JP2005141155A - Substrate for electrooptic device and its manufacturing method, electrooptic device and its manufacturing method, exposure mask and electronic appliance - Google Patents

Substrate for electrooptic device and its manufacturing method, electrooptic device and its manufacturing method, exposure mask and electronic appliance Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a reflecting layer having a favorable light scattering effect by a simple manufacturing process. <P>SOLUTION: An exposure mask 7a is used for an exposure process to roughen a region 511 to be processed of a film body 51. The exposure mask 7a has a first region 71 and a second region 72. The first region 71 functions as a light transmitting region to transmit light incident to the periphery of the region 511 to be processed; the second region 72 includes a plurality of dot regions 721 having each having a light shielding portion 84 to cut the light incident to the region 511 to be processed, and has a semitransmitting portion 86 in a region excluding the dot region 721, with the semitransmitting portion transmitting the light incident to the region 511 to be processed with a lower transmittance than in the transmitting region 81. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、反射層の表面を粗面とすることによって反射光を散乱させる技術に関する。   The present invention relates to a technique for scattering reflected light by making the surface of a reflective layer rough.

いわゆる反射型の液晶表示装置においては、液晶を保持する基板の板面上に光反射性を有する反射層が形成される。そして、観察側から入射した太陽光や室内照明光などの外光は反射層の表面にて反射され、この反射光が画像の表示に供される。この構成において反射層の表面が完全な平面であるとすれば、液晶表示装置に対する入射光が反射層の表面にて鏡面反射されて観察者に視認されることとなる。この場合には本来の表示画像のほかに液晶表示装置の表示面に対向する人や物の画像が視認されることとなって表示が見づらくなるという問題があった。   In a so-called reflective liquid crystal display device, a reflective layer having light reflectivity is formed on a plate surface of a substrate holding liquid crystal. Then, external light such as sunlight and indoor illumination light incident from the observation side is reflected on the surface of the reflective layer, and this reflected light is used for image display. In this configuration, if the surface of the reflective layer is a perfect plane, the incident light on the liquid crystal display device is specularly reflected by the surface of the reflective layer and viewed by an observer. In this case, in addition to the original display image, there is a problem that an image of a person or an object facing the display surface of the liquid crystal display device is visually recognized, making it difficult to see the display.

このような背景の映り込みを防止するために、反射層の表面には多数の微細な突起および窪み(以下「散乱構造」という)が形成される。この構成によれば反射層の表面における反射光は適度に散乱して観察側に出射するから背景の映り込みを防止することができる。特許文献1には、この散乱構造を形成するための方法が開示されている。この方法においては、第1に、多数の微細な樹脂片が基板の板面上に分散して形成され、第2に、これらの突起と基板の板面との段差を滑らかにするために各突起を覆う膜体が設けられ、第3に、この膜体を覆うように反射層が形成される。   In order to prevent such reflection of the background, a large number of fine protrusions and depressions (hereinafter referred to as “scattering structures”) are formed on the surface of the reflective layer. According to this configuration, reflected light on the surface of the reflective layer is appropriately scattered and emitted to the observation side, so that reflection of the background can be prevented. Patent Document 1 discloses a method for forming this scattering structure. In this method, first, a large number of fine resin pieces are formed dispersed on the plate surface of the substrate, and secondly, in order to smooth the steps between these protrusions and the plate surface of the substrate. A film body covering the protrusion is provided, and third, a reflective layer is formed so as to cover the film body.

特開2003−75987号公報(段落0073および段落0074ならびに図12)Japanese Patent Laying-Open No. 2003-75987 (paragraph 0073 and paragraph 0074 and FIG. 12)

しかしながら、この方法においては、多数の微細な樹脂片を基板上に形成する工程のほかに各突起を覆う膜体を形成する工程が必要となるため、製造工程が煩雑化するとともに製造コストが嵩むという問題が生じ得る。この問題を解消するための方策としては、膜体を形成することなく、各樹脂片を直接に覆うように反射層を形成することも考えられる。しかしながら、この方法を用いた場合には、各樹脂片間に露出する基板の板面と各樹脂片の頂上部の平坦面とを反映した平坦面が反射層の表面に現れるため、光を散乱させる効果(以下「光散乱効果」という)が充分に得られないという問題が生じ得る。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な製造工程によって良好な光散乱効果を有する反射層を得ることにある。   However, this method requires a process of forming a film body covering each protrusion in addition to the process of forming a large number of fine resin pieces on the substrate, which complicates the manufacturing process and increases the manufacturing cost. The problem can arise. As a measure for solving this problem, it is conceivable to form a reflective layer so as to directly cover each resin piece without forming a film body. However, when this method is used, a flat surface reflecting the plate surface of the substrate exposed between the resin pieces and the flat surface at the top of each resin piece appears on the surface of the reflective layer, so that light is scattered. This may cause a problem that the effect (hereinafter referred to as “light scattering effect”) cannot be sufficiently obtained. This invention is made | formed in view of such a situation, The objective is to obtain the reflection layer which has a favorable light-scattering effect by a simple manufacturing process.

上記課題を解決するために、本発明に係る露光用マスクは以下の構成を有する。まず、この露光用マスクは、膜体のうち表面が粗面化されるべき被加工領域の周囲(すなわち被加工領域以外の領域)に対向させられる第1領域と、被加工領域に対向させられる第2領域とを有する。このうち第2領域はさらに複数のドット領域を有する。これらの領域(すなわち、第1領域と各ドット領域と第2領域のうち各ドット領域を除く領域とを含む3種類の領域)には、光を透過させる透光部と光を遮る遮光部とに加えて、透光部よりも低い光透過率にて光を透過させる半透過部がそれぞれ設けられる。各領域に透光部と遮光部と半透過部の何れが設けられるかは、加工対象となる膜体の形成に用いられる感光性材料の種類(ポジ型またはネガ型)や最終的に作成しようとする粗面の形態に応じて適宜に選定される。   In order to solve the above problems, an exposure mask according to the present invention has the following configuration. First, the exposure mask is opposed to a processing region and a first region that is opposed to the periphery of the processing region whose surface is to be roughened (that is, a region other than the processing region). A second region. Among these, the second region further has a plurality of dot regions. These regions (that is, three types of regions including the first region, each dot region, and the second region excluding each dot region) include a light transmitting portion that transmits light and a light blocking portion that blocks light. In addition, a semi-transmissive portion that transmits light with a light transmittance lower than that of the light-transmissive portion is provided. Whether a light-transmitting part, a light-shielding part, or a semi-transmitting part is provided in each region is determined depending on the type (positive type or negative type) of the photosensitive material used to form the film body to be processed and finally created. It selects suitably according to the form of the rough surface.

例えば、ポジ型の感光性材料からなる膜体の被加工領域のうち複数のドット領域以外の領域を除去することによって粗面(すなわち膜体のうちドット領域に対応する領域が突起とされた粗面)を形成するための露光用マスクは、被加工領域の周辺に向かう光を透過させる透光部を有する第1領域と、被加工領域に向かう光を遮る遮光部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、被加工領域に向かう光を透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域とを有する。この構成の具体例は第1実施形態として後述されている。一方、ポジ型の感光性材料からなる膜体の被加工領域のうち複数のドット領域を除去することによって粗面(すなわち膜体のうちドット領域に対応する領域が窪みとされた粗面)を形成するための露光用マスクは、被加工領域の周辺に向かう光を透過させる透光部を有する第1領域と、被加工領域に向かう光を透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、被加工領域に向かう光を遮る遮光部が各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域とを有する。この構成の具体例は第2実施形態として後述されている。   For example, by removing areas other than a plurality of dot areas from a processed area of a film body made of a positive photosensitive material, a rough surface (that is, a rough surface in which an area corresponding to the dot area of the film body is a projection) is formed. The exposure mask for forming the surface is provided with a plurality of first regions each having a light-transmitting portion that transmits light toward the periphery of the region to be processed and a light shielding portion that blocks light toward the region to be processed. And a second region provided in a region other than each dot region, and a semi-transmissive portion that transmits light toward the region to be processed with a light transmittance lower than that of the light-transmitting portion. A specific example of this configuration will be described later as the first embodiment. On the other hand, a rough surface (that is, a rough surface in which a region corresponding to the dot region of the film body is recessed) is removed by removing a plurality of dot regions from the processed region of the film body made of a positive photosensitive material. The exposure mask to be formed transmits a first region having a translucent portion that transmits light toward the periphery of the region to be processed, and transmits light toward the region to be processed with a light transmittance lower than that of the translucent portion. The semi-transmission part has a plurality of dot areas provided in each, and the light-shielding part that blocks the light toward the process area has a second area provided in an area other than each dot area. A specific example of this configuration will be described later as a second embodiment.

これらの露光用マスクの第1領域は透光部となっているから、膜体のうち被加工領域の周囲の領域に対して厚さ方向の全部にわたって光を作用させることができる。一方、露光用マスクのうち第2領域は、各ドット領域およびそれ以外の領域のうち一方の領域に遮光部が設けられるとともに他方の領域に半透過部が設けられている。この構成によれば、光源から膜体に向かう光のうち第2領域を透過する光量が制限されるから、仮に膜体のうち被加工領域の周囲の領域を厚さ方向の全部にわたって光分解させるのに充分な光量を光源から照射したとしても、膜体の被加工領域については厚さ方向の一部のみを選択的に光分解させることができる。このため、膜体を現像しても被加工領域が完全には除去されないから、膜体の設けられた基板の表面が被加工領域において露出することはない。したがって、この露光用マスクによる露光を経た膜体を現像して得られる下地層を用いた電気光学装置用基板(反射基板)は、基板の平坦面を反映した平坦面がなく良好な光散乱効果を発揮する。しかも、本発明に係る露光用マスクによれば、膜体のうち厚さ方向の全部にわたって完全に光が作用する部分と、露光が施されない部分と、厚さ方向の一部のみに光が作用する部分とを共通の工程にて得ることができる。   Since the first region of these exposure masks is a translucent portion, light can be applied to the entire region of the film body around the region to be processed in the thickness direction. On the other hand, in the second region of the exposure mask, a light-shielding portion is provided in one of the dot regions and the other regions, and a semi-transmissive portion is provided in the other region. According to this configuration, the amount of light transmitted from the light source toward the film body through the second region is limited, and therefore, the region around the processing region of the film body is photodecomposed over the entire thickness direction. Even if a sufficient amount of light is irradiated from the light source, only a part of the film body in the thickness direction can be selectively photodecomposed. For this reason, even if the film body is developed, the processed region is not completely removed, so that the surface of the substrate provided with the film body is not exposed in the processed region. Therefore, the electro-optical device substrate (reflective substrate) using the base layer obtained by developing the film body exposed through the exposure mask has no flat surface reflecting the flat surface of the substrate and has a good light scattering effect. To demonstrate. Moreover, according to the exposure mask of the present invention, the light acts only on the part of the film body where the light acts completely over the entire thickness direction, the part where the exposure is not performed, and a part of the thickness direction. Can be obtained in a common process.

なお、これらの露光用マスクの他の態様においては、各ドット領域の全周縁または当該周縁の一部に接するように周辺透光部が設けられる。各周辺透光部は第1領域の透光部と略同一の光透過率にて光を透過させる部分である。この構成によれば、光源から膜体に向かう光のうち周辺透光部を透過した光が各ドット領域の周縁にて回折させられ、この回折光が膜体の表面に至って強め合う。したがって、膜体のうち半透過部を透過した光が照射される部分のほか、周辺透光部を透過した回折光が照射される部分も光分解するから、この膜体を現像して得られる下地層のうちドット領域に対応する領域には微細な窪みが形成されることとなる。このような下地層の粗面上に反射層を薄膜状に形成すれば、突起の頂上部または窪みの底部が平坦面である粗面上に反射層を形成した場合と比較して良好な光散乱効果が得られる。   In other aspects of these exposure masks, a peripheral light-transmitting portion is provided so as to be in contact with the entire periphery of each dot region or a part of the periphery. Each peripheral translucent portion is a portion that transmits light with substantially the same light transmittance as the translucent portion of the first region. According to this configuration, the light transmitted from the light source to the film body and transmitted through the peripheral light transmitting portion is diffracted at the periphery of each dot region, and the diffracted light reaches the surface of the film body and strengthens it. Accordingly, in addition to the portion irradiated with light transmitted through the semi-transmissive portion of the film body, the portion irradiated with diffracted light transmitted through the peripheral light transmitting portion is also photodegraded, and thus obtained by developing this film body. A minute depression will be formed in the region corresponding to the dot region in the underlying layer. If the reflective layer is formed in a thin film on such a rough surface of the underlayer, the light is better than when the reflective layer is formed on the rough surface where the top of the protrusion or the bottom of the recess is a flat surface. A scattering effect is obtained.

一方、ネガ型の感光性材料からなる膜体の被加工領域のうち複数のドット領域以外の領域を除去することによって粗面(すなわち膜体のうちドット領域に対応する領域が突起とされた粗面)を形成するための露光用マスクは、被加工領域の周辺に向かう光を遮る遮光部が設けられた第1領域と、被加工領域に向かう光を透過させる透光部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、被加工領域に向かう光を各透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域とを有する。なお、この構成の具体例は第3実施形態として後述されている。また、ネガ型の感光性材料からなる膜体の被加工領域のうち複数のドット領域を除去することによって粗面(すなわち膜体のうちドット領域に対応する領域が窪みとされた粗面)を形成するための露光用マスクは、被加工領域の周辺に向かう光を遮る遮光部が設けられた第1領域と、被加工領域に向かう光を透過させる半透過部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、被加工領域に向かう光を透過させる透光部が各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域であって、半透過部の光透過率が透光部の光透過率よりも低い第2領域とを有する。この構成の具体例は第4実施形態として後述されている。これらの露光用マスクによっても、上述したポジ型の感光性材料を露光するための露光用マスクと同様にして、良好な光散乱効果を有する反射層の下地層を簡易な工程により形成することができる。   On the other hand, by removing areas other than the plurality of dot areas from the processed area of the film body made of the negative photosensitive material, the rough surface (that is, the rough area in which the area corresponding to the dot area of the film body is a projection). The exposure mask for forming the surface is provided with a first region provided with a light blocking portion that blocks light traveling toward the periphery of the processing region and a light transmitting portion that transmits light traveling toward the processing region. A plurality of dot regions, and a second region provided in a region other than each dot region, wherein a semi-transmissive portion that transmits light toward the processing region with a light transmittance lower than that of each light-transmitting portion is provided. . A specific example of this configuration will be described later as a third embodiment. Further, by removing a plurality of dot regions from the processed region of the film body made of a negative photosensitive material, a rough surface (that is, a rough surface in which the region corresponding to the dot region of the film body is recessed) is obtained. The exposure mask to be formed includes a plurality of first regions each provided with a light-shielding portion that blocks light traveling toward the periphery of the processing region, and semi-transmission portions that transmit light traveling toward the processing region. The translucent part which has a dot area and transmits light toward the work area is a second area provided in an area other than each dot area, and the light transmittance of the semi-transmissive part is the light transmission of the translucent part. And a second region lower than the rate. A specific example of this configuration will be described later as a fourth embodiment. Even with these exposure masks, the underlayer of the reflective layer having a good light scattering effect can be formed by a simple process in the same manner as the exposure mask for exposing the positive photosensitive material described above. it can.

