JP2005123319A - Manufacturing method of semiconductor device and release sheet used therefor - Google Patents

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Hitoshi Takano
均 高野
Tadashi Terajima
正 寺島
Hiroyuki Kondo
広行 近藤
Daisuke Shimokawa
大輔 下川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for sufficiently cleaning an inner surface of a metallic mold while a mold release sheet is continuously supplied in the method for resin-sealing a substrate on which a semiconductor chip is loaded by using the release sheet and manufacturing a semiconductor device. <P>SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor device includes at least a process for providing the mold release sheet (1) between a sealed face on which a connection circuit (22) is arranged in the substrate (21) on which the semiconductor chip (2) is loaded and the inner face of the metallic mold (4) and for sealing resin (5) so that the connection circuit (22) is exposed. The release sheet (1) is continuously conveyed along the inner face of the metallic mold (4) whenever the resin sealing process is performed. A surface on a side arranged on the inner face of the metallic mold (4) of the mold resin sheet (1) has a function for cleaning the inner face of the metallic mold. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置の製造方法および当該製造方法に用いる離型シートに関する。本発明の半導体装置の製造方法は、LSIの実装技術におけるCSP (Chip Scale/Size Package) 技術、特にその技術の内、QFN (Quad Flat Non−leaded package) 、SON (Small Outline Non−leaded package) に代表されるリード端子等の接続回路がパッケージ内部に取りこまれた形態のパッケ−ジ成形に有用なものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a release sheet used in the manufacturing method. The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a CSP (Chip Scale / Size Package) technology in LSI mounting technology, particularly, among those technologies, QFN (Quad Flat Non-leaded package), SON (Small Outline Non-leaded package). It is useful for forming a package in which a connection circuit such as a lead terminal is incorporated in the package.

従来より、半導体チップを搭載した基板を、封止樹脂により封止してパッケージング化することにより半導体装置を製造している。当該封止工程は金型内で行われることから、金型内面と封止樹脂との離型性を向上させるため金型内面には離型シートを適用する方法が広く用いられている。   Conventionally, a semiconductor device is manufactured by sealing a substrate on which a semiconductor chip is mounted with a sealing resin to form a package. Since the sealing step is performed in the mold, a method of applying a release sheet to the mold inner surface is widely used in order to improve the mold release property between the mold inner surface and the sealing resin.

また近年のLSIの実装技術においては、QFNに代表される片面封止形態のパッケージなどが、小型化の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつとして知られている。このような片面封止パッケージを作成する際には、被封止面とその反対側に樹脂が廻り込まないように、パッキン材として離型シートを用いることが有効である。前記離型シートとしては、たとえば、基板の被封止面に配置される側の表面に粘着性を持たせることで、基板とのシール効果を向上させたものが知られている(特許文献1参照)。このように、金型内面と基板の被封止面との間に離型シートを用いることは近年の半導体装置の製造において有効な方法として知られている。   In recent LSI mounting technology, a single-side sealed package represented by QFN or the like is known as one of the package types that are particularly noted in terms of miniaturization. When producing such a single-side sealed package, it is effective to use a release sheet as a packing material so that the resin does not go around the surface to be sealed and the opposite side. As the release sheet, for example, a sheet having an improved sealing effect with respect to the substrate is known by giving the surface of the substrate disposed on the surface to be sealed an adhesive property (Patent Document 1). reference). Thus, using a release sheet between the inner surface of the mold and the surface to be sealed of the substrate is known as an effective method in the manufacture of semiconductor devices in recent years.

特に近年では、注型金型の前後にリール機能を配置して、封止工程を施した後毎に、ロール状の離型シートを連続的に供給する方法は、リール・トゥ・リール(Real to Real)法等とも呼ばれる方法であり、連続生産するオートメーションモールド装置に有利な技術として知られている(特許文献2参照)。   In particular, in recent years, a reel function is arranged before and after the casting mold, and a method of continuously supplying a roll-shaped release sheet after the sealing process is performed is a reel-to-reel method. to Real) method, etc., and is known as a technique advantageous to an automation mold apparatus for continuous production (see Patent Document 2).

