JP2005128104A - 光導波路モジュールの製造方法及び光導波路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 上下方向のみならず、上下左右方向の光軸調整、さらには、光軸に対する角度ズレの制御をも可能とし、また、軸調整後の固定時の接着剤の硬化応力による光軸ズレの緩和をも可能とする光導波路モジュールの製造方法及びこの製造方法により製造した光導波路モジュールを提供する。
【解決手段】 基板１表面に形成した切欠き部２の内面９にヒータ電極部を含む電極部１０を形成し、切欠き部２と光導波路ブロック８との間に充填した接着剤をヒータ電極部の加熱により硬化せしめて光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合を形成する工程を有するので、光素子４と光導波路ブロック８の間の光軸調整を行いながら光導波路ブロック８と基板１とを接合させることができ、光軸調整後に接合させる場合と比較すると接合時の接着剤の硬化収縮による光軸ズレの発生が抑制され、光軸調整精度の向上を図ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、光導波路モジュールを製造する際、光導波路ブロックと光素子の位置調整を適切に行うことによって得られる光導波路モジュールの製造方法及びこの製造方法により製造した光導波路モジュールに関するものである。

従来より、光導波路ブロック（光導波路板）８と光素子４の位置調整を行うことによって光導波路モジュールを製造する方法については、種々、検討がなされており、ここで使用される位置調整方法、特に、光軸調整方法としては、例えば、特開平６−３４８５３１号公報に開示されている方法を例示することができる。

すなわち、これは、図６に示すように、シリコン基板１７上に光素子アレイ１８を形成し、さらに、その光素子アレイ１８の位置と数に対応した複数本の平行なＶ溝１９を形成した後、これら複数のＶ溝１９の中央にこれらＶ溝１９を横切ってシリコン基板１７を貫通する長方形の穴部２０を形成するというものである。ここでは、各光ファイバ心線２１を上記Ｖ溝１９に挿入し、その先端が穴部２０を横断して各光素子に近接して配置するようにする。これを、多心光ファイバ個別軸調心機構２２を用いて各光素子に対して各光ファイバ心線２１を個別に高精度に軸合せしめ、その後接着剤等で各光ファイバ心線２１をシリコン基板１７に対して固定するというものである。

しかしながら、かかる光軸調整方法を用いた光導波路モジュールの製造方法では、上下方向の一方向しか光軸調整できず、また、軸調整後の固定の際も接着剤の硬化時の応力で光軸がずれることが懸念される等の解決すべき課題が残されていた。
特開平６−３４８５３１号公報

本発明は、上記背景技術に鑑みて発明されたものであり、その課題は、上下方向のみならず、上下左右方向の光軸調整、さらには、光軸に対する角度ズレの制御をも可能とし、また、軸調整後の固定時の接着剤の硬化応力による光軸ズレの緩和をも可能とする光導波路モジュールの製造方法及びこの製造方法により製造した光導波路モジュールを提供することである。

上記課題を解決するために、請求項１に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、基板表面に矩形溝型形状の切欠き部を形成し、前記切欠き部終端開放面に光素子の受発光部に至る光素子側光路開放端を配置せしめる一方、前記光素子側光路開放端と光結合可能な対応する光導波路側光路開放端を有する光導波路を形成した光導波路ブロックを、前記切欠き部に嵌入、実装する光導波路モジュールの製造方法であって、前記切欠き部内面にヒータ電極部を形成し、前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて前記光素子側光路開放端と、前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程を有することを特徴とするものである。なお、ここでいう基板とは、その形状が、板状で、その板状面上にのみ回路形成可能なもののみに限定されず、立体的形状の板状面以外の面上にも回路形成可能なものを含むものとする。

請求項２に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項１記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記ヒータ電極部が、複数の独立制御可能なヒータ回路部を備えることを特徴とするものである。

請求項３に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項２記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて、前記光素子側光路開放端と前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程が、前記光素子側光路開放端から遠いヒータ回路部から、前記光素子側光路開放端に近いヒータ回路部に向かって順次、加熱することにより達成することを特徴とするものである。

請求項４に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記切欠き部内面に第一の静電電極部を形成する一方、前記第一の静電電極部と相対する前記光導波路ブロックの面に第二の静電電極部を形成することを特徴とするものである。

請求項５に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項４記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記第二の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁を、相対する前記第一の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁よりも前記光素子側光路開放端に遠く形成することを特徴とするものである。