ところで、膜体のうち被加工領域の周辺を完全に除去するためには光源から充分な光量を照射する必要がある。このような露光工程に用いられる露光用マスクにおいて半透過部の光透過率が比較的高いとすれば、半透過部を透過して被加工領域に至る光量が多くなり、この領域が膜体の厚さ方向の全部にわたって光分解される可能性がある。しかしながら、上述したように被加工領域が除去されると基板の板面が露出して光散乱効果の低下の原因となり得る。この不具合を防止するために、半透過部の光透過率は透光部の光透過率よりも充分に低いことが望ましい。本願発明者による試験によれば、光源からの照射光に対する半透過部の光透過率を10%(パーセント)以上40%以下とすることによって特に良好な光散乱効果を実現し得る粗面が形成されるという知見を得るに至った。したがって、本発明に係る露光用マスクのうち半透過部の光透過率は10%以上40%以下とされることが望ましい。   By the way, it is necessary to irradiate a sufficient amount of light from the light source in order to completely remove the periphery of the region to be processed in the film body. If the light transmittance of the semi-transmissive portion in the exposure mask used in such an exposure process is relatively high, the amount of light that passes through the semi-transmissive portion and reaches the region to be processed increases. There is a possibility of photolysis over the entire thickness direction. However, if the region to be processed is removed as described above, the plate surface of the substrate is exposed and may cause a reduction in the light scattering effect. In order to prevent this problem, it is desirable that the light transmittance of the semi-transmissive portion is sufficiently lower than the light transmittance of the light-transmissive portion. According to the test by the inventor of the present application, a rough surface capable of realizing a particularly good light scattering effect is formed by setting the light transmittance of the semi-transmissive portion with respect to the irradiation light from the light source to 10% (percent) or more and 40% or less. It came to obtain the knowledge that it is done. Therefore, it is desirable that the light transmittance of the semi-transmissive portion in the exposure mask according to the present invention be 10% or more and 40% or less.

なお、透光部よりも低い光透過率を有するものであれば、半透過部の具体的な構成は任意である。例えば、遮光性を有する膜体を極めて薄く形成すれば、この薄膜に照射される光の一部は吸収または反射される一方、他の一部は当該薄膜を透過する。このような遮光性を有する薄膜を半透過部として用いてもよい。あるいは、遮光性を有する複数の微小遮光部と透光性を有する複数の微小透光部とを面状に配列させたものを半透過部として用いてもよい。この構成によっても、光源から出射した光の一部が微小遮光部によって遮光される一方、他の一部を微小透光部から透過させることができる。微小遮光部と微小透光部との配置の態様は任意であるが、半透過部を透過して膜体に到達する光量を当該半透過部の面内において均一化するという観点からすると、各微小遮光部と各微小透光部とを第1の方向と第2の方向とにわたって互い違いに配置した構成(すなわち市松模様状に配置した構成)を有する半透過部を用いることが望ましい。この構成においては、微小透光部を透過した光が微小遮光部の周縁にて回折して相互に干渉し合うのを防止するために、各微小遮光部および各微小透光部の各辺の長さは2μm(マイクロメートル)以下とされることが望ましく、さらに好ましくは1.5μm以下とされる。一方、半透過部の他の態様として、それぞれ第1の方向に延在する各微小遮光部と各微小透光部とを第1の方向に直交する第2の方向に交互に配置した構成(すなわち微小遮光部と微小透光部とをストライプ状に配列した構成)も採用され得る。この構成においても、回折光の干渉を防止するために各微小遮光部および各微小透光部の幅は2μm以下されることが望ましく、さらに好ましくは1.5μm以下とされる。   In addition, if it has a light transmittance lower than a translucent part, the specific structure of a semi-transmissive part is arbitrary. For example, if a light-shielding film body is formed very thin, part of the light irradiated to the thin film is absorbed or reflected, while the other part transmits the thin film. Such a light-shielding thin film may be used as the semi-transmissive portion. Alternatively, a plurality of micro light-shielding portions having light shielding properties and a plurality of micro light-transmitting portions having translucency may be used as a semi-transmissive portion. With this configuration as well, a part of the light emitted from the light source is shielded by the minute light shielding part, while the other part can be transmitted from the minute light transmitting part. The arrangement of the micro light-shielding part and the micro light-transmitting part is arbitrary, but from the viewpoint of uniformizing the amount of light transmitted through the semi-transmissive part and reaching the film body in the plane of the semi-transmissive part, It is desirable to use a semi-transmissive portion having a configuration in which the micro light-shielding portions and the micro light-transmitting portions are alternately arranged in the first direction and the second direction (that is, a configuration arranged in a checkered pattern). In this configuration, in order to prevent the light transmitted through the minute light-transmitting portion from being diffracted at the periphery of the minute light-shielding portion and interfering with each other, each minute light-shielding portion and each side of each minute light-transmitting portion are prevented. The length is desirably 2 μm (micrometer) or less, more preferably 1.5 μm or less. On the other hand, as another aspect of the semi-transmissive portion, a configuration in which the micro light-shielding portions and the micro light-transmitting portions each extending in the first direction are alternately arranged in the second direction orthogonal to the first direction ( That is, a configuration in which minute light-shielding portions and minute light-transmitting portions are arranged in a stripe shape may be employed. Also in this configuration, in order to prevent interference of diffracted light, the width of each minute light-shielding portion and each minute light-transmitting portion is desirably 2 μm or less, and more preferably 1.5 μm or less.

本発明に係る露光用マスクの他の態様において、各ドット領域の平面形状は多角形とされる。ここで、各ドット領域の面積が余りに大きいと、膜体の粗面を構成する突起の頂上部または窪みの底部に平坦面が現れるため、その粗面上に形成された反射層の光散乱効果が損なわれることとなる。一方、各ドット領域の面積が余りに小さいと、第2領域のうち各ドット領域とそれ以外の領域との境界の近傍において回折した光源からの光が干渉し合って膜体の表面形状が所期の形状とならない可能性がある。本願発明者による試験によれば、各多角形の外接円の直径は8μm以上11μm以下であることが望ましいという知見を得るに至った。したがって、各ドット領域の多角形の外接円の直径は8μm以上11μm以下とされることが望ましく、さらに好ましくは9μm以上10μm以下とされる。   In another aspect of the exposure mask according to the present invention, the planar shape of each dot region is a polygon. Here, if the area of each dot region is too large, a flat surface appears at the top of the protrusion constituting the rough surface of the film body or at the bottom of the recess, so that the light scattering effect of the reflective layer formed on the rough surface Will be damaged. On the other hand, if the area of each dot region is too small, the light from the diffracted light source interferes in the vicinity of the boundary between each dot region and the other region in the second region, and the surface shape of the film body is expected. The shape may not be According to the test by the inventors of the present application, it has been found that the diameter of the circumscribed circle of each polygon is desirably 8 μm or more and 11 μm or less. Therefore, the diameter of the polygon circumscribed circle of each dot region is desirably 8 μm or more and 11 μm or less, and more preferably 9 μm or more and 10 μm or less.

また、各ドット領域が余りに密集していたり極端に疎らである場合には、露光後の現像により得られる粗面の平坦度が増大し、このため粗面上の反射層の光散乱効果が低下しかねない。本願発明者による試験によれば、第1領域と第2領域との総面積に占める複数のドット領域の面積の割合は30%以上60%以下であることが望ましいという知見を得るに至った。   Also, if each dot area is too dense or extremely sparse, the flatness of the rough surface obtained by development after exposure increases, and this reduces the light scattering effect of the reflective layer on the rough surface. There is no doubt. According to the test by the inventor of the present application, it has been found that the ratio of the area of the plurality of dot regions to the total area of the first region and the second region is desirably 30% or more and 60% or less.

本発明は、以上に説明した露光用マスクを用いて電気光学装置用基板を製造する方法としても特定され得る。さらに詳述すると、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の第1の特徴は、ポジ型の感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、マスクを介して膜体を露光する工程であって、粗面の突起となるべき領域および窪みとなるべき領域の一方に向かう光源からの光を露光用マスクの遮光部によって遮るとともに、これらの領域の他方に向かう光源からの光を露光用マスクの半透過部を透過させることによって膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、露光工程を経た膜体を現像して下地層を形成する現像工程と、現像工程により得られた下地層の粗面上に光反射性を有する反射層を形成する反射層形成工程とを有することにある。さらに、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の第2の特徴は、ネガ型の感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、露光用マスクを介して膜体を露光する工程であって、粗面の突起となるべき領域および窪みとなるべき領域の一方に向かう光源からの光を露光用マスクの透光部を透過させることによって膜体の厚さ方向の全部に当該光を作用させるとともに、これらの領域の他方に向かう光源からの光を露光用マスクの半透過部を透過させることによって膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、露光工程を経た膜体を現像して下地層を形成する現像工程と、現像工程により得られた下地層の粗面上に光反射性を有する反射層を形成する反射層形成工程とを有することにある。これらの製造方法によれば、本発明に係る露光用マスクについて上述したのと同様の理由により、良好な光散乱効果を有する電気光学装置用基板が簡易な製造工程によって得られる。   The present invention can also be specified as a method of manufacturing an electro-optical device substrate using the exposure mask described above. More specifically, the first feature of the method for manufacturing a substrate for an electro-optical device according to the present invention is that a film body is formed using a positive photosensitive material, and the film body is exposed through a mask. The light from the light source that goes to one of the region that should become a projection on the rough surface and the region that should become a depression is blocked by the light shielding portion of the exposure mask, and the light from the light source that goes to the other of these regions An exposure step in which the light is allowed to act on only a part in the thickness direction of the film body by transmitting the light through the translucent portion of the exposure mask, and a development step in which the film body that has undergone the exposure process is developed to form a base layer And a reflective layer forming step of forming a reflective layer having light reflectivity on the rough surface of the underlayer obtained by the developing step. Furthermore, the second feature of the method for manufacturing the substrate for an electro-optical device according to the present invention is that a film body is formed using a negative photosensitive material, and the film body is exposed through an exposure mask. A step of transmitting light from a light source directed to one of a region to be a rough projection and a region to be a depression to the whole thickness direction of the film body by transmitting the light from the light transmitting portion of the exposure mask. An exposure step of causing light to act on only a part in the thickness direction of the film body by transmitting light from a light source directed to the other of these regions through a semi-transmissive portion of the exposure mask; A developing step of developing the film body after the exposure step to form a base layer, and a reflective layer forming step of forming a reflective layer having light reflectivity on the rough surface of the base layer obtained by the developing step It is in. According to these manufacturing methods, for the same reason as described above for the exposure mask according to the present invention, an electro-optical device substrate having a good light scattering effect can be obtained by a simple manufacturing process.

これらの製造方法によって得られた電気光学装置用基板の反射層に対向するように電気光学物質を配置することによって電気光学装置が製造される。この製造方法によれば、背景の映り込みが抑制されて良好な表示品位を有する電気光学装置が簡易な工程によって製造される。なお、本発明における電気光学物質とは、電圧の印加や電流の供給といった電気的な作用を光透過率や輝度の変化といった光学的な特性の変化に変換する物質である。電気光学物質の典型的な例としては液晶が挙げられるが、本発明の適用され得る範囲はこれに限定されない。   An electro-optical device is manufactured by arranging an electro-optical material so as to face the reflective layer of the electro-optical device substrate obtained by these manufacturing methods. According to this manufacturing method, an electro-optical device having a good display quality with less reflection of the background is manufactured by a simple process. The electro-optical material in the present invention is a material that converts an electrical action such as voltage application or current supply into a change in optical characteristics such as a change in light transmittance or luminance. A typical example of the electro-optical material is liquid crystal, but the applicable range of the present invention is not limited to this.

また、本発明に係る電気光学装置用基板は、各々の頂上部に窪みが形成された複数の突起を表面に有する下地層と、下地層のうち複数の突起を有する表面上に設けられた光反射性を有する反射層とを具備する。ここで、下地層の突起の表面が特許文献1に記載されているような平滑面であるとすれば、その表面上に設けられた反射層の表面には同様の平滑面が現れる。このような平滑面では光が鏡面反射するため、反射層の表面が粗面であるとは言っても必ずしも良好な光散乱効果が得られるとは限らない。これに対し、本発明に係る電気光学装置用基板の下地層は、各々の頂上部に窪みが形成された複数の突起を表面に有するから、反射層の表面における平坦面の割合は特許文献1に記載された反射層よりも少ない。したがって、本発明に係る電気光学装置用基板によれば良好な光散乱効果が得られる。なお、本発明に係る電気光学装置用基板の下地層は、例えば、ドット領域に周辺透光部が設けられた上記露光用マスクを用いて膜体を露光した後に現像することによって得られる。   In addition, the electro-optical device substrate according to the present invention includes a base layer having a plurality of protrusions each having a depression formed on the top thereof, and light provided on the surface of the base layer having the plurality of protrusions. And a reflective layer having reflectivity. Here, if the surface of the protrusion of the underlayer is a smooth surface as described in Patent Document 1, the same smooth surface appears on the surface of the reflective layer provided on the surface. On such a smooth surface, light is specularly reflected, so that even if the surface of the reflective layer is rough, a good light scattering effect is not always obtained. On the other hand, since the base layer of the substrate for an electro-optical device according to the present invention has a plurality of protrusions with depressions formed on the top of each, the ratio of the flat surface on the surface of the reflective layer is disclosed in Patent Document 1. Less than the reflective layer described in. Therefore, the electro-optical device substrate according to the present invention can provide a good light scattering effect. The underlayer of the electro-optical device substrate according to the present invention can be obtained, for example, by developing after exposing a film body using the above-described exposure mask in which a peripheral light-transmitting portion is provided in a dot region.

