JP2005131499A - 塗布方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 液状体を柱状に吐出して基板へ付着させる際に、基板への液状体の塗布量を容易に制御して、特に、微小ドットの塗布を行う。
【解決手段】 吐出ヘッド1のノズルから液状体を液柱状に吐出させ、下方の基板Pに塗布する塗布方法であって、前記液状体を、前記吐出ヘッド1と前記基板Pとの間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させて前記基板Pに付着させる。
【選択図】 図5
【解決手段】 吐出ヘッド1のノズルから液状体を液柱状に吐出させ、下方の基板Pに塗布する塗布方法であって、前記液状体を、前記吐出ヘッド1と前記基板Pとの間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させて前記基板Pに付着させる。
【選択図】 図5
Description
本発明は、塗布方法 液晶表示装置、半導体装置、EL装置などのデバイスとその製造方法及び電気光学装置並びにそれらを搭載した電子機器に関するものである。
近年、電子装置の製造過程に用いられる塗布技術として、液体吐出方式の利用が拡大する傾向にある。液体吐出方式による塗布技術は、一般に、基板と液体吐出ヘッドとを相対的に移動させながら、液体吐出ヘッドに設けられた複数のノズルから液状体を液滴として吐出し、その液滴を基板上に繰り返し付着させて塗布膜を形成するものであり、スピンコート方式などの従来の塗布技術に比べて、液状体の消費に無駄が少なく、任意のパターンをフォトリソグラフィーなどの手段を用いず直接塗布することが出来るといった利点を有する。
また、液体を吐出して基板に塗布する方法として、液体を柱状に吐出し、基板への付着位置の精度向上を図ることが行われている(例えば、特許文献1、2参照)。
特開平4−129746号公報
特開平9−101411号公報
また、液体を吐出して基板に塗布する方法として、液体を柱状に吐出し、基板への付着位置の精度向上を図ることが行われている(例えば、特許文献1、2参照)。
しかしながら、上記の塗布方法では、単に液体を柱状に吐出して基板へ付着させるだけで、基板への液体の塗布量を制御し、微小ドットの塗布を行うことが困難であった。
この発明は、液状体を柱状に吐出して基板へ付着させる際に、基板への液状体の塗布量を容易に制御して、特に、微小ドットの塗布を行うことが可能な塗布方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の塗布方法は、吐出ヘッドのノズルから液状体を液柱状に吐出させ、下方の基板に塗布する塗布方法であって、前記液状体を、前記吐出ヘッドと前記基板との間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させて前記基板に付着させることを特徴としている。
本発明の塗布方法は、吐出ヘッドのノズルから液状体を液柱状に吐出させ、下方の基板に塗布する塗布方法であって、前記液状体を、前記吐出ヘッドと前記基板との間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させて前記基板に付着させることを特徴としている。
これにより、本発明では、吐出ヘッドのノズルから液柱状に吐出させた液状体を基板の所定位置に確実かつ正確に付着させて、要求通りの塗布量にて液状体を基板に塗布することができる。
そして、基板への液状体の塗布量を微量にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
そして、基板への液状体の塗布量を微量にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
また、本発明は、前記プラテンギャップを調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
このように、プラテンギャップを調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
このように、プラテンギャップを調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
さらに、前記基板の濡れ性を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
このように、基板の濡れ性を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
このように、基板の濡れ性を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
また、前記液状体の物性を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
このように、液状体の物性を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
このように、液状体の物性を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
特に、前記液状体の物性として、前記液状体の弾性率を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
そして、液状体の物性である弾性率を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
そして、液状体の物性である弾性率を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
また、前記液状体の物性として、前記液状体の動的表面張力を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
このように、液状体の物性である動的表面張力を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
このように、液状体の物性である動的表面張力を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
前記吐出ヘッドは、駆動電圧の供給により駆動して前記液状体を前記ノズルから吐出してなり、前記駆動電圧の駆動波形を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することが好ましい。
つまり、吐出ヘッドへ供給する駆動電圧の駆動波形を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
つまり、吐出ヘッドへ供給する駆動電圧の駆動波形を調整することにより、基板へ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
また、前記吐出ヘッドのノズルから吐出される液状体の液柱の長さと前記プラテンギャップとを略同一にすることが好ましい。
このように、液状体の液柱の長さとプラテンギャップとを略同一とすることにより、基板への液状体の付着を極めて少なくすることができ、液状体が付着して形成されるドットを微小なものとすることができる。
そして、基板への液状体の塗布量を微小にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
このように、液状体の液柱の長さとプラテンギャップとを略同一とすることにより、基板への液状体の付着を極めて少なくすることができ、液状体が付着して形成されるドットを微小なものとすることができる。
そして、基板への液状体の塗布量を微小にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
本発明のデバイスの製造方法は、基板の表面に液状体を塗布して製膜処理が施されたデバイスを製造するデバイスの製造方法であって、上記の塗布方法により、前記基板に液状体を塗布することを特徴としている。
これにより、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスを得ることができる。
これにより、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスを得ることができる。