請求項６に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項４または請求項５記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記第一の静電電極部形成面上或いはこれらに対向する前記光導波路ブロックの面上、の少なくともいずれか一方の面上に頂面が絶縁性の凸部を一個または複数個形成することを特徴とするものである。

請求項７に係る発明の光導波路モジュールにあっては、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法により製造されたことを特徴とするものである。

請求項１に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、基板表面に矩形溝型形状の切欠き部を形成し、前記切欠き部終端開放面に光素子の受発光部に至る光素子側光路開放端を配置せしめる一方、前記光素子側光路開放端と光結合可能な対応する光導波路側光路開放端を有する光導波路を形成した光導波路ブロックを、前記切欠き部に嵌入、実装する光導波路モジュールの製造方法であって、前記切欠き部内面にヒータ電極部を形成し、前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて前記光素子側光路開放端と、前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程を有することを特徴とするので、光素子と光導波路ブロック間の光軸調整を行いながら光導波路ブロックと基板とを接合させることが可能となり、光軸調整後に接合させる場合と比較すると接合時の熱硬化性樹脂（接着剤）の硬化収縮による光軸ズレの発生が抑制され、光軸調整精度が向上するという優れた効果を奏する。

請求項２に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項１記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記ヒータ電極部が、複数の独立制御可能なヒータ回路部を備えることを特徴とするので、請求項１記載の光導波路モジュールの製造方法の発明の効果に加えて、ヒータ回路部を各々独立に制御することにより、より精妙な光軸調整が可能となり、光軸調整精度がさらに向上するという優れた効果を奏する。

請求項３に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項２記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて、前記光素子側光路開放端と前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程が、前記光素子側光路開放端から遠いヒータ回路部から、前記光素子側光路開放端に近いヒータ回路部に向かって順次、加熱することにより達成することを特徴とするので、請求項２記載の光導波路モジュールの製造方法の発明の効果に加えて、光素子が実装されている部位から離れた位置から徐々に光導波路ブロックと基板が接合されることとなり、熱硬化性樹脂の硬化収縮の影響を受けにくくなり、光軸調整精度が一層向上するという優れた効果を奏する。

請求項４に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記切欠き部内面に第一の静電電極部を形成する一方、前記第一の静電電極部と相対する前記光導波路ブロックの面に第二の静電電極部を形成することを特徴とするので、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法の発明の効果に加えて、上記第一の静電電極部と第二の静電電極部との間に電圧を負荷することにより静電引力を発生させ、この静電引力を用いて光導波路ブロックの位置を調整することができる結果、サブミクロンオーダーでの調整を容易に行うことが可能となり、光軸調整精度がさらに向上するという優れた効果を奏する。

請求項５に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項４記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記第二の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁を、相対する前記第一の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁よりも前記光素子側光路開放端に遠く形成することを特徴とするので、請求項４記載の光導波路モジュールの製造方法の発明の効果に加えて、上記第一の静電電極部と第二の静電電極部との間に電圧を負荷することにより静電引力を発生させ、この静電引力を用いて光導波路ブロックの位置を調整することができるだけでなく、上記静電引力により光素子側に光導波路ブロックを押し付ける力も働くので、光素子と光導波路ブロックとの間の隙間が小さくなり、光結合のカップリング損失を低減せしめ得るという優れた効果を奏する。

請求項６に係る発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、請求項４または請求項５記載の光導波路モジュールの製造方法において、前記第一の静電電極部形成面上或いはこれらに対向する前記光導波路ブロックの面上、の少なくともいずれか一方の面上に頂面が絶縁性の凸部を一個または複数個形成することを特徴とするので、請求項４または請求項５記載の光導波路モジュールの製造方法の発明の効果に加えて、上記凸部が短絡防止用ストッパーとして働くので、上記第一の静電電極部と第二の静電電極部の静電用電極同士が接触して短絡（ショート）するのを防止し得るという優れた効果を奏する。

請求項７に係る発明の光導波路モジュールにあっては、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法により製造されたことを特徴とするので、光軸調整精度に優れた光導波路モジュールとなるという優れた効果を奏する。

以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、本発明の光導波路モジュールの製造方法及びこの製造方法により製造した光導波路モジュールは、下記の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

