JP2005142052A - 基板加熱ヒータ及びそれを備えた真空処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理条件に合わせて発熱量の分布を制御することができ、また基板温度の分布が最適になるように調整することができる基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置を提供すること。
【解決手段】
本発明による基板加熱ヒータ４０は、複数の棒状ヒータ１０と、複数の棒状ヒータ１０の各々と接続される複数の温度制御部５０、６５、６６、６７、６８、６９とを備える。各々の棒状ヒータ１０は複数の発熱部１１、１２、１３を有する。複数の温度制御部５０、６５、６６、６７、６８、６９は複数の発熱部１１、１２、１３における発熱量をそれぞれ制御する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、真空処理装置とその基板加熱ヒータ、特に発熱密度を制御可能な基板加熱ヒータに関する。

真空処理装置としてプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などが知られている。それら真空処理装置において基板が処理される際、その基板は基板加熱ヒータにより加熱される。これにより適正な基板処理条件が満たされる。

図１は、特許文献１に記載された真空処理装置と基板加熱ヒータの構造を示す概略図である。基板処理装置１１１は製膜室１１２を備え、製膜室１１２は図示しない真空ポンプによって減圧される。製膜室１１２内には、ラダー電極（放電電極）１１３などを備える製膜ユニット１１４が設置されている。この製膜ユニット１１４の両側に、ヒータカバー１１５を介して基板加熱ヒータ１１６が設置されている。ヒータカバー１１５は接地電極である。被処理体である基板Ｋは、ラダー電極１１３に対向するように配置され、ヒータカバー１１５により支持される。基板Ｋが図示されない基板搬送装置により搬入されヒータカバー１１５に設置された後、基板搬送台車は搬出され、ヒータカバー１１５は基板加熱ヒータ１１６から製膜ユニット１１４方向へ移動する。その結果、ヒータカバー１１５とラダー電極（放電電極）１１３との距離は所定の距離となる。基板Ｋを基板加熱ヒータ１１６により加熱しながら製膜処理などが行われる。

図１に示されるように、この基板加熱ヒータ１１６は、複数のヒータユニット１２１から構成されている。ヒータユニット１２１は、導入パイプ１２２が接続された集電ボックス１２３と、複数のカートリッジヒータ（棒状ヒータ）１２４を備える。導入パイプ１２２は、製膜室１１２の壁面を通して外部へ接続され、発熱エレメントへ電力を供給する配線類が製膜室１１２外部へと導出されている。この時、製膜室１１２は、真空シール（図示されない）で密閉されている。複数のカートリッジヒータ１２４は、互いに間隔をあけて略平行に設置されている。また、各々のカートリッジヒータ１２４は、管体と、その管体内に配設された発熱エレメント（発熱体）を備える。その発熱エレメントに電力が供給され、カートリッジヒータ１２４は発熱する。管体は集電ボックス１２３とともに気密に構成され、その内部は略大気圧に保たれる。

このようなカートリッジ型の基板加熱ヒータ１１６は、軽量化及び低コスト化の面で優れる。また、カートリッジヒータ１２４を長尺化させ、またカートリッジヒータ１２４の本数を増加させることによって、このような基板加熱ヒータ１１６を、被処理体である基板Ｋの大型化に対応させることは容易である。更に、発熱エレメント（コイル）の巻き密度の分布をあらかじめ設定することにより、基板加熱ヒータ１１６は発熱量に分布が生じるように構成され得る。

特開２００２−２１２７３８号公報

本発明の目的は、基板処理条件に合わせて発熱量の分布を制御することができる基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置を提供することである。

本発明の他の目的は、基板温度の分布が最適になるように調整することができる基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置を提供することである。

本発明の更に他の目的は、容易に大型化できる基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置を提供することである。

以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）は、複数の棒状ヒータ（１０）と、複数の棒状ヒータ（１０）の各々と接続される複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）とを備える。各々の棒状ヒータ（１０）は複数の発熱部（１１、１２、１３）を有する。複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）は複数の発熱部（１１、１２、１３）における発熱量をそれぞれ制御する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）は、並列に配置された複数のヒータユニット（４１）を備える。複数のヒータユニット（４１）の各々は、複数の棒状ヒータ（１０）と、複数の棒状ヒータ（１０）の各々と接続される複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）とを備える。各々の棒状ヒータ（１０）は複数の発熱部（１１、１２、１３）を有する。複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）は複数の発熱部（１１、１２、１３）における発熱量をそれぞれ制御する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、複数の発熱部（１１、１２、１３）は各々の棒状ヒータ（１０）の長手方向に沿って分布してもよい。複数の棒状ヒータ（１０）は同一面に沿って配列されてもよい。複数の棒状ヒータ（１０）は互いに略平行に配列されてもよい。複数の棒状ヒータ（１０）が配列される方向は、各々の棒状ヒータ（１０）の長手方向に略直角であると好ましい。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、各々の棒状ヒータ（１０）は、第１発熱部（１１）と、第２発熱部（１２）と、第３発熱部（１３）を複数の発熱部（１１、１２、１３）として含む。第２発熱部（１２）は、第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）の間に位置する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、複数の棒状ヒータ（１０）は、複数の第１棒状ヒータ（１０ａ）と、複数の第２棒状ヒータ（１０ｂ）を含む。複数の第１棒状ヒータ（１０ａ）の各々は、第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）を含む。複数の第２棒状ヒータ（１０ｂ）の各々は、第２発熱部（１２）を含む。第２発熱部（１２）は第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）の間の領域に対応して位置する。複数の第１棒状ヒータ（１０ａ）と複数の第２棒状ヒータ（１０ｂ）は交互に配置されてもよい。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、複数の温度制御部（６５、６６）は、第１温度制御部（６６）と、第２温度制御部（６５）とを含む。第１温度制御部（６６）は、第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）における発熱量を制御する。第２温度制御部（６５）は、第２発熱部（１２）における発熱量を制御する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、複数の温度制御部（６５、６８、６９）は、第１温度制御部（６８）と、第２温度制御部（６５）と、第３温度制御部（６９）を含む。第１温度制御部（６８）は、第１発熱部（１１）における発熱量を制御する。第２温度制御部（６５）は、第２発熱部（１２）における発熱量を制御する。第３温度制御部（６９）は、第３発熱部（１３）における発熱量を制御する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、各々の棒状ヒータ（１０）の内部に、複数の発熱部（１１、１２、１３）に対応して複数の発熱体（２１、２２、２３）が形成される。複数の発熱体（２１、２２、２３）は、複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）から導電線（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、３５）を介してそれぞれ電力が供給されることにより発熱する。