本発明のデバイスは、基板の表面に製膜処理が施されたデバイスであって、上記の塗布方法により、前記基板の表面に液状体が塗布されて製膜処理が施されたことを特徴とする。
これにより、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスとすることができる。
これにより、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスとすることができる。
そして、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより、本発明では、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスを備えるので、高品質な電気光学装置及び電子機器とすることができる。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより、本発明では、液状体が高精細に塗布されて製膜処理が施されたデバイスを備えるので、高品質な電気光学装置及び電子機器とすることができる。
本発明のデバイスは、基板の表面に製膜処理が施されたデバイスであって、吐出ヘッドのノズルから液状体を、前記吐出ヘッドと下方に設置した前記基板との間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させることにより、前記基板に前記液状体が塗布されて製膜処理が施されたことを特徴としている。
これにより、本発明では、吐出ヘッドのノズルから液柱状に吐出させた液状体が基板の所定位置に確実かつ正確に付着されて、要求通りの塗布量にて液状体が基板に塗布されたデバイスとすることができる。
これにより、本発明では、吐出ヘッドのノズルから液柱状に吐出させた液状体が基板の所定位置に確実かつ正確に付着されて、要求通りの塗布量にて液状体が基板に塗布されたデバイスとすることができる。
以下、本発明に係る塗布方法を実施するための最良の形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
まず、本発明に係る塗布方法を実施する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、吐出ヘッドから基板に対して液状体を吐出することによりデバイスを製造する塗布装置(インクジェット装置)が用いられる。
まず、本発明に係る塗布方法を実施する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、吐出ヘッドから基板に対して液状体を吐出することによりデバイスを製造する塗布装置(インクジェット装置)が用いられる。
図1は、塗布装置IJの概略構成を示す斜視図である。
塗布装置IJは、吐出ヘッド1と、X軸方向駆動軸4と、Y軸方向ガイド軸5と、制御装置CONTと、ステージ7と、クリーニング機構8と、基台9と、ヒータ15とを備えている。
ステージ7は、この塗布装置IJにより液状体(インク、機能液)を塗布する基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
塗布装置IJは、吐出ヘッド1と、X軸方向駆動軸4と、Y軸方向ガイド軸5と、制御装置CONTと、ステージ7と、クリーニング機構8と、基台9と、ヒータ15とを備えている。
ステージ7は、この塗布装置IJにより液状体(インク、機能液)を塗布する基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
吐出ヘッド1は、複数のノズルを備えたマルチノズルタイプの吐出ヘッドであり、長手方向とX軸方向とを一致させている。複数のノズルは、吐出ヘッド1の下面にY軸方向に並んで一定間隔で設けられている。吐出ヘッド1のノズルからは、ステージ7に支持されている基板Pに対して、液状体が吐出される。
X軸方向駆動軸4には、X軸方向駆動モータ2が接続されている。X軸方向駆動モータ2はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからX軸方向の駆動信号が供給されると、X軸方向駆動軸4を回転させる。X軸方向駆動軸4が回転すると、吐出ヘッド1はX軸方向に移動する。
Y軸方向ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。ステージ7は、Y軸方向駆動モータ3を備えている。Y軸方向駆動モータ3はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ7をY軸方向に移動する。
Y軸方向ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。ステージ7は、Y軸方向駆動モータ3を備えている。Y軸方向駆動モータ3はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ7をY軸方向に移動する。
制御装置CONTは、吐出ヘッド1に吐出制御用の駆動電圧を供給する。また、X軸方向駆動モータ2に吐出ヘッド1のX軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Y軸方向駆動モータ3にステージ7のY軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構8は、吐出ヘッド1をクリーニングするものである。クリーニング機構8には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸5に沿って移動する。クリーニング機構8の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ15は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液状体に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ15の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
クリーニング機構8は、吐出ヘッド1をクリーニングするものである。クリーニング機構8には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸5に沿って移動する。クリーニング機構8の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ15は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液状体に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ15の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
塗布装置IJは、吐出ヘッド1と基板Pを支持するステージ7とを相対的に走査しつつ基板Pに対して液状体を吐出する。ここで、以下の説明において、X軸方向を走査方向、X軸方向と直交するY軸方向を非走査方向とする。したがって、吐出ヘッド1のノズルは、非走査方向であるY軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図1では、吐出ヘッド1は、基板Pの進行方向に対し直角に配置されているが、吐出ヘッド1の角度を調整し、基板Pの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、吐出ヘッド1の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節することも出来る。
図2は、ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
図2において、液状体(インク、機能液)を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。液体室21には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系23を介して液状体が供給される。ピエゾ素子22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に駆動電圧を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、ノズル25から液状体が吐出される。この場合、駆動電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み量が制御される。また、駆動電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
