JP2005129662A - 常圧プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
常圧プラズマエッチング装置Mの供給源2のプロセスガスをプラズマ放電空間1aにてプラズマ化し、被処理物Wに吹付ける。被処理物Wは、エッチングされるべき窒化シリコンとエッチングされるべきでない酸化シリコンを有している。被処理物Wは、ヒータ6によって90℃(望ましくは100℃)〜200℃に加熱されている。
【選択図】 図1
Description
なお、窒化シリコンの選択比は、次式で表される。
(窒化シリコンの選択比)=(窒化シリコンのエッチングレート)÷(酸化シリコンのエッチングレート)
なお、温度の上限を200℃としたのは、それを超える温度では、酸化シリコンや基板上の配線や素子等に悪影響を与えるおそれがあるためである。
なお、プロセスガス成分や水添加量やワーキングディスタンス等を変えた場合と、被処理物の温度を変えた場合とでは、上記選択比の変動のオーダーが異なり、被処理物の温度を変えるほうが、選択比に極めて大きな影響を与える。
図1に示すように、常圧プラズマエッチング装置Mは、処理ヘッド1と、この処理ヘッド1に接続されたプロセスガス供給源2および電源3(電界印加手段)と、処理ヘッド1の下方に配されたステージ5とを備えている。ステージ5上に、例えばTFT等の被処理物Wが配置される。被処理物Wは、酸化シリコン(SiO2)を主成分とするガラス基材の表面に窒化シリコン(SiNx)を被膜したものである。
装置Mおよび被処理物Wは、略常圧環境に置かれている。
処理ヘッド1と被処理物Wとの間の距離すなわちワーキングディスタンスは、例えば1mm程度に設定されている。
被処理物Wが200℃以下になっているので、被処理物Wの酸化シリコンや配線や素子等に悪影響が及ぶのを防止できる。
例えば、被処理物加熱手段をステージ5に内蔵しなくてもよい。被処理物Wを別の場所で加熱したうえでステージ5上に載置するようになっていてもよい。
処理ヘッド1の吹出し孔1bの近傍に吸込み孔を設け、この吸込み孔を排気ポンプに接続し、エッチング処理後のガスや副生成物を吸引排気するようにしてもよい。
本実施形態の常圧プラズマエッチング装置Mは、被処理物を電極間空間から離して配置する所謂リモート式の装置であるが、被処理物を電極間空間の内部に配置する所謂ダイレクト式の装置であってもよい。
当該実施例では、図1と同様の装置を用い、常圧プラズマエッチングを行なった。処理条件は以下の通りである。
プロセスガス:CHF3 500sccm
H2O 4.5sccm
ワーキングディスタンス: 1.0mm
供給電力: 256watt
そして、被処理物の温度を、80℃〜150℃の範囲で変化させ、窒化シリコン(SiNx)とガラス(酸化シリコン)の各エッチングレート、ひいては窒化シリコンの選択比(=窒化シリコンのエッチングレート÷ガラスのエッチングレート)を測定した。
ガラス(酸化シリコン)のエッチングレートは、80℃付近では大きな値を示したが、温度を上昇させていくにしたがって反比例的に低下し、150℃付近では、殆どエッチングされなくなった。
一方、温度を上昇させて行っても、窒化シリコンのエッチングレートはあまり変動しなかった。これは、上記珪フッ化アンモニウムが、温度上昇に伴ってアンモニア・フッ化水素及び四フッ化珪素に分解され、窒化シリコン自体の温度上昇によるエッチングレート減退効果と相殺するためと考えられる。
具体的には、90℃付近で窒化シリコンと酸化シリコンのエッチングレートが略等しくなり(選択比=1)、それ以上では窒化シリコンのエッチングレートのほうが酸化シリコンのエッチングレートより大きくなった(選択比≧1)。これによって、被処理物温度を90℃以上にすれば、酸化シリコンよりも窒化シリコンをエッチングできることが判明した。
M 常圧プラズマエッチング装置
1a 電極間通路(プラズマ放電空間)
2 プロセスガス供給源
6 ヒータ(被処理物加熱手段)
Claims (2)
- エッチングされるべき窒化シリコンとエッチングされるべきでない酸化シリコンとを有する被処理物を略常圧下でプラズマエッチングする方法であって、
前記エッチング時の被処理物の温度を90℃〜200℃にすることを特徴とする常圧プラズマエッチング方法。 - エッチングされるべき窒化シリコンとエッチングされるべきでない酸化シリコンとを有する被処理物を略常圧下でプラズマエッチングする方法であって、
前記エッチング時の被処理物の温度を100℃〜200℃にすることを特徴とする常圧プラズマエッチング方法。
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