本発明による基板加熱ヒータ（４０）において、ヒータカバー（６０）は前期複数の棒状ヒータ（１０）に対向するように距離をおいて設置される。各々の棒状ヒータ（１０）の少なくとも一端は、ヒータカバー（６０）から離れる方向へ屈曲していてもよい。複数の棒状ヒータ（１０）の内部の空所は絶縁物で充填されていてもよい。

本発明による真空処理装置（１００）は、上記の基板加熱ヒータ（４０）を備える。

本発明による真空処理装置（１００）は、上記の基板加熱ヒータ（４０）と、基板加熱ヒータ（４０）に対向するように距離をおいて配置されたヒータカバー（６０）と、複数の温度センサー（６２、６３、６４）とを備える。ヒータカバー（６０）は、複数の発熱部（１１、１２、１３）にそれぞれ相対する複数の加熱部（５６、５７、５８）を含む。複数の温度センサー（６２、６３、６４）は、複数の加熱部（５６、５７、５８）における温度をそれぞれ測定する。複数の温度センサー（５６、５７、５８）の各々により測定された温度データは、複数の温度制御部（５０、６５、６６、６７、６８、６９）のいずれかに入力される。

本発明による真空処理装置（１００）は、基板加熱ヒータ（４０）と、基板加熱ヒータ（４０）に対向するように距離をおいて配置されたヒータカバー（６０）と、複数の温度センサー（６２、６３、６４）とを備える。ヒータカバー（６０）は、第１、第２、第３発熱部（１１、１２、１３）にそれぞれ相対する第１、第２、第３加熱部（５６、５７、５８）を含む。複数の温度センサー（６２、６３、６４）は、第１、第２、第３加熱部（５６、５７、５８）における温度をそれぞれ測定する第１、第２、第３温度センサー（６２、６３、６４）を含む。第１温度センサー（６２）及び第３温度センサー（６４）によりそれぞれ測定された第１温度データ及び第３温度データは、第１温度制御部（６６）に入力される。第２温度センサー（６３）により測定された第２温度データは、第２温度制御部（６５）に入力される。第１温度制御部（６６）は、第１温度データと前期第３温度データに基づいて、第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）における発熱量を制御する。第２温度制御部（６５）は、第２温度データに基づいて、第２発熱部（１２）における発熱量を制御する。第２温度制御部（６５）は、第２発熱部（１２）における発熱量を制御する制御情報を第１温度制御部（６７）に出力してもよい。この時、第１温度制御部（６７）は、制御情報に基づいて、第１発熱部（１１）と第３発熱部（１３）における発熱量を制御する。

本発明による真空処理装置（１００）は、基板加熱ヒータ（４０）と、基板加熱ヒータ（４０）に対向するように配置されたヒータカバー（６０）と、複数の温度センサー（６２、６３、６４）とを備える。ヒータカバー（６０）は、第１、第２、第３発熱部（１１、１２、１３）にそれぞれ相対する第１、第２、第３加熱部（５６、５７、５８）を含む。複数の温度センサー（６２、６３、６４）は、第１、第２、第３加熱部（５６、５７、５８）における温度をそれぞれ測定する第１、第２、第３温度センサー（６２、６３、６４）を含む。第１、第２、第３温度センサー（６２、６３、６４）によりそれぞれ測定された温度データは、第１、第２、第３温度制御部（６８、６５、６９）にそれぞれ入力される。第１、第２、第３温度制御部（６８、６５、６９）は、温度データに基づいて第１、第２、第３発熱部（１１、１２、１３）における発熱量をそれぞれ制御する。

本発明による真空処理装置（１００）は、互いに略平行に配置された複数の棒状ヒータ（７０）と、複数の棒状ヒータ（７０）に対向するように配置されたヒータカバー（６０）と、開口部を有する金属板（７１）とを備える。金属板（７１）は、複数の棒状ヒータ（７０）とヒータカバー（６０）との間に挿入され、複数の棒状ヒータ（７０）の端部を覆うように配置される。その端部は、上部加熱領域５６及び下部加熱領域５８に相当する。

本発明の基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置によれば、基板処理条件に合わせて基板加熱ヒータにおける発熱量の分布を制御することができる。

本発明の基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置によれば、基板温度の分布は最適になるように調整される。

本発明の基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置によれば、基板加熱ヒータを容易に大型化することができる。

添付図面を参照して、本発明による基板加熱ヒータ、及びそれを備える真空処理装置について説明する。

図２は、本発明に係る基板処理装置の構成の一例を示す概略図である。基板処理装置１００は製膜室８０を備え、製膜室８０は図示しない真空ポンプによって減圧される。製膜室８０内には、放電電極（ラダー電極）８１などを備える製膜ユニット８２が設置されている。この放電電極８１に対向するようにヒータカバー６０が設置される。ヒータカバー６０は接地電極である。ヒータカバー６０の放電電極８１と反対側には基板加熱ヒータ４０が設置される。被処理体である基板６１は、放電電極８１に対向するように配置され、ヒータカバー６０により支持される。ここで、基板６１は、図示されない基板搬送台車により製膜室８０に搬入され、基板搬送台車が製膜室８０から出た後、ヒータカバー６０は製膜ユニット８２の方へ移動する。基板処理時において、基板６１は、製膜ユニット８２側へ移動したヒータカバー６０を介して、基板加熱ヒータ４０により加熱され適切な温度に保たれる。

本発明において、基板加熱ヒータ４０は、複数の棒状ヒータ（ヒータカートリッジ）１０と、その複数の棒状ヒータ１０の各々へ電力を供給するために接続される複数の温度制御部５０を備える。また、図２に示されるように、基板加熱ヒータ４０は複数のヒータユニット４１を含んでもよい。ヒータユニット４１は、複数の棒状ヒータ１０と、その複数の棒状ヒータ１０の各々へ電力を供給するために接続される複数の温度制御部５０を一つの単位として備える。複数の温度制御部５０は、製膜室８０外部の大気雰囲気中にあってもよい。以下、本発明に係る棒状ヒータ１０の構成と、その棒状ヒータ１０における発熱量分布を制御する手段について詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図３は、第一の実施の形態に係る棒状ヒータの構成を示す概略図である。図中の矢印Ａはヒータカバー６０の方向を示す。本実施の形態において、棒状ヒータ１０は複数の発熱部を有する。例えば、図３において、棒状ヒータ１０は、上部発熱部１１、中央発熱部１２、下部発熱部１３を備える。これら発熱部は棒状ヒータ１０の長手方向に沿って分布している。また、中央発熱部１２は、上部発熱部１１と下部発熱部１３の間に位置する。ここで、棒状ヒータ１０の上部発熱部１１と下部発熱部１３の長さは、中央発熱部１２の長さの０．１〜０．２倍の値に設定される。また、棒状ヒータ１０の端部には、それら発熱部を挟むように上部非発熱部１４と下部非発熱部１５が存在し、これにより発熱部に電力の供給を安定して行えるようになっている。

