JP2005129757A - Method of connecting semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、突起状電極であるバンプを有する半導体装置を回路基板に形成された電極板に、異方性導電フィルムを介して接続させる半導体装置の接続方法に関する。 The present invention relates to a method for connecting a semiconductor device in which a semiconductor device having bumps that are protruding electrodes is connected to an electrode plate formed on a circuit board via an anisotropic conductive film.
従来より、半導体装置を異方性導電フィルム(以下、「ACF」と称す。)を介して基板上に形成した電極に直接接続する接続方法が知られている。 Conventionally, there has been known a connection method in which a semiconductor device is directly connected to an electrode formed on a substrate through an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as “ACF”).
ACFは、一般に、熱硬化性又は紫外線硬化性等といった特性を有する樹脂の内部に多数の導電粒子を分散させることによって形成される。 ACF is generally formed by dispersing a large number of conductive particles in a resin having characteristics such as thermosetting or ultraviolet curable.
ACFを使用することで、半導体装置の接続処理を確実に行え製品の低コスト化を達成することができる。 By using the ACF, the connection process of the semiconductor device can be reliably performed, and the cost of the product can be reduced.
例えば、液晶パネルにICチップを接続する方法が特許文献1に記載されている。
For example,
その接続方法は、以下のとおりである。 The connection method is as follows.
導電性およびゴム弾性を有する導電粒子を含んだACFを、ガラス面上に形成された透明電極(Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物、以下ITOと称す。)へ転写する。転写されたACFは、ITOの上面およびITOが形成されていないガラス面上に均一な層を形成する。そして、突起状電極であるバンプを有するICチップを所定のITOとバンプが接続するよう載置し、ICチップを加圧、加熱することで、ACFが硬化し、ICチップのバンプと液晶パネルのITOが熱圧着する。
従来の半導体装置の接続方法においては、予め回路基板上にACFによる層を形成し、半導体装置の突起状電極であるバンプを回路基板上に形成した電極にACFを介して載置し加熱および加圧を行う。そのため、バンプの圧力により、ACFに含まれる導電粒子がACFを形成する樹脂内を流動し、バンプと接続する電極板との間から、隣接するバンプの間に流れ込むことがある。半導体装置のバンプは多ピン化に伴い、隣接するバンプの間隔が狭くなってきており、高機能、高密度を実現した半導体装置では、バンプの間隔も15μm程度しかない。従って、導電粒子の直径が3〜5μmであるため、ACFに含まれる導電粒子が、バンプ間に3個〜5個直列に並ぶと、隣接するバンプを短絡させるという問題が生じる。 In a conventional method for connecting a semiconductor device, a layer made of ACF is previously formed on a circuit board, and bumps, which are projecting electrodes of the semiconductor device, are placed on the electrode formed on the circuit board via the ACF, and heated and heated. Apply pressure. For this reason, the conductive particles contained in the ACF may flow in the resin forming the ACF due to the pressure of the bumps, and may flow from between the electrode plates connected to the bumps to between the adjacent bumps. As bumps of semiconductor devices increase in number of pins, the interval between adjacent bumps has become narrower, and in a semiconductor device that realizes high functionality and high density, the interval between bumps is only about 15 μm. Accordingly, since the diameter of the conductive particles is 3 to 5 μm, when 3 to 5 conductive particles included in the ACF are arranged in series between the bumps, there is a problem that the adjacent bumps are short-circuited.
隣接するバンプが短絡すると、半導体装置は正常に動作しないため不良品と判断される。不良と判断された半導体装置を交換するには、硬化したACFにより回路基板に接続されている半導体装置を回路基板から離反させ、回路基板に貼りついた状態で残ったACFを取り除く等のリペア作業に多大な工数を要する。 When adjacent bumps are short-circuited, the semiconductor device does not operate normally, so that it is determined as a defective product. To replace a semiconductor device that has been determined to be defective, repair work such as removing the ACF that remains attached to the circuit board by separating the semiconductor device connected to the circuit board with the cured ACF from the circuit board. Enormous man-hours.