一方で、このような半導体装置の製造において、樹脂封止に用いる金型は、樹脂漏れの発生を防ぐため高い精度が要求される。すなわち、金型内面上に異物や汚染物が付着していると、これらの精度が損なわれた状況と同じ状態になり、樹脂漏れや樹脂の流動性不良を引き起こしかねない。したがって、連続生産においては、常に清浄な状態を保つために、樹脂封止を施す毎に金型内面の清掃を頻繁に行なう必要がある。金型内面に飛散した注型樹脂などをはじめとした異物や汚染物のクリーニングは、エアブラシなどを用いて行なっていた。   On the other hand, in the manufacture of such a semiconductor device, a metal mold used for resin sealing is required to have high accuracy in order to prevent the occurrence of resin leakage. That is, if foreign matter or contaminants adhere to the inner surface of the mold, the same state as that in which the accuracy is impaired may be caused, which may cause resin leakage or poor resin fluidity. Therefore, in continuous production, it is necessary to frequently clean the inner surface of the mold every time resin sealing is performed in order to keep a clean state. Cleaning of foreign matters and contaminants such as casting resin scattered on the inner surface of the mold was performed using an air brush or the like.

しかしながら、金型内に離型シートを連続的に供給する方法では、樹脂封止工程を施した後に、離型シートを一旦外して金型の内面を清浄度を確認する必要があった。そのため、金型内面のクリーニングなどに係わるメンテナンス性を損なうことなく、離型シートの連続的供給に係わる作業性を良好に行なうことは困難であった。
特開2000−294580号公報 米国特許第6033933号明細書
However, in the method of continuously supplying the release sheet into the mold, it is necessary to remove the release sheet once and to check the cleanliness of the inner surface of the mold after the resin sealing step. Therefore, it has been difficult to satisfactorily perform the workability related to the continuous supply of the release sheet without impairing the maintainability related to the cleaning of the inner surface of the mold.
JP 2000-294580 A US Pat. No. 6,033,933

本発明は、半導体チップを搭載した基板を離型シート用いて樹脂封止して半導体装置を製造する方法であって、離型シートを連続的に供給しながら、かつ金型内面のクリーニングを良好に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device by resin-sealing a substrate on which a semiconductor chip is mounted using a release sheet, and provides good cleaning of the inner surface of the mold while continuously supplying the release sheet It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be performed in a simple manner.

また本発明は、前記半導体装置の製造方法に用いる半導体装置製造用の離型シートを提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to provide a release sheet for manufacturing a semiconductor device used in the method for manufacturing a semiconductor device.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、下記に示す半導体装置の製造方法およびそれに用いる離型シートを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found a semiconductor device manufacturing method and a release sheet used therefor, and have completed the present invention.

すなわち本発明は、半導体チップを搭載した基板の被封止面と少なくとも片側の金型内面との間に、離型シートを介在させて樹脂封止する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
前記離型シートは、樹脂封止工程を施した後毎に金型内面に沿って連続的に搬送し、
かつ前記離型シートの金型内面に配置される側の表面は、金型内面を清浄化する機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、に関する。
That is, the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device including at least a step of resin sealing with a release sheet interposed between a sealed surface of a substrate on which a semiconductor chip is mounted and at least one mold inner surface. And
The release sheet is continuously conveyed along the inner surface of the mold every time after the resin sealing step is performed,
And the surface of the side arrange | positioned at the metal mold | die inner surface of the said release sheet has a function which cleans a metal mold | die inner surface, It is related with the manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.

上記半導体装置の製造方法では、離型シートとして、片側に、金型内面を清浄化する機能を示す表面を有するものを用い、これを金型内面に対して配置している。そのため、樹脂封止工程の後に、離型シートを金型内面に沿って搬送し、供給することにより、当該離型シートの浄化機能表面によって、樹脂封止工程で生じる異物や汚染物を除去することができる。したがって、上記半導体装置の製造方法によれば、離型シートの連続的供給に係わる作業性を満足しながら、金型内面のクリーニングなどに係わるメンテナンス性に併せ持つことができる。   In the manufacturing method of the semiconductor device, a release sheet having a surface showing a function of cleaning the inner surface of the mold on one side is used and disposed on the inner surface of the mold. Therefore, after the resin sealing step, the release sheet is transported along the inner surface of the mold and supplied to remove foreign matters and contaminants generated in the resin sealing step by the purification function surface of the release sheet. be able to. Therefore, according to the manufacturing method of the semiconductor device, it is possible to have maintenance work related to cleaning of the inner surface of the mold while satisfying workability related to continuous supply of the release sheet.