また、本発明に係る電気光学装置用基板は電気光学装置の基板として用いられる。すなわち、この電気光学装置は、相互に対向して電気光学物質を挟む第1基板および第2基板と、第2基板のうち電気光学物質に対向する板面上に設けられた層であって各々の頂上部に窪みが形成された複数の突起を表面に有する下地層と、下地層のうち複数の突起を有する表面上に設けられた光反射性を有する反射層とを具備する。この電気光学装置によれば、第1基板側からの入射光を反射層によって良好に散乱させたうえで第1基板側に反射させることができるから、背景の映り込みを抑えた良好な表示品位が得られる。さらに、本発明は、この電気光学装置を表示装置として備える電子機器としても特定される。この種の電気光学装置としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなど種々の電気光学装置が考えられる。   The substrate for an electro-optical device according to the present invention is used as a substrate for an electro-optical device. In other words, the electro-optical device includes a first substrate and a second substrate that face each other and sandwich an electro-optical material, and layers provided on a plate surface of the second substrate that faces the electro-optical material. A base layer having a plurality of protrusions with depressions formed on the top thereof, and a reflective layer having light reflectivity provided on the surface of the base layer having the plurality of protrusions. According to this electro-optical device, incident light from the first substrate side can be favorably scattered by the reflective layer and then reflected to the first substrate side, so that a good display quality with reduced reflection of the background can be achieved. Is obtained. Furthermore, the present invention is also specified as an electronic apparatus including the electro-optical device as a display device. As this type of electro-optical device, various electro-optical devices such as a mobile phone and a personal computer are conceivable.

以上に説明したように、本発明によれば、簡易な製造工程によって良好な光散乱効果を有する反射層が得られる。   As described above, according to the present invention, a reflective layer having a good light scattering effect can be obtained by a simple manufacturing process.

図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。以下では電気光学物質として液晶を用いた液晶表示装置に本発明を適用した形態を例示するが、本発明が適用され得る範囲をこれに限定する趣旨ではない。また、以下に示す各図面においては、説明の便宜のために各構成要素の寸法や比率を実際のものとは異ならせてある。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, a mode in which the present invention is applied to a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material will be exemplified, but the scope to which the present invention can be applied is not limited to this. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the constituent elements are different from actual ones for convenience of explanation.

<A:第1実施形態>
<A−1:液晶表示装置の構成>
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図2は、この液晶表示装置の一部を拡大して示す斜視図である。図2におけるI−I線からみた断面図が図1に相当する。これらの図に示されるように、液晶表示装置100は、略長方形の枠状に成形されたシール材34を介して相互に対向するように配置された第1基板10と第2基板20とを有する。これらの基板はガラスやプラスチックなどの光透過性を有する材料からなる板状またはフィルム状の部材である。両基板とシール材34とによって囲まれた空間には例えばTN(Twisted Nematic)型の液晶35が封止されている。以下では、図1および図2に示されるように、液晶35からみて第1基板10側を「観察側」と表記する。すなわち、液晶表示装置100による表示画像を視認する観察者が位置する側という意味である。これに対し、液晶35からみて第2基板20側を「背面側」と表記する。第1基板10のうち観察側の板面上には、表示画像のコントラストを改善するための位相差板311や入射光を偏光させる偏光板312が貼着されており、第2基板20のうち背面側の板面上には同様の位相差板321と偏光板322とが貼着されている(図2においては図示略)。また、第2基板20は第1基板10の周縁から張り出した部分(以下「張出部」という)20aを有する。この張出部20aには、液晶表示装置100を駆動するための回路を備えたICチップ38がCOG(Chip On Glass)技術により実装されている。
<A: First Embodiment>
<A-1: Configuration of liquid crystal display device>
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a part of the liquid crystal display device in an enlarged manner. A sectional view taken along line II in FIG. 2 corresponds to FIG. As shown in these drawings, the liquid crystal display device 100 includes a first substrate 10 and a second substrate 20 arranged so as to face each other through a sealing material 34 formed in a substantially rectangular frame shape. Have. These substrates are plate-like or film-like members made of a light-transmitting material such as glass or plastic. For example, a TN (Twisted Nematic) type liquid crystal 35 is sealed in a space surrounded by both substrates and the sealing material 34. In the following, as shown in FIGS. 1 and 2, the first substrate 10 side as viewed from the liquid crystal 35 is referred to as “observation side”. That is, it means the side where an observer who visually recognizes a display image by the liquid crystal display device 100 is located. On the other hand, when viewed from the liquid crystal 35, the second substrate 20 side is referred to as “back side”. A retardation plate 311 for improving the contrast of a display image and a polarizing plate 312 for polarizing incident light are attached to the observation-side plate surface of the first substrate 10. A similar retardation plate 321 and polarizing plate 322 are attached on the rear plate (not shown in FIG. 2). Further, the second substrate 20 has a portion (hereinafter referred to as “projected portion”) 20 a that projects from the periphery of the first substrate 10. An IC chip 38 having a circuit for driving the liquid crystal display device 100 is mounted on the overhanging portion 20a by a COG (Chip On Glass) technique.

第1基板10のうち液晶35と対向する板面上には複数の画素電極11がマトリクス状に配置されている。各画素電極11は、ITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性を有する導電性材料からなる略矩形状の電極である。X方向に隣接する画素電極11同士の間隙にはY方向に延在する走査線12が形成されている。各画素電極11はTFD(Thin Film Diode)素子13を介して走査線12に接続されている。このTFD素子13は、非線形な電流−電圧特性を有する二端子型スイッチング素子である。これらの各要素が形成された第1基板10の板面は、ラビング処理が施された配向膜14によって覆われている(図2では図示が省略されている)。   A plurality of pixel electrodes 11 are arranged in a matrix on the surface of the first substrate 10 facing the liquid crystal 35. Each pixel electrode 11 is a substantially rectangular electrode made of a conductive material having optical transparency such as ITO (Indium Tin Oxide). A scanning line 12 extending in the Y direction is formed in the gap between the pixel electrodes 11 adjacent in the X direction. Each pixel electrode 11 is connected to the scanning line 12 via a TFD (Thin Film Diode) element 13. The TFD element 13 is a two-terminal switching element having non-linear current-voltage characteristics. The plate surface of the first substrate 10 on which these elements are formed is covered with an alignment film 14 that has been subjected to a rubbing process (not shown in FIG. 2).

一方、第2基板20のうち液晶35と対向する板面上には、X方向に延在する複数のデータ線27が形成されている。各データ線27は、画素電極11と同様にITOなどの光透過性を有する導電性材料からなる電極であり、第1基板10上においてX方向に列をなす複数の画素電極11と対向する。これらのデータ線27が形成された第2基板20の板面は配向膜14と同様の配向膜28によって覆われている。この構成のもと、第1基板10と第2基板20とによって挟まれた液晶35は、各画素電極11とこれに対向するデータ線27との間にICチップ38から印加される電圧に応じて配向方向が変化する。図2に示されるように、この配向方向が変化する領域(以下「サブ画素」という)Gsの各々には赤色、緑色および青色のいずれかが割り当てられている。   On the other hand, a plurality of data lines 27 extending in the X direction are formed on the plate surface of the second substrate 20 facing the liquid crystal 35. Each data line 27 is an electrode made of a light-transmitting conductive material such as ITO, like the pixel electrode 11, and faces the plurality of pixel electrodes 11 that are arranged in the X direction on the first substrate 10. The plate surface of the second substrate 20 on which the data lines 27 are formed is covered with an alignment film 28 similar to the alignment film 14. With this configuration, the liquid crystal 35 sandwiched between the first substrate 10 and the second substrate 20 corresponds to the voltage applied from the IC chip 38 between each pixel electrode 11 and the data line 27 opposed thereto. The orientation direction changes. As shown in FIG. 2, each of the regions (hereinafter referred to as “sub-pixels”) Gs in which the orientation direction changes is assigned one of red, green, and blue.

また、第2基板20のうち液晶35と対向する板面上には、下地層21と反射層22とカラーフィルタ24と絶縁層26とが第2基板20側からこの順番に積層されている。上述したデータ線27および配向膜28は絶縁層26の表面上に形成されている。カラーフィルタ24は、各サブ画素Gsに対応して設けられた樹脂層であり、顔料や染料によって各サブ画素Gsの色に着色されている。赤色、緑色および青色の3色のカラーフィルタ24に対応するサブ画素Gsによって、表示画像の最小単位である画素が構成される。また、各色のカラーフィルタ24の間隙(すなわち隣り合うサブ画素Gs同士の間隙)には遮光層25が形成されている。この遮光層25は、カーボンブラックが分散された樹脂材料やクロムなどの遮光性を有する金属材料により形成されて各サブ画素Gsの間隙を遮光する役割を担っている。また、絶縁層26は、エポキシ系やアクリル系といった各種の樹脂材料によってカラーフィルタ24と遮光層25とを覆うように形成された膜体である。この絶縁層26は、カラーフィルタ24と遮光層25との段差を平坦化する役割と、カラーフィルタ24の顔料や染料が液晶35に染み出すのを防ぐ役割とを担っている。   On the plate surface of the second substrate 20 facing the liquid crystal 35, the base layer 21, the reflective layer 22, the color filter 24, and the insulating layer 26 are laminated in this order from the second substrate 20 side. The data line 27 and the alignment film 28 described above are formed on the surface of the insulating layer 26. The color filter 24 is a resin layer provided corresponding to each sub-pixel Gs, and is colored in the color of each sub-pixel Gs by a pigment or a dye. The sub-pixel Gs corresponding to the three color filters 24 of red, green and blue constitutes a pixel which is the minimum unit of the display image. In addition, a light shielding layer 25 is formed in the gap between the color filters 24 of each color (that is, the gap between adjacent subpixels Gs). The light shielding layer 25 is formed of a resin material in which carbon black is dispersed or a metal material having a light shielding property such as chromium, and plays a role of shielding the gap between the sub-pixels Gs. The insulating layer 26 is a film body formed so as to cover the color filter 24 and the light shielding layer 25 with various resin materials such as epoxy and acrylic. The insulating layer 26 has a role of flattening the step between the color filter 24 and the light shielding layer 25 and a role of preventing the pigment and dye of the color filter 24 from leaking into the liquid crystal 35.

一方、下地層21は、第2基板20の板面上に設けられた膜体であり、アクリル系やエポキシ系といった感光性を有する樹脂材料からなる。この下地層21は、第2基板20の表面うちシール材34によって囲まれた領域内のみに選択的に設けられており、ICチップ38が実装される張出部20aには存在しない。ここで、張出部20aを含む第2基板20の全面にわたって下地層21が形成された構成(すなわち下地層21の表面上にICチップ38が実装された構成)のもとでは、ICチップ38に外力が作用したときに下地層21がICチップ38とともに第2基板20から剥離しやすいという問題がある。これに対し、本実施形態のように張出部20aにおいて下地層21が完全に除去された構成(すなわちICチップ38が下地層21を介することなく第2基板20上に実装された構成)によれば、このような問題を回避できるという利点がある。   On the other hand, the foundation layer 21 is a film body provided on the plate surface of the second substrate 20 and is made of a photosensitive resin material such as acrylic or epoxy. The underlayer 21 is selectively provided only in the region surrounded by the sealing material 34 on the surface of the second substrate 20 and does not exist in the overhanging portion 20a on which the IC chip 38 is mounted. Here, under the configuration in which the base layer 21 is formed over the entire surface of the second substrate 20 including the overhanging portion 20a (that is, the configuration in which the IC chip 38 is mounted on the surface of the base layer 21), the IC chip 38 is provided. There is a problem that the base layer 21 easily peels off from the second substrate 20 together with the IC chip 38 when an external force is applied. On the other hand, as in the present embodiment, the base layer 21 is completely removed from the overhanging portion 20a (that is, a configuration in which the IC chip 38 is mounted on the second substrate 20 without the base layer 21). According to this, there is an advantage that such a problem can be avoided.

また、図1および図2に示されるように、この下地層21のうち各サブ画素Gsの中央付近に相当する部分には当該下地層21を厚さ方向に貫通する開口部211が設けられている。一方、反射層22は、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらの金属を主成分として含む合金など光反射性を有する材料により下地層21の表面上に形成された薄膜であり、下地層21の開口部211に対応するように開口した透光部221を有する。したがって、下地層21および反射層22に積層された各カラーフィルタ24の一部は、反射層22の透光部221と下地層21の開口部211を介して第2基板20の表面に至る。以上に説明した構成のもと、液晶表示装置100の背面側から第2基板20に入射したバックライトユニットからの出射光は、下地層21の開口部211と反射層22の透光部221とを通過したうえでカラーフィルタ24および液晶35を透過し、さらに第1基板10を透過して観察側に出射する。このように液晶表示装置100の背面側から観察側への透過光によって透過型表示が実現される。一方、液晶表示装置100の観察側から第1基板10に入射した室内照明光や太陽光などの外光は、液晶35とカラーフィルタ24とを透過して反射層22の表面に到達し、この表面において反射させられて第1基板10から観察側に出射する。このように反射層22による反射を経て観察側に出射する光によって反射型表示が実現される。   As shown in FIGS. 1 and 2, an opening 211 that penetrates the base layer 21 in the thickness direction is provided in a portion of the base layer 21 corresponding to the vicinity of the center of each sub-pixel Gs. Yes. On the other hand, the reflective layer 22 is a thin film formed on the surface of the base layer 21 by a material having light reflectivity such as a single metal such as aluminum or silver or an alloy containing these metals as a main component. The light-transmitting portion 221 is opened to correspond to the opening 211. Accordingly, a part of each color filter 24 laminated on the base layer 21 and the reflective layer 22 reaches the surface of the second substrate 20 through the light transmitting part 221 of the reflective layer 22 and the opening 211 of the base layer 21. With the configuration described above, the light emitted from the backlight unit that has entered the second substrate 20 from the back side of the liquid crystal display device 100 is transmitted through the opening 211 of the base layer 21 and the light transmitting portion 221 of the reflective layer 22. Through the color filter 24 and the liquid crystal 35, and further through the first substrate 10 to be emitted to the observation side. In this way, transmissive display is realized by the transmitted light from the back side of the liquid crystal display device 100 to the observation side. On the other hand, outside light such as room illumination light and sunlight incident on the first substrate 10 from the observation side of the liquid crystal display device 100 passes through the liquid crystal 35 and the color filter 24 and reaches the surface of the reflective layer 22. The light is reflected from the surface and emitted from the first substrate 10 to the observation side. Thus, the reflective display is realized by the light emitted to the observation side after being reflected by the reflective layer 22.