そこで本発明においては、突起状電極を有する半導体装置を、異方性導電フィルムを介して回路基板に確実に熱圧着する半導体装置の接続方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for connecting a semiconductor device, in which a semiconductor device having a protruding electrode is reliably thermocompression bonded to a circuit board via an anisotropic conductive film.
この課題を解決するために本発明は、半導体装置の突起状電極を異方性導電フィルムへ押圧し、異方性導電フィルムをバンプのみに転写させ、半導体装置を回路基板に載置し、半導体装置を加圧および加熱して異方性導電フィルムを硬化させることで熱圧着する半導体装置の接続方法である。 In order to solve this problem, the present invention presses a protruding electrode of a semiconductor device onto an anisotropic conductive film, transfers the anisotropic conductive film only to a bump, and places the semiconductor device on a circuit board. This is a method of connecting a semiconductor device that is thermocompression bonded by pressurizing and heating the device to cure the anisotropic conductive film.
これにより、バンプ以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子が広がらず、バンプ間の短絡を防止できる。 Thereby, since the anisotropic conductive film is not transferred except for the bumps, the conductive particles contained in the anisotropic conductive film do not spread when the semiconductor device and the circuit board are connected, and a short circuit between the bumps can be prevented. .
本発明により、以下の効果を奏することができる。
(1)請求項1に記載の発明によれば、ACFをバンプのみに転写させるので、接続する際に、導電粒子が隣接するバンプの間に直列に並び短絡することがないため、確実な半導体装置と回路基板との接続が図れ、隣接するバンプ間の短絡による半導体装置の動作不良を防止できる。
(2)請求項2に記載の発明によれば、非導電性フィルム(以下、NCFと称す。)を予め回路基板に転写しておくことにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
(3)請求項3に記載の発明によれば、ACFをバンプのみに転写させた半導体装置を回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
(4)請求項4に記載の発明によれば、ACFをバンプのみに転写させた半導体装置を回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、ACFと樹脂を同時に加熱することができるので、1回の加熱工程とすることができる。よって、製造工程の簡略化が図れる。また、半導体装置と回路基板の間に樹脂を硬化させることにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
(5)請求項5に記載の発明によれば、回路基板に形成した電極板のみにACFを転写するので、接続する際に、導電粒子が隣接するバンプの間に直列に並び短絡することがないため、確実な半導体装置と回路基板との接続が図れ、隣接するバンプ間の短絡による半導体装置の動作不良を防止できる。
(6)請求項6に記載の発明によれば、半導体装置を回路基板に載置し、半導体回路を加圧、加熱した後、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
(7)請求項7に記載の発明によれば、半導体装置をACFを電極板に転写した回路基板に載置した後に、半導体装置と回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入することにより、ACFと樹脂を同時に加熱することができるので、1回の加熱工程とすることができる。よって、製造工程の簡略化が図れる。また、半導体装置と回路基板の間に樹脂を硬化させることにより、半導体装置と回路基板の密着度を高め、半導体装置への応力に対しての耐久度を増加させることができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
(1) According to the first aspect of the present invention, since the ACF is transferred only to the bumps, the conductive particles are not arranged in series between adjacent bumps and short-circuited when connecting. The device can be connected to the circuit board, and malfunction of the semiconductor device due to a short circuit between adjacent bumps can be prevented.
(2) According to the second aspect of the present invention, the non-conductive film (hereinafter referred to as NCF) is transferred to the circuit board in advance, thereby increasing the adhesion between the semiconductor device and the circuit board. The durability against the stress to the device can be increased.