また本発明は、前記半導体装置の製造方法に用いる離型シートであって、
前記基板の被封止面に配置される側の表面は、離型機能を有しており、
前記金型内面に配置される側の表面は、金型内面を清浄化する機能を有していることを特徴とする半導体装置製造用離型シート、に関する。
Moreover, this invention is a release sheet used for the manufacturing method of the said semiconductor device,
The surface on the side to be arranged on the surface to be sealed of the substrate has a release function,
The surface of the side arrange | positioned at the said metal mold | die inner surface has a function which cleans a metal mold | die inner surface, It is related with the release sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned.

前記半導体装置製造用離型シートとしては、前記金型内面に配置される側の表面が、不織布であるものを好適に用いることができる。   As the release sheet for manufacturing a semiconductor device, a sheet in which the surface on the inner surface of the mold is a nonwoven fabric can be suitably used.

また前記半導体装置製造用離型シートとしては、前記金型内面に配置される側の表面が、紙であるものを好適に用いることができる。   Further, as the release sheet for manufacturing a semiconductor device, a sheet whose surface on the inner surface of the mold is paper can be suitably used.

また前記半導体装置製造用離型シートとしては、前記金型内面に配置される側の表面が、粘着性を有する層により形成されているものを好適に用いることができる。   In addition, as the release sheet for manufacturing a semiconductor device, a sheet in which the surface on the inner surface of the mold is formed by an adhesive layer can be suitably used.

これら半導体装置製造用離型シートは、樹脂封止工程で生じる異物に対して特に優れた清浄効果を有するものである。   These release sheets for manufacturing semiconductor devices have a particularly excellent cleaning effect against foreign matters generated in the resin sealing process.

以下に図面を参照しながら、半導体装置製造用離型シート、半導体装置の製造方法について順に説明する。   Hereinafter, a release sheet for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device will be described in order with reference to the drawings.

(半導体装置製造用離型シート)
図1に示すように、本発明の半導体装置製造用離型シート(1)は、片側には離型機能を有する層(11)を、もう一方の片側には金型内面を清浄化する機能を有する層(12)を、少なくとも有するものが用いられる。離型シート(1)は、半導体装置の製造方法において、離型層(11)が基板の被封止面側になり、清浄層(12)が、金型内面側になるように配置される。
(Release sheet for semiconductor device manufacturing)
As shown in FIG. 1, the release sheet (1) for manufacturing a semiconductor device of the present invention has a layer (11) having a release function on one side and a function of cleaning the inner surface of the mold on the other side. Those having at least the layer (12) having In the method for manufacturing a semiconductor device, the release sheet (1) is disposed such that the release layer (11) is on the sealed surface side of the substrate and the clean layer (12) is on the inner surface side of the mold. .

離型層(11)を形成する材料としては、一般的に、離型シートに用いられているものがあげられる。材質特に限定されないが、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA) 、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)、フッ素ゴムなどをはじめとしたフッ素樹脂等があげられる。   Examples of the material for forming the release layer (11) include materials generally used for release sheets. The material is not particularly limited. For example, polytetrafluoroethylene (PTFE), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether Examples thereof include fluororesins such as a copolymer (PFA), polyvinylidene fluoride (PVdF), and fluororubber.

また離型層(11)を形成する材料としては、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などがあげられる。またこれらポリイミドなどは、耐熱性および離型性を有する粘着剤層を設けたものを用いることができ、効果的に基板などに対する密着性を得ることができることから、樹脂のはみ出しなどのフラッシュを防止するマスキング効果も高く、フッ素樹脂とともに、離型シートの材料として広く用いられるものである。   Examples of the material for forming the release layer (11) include polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalate (PEN). In addition, these polyimides can be used with a heat-resistant and releasable pressure-sensitive adhesive layer, and can effectively obtain adhesion to the substrate, etc., thus preventing flashing of the resin. It has a high masking effect and is widely used as a material for a release sheet together with a fluororesin.

離型層(11)の厚みは、樹脂封止時に樹脂漏れを抑えるパッキン材料としての効果が求められることから、通常1〜1000μm程度であるのが好ましく、さらに好ましくは5〜200μmとされる。   The thickness of the release layer (11) is usually preferably about 1 to 1000 μm, more preferably 5 to 200 μm, since an effect as a packing material that suppresses resin leakage during resin sealing is required.