棒状ヒータ１０の外殻は管体３０で構成される。図３において、管体３０は屈曲部３１を有し、下部発熱部１３及び下部非発熱部１５の一部で屈曲している。後述されるように、これは下部非発熱部１５をヒータカバー６０（矢印Ａ方向）から隔離するためである。棒状ヒータ１０の一端部は、集電ボックス３２に接続される。集電ボックス３２は端子台３３を備える。端子台３３には、導入パイプ３４を用いて真空雰囲気である製膜室８０の壁面を通過して大気下の外部へと通された導電線３５が接続される。ここで、棒状ヒータ１０、集電ボックス３２、及び導入パイプ３４は、それらの内部が略大気圧となるように密閉してあり、ガスなどが製膜室８０内へ漏出しないように処置してある。これにより、後述の発熱エレメント付近での異常放電の発生が抑制される。

管体３０の内部には、複数の発熱部に対応するように、例えば発熱素線をコイル状に巻くことで発熱密度を調整した複数の発熱エレメント（発熱体）が設けられる。図３において、上部発熱部１１に対応するように上部発熱エレメント２１が配設される。また、中央発熱部１２に対応するように中央発熱エレメント２２が配設される。また、下部発熱部１３に対応するように下部発熱エレメント２３が配設される。例えば図３において、二本の導電線２０ａ、２０ｂが管体３０の内部に配設されている。導電線２０ａは、上部発熱エレメント２１と下部発熱エレメント２３を含む。また、導電線２０ｂは、中央発熱エレメント２２を含む。それら導電線２０ａ、２０ｂは端子台３３に接続されている。管体３０の内部の空所は、各発熱エレメント２１、２２、２３と各導電線２０ａ、２０ｂにおいて内部短絡が発生しないように、ＭｇＯなどからなる絶縁物で充填されていてもよい。

導電線２０ａ、２０ｂには、複数の温度制御部５０（図２参照）から導電線３５を介して電力が供給される。導電線２０ａ及び２０ｂに電力が供給されると、上部、下部発熱エレメント２１、２３及び中央発熱エレメント２２がそれぞれ発熱する。ここで、導電線２０ａ、２０ｂへ供給される電力は、その複数の温度制御部５０によって別々に制御される。すなわち、上部、下部発熱エレメント２１、２３における発熱量と中央発熱エレメント２２における発熱量は別々に制御される。これにより、棒状ヒータ１０の発熱量の分布、特に長手方向の発熱量の分布を制御することが可能になる。

図３に示すように、管体３０は屈曲部３１を有する。下部非発熱部１５や集電ボックス３２などの配線部はヒータカバー６０（矢印Ａ方向）から離れて位置するようになる。これにより、ヒータカバー６０は一部の上部非発熱部１４を除いて、発熱が制御された部分に対面するようになる。この時、上部非発熱部１４もヒータカバー６０から離れて位置するようになるので、上部発熱部１１からの輻射伝熱とヒータカバー６０内部の熱伝導により、ヒータカバー６０上部も加熱されることになる。従って、ヒータカバー６０をより均一に加熱することが可能になる。但し、棒状ヒータ１０の形状は図３に示される形状に限られない。図４に示されるように、棒状ヒータ１０は直管型に形成されてもよい。この時、棒状ヒータ１０は発熱部１１、１２、１３がヒータカバー６０全域と対向するだけ十分な長さを有することが望ましい。また、図５に示されるように、棒状ヒータ１０は両端に屈曲部３１ａ、３１ｂを有してもよい。この時、棒状ヒータ１０の発熱部１１、１２、１３は、ヒータカバー６０のほぼ全域に対向し、ヒータカバー６０を更に均一に加熱することが可能になる。なお、図４及び図５において、棒状ヒータ１０の形状以外の構成は図３に示したものと同様である。

図６Ａは、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す全体図である。基板加熱ヒータ４０は、複数の棒状ヒータ１０を備える。被処理体である基板を支持するヒータカバー６０は、この基板加熱ヒータ４０に対向するように距離をおいて配置される。複数の棒状ヒータ１０、あるいは複数の棒状ヒータ１０の中央発熱部１２は、同一面（図６Ａ中のＹＺ面）に沿って配列されてもよい。また、複数の棒状ヒータ１０、あるいは複数の棒状ヒータ１０の中央発熱部１２は、互いに間隔をあけて略平行に配列されてもよい。これらのことにより、基板加熱ヒータ４０の発熱部をヒータカバー６０に対して均一に配置することが可能である。棒状ヒータ１０とヒータカバー６０は距離をおいて設置されるため、複数の棒状ヒータ１０のピッチ間に対応する領域も加熱される。また、多少の温度分布は、ヒータカバー６０内部の熱伝導により解消される。

また、基板加熱ヒータ４０は、複数の棒状ヒータ１０を備えるヒータユニット４１を含んでいてもよい。複数の棒状ヒータ１０を並べる際のピッチ（間隔）は、ヒータカバー６０のＹ方向温度分布が均一になるように選定される。例えば、ピッチは、棒状ヒータ径の２〜４倍程度に設定される。図６Ａにおいては、図３に示された棒状ヒータ１０がＹ方向に複数配置され、ヒータユニット４１が構成される。一つのヒータユニット４１は、一つの集電ボックス３２を備える。また、複数の棒状ヒータ１０が一つの集電ボックス３２に接続される。