(3) According to the invention described in
(4) According to the invention described in
(5) According to the invention described in
(6) According to the invention described in
(7) According to the invention described in
本願の請求項1に記載の発明は、突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ接続させる接続方法であって、前記半導体装置の前記バンプを前記異方性導電フィルムへ押圧し、前記異方性導電フィルムを前記バンプのみに転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法としたものであり、これにより、バンプ以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる電導粒子が広がらない。
The invention according to
請求項2に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置する前に、予め前記回路基板面に非導電性フィルムを転写し、前記バンプと前記電極板が接続するよう前記半導体装置を前記回路基板に載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して非導電性フィルムおよび前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の接続方法としたものであり、予め非電導性フィルムを回路基板に転写することにより、半導体装置と回路基板との密着度を高めることができる。
According to a second aspect of the present invention, before placing the semiconductor device on the circuit board, a non-conductive film is transferred to the surface of the circuit board in advance, so that the bump and the electrode plate are connected. 2. The semiconductor device connection method according to
請求項3に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記異方性導電フィルムを硬化させた後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の接続方法としたものであり、半導体装置と回路基板を接続した後に、熱硬化性樹脂を隙間に充填することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
According to a third aspect of the present invention, the semiconductor device is placed on the circuit board, the semiconductor device is pressurized and heated, and the anisotropic conductive film is cured, and then the semiconductor device and the circuit board A method for connecting a semiconductor device according to
請求項4に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱して前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の接続方法としたものであり、バンプに転写した異方性導電フィルムと半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂を同時に加熱することができる。また半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂により半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, after the semiconductor device is placed on the circuit board, a thermosetting resin is injected between the semiconductor device and the circuit board, and the semiconductor device is pressurized and heated. The resin and the anisotropic conductive film are cured, and the semiconductor device connection method according to
請求項5に記載の発明は、突起状電極であるバンプを形成した半導体装置を、導電粒子を含む異方性導電フィルムを介し、回路基板に形成した電極板へ圧着させる接続方法であって、前記回路基板に前記異方性導電フィルムを押圧し、前記電極板のみに前記異方性導電フィルムを転写し、前記半導体装置を前記回路基板に前記バンプと前記電極板が接続するよう載置し、前記半導体装置を加圧および加熱して異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法としたものであり、これにより、電極板以外に異方性導電フィルムが転写されていないため、半導体装置と回路基板を接続する際に、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子が広がらない。
The invention according to
請求項6に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置し、前記半導体装置を加圧および加熱した後、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置と前記回路基板を加熱して前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の接続方法としたものであり、半導体装置と回路基板を結合した後に、熱硬化性樹脂を隙間に充填することにより、半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
According to a sixth aspect of the present invention, after placing the semiconductor device on the circuit board, pressurizing and heating the semiconductor device, and then injecting a thermosetting resin between the semiconductor device and the circuit board. 6. The method of connecting a semiconductor device according to
請求項7に記載の発明は、前記半導体装置を前記回路基板へ載置した後に、前記半導体装置と前記回路基板の間に熱硬化性の樹脂を注入し、前記半導体装置を加圧および加熱し、前記樹脂および前記異方性導電フィルムを硬化させることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の接続方法としたものであり、回路基板に形成した電極に転写した異方性導電フィルムと半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂を同時に加熱することができる。また半導体装置と回路基板の間に注入した樹脂により半導体装置と回路基板の密着度を高めることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, after the semiconductor device is placed on the circuit board, a thermosetting resin is injected between the semiconductor device and the circuit board, and the semiconductor device is pressurized and heated. 6. The method of connecting a semiconductor device according to
以下に、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram illustrating a semiconductor device connection method according to the first embodiment of the present invention.