清浄層(12)は、大きく分けて以下に示す1)乃至3)のいずれかの清浄化機能に係わる効果の少なくとも1つの効果を示すものである。すなわち、1)金型に沿って離型シートが動かされる時に、擦られることによって金型内表面を磨く効果、2)金型と密着した時、金型表面に付着している異物を接着することによって金型内面から異物を取り去る効果、3)金型内表面に密着した時、金型内表面に付着している汚染物を吸収することによって汚染物を金型内面から取り去る効果、が主にあげられる。清浄層(12)は、これらの清浄化機能を単独または複合的に有することで、金型内の表面を清浄化することが可能である。清浄層(12)は樹脂封止工程に対して耐熱性を有するものが用いられる。具体的には、170〜180℃程度の温度領域において、著しい熱収縮や劣化を伴った発ガス等の熱変化が生じない高分子材料が好適に用いられる。   The cleaning layer (12) roughly shows at least one of the effects related to the cleaning function 1) to 3) shown below. That is, 1) the effect of polishing the inner surface of the mold by rubbing when the release sheet is moved along the mold, and 2) adhering foreign matter adhering to the mold surface when in close contact with the mold. Mainly, the effect of removing foreign matter from the inner surface of the mold, 3) the effect of removing contaminants from the inner surface of the mold by absorbing the contaminants adhering to the inner surface of the mold when closely attached to the inner surface of the mold It is given to. The cleaning layer (12) has these cleaning functions alone or in combination, so that the surface in the mold can be cleaned. As the clean layer (12), a layer having heat resistance for the resin sealing step is used. Specifically, a polymer material that does not cause a heat change such as gas generation accompanied by significant heat shrinkage or deterioration in a temperature range of about 170 to 180 ° C. is preferably used.

清浄層(12)の形成材料としては、不織布、紙、または粘着性を有する層があげられる。特に、不織布または紙を素材とした場合には、金型内面を擦る1)の効果と、金型内面の汚染物を含浸吸収する3)の効果を併せ持つ。不織布としては、ナイロンやポリエステル系の材料からなるもののほか、耐熱性に優れるアラミド繊維等を材質とするものが好適に用いられる。紙としては特に制限されず、一般的な洋紙を用いることができるが、特に和紙のように繊維の隙間が大きく気孔率の高いものは金型内面の汚染物を絡め易く好適に用いられる。   Examples of the material for forming the clean layer (12) include nonwoven fabric, paper, and a layer having adhesiveness. In particular, when a nonwoven fabric or paper is used as a raw material, it has both the effect of 1) rubbing the inner surface of the mold and the effect of 3) impregnating and absorbing contaminants on the inner surface of the mold. As the nonwoven fabric, in addition to those made of nylon or polyester materials, those made of aramid fibers having excellent heat resistance are preferably used. The paper is not particularly limited, and common western paper can be used. Particularly, paper having a large fiber gap and high porosity, such as Japanese paper, is preferably used because it easily entangles contaminants on the inner surface of the mold.

粘着性を有する層は、金型内面に強く密着せず、樹脂封止工程の後に引き剥がしができるものであれば特に限定されないが、樹脂封止工程における耐熱性等の面から、シリコーン系粘着剤、アクリル系の粘着剤を用いたものが好ましい。これら粘着剤は、異物を接着除去する2)の効果も良好である。   The adhesive layer is not particularly limited as long as it does not strongly adhere to the inner surface of the mold and can be peeled off after the resin sealing step. A material using an adhesive and an acrylic adhesive is preferable. These pressure-sensitive adhesives also have a good effect of 2) for removing foreign substances by adhesion.

なお、清浄層(12)には、補助的に、界面活性剤や研磨剤などの化学洗浄剤などを予め含浸しておき、これを金型内の表面に密着させることで、それらの洗浄機能によって表面を清浄化する機能を向上させることも可能である。清浄層(12)の形成材料として不織布、紙を用いた場合には補助的な化学洗浄剤などの含浸も容易に行うことができる。   In addition, the cleaning layer (12) is supplementarily impregnated with a chemical cleaning agent such as a surfactant or an abrasive in advance, and this is adhered to the surface in the mold, thereby cleaning them. It is also possible to improve the function of cleaning the surface. When a nonwoven fabric or paper is used as a material for forming the cleaning layer (12), impregnation with an auxiliary chemical cleaning agent can be easily performed.

清浄層(12)の厚みは、金型の段差や突起に対してある程度追随することが好ましいことから、通常、1〜1000μm程度、好ましくは5〜200μmとされる。   The thickness of the cleaning layer (12) is preferably about 1 to 1000 μm, preferably 5 to 200 μm because it preferably follows the steps and protrusions of the mold to some extent.