すなわち、本実施形態の光導波路モジュールの製造方法は、図１に示すように、基板１表面に矩形溝型形状の切欠き部２を形成し、この切欠き部終端開放面３に光素子４の受発光部（図示せず）に至る光素子側光路開放端５を配置せしめる一方、光素子側光路開放端５と光結合可能な対応する光導波路側光路開放端６を有する光導波路７を形成した光導波路ブロック８を、切欠き部２に嵌入、実装する光導波路モジュールの製造方法である。

すなわち、切欠き部２の内面９にヒータ電極部１２（図３参照）を有する電極部１０を形成し、切欠き部２と光導波路ブロック８との間に充填した熱硬化性樹脂（接着剤）をヒータ電極部１２の加熱により硬化せしめて光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合を形成する工程を有するものである。ここで、図１は、本実施形態の光導波路モジュールの製造方法に係る光導波路モジュールの構成の概略を示すもので、（ａ）は、分解斜視図、（ｂ）は、光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合形成後の様子を示す斜視図である。図２は、本実施形態の光導波路モジュールの製造工程の概要を示すもので、（ａ）は、切欠き部２近傍の加工を示す斜視図、（ｂ）は、切欠き部２の内面９の電極部１０の形成を示す斜視図、（ｃ）は、光導波路ブロック８の形成を示す斜視図、（ｄ）は、光導波路ブロック８への電極部１６の形成を示す斜視図、（ｅ）は、光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合形成後の様子を示す斜視図である。一方、図３は、電極部１０の構成を例示するもので、（ａ）は、Ａ面電極部１０ａの要部の概略を模式的に示す図、（ｂ）は、Ｂ面電極部１０ｂの要部の概略を模式的に示す図である。

以下、本実施形態の光導波路モジュールの製造方法の概要を具体的に説明する。
１）基板１の表面に光導波路ブロック８を、嵌入、実装可能な矩形溝型形状の切欠き部２を形成し、この切欠き部終端開放面３に光素子４の受発光部（図示せず）に至る光素子側光路開放端５が配置されるように光素子４の実装を行う。併せて、切欠き部２の内面９である右側面９ａ、左側面９ｂと底面９ｃに高さ５μｍ程度の凸部１１を形成する（図２（ａ））。
２）基板１の表面に金をスパッタあるいは蒸着により２μｍ程度の厚みで薄膜形成する。レーザー加工等により、基板１の表面に形成した切欠き部２の内面９である右側面９ａ、左側面９ｂと底面９ｃに選択的に電極部１０を形成する（図２（ｂ））。電極部１０の電極パターンは図３に示すようにＡ面電極部１０ａを側面９ａ、９ｂに、Ｂ面電極部１０ｂを底面９ｃにパターニングを行う（図３（ａ）、（ｂ））。このパターンは（ア）〜（エ）の４つのヒータ回路部を有するヒータ電極部１２と、I〜IVの４つの静電引力発生用電極を有する静電引力発生用電極部１３から成り、側面９ａ、９ｂと底面９ｃの各電極部は相互に導通しておらず、それぞれ独立している。静電引力発生用電極（I〜IV）は、Ａ面電極部１０ａ、Ｂ面電極部１０ｂとともに、縦５０μｍ×横１００μｍのフラット電極を４つ独立に形成させる（図３（ａ）、（ｂ））。また、静電引力発生用電極部１３は、後述する光導波路ブロック８の側面１４および底面１５に形成する第二の静電電極部と相対し、この第二の静電電極部との間に静電引力を発生し得る第１の静電電極部となる（図３（ａ）、（ｂ））。一方、ヒータ電極部１２は、Ａ面、Ｂ面ともに幅５μｍ〜１０μｍ程度で蛇行させたヒータ回路よりなるヒータ回路部（ア）〜（エ）を横方向に４つに独立させた構造となっている（図３（ａ）、（ｂ））。
３）ＬＩＧＡプロセス等により、光導波路ブロック８を形成する（図２（ｃ））。
４）次に、光導波路ブロック８の側面１４および底面１５に第一の静電電極部である上記静電引力発生用電極部１３との間に静電引力を発生し得る第二の静電電極部である電極部１６（すなわち、側面電極部１６ａ、底面電極部１６ｂ）を形成する（図２（ｄ））。すなわち、切欠き部２の内面である側面９ａ、９ｂと底面９ｃに第一の静電電極部を形成する一方、この第一の静電電極部と相対する光導波路ブロック８の面に第二の静電電極部を形成することにより、上記第一の静電電極部と第二の静電電極部との間に電圧を負荷することにより静電引力を発生させ、この静電引力を用いて光導波路ブロック８の位置を調整することができるようにするというものである。その結果、基板１と光導波路ブロック８との間の位置関係において、サブミクロンオーダーでの調整が容易に行うことが可能となり、光軸調整精度をさらに向上せしめ得ることとなる（図２（ｅ））。