半導体装置の一例である、液晶パネルに表示する表示ドライバ素子1を、液晶パネルの回路基板を構成するガラス2に接続する構成を説明する。
A configuration in which a
液晶ドライバ素子1は、突起状電極であるバンプ3を有している。バンプ3の表面はAuで形成され、隣接するバンプとの間隔は15μmである。
The liquid
ガラス2は、電極板であるITO4が形成されている。
The
接続部材5は、ACF6とベースフィルム7から構成される。
The
また、ACF6は、熱硬化性樹脂から形成され、厚みは15〜20μmある。ACF6は、導電性を有する導電粒子8を含んでおり、この導電粒子8は、粒径がそろった球形をしており、金メッキしたポリマー等であれば、粒径が3〜5μmある。
Moreover, ACF6 is formed from a thermosetting resin, and thickness is 15-20 micrometers. The
次に、図1に基づいて、表示ドライバ素子1をガラス2に接続する方法を説明する。
Next, a method of connecting the
まず、接続部材5のACF6側へ表示ドライバ素子1のバンプ3を押圧する(同図(a))。
First, the
次に、バンプ3をACF6へ押圧することで、ACF6はベースフィルム7から剥がれるように、バンプ3の底面に転写しACF接続材9が形成される(同図(b))。
Next, by pressing the
そして、ACF接続材9がバンプ3に転写した表示ドライバ素子1をガラス2に形成された所定のITO4へ載置する(同図(c))。
Then, the
最後に、表示ドライバ素子1を上面からヒータブロック等(図示せず)で加圧、加熱する。
Finally, the
表示ドライバ素子1を加圧することで、ACF接続材9は、バンプ3の底面とITO4に挟まれ変形し押圧とともにバンプ3の外周方向へ広がる。
By pressing the
バンプ3の底面とITO4に挟まれたACF接続材9は、そのままバンプ3の底面とITO4に挟まれた状態となり、挟まれたACF接続材9に含まれる導電粒子8は、バンプ3の底面とITO4を導通する。
The
余分なACF接続材9を形成する樹脂はバンプ3を覆うように広がり、隣接するバンプ3の間にACF接続材9の樹脂が付着することがない。
The resin forming the excess
また、表示ドライバ素子1を加熱することで、ACF接続材9が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(d))。
Further, by heating the
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor device connection method according to the second embodiment of the present invention.
なお、図2においては、表示ドライバ素子1、ガラス2、バンプ3、ITO4、ACF接続材9は図1と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
In FIG. 2, the
本発明の実施の形態2に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として非導電性フィルム(以下、NCFと称す。)を使用するものであり、実施の形態1にてバンプの底面にACFを転写させた表示ドライバ素子を、予めNCFを転写したガラス上面に載置し接続する方法である。 The method for connecting a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention uses a non-conductive film (hereinafter referred to as NCF) as the underfill material, and the ACF is formed on the bottom surface of the bump in the first embodiment. In this method, the display driver element to which is transferred is placed and connected to the upper surface of the glass to which NCF has been transferred in advance.
以下、図2に基づいて接続方法を説明する。 Hereinafter, a connection method will be described with reference to FIG.
NCF10は、非導電性であり、熱硬化性樹脂にて形成されている。
The
バンプ3の底面にACF接続材9を転写させた表示ドライバ素子1を、ガラス2に転写させたNCF10の上面からITO4へ載置する(同図(a))。
The
表示ドライバ素子1を上面からヒータブロック等(図示せず)で加圧、加熱する。表示ドライバ素子1を加圧すると、ACF接続材9は、バンプ3の底面とITO4に挟まれ変形し、押圧とともにバンプ3の外周方向へ広がる。
The
バンプ3の底面とITO4に挟まれたACF接続材9は、そのままバンプ3の底面とITO4に挟まれ、挟まれたACF接続材9に含まれる導電粒子8は、バンプ3の底面とITO4を導通する。
The
NCF10は、表示ドライバ素子1とガラス2の隙間を充填し密着する。
The
表示ドライバ素子1を加熱することで、ACF接続材9およびNCF10が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(b))。
By heating the
(実施の形態3)
図3は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
(Embodiment 3)
FIG. 3 is a diagram illustrating a semiconductor device connection method according to the third embodiment of the present invention.
なお、図3においては、表示ドライバ素子1、ガラス2、バンプ3、ITO4、ACF接続材9は図1と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
In FIG. 3, the
本発明の実施の形態3に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として熱硬化性の樹脂を使用するものであり、実施の形態1にてバンプの底面にACFを転写させた表示ドライバ素子を、ガラス上面へ載置し、加圧および加熱した後、熱硬化性樹脂をガラスと表示ドライバ素子との間に充填し接続する方法である。 The semiconductor device connection method according to the third embodiment of the present invention uses a thermosetting resin as the underfill material, and the display driver element in which the ACF is transferred to the bottom surface of the bump in the first embodiment. Is placed on the upper surface of the glass, pressed and heated, and then filled with a thermosetting resin between the glass and the display driver element.