(半導体装置の製造方法:樹脂封止方法)
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載した基板の被封止面と少なくとも片側の金型内面との間に、離型シートを介在させて樹脂封止する工程を少なくとも含む。すなわち、離型シートは上金型内面または下金型内面の少なくとも一方の側に介在させる。
(Semiconductor device manufacturing method: resin sealing method)
The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes at least a step of resin sealing with a release sheet interposed between a surface to be sealed of a substrate on which a semiconductor chip is mounted and at least one mold inner surface. That is, the release sheet is interposed on at least one side of the upper mold inner surface or the lower mold inner surface.

図2は、半導体チップを搭載した基板において接続回路が配設された被封止面と金型内面との間に、離型シートを介在させて、前記接続回路が露出するように樹脂封止する場合である。図2の(イ)乃至(ハ)は、本発明の離型シート(1)を使用した半導体装置の製造方法の一例を示したものである。   FIG. 2 shows a resin-sealed structure in which a release sheet is interposed between a surface to be sealed in which a connection circuit is disposed on a substrate on which a semiconductor chip is mounted and an inner surface of a mold so that the connection circuit is exposed. This is the case. FIGS. 2A to 2C show an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the release sheet (1) of the present invention.

上記製造方法によれば、半導体チップ(2)を搭載しパッケージング化した半導体装置が得られる。半導体チップ(2)とは、たとえば、各種回路パターンが施されたシリコンチップ等があげられる。   According to the manufacturing method, a semiconductor device in which the semiconductor chip (2) is mounted and packaged can be obtained. Examples of the semiconductor chip (2) include a silicon chip to which various circuit patterns are applied.

この半導体チップ(2)は、基板(21)に搭載される場合が一般的である。基板(21)とは、半導体チップ(2)と結線される接続回路(22)を有するものであり、一般的にガラスエポキシ系の有機基板やセラミックなどの無機基板、また銅製のリードフレームなどがあげられる。接続回路(22)としては、端子または電極があげられる。基板(2)は、最終的にパッケージング化される半導体装置となるものであれば特に限定されるものではない。   This semiconductor chip (2) is generally mounted on a substrate (21). The substrate (21) has a connection circuit (22) connected to the semiconductor chip (2). Generally, a glass epoxy organic substrate, an inorganic substrate such as ceramic, a copper lead frame, or the like is used. can give. Examples of the connection circuit (22) include a terminal or an electrode. The substrate (2) is not particularly limited as long as it is a semiconductor device that is finally packaged.

半導体チップ(2)の搭載とは、半導体チップ(2)が基板(21)との結線を施すために固定しているこという。たとえば、基板(21)そのものに半導体チップ(2)を搭載するためのダイが存在する場合には、半導体チップ(2)はそれらに接着剤によって固定したり、または両面テープなどで固定される。また、基板(21)がダイを直接持たない基板の場合には、たとえば一時的にテープなどで固定部分を設けて、最終的に封止樹脂によって封止された後にテープなどは剥がされる場合もあるが、これらも実質的に半導体チップ(2)との結線を施すためテープ面などに仮固定し、最終的にパッケージング化されることから、これらも含めて搭載という。図2は、基板(21)がダイを有していない場合である。   The mounting of the semiconductor chip (2) means that the semiconductor chip (2) is fixed for connection with the substrate (21). For example, when there is a die for mounting the semiconductor chip (2) on the substrate (21) itself, the semiconductor chip (2) is fixed to them with an adhesive or fixed with a double-sided tape or the like. Further, when the substrate (21) is a substrate that does not directly have a die, for example, a fixing portion may be temporarily provided with a tape or the like, and the tape or the like may be peeled off after being finally sealed with a sealing resin. However, these are also temporarily fixed on a tape surface or the like for connection with the semiconductor chip (2), and finally packaged. FIG. 2 shows the case where the substrate (21) does not have a die.

これらの半導体チップ(2)を搭載した基板(21)は、一般的にワイヤボンディングなどの結線工程を経て、金型(3、4)内で封止樹脂(5)によりモールドされ半導体パッケージとなる。図2では、接続回路(22)がワイヤーボンディング(23)により結線されている。   The substrate (21) on which these semiconductor chips (2) are mounted is generally molded by a sealing resin (5) in a mold (3, 4) through a connection process such as wire bonding to form a semiconductor package. . In FIG. 2, the connection circuit (22) is connected by wire bonding (23).