具体的には、側面１４および底面１５に金をスパッタあるいは蒸着により２μｍ程度の厚みで薄膜形成する。レーザー加工あるいはウェットエッチング等により側面１４と底面１５がそれぞれ独立した第二の静電電極部である電極部１６（すなわち、側面電極部１６ａ、底面電極部１６ｂ）を形成する。さらに、電極部１６は光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との接合面である上記切欠き部終端開放面３よりも５０μｍ程度離れた距離から電極形成されている。

ここで、図４は、静電引力による光導波路ブロック８の位置合わせの様子を示すもので、（ａ）は、切欠き部２に光導波路ブロック８をはめ込む様子を模式的に示す図、（ｂ）は、光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との接合方向にも静電引力が働く様子を模式的に示す図である。

すなわち、Ａ面電極部１０ａ、Ｂ面電極部１０ｂともに、その静電引力発生用電極部１３（すなわち、第一の静電電極部）の光素子側光路開放端５側の端縁が、上記切欠き部終端開放面３と略一致しているのに対して、図４（ａ）からもわかるように、第二の静電電極部である電極部１６の光導波路側光路開放端６側（即ち、光導波路ブロック８が、光結合する相手である光素子側光路開放端５側）の端縁が、上記切欠き部終端開放面３よりも、光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との接合方向と反対方向に５０μｍ程度ズレて対向しているため、後述する５）において、切欠き部２に光導波路ブロック８をはめ込む際（図４（ａ）参照）、光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との接合方向にも静電引力が働くこととなる。これにより、光導波路ブロック８には、常に光素子４と光導波路７の接合面（すなわち、切欠き部終端開放面３）方向（図４（ｂ）矢印方向）への静電引力が働くこととなり、光素子４と光導波路７が常にスリ合わさった状態で位置合せが可能となるというものである。すなわち、本発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、第二の静電電極部の前記光素子側光路開放端５側の端縁を、相対する第一の静電電極部の光素子側光路開放端５側の端縁よりも光素子側光路開放端５に遠く形成する結果、前記第一の静電電極部と第二の静電電極部との間に電圧を負荷することにより静電引力を発生させ、この静電引力を用いて光導波路ブロック８の位置を調整することができるだけでなく、この静電引力により光素子４の側に光導波路ブロック８を押し付ける力も働くので、光素子４と光導波路ブロック８との間の隙間が小さくなり、光素子４と光導波路７の間の光結合のカップリング損失を低減せしめ得ることとなる。

さらに、この場合において、静電引力発生用電極部１３の静電引力発生用電極（I〜 IV）は、切欠き部２の内面である側面９ａ、９ｂの各々４箇所及び底面９ｃの４箇所に独立して電圧を与えることができ、独立して静電引力を発生させること事が出来るため、図５に示すように、上下左右方向（矢印方向）さらには、光軸に対する回動方向（矢印方向）にも光導波路ブロック８を動かし、光軸に対する角度ズレの制御をも含む精妙な位置合せすることができることとなる。