以下、図3に基づいて接続方法を説明する。 Hereinafter, the connection method will be described with reference to FIG.
樹脂11は、非導電性であり、熱硬化する特性を有している。
The
バンプ3の底面にACF接続材9を転写させ表示ドライバ素子1を、ガラス2の所定のITO4へ載置する(同図(a))。
The
表示ドライバ素子1を上面からヒータブロック等(図示せず)で加圧する。
The
表示ドライバ素子1を加圧すると、ACF接続材9は、バンプ3の底面とITO4に挟まれ変形し圧力とともにバンプ3の外周方向へ広がる。
When the
バンプ3の底面とITO4に挟まれたACF接続材9は、そのままバンプ3の底面とITO4に挟まれ、挟まれたACF接続材9に含まれる導電粒子8は、バンプ3の底面とITO4を導通する。
The
表示ドライバ素子1を加熱することで、ACF接続材9が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(b))。
By heating the
次に、樹脂11を表示ドライバ素子1とガラス2の隙間に充填する。最後に、表示ドライバ素子1およびガラス2を硬化炉へ入れ加熱することで、樹脂11が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(c))。
Next, the
以上説明したように、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の接続方法は、表示ドライバ素子1をガラス2へ載置し、表示ドライバ素子1を加圧および加熱した後、表示ドライバ素子1とガラス2の間に熱硬化性の樹脂11を注入し、表示ドライバ素子1とガラス2を加熱して樹脂11を硬化させる方法である。別な接続方法として、表示ドライバ素子1をガラス2へ載置した状態で、表示ドライバ素子1とガラス2の間に熱硬化性の樹脂11を注入し、表示ドライバ素子1とガラス2を加熱して樹脂11を硬化させても、表示ドライバ素子1とガラス2の接続が可能である。そうすることで、ACF接合部材9と樹脂11との加熱による硬化を、1度で完了できるので、製造工程の簡略化が図れる。
As described above, in the method for connecting a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, the
(実施の形態4)
図4は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
(Embodiment 4)
FIG. 4 is a diagram illustrating a semiconductor device connection method according to the fourth embodiment of the present invention.
なお、図4においては、表示ドライバ素子1、ガラス2、バンプ3、ITO4、接続部材5は図1と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
In FIG. 4, the
実施の形態1ではACFをバンプに転写させて接続する方法であるが、本発明の実施の形態4は、ACFをガラス上面に転写させて接続する方法である。 In the first embodiment, the ACF is transferred to the bump and connected, but in the fourth embodiment of the present invention, the ACF is transferred to the upper surface of the glass and connected.
以下、図4に基づいて説明する。 Hereinafter, a description will be given with reference to FIG.
まず、ガラス2のITO4に、接続部材5のACF6側、つまり接着面を向けて載せ、ベースフィルム7を押圧する(同図(a))。
First, the
ベースフィルム7を剥がすと、ACF6がITO4の上面の部分のみ転写して残り、ACF接続材12が形成される(同図(b))。
When the
ACF接続材12が転写したITO4に表示ドライバ素子1を所定の位置に載置する(同図(c))。
The
表示ドライバ素子1を上面からヒータブロック等(図示せず)で加圧および加熱する。
The
表示ドライバ素子1を加圧することで、ACF接続材12は、バンプ3の底面とITO4に挟まれ変形し圧力とともにバンプ3の外周方向へ広がる。
By pressurizing the
バンプ3の底面とITO4に挟まれたACF接続材12は、そのままバンプ3の底面とITO4に挟まれた状態となり、挟まれたACF接続材12に含まれる導電粒子8は、バンプ3の底面とITO4を導通する。
The
余分なACF接続材12を形成する樹脂が、バンプ3を覆うように広がり、隣接するバンプ3の間にACF接続材12が付着することがない。
The resin forming the excess
また、表示ドライバ素子1を加熱することで、ACF接続材12が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(d))。
Further, by heating the
(実施の形態5)
図5は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の接続方法を示す図である。
(Embodiment 5)
FIG. 5 is a diagram illustrating a semiconductor device connection method according to the fifth embodiment of the present invention.