図2において、液状体(インク、機能液)を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。液体室21には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系23を介して液状体が供給される。ピエゾ素子22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に駆動電圧を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、ノズル25から液状体が吐出される。この場合、駆動電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み量が制御される。また、駆動電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
次に、上記塗布装置IJによる基板への液状体の塗布方法について説明する。
本実施形態の塗布方法では、塗布装置IJの吐出ヘッド1から液状体を液柱状に吐出させて基板Pに塗布する。
以下、ピエゾ素子22に対して駆動回路24から、図3に示す波形W1の駆動電圧を印加した場合について説明する。
まず、駆動電圧が正勾配部a1では、ピエゾ素子22が収縮して液体室21の容積が増加し、液状体供給系23から液体室21内に液状体が流入する。
本実施形態の塗布方法では、塗布装置IJの吐出ヘッド1から液状体を液柱状に吐出させて基板Pに塗布する。
以下、ピエゾ素子22に対して駆動回路24から、図3に示す波形W1の駆動電圧を印加した場合について説明する。
まず、駆動電圧が正勾配部a1では、ピエゾ素子22が収縮して液体室21の容積が増加し、液状体供給系23から液体室21内に液状体が流入する。
次いで、負勾配部a2では、ピエゾ素子22が膨張して液体室21の容積が減少し、加圧された液状体がノズル25から吐出される。
ここで、液状体は、例えば、ポリエチレングリコールなどのポリマーを添加することにより、その弾性率を調整する。これにより液柱長さが長くなるのであらかじめ所望の長さになるように濃度を調整しておく。本実施形態では約1重量%添加した。これにより、ノズル25から吐出された液状体は、図4(a)に示すように、途中でちぎれることなく液柱状に吐出される。
そして、ノズル25から吐出した液柱状の液状体は、その先端部分が、図4(b)に示すように、基板Pの表面に到達し、基板Pの表面に濡れ広がる。
その後、駆動電圧の正勾配部a3では、ピエゾ素子22が収縮して液体室21の容積が増加する。これにより、図4(c)に示すように、ノズル25から吐出されていた液柱状の液状体が液体室21内に引き込まれる。そして、このとき、基板Pには、付着した液状体からなるドットが形成される。
ここで、液状体は、例えば、ポリエチレングリコールなどのポリマーを添加することにより、その弾性率を調整する。これにより液柱長さが長くなるのであらかじめ所望の長さになるように濃度を調整しておく。本実施形態では約1重量%添加した。これにより、ノズル25から吐出された液状体は、図4(a)に示すように、途中でちぎれることなく液柱状に吐出される。
そして、ノズル25から吐出した液柱状の液状体は、その先端部分が、図4(b)に示すように、基板Pの表面に到達し、基板Pの表面に濡れ広がる。
その後、駆動電圧の正勾配部a3では、ピエゾ素子22が収縮して液体室21の容積が増加する。これにより、図4(c)に示すように、ノズル25から吐出されていた液柱状の液状体が液体室21内に引き込まれる。そして、このとき、基板Pには、付着した液状体からなるドットが形成される。
上記のように、本実施形態の塗布方法では、駆動回路24からピエゾ素子22に駆動電圧を印加することにより、ノズル25から液状体を液柱状に吐出し、この液柱状の液状体の先端を基板Pに到達させて液状体からなるドットを形成する。
次に、上記のように液状体を液柱状に吐出させて基板Pへ塗布する場合における基板Pへの液状体の塗布量を制御する場合について説明する。
(プラテンギャップによる塗布量の制御)
この塗布量の制御は、基板Pの表面と吐出ヘッド1のノズル面との距離であるプラテンギャップを調整することにより行う。
具体的には、基板Pに対する吐出ヘッド1の高さ位置を、この吐出ヘッド1を昇降させることによりプラテンギャップを調整する。
つまり、塗布量を多くする場合は、図5(a)に示すように、プラテンギャップを狭める。このようにすると、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達した後、さらに基板Pへ向かって送り出されることにより、基板Pへの液状体の供給量が多くなり、この液状体からなる大きなドットが形成される。
(プラテンギャップによる塗布量の制御)
この塗布量の制御は、基板Pの表面と吐出ヘッド1のノズル面との距離であるプラテンギャップを調整することにより行う。
具体的には、基板Pに対する吐出ヘッド1の高さ位置を、この吐出ヘッド1を昇降させることによりプラテンギャップを調整する。
つまり、塗布量を多くする場合は、図5(a)に示すように、プラテンギャップを狭める。このようにすると、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達した後、さらに基板Pへ向かって送り出されることにより、基板Pへの液状体の供給量が多くなり、この液状体からなる大きなドットが形成される。
また、塗布量を少なくする場合は、図5(b)に示すように、プラテンギャップを広げる。このようにすると、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達した後に、さほど基板Pへ向かって送り出されないことから、基板Pへの液状体の供給量が少なくなり、この液状体からなる小さなドットが形成される。
なお、プラテンギャップをさらに広げると、図5(c)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体は、基板Pに到達することなく、ヘッド1の液体室21内に戻される。
なお、プラテンギャップをさらに広げると、図5(c)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体は、基板Pに到達することなく、ヘッド1の液体室21内に戻される。
(基板Pの濡れ性による塗布量の制御)
この塗布量の制御は、基板Pにおける液状体の濡れ性を調整することにより行う。
具体的には、基板Pの表面に、例えば、撥液性材料あるいは親液性材料からなる被膜を施す。
基板Pの表面に、撥液性材料からなる被膜を施した場合は、図6(a)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達しても、液状体は、基板Pの表面にあまり濡れ広がることなく、ヘッド1の液体室21内に戻される。
これに対して、基板Pの表面に、親液性材料からなる被膜を施した場合は、図6(b)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達すると、液状体は、基板Pの表面の広い範囲に濡れ広がる。
この塗布量の制御は、基板Pにおける液状体の濡れ性を調整することにより行う。
具体的には、基板Pの表面に、例えば、撥液性材料あるいは親液性材料からなる被膜を施す。
基板Pの表面に、撥液性材料からなる被膜を施した場合は、図6(a)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達しても、液状体は、基板Pの表面にあまり濡れ広がることなく、ヘッド1の液体室21内に戻される。
これに対して、基板Pの表面に、親液性材料からなる被膜を施した場合は、図6(b)に示すように、ノズル25から液柱状に吐出された液状体の先端が基板Pに到達すると、液状体は、基板Pの表面の広い範囲に濡れ広がる。