ここで、反射層22の表面が完全な平面であるとすれば液晶表示装置100に対する観察側からの入射光が反射層22の表面において鏡面反射することになるため、液晶表示装置100の表示面に対向する背景の画像が表示画像に映り込むといった問題が生じ得る。この問題を解消するために、本実施形態における反射層22の表面には反射光を適度に散乱させるための散乱構造が形成されている。さらに詳述すると、下地層21の表面が多数の微細な突起(凸部)または窪み(凹部)を有する粗面となっており、この粗面上に薄膜状に形成された反射層22の表面には当該下地層21の粗面を反映した微細な起伏(すなわち散乱構造)が現れているのである。図3は、本実施形態における下地層21の表面形状を拡大して示す斜視図である。同図に示されるように、下地層21の表面は多数の微細な突起213が形成された粗面となっている。あるいは、これらの突起213の頂上部を含む平面を基準とすれば、下地層21の表面は多数の微細な窪み214が形成された粗面であると捉えることもできる。また、図4は、下地層21の突起213を拡大して示す断面図である。同図に示されるように、突起213の頂上部から窪み214の底部までの距離を突起213の高さ(あるいは窪み214の深さ)Hとすると、各突起213の高さHは下地層21の厚さ(第2基板20との接触面と突起213の頂上部との距離)Tよりも小さくなっている。すなわち、下地層21表面の窪み214の深さは当該下地層21の厚さTよりも小さく、したがって各窪み214は下地層21を貫通しない。このように、下地層21表面の窪み214の深さは、その窪み214の底部において第2基板20が露出しないように選定されている。   Here, if the surface of the reflective layer 22 is a perfect plane, the incident light from the observation side with respect to the liquid crystal display device 100 is specularly reflected on the surface of the reflective layer 22. There may be a problem that a background image opposite to the image appears in the display image. In order to solve this problem, a scattering structure for appropriately scattering the reflected light is formed on the surface of the reflective layer 22 in the present embodiment. More specifically, the surface of the base layer 21 is a rough surface having a number of fine protrusions (convex portions) or depressions (concave portions), and the surface of the reflective layer 22 formed in a thin film shape on the rough surface. In the figure, fine undulations (that is, scattering structures) reflecting the rough surface of the underlayer 21 appear. FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the surface shape of the foundation layer 21 in the present embodiment. As shown in the figure, the surface of the base layer 21 is a rough surface on which a number of fine protrusions 213 are formed. Alternatively, if the plane including the tops of these protrusions 213 is used as a reference, the surface of the base layer 21 can be regarded as a rough surface on which a large number of fine depressions 214 are formed. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the protrusion 213 of the base layer 21. As shown in the figure, when the distance from the top of the protrusion 213 to the bottom of the depression 214 is the height H of the protrusion 213 (or the depth of the depression 214), the height H of each protrusion 213 is the base layer 21. Is less than the thickness T (the distance between the contact surface with the second substrate 20 and the top of the protrusion 213). That is, the depth of the depression 214 on the surface of the foundation layer 21 is smaller than the thickness T of the foundation layer 21, and thus each depression 214 does not penetrate the foundation layer 21. Thus, the depth of the depression 214 on the surface of the base layer 21 is selected so that the second substrate 20 is not exposed at the bottom of the depression 214.

また、図3および図4に示されるように、各突起213における頂上部の近傍には窪み(凹部)213aが形成されている。各窪み213aの深さDは突起213の高さH(あるいは窪み214の深さ)よりも小さい。本実施形態における下地層21の表面はこのような粗面とされているため、その表面上に形成された反射層22の表面には、図4に示されるように各々の頂上部に窪みを有する多数の微細な突起が形成されることとなる。ここで、反射層22の散乱構造を構成する各突起の頂上部が平坦面であるとすれば、観察側からの入射光は当該平坦面において鏡面反射することになるから、背景の映り込みを回避するために充分な光散乱効果は必ずしも得られない。これに対し、図3および図4に示した本実施形態に係る散乱構造によれば、反射層22による反射光を各突起の頂上部においても散乱させることができるから、背景の映り込みを完全に回避し得る良好な光散乱効果が得られる。   As shown in FIGS. 3 and 4, a depression (concave portion) 213 a is formed in the vicinity of the top of each protrusion 213. The depth D of each recess 213a is smaller than the height H of the protrusion 213 (or the depth of the recess 214). Since the surface of the base layer 21 in this embodiment is such a rough surface, the surface of the reflective layer 22 formed on the surface has a depression at the top as shown in FIG. A large number of fine protrusions are formed. Here, if the top of each protrusion constituting the scattering structure of the reflective layer 22 is a flat surface, the incident light from the observation side is specularly reflected on the flat surface, so that the reflection of the background is reflected. A sufficient light scattering effect to avoid it is not always obtained. On the other hand, according to the scattering structure according to the present embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the reflected light from the reflection layer 22 can be scattered even at the top of each protrusion, so that the reflection of the background is completely achieved. A good light scattering effect that can be avoided is obtained.

<A−2:液晶表示装置100の製造方法>
次に、第2基板20上に下地層21と反射層22とを形成する工程に特に着目しながら、本実施形態に係る液晶表示装置100の製造方法を説明する。図5は、各製造工程における第2基板20上の要素の構成を示す工程図(図1に示された断面に相当する)である。
<A-2: Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Device 100>
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment will be described with particular attention paid to the step of forming the base layer 21 and the reflective layer 22 on the second substrate 20. FIG. 5 is a process diagram (corresponding to the cross section shown in FIG. 1) showing the configuration of elements on the second substrate 20 in each manufacturing process.

まず、図5(a)に示されるように、下地層21となる膜体51が第2基板20上の板面上に形成される。この膜体51は、感光性を有するポジ型の樹脂材料をスピンコート法などの方法によって第2基板20上に塗布することによって得られる。次いで、この膜体51を減圧環境下において乾燥させたうえで、85℃から105℃の範囲の温度にて加熱(プリベーク)する。   First, as shown in FIG. 5A, a film body 51 to be the base layer 21 is formed on the plate surface on the second substrate 20. The film body 51 is obtained by applying a positive resin material having photosensitivity on the second substrate 20 by a method such as a spin coat method. Next, the film body 51 is dried in a reduced pressure environment and then heated (pre-baked) at a temperature in the range of 85 ° C. to 105 ° C.

この後、図5(b)に示されるように、膜体51がマスク(以下「露光用マスク」という)7aを介して露光される。より具体的には、膜体51の表面から60μm程度の間隔(プロキシミティギャップ)をあけて露光用マスク7aが配置されたうえで、膜体51に対して光源からの出射光(例えばi線)が照射される。図5(b)に示されるように、本実施形態においては、膜体51のうち下地層として残されるべき領域(以下「被加工領域」という)511の周囲にある領域(すなわちシール材34の外側に位置する領域である。以下「周辺領域」という)513と、下地層21の開口部211に相当する領域515と、被加工領域511のうち下地層21の表面において窪み214となるべき領域とが一括して露光される。ここで、図6は、この露光によって光分解する部分を示す図である。同図においては、被加工領域511と周辺領域513との境界の近傍が拡大して示されており、ハッチングが施された領域が露光により光分解した部分に相当している。図5および図6に示されるように、本実施形態においては、周辺領域513と開口部211に相当する領域515とについては膜体51が厚さ方向の全部にわたって光分解する一方、下地層21の窪み214となるべき領域517については膜体51の厚さ方向における一部分のみが光分解する。なお、この露光工程において用いられる露光用マスク7aの具体的な構成については後に詳述する。   Thereafter, as shown in FIG. 5B, the film body 51 is exposed through a mask (hereinafter referred to as “exposure mask”) 7a. More specifically, after the exposure mask 7a is arranged with a gap (proximity gap) of about 60 μm from the surface of the film body 51, the light emitted from the light source (for example, i-line) to the film body 51 ) Is irradiated. As shown in FIG. 5B, in the present embodiment, a region (that is, the sealing material 34) around the region (hereinafter referred to as “processed region”) 511 of the film body 51 to be left as a base layer. 513, a region 515 corresponding to the opening 211 of the base layer 21, and a region to be a depression 214 on the surface of the base layer 21 in the processed region 511. Are exposed together. Here, FIG. 6 is a diagram showing a portion that undergoes photolysis by this exposure. In the figure, the vicinity of the boundary between the work area 511 and the peripheral area 513 is shown enlarged, and the hatched area corresponds to a portion photodecomposed by exposure. As shown in FIG. 5 and FIG. 6, in this embodiment, the film body 51 is photodegraded over the entire thickness direction in the peripheral region 513 and the region 515 corresponding to the opening 211, while the underlayer 21. In the region 517 to be the depression 214, only a part in the thickness direction of the film body 51 is photodecomposed. The specific configuration of the exposure mask 7a used in this exposure step will be described in detail later.

次いで、膜体51に対して現像が施される。この現像により、図5(c)に示されるように、膜体51のうち露光により光分解した部分が選択的に除去される。続いて、120℃から130℃の範囲の温度にて膜体51が加熱(メルトベーク)される。この工程により、膜体51の表層部分のみが部分的に溶融し、現像により膜体51表面に現れた凹凸の角部分が丸められる。この後、220℃程度の温度にて膜体51が焼成(ポストベーク)される。これらの工程により、図5(d)に示されるように、膜体51全体の表面形状が確定されて下地層21が得られる。ここで、現像後における膜体51の加熱を2つの段階に分けて実行するのは、仮に現像後の膜体51を直ちに220℃程度の温度に加熱すると、その表面の凹凸が過度に溶融して平坦部の多い表面となり、その結果として光散乱効果が損なわれるからである。つまり、ポストベークに先立って120℃から130℃の範囲にて膜体51を加熱する工程は、膜体51の表面形状を所期の形状に維持および安定させるための工程であると言える。   Next, the film body 51 is developed. By this development, as shown in FIG. 5C, the portion of the film body 51 that has been photolyzed by exposure is selectively removed. Subsequently, the film body 51 is heated (melt-baked) at a temperature in the range of 120 ° C. to 130 ° C. By this step, only the surface layer portion of the film body 51 is partially melted, and the uneven corners appearing on the surface of the film body 51 by development are rounded. Thereafter, the film body 51 is baked (post-baked) at a temperature of about 220 ° C. Through these steps, as shown in FIG. 5D, the surface shape of the entire film body 51 is determined, and the underlayer 21 is obtained. Here, the heating of the film body 51 after the development is performed in two stages. If the film body 51 after the development is immediately heated to a temperature of about 220 ° C., the unevenness on the surface thereof is excessively melted. This is because the surface has many flat portions, and as a result, the light scattering effect is impaired. That is, it can be said that the step of heating the film body 51 in the range of 120 ° C. to 130 ° C. prior to post-baking is a process for maintaining and stabilizing the surface shape of the film body 51 in an intended shape.

次いで、図5(e)に示されるように、透光部221を有する反射層22が下地層21の表面上に形成される。すなわち、光反射性を有する材料からなる薄膜がスパッタリングなどの成膜方法によって下地層21の表面上に形成され、この薄膜がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングされることによって反射層22が得られる。上述したように、この反射層22の表面には下地層21の粗面を反映した散乱構造が形成される。   Next, as illustrated in FIG. 5E, the reflective layer 22 having the light transmitting portion 221 is formed on the surface of the base layer 21. That is, a thin film made of a light-reflective material is formed on the surface of the base layer 21 by a film formation method such as sputtering, and the thin film is patterned by a photolithography technique and an etching technique to obtain the reflection layer 22. . As described above, a scattering structure reflecting the rough surface of the base layer 21 is formed on the surface of the reflective layer 22.

続いて、カラーフィルタ24および遮光層25が形成され、これらを覆うように絶縁層26が形成される。さらに、絶縁層26の表面上にデータ線27が形成された後、ポリイミドなどの有機薄膜によって配向膜28が形成されてラビング処理が施される。一方、第1基板10上の各要素は公知である各種の技術によって製造され得る。次いで、以上の工程を経た第1基板10と第2基板20とが互いの配向膜14および28を対向させた状態でシール材34を介して貼り合わされる。さらに、両基板とシール材34とによって囲まれた空間に液晶35が封入され、この空間が封止材(図示略)によって封止される。この後、位相差板311および321や偏光板312および322が第1基板10および第2基板20にそれぞれ貼着されるとともに第2基板20の張出部20aにICチップ38が実装されて、図1に示される液晶表示装置100が得られる。   Subsequently, the color filter 24 and the light shielding layer 25 are formed, and the insulating layer 26 is formed so as to cover them. Further, after the data line 27 is formed on the surface of the insulating layer 26, an alignment film 28 is formed by an organic thin film such as polyimide and subjected to a rubbing process. Meanwhile, each element on the first substrate 10 can be manufactured by various known techniques. Next, the first substrate 10 and the second substrate 20 that have undergone the above-described processes are bonded together with the sealing material 34 in a state where the alignment films 14 and 28 face each other. Further, a liquid crystal 35 is sealed in a space surrounded by both substrates and the sealing material 34, and this space is sealed with a sealing material (not shown). Thereafter, the retardation plates 311 and 321 and the polarizing plates 312 and 322 are attached to the first substrate 10 and the second substrate 20, respectively, and the IC chip 38 is mounted on the overhanging portion 20a of the second substrate 20, The liquid crystal display device 100 shown in FIG. 1 is obtained.

<A−3:露光用マスク7aの構成>
次に、図5(b)の露光工程(以下では単に「露光工程」という)において用いられる露光用マスク7aの構成を説明する。図7は露光用マスク7aの構成を示す平面図である。同図に示されるように、本実施形態における露光用マスク7aは平面的にみると第1領域71と第2領域72とに区分される。このうち第1領域71は、露光工程において周辺領域513(すなわち下地層21を構成しないものとして現像により除去される領域)に対向させられる領域である。一方、第2領域72は、露光工程において膜体51の被加工領域511に対向させられる領域である。この第2領域72は、ランダムな位置に分散して配置された多数のドット状の領域(以下「ドット領域」という)721と、下地層21の開口部211に対応する領域(以下「開口形成領域」という)724とを含んでいる。本実施形態における各ドット領域721は、下地層21表面の突起213に相当する領域である。
<A-3: Configuration of Exposure Mask 7a>
Next, the configuration of the exposure mask 7a used in the exposure step (hereinafter simply referred to as “exposure step”) in FIG. FIG. 7 is a plan view showing the structure of the exposure mask 7a. As shown in the figure, the exposure mask 7a in the present embodiment is divided into a first region 71 and a second region 72 in plan view. Among these, the first region 71 is a region that is opposed to the peripheral region 513 (that is, a region that is removed by development as not constituting the underlayer 21) in the exposure process. On the other hand, the second region 72 is a region that faces the processing region 511 of the film body 51 in the exposure process. The second region 72 includes a large number of dot-like regions (hereinafter referred to as “dot regions”) 721 that are distributed at random positions and a region corresponding to the opening 211 of the base layer 21 (hereinafter referred to as “opening formation”). 724) (referred to as “region”). Each dot region 721 in the present embodiment is a region corresponding to the protrusion 213 on the surface of the base layer 21.