図2では、樹脂封止によってQFNを製造する場合を例示する。封止の対象となる半導体チップ(2)は、通常、図4(イ)に示すようなリードフレーム内の複数のユニット(図4(ロ)は1ユニットを示す)に、半導体チップ(2)が各々ワイヤボンディング等されたものを使用する。図2(イ)〜(ハ)は、理解を容易にすべく、1ユニット分について図示してある。   In FIG. 2, the case where QFN is manufactured by resin sealing is illustrated. The semiconductor chip (2) to be sealed is usually divided into a plurality of units (FIG. 4 (b) shows one unit) in the lead frame as shown in FIG. Are respectively wire-bonded or the like. 2A to 2C are illustrated for one unit for easy understanding.

図2(イ)では、半導体チップ(2)の電極とリードフレーム(21)のリード端子(22)との間を金等のワイヤ(23)でボンディングしたものを、リード端子(22)が下金型(4)の側になるように配置している。リードフレーム(21)と下金型(4)の内面との間には、前記離型シート(1)を介在させている。前記離型シート(1)は下金型(4)に沿って、巻き出しリール(6)から、巻き取りリール(7)に連続的に供給可能に配置されている。前記離型シート(1)は、下金型(4)の内面に配置される側が、清浄層(12)になるように配置されている。   In FIG. 2 (a), the lead terminal (22) is bonded to the electrode of the semiconductor chip (2) and the lead terminal (22) of the lead frame (21) with a wire (23) such as gold. It arrange | positions so that it may become the metal mold | die (4) side. The release sheet (1) is interposed between the lead frame (21) and the inner surface of the lower mold (4). The release sheet (1) is arranged along the lower mold (4) so as to be continuously supplied from the unwinding reel (6) to the take-up reel (7). The release sheet (1) is disposed such that the side disposed on the inner surface of the lower mold (4) is the clean layer (12).

一方、上金型(3)のキャビティ(31)内には半導体チップ(2)を配置している。リード端子(22)の配置は、図4(ロ)のように全周に間隔をおいて配置する場合に限られず、全面に配置したり、対辺のみに配置してももよい。   On the other hand, the semiconductor chip (2) is disposed in the cavity (31) of the upper mold (3). The arrangement of the lead terminals (22) is not limited to the case where the lead terminals (22) are arranged at intervals around the entire circumference as shown in FIG. 4 (b), but may be arranged on the entire surface or only on the opposite side.

次に、図2(ロ)に示すように、上金型(3)と下上金型(4)で型閉した後、トランスファー成形によりキャビティ(31)内に封止樹脂(5)を注入・硬化させる。かかるトランスファー成形には、通常、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等が使用される。封止工程は、前記離型シート(1)を介在させて、前記リード端子(22)が露出するように行なう。   Next, as shown in FIG. 2B, after the upper mold (3) and the lower upper mold (4) are closed, the sealing resin (5) is injected into the cavity (31) by transfer molding.・ Curing. For such transfer molding, a thermosetting resin such as an epoxy resin is usually used. The sealing step is performed such that the lead terminal (22) is exposed with the release sheet (1) interposed therebetween.

その後、図2(ハ)に示すように型開する。その後、前記離型シート(1)を、下金型(4)の内面に沿って搬送することによって、離型シート(1)の清浄層(12)が下金型(4)の内面を清浄化する。樹脂封止工程の後毎に、前記離型シート(1)の搬送工程が連続的に行なわれる。なお、樹脂封止工程の後には、必要により脱型及びアフターキュアを行った後、リード端子(22)を残してリードフレーム(21)をトリミングにより適宜にカットする。   Thereafter, the mold is opened as shown in FIG. Thereafter, the release sheet (1) is conveyed along the inner surface of the lower mold (4), so that the clean layer (12) of the release sheet (1) cleans the inner surface of the lower mold (4). Turn into. Every time after the resin sealing step, the conveying step of the release sheet (1) is continuously performed. After the resin sealing step, after removing the mold and after-curing as necessary, the lead frame (21) is appropriately cut by trimming while leaving the lead terminal (22).

