維持する。これにより、ホトレジストパターンが厚膜の場合であっても、均一に、厚膜パターン上を完全に被覆し得るような被覆を行うことができる。
【００６８】
次いで熱処理を行って、被覆形成剤からなる塗膜を熱収縮させる。これにより、該塗膜に接するホトレジストパターンが幅広となり、ホトレジストパターン間の間隔が狭められる。このホトレジストパターン間の間隔は、すなわち、最終的に得られるパターンの径や幅を規定することから、これによりホールパターンの径やトレンチパターンの幅を狭小化させることができ、パターンの微小化を行うことができる。
【００６９】
加熱温度は、被覆形成剤からなる塗膜の熱収縮を起こし得る温度であって、パターンの微細化を行うに十分な温度であれば、特に限定されるものでないが、ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で加熱するのが好ましい。ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度とは、被覆形成剤からなる塗膜の形成がされてなく、ホトレジストパターンだけを形成した基板を加熱した場合、該ホトレジストパターン自体に形状変化（例えば、断面形状変化）を生じさせない温度をいう。このような温度での加熱処理により、プロフィルの良好な微細パターンの形成をより一層効果的に行うことができ、また特にウェーハ面内におけるデューティ（Ｄｕｔｙ）比、すなわちウェーハ面内におけるパターン間隔に対する依存性を小さくすることができる等の点において極めて効果的である。
【００７０】
現在のホトリソグラフィー技術において用いられる種々のホトレジスト組成物の熱流動を起させない温度を考慮すると、上記加熱処理は通常、８０〜１６０℃程度の温度で、３０〜９０秒間程度行われる。
【００７１】
また、被覆形成剤からなる塗膜の厚さとしては、ホトレジストパターンの高さと同程度あるいはそれを覆う程度の高さが好ましく、通常、０．１〜０．５μｍ程度が適当である。
【００７２】
この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する。本発明に係る被覆形成剤は、水での洗浄除去が容易で、かつ、基板およびホトレジストパターンから完全に除去することができる。
【００７３】
そして基板上に、幅広となったホトレジストパターンの間に画定された、微小化されたパターンを有する基板が得られる。
【００７４】
本発明により、例えばトレンチパターンの場合、２２０ｎｍから１６０ｎｍ程度に、またホールパターンの場合、１８０ｎｍから１６０ｎｍ程度にパターンの間隔を狭めることができる。
【００７５】
本発明により得られる微細パターンは、これまでの方法によって得られる解像限界よりもより微細なパターンサイズを有するとともに、良好なプロフィルを有し、所要の要求特性を十分に満足し得る物性を備えたものである。
【００７６】
本発明が適用される技術分野としては、半導体分野に限られず、広く液晶表示素子、磁気ヘッド製造、さらにはマイクロレンズ製造等に用いることが可能である。
【００７７】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、配合量は特記しない限り質量％である。
【００７８】
（実施例１）
コポリマー（アクリル酸：ビニルピロリドン＝２：１（質量比））６．４ｇ、トリエタノールアミン０．６ｇを水９３ｇに溶解し、固形分濃度７質量％の水溶性樹脂被覆形成剤を調製した。
【００７９】
一方、基板上にポジ型ホトレジストである「ＥＰ−ＴＦ００４」（東京応化工業（株）製）を回転塗布し、１５０℃で３００秒間ベーク処理し、膜厚０．２μｍのホトレジスト層を形成した。
【００８０】
該ホトレジスト層に対して、描画装置ＨＬ−８００Ｄ（（株）日立製作所製）を用いて描画処理し、１４０℃にて３００秒間加熱処理を施し、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液を用いて現像処理してホトレジストパターンを形成した。このホトレジストパターンの形成により、パターン幅２５１．８ｎｍ（すなわち、ホトレジストパターンがなす間隔が２５１．８ｎｍ）のトレンチパターンを形成した。
【００８１】
次に、このトレンチパターン上に、上記水溶性樹脂被覆形成剤５ｇを基板静止状態で滴下し、続いて基板の回転数を０．５秒間で８００ｒｐｍに上げ、８００ｒｐｍを０．５秒間維持し、その後０．５秒間で２０００ｒｐｍまで回転数を上げ、２０００ｒｐｍを０．５秒間維持し、さらに１秒間かけて８００ｒｐｍまで回転数を下げ、その回転数を６０秒間維持し、水溶性樹脂被覆を形成した。
【００８２】
その結果、ホトレジストパターンを有する基板は、図２（ａ）に示すように、完全に、かつ均一に水溶性樹脂被覆で覆うことができた。なお図２（ａ）中、符号１は基板、符号２はホトレジストパターン、符号３は水溶性樹脂被覆を示す。
【００８３】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、水溶性樹脂被膜の熱収縮作用を利用してホトレジストパターンがなす間隔を狭小せしめて、パターンの微細化を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２３７．２ｎｍであった。
【００８４】