次に、図8は露光用マスク7aの構成を示す断面図である。同図に示すように断面構造に着目すると、露光用マスク7aは、基材70と、この基材70の板面上に形成された遮光部84および半透過部86とを有する。このうち基材70は、光源からの照射光の略総てを透過させる板状の部材である。すなわち、露光処理における光源からの出射光に対する基材70自体の光透過率は約100%である。これに対し、遮光部84は、光源からの照射光の略総てを遮光(吸収または反射)する膜体であり、例えばクロムなどの遮光性を有する材料によって形成される。一方、半透過部86は、光源からの照射光を基材70よりも低い光透過率にて透過させる部分である。すなわち、半透過部86は、光源からの出射光の一部のみを透過させる一方、他の一部は遮光(吸収または反射)する。この半透過部86の具体的な形態としては、以下に示すハーフトーンおよびグレートーンの何れかが採用され得る。もっとも、本発明における半透過部は以下に示される構成に限定されない。   Next, FIG. 8 is a sectional view showing the structure of the exposure mask 7a. Focusing on the cross-sectional structure as shown in the figure, the exposure mask 7 a has a base material 70, and a light shielding portion 84 and a semi-transmissive portion 86 formed on the plate surface of the base material 70. Among these, the base material 70 is a plate-like member that transmits almost all of the irradiation light from the light source. That is, the light transmittance of the base material 70 itself with respect to the light emitted from the light source in the exposure processing is about 100%. On the other hand, the light-shielding portion 84 is a film body that shields (absorbs or reflects) substantially all of the light emitted from the light source, and is formed of a light-shielding material such as chromium. On the other hand, the semi-transmissive portion 86 is a portion that transmits the irradiation light from the light source with a light transmittance lower than that of the base material 70. In other words, the semi-transmissive portion 86 transmits only a part of the light emitted from the light source, while the other part is shielded (absorbed or reflected). As a specific form of the semi-transmissive portion 86, any of the following halftone and gray tone can be adopted. However, the semi-transmissive portion in the present invention is not limited to the configuration shown below.

ハーフトーンは、酸化クロム(Cr)やモリブデンシリサイド(MoSiまたはMoSi)といった遮光性を有する材料からなる。これらの材料が基材70に薄膜状に形成されることにより、光源からの照射光の一部のみが透過して膜体51に到達する一方、他の一部は遮光される。 The halftone is made of a light-shielding material such as chromium oxide (Cr 2 O 3 ) or molybdenum silicide (MoSi or MoSi 2 ). By forming these materials on the base material 70 in a thin film shape, only a part of the irradiation light from the light source is transmitted and reaches the film body 51, while the other part is shielded.

一方、グレートーンは、多数の微細な遮光部(以下「微小遮光部」という)と多数の微細な透光部(以下「微小透光部」という)とを基材70上に面状に配列してなる。このうち各微小遮光部は、遮光部84と共通の工程にて形成される部分であり、光源からの照射光の略総てを遮光する。これに対し、各微小透光部は、基材70上が露出した部分(すなわち遮光性を有する部材が設けられていない部分)であり、したがって光源からの照射光の略総てを透過させる。これらの各領域が面状に混在して配列されるため、光源からの照射光の一部は微小透光部を透過して膜体51に到達する一方、他の一部は微小遮光部によって遮光される。このグレートーンを採用した半透過部86においては、透過光の強度が半透過部86の面内にわたって略均一となるように、微小遮光部と微小透光部とが半透過部86の面内において分散して配置されることが望ましい。図9および図10は、各微小遮光部と各微小透光部との望ましい配列の態様を示す平面図である。   On the other hand, in gray tone, a large number of fine light-shielding portions (hereinafter referred to as “micro-light-shielding portions”) and a large number of fine light-transmitting portions (hereinafter referred to as “micro-light-transmitting portions”) are arranged on the substrate 70 in a planar shape. Do it. Among these, each minute light-shielding part is a part formed in the same process as the light-shielding part 84, and shields substantially all of the irradiation light from the light source. On the other hand, each micro light-transmitting portion is a portion where the base material 70 is exposed (that is, a portion where no light-shielding member is provided), and therefore transmits almost all of the irradiation light from the light source. Since each of these regions is arranged in a plane, a part of the irradiation light from the light source passes through the minute light transmitting part and reaches the film body 51, while the other part is caused by the minute light shielding part. Shaded. In the semi-transmissive portion 86 that employs this gray tone, the minute light-shielding portion and the minute light-transmissive portion are in the plane of the semi-transmissive portion 86 so that the intensity of the transmitted light is substantially uniform over the surface of the semi-transmissive portion 86. It is desirable to disperse and arrange in FIG. FIG. 9 and FIG. 10 are plan views showing desirable arrangement modes of the minute light-shielding portions and the minute light-transmitting portions.

図9においては、略正方形状の微小遮光部861と、同じく略正方形状の微小透光部862とが、相互に直交するx方向およびy方向にわたって互い違いに(すなわち微小遮光部861同士または微小透光部862同士が隣接しないように)配置された態様が例示されている。ここで、各微小遮光部861および各微小透光部862の各辺の長さによっては、微小透光部862を透過した光が微小遮光部861の周縁にて回折して相互に干渉し、この結果、被加工領域511に対して所期の光量を照射することが妨げられ得る。この問題を解消するために、各微小遮光部861および各微小透光部862の各辺の長さLは1.0μm以上2.0μm以下とすることが望ましく、1.5μm以下とすることがさらに好ましい。   In FIG. 9, the substantially square-shaped micro light-shielding portions 861 and the substantially square-shaped micro light-transmitting portions 862 are staggered in the x and y directions orthogonal to each other (that is, between the micro light-shielding portions 861 or the micro-transparent portions). A mode in which the light portions 862 are arranged so that the light portions 862 are not adjacent to each other is illustrated. Here, depending on the length of each side of each micro light shielding portion 861 and each micro light transmitting portion 862, the light transmitted through the micro light transmitting portion 862 is diffracted at the periphery of the micro light shielding portion 861 and interferes with each other. As a result, it is possible to prevent the intended region 511 from being irradiated with the desired amount of light. In order to solve this problem, the length L of each side of each micro light-shielding portion 861 and each micro light-transmissive portion 862 is preferably 1.0 μm or more and 2.0 μm or less, and is preferably 1.5 μm or less. Further preferred.

一方、図10においては、y方向に延在する線状の微小遮光部865と、同じくy方向に延在する線状の微小透光部866とが、y方向と直交するx方向にわたって交互に(すなわち微小遮光部865同士または微小透光部866同士が隣接しないように)配置された態様が例示されている。この態様のもとでも、回折光の干渉による不具合を防止するという観点から、各微小遮光部865および各微小透光部866の幅Wは1.0μm以上2.0μm以下とすることが望ましく、1.5μm以下とすることがさらに好ましい。   On the other hand, in FIG. 10, linear micro light-shielding portions 865 extending in the y direction and linear micro light-transmitting portions 866 extending in the y direction are alternately arranged in the x direction orthogonal to the y direction. In other words, a mode in which the micro light shielding portions 865 or the micro light transmitting portions 866 are not adjacent to each other is illustrated. Even in this mode, from the viewpoint of preventing problems due to interference of diffracted light, the width W of each micro light-shielding portion 865 and each micro light-transmissive portion 866 is preferably 1.0 μm or more and 2.0 μm or less. More preferably, it is 1.5 μm or less.

以上に説明した2種類の半透過部86のうちハーフトーンが採用された半透過部86によれば、グレートーンが採用された半透過部86と比較して、半透過部86を透過した光の回折が原理的に発生し得ないという利点がある。ただし、ハーフトーンが採用された半透過部86は、露光用マスク7aの遮光部84とは別個の工程にて形成される。これに対し、グレートーンが採用された半透過部86によれば、露光用マスク7aの遮光部84と共通の工程にて半透過部86を形成することができるという利点がある。   Of the two types of semi-transmissive portions 86 described above, the semi-transmissive portion 86 employing a halftone has a light transmitted through the semi-transmissive portion 86 as compared with the semi-transmissive portion 86 employing a gray tone. There is an advantage that the diffraction of the above cannot be generated in principle. However, the semi-transmissive portion 86 in which halftone is adopted is formed in a separate process from the light shielding portion 84 of the exposure mask 7a. On the other hand, according to the semi-transmission part 86 employing the gray tone, there is an advantage that the semi-transmission part 86 can be formed in the same process as the light shielding part 84 of the exposure mask 7a.

さて、図7においては、ハッチングが密に施された領域は遮光部84が設けられていることを示し、ハッチングが疎に施された領域は半透過部86が設けられていることを示す一方、ハッチングが施されていない領域は遮光部84および半透過部86の何れも設けられていないことを示している(以下に示す図13ないし図15においても同様である)。図7に示されるように、本実施形態に係る露光用マスク7aのうち第1領域71には遮光部84および半透過部86の何れも設けられていない。すなわち、第1領域71は基材70のみが存在する領域であり、光源から周辺領域513に向かう光を透過させる透光部81として機能する。開口形成領域724も第1領域71と同様に基材70のみの領域であって透光部81として機能する。したがって、図6に示したように、第1領域71の透過光が到達する膜体51の周辺領域513と開口形成領域724の透過光が到達する膜体51の領域515とは、その厚さ方向の全部にわたって光分解することとなる。一方、図7に示されるように、第2領域72のうち各ドット領域721と開口形成領域724とを除いた領域には半透過部86が設けられている。したがって、光源から膜体51の被加工領域511に向かう光のうち下地層21において窪み214となるべき領域に向かう光は、その一部のみが膜体51の表面に到達する。したがって、図6に示したように、膜体51のうち下地層21の窪み214となるべき領域については厚さ方向における一部分のみが光分解する。   In FIG. 7, the hatched area indicates that the light shielding portion 84 is provided, and the hatched area indicates that the semi-transmissive portion 86 is provided. The hatched area indicates that neither the light-shielding portion 84 nor the semi-transmissive portion 86 is provided (the same applies to FIGS. 13 to 15 described below). As shown in FIG. 7, neither the light shielding part 84 nor the semi-transmissive part 86 is provided in the first region 71 of the exposure mask 7 a according to this embodiment. That is, the first region 71 is a region where only the base material 70 exists, and functions as a light transmitting part 81 that transmits light from the light source toward the peripheral region 513. Similarly to the first area 71, the opening formation area 724 is an area of only the base material 70 and functions as the light transmitting portion 81. Therefore, as shown in FIG. 6, the peripheral region 513 of the film body 51 to which the transmitted light of the first region 71 reaches and the region 515 of the film body 51 to which the transmitted light of the opening formation region 724 reach have the thickness. Photolysis will occur over the entire direction. On the other hand, as shown in FIG. 7, a semi-transmissive portion 86 is provided in a region excluding each dot region 721 and the opening formation region 724 in the second region 72. Accordingly, only a part of the light traveling from the light source toward the processing region 511 of the film body 51 toward the region to be the depression 214 in the base layer 21 reaches the surface of the film body 51. Therefore, as shown in FIG. 6, only a part in the thickness direction of the film body 51 to be the depression 214 of the base layer 21 is photodecomposed.

さらに、図7に示されるように、第2領域72の各ドット領域721は遮光部84によって覆われている。したがって、被加工領域511のうち各ドット領域721によって光の照射が妨げられた領域は、現像によって除去されることなく下地層21の突起213となる。図11は、ひとつのドット領域721を拡大して示す平面図である。同図に示されるように、本実施形態における各ドット領域721の形状は略多角形(ここでは六角形)であり、したがって各遮光部84の平面形状も略多角形となっている。ここで、図11に示される各ドット領域721の外接円Cの直径dが余りに小さいと、露光工程において実際に露光される領域を正確に制御することが困難となる場合がある。その一方、各ドット領域721の外接円Cの直径dが余りに大きいと、下地層21の突起213の頂上部が平坦な面となり、その表面上に形成された反射層22による光散乱効果が低下する。そこで、各ドット領域721の外接円Cの直径dは8.0μm以上11.0μm以下とされることが望ましく、9.0μm以上10.0μm以下とされることが更に望ましい。   Further, as shown in FIG. 7, each dot region 721 of the second region 72 is covered with a light shielding portion 84. Therefore, a region of the processing region 511 that is prevented from being irradiated with light by each dot region 721 becomes a protrusion 213 of the base layer 21 without being removed by development. FIG. 11 is an enlarged plan view showing one dot region 721. As shown in the figure, the shape of each dot region 721 in the present embodiment is a substantially polygon (here, a hexagon), and therefore the planar shape of each light shielding portion 84 is also a substantially polygon. Here, if the diameter d of the circumscribed circle C of each dot area 721 shown in FIG. 11 is too small, it may be difficult to accurately control the area actually exposed in the exposure process. On the other hand, if the diameter d of the circumscribed circle C of each dot region 721 is too large, the top of the protrusion 213 of the base layer 21 becomes a flat surface, and the light scattering effect by the reflective layer 22 formed on the surface is reduced. To do. Therefore, the diameter d of the circumscribed circle C of each dot region 721 is preferably set to 8.0 μm to 11.0 μm, and more preferably set to 9.0 μm to 10.0 μm.