なお、図5においては、表示ドライバ素子1、ガラス2、バンプ3、ITO4は図1と同様のものであるため、同符号を付して説明は省略する。
In FIG. 5, the
本発明の実施の形態5に係る半導体装置の接続方法は、アンダーフィル材として熱硬化性の樹脂を使用するものであり、実施の形態4にてACFをITO上面に転写させ、表示ドライバ素子を載置し、加圧および加熱した後、非導電性の熱硬化性樹脂をドライバ素子とガラスの隙間に充填する接続方法である。 The semiconductor device connection method according to the fifth embodiment of the present invention uses a thermosetting resin as the underfill material. In the fourth embodiment, the ACF is transferred to the upper surface of the ITO, and the display driver element is mounted. This is a connection method in which a non-conductive thermosetting resin is filled in a gap between a driver element and glass after being placed, pressurized and heated.
以下、図5に基づいて説明する。 Hereinafter, a description will be given based on FIG.
樹脂13は、非導電性であり、熱硬化する特性を有している。
The
まず、ITO4の上面にACF接続材12を転写させ表示ドライバ素子1を、所定の位置へ載置する(同図(a))。
First, the
次に、表示ドライバ素子1を上面からヒータブロック等(図示せず)で、まず加圧する。
Next, the
表示ドライバ素子1を加圧すると、ACF接続材12は、バンプ3の底面とITO4に挟まれ変形し圧力とともにバンプ3の外周方向へ広がる。
When the
バンプ3の底面とITO4に挟まれたACF接続材12は、そのままバンプ3の底面とITO4に挟まれ、挟まれたACF接続材12に含まれる導電粒子8は、バンプ3の底面とITO4を導通する。
The
表示ドライバ素子1を加熱することで、ACF接続材12が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する。
By heating the
そして、樹脂13を表示ドライバ素子1とガラス2の隙間に充填する。
Then, the
最後に、表示ドライバ素子1およびガラス2を硬化炉へ入れ加熱することで、樹脂13が硬化し、バンプ3とITO4の接続が強固なものとなり、表示ドライバ素子1がガラス2に固定し接続する(同図(b))。
Finally, the
以上説明したように、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の接続方法は、表示ドライバ素子1をガラス2へ載置し、表示ドライバ素子1を加圧および加熱した後、表示ドライバ素子1とガラス2の間に熱硬化性の樹脂13を注入し、表示ドライバ素子1とガラス2を加熱して樹脂13を硬化させる方法である。別な接続方法として、表示ドライバ素子1をガラス2へ載置した状態で、表示ドライバ素子1とガラス2の間に熱硬化性の樹脂13を注入し、表示ドライバ素子1とガラス2を加熱して樹脂13を硬化させても、表示ドライバ素子1とガラス2の接続が可能である。そうすることで、ACF接続材12と樹脂11との加熱による硬化を、1度で完了できるので、製造工程の簡略化が図れる。
As described above, in the method for connecting a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention, the
半導体装置の突起状電極を異方性導電フィルムへ押圧し、異方性導電フィルムをバンプのみに転写させることによって確実な半導体装置と回路基板との接続が必要な用途にも適用できる。 By pressing the protruding electrode of the semiconductor device against the anisotropic conductive film and transferring the anisotropic conductive film only to the bumps, it can also be applied to applications that require a reliable connection between the semiconductor device and the circuit board.
1 表示ドライバ素子
2 ガラス
3 バンプ
4 ITO
5 接続部材
6 ACF
7 ベースフィルム
8 導電粒子
9、12 ACF接続材
10 NCF
11、13 樹脂
1
5 Connecting
7
11, 13 resin
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