そして、基板Pにおける液状体の接触角を、例えば90°以上としておくことにより、基板Pの表面には、ノズル25から液柱状に吐出された液状体がほとんど濡れ広がらず、微小なドットが形成される。また、基板Pにおける液状体の接触角を、例えば20°以下としておくことにより、基板Pの表面には、ノズル25から液柱状に吐出された液状体が広い範囲に濡れ広がり、大きなドットが形成される。
(液状体の物性による塗布量の制御)
この塗布量の制御は、基板Pへ塗布する液状体の物性を調整することにより行う。
(1)弾性率を調整することによる塗布量の制御
この塗布量の制御は、液状体の弾性率を調整することにより行うもので、この弾性率の調整は、液状体へのポリマーの含有量及び重合度を調整することにより行う。
そして、液状体の弾性率を高くすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが大きくなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くされ、基板Pに大きなドットが形成される。
また、液状体の弾性率を低くすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくされ、基板Pに小さなドットが形成される。
この塗布量の制御は、基板Pへ塗布する液状体の物性を調整することにより行う。
(1)弾性率を調整することによる塗布量の制御
この塗布量の制御は、液状体の弾性率を調整することにより行うもので、この弾性率の調整は、液状体へのポリマーの含有量及び重合度を調整することにより行う。
そして、液状体の弾性率を高くすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが大きくなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くされ、基板Pに大きなドットが形成される。
また、液状体の弾性率を低くすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくされ、基板Pに小さなドットが形成される。
(2)動的表面張力を調整することによる塗布量の制御
この塗布量の制御は、液状体の動的表面張力を調整することにより行う。動的表面張力は、ヘッドの駆動波形に相当する緩和時間において測定する。
そして、液状体の動的表面張力を小さくすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが大きくなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くなり、基板Pに大きなドットが形成される。
この塗布量の制御は、液状体の動的表面張力を調整することにより行う。動的表面張力は、ヘッドの駆動波形に相当する緩和時間において測定する。
そして、液状体の動的表面張力を小さくすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが大きくなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くなり、基板Pに大きなドットが形成される。
また、液状体の動的表面張力を大きくすることにより、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくされ、基板Pに小さなドットが形成される。
(駆動電圧の駆動波形を調整することによる塗布量の制御)
この塗布量の制御は、基板Pへ塗布するヘッド1のピエゾ素子22への駆動電圧の駆動波形を調整することにより行う。
(1)負勾配部の傾きを調整することによる塗布量の制御
図7(a)に示す駆動波形における負勾配部a2を、図7(b)に示す駆動波形における負勾配部a2のように急勾配とする。
このようにすると、ヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させる液状体の吐出力が強まり、図8(a)に示すようにノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが、図8(b)に示すように長くされる。
つまり、駆動波形における負勾配部a2の傾きを大きくすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が細長くされ、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くされ、基板Pに大きなドットが形成される。
また、駆動波形における負勾配部a2の傾きを小さくすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が太短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくなって、基板Pに小さなドットが形成される。
この塗布量の制御は、基板Pへ塗布するヘッド1のピエゾ素子22への駆動電圧の駆動波形を調整することにより行う。
(1)負勾配部の傾きを調整することによる塗布量の制御
図7(a)に示す駆動波形における負勾配部a2を、図7(b)に示す駆動波形における負勾配部a2のように急勾配とする。
このようにすると、ヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させる液状体の吐出力が強まり、図8(a)に示すようにノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが、図8(b)に示すように長くされる。
つまり、駆動波形における負勾配部a2の傾きを大きくすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が細長くされ、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くされ、基板Pに大きなドットが形成される。
また、駆動波形における負勾配部a2の傾きを小さくすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が太短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくなって、基板Pに小さなドットが形成される。
(2)中間電位を調整することによる塗布量の制御
図9(a)に示す駆動波形における中間電位bを、図9(b)に示す駆動波形における中間電位bのように低くする。
このようにすると、液柱状に吐出されている液状体をヘッド1へ引き戻す力が弱まり、図10(a)に示すようにノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが、図10(b)に示すように長くされる。
つまり、駆動波形における中間電位bを低くすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が細長くされ、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くなり、基板Pに大きなドットが形成される。
また、駆動波形における中間電位bを高くすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が太短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくなり、基板Pに小さなドットが形成される。
図9(a)に示す駆動波形における中間電位bを、図9(b)に示す駆動波形における中間電位bのように低くする。
このようにすると、液柱状に吐出されている液状体をヘッド1へ引き戻す力が弱まり、図10(a)に示すようにノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さが、図10(b)に示すように長くされる。
つまり、駆動波形における中間電位bを低くすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が細長くされ、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が多くなり、基板Pに大きなドットが形成される。
また、駆動波形における中間電位bを高くすると、ノズル25から液柱状に吐出される液状体が太短くなり、これにより、基板Pの表面への液状体の塗布量が少なくなり、基板Pに小さなドットが形成される。