ここで、露光用マスク7aの板面全体の面積(すなわち第1領域71と第2領域72とを合わせた面積)に占める複数のドット領域721の合計面積の割合は、以下のようにして選定されることが望ましい。すなわち、本実施形態におけるドット領域721は膜体51のうち下地層21において突起213となる領域に対応しているから、露光用マスク7aの板面全体に占めるドット領域721の割合が余りに小さい場合には、下地層21の表面に占める突起213の面積が小さくなって平坦部が増加し、反射層22による光散乱効果が低減されることとなる。一方、露光用マスク7aの板面全体に占めるドット領域721の割合が余りに大きい場合には、下地層21の表面に占める突起213の面積が大きくなる結果として平坦部が増加し、この場合にも反射層22による光散乱効果は低減される。したがって、反射層22による良好な光散乱効果を得るためには、露光用マスク7aの全体面積に占めるドット領域721の合計面積の割合を30%以上60%以下とすることが望ましい。   Here, the ratio of the total area of the plurality of dot regions 721 in the area of the entire plate surface of the exposure mask 7a (that is, the total area of the first region 71 and the second region 72) is selected as follows. It is desirable that That is, since the dot region 721 in the present embodiment corresponds to the region of the film body 51 that becomes the protrusion 213 in the base layer 21, the proportion of the dot region 721 in the entire plate surface of the exposure mask 7a is too small. In this case, the area of the protrusion 213 occupying the surface of the base layer 21 is reduced, the flat portion is increased, and the light scattering effect by the reflective layer 22 is reduced. On the other hand, when the ratio of the dot region 721 to the entire plate surface of the exposure mask 7a is too large, the flat portion increases as a result of the area of the projection 213 occupying the surface of the base layer 21 increasing. The light scattering effect by the reflective layer 22 is reduced. Therefore, in order to obtain a good light scattering effect by the reflective layer 22, it is desirable that the ratio of the total area of the dot regions 721 in the entire area of the exposure mask 7a is 30% or more and 60% or less.

一方、図11に示されるように、各ドット領域721の周囲には、当該ドット領域721の全周縁(遮光部84の全周縁)と接するように周辺透光部88が設けられている。この周辺透光部88は、透光部81と同様に遮光部84および半透過部86の何れも設けられていない部分(すなわち基材70が露出した部分)であり、したがって、光源からの出射光は透光部81と略同一の光透過率(約100%)にて周辺透光部88を透過して膜体51に到達する。図12は、各ドット領域721の近傍における透過光の進行の様子を示す図である。同図に示されるように、ひとつのドット領域721の周囲に設けられた周辺透光部88を透過した光は、このドット領域721を覆う遮光部84の周縁において回折した後に膜体51の表面に至る。ここで、周辺透光部88を透過して膜体51の表面に至る各回折光Liの光路長は等しいから、これらの回折光Liの膜体51表面における位相差はゼロとなり、各回折光Liは膜体51表面において相互に強め合うこととなる。これにより、膜体51のうち突起213の頂上部に相当する領域518は部分的に光分解し、その後に現像されることによって図3および図4に示されるような突起213の頂上部の窪み213aとなるのである。   On the other hand, as shown in FIG. 11, a peripheral translucent portion 88 is provided around each dot region 721 so as to be in contact with the entire periphery of the dot region 721 (the entire periphery of the light shielding portion 84). Similar to the light transmitting portion 81, the peripheral light transmitting portion 88 is a portion where neither the light shielding portion 84 nor the semi-transmissive portion 86 is provided (that is, the portion where the base material 70 is exposed). The incident light passes through the peripheral light transmitting portion 88 with the same light transmittance as the light transmitting portion 81 (about 100%) and reaches the film body 51. FIG. 12 is a diagram showing a state of transmitted light in the vicinity of each dot region 721. As shown in the figure, the light transmitted through the peripheral light transmitting portion 88 provided around one dot region 721 is diffracted at the periphery of the light shielding portion 84 covering the dot region 721 and then the surface of the film body 51. To. Here, since the optical path length of each diffracted light Li passing through the peripheral light transmitting portion 88 and reaching the surface of the film body 51 is equal, the phase difference of the diffracted light Li on the surface of the film body 51 becomes zero, and each diffracted light Li strengthens each other on the surface of the film body 51. As a result, a region 518 corresponding to the top of the protrusion 213 in the film body 51 is partially photodegraded and then developed, whereby a depression at the top of the protrusion 213 as shown in FIGS. 3 and 4 is obtained. 213a.

以上に説明したように、本実施形態に係る露光用マスク7aは、被加工領域511のうち下地層21において窪み214となるべき領域と重なるように半透過部86を有するため、この領域においては厚さ方向の一部のみが光分解する。したがって、下地層21の窪み214の底部において第2基板20の表面が露出することはないから、この下地層21の表面に設けられた反射層22によれば良好な光散乱効果が奏される。しかも、この露光用マスク7aによれば、被加工領域511の周辺を除去するための露光と、下地層21の窪み214に相当する領域の部分的な露光とを共通の工程にて実施することができるから、従来の技術と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることができる。   As described above, the exposure mask 7a according to this embodiment has the semi-transmissive portion 86 so as to overlap the region to be the depression 214 in the base layer 21 in the region to be processed 511. Only a part in the thickness direction is photodegraded. Therefore, since the surface of the second substrate 20 is not exposed at the bottom of the recess 214 of the base layer 21, the reflective layer 22 provided on the surface of the base layer 21 provides a good light scattering effect. . Moreover, according to this exposure mask 7a, the exposure for removing the periphery of the region to be processed 511 and the partial exposure of the region corresponding to the depression 214 of the underlayer 21 are performed in a common process. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced as compared with the conventional technique.

<B:第2実施形態>
上記第1実施形態においては、露光用マスク7aのドット領域721と対応するように下地層21の突起213が形成される構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、露光用マスク7bのドット領域721と対応するように下地層21の窪み214が形成される。なお、本実施形態に係る露光用マスク7bは、上記第1実施形態と同様にポジ型の膜体51を露光するために用いられるものである。また、本実施形態のうち上記第1実施形態と共通する事項については適宜に説明を省略する。
<B: Second Embodiment>
In the first embodiment, the configuration in which the protrusions 213 of the base layer 21 are formed so as to correspond to the dot regions 721 of the exposure mask 7a is illustrated. On the other hand, in this embodiment, the depression 214 of the base layer 21 is formed so as to correspond to the dot region 721 of the exposure mask 7b. The exposure mask 7b according to the present embodiment is used for exposing the positive type film body 51 as in the first embodiment. In addition, in the present embodiment, the description common to the first embodiment will be omitted as appropriate.

図13は、本実施形態に係る露光用マスク7bの構成を示す平面図である。同図に示されるように、この露光用マスク7bは、第1領域71と開口形成領域724とが透光部81である点は上記実施形態に係る露光用マスク7aと共通するが、遮光部84と半透過部86との位置関係が露光用マスク7aとは逆転している。すなわち、露光用マスク7bの第2領域72のうち複数のドット領域721に対応する領域に半透過部86が設けられる一方、ドット領域721以外の領域に遮光部84が設けられている。露光用マスク7bのうちドット領域721の周縁(半透過部86の周縁)には、上記第1実施形態と同様に周辺透光部88が設けられている。   FIG. 13 is a plan view showing the configuration of the exposure mask 7b according to this embodiment. As shown in the figure, the exposure mask 7b is common to the exposure mask 7a according to the above embodiment in that the first region 71 and the opening formation region 724 are the light transmitting portion 81, but the light shielding portion. The positional relationship between 84 and the semi-transmissive portion 86 is reverse to that of the exposure mask 7a. That is, the semi-transmissive portion 86 is provided in a region corresponding to the plurality of dot regions 721 in the second region 72 of the exposure mask 7b, and the light shielding portion 84 is provided in a region other than the dot region 721. In the exposure mask 7b, a peripheral light transmitting portion 88 is provided at the periphery of the dot region 721 (periphery of the semi-transmissive portion 86) as in the first embodiment.

本実施形態に係る液晶表示装置100の製造方法は、図5(b)に示される露光工程において露光用マスク7bが用いられる点を除いて、上記実施形態に示した製造方法と共通する。図5(b)に示される露光工程においては、上記第1実施形態と同様に、膜体51の周辺領域513および領域515が露光用マスク7bの第1領域71を透過した光によって厚さ方向の全部にわたって光分解する。また、膜体51の被加工領域511のうち下地層21の窪み214となる領域には露光用マスク7bのドット領域721に設けられた半透過部86を透過した光が照射され、その厚さ方向の一部にわたって光分解する。一方、被加工領域511のうちドット領域721以外の領域と重なる領域に向かう光は遮光部84によって遮られるから、この領域は現像によって除去されない。したがって、露光用マスク7bを用いた露光工程を経て得られる下地層21の表面は、多数の窪み214がランダムな位置に分散して形成された粗面となる。この実施形態によっても上記第1実施形態と同様の効果が得られる。   The manufacturing method of the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment is the same as the manufacturing method described in the above embodiment, except that the exposure mask 7b is used in the exposure step shown in FIG. In the exposure step shown in FIG. 5B, as in the first embodiment, the peripheral region 513 and the region 515 of the film body 51 are in the thickness direction by the light transmitted through the first region 71 of the exposure mask 7b. All of the photodecomposes. In addition, light that has passed through the semi-transmissive portion 86 provided in the dot region 721 of the exposure mask 7b is irradiated to the region of the processed region 511 of the film body 51 that becomes the depression 214 of the base layer 21, and the thickness thereof is irradiated. Photolytic over part of direction. On the other hand, since the light which goes to the area | region which overlaps with areas other than the dot area | region 721 among the process area | regions 511 is interrupted | blocked by the light-shielding part 84, this area | region is not removed by development. Therefore, the surface of the base layer 21 obtained through the exposure process using the exposure mask 7b is a rough surface formed by dispersing a large number of depressions 214 at random positions. This embodiment can provide the same effects as those of the first embodiment.

<C:第3実施形態>
上記第1および第2実施形態においては、ポジ型の感光性材料からなる膜体51を加工することによって下地層21を形成する場合を例示した。これに対し、本実施形態においては、膜体51がネガ型の感光性材料によって形成される。なお、本実施形態のうち上記第1実施形態と共通する事項については適宜に説明を省略する。
<C: Third Embodiment>
In the said 1st and 2nd embodiment, the case where the base layer 21 was formed by processing the film body 51 which consists of a positive photosensitive material was illustrated. On the other hand, in this embodiment, the film body 51 is formed of a negative photosensitive material. Note that, in the present embodiment, the description of matters common to the first embodiment is omitted as appropriate.

図14は、本実施形態に係る露光用マスク7cの構成を示す平面図である。本実施形態においてはネガ型の感光性材料からなる膜体51を露光するため、露光用マスク7cは、同図に示されるように遮光部84と透光部81との位置関係が上記第1実施形態に示した露光用マスク7a(図7参照)とは逆転している。すなわち、露光用マスク7cのうち第1領域71と開口形成領域724とには遮光部84が形成される一方、第2領域72に含まれる各ドット領域721は透光部81となっている。第2領域72のうち各ドット領域721以外の領域に半透過部86が形成されている点は第1実施形態に係る露光用マスク7aと同様である。   FIG. 14 is a plan view showing the configuration of the exposure mask 7c according to this embodiment. In this embodiment, since the film body 51 made of a negative photosensitive material is exposed, the exposure mask 7c has a positional relationship between the light shielding portion 84 and the light transmitting portion 81 as shown in FIG. This is opposite to the exposure mask 7a (see FIG. 7) shown in the embodiment. That is, the light shielding portion 84 is formed in the first region 71 and the opening formation region 724 of the exposure mask 7 c, while each dot region 721 included in the second region 72 is a light transmitting portion 81. The semi-transmissive portion 86 is formed in the second area 72 other than the dot areas 721, similar to the exposure mask 7a according to the first embodiment.

本実施形態に係る液晶表示装置100の製造方法は、図5(a)に示される工程において膜体51がネガ型の感光性材料により形成される点と、図5(b)に示される工程において露光用マスク7cが用いられる点とを除いて、上記第1実施形態に示した製造方法と共通する。図5(b)に示される露光工程においては、膜体51の周辺領域513および領域515に向かう光が遮光部84によって遮られるため、これらの領域は現像により除去される。これに対し、膜体51のうち露光用マスク7cの各ドット領域721を透過した光が照射される部分はその厚さ方向の全部にわたって感光し、現像剤に対して不溶化する。したがって、膜体51の被加工領域511のうち各ドット領域721と重なる領域は下地層21表面の突起213となる。一方、露光用マスク7cのうち第2領域72の各ドット領域721以外の領域において半透過部86を透過した光は、膜体51に到達してその厚さ方向の一部のみを感光させる。したがって、この部分は現像により厚さ方向の一部のみが除去されて下地層21の窪み214となる。この実施形態によっても上記第1実施形態と同様の効果が得られる。   In the method of manufacturing the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment, the film body 51 is formed of a negative photosensitive material in the step shown in FIG. 5A, and the step shown in FIG. The manufacturing method shown in FIG. 1 is the same as that of the first embodiment except that the exposure mask 7c is used. In the exposure process shown in FIG. 5B, since the light directed to the peripheral region 513 and the region 515 of the film body 51 is blocked by the light blocking portion 84, these regions are removed by development. On the other hand, the portion of the film body 51 that is irradiated with the light that has passed through each dot region 721 of the exposure mask 7c is exposed throughout the thickness direction and is insoluble in the developer. Therefore, a region that overlaps each dot region 721 in the processing region 511 of the film body 51 becomes a protrusion 213 on the surface of the base layer 21. On the other hand, the light transmitted through the semi-transmissive portion 86 in the area other than the dot areas 721 of the second area 72 in the exposure mask 7c reaches the film body 51 and exposes only a part in the thickness direction. Therefore, only a part in the thickness direction is removed by this development, and this portion becomes a recess 214 of the base layer 21. This embodiment can provide the same effects as those of the first embodiment.

<D:第4実施形態>
上記第3実施形態においては、露光用マスク7cのドット領域721と対応するように下地層21の突起213が形成される構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、露光用マスク7dのドット領域721と対応するように下地層21の窪み214が形成される。本実施形態に係る下地層21は、上記第3実施形態と同様にネガ型の感光性材料によって形成される。すなわち、本実施形態は、膜体51を構成する感光性材料の種類と、これに起因した露光用マスク7dの構成とを除いて上記第2実施形態と共通する。
<D: Fourth Embodiment>
In the said 3rd Embodiment, the structure in which the processus | protrusion 213 of the base layer 21 was formed corresponding to the dot area | region 721 of the mask 7c for exposure was illustrated. On the other hand, in this embodiment, the depression 214 of the underlayer 21 is formed so as to correspond to the dot region 721 of the exposure mask 7d. The underlayer 21 according to the present embodiment is formed of a negative photosensitive material as in the third embodiment. That is, the present embodiment is common to the second embodiment except for the type of photosensitive material constituting the film body 51 and the configuration of the exposure mask 7d resulting therefrom.