このようなヒータユニット４１がＹ方向に複数並列に配置され、基板加熱ヒータ４０が構成される。棒状ヒータ１０あるいはヒータユニット４１を用いることは、棒状ヒータ１０を箱型の容器に収納する必要がないので、基板加熱ヒータ４０の軽量化、低コスト化において優れる。また、棒状ヒータ１０をＺ方向へ長尺化したり、新たな棒状ヒータ１０あるいはヒータユニット４１を適宜追加することによって、基板加熱ヒータ４０を容易に大型化することができる。すなわち、被処理体である基板が大型になった場合でも、本発明に係る基板加熱ヒータ４０を容易に適用することが可能である。

尚、図６Ｂに示されるように、基板加熱ヒータ４０のヒータカバー６０に対向する面以外の面、即ち基板加熱ヒータ４０の裏面及び上下両面は反射板４５により覆われていてもよい。これにより、基板加熱ヒータ４０による発熱がヒータカバー６０の方向（図中の矢印Ａ）以外へ散逸することを防止することができる。すなわち、ヒータカバー６０の加熱効率を向上させてヒータカバー６０全体にわたる温度均一性を向上させるとともに、周囲の部材の温度上昇を抑制することができる。

図６Ａに示されるように、複数の棒状ヒータ１０及び複数のヒータユニット４１が配列される方向（図中のＹ方向）は、棒状ヒータ１０の長手方向（図中のＺ方向）に略直角であることが好適である。前述の通り、複数の棒状ヒータ１０の各々は複数の発熱部を含み、その複数の発熱部はＺ方向に分布する。従って、棒状ヒータ１０の発熱量のＺ方向の分布が制御される。また、複数の棒状ヒータ１０及び複数のヒータユニット４１がＹ方向に配列される。従って、棒状ヒータ１０ごとに、あるいはヒータユニット４１ごとに発熱量が制御される。すなわち、基板加熱ヒータ４０の発熱量の分布は、Ｙ方向、Ｚ方向両方に対して制御される。また、基板加熱ヒータ４０の発熱量の分布を制御することによって、加熱される基板の温度分布が最適になるように制御することが可能である。

図７は、上記のような構成の基板加熱ヒータ４０を使用することによるヒータカバー（基板）の加熱の一例を示す。図７において、複数の棒状ヒータ１０の発熱部と加熱されるヒータカバー６０が示される。複数の棒状ヒータ１０は、ＹＺ平面に沿って互いに平行に配列されている。ヒータカバー６０のＹ方向には、第一加熱領域５１、第二加熱領域５２、第三加熱領域５３、第四加熱領域５４、第五加熱領域５５の５領域が形成される。ヒータカバー６０のＺ方向には、上部加熱領域５６、中央加熱領域５７、下部加熱領域５８の３領域が形成される。上部、中央、下部加熱領域５６、５７、５８は、棒状ヒータ１０の上部、中央、下部発熱部１１、１２、１３にそれぞれ相対する。これにより、ヒータカバー６０において最大１５領域の温度が制御され得る。図３に示された棒状ヒータ１０のように、上部発熱エレメント２１と下部発熱エレメント２３が同じ導電線２０ａによって制御される場合、ヒータカバー６０において最大１０領域の温度が制御され得る。

ヒータカバー（基板）６０において、第一加熱領域５１、第五加熱領域５５、上部加熱領域５６、下部加熱領域５８といった周辺領域は冷めやすい傾向にある。すなわち、周辺領域の温度は中央領域（周辺領域以外）の温度よりも低くなり易い傾向がある。特に、ヒータカバー６０の四隅の温度は低くなり易い傾向がある。これを解決するために、例えば図７において、周辺領域と中央領域に対して異なる発熱量が与えられる。例えば発熱エレメントの線径とコイル状に巻く密度を適正化することで、必要な発熱容量を発熱エレメントに保持させることができる。領域Ｚ１は、第二〜第四加熱領域５２〜５４が上部加熱領域５６及び下部加熱領域５８と重なる領域により規定される。領域Ｚ２は、中央加熱領域５７が第一加熱領域５１及び第五加熱領域５５と重なる領域により規定される。領域Ｚ３は、第一加熱領域５１及び第五加熱領域５５が上部加熱領域５６及び下部加熱領域５８と重なる領域により規定される。領域Ｚ４は、中央加熱領域５７が第二〜第四加熱領域５２〜５４と重なる領域により規定される。また、中央加熱領域５７のＺ方向の幅をｌ１、上部及び下部加熱領域５６、５８のＺ方向の幅をΔｌ１とする。第二〜第四加熱領域５２〜５４を合わせた領域のＹ方向の幅をｌ２、第一及び第五加熱領域５１、５５のＹ方向の幅をΔｌ２とする。この時、Δｌ１及びΔｌ２は、例えばΔｌ１＝（０．１〜０．２）×ｌ１及びΔｌ２＝（０．１〜０．２）×ｌ２となるようにそれぞれ設定される。領域Ｚ１に対する発熱密度が、領域Ｚ４に対する発熱密度の例えば２〜６倍になるように、発熱エレメントの発熱容量が調整され、また発熱エレメントに供給する電力が制御される。同様に、領域Ｚ２に対する発熱密度は、領域Ｚ４に対する発熱密度の例えば２〜６倍になるよう制御される。同様に、領域Ｚ３に対する発熱密度は、領域Ｚ４に対する発熱密度の例えば８〜１２倍になるように制御される。このような発熱密度の分布により、ヒータカバー（基板）６０の温度分布は均一になり得る。

上記のような基板加熱ヒータ４０を備える真空処理装置１００において、棒状ヒータ１０の各発熱部における発熱量を制御する手段を以下に示す。図８は、例として図３に示された棒状ヒータ１０を備える真空処理装置１００において、上部、中央、下部発熱部１１、１２、１３における発熱量を制御する手段を示す。図８において、棒状ヒータ１０（基板加熱ヒータ４０）に対向するようにヒータカバー６０が配置されている。また、基板６１は、ヒータカバー６０により棒状ヒータ１０の反対側に支持される。

図８において、棒状ヒータ１０に導電線３５（図３参照）を介して中央域温度制御部６５と上下域温度制御部６６が接続される。中央域温度制御部６５は、中央発熱部１２における発熱量を制御する。また、上下域温度制御部６６は、上部発熱部１１及び下部発熱部１３における発熱量を制御する。例えば、中央域温度制御部６５は、導電線２０ｂを流れる電流量を制御することによって、中央発熱エレメント２２における発熱量を制御する。また、上下域温度制御部６６は、導電線２０ａを流れる電流量を制御することによって、上部発熱エレメント２１及び下部発熱エレメント２３における発熱量を制御する。例えば、図７に示されたように、ヒータカバー６０の周辺領域に対する発熱量は、中央領域に対する発熱量よりも大きくなるように制御される。