そして、上記のような各種の塗布量の制御を行うことにより、基板Pへ要求に応じた塗布量にて液状体を塗布することができる。
特に、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さとプラテンギャップとが同じになるように制御することで、基板Pに到達するときの液柱の先端速度を略ゼロにすることができる。そして、このように、基板Pに到達するときの液柱の先端速度を略ゼロにすることより、基板Pにおける液状体の広がりを抑制して、微小ドットを形成することができる。
特に、ノズル25から液柱状に吐出される液状体の長さとプラテンギャップとが同じになるように制御することで、基板Pに到達するときの液柱の先端速度を略ゼロにすることができる。そして、このように、基板Pに到達するときの液柱の先端速度を略ゼロにすることより、基板Pにおける液状体の広がりを抑制して、微小ドットを形成することができる。
このように、上記の塗布方法によれば、吐出ヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させた液状体を基板Pの所定位置に確実かつ正確に付着させて、要求通りの塗布量にて液状体を基板Pに塗布することができる。
そして、基板Pへの液状体の塗布量を微量にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
また、プラテンギャップの調整、基板Pの濡れ性の調整、液状体の弾性率や動的表面張力などの物性の調整あるいは駆動電圧の波形の調整を行うことにより、基板Pへ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
そして、基板Pへの液状体の塗布量を微量にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
また、プラテンギャップの調整、基板Pの濡れ性の調整、液状体の弾性率や動的表面張力などの物性の調整あるいは駆動電圧の波形の調整を行うことにより、基板Pへ付着させる液状体の塗布量を容易に制御することができる。
また、液状体の液柱の長さとプラテンギャップとを略同一とすることにより、基板Pへの液状体の付着を極めて少なくすることができ、液状体が付着して形成されるドットを微小なものとすることができる。
そして、基板Pへの液状体の塗布量を微小にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
そして、基板Pへの液状体の塗布量を微小にすることにより、液状体の塗布による描画を高精細化することができる。
なお、各種の塗布量の制御を組み合わせて、液状体からなる液柱の長さを調整しても良い。例えば、液状体の弾性率を低くした場合は、液柱が途中でちぎれないように吐出力を弱めるように調整する。また、長い液柱を吐出させる場合は、液状体の弾性率を高めるとともに動的表面張力を小さくし、さらに強い吐出力にて吐出させる。
次に、本発明のデバイス及び電気光学装置について説明する。
(液晶表示装置)
本発明の電気光学装置として、液晶表示装置を説明する。図11は、本発明に係る電気光学装置である液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図12は図11のH−H’線に沿う断面図である。図13は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
(液晶表示装置)
本発明の電気光学装置として、液晶表示装置を説明する。図11は、本発明に係る電気光学装置である液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図12は図11のH−H’線に沿う断面図である。図13は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図11及び図12において、本実施の形態の液晶表示装置(電気光学装置)100は、対をなすTFTアレイ基板101と対向基板102とが光硬化性の封止材であるシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶50が封入、保持されている。シール材52は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
シール材52の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路201及び実装端子202がTFTアレイ基板101の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路204が形成されている。TFTアレイ基板101の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路204の間を接続するための複数の配線205が設けられている。また、対向基板102のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板101と対向基板102との間で電気的導通をとるための基板間導通材206が配設されている。
なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板101の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板101の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置100においては、使用する液晶50の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板102において、TFTアレイ基板101の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ層32をその保護膜とともに形成する。
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板102において、TFTアレイ基板101の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ層32をその保護膜とともに形成する。
このような構造を有する液晶表示装置100の画像表示領域においては、図13に示すように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素100aの各々には、画素スイッチング用のTFT(スイッチング素子)30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線36aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線36aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線36a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線33aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線33aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極19は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線36aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極19を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図12に示す対向基板102の対向電極121との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極19と対向電極121との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60が付加されている。例えば、画素電極19の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量60により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置100を実現することができる。