図15は、本実施形態に係る露光用マスク7dの構成を示す平面図である。同図に示されるように、この露光用マスク7dは、遮光部84と透光部81との位置関係が上記第2実施形態に示した露光用マスク7bとは逆転している。すなわち、露光用マスク7dのうち第1領域71と開口形成領域724とには遮光部84が形成される一方、第2領域72のうち各ドット領域721以外の領域は透光部81となっている。第2領域72のうち各ドット領域721に半透過部86が形成されている点は第2実施形態に係る露光用マスク7bと同様である。   FIG. 15 is a plan view showing the configuration of the exposure mask 7d according to this embodiment. As shown in the figure, the exposure mask 7d has the positional relationship between the light shielding portion 84 and the light transmitting portion 81 reversed from the exposure mask 7b shown in the second embodiment. That is, the light shielding portion 84 is formed in the first region 71 and the opening formation region 724 in the exposure mask 7d, while the region other than the dot regions 721 in the second region 72 is the light transmitting portion 81. Yes. The point that the semi-transmissive portion 86 is formed in each dot region 721 in the second region 72 is the same as the exposure mask 7b according to the second embodiment.

本実施形態に係る液晶表示装置100の製造方法は、図5(a)に示される工程において膜体51がネガ型の感光性材料によって形成される点と、図5(b)に示される工程において露光用マスク7dが用いられる点を除いて、上記第1実施形態に示した製造方法と共通する。図5(b)に示される露光工程においては、膜体51の周辺領域513および領域515に向かう光が遮光部84によって遮られるため、この領域は現像により除去される。これに対し、膜体51のうち露光用マスク7dの各ドット領域721以外の領域を透過した光が照射される部分はその厚さ方向の全部にわたって感光し、現像剤に対して不溶化する。また、露光用マスク7dのうち第2領域72の各ドット領域721において半透過部86を透過した光は、膜体51に到達してその厚さ方向の一部のみを感光させる。したがって、この部分は現像により厚さ方向の一部のみが除去されて下地層21の窪み214となる。この実施形態によっても上記第1実施形態と同様の効果が得られる。   In the method of manufacturing the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment, the film body 51 is formed of a negative photosensitive material in the step shown in FIG. 5A, and the step shown in FIG. The manufacturing method is the same as that of the first embodiment except that the exposure mask 7d is used. In the exposure step shown in FIG. 5B, the light directed to the peripheral region 513 and the region 515 of the film body 51 is blocked by the light shielding portion 84, and thus this region is removed by development. On the other hand, the portion of the film body 51 that is irradiated with the light transmitted through the region other than the dot regions 721 of the exposure mask 7d is exposed throughout the thickness direction and is insoluble in the developer. Further, the light transmitted through the semi-transmissive portion 86 in each dot region 721 of the second region 72 in the exposure mask 7d reaches the film body 51 and exposes only a part in the thickness direction. Therefore, only a part in the thickness direction is removed by this development, and this portion becomes a recess 214 of the base layer 21. This embodiment can provide the same effects as those of the first embodiment.

<E:変形例>
以上に説明した実施形態はあくまでも例示である。この形態に対しては本発明の趣旨から逸脱しない範囲で種々の変形が加えられ得る。具体的には、以下のような変形例が考えられる。
<E: Modification>
The embodiment described above is merely an example. Various modifications can be made to this embodiment without departing from the spirit of the present invention. Specifically, the following modifications can be considered.

(1)上記各実施形態においては各画素に対応するように下地層21に開口部211が設けられた構成を例示したが、図16に示されるように、下地層21に開口部211が設けられない構成も採用され得る。ただし、図16に示される構成においては、透過型表示に際して第2基板20側から第1基板10側に向かう光の一部が下地層21によって吸収されることとなる。したがって、透過型表示に供される光量の損失を抑えるという観点からすると、上記各実施形態のように下地層21に開口部211を設けた構成が望ましい。また、上記各実施形態においては反射型表示および透過型表示の双方が可能ないわゆる半透過反射型の液晶表示装置100を例示したが、反射型表示のみが可能な液晶表示装置100にも本発明は適用され得る。この場合には、反射層22の開口部211と反射層22の透光部221とが設けられない。したがって、露光用マスク7(7a、7b、7cおよび7d)には開口形成領域724が設けられない。 (1) In each of the above embodiments, the configuration in which the opening 211 is provided in the base layer 21 so as to correspond to each pixel is illustrated. However, as shown in FIG. 16, the opening 211 is provided in the base layer 21. Configurations that are not possible may also be employed. However, in the configuration shown in FIG. 16, part of the light traveling from the second substrate 20 side to the first substrate 10 side is absorbed by the base layer 21 in the transmissive display. Therefore, from the viewpoint of suppressing the loss of the amount of light used for the transmissive display, a configuration in which the opening 211 is provided in the base layer 21 as in the above embodiments is desirable. In each of the above embodiments, the so-called transflective liquid crystal display device 100 capable of both reflective display and transmissive display has been exemplified. However, the present invention also applies to the liquid crystal display device 100 capable of only reflective display. Can be applied. In this case, the opening 211 of the reflective layer 22 and the light transmitting part 221 of the reflective layer 22 are not provided. Accordingly, the opening formation region 724 is not provided in the exposure mask 7 (7a, 7b, 7c, and 7d).

(2)上記各実施形態においては遮光部84を単一層により構成したが、クロムなどの遮光性を有する層とハーフトーンを採用した半透過部86とを積層したものを遮光部84として用いてもよい。この構成によれば、遮光部84による遮光性を高めることができる。 (2) In each of the above embodiments, the light-shielding portion 84 is configured by a single layer. However, the light-shielding portion 84 is formed by laminating a light-shielding layer such as chrome and a semi-transmissive portion 86 employing a halftone. Also good. According to this configuration, the light shielding performance by the light shielding unit 84 can be enhanced.

(3)上記各実施形態においては露光用マスク7(7a、7b、7cおよび7d)のドット領域721を多角形としたが、各ドット領域721の平面形状は任意であり、例えば正多角形以外の多角形や円形としてもよい。なお、ドット領域721の平面形状を多角形とした場合にはその頂角の各々が鈍角であることが望ましい。ドット領域721の頂角を鋭角とした場合にはその近傍において光の回折が生じ、所期の露光が妨げられる可能性があるからである。 (3) In each of the above embodiments, the dot area 721 of the exposure mask 7 (7a, 7b, 7c and 7d) is a polygon, but the planar shape of each dot area 721 is arbitrary, for example, other than a regular polygon It may be a polygon or a circle. In addition, when the planar shape of the dot area | region 721 is made into a polygon, it is desirable for each of the vertex angle to be an obtuse angle. This is because if the apex angle of the dot region 721 is an acute angle, light is diffracted in the vicinity of the dot region 721, and the intended exposure may be hindered.

(4)上記第1および第2実施形態においては各ドット領域721の全周縁と接するように周辺透光部88を設けた構成を例示したが、図17に示されるように、周辺透光部88が各ドット領域721(ここでは遮光部84)の周縁と部分的に接するように設けられた構成も採用され得る。同図においては、略六角形状であるドット領域721の各辺のうち相互に隣接しない3辺のみに沿って周辺透光部88が設けられた構成が例示されている。図11に示した構成のもとでは、ドット領域721の全周縁にわたる周辺透光部88を透過して膜体51の領域518に到達する光量が多いため、突起213の頂上部の窪み213aが深くなり過ぎる可能性がある。これに対し、本変形例に係る構成によれば、周辺透光部88を透過して膜体51の領域518に至る回折光の光量を図12の場合よりも減らすことができるから、窪み213aが深くなり過ぎるのを抑えることができる。このように、周辺透光部88の形態は、窪み213aの深さが最適となるように選定されることが望ましい。 (4) In the first and second embodiments, the configuration in which the peripheral light-transmitting portion 88 is provided so as to contact the entire periphery of each dot region 721 has been illustrated. However, as shown in FIG. A configuration may also be employed in which 88 is provided so as to be in partial contact with the periphery of each dot region 721 (here, the light shielding portion 84). In the figure, a configuration in which the peripheral translucent portion 88 is provided along only three sides that are not adjacent to each other among the sides of the substantially hexagonal dot region 721 is illustrated. In the configuration shown in FIG. 11, since the amount of light that passes through the peripheral light transmitting portion 88 over the entire periphery of the dot region 721 and reaches the region 518 of the film body 51 is large, the depression 213a at the top of the protrusion 213 is formed. It may be too deep. On the other hand, according to the configuration according to the present modification, the amount of diffracted light that passes through the peripheral light transmitting portion 88 and reaches the region 518 of the film body 51 can be reduced as compared with the case of FIG. Can be prevented from becoming too deep. Thus, it is desirable that the shape of the peripheral translucent portion 88 is selected so that the depth of the recess 213a is optimal.

(5)上記各実施形態においては液晶表示装置を例示したが、本発明はこれ以外の電気光学装置にも適用され得る。すなわち、画像信号の供給という電気的な作用を輝度や光透過率の変化といった光学的な作用に変換する電気光学物質を用いて画像を表示する装置であれば本発明が適用され得る。例えば、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイ、あるいは、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイなど各種の電気光学装置に本発明が適用され得る。なお、本発明に係る電気光学装置用基板は、以上に例示したようにそれ自体が発光しない電気光学物質を利用して画像を表示する電気光学物質に対して特に好適であると言える。ただし、それ自体が発光する電気光学物質(すなわち自発光型の電気光学物質)を用いた電気光学装置にも本発明は適用され得る。例えば、自発光型の電気光学物質の背面側に本発明に係る電気光学装置用基板を設ければ、電気光学物質から背面側に発せられた光を観察側に反射させることによって明るい表示が実現される。この自発光型の電気光学物質を用いた電気光学装置としては、有機ELや発光ポリマーなどのOLED(Organic Light Emitting Diode)素子を電気光学物質として用いた表示装置や、ヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネル(PDP)、蛍光体を電気光学物質として用いたフィールドエミッションディスプレイ(FED)などが挙げられる。 (5) Although the liquid crystal display device has been exemplified in each of the above embodiments, the present invention can be applied to other electro-optical devices. That is, the present invention can be applied to any device that displays an image using an electro-optical material that converts an electrical action of supplying an image signal into an optical action such as a change in luminance and light transmittance. For example, an electrophoretic display device using a microcapsule including a colored liquid and white particles dispersed in the liquid as an electro-optical material, and a twist ball that is separately applied in different colors for different regions of polarity. The present invention can be applied to various electro-optical devices such as a twist ball display used as an electro-optical material or a toner display using black toner as an electro-optical material. It can be said that the electro-optical device substrate according to the present invention is particularly suitable for an electro-optical material that displays an image using an electro-optical material that itself does not emit light, as exemplified above. However, the present invention can also be applied to an electro-optical device using an electro-optical material that emits light (that is, a self-luminous electro-optical material). For example, when the electro-optic device substrate according to the present invention is provided on the back side of a self-luminous electro-optic material, a bright display is realized by reflecting light emitted from the electro-optic material to the back side to the observation side. Is done. The electro-optical device using the self-luminous electro-optical material includes a display device using an organic light emitting diode (OLED) element such as an organic EL or a light-emitting polymer as an electro-optical material, or a high-pressure gas such as helium or neon. For example, a plasma display panel (PDP) using a phosphor as an electro-optical material, and a field emission display (FED) using a phosphor as an electro-optical material.

<F:電子機器>
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備えた電子機器について説明する。図18は、上記各実施形態に係る液晶表示装置100を用いた携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した液晶表示装置100を備える。
<F: Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus including the electro-optical device according to the invention as a display device will be described. FIG. 18 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone using the liquid crystal display device 100 according to each of the above embodiments. As shown in this figure, the mobile phone 1200 includes the liquid crystal display device 100 described above together with a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206.

図19は、上記各実施形態に係る液晶表示装置100をファインダに適用したデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。デジタルスチルカメラ1300における本体1302の背面には、上記各実施形態に係る液晶表示装置100が設けられている。この液晶表示装置100は、撮像信号に基づいて表示を行なうので、被写体を表示するファインダとして機能することになる。また、本体1302の前面側(図19においては裏面側)には、光学レンズやCCDなどを含んだ受光ユニット1304が設けられている。撮影者が液晶表示装置100に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が回路基板1308のメモリに転送・記憶される。また、このデジタルスチルカメラ1300にあって、ケース1302の側面には、外部表示を行なうためのビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。   FIG. 19 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera in which the liquid crystal display device 100 according to each of the above embodiments is applied to a viewfinder. The liquid crystal display device 100 according to each of the above embodiments is provided on the back surface of the main body 1302 in the digital still camera 1300. Since the liquid crystal display device 100 performs display based on the imaging signal, it functions as a finder for displaying the subject. A light receiving unit 1304 including an optical lens and a CCD is provided on the front side of the main body 1302 (the back side in FIG. 19). When the photographer confirms the subject image displayed on the liquid crystal display device 100 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308. Further, in the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 for external display and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302.

なお、本発明に係る電気光学装置が表示装置として利用され得る電子機器としては、図18に示される携帯電話機や、図19に示されるデジタルスチルカメラのほかにも、ノートパソコンや、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。   Note that examples of electronic equipment in which the electro-optical device according to the present invention can be used as a display device include a notebook computer, a liquid crystal television, a mobile phone shown in FIG. 18 and a digital still camera shown in FIG. Examples include a viewfinder type (or monitor direct view type) video recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel.

本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 液晶表示装置の要部の構成を拡大して示す斜視図である。It is a perspective view which expands and shows the structure of the principal part of a liquid crystal display device. 液晶表示装置のうち下地層の表面形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the surface shape of a base layer among liquid crystal display devices. 下地層における突起を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the protrusion in a base layer. 液晶表示装置のうち第2基板上の各要素の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of each element on a 2nd board | substrate among liquid crystal display devices. 膜体のうち露光工程において光分解する部分を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the part photodecomposed in an exposure process among film bodies. 露光用マスクの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the mask for exposure. 露光用マスクの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the mask for exposure. グレートーンを採用した半透過部の具体的な構成を示す平面図である。It is a top view which shows the specific structure of the semi-transmission part which employ | adopted the gray tone. グレートーンを採用した半透過部の具体的な構成を示す平面図である。It is a top view which shows the specific structure of the semi-transmission part which employ | adopted the gray tone. 露光用マスクのドット領域を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the dot area | region of the mask for exposure. 光源から発せられてドット領域の近傍に至った光の経路を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the path | route of the light emitted from the light source and having reached the vicinity of the dot area | region. 本発明の第2実施形態に係る露光用マスクの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the mask for exposure which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る露光用マスクの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the mask for exposure which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係る露光用マスクの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the mask for exposure which concerns on 4th Embodiment of this invention. 変形例に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on a modification. 変形例に係る露光用マスクのドット領域を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the dot area | region of the mask for exposure which concerns on a modification. 本発明に係る電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone which is an example of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の一例たるデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of a digital still camera which is an example of an electronic apparatus according to the invention.