真空処理装置１００は、ヒータカバー６０上の温度分布を測定する温度センサーを備えてもよい。図８において、上部域温度センサー６２は、ヒータカバー６０の基板６１設置側とは反対側の面にある上部加熱領域５６に接続され、上部加熱領域５６における温度を測定する。中央域温度センサー６３は、ヒータカバー６０の基板６１設置側とは反対方向面の中央加熱領域５７に接続され、中央加熱領域５７における温度を測定する。下部域温度センサー６４は、ヒータカバー６０の基板６１設置側とは反対方向の面の下部加熱領域５８に接続され、下部加熱領域５８における温度を測定する。中央域温度センサー６３により測定された温度データは、中央域温度制御部６５に入力される。上部、下部域温度センサー６２、６４により測定された温度データは、上下域温度制御部６６に入力される。これら入力された温度データに基づいて、上部、中央、下部加熱領域５６、５７、５８の各温度が目標設定温度に近づくように、各温度制御部５０は各発熱部における発熱量を制御する。例えば、その制御としてＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ、Ｉｎｔｅｇｒａｌ、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）制御が挙げられる。これにより、ヒータカバー６０の温度分布は、基板６１を処理するのに最適な温度分布に素早く達し、またはその最適な温度分布に保たれる。

図９は、図３に示された棒状ヒータ１０を備える真空処理装置１００において、上部、中央、下部発熱部１１、１２、１３における発熱量を制御する別の手段を示す。図９において、棒状ヒータ１０に導電線３５を介して中央域温度制御部６５と上下域温度調整器６７が接続される。中央域温度センサー６３により測定された温度データは、中央域温度制御部６５に入力される。上部、下部域温度センサー６２、６４により測定された温度データは、上下域温度調整器６７に入力される。中央域温度制御部６５は、入力された温度に基づいて、中央発熱部１２における発熱量を制御する。中央域温度制御部６５は、例えば、導電線２０ｂを流れる電流量を制御することによって、中央発熱エレメント２２における発熱量を制御する。

この時、中央域温度制御部６５は、導電線２０ｂへ供給する電力量などの制御情報を上下域温度調整器６７にも出力する。上下域温度調整器６７は、その制御情報に基づいて上部発熱部１１及び下部発熱部１３における発熱量を制御する。上下域温度調整器６７は、例えば、導電線２０ａと導電線２０ｂを流れる電流の比率を外部からの制御情報として固定あるいは調整することによって、上部発熱エレメント２１及び下部発熱エレメント２２における発熱量を制御する。このような制御は、基板の加熱条件や処理条件が比較的限定されている場合に有効である。さらに、上下域温度調整器６７は、中央域温度制御部６５に比べて非常に簡易なものとなるので、装置のコストダウンがはかれる。尚、この時、上部、下部域温度センサー６２、６４から入力された温度データは、温度の監視に用いられる。

以上に説明されたように、本実施の形態において基板加熱ヒータ４０の発熱量分布は温度制御部５０（６５、６６、６７）により制御される。これにより、被処理体である基板６１（ヒータカバー６０）の温度分布が最適になるように制御することが可能になる。尚、このような基板加熱ヒータの温度制御部５０は、外部から直接操作されてもよいし、遠隔操作されてもよい。

（第二の実施の形態）
図１０は、第ニの実施の形態に係る棒状ヒータ１０の構成を示す概略図である。本実施の形態における棒状ヒータ１０の構成は、発熱部の制御と発熱エレメントの構成以外の点で、第一の実施の形態における棒状ヒータ１０の構成と同様である。すなわち、本実施の形態において、上部発熱部１１と中央発熱部１２と下部発熱部１３における発熱量は、それぞれ独立に制御される。管体３０の内部には、上部発熱部１１に対応する上部発熱エレメント２１、中央発熱部１２に対応する中央発熱エレメント２２、下部発熱部１３に対応する下部発熱エレメント２３が配設される。例えば、図１０において、三本の導電線２０ａ、２０ｂ、２０ｃが管体３０の内部に配設されている。導電線２０ａは、上部発熱エレメント２１を含む。導電線２０ｂは、下部発熱エレメント２３を含む。導電線２０ｃは、中央発熱エレメント２２を含む。それら導電線２０ａ、２０ｂ、２０ｃは端子台３３に接続されている。

尚、このような棒状ヒータ１０を複数備える基板加熱ヒータ４０の構成は、図６Ａや図６Ｂに示された構成と同様である。また、棒状ヒータ１０の形状は、図４に示されるような直管型でもよいし、図５に示されるような両端に屈曲部３１ａ、３１ｂを有する形状でもよい。

図１１は、図１０に示された棒状ヒータ１０を備える真空処理装置１００において、上部、中央、下部発熱部１１、１２、１３における発熱量を制御する手段を示す。図１１において、棒状ヒータ１０に導電線３５を介して中央域温度制御部６５、上部域温度制御部６８、下部域温度制御部６９が接続される。また、第一の実施の形態における場合と同様に、真空処理装置１００はヒータカバー６０の温度分布を測定する複数の温度センサーを備える。上部、中央、下部域温度センサー６２、６３、６４のそれぞれにより測定された温度データは、上部、中央、下部域温度制御部６８、６５、６９にそれぞれ入力される。これら入力された温度データに基づいて、上部、中央、下部加熱領域の各温度が目標設定温度となるように、各温度制御部５０は各発熱部における発熱量を制御する。すなわち、中央域温度制御部６５は、中央発熱部１２における発熱量を制御する。上部域温度制御部６８は、上部発熱部１１における発熱量を制御する。下部域温度制御部６９は、下部発熱部１３における発熱量を制御する。例えば、中央域温度制御部６５は、導電線２０ｃを流れる電流量を制御することによって、中央発熱エレメント２２における発熱量を制御する。上部域温度制御部６８は、導電線２０ａを流れる電流量を制御することによって、上部発熱エレメント２１における発熱量を制御する。下部域温度制御部６９は、導電線２０ｂを流れる電流量を制御することによって、下部発熱エレメント２３における発熱量を制御する。