続いて、図14および図15を参照して、本発明の塗布方法により対向基板102にカラーフィルタ層32を製造する例について説明する。
図14の基板48は、対向基板102を構成する透明基板であり適度の機械的強度と共に光透過性の高いものを用いる。基板48としては、例えば、透明ガラス基板、アクリルガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルム及びこれらの表面処理品等が適用できる。
図14の基板48は、対向基板102を構成する透明基板であり適度の機械的強度と共に光透過性の高いものを用いる。基板48としては、例えば、透明ガラス基板、アクリルガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルム及びこれらの表面処理品等が適用できる。
たとえば、図15に示すように長方形形状の基板48上に、生産性をあげる観点から複数個のカラーフィルタ領域105をマトリックス状に形成する。これらのカラーフィルタ領域105は、後でガラスを切断することで、液晶表示装置100に適合するカラーフィルタ層32として用いることができる。カラーフィルタ領域105には、たとえば図15に示すように、RのインクとGのインクおよびBのインクを用いて各フィルタエレメントを所定のパターンで形成している。この形成パターンとしては、図に示すように従来公知のストライプ型のほかに、モザイク型やデルタ型あるいはスクウェアー型等がある。
図14は、基板48に対してカラーフィルタ領域105を形成する工程の一例を示している。
図14(a)では、透明の基板48の一方の面に対して、ブラックマトリックス110を形成したものである。カラーフィルタ層の基礎となる基板48の上には、光透過性のない樹脂(好ましくは黒色)を、スピンコート等の方法で、所定の厚さ(たとえば2μm程度)に塗布して、フォトリソグラフィー法等の方法でマトリックス状にブラックマトリックス110を設ける。ブラックマトリックス110の格子で囲まれる最小の表示要素がフィルタエレメントとなり、たとえばX軸方向の巾30μm、Y軸方向の長さ100μm程度の大きさの窓である。ブラックマトリックス110を形成した後は、たとえば、ヒータにより熱を与えることで、基板48の上の樹脂を焼成する。
図14(a)では、透明の基板48の一方の面に対して、ブラックマトリックス110を形成したものである。カラーフィルタ層の基礎となる基板48の上には、光透過性のない樹脂(好ましくは黒色)を、スピンコート等の方法で、所定の厚さ(たとえば2μm程度)に塗布して、フォトリソグラフィー法等の方法でマトリックス状にブラックマトリックス110を設ける。ブラックマトリックス110の格子で囲まれる最小の表示要素がフィルタエレメントとなり、たとえばX軸方向の巾30μm、Y軸方向の長さ100μm程度の大きさの窓である。ブラックマトリックス110を形成した後は、たとえば、ヒータにより熱を与えることで、基板48の上の樹脂を焼成する。
図14(b)に示すように、液状体であるインク99は、フィルタエレメント112に供給される。インク99の量は、加熱工程におけるインクの体積減少を考慮した充分な量である。図14(c)の加熱工程では、カラーフィルタ層32上のすべてのフィルタエレメント112に対してインク99が充填されると、ヒータを用いて加熱処理を行う。基板48は、所定の温度(例えば70℃程度)に加熱する。インクの溶媒が蒸発すると、インクの体積が減少する。体積減少の激しい場合には、カラーフィルタ層32として充分なインク膜の厚みが得られるまで、インク吐出工程と、加熱工程とを繰り返す。この処理により、インクの溶媒が蒸発して、最終的にインクの固形分のみが残留して膜化する。
図14(d)の保護膜形成工程では、インク99を完全に乾燥させるために、所定の温度で所定時間加熱を行う。乾燥が終了するとインク膜が形成されたカラーフィルタ層32の基板48の保護及びフィルタ表面の平坦化のために、保護膜120を形成する。この保護膜120の形成には、たとえば、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法等の方法を採用することができる。
図14(e)の透明電極形成工程では、スパッタ法や真空蒸着法等の処方を用いて、透明電極130を保護膜120の全面にわたって形成する。図14(f)のパターニング工程では、透明電極130は、さらにフィルタエレメント112の開口部に対応させた画素電極にパターニングされる。なお、液晶の駆動にTFT(Thin Film Transistor)等を用いる場合ではこのパターニングは不用である。また、上記製膜処理の間には、定期的あるいは随時クリーニングユニットを用いて吐出ヘッド1のノズル25をワイピングすることが望ましい。
そして、上記カラーフィルタ層32を形成する場合では、上述した塗布方法にて、微小なフィルタエレメント112に、液状体であるインク99をヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させて確実かつ正確に塗布することができ、高品質の液晶表示装置100を得ることができる。
そして、上記カラーフィルタ層32を形成する場合では、上述した塗布方法にて、微小なフィルタエレメント112に、液状体であるインク99をヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させて確実かつ正確に塗布することができ、高品質の液晶表示装置100を得ることができる。
図16(a)は、ボトムゲート型TFT30を有する液晶表示装置100の部分拡大断面図であって、TFTアレイ基板101を構成するガラス基板P上には、上記第1実施形態の配線パターン形成方法によりゲート配線61が形成されている。
ゲート配線61上には、SiNxからなるゲート絶縁膜62を介してアモルファスシリコン(a−Si)層からなる半導体層63が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層63の部分がチャネル領域とされている。半導体層63上には、オーミック接合を得るための例えばn+型a−Si層からなる接合層64a及び64bが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層63上には、チャネルを保護するためのSiNxからなる絶縁性のエッチストップ膜65が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜62、半導体層63、及びエッチストップ膜65は、蒸着(CVD)後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
ゲート配線61上には、SiNxからなるゲート絶縁膜62を介してアモルファスシリコン(a−Si)層からなる半導体層63が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層63の部分がチャネル領域とされている。半導体層63上には、オーミック接合を得るための例えばn+型a−Si層からなる接合層64a及び64bが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層63上には、チャネルを保護するためのSiNxからなる絶縁性のエッチストップ膜65が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜62、半導体層63、及びエッチストップ膜65は、蒸着(CVD)後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
さらに、接合層64a、64b及びITOからなる画素電極19も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極19、ゲート絶縁膜62及びエッチストップ膜65上にそれぞれバンク66…を突設し、これらバンク66…間に上述した塗布装置IJを用いて、銀化合物の液状体を液柱状に吐出して描画することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