図3は、離型シート(1)を上金型(3)の内面に沿って搬送する場合である。図3では、離型シート(1)の清浄層(12)が上金型(3)の内面側になるように設置する。その他は、図3(イ)〜(ハ)は、図2(イ)〜(ハ)と同様の操作が行なわれる。   FIG. 3 shows a case where the release sheet (1) is conveyed along the inner surface of the upper mold (3). In FIG. 3, it installs so that the clean layer (12) of a release sheet (1) may become the inner surface side of an upper metal mold | die (3). In other respects, operations similar to those shown in FIGS. 2A to 2C are performed in FIGS.

以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

実施例1
フッ素樹脂のディスバージョンのキャスティングによって得られたPTFE系の離型シート(厚さ約25μm:離型層)に、厚さ約100μmの和紙をETFEフィルムを介して熱圧着ラミネートし、清浄層が紙素材となる離型シートを作成した。
Example 1
A PTFE release sheet (thickness of about 25 μm: release layer) obtained by casting a fluororesin dispersion is laminated by hot pressing with about 100 μm of Japanese paper through an ETFE film, and the clean layer is paper. A release sheet was made as a raw material.

この離型シートを、その清浄層(紙面)が下金型の内面側に擦れるように、Real to Real法によってに供給した。一方、離型シートPTFE側の面には、一辺が16PinタイプのQFNが4個×4個に配列された銅製のリードフレームに半導体チップを搭載し、金線によってワイヤボンディングを施したものを配置した。次いで、上金型により、半導体チップが上金型のキャビティ内に配置されるように型閉した。   This release sheet was supplied by the Real to Real method so that the clean layer (paper surface) was rubbed against the inner surface side of the lower mold. On the other hand, on the surface of the release sheet PTFE side, a semiconductor chip is mounted on a copper lead frame in which 4 × 4 16-pin QFNs are arranged on one side, and wire bonding is performed with gold wires did. Next, the upper mold was closed so that the semiconductor chip was placed in the cavity of the upper mold.

次いで、封止樹脂により、半導体チップを搭載した基板を以下の条件でモールドした。エポキシ系封止樹脂(日東電工社製:HC−300Bタイプ)により、モールドマシン(TOWA製Model−Y−serise)を用いて、175℃で、プレヒート設定3秒間、インジェクション時間12秒間、キュア時間90秒間にてモールドした後、金型を開けてReal to Real法によって封止したパッケージを送り出した。この樹脂封止と離型シートの搬送の操作を連続的に繰り返し行なった。   Next, the substrate on which the semiconductor chip was mounted was molded with a sealing resin under the following conditions. Using an epoxy-based sealing resin (manufactured by Nitto Denko Corporation: HC-300B type) and a mold machine (Model-Y-series manufactured by TOWA) at 175 ° C., preheating setting for 3 seconds, injection time of 12 seconds, curing time of 90 After molding in seconds, the mold was opened and the package sealed by the Real to Real method was sent out. This operation of resin sealing and release sheet conveyance was continuously repeated.

前記操作の約25ショット毎にリール交換を行いながら100ショットの樹脂封止を実施したところ、離型シートを供給した下金型の表面(内面)は特にクリーニングしなかったにも関わらず異物などの付着は認められず、金型の隅々まで紙による磨きが施されて良好な状態になっていた。また、モールドの完了した半導体装置はいずれも樹脂漏れの発生はなく100%の注型成功率であった。   When 100 shots of resin sealing was carried out while exchanging the reels every 25 shots of the above operation, the surface (inner surface) of the lower mold to which the release sheet was supplied was not particularly cleaned but foreign matter, etc. No adhesion was observed, and paper was polished to every corner of the mold and was in good condition. In addition, the semiconductor devices in which the molding was completed did not cause resin leakage and had a casting success rate of 100%.

実施例2
25μm厚のポリイミドフィルム(東レデュポン製:カプトン100H)を基材(離型層)として、シリコーン系粘着剤(東レデュポン社製・SD4580)を用いて厚さ約25μmの粘着剤層(清浄層)を設けた離型シートを作成した。
Example 2
A 25 μm thick polyimide film (Toray DuPont: Kapton 100H) as a base material (release layer) and a silicone adhesive (Toray DuPont, SD4580), about 25 μm thick adhesive layer (cleaning layer) A release sheet provided with was prepared.