このように、本実施の形態において、上部発熱部１１、中央発熱部１２、下部発熱部１３における発熱量は複数の温度制御部５０（６５、６８、６９）によってそれぞれ独立に制御される。これにより、ヒータカバー６０（基板６１）の温度分布は、更に好適な温度分布になるように制御される。その制御としてＰＩＤ制御が例示される。尚、棒状ヒータ１０が更に複数の発熱部を有する場合も、その複数の発熱部における発熱量は上記手段と同様に制御される。

（第三の実施の形態）
第三の実施の形態において、基板加熱ヒータは異なった種類の棒状ヒータを含む。例えば、図１２Ａ及び図１２Ｂは、本実施の形態に係る第１棒状ヒータ１０ａ及び第２棒状ヒータ１０ｂをそれぞれ示す。第１、第２棒状ヒータ１０ａ、１０ｂの構成は、発熱部と発熱エレメントの構成以外の点で、第一の実施の形態における棒状ヒータ１０の構成と同様である。

図１２Ａにおいて、第１棒状ヒータ１０ａは、上部発熱部１１と下部発熱部１３を有する。これら発熱部の位置は、第一の実施の形態における位置に対応する。この時、第１棒状ヒータ１０ａの管体３０の内部には一本の導電線２０が配設される。導電線２０は、上部発熱エレメント２１と下部発熱エレメント２３を含む。導電線２０は端子台３３に接続されている。導電線２０に電力が供給されると、上部、下部発熱エレメント２１、２３が発熱する。

図１２Ｂにおいて、第２棒状ヒータ１０ｂは中央発熱部１２を有する。この中央発熱部１２の位置は、第一の実施の形態における位置に対応する。この時、第２棒状ヒータ１０ｂの管体３０の内部には一本の導電線２０ｃが配設される。導電線２０ｃは、中央発熱エレメント２２を含む。導電線２０ｃは端子台３３に接続されている。導電線２０ｃに電力が供給されると、中央発熱エレメント２２が発熱する。

このように、第１棒状ヒータ１０ａと第２棒状ヒータ１０ｂは、異なる発熱部の分布を有する。この時、第１棒状ヒータ１０ａと第２棒状ヒータ１０ｂにおける発熱量は、複数の温度制御部５０により独立に制御される。つまり、図１２Ａにおける導電線３５と図１２Ｂにおける導電線３５は、別々の温度制御部５０に接続される。なお、第１、第２棒状ヒータ１０ａ、１０ｂの形状は、図４に示されるような直管型でもよいし、図５に示されるような両端に屈曲部３１ａ、３１ｂを有する形状でもよい。

図１３は、第三の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す全体図である。基板加熱ヒータ４０は、複数の棒状ヒータ（１０ａ、１０ｂ）を備える。複数の棒状ヒータは、複数の第１棒状ヒータ１０ａと複数の第２棒状ヒータ１０ｂを含む。被処理体である基板を支持するヒータカバー６０は、この基板加熱ヒータ４０に対向するように配置される。複数の棒状ヒータは、同一面（図１３中のＹＺ面）に沿って配列されてもよい。複数の棒状ヒータは、互いに間隔をあけて略平行に配列されてもよい。また、図１３に示されるように、複数の第１棒状ヒータ１０ａと複数の第２棒状ヒータ１０ｂは交互に配置されてもよい。複数の第１棒状ヒータ１０ａと複数の第２棒状ヒータ１０ｂは対称に配置されてもよい。但し、棒状ヒータの構成本数により対称に配置できない場合は、中央部分で第１棒状ヒータ１０ａもしくは第２棒状ヒータ１０ｂを連続配置とすることで対応する。これらのことにより、基板加熱ヒータ４０の発熱部をヒータカバー６０に対して均一に配置することが可能である。また、図７に示されたように、加熱されるヒータカバー６０の周辺領域は冷え易いので、複数の棒状ヒータの配列の端は第１棒状ヒータ１０ａであることが好適である。

また、第一の実施の形態と同様に、基板加熱ヒータ４０は、複数の第１棒状ヒータ１０ａと複数の第２棒状ヒータ１０ｂを備えるヒータユニット４１を含んでもよい。図１３においては、第１、第２棒状ヒータ１０ａ、１０ｂがＹ方向に複数配置され、ヒータユニット４１が構成される。複数の第１棒状ヒータ１０ａと複数の第２棒状ヒータ１０ｂを設置する際のピッチ（間隔）は、ヒータカバー６０のＹ方向温度分布が均一となるように、第一及び第二の実施の形態と同等もしくは若干小さく設定することが好適である。このようなヒータユニット４１がＹ方向に複数並列に配置され、基板加熱ヒータ４０が構成される。ヒータユニット４１を用いることは、棒状ヒータ１０を箱型の容器に収納する必要がなくなるので、基板加熱ヒータ４０の軽量化、低コスト化において優れる。また、棒状ヒータ１０をＺ方向に長尺化したり棒状ヒータ１０の本数を追加する、またはヒータユニット４１の数を増すことによって基板加熱ヒータ４０を容易に大型化することが可能である。

本実施の形態において、棒状ヒータ１０の製作にあたり、第１棒状ヒータ１０ａ、第２棒状ヒータ１０ｂの構成が第一の実施の形態における棒状ヒータ１０よりも簡素になるという利点がある。なお、基板加熱ヒータ４０に接続される温度制御部５０の構成は、図８や図９に示された構成と同様である。但し、本実施の形態においては、中央域温度制御部６５は、複数の第２棒状ヒータ１０ｂに接続される。また、上下域温度制御部６６あるいは上下域温度調整器６７は、複数の第１棒状ヒータ１０ａに接続される。

図１３に示されるように、複数の棒状ヒータ（１０ａ、１０ｂ）及び複数のヒータユニット４１が配列される方向（図中のＹ方向）は、棒状ヒータの長手方向（図中のＺ方向）に略直角であることが好適である。前述の通り、第１棒状ヒータ１０ａと第２棒状ヒータ１０ｂは、Ｚ方向に異なる発熱部の分布を有する。また、第１棒状ヒータ１０ａと第２棒状ヒータ１０ｂは、別の温度制御部５０に接続される。更に、複数の棒状ヒータ及び複数のヒータユニット４１がＹ方向に配列される。従って、基板加熱ヒータ４０の発熱量の分布は、Ｙ方向、Ｚ方向両方に対して制御される。また、基板加熱ヒータ４０の発熱量の分布を制御することによって、加熱される基板の温度分布が最適になるように制御することが可能である。