なお、図16(b)に示すように、ゲート絶縁膜62に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜62の表面と略面一に半導体層63を形成し、その上に接合層64a、64b、画素電極19、エッチストップ膜65を形成することもできる。この場合、バンク66間の溝底部を図8(a)に比較して略フラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線の屈曲部が減り、平坦性が向上した高特性のTFTとすることができる。
上記構成のTFTでは、上述した塗布装置IJを用いて、例えば銀化合物の液状体を液柱状に吐出して塗布することでゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、細線化による小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の液晶表示装置100を得ることができる。
また、これ以外にも封止剤、液晶、オーバーコートなどの塗布に用いることができる。
上記構成のTFTでは、上述した塗布装置IJを用いて、例えば銀化合物の液状体を液柱状に吐出して塗布することでゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、細線化による小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の液晶表示装置100を得ることができる。
また、これ以外にも封止剤、液晶、オーバーコートなどの塗布に用いることができる。
(有機EL表示デバイス)
本発明の電気光学装置として、有機EL表示デバイスを説明する。
有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子である。そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層を形成する液状体をインクとし、各々を吐出ヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させて塗布することで、自発光フルカラーELデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス(電気光学装置)の範囲にはこのような有機ELデバイスをも含むものであり、発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層、信号線、給電線、画素ごとに形成されるスイッチング素子などを形成する液状体をノズル25から液柱状に吐出させて確実かつ正確に塗布することができ、高品質の有機ELデバイスを得ることができる。
本発明の電気光学装置として、有機EL表示デバイスを説明する。
有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子である。そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層を形成する液状体をインクとし、各々を吐出ヘッド1のノズル25から液柱状に吐出させて塗布することで、自発光フルカラーELデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス(電気光学装置)の範囲にはこのような有機ELデバイスをも含むものであり、発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層、信号線、給電線、画素ごとに形成されるスイッチング素子などを形成する液状体をノズル25から液柱状に吐出させて確実かつ正確に塗布することができ、高品質の有機ELデバイスを得ることができる。
(プラズマ型表示装置)
次に、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。
図17は、本実施形態のプラズマ型表示装置500の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置された基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。
放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になって1画素を構成するように配置されている。
次に、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。
図17は、本実施形態のプラズマ型表示装置500の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置された基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。
放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になって1画素を構成するように配置されている。
基板501の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極511が形成され、アドレス電極511と基板501の上面とを覆うように誘電体層519が形成されている。誘電体層519上には、アドレス電極511、511間に位置しかつ各アドレス電極511に沿うように隔壁515が形成されている。隔壁515は、アドレス電極511の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極511と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁515によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室516が形成されている。
また、隔壁515によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体517が配置されている。蛍光体517は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室516(R)の底部には赤色蛍光体517(R)が、緑色放電室516(G)の底部には緑色蛍光体517(G)が、青色放電室516(B)の底部には青色蛍光体517(B)が各々配置されている。
また、隔壁515によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体517が配置されている。蛍光体517は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室516(R)の底部には赤色蛍光体517(R)が、緑色放電室516(G)の底部には緑色蛍光体517(G)が、青色放電室516(B)の底部には青色蛍光体517(B)が各々配置されている。
一方、基板502には、先のアドレス電極511と直交する方向に複数の表示電極512がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層513、及びMgOなどからなる保護膜514が形成されている。
基板501と基板502とは、前記アドレス電極511…と表示電極512…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極511と表示電極512は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部510において蛍光体517が励起発光し、カラー表示が可能となる。
基板501と基板502とは、前記アドレス電極511…と表示電極512…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極511と表示電極512は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部510において蛍光体517が励起発光し、カラー表示が可能となる。
本実施形態では、上記アドレス電極511、及び表示電極512、蛍光体517、補助電極がそれぞれ、上述した塗布方法に基づいて液状体が塗布されて形成されているため、高精細化が実現され、高品質のプラズマ型表示装置を得ることができる。
(非接触型カード媒体)