一方、上記凸部１１に形成した電極部は除去し、凸部１１の頂面は、絶縁性を保持せしめることとした。この結果、静電引力により対向した第一の静電電極部と第二の静電電極部電極は近接するものの、凸部１１の存在により、両者の接触を回避できるため、短絡（ショート）することを防止できることとなる。なお、本実施形態では、短絡防止用ストッパーとして機能し得る凸部１１を切欠き部２の内面である側面９ａ、９ｂと底面９ｃに形成したが、第二の静電電極部形成面を有する光導波路ブロック８の側面１４および底面１５の上に形成しても良く、特に、制限されない。このように、本発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、第一の静電電極部形成面上或いはこれらに対向する光導波路ブロック８の面上、の少なくともいずれか一方の面上に頂面が絶縁性の凸部１１を一個または複数個形成することにより、凸部１１が短絡防止用ストッパーとして機能せしめ得るので、上記第一の静電電極部と第二の静電電極部の静電用電極同士が接触して短絡（ショート）するのを防止し得ることとなる。
５）次に、基板１の切欠き部２に熱硬化用接着剤を入れ、基板１の切欠き部２に光導波路ブロック８をはめ込む。基板１の切欠き部２の側面９ａ、９ｂおよび底面９ｃの静電引力発生用電極部１３の静電引力発生用電極（I〜IV）に独立した電圧を加え、上記したように、静電引力により光素子４と光導波路７との位置合せを行いながら、切欠き部２の側面９ａ、９ｂおよび底面９ｃのヒータ回路を動作させる。このとき、切欠き部２の側面９ａ、９ｂおよび底面９ｃのヒータ回路をヒータ回路部（エ）からヒータ回路部（ア）へ、順次、回路動作させ、光素子４と光導波路７の接合面に遠い部位から接着剤を硬化せしめ、基板１と光導波路ブロック８を固定する。このように光素子４と光導波路７の接合面に遠い位置から接着することで、最後まで静電引力による位置あわせができ接着剤の応力による位置ズレを防止できる。このように、本発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、切欠き部２と光導波路ブロック６との間に充填した熱硬化性樹脂をヒータ電極部１２の加熱により硬化せしめて、光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との光結合を形成する工程が、光素子側光路開放端５から遠いヒータ回路部から、光素子側光路開放端５に近いヒータ回路部に向かって順次、加熱することにより達成することができるので、光素子４が実装されている部位から離れた位置から徐々に光導波路ブロック８と基板１が接合されることとなり、熱硬化性樹脂の硬化収縮の影響を受けにくくなり、光軸調整精度を一層向上することが可能となる。

一方、ヒータ電極部１２の制御に着目すれば、基板１の切欠き部２の側面９ａ、９ｂおよび底面９ｃのヒータ回路部（ア）〜（エ）を独立して回路動作させることができるため、接着剤である熱硬化性樹脂の硬化位置を複数の独立制御可能なヒータ回路部で制御でき、基板１と光導波路ブロック８の固定位置を比較的高い自由度で制御できることとなる。このように、本発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、ヒータ電極部１２が、複数の独立制御可能なヒータ回路部を備えているので、ヒータ回路部を各々独立に制御することにより、より精妙な光軸調整が可能となり、光軸調整精度をさらに向上することが可能となる。

以上のように、本発明の光導波路モジュールの製造方法にあっては、基板１表面に矩形溝型形状の切欠き部２を形成し、この切欠き部終端開放面３に光素子４の受発光部に至る光素子側光路開放端５を配置せしめる一方、光素子側光路開放端５と光結合可能な対応する光導波路側光路開放端６を有する光導波路７を形成した光導波路ブロック８を、切欠き部２に嵌入、実装する光導波路モジュールの製造方法において、切欠き部２の内面９にヒータ電極部１０を形成し、切欠き部２と光導波路ブロック８との間に充填した熱硬化性樹脂をヒータ電極部１０の加熱により硬化せしめて光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合を形成する工程を有するので、光素子と光導波路ブロック間の光軸調整を行いながら光導波路ブロックと基板とを接合させることが可能となり、光軸調整後に接合させる場合と比較すると接合時の接着剤の硬化収縮による光軸ズレの発生が抑制され、光軸調整精度が向上することとなる。

さらに、本発明の上記光導波路モジュールの製造方法により製造された光導波路モジュールは、その製造工程において、上下方向のみならず、上下左右方向の光軸調整、さらには、光軸に対する角度ズレの制御が可能であり、さらには、軸調整後の固定時の接着剤の硬化応力による光軸ズレの緩和等も可能となる結果、光軸調整精度に優れた光導波路モジュールとなる。