（第四の実施の形態）
第三と第四の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成の差異は、第三の実施の形態における第一棒状ヒータ１０ａに代わって、図１４に示される第一棒状ヒータ１０ｃが使用される点である。すなわち、本実施の形態に係る第一棒状ヒータ１０ｃおいて、上部発熱部１１と下部発熱部１３は、それぞれ独立に制御される。管体３０の内部には、上部発熱部１１に対応する上部発熱エレメント２１、下部発熱部１３に対応する下部発熱エレメント２３が配設される。図１４において、ニ本の導電線２０ａ、２０ｂが管体３０の内部に配設されている。導電線２０ａは、上部発熱エレメント２１を含む。導電線２０ｂは、下部発熱エレメント２３を含む。それら導電線２０ａ、２０ｂは端子台３３に接続されている。

本実施の形態において、基板加熱ヒータ４０に接続される温度制御部５０の構成は、図１１に示された構成と同様である。但し、中央域温度制御部６５は、複数の第２棒状ヒータ１０ｂに接続される。また、上部域温度制御部６８及び下部域温度制御部６９は、複数の第１棒状ヒータ１０ｃに接続される。すなわち、中央域温度制御部６５は、中央加熱領域５７の温度が目標設定温度になるように、中央発熱部１２における発熱量を制御する。上部域温度制御部６８は、上部加熱領域５６の温度が目標設定温度となるように、上部発熱部１１における発熱量を制御する。下部域温度制御部６９は、下部加熱領域５８の温度が目標設定温度となるように、下部発熱部１３における発熱量を制御する。例えば、中央域温度制御部６５は、導電線２０ｃを流れる電流量を制御することによって、中央発熱エレメント２２における発熱量を制御する。上部域温度制御部６８は、導電線２０ａを流れる電流量を制御することによって、上部発熱エレメント２１における発熱量を制御する。下部域温度制御部６９は、導電線２０ｂを流れる電流量を制御することによって、下部発熱エレメント２３における発熱量を制御する。

このように、本実施の形態において、棒状ヒータ１０ｂ、１０ｃの製作容易性は保たれ、更に、上部発熱部１１、中央発熱部１２、下部発熱部１３における発熱量はそれぞれ独立に制御される。これにより、ヒータカバー６０（基板６１）の温度分布は、更に好適な温度分布になるように制御される。

（第五の実施の形態）
図１５は、第五の実施の形態に係る基板加熱ヒータ４０の構成を示す概略図である。図１５は、第一の実施の形態における図６Ｂに対応する図である。本実施の形態において、基板加熱ヒータ４０は複数の棒状ヒータ７０を備える。複数の棒状ヒータ７０の各々の内部には、少なくとも一本の発熱エレメント（発熱体）２４が配設される。この発熱エレメント２４としてコイルが例示される。コイルの巻き密度を場所によって変化させることによって、棒状ヒータ７０の温度は分布を持ち得る。ヒータカバー６０は、基板加熱ヒータ４０に対向するように配置される。

本実施の形態において、発熱エレメント２４のコイル巻き密度などを調整することにより、棒状ヒータ７０の端部（上部と下部）における発熱密度が中央部における発熱密度よりも大きくなるように、棒状ヒータ７０は形成されている。基板加熱ヒータ４０（複数の棒状ヒータ７０）とヒータカバー６０の間に、開口部を有する金属板（パンチメタル反射板）７１が挿入される。そのパンチメタル反射板７１は、基板加熱ヒータ４０の上下部の高発熱密度領域を覆うように配置される。これにより、ヒータカバー６０には、第一の実施の形態と同様に上部加熱領域５６、中央加熱領域５７、下部加熱領域５８が形成される。基板処理条件、特に製膜圧力条件により棒状ヒータ７０とヒータカバー６０の間の伝熱状態が変わるため、上部加熱領域５６と下部加熱領域５８に対する加熱量が適切な値とならずに、ヒータカバー６０の上下部温度が中央よりも高かったり、逆に低くなってしまう場合がある。この時は、基板処理条件に合わせてパンチメタル反射板７１の開口部の面積を変更して棒状ヒータ７０から上部、下部加熱領域５６、５８への伝熱量を調整する。このことによって、ヒータカバー６０における温度分布を調整することが可能になる。

図１は、従来の真空処理装置の構成を示す概略図である。 図２は、本発明に係る真空処理装置の構成を示す概略図である。 図３は、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの棒状ヒータの構成を示す概略図である。 図４は、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの棒状ヒータの他の構成を示す概略図である。 図５は、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの棒状ヒータの更に他の構成を示す概略図である。 図６Ａは、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す全体図である。 図６Ｂは、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す概略図である。 図７は、第一の実施の形態に係る基板加熱ヒータによるヒータカバーの加熱を示す概略図である。 図８は、第一の実施の形態に係る真空処理装置の構成を示す概略図である。 図９は、第一の実施の形態に係る真空処理装置の他の構成を示す概略図である。 図１０は、第ニの実施の形態に係る基板加熱ヒータの棒状ヒータの構成を示す概略図である。 図１１は、第二の実施の形態に係る真空処理装置の構成を示す概略図である。 図１２Ａは、第三の実施の形態に係る基板加熱ヒータの第一棒状ヒータの構成を示す概略図である。 図１２Ｂは、第三の実施の形態に係る基板加熱ヒータの第二棒状ヒータの構成を示す概略図である。 図１３は、第三の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す概略図である。 図１４は、第四の実施の形態に係る基板加熱ヒータの第一棒状ヒータの構成を示す概略図である。 図１５は、第五の実施の形態に係る基板加熱ヒータの構成を示す概略図である。

符号の説明

１０ 棒状ヒータ
１１ 上部発熱部
１２ 中央発熱部
１３ 下部発熱部
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ 導電線
２１ 上部発熱エレメント
２２ 中央発熱エレメント
２３ 下部発熱エレメント
４０ 基板加熱ヒータ
４１ ヒータユニット
５０ 温度制御部
５６ 上部加熱領域
５７ 中央加熱領域
５８ 下部加熱領域
６０ ヒータカバー
６２ 上部域温度センサー
６３ 中央域温度センサー
６４ 下部域温度センサー
６５ 中央域温度制御部
６６ 上下域温度制御部
６７ 上下域温度調整器
６８ 上部域温度制御部
６９ 下部域温度制御部

Claims (20)