実施例1において、離型シートとして上記で作成したものを用いたこと以外は実施例1と同様の操作を行なった。100ショットの樹脂封止を実施したところ、離型シートを供給した下金型の表面(内面)は特にクリーニングしなかったにも関わらず異物などの付着は認められず、金型の隅々まで紙による磨きが施されて良好な状態になっていた。また、モールドの完了した半導体装置はいずれも樹脂漏れの発生はなく100%の注型成功率であった。   In Example 1, the same operation as in Example 1 was performed, except that the release sheet prepared above was used. When 100 shots of resin sealing was carried out, the surface (inner surface) of the lower mold to which the release sheet was supplied was not particularly cleaned, but no foreign matter was adhered to it. The paper was polished and in good condition. In addition, the semiconductor devices in which the molding was completed did not cause resin leakage and had a casting success rate of 100%.

比較例1
実施例1において、離型シートとして、フッ素ディスパージョンのキャスティングによって得られたPTFE系の離型シート(厚さ約25μm)を用いたこと以外は実施例1と同様の操作を行なった。100ショットの樹脂封止を実施したところ、リール交換時に混入したと見られる異物が下金型の表面(内面)に付着し、著しい凹凸が発生していた。そのため、50ショット交換以降の半導体装置には異物に起因する当たり部が樹脂漏れとなって樹脂漏れ不良を引き起こし、注型成功率は49%であった。
Comparative Example 1
In Example 1, the same operation as in Example 1 was performed, except that a PTFE release sheet (thickness: about 25 μm) obtained by casting a fluorine dispersion was used as the release sheet. When 100 shots of resin sealing was performed, foreign matter that appeared to be mixed during reel replacement adhered to the surface (inner surface) of the lower mold, and significant unevenness was generated. For this reason, in the semiconductor device after 50 shot replacement, the contact portion caused by the foreign matter causes resin leakage, causing a resin leakage failure, and the casting success rate was 49%.

本発明の半導体装置製造用離型シートの一例である。It is an example of the release sheet for semiconductor device manufacture of this invention. 本発明の半導体装置の製造方法の工程図の一例である。It is an example of the process drawing of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. 本発明の半導体装置の製造方法の工程図の一例である。It is an example of the process drawing of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. 本発明に用いるリードフレームの一例である。It is an example of the lead frame used for this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 離型シート
11 離型層
12 清浄層
2 半導体チップ
21 基板
3 上金型
4 下金型
5 封止樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Release sheet 11 Release layer 12 Clean layer 2 Semiconductor chip 21 Substrate 3 Upper die 4 Lower die 5 Sealing resin

Claims (5)

半導体チップを搭載した基板の被封止面と少なくとも片側の金型内面との間に、離型シートを介在させて樹脂封止する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
前記離型シートは、樹脂封止工程を施した後毎に金型内面に沿って連続的に搬送し、
かつ前記離型シートの金型内面に配置される側の表面は、金型内面を清浄化する機能を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
A method for manufacturing a semiconductor device comprising at least a step of resin sealing with a release sheet interposed between a sealed surface of a substrate on which a semiconductor chip is mounted and at least one mold inner surface,
The release sheet is continuously conveyed along the inner surface of the mold every time after the resin sealing step is performed,
And the manufacturing method of the semiconductor device characterized by the surface of the side arrange | positioned at the metal mold | die inner surface of the said release sheet having the function to clean a metal mold | die inner surface.
請求項1記載の半導体装置の製造方法に用いる離型シートであって、
前記基板の被封止面に配置される側の表面は、離型機能を有しており、
前記金型内面に配置される側の表面は、金型内面を清浄化する機能を有していることを特徴とする半導体装置製造用離型シート。
It is a release sheet used for the manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1, Comprising:
The surface on the side to be arranged on the surface to be sealed of the substrate has a release function,
A mold release sheet for manufacturing a semiconductor device, wherein the surface on the inner surface of the mold has a function of cleaning the inner surface of the mold.
前記金型内面に配置される側の表面が、不織布であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置製造用離型シート。   The release sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the surface on the side disposed on the inner surface of the mold is a nonwoven fabric. 前記金型内面に配置される側の表面が、紙であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置製造用離型シート。   3. The release sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the surface on the side disposed on the inner surface of the mold is paper. 前記金型内面に配置される側の表面が、粘着性を有する層により形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置製造用離型シート。



The release sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the surface on the side disposed on the inner surface of the mold is formed of an adhesive layer.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015153961A (en) * 2014-02-18 2015-08-24 日立オートモティブシステムズ株式会社 Release film for molding
JP2020059272A (en) * 2018-10-04 2020-04-16 日東電工株式会社 Heat-resistant release sheet and thermocompression bonding method

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