本発明の一実施形態である光導波路モジュールの製造方法に係る光導波路モジュールの構成の概略を示すもので、（ａ）は、分解斜視図、（ｂ）は、光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合形成後の様子を示す斜視図である。 本発明の一実施形態である光導波路モジュールの製造工程の概要を示すもので、（ａ）は、切欠き部２近傍の加工を示す斜視図、（ｂ）は、切欠き部２の内面９の電極部１０の形成を示す斜視図、（ｃ）は、光導波路ブロック８の形成を示す斜視図、（ｄ）は、光導波路ブロック８への電極部１６の形成を示す斜視図、（ｅ）は、光素子側光路開放端５と、光導波路側光路開放端６との光結合形成後の様子を示す斜視図である。 本発明の一実施形態である光導波路モジュールの電極部１０の構成を例示するもので、（ａ）は、Ａ面電極部１０ａの要部の概略を模式的に示す図、（ｂ）は、Ｂ面電極部１０ｂの要部の概略を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態である光導波路モジュールの製造方法における静電引力による光導波路ブロック８の位置調整の様子を示すもので、（ａ）は、切欠き部２に光導波路ブロック８をはめ込む様子を模式的に示す図、（ｂ）は、光素子側光路開放端５と光導波路側光路開放端６との接合方向にも静電引力が働く様子を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態である光導波路モジュールの製造方法における光導波路ブロック８の位置調整の可能な方向等を模式的に示す図である。 従来例にかかる光素子アレイと多心光ファイバの光結合装置の構成を示すもので、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、側面図である。

符号の説明

１ 基板
２ 切欠き部（基板１）
３ 切欠き部終端開放面
４ 光素子
５ 光素子側光路開放端（光素子４）
６ 光導波路側光路開放端（光導波路７）
７ 光導波路
８ 光導波路ブロック
９ 内面（切欠き部２）
９ａ 右側面（内面９）
９ｂ 左側面（内面９）
９ｃ 底面（内面９）
１０ 電極部（内面９）
１０ａ Ａ面電極部（右側面９ａ、左側面９ｂ）
１０ｂ Ｂ面電極部（底面９ｃ）
１１ 凸部（内面９等）
１２ ヒータ電極部（内面９）
１３ 静電引力発生用電極部（内面９）
１４ 側面（光導波路ブロック８）
１５ 底面（光導波路ブロック８）
１６ 電極部（光導波路ブロック８）
１６ａ 側面電極部（側面１４）
１６ｂ 底面電極部（底面１５）
１７ シリコン基板
１８ 光素子アレイ
１９ Ｖ溝（シリコン基板１７）
２０ 穴部（シリコン基板１７）
２１ 光ファイバ心線
２２ 多心光ファイバ個別軸調心機構
２３ 光ファイバテープ
２４ 半導体レーザアレイ用電源
２５ 光パワー測定器
２６ 圧電素子コントローラ
２７ 圧電素子
２８ 上下微動台（基台）
２９ 微調整板
３０ 基台

Claims (7)

1. 基板表面に矩形溝型形状の切欠き部を形成し、前記切欠き部終端開放面に光素子の受発光部に至る光素子側光路開放端を配置せしめる一方、前記光素子側光路開放端と光結合可能な対応する光導波路側光路開放端を有する光導波路を形成した光導波路ブロックを、前記切欠き部に嵌入、実装する光導波路モジュールの製造方法であって、前記切欠き部内面にヒータ電極部を形成し、前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて前記光素子側光路開放端と、前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
2. 前記ヒータ電極部が、複数の独立制御可能なヒータ回路部を備えることを特徴とする請求項１記載の光導波路モジュールの製造方法。
3. 前記切欠き部と前記光導波路ブロックとの間に充填した熱硬化性樹脂を前記ヒータ電極部の加熱により硬化せしめて、前記光素子側光路開放端と前記光導波路側光路開放端との光結合を形成する工程が、前記光素子側光路開放端から遠いヒータ回路部から、前記光素子側光路開放端に近いヒータ回路部に向かって順次、加熱することにより達成することを特徴とする請求項２記載の光導波路モジュールの製造方法。
4. 前記切欠き部内面に第一の静電電極部を形成する一方、前記第一の静電電極部と相対する前記光導波路ブロックの面に第二の静電電極部を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法。
5. 前記第二の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁を、相対する前記第一の静電電極部の前記光素子側光路開放端側の端縁よりも前記光素子側光路開放端に遠く形成することを特徴とする請求項４記載の光導波路モジュールの製造方法。
6. 前記第一の静電電極部形成面上或いはこれらに対向する前記光導波路ブロックの面上、の少なくともいずれか一方の面上に頂面が絶縁性の凸部を一個または複数個形成することを特徴とする請求項４または請求項５記載の光導波路モジュールの製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法により製造されたことを特徴とする光導波路モジュール。

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