1. 複数の棒状ヒータと、
   前記複数の棒状ヒータの各々と接続される複数の温度制御部とを具備し、
   前記各々の棒状ヒータは複数の発熱部を有し、
   前記複数の温度制御部は前記複数の発熱部における発熱量をそれぞれ制御する
   基板加熱ヒータ。
2. 並列に配置された複数のヒータユニットを具備し、
   前記複数のヒータユニットの各々は、
   複数の棒状ヒータと、
   前記複数の棒状ヒータの各々と接続される複数の温度制御部とを具備し、
   前記各々の棒状ヒータは複数の発熱部を有し、
   前記複数の温度制御部は前記複数の発熱部における発熱量をそれぞれ制御する
   基板加熱ヒータ。
3. 請求項１又は２において、
   前記複数の発熱部は前記各々の棒状ヒータの長手方向に沿って分布する
   基板加熱ヒータ。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記複数の棒状ヒータは同一面に沿って配列される
   基板加熱ヒータ。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   前記複数の棒状ヒータは互いに略平行に配列される
   基板加熱ヒータ。
6. 請求項４又は５において、
   前記複数の棒状ヒータが配列される方向は、前記各々の棒状ヒータの長手方向に略直角である
   基板加熱ヒータ。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記各々の棒状ヒータは、
   第１発熱部と、
   第２発熱部と、
   第３発熱部を前記複数の発熱部として含み、
   前記第２発熱部は前記第１発熱部と前記第３発熱部の間に位置する
   基板加熱ヒータ。
8. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記複数の棒状ヒータは、
   複数の第１棒状ヒータと、
   複数の第２棒状ヒータを含み、
   前記複数の第１棒状ヒータの各々は、第１発熱部と第３発熱部を前記複数の発熱部として含み、
   前記複数の第２棒状ヒータの各々は、第２発熱部を前記複数の発熱部として含み、
   前記第２発熱部は前記第１発熱部と前記第３発熱部の間の領域に対応して位置する
   基板加熱ヒータ。
9. 請求項８において、
   前記複数の第１棒状ヒータと前記複数の第２棒状ヒータは交互に配置される
   基板加熱ヒータ。
10. 請求項７乃至９のいずれかにおいて、
    前記複数の温度制御部は、
    前記第１発熱部と前記第３発熱部における発熱量を制御する第１温度制御部と、
    前記第２発熱部における発熱量を制御する第２温度制御部を含む
    基板加熱ヒータ。
11. 請求項７乃至９のいずれかにおいて、
    前記複数の温度制御部は、
    前記第１発熱部における発熱量を制御する第１温度制御部と、
    前記第２発熱部における発熱量を制御する第２温度制御部と
    前記第３発熱部における発熱量を制御する第３温度制御部を含む
    基板加熱ヒータ。
12. 請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
    前記各々の棒状ヒータの内部に、前記複数の発熱部に対応して複数の発熱体が形成され、
    前記複数の発熱体は、前記複数の温度制御部から導電線を介してそれぞれ電力が供給されることにより発熱する
    基板加熱ヒータ。
13. 請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
    ヒータカバーは前期複数の棒状ヒータに対向するように設置され、
    前記各々の棒状ヒータの少なくとも一端は、前記ヒータカバーから離れる方向へ屈曲している
    基板加熱ヒータ。
14. 請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
    前記複数の棒状ヒータの内部の空所は絶縁物で充填されている
    基板加熱ヒータ。
15. 請求項１乃至１４のいずれかに記載された基板加熱ヒータを具備する
    真空処理装置。
16. 請求項１乃至１４のいずれかに記載された基板加熱ヒータと、
    前記基板加熱ヒータに対向するように距離をおいて配置されたヒータカバーと、
    複数の温度センサーとを具備し、
    前記ヒータカバーは、前記複数の発熱部にそれぞれ相対する複数の加熱部を含み、
    前記複数の温度センサーは、前記複数の加熱部における温度をそれぞれ測定し、
    前記複数の温度センサーの各々により測定された温度データは、前記複数の温度制御部のいずれかに入力される
    真空処理装置。
17. 請求項１０に記載された基板加熱ヒータと、
    前記基板加熱ヒータに対向するように距離をおいて配置されたヒータカバーと、
    複数の温度センサーとを具備し、
    前記ヒータカバーは、前記第１、第２、第３発熱部にそれぞれ相対する第１、第２、第３加熱部を含み、
    前記複数の温度センサーは、前記第１、第２、第３加熱部における温度をそれぞれ測定する第１、第２、第３温度センサーを含み、
    前記第１温度センサー及び前記第３温度センサーによりそれぞれ測定された第１温度データ及び第３温度データは、前記第１温度制御部に入力され、
    前記第２温度センサーにより測定された第２温度データは、前記第２温度制御部に入力され、
    前記第１温度制御部は、前記第１温度データと前期第３温度データに基づいて、前記第１発熱部と前記第３発熱部における発熱量を制御し、
    前記第２温度制御部は、前記第２温度データに基づいて、前記第２発熱部における発熱量を制御する
    真空処理装置。
18. 請求項１７において、
    前記第２温度制御部は、前記第２発熱部における発熱量を制御する制御情報を前記第１温度制御部に出力し、
    前記第１温度制御部は、前記制御情報に基づいて、前記第１発熱部と前記第３発熱部における発熱量を制御する
    真空処理装置。
19. 請求項１１に記載された基板加熱ヒータと、
    前記基板加熱ヒータに対向するように距離をおいて配置されたヒータカバーと、
    複数の温度センサーとを具備し、
    前記ヒータカバーは、前記第１、第２、第３発熱部にそれぞれ相対する第１、第２、第３加熱部を含み、
    前記複数の温度センサーは、前記第１、第２、第３加熱部における温度をそれぞれ測定する第１、第２、第３温度センサーを含み、
    前記第１、第２、第３温度センサーによりそれぞれ測定された温度データは、前記第１、第２、第３温度制御部にそれぞれ入力され、
    前記第１、第２、第３温度制御部は、前記温度データに基づいて前記第１、第２、第３発熱部における発熱量をそれぞれ制御する
    真空処理装置。
20. 互いに略平行に配置された複数の棒状ヒータと、
    前記複数の棒状ヒータに対向するように距離をおいて配置されたヒータカバーと、
    開口部を有する金属板とを具備し、
    前記金属板は、前記複数の棒状ヒータと前記ヒータカバーとの間に挿入され、前記複数の棒状ヒータの端部を覆うように配置された
    真空処理装置。

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