符号の説明Explanation of symbols

100……液晶表示装置、10……第1基板、11……画素電極、12……走査線、13……TFD素子、14……配向膜、20……第2基板、21……下地層、211……開口部、213……突起、213a……突起の頂上部の窪み、214……窪み、22……反射層、221……透光部、24……カラーフィルタ、25……遮光層、26……絶縁層、27……データ線、34……シール材、35……液晶、38……ICチップ、51……膜体、511……被加工領域、513……周辺領域、515……膜体のうち下地層の開口部となる領域、517……膜体のうち下地層の窪みとなる領域、7a,7b,7c,7d……露光用マスク、71……第1領域、72……第2領域、721……ドット領域、81……透光部、84……遮光部、86……半透過部、861,865……微小遮光部、862,866……微小透光部、88……周辺透光部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Liquid crystal display device, 10 ... 1st board | substrate, 11 ... Pixel electrode, 12 ... Scanning line, 13 ... TFD element, 14 ... Alignment film, 20 ... 2nd board | substrate, 21 ... Underlayer , 211... Opening, 213... Projection, 213 a .. depression on top of projection, 214... Depression, 22 .. reflective layer, 221 .. translucent portion, 24 .. color filter, 25. 26, insulating layer, 27 ... data line, 34 ... sealing material, 35 ... liquid crystal, 38 ... IC chip, 51 ... film body, 511 ... processed area, 513 ... peripheral area, 515... Region of the film body that serves as an opening of the underlayer 517... Region of the film body that serves as a depression of the underlayer, 7 a, 7 b, 7 c, 7 d. 72... 2nd region, 721... Dot region, 81. ...... semi-transmission part, 861,865 ...... fine light-shielding portions, 862,866 ...... minute light transmitting portions, 88 ...... peripheral transparent portion.

Claims (21)

膜体のうち被加工領域を粗面とするための露光処理に用いられるマスクにおいて、
前記被加工領域の周辺に向かう光を透過させる透光部を有する第1領域と、
前記被加工領域に向かう光を遮る遮光部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、前記被加工領域に向かう光を前記透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が前記各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域と
を有する露光用マスク。
In the mask used for the exposure process for making the work area of the film body a rough surface,
A first region having a light transmitting portion that transmits light toward the periphery of the region to be processed;
A semi-transmissive portion that has a plurality of dot regions each provided with a light shielding portion that blocks light traveling toward the processing region, and transmits light traveling toward the processing region with a light transmittance lower than that of the light transmitting portion. And a second region provided in a region other than each of the dot regions.
膜体のうち被加工領域を粗面とするための露光処理に用いられるマスクにおいて、
前記被加工領域の周辺に向かう光を透過させる透光部を有する第1領域と、
前記被加工領域に向かう光を前記透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、前記被加工領域に向かう光を遮る遮光部が前記各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域と
を有する露光用マスク。
In the mask used for the exposure process for making the work area of the film body a rough surface,
A first region having a light transmitting portion that transmits light toward the periphery of the region to be processed;
A light-shielding portion that has a plurality of dot regions each provided with a semi-transmissive portion that transmits light toward the processing region at a light transmittance lower than that of the light-transmitting portion, and blocks light traveling toward the processing region And a second region provided in a region other than each of the dot regions.
前記各ドット領域の全周縁に接する領域に設けられて前記透光部と略同一の光透過率にて光を透過させる周辺透光部
を有する請求項1または2に記載の露光用マスク。
3. The exposure mask according to claim 1, further comprising a peripheral translucent portion that is provided in a region in contact with the entire periphery of each dot region and transmits light at substantially the same light transmittance as the translucent portion.
前記各ドット領域の周縁の一部に接する領域に設けられて前記透光部と略同一の光透過率にて光を透過させる周辺透光部
を有する請求項1または2に記載の露光用マスク。
3. The exposure mask according to claim 1, further comprising a peripheral light-transmitting portion that is provided in a region in contact with a part of the periphery of each dot region and transmits light at substantially the same light transmittance as the light-transmitting portion. .
膜体のうち被加工領域を粗面とするための露光処理に用いられるマスクにおいて、
前記被加工領域の周辺に向かう光を遮る遮光部が設けられた第1領域と、
前記被加工領域に向かう光を透過させる透光部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、前記被加工領域に向かう光を前記各透光部よりも低い光透過率にて透過させる半透過部が前記各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域と
を有する露光用マスク。
In the mask used for the exposure process for making the work area of the film body a rough surface,
A first region provided with a light-shielding part that shields light toward the periphery of the region to be processed;
The light-transmitting portion that transmits light toward the processing region has a plurality of dot regions provided respectively, and transmits light toward the processing region with a light transmittance lower than that of each light-transmitting portion. An exposure mask having a semi-transmissive portion and a second region provided in a region other than each of the dot regions.
膜体のうち被加工領域を粗面とするための露光処理に用いられるマスクにおいて、
前記被加工領域の周辺に向かう光を遮る遮光部が設けられた第1領域と、
前記被加工領域に向かう光を透過させる半透過部が各々に設けられた複数のドット領域を有するとともに、前記被加工領域に向かう光を透過させる透光部が前記各ドット領域以外の領域に設けられた第2領域であって、前記半透過部の光透過率が前記透光部の光透過率よりも低い第2領域と
を有する露光用マスク。
In the mask used for the exposure process for making the work area of the film body a rough surface,
A first region provided with a light-shielding part that shields light toward the periphery of the region to be processed;
A plurality of dot regions each having a semi-transmission portion that transmits light toward the region to be processed is provided, and a light-transmitting portion that transmits light toward the region to be processed is provided in a region other than each dot region. And a second region having a light transmittance of the semi-transmissive portion lower than a light transmittance of the light-transmissive portion.
前記半透過部の光透過率は10%以上40%以下である
請求項1から6のいずれかに記載の露光用マスク。
The exposure mask according to any one of claims 1 to 6, wherein the light transmittance of the semi-transmissive portion is 10% or more and 40% or less.
前記半透過部は、光を遮る複数の微小遮光部と光を透過させる複数の微小透光部とを有する
請求項1から7のいずれかに記載の露光用マスク。
The exposure mask according to any one of claims 1 to 7, wherein the semi-transmissive portion includes a plurality of minute light shielding portions that block light and a plurality of minute light transmissive portions that transmit light.
前記半透過部は、第1の方向と当該第1の方向とは異なる第2の方向とにわたって前記各微小遮光部と前記各微小透光部とを交互に配置してなる
請求項8に記載の露光用マスク。
The semi-transmissive portion is formed by alternately arranging the micro light-shielding portions and the micro light-transmitting portions across a first direction and a second direction different from the first direction. Exposure mask.
前記各微小遮光部および前記各微小透光部は、各辺の長さが2μm以下の矩形状である
請求項9に記載の露光用マスク。
The exposure mask according to claim 9, wherein each of the minute light-shielding portions and each of the minute light-transmitting portions has a rectangular shape with each side having a length of 2 μm or less.
前記半透過部は、それぞれ第1の方向に延在する前記各微小遮光部と前記各微小透光部とを前記第1の方向に直交する第2の方向に交互に配置してなる
請求項8に記載の露光用マスク。
The semi-transmissive portion is formed by alternately arranging the minute light-shielding portions and the minute light-transmitting portions extending in a first direction in a second direction orthogonal to the first direction. The exposure mask according to 8.
前記各微小遮光部および前記各微小透光部の幅は2μm以下である
請求項11に記載の露光用マスク。
The exposure mask according to claim 11, wherein a width of each of the minute light shielding portions and each of the minute light transmitting portions is 2 µm or less.
前記ドット領域の平面形状は多角形であり、その外接円の直径は8μm以上11μm以下である
請求項1から12のいずれかに記載の露光用マスク。
The exposure mask according to any one of claims 1 to 12, wherein a planar shape of the dot region is a polygon, and a circumscribed circle has a diameter of 8 µm or more and 11 µm or less.
前記第1領域と前記第2領域との総面積に占める前記複数のドット領域の面積の割合は30%以上60%以下である
請求項1から13のいずれかに記載の露光用マスク。
14. The exposure mask according to claim 1, wherein a ratio of the area of the plurality of dot regions to a total area of the first region and the second region is 30% or more and 60% or less.
表面が粗面である下地層と当該下地層の粗面上に設けられた反射層とを具備する電気光学装置用基板を製造する方法において、
ポジ型の感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、
露光用マスクを介して前記膜体を露光する工程であって、前記粗面の突起となるべき領域および窪みとなるべき領域の一方に向かう光源からの光を前記露光用マスクの遮光部によって遮るとともに、これらの領域の他方に向かう前記光源からの光を前記露光用マスクの半透過部を透過させることによって前記膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、
前記露光工程を経た膜体を現像して前記下地層を形成する現像工程と、
前記現像工程により得られた下地層の粗面上に光反射性を有する前記反射層を形成する反射層形成工程と
を有する電気光学装置用基板の製造方法。
In a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device comprising a base layer having a rough surface and a reflective layer provided on the rough surface of the base layer,
A film body forming step of forming a film body from a positive photosensitive material;
A step of exposing the film body through an exposure mask, wherein light from a light source directed to one of a region to be a projection on the rough surface and a region to be a depression is blocked by a light shielding portion of the exposure mask. And the exposure process which makes the light act on only a part of the thickness direction of the film body by transmitting the light from the light source which goes to the other of these regions through the semi-transmission part of the exposure mask, and
A development step of developing the film body that has undergone the exposure step to form the underlayer;
And a reflective layer forming step of forming the reflective layer having light reflectivity on the rough surface of the underlayer obtained by the developing step.
前記露光工程においては、前記粗面の突起となるべき領域に向かう光を前記遮光部によって遮るとともに、当該粗面の窪みとなるべき領域に向かう光を前記半透過部によって透過させる一方、前記露光用マスクにおける遮光部の周辺に設けられた周辺透光部を透過した光を当該遮光部の周縁にて回折させ、この回折光を前記突起の頂上部となるべき部分に作用させる
請求項15に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
In the exposure step, the light directed to the region to be the projection of the rough surface is blocked by the light shielding portion, and the light toward the region to be the depression of the rough surface is transmitted by the semi-transmissive portion, while the exposure 16. The light transmitted through the peripheral light-transmitting portion provided around the light-shielding portion in the mask for use is diffracted at the periphery of the light-shielding portion, and this diffracted light is applied to the portion that should be the top of the projection. The manufacturing method of the board | substrate for electro-optical apparatuses of description.
表面が粗面である下地層と当該下地層の粗面上に設けられた反射層とを具備する電気光学装置用基板を製造する方法において、
ネガ型の感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、
露光用マスクを介して前記膜体を露光する工程であって、前記粗面の突起となるべき領域および窪みとなるべき領域の一方に向かう光源からの光を前記露光用マスクの透光部を透過させることによって前記膜体の厚さ方向の全部に当該光を作用させるとともに、これらの領域の他方に向かう前記光源からの光を前記露光用マスクの半透過部を透過させることによって前記膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、
前記露光工程を経た膜体を現像して前記下地層を形成する現像工程と、
前記現像工程により得られた下地層の粗面上に光反射性を有する前記反射層を形成する反射層形成工程と
を有する電気光学装置用基板の製造方法。
In a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device comprising a base layer having a rough surface and a reflective layer provided on the rough surface of the base layer,
A film body forming step of forming a film body from a negative photosensitive material;
A step of exposing the film body through an exposure mask, wherein light from a light source directed to one of a region to be a projection on the rough surface and a region to be a depression is passed through a light transmitting portion of the exposure mask. By transmitting the light, the light acts on the entire thickness direction of the film body, and transmits the light from the light source toward the other of these regions through the semi-transmissive portion of the exposure mask. An exposure step of causing the light to act on only a part of the thickness direction of
A development step of developing the film body that has undergone the exposure step to form the underlayer;
And a reflective layer forming step of forming the reflective layer having light reflectivity on the rough surface of the underlayer obtained by the developing step.
表面が粗面である下地層と当該下地層の粗面上に設けられた反射層とを具備する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置を製造する方法において、
請求項15から17のいずれかに記載の方法によって電気光学装置用基板を製造する工程と、
前記電気光学装置用基板の前記反射層と対向するように電気光学物質を配置する工程と
を有する電気光学装置の製造方法。
In a method of manufacturing an electro-optical device including a substrate for an electro-optical device including a base layer having a rough surface and a reflective layer provided on the rough surface of the base layer,
A step of manufacturing a substrate for an electro-optical device by the method according to claim 15;
And a step of disposing an electro-optic material so as to face the reflective layer of the substrate for the electro-optic device.
各々の頂上部に窪みが形成された複数の突起を表面に有する下地層と、
前記下地層のうち前記複数の突起を有する表面上に設けられた光反射性を有する反射層と
を具備する電気光学装置用基板。
A base layer having a plurality of protrusions each having a depression formed on the top thereof, on the surface;
A substrate for an electro-optical device, comprising: a reflective layer having light reflectivity provided on a surface of the base layer having the plurality of protrusions.
相互に対向して電気光学物質を挟む第1基板および第2基板と、
前記第2基板のうち前記電気光学物質に対向する板面上に設けられた層であって各々の頂上部に窪みが形成された複数の突起を表面に有する下地層と、
前記下地層のうち前記複数の突起を有する表面上に設けられた光反射性を有する反射層と
を具備する電気光学装置。
A first substrate and a second substrate that face each other and sandwich the electro-optic material;
A base layer having a plurality of protrusions formed on the surface of the second substrate on the surface of the second substrate facing the electro-optic material, each of which has a depression formed on the top,
An electro-optical device comprising: a reflective layer having light reflectivity provided on a surface of the base layer having the plurality of protrusions.
請求項20に記載の電気光学装置を表示装置として備える電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 20 as a display device.
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