続いて、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図18に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体(電子機器)400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
続いて、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図18に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体(電子機器)400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
本実施形態では、上記アンテナ回路412が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、高精細化が実現され、高品質の非接触型カード媒体を得ることができる。
なお、本発明に係るデバイス(電気光学装置)としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
また、例えば、電界放出ディスプレイ、有機半導体あるいはアクティブ素子等、他のデバイスにも適応可能である。また、本発明は、配向膜、マイクロレンズアレイあるいはスペーサが基板に形成されてなるデバイスにも適応可能である。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、高精細化が実現され、高品質の非接触型カード媒体を得ることができる。
なお、本発明に係るデバイス(電気光学装置)としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
また、例えば、電界放出ディスプレイ、有機半導体あるいはアクティブ素子等、他のデバイスにも適応可能である。また、本発明は、配向膜、マイクロレンズアレイあるいはスペーサが基板に形成されてなるデバイスにも適応可能である。
次に、本発明の電気光学表示装置を搭載した電子機器について説明する。
図19(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図19(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図19(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図19(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
図19(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図19(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図19(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図19(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図19(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
1…吐出ヘッド、25…ノズル、100…液晶表示装置(電気光学装置)、400…非接触型カード媒体(電子機器)、500…プラズマ型表示装置(電気光学装置)、600…携帯電話本体(電子機器)、700…情報処理装置(電子機器)、800…時計本体(電子機器)、P…基板。
Claims (13)
- 吐出ヘッドのノズルから液状体を液柱状に吐出させ、下方の基板に塗布する塗布方法であって、
前記液状体を、前記吐出ヘッドと前記基板との間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させて前記基板に付着させることを特徴とする塗布方法。 - 前記プラテンギャップを調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 前記基板の濡れ性を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 前記液状体の物性を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 前記液状体の物性として、前記液状体の弾性率を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項4に記載の塗布方法。
- 前記液状体の物性として、前記液状体の動的表面張力を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項4に記載の塗布方法。
- 前記吐出ヘッドは、駆動電圧の供給により駆動して前記液状体を前記ノズルから吐出してなり、前記駆動電圧の駆動波形を調整することにより、前記基板への前記液状体の塗布量を制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 前記吐出ヘッドのノズルから吐出される液状体の液柱の長さと前記プラテンギャップとを略同一にすることを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 基板の表面に液状体を塗布して製膜処理が施されたデバイスを製造するデバイスの製造方法であって、
請求項1から8のいずれか1項に記載の塗布方法により、前記基板に液状体を塗布することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 基板の表面に製膜処理が施されたデバイスであって、
請求項1から8のいずれか1項に記載の塗布方法により、前記基板の表面に液状体が塗布されて製膜処理が施されたことを特徴とするデバイス。 - 請求項10に記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項11に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 基板の表面に製膜処理が施されたデバイスであって、
吐出ヘッドのノズルから液状体を、前記吐出ヘッドと下方に設置した前記基板との間隔からなるプラテンギャップよりも長い液柱状に吐出させることにより、前記基板に前記液状体が塗布されて製膜処理が施されたことを特徴とするデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003369062A JP2005131499A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 塗布方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
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JP2005131499A true JP2005131499A (ja) | 2005-05-26 |
Family
ID=34646543
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JP (1) | JP2005131499A (ja) |
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US9567555B2 (en) | 2005-06-25 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Coating apparatus and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
JP2020117812A (ja) * | 2015-10-15 | 2020-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 三次元造形物の製造方法及び三次元造形物の製造装置 |
-
2003
- 2003-10-29 JP JP2003369062A patent/JP2005131499A/ja not_active Withdrawn
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