さらに１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２０２．１ｎｍであった。
【００８５】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は１８１．０ｎｍであった。
【００８６】
このとき得られたトレンチパターンは、断面形状が垂直な矩形のパターンで良好なプロフィルであった。
【００８７】
（比較例１）
ホトリソグラフィー処理により基板上にパターン幅２５８．９ｎｍ（すなわちホトレジストパターンがなす間隔が２５８．９ｎｍ）のトレンチパターンを形成した。
【００８８】
上記実施例１で用いたものと同じ被覆形成剤を、該トレンチパターン上に塗布するにあたり、通常の塗布方法、すなわち基板上に、水溶性樹脂被覆形成剤５ｇを基板静止状態で滴下し、続いて基板の回転数を０．５秒間で８００ｒｐｍに上げ、８００ｒｐｍを１．５秒間維持し、その後３秒間で２０００ｒｐｍまで回転数を上げ、２０００ｒｐｍを２７秒間維持し水溶性樹脂被覆を形成した。
【００８９】
その結果、ホトレジストパターンを有する基板は、図２（ｂ）に示すように、水溶性樹脂被覆で完全に覆うことはできなかった。
【００９０】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、水溶性樹脂被膜の熱収縮作用を利用してホトレジストパターンがなす間隔を狭小せしめて、パターンの微細化を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２３７．５ｎｍであった。
【００９１】
さらに１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２２９．６ｎｍであった。
【００９２】
その後１２０℃にて９０秒間基板を加熱処理し、パターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのトレンチパターンの寸法は２１５．１ｎｍであった。
【００９３】
このとき得られたトレンチパターンは、断面形状が弓状に湾曲し、デバイスの製造に支障をきたす形状であった。さらに、得られたパターン寸法は上記実施例１で得られたパターン寸法の約１．２倍の大きさであった。
【００９４】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、特に水溶性被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる水溶性樹脂被覆の形成方法およびこれを用いた微細パターンの形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の水溶性樹脂被覆形成方法と、本発明に係る水溶性樹脂被覆形成方法の一態様を比較対照した図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１において得られた水溶性樹脂被覆の様子を模式的に示した図であり、図２（ｂ）は比較例１において得られた水溶性樹脂被覆の様子を模式的に示した図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ ホトレジストパターン
３ 水溶性樹脂被覆
Claims (9)
- ホトレジストパターンを有する基板上に、水溶性樹脂被覆形成剤を被塗布体上に滴下しながらあるいは滴下した後、被塗布体を所定の高回転数まで回転数を上げる工程（第１工程）、該所定の高回転数を維持する工程（第２工程）、該所定の高回転数から所定の低回転数まで回転数を下げる工程（第３工程）、および該所定の低回転数を維持する工程（第４工程）を含む回転塗布方法により水溶性樹脂被覆形成剤を被覆した後、熱処理を行うことにより該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。
- 所定の高回転数が１０００〜４０００ｒｐｍであり、所定の低回転数が５００〜１５００ｒｐｍである、請求項１記載の微細パターンの形成方法。
- 所定の高回転数を維持する時間が０．５〜１秒間である、請求項１または２記載の微細パターンの形成方法。
- 所定の低回転数を維持する時間が３０秒間以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
- 被塗布体がホトレジストパターンを有する基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
- ホトレジストパターンの膜厚が１μｍ以上である、請求項５記載の微細パターンの形成方法。
- 水溶性樹脂被覆形成剤が、アルキレングリコール系重合体、セルロース系誘導体、ビニル系重合体、およびアクリル系重合体から選ばれる少なくとも１種の水溶性樹脂を含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
- 水溶性樹脂被覆形成剤が、さらに水溶性アミンを含有する、請求項７記載の微細パターンの形成方法。
- 水溶性樹脂被覆形成剤が、さらに非アミン系水溶性有機溶媒を含有する、請求項７または８記載の微細パターンの形成方法。
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