JP2005142315A - GaN系半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 発光素子の層構造内にて白色光の実現が可能な素子構造とされるGaN系半導体発光素子において、その取出す白色光の発光強度などの光特性を有為に確保することを可能とするGaN系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板1の主表面上にて面内に、酸化シリコン層2を分散形成し、該酸化シリコン層2上にGaN系半導体化合物からなる発光層部4を形成するとともに、酸化シリコン層2に発光層部4からの紫外領域または青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質を分散形成する。
【選択図】 図1
Description
シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたGaN系半導体化合物からなる発光層部とを有し、
前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなることを特徴とする。
また、本発明においては、酸化シリコン層を、シリコン基板の主表面直上に形成させてなるので、該酸化シリコン層における緻密性などの品質を優れたものとできるとともに、その層厚を品質の低下を招くことなく増加させることも可能となる。その結果、酸化シリコン層における発光源物質からのフォトルミネッセンス発光を、所望の発光領域にて発光強度などの光特性に優れたものとでき、ひいては、発光層部の結晶品質を十分に確保できることも相乗して、発光素子から取出す白色光の発光強度などの光特性を有為に確保することが可能となる。
シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたGaN系半導体化合物からなる発光層部とを有するGaN系半導体発光素子の製造方法であって、
シリコン基板の主表面直上に酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、
前記酸化シリコン膜をパターンニング処理することにより、前記シリコン基板の主表面直上にて面内に酸化シリコン層を分散形成する酸化シリコン層分散形成工程と、
前記酸化シリコン膜または前記酸化シリコン層に発光源物質となるべきイオンを分散形態にてイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記酸化シリコン膜または前記酸化シリコン層に熱処理を施し、前記発光源物質を析出させる析出熱処理工程と、
前記酸化シリコン層上にGaN系半導体化合物からなる発光層部を形成する発光層部形成工程と、
を含み、前記発光源物質は、前記酸化シリコン層にて、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させるものであることを特徴とする。
図1は、本発明のGaN系半導体発光素子の一実施形態を説明するための発光素子要部の積層構造を模式的に示すものである。図1に示すように、シリコン基板1の主表面上にて面内に、酸化シリコン層2が分散形成されてなり、該酸化シリコン層2上に、バッファ層3を介して発光層部4が形成されてなる。ここで、発光層部4は、n型クラッド層5、活性層6およびp型クラッド層7から構成されるダブルへテロ構造とされる。また、酸化シリコン層2には、発光層部4からの紫外領域または青領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなる。
2 酸化シリコン層
2´ 酸化シリコン膜
4 発光層部
100 GaN系半導体発光素子
Claims (4)
- シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたGaN系半導体化合物からなる発光層部とを有し、
前記酸化シリコン層には、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させる発光源物質が分散形成されてなることを特徴とするGaN系半導体発光素子。 - 前記発光源物質は、Si、Ge、Snのうちの1種又は2種以上とされることを特徴とする請求項1記載のGaN系半導体発光素子。
- シリコン基板の主表面直上にて面内に分散形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成されたGaN系半導体化合物からなる発光層部とを有するGaN系半導体発光素子の製造方法であって、
シリコン基板の主表面直上に酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、
前記酸化シリコン膜をパターンニング処理することにより、前記シリコン基板の主表面直上にて面内に酸化シリコン層を分散形成する酸化シリコン層分散形成工程と、
前記酸化シリコン膜または前記酸化シリコン層に発光源物質となるべきイオンを分散形態にてイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記酸化シリコン膜または前記酸化シリコン層に熱処理を施し、前記発光源物質を析出させる析出熱処理工程と、
前記酸化シリコン層上にGaN系半導体化合物からなる発光層部を形成する発光層部形成工程と、
を含み、前記発光源物質は、前記酸化シリコン層にて、前記発光層部からの紫外領域もしくは青色領域の発光を励起光としたフォトルミネッセンス発光を誘起させるものであることを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光源物質は、Si、Ge、Snのうちの1種又は2種以上とされることを特徴とする請求項3に記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (3)
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JP2007109792A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Sony Corp | 半導体発光素子および波長変換基板 |
JP2007184615A (ja) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Mediana Electronic Co Ltd | 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子 |
WO2012062512A1 (de) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung |
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2003
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